JPH0740341B2 - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH0740341B2 JPH0740341B2 JP2087745A JP8774590A JPH0740341B2 JP H0740341 B2 JPH0740341 B2 JP H0740341B2 JP 2087745 A JP2087745 A JP 2087745A JP 8774590 A JP8774590 A JP 8774590A JP H0740341 B2 JPH0740341 B2 JP H0740341B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は磁気記録媒体に係り、特に磁気ディスク装置、
フロッピーディスク装置、磁気テープ装置等の磁気記録
装置に用いられる磁気記録媒体であって、その磁気特性
が著しく向上された磁気記録媒体及びその製造方法に関
するものである。
フロッピーディスク装置、磁気テープ装置等の磁気記録
装置に用いられる磁気記録媒体であって、その磁気特性
が著しく向上された磁気記録媒体及びその製造方法に関
するものである。
［従来の技術］ 近年、磁気ディスク装置、フロッピーディスク装置、磁
気テープ装置等の磁気記録装置の適用範囲は著しく増大
され、その重要性が増すと共に、これらの装置に用いら
れる磁気記録媒体について、その記録密度の著しい向上
が図られつつある。
気テープ装置等の磁気記録装置の適用範囲は著しく増大
され、その重要性が増すと共に、これらの装置に用いら
れる磁気記録媒体について、その記録密度の著しい向上
が図られつつある。
これらの磁気記録媒体については、今後更に高記録密度
化を達成することが要求されており、そのために、磁気
記録層の高保磁力化と高信号対雑音比（SN比）が必要と
されている。
化を達成することが要求されており、そのために、磁気
記録層の高保磁力化と高信号対雑音比（SN比）が必要と
されている。
ところで、線記録密度、出力、及びSN比と、磁気記録媒
体の特性との間には、およそ次のような関係があること
が解明されている。
体の特性との間には、およそ次のような関係があること
が解明されている。
（線記録密度）∝（Hc/Br・ｔ） （出 力）∝（Br/t・Hc） （Ｓ Ｎ 比）∝（Hc/Br・ｔ） ここで、Hcは保磁力、Brは残留磁束密度、ｔは膜厚を表
す。また、記号∝は左辺の特性が右辺の値と比例するこ
とを示している。
す。また、記号∝は左辺の特性が右辺の値と比例するこ
とを示している。
従って、高記録密度の磁気記録媒体の設計においては、
必要とされる出力を損なわないようBr・ｔを維持して、
保磁力Hcを大きくすることが必要となる。
必要とされる出力を損なわないようBr・ｔを維持して、
保磁力Hcを大きくすることが必要となる。
近年、高記録密度化の観点から、金属薄膜型の磁気記録
媒体が磁性粉及びバインダー樹脂からなる磁性塗料を塗
布して磁性層を形成してなる塗布型磁気記録媒体に代わ
って用いられ始めている。
媒体が磁性粉及びバインダー樹脂からなる磁性塗料を塗
布して磁性層を形成してなる塗布型磁気記録媒体に代わ
って用いられ始めている。
この金属薄膜型の磁気記録媒体は、無電解めっき、電気
めっき、スパッタ、蒸着等の方法により磁性膜が成膜さ
れ、その磁性層組成としては、Co（コバルト）−Ｐ（リ
ン）、Co−Ni（ニッケル）−Ｐ、Co−Ni−Cr（クロ
ム）、Co−Ni−Pt（プラチナ）合金等が実用化されてい
る。
めっき、スパッタ、蒸着等の方法により磁性膜が成膜さ
れ、その磁性層組成としては、Co（コバルト）−Ｐ（リ
ン）、Co−Ni（ニッケル）−Ｐ、Co−Ni−Cr（クロ
ム）、Co−Ni−Pt（プラチナ）合金等が実用化されてい
る。
最近、スパッタ成膜法において、磁性層成膜中に基板に
負のバイアス電圧を印加することにより、高保磁力が得
られることが報告されている（昭和63年第35回応用物理
学関係連合講演会資料29a−Ｃ−9,−10及び電子通信学
会電子部品材料研究会試料CPM88−92）。
負のバイアス電圧を印加することにより、高保磁力が得
られることが報告されている（昭和63年第35回応用物理
学関係連合講演会資料29a−Ｃ−9,−10及び電子通信学
会電子部品材料研究会試料CPM88−92）。
また、Co70原子％−Ni20原子％−Cr10原子％にバナジウ
ムを添加して、バイアス電圧を印加しながら磁性層を成
膜すると更に保磁力の増加が認められることが報告され
ている（昭和63年第12回日本応用磁気学会学術講演概要
集30a−Ｃ−５）。
ムを添加して、バイアス電圧を印加しながら磁性層を成
膜すると更に保磁力の増加が認められることが報告され
ている（昭和63年第12回日本応用磁気学会学術講演概要
集30a−Ｃ−５）。
なお、バイアス電圧を印加しながら、磁性層をスパッタ
成膜することは、特開昭57−34324号公報等で公知であ
る。
成膜することは、特開昭57−34324号公報等で公知であ
る。
［発明が解決しようとする課題］ 本発明者は、新規な磁性層組成においてもバイアス電圧
を印加しながらスパッタ成膜することにより、高保磁力
を有する磁気記録媒体が得られることを見出し本発明に
到達した。
を印加しながらスパッタ成膜することにより、高保磁力
を有する磁気記録媒体が得られることを見出し本発明に
到達した。
［課題を解決するための手段］ 即ち、本発明の要旨は、非磁性基板上にCrを主成分とす
る非磁性下地層を介してCo−Cr系合金磁性層を形成して
なる磁気記録媒体であって、Co−Cr系合金磁性層がNiを
40原子％以下及びＢ（ホウ素）を８原子％以下含有する
ものであり、且つ非磁性基板に負のバイアス電位を印加
した状態でスパッタ法により成膜されたものであること
を特徴とする磁気記録媒体及びその製造方法に存する。
る非磁性下地層を介してCo−Cr系合金磁性層を形成して
なる磁気記録媒体であって、Co−Cr系合金磁性層がNiを
40原子％以下及びＢ（ホウ素）を８原子％以下含有する
ものであり、且つ非磁性基板に負のバイアス電位を印加
した状態でスパッタ法により成膜されたものであること
を特徴とする磁気記録媒体及びその製造方法に存する。
ここで、負のバイアス電位とはプラズマ電位に対して相
対的に低い電位であることを意味する。
対的に低い電位であることを意味する。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明において、非磁性基板としては特に制限はなく、
通常、無電解めっき法により形成したニッケル−リン層
を設けたアルミニウム合金板が用いられるが、その他、
銅、チタン等の金属基板、ガラス基板、セラミック基
板、又は樹脂基板等を用いることもできる。ただし、基
板が非導電性基板の場合は磁性層成膜時のバイアス電位
印加方式を交流としたり、基板は設置電位のまま、スパ
ッタ時のプラズマポテンシャルを高めるような装置的な
工夫が必要である。
通常、無電解めっき法により形成したニッケル−リン層
を設けたアルミニウム合金板が用いられるが、その他、
銅、チタン等の金属基板、ガラス基板、セラミック基
板、又は樹脂基板等を用いることもできる。ただし、基
板が非導電性基板の場合は磁性層成膜時のバイアス電位
印加方式を交流としたり、基板は設置電位のまま、スパ
ッタ時のプラズマポテンシャルを高めるような装置的な
工夫が必要である。
このような非磁性基板上に形成するCrを主成分とする非
磁性下地層（以下、「Cr系下地層」と称することがあ
る。）は、通常、その薄膜が100Å以上、好ましくは300
Å以上あればよい。膜厚の上限は特に制限はないが、生
産性及び保磁力以外の磁気特性、例えば角形性を考慮す
れば、実用的には3000Å以下が好ましい。
磁性下地層（以下、「Cr系下地層」と称することがあ
る。）は、通常、その薄膜が100Å以上、好ましくは300
Å以上あればよい。膜厚の上限は特に制限はないが、生
産性及び保磁力以外の磁気特性、例えば角形性を考慮す
れば、実用的には3000Å以下が好ましい。
基板にバイアス電位を印加しないで通常のスパッタ成膜
で磁性層を成膜する場合は、磁性層の保持力を増加させ
るためにCr系下地層の膜厚を1500〜3000Å程度にする必
要があるが、本発明の場合は、Cr系下地層の膜厚は磁性
層の磁化容易軸を膜面内に配向させるのに充分な膜厚で
あればよく、薄くても高い保持力を容易に得ることがで
きる。
で磁性層を成膜する場合は、磁性層の保持力を増加させ
るためにCr系下地層の膜厚を1500〜3000Å程度にする必
要があるが、本発明の場合は、Cr系下地層の膜厚は磁性
層の磁化容易軸を膜面内に配向させるのに充分な膜厚で
あればよく、薄くても高い保持力を容易に得ることがで
きる。
Cr系下地層はCrを主体とするものであれば良く、Crの結
晶性を損なわない限りCr以外の元素、例えばアルミニウ
ム、銅、ケイ素等を数％含んでいてもよい。
晶性を損なわない限りCr以外の元素、例えばアルミニウ
ム、銅、ケイ素等を数％含んでいてもよい。
Cr系下地層を形成するスパッタ条件としては特に制限は
なく、通常のCr系下地層を形成する際に採用されるスパ
ッタ条件を採用することができる。その際、基板に負の
バイアス電位を印加しても印加しなくてもよいが、印加
した場合は磁気特性が多少向上する。
なく、通常のCr系下地層を形成する際に採用されるスパ
ッタ条件を採用することができる。その際、基板に負の
バイアス電位を印加しても印加しなくてもよいが、印加
した場合は磁気特性が多少向上する。
本発明において、このようなCr系下地層上に形成する合
金磁性層は、Coの主成分としてNiを40原子％以下、好ま
しくは10〜35原子％及びＢを８原子％以下、好ましくは
0.005〜8.0原子％を含有するCo−Cr−Ni−Ｂ系磁性層で
ある。
金磁性層は、Coの主成分としてNiを40原子％以下、好ま
しくは10〜35原子％及びＢを８原子％以下、好ましくは
0.005〜8.0原子％を含有するCo−Cr−Ni−Ｂ系磁性層で
ある。
Niの含有量が40原子％までは含有量が多くなる程保磁力
は増加する傾向にあるが、40原子％を越えると保磁力の
低下が認められる。Ｂの含有量が８原子％を越えると保
磁力増加効果がなくなる。Cr量は、通常５原子％〜26原
子％の範囲であり、好ましくは６原子％〜18原子％の範
囲である。26原子％を越えると飽和磁束密度が小さくな
り、あまり実用的でなく、６原子％未満では保磁力増加
効果が小さい。
は増加する傾向にあるが、40原子％を越えると保磁力の
低下が認められる。Ｂの含有量が８原子％を越えると保
磁力増加効果がなくなる。Cr量は、通常５原子％〜26原
子％の範囲であり、好ましくは６原子％〜18原子％の範
囲である。26原子％を越えると飽和磁束密度が小さくな
り、あまり実用的でなく、６原子％未満では保磁力増加
効果が小さい。
さらに、磁性層の成膜をアルゴン雰囲気にて実施した場
合、後述するバイアス効果により不可避的に磁性層中に
アルゴンが混入される。その量は約0.2〜1.5原子％程度
と、基板に負のバイアス電位を印加しない通常のスパッ
タ成膜の場合よりも多い。
合、後述するバイアス効果により不可避的に磁性層中に
アルゴンが混入される。その量は約0.2〜1.5原子％程度
と、基板に負のバイアス電位を印加しない通常のスパッ
タ成膜の場合よりも多い。
磁性膜の膜厚は、磁気記録媒体として要求される特性に
より適宜決定すればよく、通常、300〜1500Åが好まし
い。
より適宜決定すればよく、通常、300〜1500Åが好まし
い。
また、本発明の磁気記録媒体の製造方法においては上記
したCo−Cr−Ni−Ｂ系合金磁性層を、非磁性基板に負の
バイアス電位を印加した状態、即ち、非磁性基板にプラ
ズマ電位に対して相対的に低い電位を印加した状態でス
パッタ法により成膜することを特徴とする。
したCo−Cr−Ni−Ｂ系合金磁性層を、非磁性基板に負の
バイアス電位を印加した状態、即ち、非磁性基板にプラ
ズマ電位に対して相対的に低い電位を印加した状態でス
パッタ法により成膜することを特徴とする。
非磁性基板にプラズマ電位に対して相対的に低い電位を
印加する方法としては、非磁性基板にスパッタ装置本体
の接地部に対して負の電位を印加する方法（以下、基板
バイアス法とも言う）、あるいは、非磁性基板は接地電
位のまま、プラズマ電位を接地電位より高くする方法の
いずれもが採用される。
印加する方法としては、非磁性基板にスパッタ装置本体
の接地部に対して負の電位を印加する方法（以下、基板
バイアス法とも言う）、あるいは、非磁性基板は接地電
位のまま、プラズマ電位を接地電位より高くする方法の
いずれもが採用される。
本発明において、スパッタ法による磁性層の成膜に際
し、得られる磁気記録媒体の保磁力は、成膜時に基板に
印加する負のバイアス電位の影響を顕著に受ける。即
ち、後述の実施例における第２図に示すように、負の基
板バイアス電位が−40Vを越えると保磁力が著しく増加
する。ただし、負の基板バイアス電位が大き過ぎると、
成膜された磁性層の再スパッタリングが多くなるととも
に磁気特性も低下する。
し、得られる磁気記録媒体の保磁力は、成膜時に基板に
印加する負のバイアス電位の影響を顕著に受ける。即
ち、後述の実施例における第２図に示すように、負の基
板バイアス電位が−40Vを越えると保磁力が著しく増加
する。ただし、負の基板バイアス電位が大き過ぎると、
成膜された磁性層の再スパッタリングが多くなるととも
に磁気特性も低下する。
従って、上記した基板バイアス法を用いる場合、負の基
板バイアス電位は、高周波マグネトロンスパッタ法の場
合は、約−40V〜−250Vが好ましい範囲である。また、
直流マグネトロンスパッタ法の場合は、負の基板バイア
ス電位は約−50〜−500Vが好ましい範囲である。
板バイアス電位は、高周波マグネトロンスパッタ法の場
合は、約−40V〜−250Vが好ましい範囲である。また、
直流マグネトロンスパッタ法の場合は、負の基板バイア
ス電位は約−50〜−500Vが好ましい範囲である。
更にまた、非磁性基板は接地電位のままプラズマ電位を
接地電位より高くする方法による場合には、ターゲット
近傍に中間電極を設け該中間電極に非磁性基板並びにス
パッタ装置本体の接地部に対して、例えば1000V以下、
中でも50〜500Vの正の電位を印加するのが好ましい。
接地電位より高くする方法による場合には、ターゲット
近傍に中間電極を設け該中間電極に非磁性基板並びにス
パッタ装置本体の接地部に対して、例えば1000V以下、
中でも50〜500Vの正の電位を印加するのが好ましい。
なお、スパッタ法による成膜時のプラズマ電位及びバイ
アス電位印加効果は、スパッタ装置の寸法、形状等の幾
何学的影響を受けるので、上記した負の基板バイアス電
位値並びに中間電極に印加する正の電位値は、絶対的な
値ではなく、装置により最適範囲は異なる。
アス電位印加効果は、スパッタ装置の寸法、形状等の幾
何学的影響を受けるので、上記した負の基板バイアス電
位値並びに中間電極に印加する正の電位値は、絶対的な
値ではなく、装置により最適範囲は異なる。
得られる磁気記録媒体の保磁力は、スパッタ成膜時の非
磁性基板温度の影響を顕著に受ける。即ち、後述の実施
例における第３図に示すように、基板温度が150℃以上
になると著しい保磁力の増加が認められ、1000eを越え
る高保磁力が得られる。したがって、成膜時の基板温度
としては、150℃以上であることが望ましい。なお、成
膜時の基板温度の上限に関しては一概に規定することは
困難であるが、例えば、無電解ニッケル・リンめっきを
施したアルミニウム合金基板の場合には、表面平滑性の
維持及びニッケル・リンめっきの磁性化防止のため、通
常は、300℃以下とするのが好ましい。スパッタ成膜時
の圧力は、高真空の方が、原子、イオン等の平均自由工
程が増すため好ましいが、１×10-3mTorrを越える高真
空においては、通常のスパッタ装置では安定したプラズ
マ状態が維持し難いため、実用的な範囲としては、１×
10-3〜20×10-3mTorrが好ましい。
磁性基板温度の影響を顕著に受ける。即ち、後述の実施
例における第３図に示すように、基板温度が150℃以上
になると著しい保磁力の増加が認められ、1000eを越え
る高保磁力が得られる。したがって、成膜時の基板温度
としては、150℃以上であることが望ましい。なお、成
膜時の基板温度の上限に関しては一概に規定することは
困難であるが、例えば、無電解ニッケル・リンめっきを
施したアルミニウム合金基板の場合には、表面平滑性の
維持及びニッケル・リンめっきの磁性化防止のため、通
常は、300℃以下とするのが好ましい。スパッタ成膜時
の圧力は、高真空の方が、原子、イオン等の平均自由工
程が増すため好ましいが、１×10-3mTorrを越える高真
空においては、通常のスパッタ装置では安定したプラズ
マ状態が維持し難いため、実用的な範囲としては、１×
10-3〜20×10-3mTorrが好ましい。
スパッタ方法は、直流マグネトロンスパッタ法でも高周
波マグネトロンスパッタ法でもよい。基板が非導電性基
板の場合は高周波マグネトロンスパッタ法が好ましい。
波マグネトロンスパッタ法でもよい。基板が非導電性基
板の場合は高周波マグネトロンスパッタ法が好ましい。
本発明の磁気記録媒体は、磁性層に上に更に必要に応じ
て炭素等の保護層及び／又は適宜の潤滑剤よりなる潤滑
層を形成してもよい。
て炭素等の保護層及び／又は適宜の潤滑剤よりなる潤滑
層を形成してもよい。
［実施例］ 以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
実施例１〜４及び比較例１ 内径25mm、外径95mmのアルミニウム合金ディスク基板表
面に、無電解めっきにより非磁性Ni−Ｐ層を25μｍ厚さ
に成膜し、その表面を鏡面研磨してRa（中心線平均粗
さ）20〜30Åに仕上げた。この非磁性基板を高周波（1
3.56MHz）マグネトロンスパッタ装置に装入し、１×10
-6Torrまで真空排気した後、基板温度を160℃まで昇温
し、アルゴン分圧５×10-3Torrにて、基板に直流−100V
のバイアス電圧を印加しながら、Cr下地層を約1400Å厚
さに成膜した。そして引き続き、Co80原子％−Cr8原子
％−Ni20原子％の組成のターゲットにＢチップをその枚
数を種々変えて乗せたターゲットを用いて直流−100Vの
バイアス電圧を印加しながら各々成膜を行ない、各々の
磁性層の飽和磁化量が4.7×10-3emu/cm2になるような厚
さに成膜して磁気記録媒体を得た。
面に、無電解めっきにより非磁性Ni−Ｐ層を25μｍ厚さ
に成膜し、その表面を鏡面研磨してRa（中心線平均粗
さ）20〜30Åに仕上げた。この非磁性基板を高周波（1
3.56MHz）マグネトロンスパッタ装置に装入し、１×10
-6Torrまで真空排気した後、基板温度を160℃まで昇温
し、アルゴン分圧５×10-3Torrにて、基板に直流−100V
のバイアス電圧を印加しながら、Cr下地層を約1400Å厚
さに成膜した。そして引き続き、Co80原子％−Cr8原子
％−Ni20原子％の組成のターゲットにＢチップをその枚
数を種々変えて乗せたターゲットを用いて直流−100Vの
バイアス電圧を印加しながら各々成膜を行ない、各々の
磁性層の飽和磁化量が4.7×10-3emu/cm2になるような厚
さに成膜して磁気記録媒体を得た。
得られた磁気記録媒体の保磁力Hcを測定し、結果をその
磁性層組成と共に第１表及び第１図に示した。
磁性層組成と共に第１表及び第１図に示した。
なお、保磁力Hcの測定は、試料振動式磁力計で行ない、
また、磁性層の膜組成の分析は、化学分析で行なった。
また、磁性層の膜組成の分析は、化学分析で行なった。
第１表及び第１図よりＢの添加により保磁力が著しく向
上し、またＢの含有量に最適範囲があることが明らかで
ある。
上し、またＢの含有量に最適範囲があることが明らかで
ある。
実施例５及び比較例２ 磁性層の組成をCo71.3原子％−Ni17.3原子％−Cr7.7原
子％−B3.7原子％になるように調整したこと及び非磁性
基板への直流バイアス電位を第２表に示す電位としたこ
と以外は実施例１と同様にして成膜した。各々について
保磁力を測定し、結果を第２表及び第２図に示した。
子％−B3.7原子％になるように調整したこと及び非磁性
基板への直流バイアス電位を第２表に示す電位としたこ
と以外は実施例１と同様にして成膜した。各々について
保磁力を測定し、結果を第２表及び第２図に示した。
第２表及び第２図より、負の基板バイアス電圧を印加す
ることにより、著しく保磁力が向上し、また最適範囲が
あることが明らかである。
ることにより、著しく保磁力が向上し、また最適範囲が
あることが明らかである。
実施例６ 成膜時の基板温度を第３表に示す温度としたこと以外
は、実施例１と同様にしてCo71.3原子％−Ni17.3原子％
−Cr7.7原子％−B3.7原子％の組成よりなる磁性層を有
する磁気記録媒体を製造し、各々についてその保磁力を
測定して結果を第３表及び第３図に示した。
は、実施例１と同様にしてCo71.3原子％−Ni17.3原子％
−Cr7.7原子％−B3.7原子％の組成よりなる磁性層を有
する磁気記録媒体を製造し、各々についてその保磁力を
測定して結果を第３表及び第３図に示した。
なお、成膜時の基板温度とは、成膜直前の基板温度のこ
とを称する。
とを称する。
実施例７ 磁性層の組成をCo71.3原子％−Ni17.3原子％−Cr7.7原
子％−B3.7原子％になるように調整したこと及び磁性層
の成膜時にのみ基板バイアス電圧−100V印加した他は、
実施例１と同様にして磁気記録媒体を製造した。
子％−B3.7原子％になるように調整したこと及び磁性層
の成膜時にのみ基板バイアス電圧−100V印加した他は、
実施例１と同様にして磁気記録媒体を製造した。
保磁力を測定したところ、保持力は16300eであった。Cr
下地層を形成するときにも基板バイアス電圧を印加した
時よりも多少低下した。
下地層を形成するときにも基板バイアス電圧を印加した
時よりも多少低下した。
比較例３及び比較例４ Co84原子％−Cr16原子％組成の磁性層用合金ターゲット
にＢチップをその枚数を種々変えて乗せたターゲットを
用いたこと以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体を
製造した。保磁力を測定し、結果をその磁性層組成と共
に第４表に示した。
にＢチップをその枚数を種々変えて乗せたターゲットを
用いたこと以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体を
製造した。保磁力を測定し、結果をその磁性層組成と共
に第４表に示した。
第４表で明らかな如く、Co−Cr系磁性層にＢを添加した
場合は逆に保磁力の低下が認められた。
場合は逆に保磁力の低下が認められた。
実施例８及び比較例５ 磁性層の組成をCo61原子％−Ni29原子％−Cr7原子％−B
3原子％になるように調整し、スパッタ装置として直流
マグネトロンスパッタ装置を用い、非磁性基板を210℃
まで昇温し、直流基板バイアス電位を第５表に示す電位
とした以外は実施例５と同様に成膜した。比較例５と共
に、各々について保磁力を測定した結果を第５表及び第
４図に示した。
3原子％になるように調整し、スパッタ装置として直流
マグネトロンスパッタ装置を用い、非磁性基板を210℃
まで昇温し、直流基板バイアス電位を第５表に示す電位
とした以外は実施例５と同様に成膜した。比較例５と共
に、各々について保磁力を測定した結果を第５表及び第
４図に示した。
第５表及び第４図より、負の基板バイアス電位を印加す
ることにより、著しく保磁力が向上し、また最適範囲が
あることが明らかである。
ることにより、著しく保磁力が向上し、また最適範囲が
あることが明らかである。
実施例９及び比較例６ 実施例８において、スパッタ装置として第６図に示すス
パッタリング装置を使用して成膜した。図中１はターゲ
ット、２は基板ホルダー、３は基板、４は中間電極、５
はスパッタリング用電源、６は中間電極用電源である。
第６表に示した正の直流電圧を中間電極に印加しながら
成膜を実施した。
パッタリング装置を使用して成膜した。図中１はターゲ
ット、２は基板ホルダー、３は基板、４は中間電極、５
はスパッタリング用電源、６は中間電極用電源である。
第６表に示した正の直流電圧を中間電極に印加しながら
成膜を実施した。
各々の磁気記録媒体の保磁力を測定し、その結果を第６
表及び第５図に示した。
表及び第５図に示した。
［発明の効果］ 以上詳述した通り、本発明の磁気記録媒体は、非磁性基
体上にCr系下地層を介して、Ni及びＢを特定量含有する
Co−Cr系合金磁性層を形成してなるものであって、スパ
ッタ法による磁性層の成膜の際に、非磁性基板に負のバ
イアス電位を印加することによって、著しく高い保磁力
が得られる。このため高密度記録が可能な磁気記録媒体
を提供することができる。
体上にCr系下地層を介して、Ni及びＢを特定量含有する
Co−Cr系合金磁性層を形成してなるものであって、スパ
ッタ法による磁性層の成膜の際に、非磁性基板に負のバ
イアス電位を印加することによって、著しく高い保磁力
が得られる。このため高密度記録が可能な磁気記録媒体
を提供することができる。
第１図は実施例１〜４及び比較例１で得られた、Ｂ添加
量と保磁力の関係を示すグラフである。第２図は実施例
５及び比較例２で得られた基板バイアス電位と保磁力と
の関係を示すグラフである。第３図は実施例６で得られ
た成膜時の基板温度と保磁力との関係を示すグラフであ
る。第４図は実施例８及び比較例５で得られた基板バイ
アス電位と保磁力との関係を示すグラフである。第５図
は実施例９及び比較例６で得られた中間電極電位と保磁
力との関係を示すグラフである。第６図は実施例９で用
いた、中間電極を設けたスパッタリング装置の概略構成
図である。 1:ターゲット、2:基板ホルダー、3:基板、4:中間電極、
5:スパッタリング用電源、6:中間電極用電源。
量と保磁力の関係を示すグラフである。第２図は実施例
５及び比較例２で得られた基板バイアス電位と保磁力と
の関係を示すグラフである。第３図は実施例６で得られ
た成膜時の基板温度と保磁力との関係を示すグラフであ
る。第４図は実施例８及び比較例５で得られた基板バイ
アス電位と保磁力との関係を示すグラフである。第５図
は実施例９及び比較例６で得られた中間電極電位と保磁
力との関係を示すグラフである。第６図は実施例９で用
いた、中間電極を設けたスパッタリング装置の概略構成
図である。 1:ターゲット、2:基板ホルダー、3:基板、4:中間電極、
5:スパッタリング用電源、6:中間電極用電源。
Claims (2)
- 【請求項１】非磁性基板上にクロムを主成分とする非磁
性下地層を介してコバルト−クロム系合金磁性層を形成
してなる磁気記録媒体であって、コバルト−クロム系合
金磁性層がニッケルを40原子％以下及びホウ素を８原子
％以下含有するものであり、且つ非磁性基板に負のバイ
アス電位を印加した状態でスパッタ法により成膜された
ものであることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】非磁性基板上にクロムを主成分とする非磁
性下地層及びコバルト−クロム系合金磁性層をスパッタ
法により順次形成する磁気記録媒体の製造方法におい
て、非磁性基板に負のバイアス電圧を印加した状態で、
ニッケルを40原子％以下及びホウ素を８原子％以下含む
コバルト−クロム系合金磁性層を成膜することを特徴と
する磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2087745A JPH0740341B2 (ja) | 1989-04-04 | 1990-04-02 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8494589 | 1989-04-04 | ||
| JP1-84945 | 1989-04-04 | ||
| JP2087745A JPH0740341B2 (ja) | 1989-04-04 | 1990-04-02 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0349021A JPH0349021A (ja) | 1991-03-01 |
| JPH0740341B2 true JPH0740341B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=26425915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2087745A Expired - Fee Related JPH0740341B2 (ja) | 1989-04-04 | 1990-04-02 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0740341B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1908575A2 (en) | 2004-08-09 | 2008-04-09 | Beiler Beheer B.V. | Inflatable body, and method and device for manufacturing same |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0528485A (ja) * | 1991-07-24 | 1993-02-05 | Kubota Corp | 磁気記録媒体の製造法 |
-
1990
- 1990-04-02 JP JP2087745A patent/JPH0740341B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1908575A2 (en) | 2004-08-09 | 2008-04-09 | Beiler Beheer B.V. | Inflatable body, and method and device for manufacturing same |
| EP2290138A2 (en) | 2004-08-09 | 2011-03-02 | Beiler Beheer B.V. | Multifilament fibre, and method and device for forming an open fibre gauze |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0349021A (ja) | 1991-03-01 |
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Legal Events
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