JPH04188427A - 磁気ディスク - Google Patents
磁気ディスクInfo
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- JPH04188427A JPH04188427A JP31605990A JP31605990A JPH04188427A JP H04188427 A JPH04188427 A JP H04188427A JP 31605990 A JP31605990 A JP 31605990A JP 31605990 A JP31605990 A JP 31605990A JP H04188427 A JPH04188427 A JP H04188427A
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- Japan
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- magnetic disk
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- Pending
Links
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ディスク、更に詳しくは優れたかつ安定
した結晶配向性をもつ磁気記録媒体膜を有する磁気ディ
スクに関する。
した結晶配向性をもつ磁気記録媒体膜を有する磁気ディ
スクに関する。
フロッピーディスク、ハードディスク等の磁気ディスク
を製造する際、ターゲートと基板の間にマスクを設ける
か、ターゲット径を小さくし、スパッタ法によりスパッ
タ粒子を斜めに基板に入射させる方法が知られている（
特開昭６２−８２５１６号、同６２−８２５１７号）。
を製造する際、ターゲートと基板の間にマスクを設ける
か、ターゲット径を小さくし、スパッタ法によりスパッ
タ粒子を斜めに基板に入射させる方法が知られている（
特開昭６２−８２５１６号、同６２−８２５１７号）。
このようにして、非磁性基板上に、第１層として、例え
ばＣｒ層、第２層として例えばＣｏ、 Ｃｏ−Ｃｒ、
Ｃｏ−Ｎｉ層が積層された磁気ディスクが製造される。
ばＣｒ層、第２層として例えばＣｏ、 Ｃｏ−Ｃｒ、
Ｃｏ−Ｎｉ層が積層された磁気ディスクが製造される。
しかしながら、このような磁気ディスク（第１層の非磁
性Ｃｒの膜厚は１０００〜６０００人、第２層の磁性Ｃ
ｏ、 Ｃｏ−ＣｒもしくはＧｏ−Ｎｉの膜厚は２５０〜
５００人）は、保磁力が１２０００ｅ程度、ＳＮ比が２
８〜３２ｄＢ程度であり、その電磁変換特性が充分なも
のではない。
性Ｃｒの膜厚は１０００〜６０００人、第２層の磁性Ｃ
ｏ、 Ｃｏ−ＣｒもしくはＧｏ−Ｎｉの膜厚は２５０〜
５００人）は、保磁力が１２０００ｅ程度、ＳＮ比が２
８〜３２ｄＢ程度であり、その電磁変換特性が充分なも
のではない。
本発明の目的は、この様な事情に鑑み、電磁変換特性が
可及的に向上した磁気ディスクを提供することにある。
可及的に向上した磁気ディスクを提供することにある。
本発明は、前記目的を達成するものとして、非磁性基板
上に、実質的にＴａからなる下地層である第１層、実質
的にＣｒからなる第２層およびＣｏ系、Ｃｏ−Ｃｒ系も
しくはＣｏ−Ｎｉ系磁気記録媒体膜である第３層が形成
されてなる磁気ディスクである。
上に、実質的にＴａからなる下地層である第１層、実質
的にＣｒからなる第２層およびＣｏ系、Ｃｏ−Ｃｒ系も
しくはＣｏ−Ｎｉ系磁気記録媒体膜である第３層が形成
されてなる磁気ディスクである。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明の磁気ディスクにおいて、まず、非磁性基板とし
ては、Ａ Ｉｔ 、 Ｎ１−Ｐ下地が施されたＡｆ。
ては、Ａ Ｉｔ 、 Ｎ１−Ｐ下地が施されたＡｆ。
Ａ ｌ ｇｏｚ、耐熱性プラスチック、ガラスなどが使
用できる。
用できる。
次に、この非磁性基板上に第１層として形成される実質
的にＴａからなる下地層は、本発明の磁気ディスクの特
徴となるものである。この下地層は、必要に応じて、も
しくは不可避的に添加、混入される元素が含有されてい
ても良い。
的にＴａからなる下地層は、本発明の磁気ディスクの特
徴となるものである。この下地層は、必要に応じて、も
しくは不可避的に添加、混入される元素が含有されてい
ても良い。
この層を形成することによって、得られる磁気ディスク
の電磁変換特性が著しく向上する。そして、この層の膜
厚は、１０人未満では上記効果が充分でなく、一方、１
００人を超えると上記効果が低下し易くなるので、１０
〜１００人が好ましい、この層の上記効果が発揮される
のは、この層□ の形成により、実質的にＣｒからなる
第２層のそのｂｃｃ＜１００＞面を基板面に平行に向け
た優れた結晶配向を有し易くなり、従って、その上にエ
ピタキシャル成長する磁気記録媒体膜である第３層の磁
化容易軸であるｈｃｐの〈１１０〉面が基板面に平行に
向いた配向を有するようになることによると推察される
。
の電磁変換特性が著しく向上する。そして、この層の膜
厚は、１０人未満では上記効果が充分でなく、一方、１
００人を超えると上記効果が低下し易くなるので、１０
〜１００人が好ましい、この層の上記効果が発揮される
のは、この層□ の形成により、実質的にＣｒからなる
第２層のそのｂｃｃ＜１００＞面を基板面に平行に向け
た優れた結晶配向を有し易くなり、従って、その上にエ
ピタキシャル成長する磁気記録媒体膜である第３層の磁
化容易軸であるｈｃｐの〈１１０〉面が基板面に平行に
向いた配向を有するようになることによると推察される
。
更に、上記第１層上に形成される第２層の実質的にＣｒ
からなる層は、Ｃｒ単味でも、Ｃｕ、 Ｎｂ＋ Ｔｉ＋
Ｖ＋ Ｚｒ、 Ｍｏ＋ Ｚｎ、 Ｗ、 Ｔａや酸素など
の元素が１０重量％程度以下含有されていてもよい。
からなる層は、Ｃｒ単味でも、Ｃｕ、 Ｎｂ＋ Ｔｉ＋
Ｖ＋ Ｚｒ、 Ｍｏ＋ Ｚｎ、 Ｗ、 Ｔａや酸素など
の元素が１０重量％程度以下含有されていてもよい。
そして、上記第２層上に第３層として磁気記録媒体膜が
形成される。Ｃｏ −Ｃｒ層、Ｃｏ−Ｎｉ層は、通常、
３０重量％以下の夫々Ｃｒ、 Ｎｉを含有する。また、
この第３層には、Ｃｕ、 Ｎｂ、 Ｔｉ、 Ｖ、 Ｃｒ
、 Ｚｒ。
形成される。Ｃｏ −Ｃｒ層、Ｃｏ−Ｎｉ層は、通常、
３０重量％以下の夫々Ｃｒ、 Ｎｉを含有する。また、
この第３層には、Ｃｕ、 Ｎｂ、 Ｔｉ、 Ｖ、 Ｃｒ
、 Ｚｒ。
Ｍｏ、 Ｚｎ、 Ｗ、 Ｔａ、 Ｙ、 Ｌａ、 Ｃｅ、
Ｐｒ、 Ｎｄ、 Ｓｍ、 Ｇｄ＋Ｔｂ、 Ｄｙや酸素
などの元素が１０重量％程度以下含有されていてもよい
。
Ｐｒ、 Ｎｄ、 Ｓｍ、 Ｇｄ＋Ｔｂ、 Ｄｙや酸素
などの元素が１０重量％程度以下含有されていてもよい
。
本発明の第１層、第２層の膜は、スパッタリング法、真
空蒸着法、イオンブレーティング法などにより形成する
ことができる。
空蒸着法、イオンブレーティング法などにより形成する
ことができる。
以下、本発明を実施例と従来例により更に詳しく説明す
る。
る。
試験麹１〜４
まず、ガラス基板上に第１層としてＴａ単味層、第２層
としてＣｒ単味層をスパッタリング法により成膜した（
試験階１は、Ｔａ単味層なし）。この際の成膜条件を第
１表に示す。
としてＣｒ単味層をスパッタリング法により成膜した（
試験階１は、Ｔａ単味層なし）。この際の成膜条件を第
１表に示す。
この膜のうち、Ｃｒ単味層の結晶配向性をＸ線回折によ
り調べた。得られた結果を第２表に示す。
り調べた。得られた結果を第２表に示す。
第２表
試験Ｎα５〜８
次に厚さ１．３ｍｍのＮ１−Ｐめっき下地が施されたＡ
ｆ基板上にマグネトロンスパッタ装置を用いて、第１層
としてＴａ単味層、第２層としてＣｒ単味層、第３層と
してＮｉ２Ｏ重量％、残部Ｃｏからなり膜厚５００人の
磁気記録媒体膜を形成した（試験Ｎｏ、 ５は、Ｔａ単
味層なし）。この際の成膜条件を第３表に示す。
ｆ基板上にマグネトロンスパッタ装置を用いて、第１層
としてＴａ単味層、第２層としてＣｒ単味層、第３層と
してＮｉ２Ｏ重量％、残部Ｃｏからなり膜厚５００人の
磁気記録媒体膜を形成した（試験Ｎｏ、 ５は、Ｔａ単
味層なし）。この際の成膜条件を第３表に示す。
得られた磁気ディスクは切断し、前記ＣｏＮｉ層の結晶
配向性をＸ線回折により調べた。また、磁気特性は振動
試料型磁力計およびトルク計により測定した。得られた
結果を第４表に示す。
配向性をＸ線回折により調べた。また、磁気特性は振動
試料型磁力計およびトルク計により測定した。得られた
結果を第４表に示す。
第４表より、第−層にＴａを成膜した試料では、第３層
である磁気記録媒体層の（１１０）面からのＸ線回折線
強度が強まり、＜１１０＞面が基板と平行に配向してい
ることがわかる。
である磁気記録媒体層の（１１０）面からのＸ線回折線
強度が強まり、＜１１０＞面が基板と平行に配向してい
ることがわかる。
（発明の効果〕
以上から明らかなように、本発明により、優れた結晶配
向性を有し、電磁変換特性を著しく向上せしめた磁気デ
ィスクを提供することができる。
向性を有し、電磁変換特性を著しく向上せしめた磁気デ
ィスクを提供することができる。
特許出願人 住友金属鉱山株式会社
Claims (1)
- （１）非磁性基板上に、実質的にＴａからなる下地層で
ある第１層、実質的にＣｒからなる第２層およびＣｏ系
、Ｃｏ−Ｃｒ系もしくはＣｏ−Ｎｉ系磁気記録媒体膜で
ある第３層が形成されてなる磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31605990A JPH04188427A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31605990A JPH04188427A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04188427A true JPH04188427A (ja) | 1992-07-07 |
Family
ID=18072804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31605990A Pending JPH04188427A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04188427A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6623874B2 (en) | 2000-10-06 | 2003-09-23 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic recording apparatus |
| US7267894B2 (en) | 2002-09-19 | 2007-09-11 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic recording apparatus |
| US7517597B2 (en) | 2003-12-24 | 2009-04-14 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic recording medium |
-
1990
- 1990-11-22 JP JP31605990A patent/JPH04188427A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6623874B2 (en) | 2000-10-06 | 2003-09-23 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic recording apparatus |
| US7005202B2 (en) | 2000-10-06 | 2006-02-28 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic recording apparatus |
| US7267894B2 (en) | 2002-09-19 | 2007-09-11 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic recording apparatus |
| US7517597B2 (en) | 2003-12-24 | 2009-04-14 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic recording medium |
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