JP2814623B2 - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気記録媒体に係り、特に磁気ディスク装
置、フロッピーディスク装置、磁気テープ装置等の磁気
記録装置に用いられる磁気記録媒体であって、その磁気
特性が著しく向上された磁気記録媒体及びその製造方法
に関するものである。
置、フロッピーディスク装置、磁気テープ装置等の磁気
記録装置に用いられる磁気記録媒体であって、その磁気
特性が著しく向上された磁気記録媒体及びその製造方法
に関するものである。
近年、磁気ディスク装置、フロッピーディスク装置、
磁気テープ装置等の磁気記録装置の適用範囲は著しく増
大され、その重要性が増すと共に、これらの装置に用い
られる磁気記録媒体について、その記録密度の著しい向
上が図られつつある。
磁気テープ装置等の磁気記録装置の適用範囲は著しく増
大され、その重要性が増すと共に、これらの装置に用い
られる磁気記録媒体について、その記録密度の著しい向
上が図られつつある。
これらの磁気記録媒体については、今後更に高記録密
度化を達成することが要求されており、そのために、磁
気記録層の高保磁力化と高信号対雑音比（SN比）が必要
とされている。
度化を達成することが要求されており、そのために、磁
気記録層の高保磁力化と高信号対雑音比（SN比）が必要
とされている。
ところで、線記録密度、出力、及びSN比と、磁気記録
媒体の特性との間には、およそ次のような関係があるこ
とが解明されている。
媒体の特性との間には、およそ次のような関係があるこ
とが解明されている。
（線記録密度）∝（Hc/Br・ｔ） （出 力）∝（Br・ｔ・Hc） （Ｓ Ｎ 比）∝（Hc/Br・ｔ） ここで、Hcは保磁力、Brは残留磁束密度、ｔは膜厚を
表す。また、記号∝は左辺の特性が右辺の値と比例する
ことを示している。
表す。また、記号∝は左辺の特性が右辺の値と比例する
ことを示している。
従って、高記録密度の磁気記録媒体の設計において
は、必要とされる出力を損なわないようBr・ｔを維持し
て、保磁力Hcを大きくすることが必要となる。
は、必要とされる出力を損なわないようBr・ｔを維持し
て、保磁力Hcを大きくすることが必要となる。
近年、高記録密度化の観点から、金属薄膜型の磁気記
録媒体の磁性粉及びバインダー樹脂からなる磁性塗料を
塗布して磁性層を形成してなる塗布型磁気記録媒体に代
わって用いられ始めている。
録媒体の磁性粉及びバインダー樹脂からなる磁性塗料を
塗布して磁性層を形成してなる塗布型磁気記録媒体に代
わって用いられ始めている。
この金属薄膜型の磁気記録媒体は、無電解めっき、電
気めっき、スパッタ、蒸着等の方法により磁性層が成膜
され、その磁性層組成としては、Co（コバルト）−Ｐ
（リン）、Co−Ni（ニッケル）−Ｐ、Co−Ni−Cr（クロ
ム）、Co−Ni−Pt（プラチナ）合金等が実用化されてい
る。
気めっき、スパッタ、蒸着等の方法により磁性層が成膜
され、その磁性層組成としては、Co（コバルト）−Ｐ
（リン）、Co−Ni（ニッケル）−Ｐ、Co−Ni−Cr（クロ
ム）、Co−Ni−Pt（プラチナ）合金等が実用化されてい
る。
最近、スパッタ成膜法において、磁性層成膜中に基板
に負のバイアス電圧を印加することにより、高保磁力が
得られることが報告されている（昭和63年第35回応用物
理学関係連合講演会資料29a−Ｃ−9,−10及び電子通信
学会電子部品材料研究会資料CPM88−92） しかしながら、これらの報告には、バイアス電圧の印
加はCrを一定量以上含有する特定の組成（Co 70原子％
−Ni 20原子％−Cr 10原子％、Co 86％原子％−Cr 12原
子％−Ta 2原子％）に関してのみ、効果があることが述
べられている。
に負のバイアス電圧を印加することにより、高保磁力が
得られることが報告されている（昭和63年第35回応用物
理学関係連合講演会資料29a−Ｃ−9,−10及び電子通信
学会電子部品材料研究会資料CPM88−92） しかしながら、これらの報告には、バイアス電圧の印
加はCrを一定量以上含有する特定の組成（Co 70原子％
−Ni 20原子％−Cr 10原子％、Co 86％原子％−Cr 12原
子％−Ta 2原子％）に関してのみ、効果があることが述
べられている。
また、Co−Ni−Cr合金磁性層にバナジウムを１原子％
程度添加することによって保磁力が増加することが報告
されている。（昭和63年第12回日本応用磁気学術講演会
概要集30a−Ｃ−５） なお、バイアス電圧を印加しながら、磁性層をスパッ
タ成膜することは、特開昭57−33324号公報等で公知で
ある。該公開公報にはバイアス電圧を印加しながらCo−
Cr合金磁性層を成膜することによって垂直磁気特性を改
良する方法に関するものであり、バイアス電圧の印加に
より保磁力の増加が認められることが記載されている。
程度添加することによって保磁力が増加することが報告
されている。（昭和63年第12回日本応用磁気学術講演会
概要集30a−Ｃ−５） なお、バイアス電圧を印加しながら、磁性層をスパッ
タ成膜することは、特開昭57−33324号公報等で公知で
ある。該公開公報にはバイアス電圧を印加しながらCo−
Cr合金磁性層を成膜することによって垂直磁気特性を改
良する方法に関するものであり、バイアス電圧の印加に
より保磁力の増加が認められることが記載されている。
前述したように、基板にバイアス電圧を印加しながら
磁性層スパッタ成膜することにより保磁力が増加すると
いう組成は、Crを一定量以上含有する系のみが公知とな
っている。
磁性層スパッタ成膜することにより保磁力が増加すると
いう組成は、Crを一定量以上含有する系のみが公知とな
っている。
本発明者は、Crを含まない磁性層組成においてもバイ
アス電圧を印加しながらスパッタ成膜することにより、
高保磁力を有する磁気記録媒体が得られることを見出
し、本発明に到達した。
アス電圧を印加しながらスパッタ成膜することにより、
高保磁力を有する磁気記録媒体が得られることを見出
し、本発明に到達した。
即ち、本発明の要旨は、非磁性基板上にCrを主成分と
する非磁性下地層を介して合金磁性層を形成してなる磁
気記録媒体であって、合金磁性層がCo及びNiを主成分と
してケイ素及びバナジウムからなる群から選ばれた少な
くとも１つを13原子％以下で含有するものであり、且つ
非磁性基板に負のバイアス電位を印加した状態でスパッ
タ法により成膜されたものであることを特徴とする磁気
記録媒体及び非磁性基板上にクロムを主成分とする非磁
性下地層及び合金磁性層をスパッタ法により順次形成す
る磁気記録媒体の製造方法において、非磁性基板に負の
バイアス電圧を印加した状態で、コバルト及びニッケル
を主成分としてケイ素及びバナジウムからなる群から選
ばれた少なくとも１つを13原子％以下で含む合金磁性層
を成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法に
存する。
する非磁性下地層を介して合金磁性層を形成してなる磁
気記録媒体であって、合金磁性層がCo及びNiを主成分と
してケイ素及びバナジウムからなる群から選ばれた少な
くとも１つを13原子％以下で含有するものであり、且つ
非磁性基板に負のバイアス電位を印加した状態でスパッ
タ法により成膜されたものであることを特徴とする磁気
記録媒体及び非磁性基板上にクロムを主成分とする非磁
性下地層及び合金磁性層をスパッタ法により順次形成す
る磁気記録媒体の製造方法において、非磁性基板に負の
バイアス電圧を印加した状態で、コバルト及びニッケル
を主成分としてケイ素及びバナジウムからなる群から選
ばれた少なくとも１つを13原子％以下で含む合金磁性層
を成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法に
存する。
ここで、負のバイアス電位とはプラズマ電位に対して
相対的に低い電位であることを意味する。
相対的に低い電位であることを意味する。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明において、非磁性基板としては特に制限はな
く、通常、無電解めっき法により形成したニッケル−リ
ン層を設けたアルミニウム合金板が用いられるが、その
他、銅、チタン等の金属基板、ガラス基板、セラミック
基板、又は樹脂基板等を用いることもできる。ただし、
基板が非導電性基板の場合は、磁性層成膜時のバイアス
電位印加方式を交流としたり、基板は接地電位のまま、
スパッタ時のプラズマポテンシャルを高めるような装置
的な工夫が必要である。
く、通常、無電解めっき法により形成したニッケル−リ
ン層を設けたアルミニウム合金板が用いられるが、その
他、銅、チタン等の金属基板、ガラス基板、セラミック
基板、又は樹脂基板等を用いることもできる。ただし、
基板が非導電性基板の場合は、磁性層成膜時のバイアス
電位印加方式を交流としたり、基板は接地電位のまま、
スパッタ時のプラズマポテンシャルを高めるような装置
的な工夫が必要である。
このような非磁性基板上に形成するCrを主成分とする
非磁性下地層（以下、「Cr系下地層」と称することがあ
る。）は、通常、その膜厚が100Å以上、好ましくは300
Å以上あればよい。膜厚の上限は特に制限はないが、生
産性及び保磁力以外の磁気特性、例えば角形性を考慮す
れば、実用的には3000Å以下が好ましい。
非磁性下地層（以下、「Cr系下地層」と称することがあ
る。）は、通常、その膜厚が100Å以上、好ましくは300
Å以上あればよい。膜厚の上限は特に制限はないが、生
産性及び保磁力以外の磁気特性、例えば角形性を考慮す
れば、実用的には3000Å以下が好ましい。
基板にバイアス電位を印加しないで磁性層を成膜する
場合は、磁性層の保磁力を増加させるためにCr系下地層
の膜厚を1500〜3000Å程度にする必要があるが、本発明
の場合は、Cr系下地層の膜厚は磁性層の磁化容易膜を膜
面内に配向させるのに十分な膜厚であればよく、薄くて
も高い保磁力を容易に得ることができる。
場合は、磁性層の保磁力を増加させるためにCr系下地層
の膜厚を1500〜3000Å程度にする必要があるが、本発明
の場合は、Cr系下地層の膜厚は磁性層の磁化容易膜を膜
面内に配向させるのに十分な膜厚であればよく、薄くて
も高い保磁力を容易に得ることができる。
なお、Cr系下地層はCrを主体とするものであれば良
く、Crの結晶性を損わない限りCr以外の元素、例えばア
ルミニウム、銅、ケイ素等を数％含んでいてもよい。
く、Crの結晶性を損わない限りCr以外の元素、例えばア
ルミニウム、銅、ケイ素等を数％含んでいてもよい。
Cr下地層を形成するスパッタ条件としては特に制限は
なく、通常のCr下地層を形成する際に採用されるスパッ
タ条件を採用することができる。また、基板バイアス電
位は印加しても印加しなくてもよいが、印加した場合は
磁気特性が多少向上する。
なく、通常のCr下地層を形成する際に採用されるスパッ
タ条件を採用することができる。また、基板バイアス電
位は印加しても印加しなくてもよいが、印加した場合は
磁気特性が多少向上する。
本発明において、このようなCr系下地層上に形成する
合金磁性層は、Co及びNiを主成分としてSi及びＶからな
る群から選ばれた少なくとも１つを13原子％以下、好ま
しくは２〜13原子％、更に好ましくは２〜12原子％の範
囲で含有するCo−Ni−Si/V系磁性層である。13原子％を
越えると、保磁力増加効果がなくなる。
合金磁性層は、Co及びNiを主成分としてSi及びＶからな
る群から選ばれた少なくとも１つを13原子％以下、好ま
しくは２〜13原子％、更に好ましくは２〜12原子％の範
囲で含有するCo−Ni−Si/V系磁性層である。13原子％を
越えると、保磁力増加効果がなくなる。
また、Niの含有量が多くなる程、保磁力は増加する傾
向にあり、NiはCoに対して最大約40原子％程度まで含有
させてもよいが、Coに対して15〜35原子％含有させるこ
とが好ましい。
向にあり、NiはCoに対して最大約40原子％程度まで含有
させてもよいが、Coに対して15〜35原子％含有させるこ
とが好ましい。
さらに、磁性層の成膜をアルゴン雰囲気にて実施した
場合、バイアス効果により不可避的に磁性層中にアルゴ
ンが混入される。その量は約0.2〜1.5原子％程度と、基
板バイアス電位を印加しない通常のスパッタ成膜の場合
よりも多い。
場合、バイアス効果により不可避的に磁性層中にアルゴ
ンが混入される。その量は約0.2〜1.5原子％程度と、基
板バイアス電位を印加しない通常のスパッタ成膜の場合
よりも多い。
磁性層の膜厚は、磁気記録媒体として要求される特性
により適宜決定すればよく、通常、300〜1500Åが好ま
しい。
により適宜決定すればよく、通常、300〜1500Åが好ま
しい。
また、本発明においてはCo−Ni−Si/V系合金磁性層
を、非磁性基板に負のバイアス電位を印加した状態でス
パッタ法により成膜することを特徴とする。
を、非磁性基板に負のバイアス電位を印加した状態でス
パッタ法により成膜することを特徴とする。
本発明において、スパッタ法による磁性層の成膜に際
し、得られる磁気記録媒体の保磁力は、成膜時に基板に
印加する負のバイアス電位の影響を顕著に受ける。ただ
し、基板にかける負バイアス電位が大き過ぎると、成膜
された磁性層の再スパッタリングが多くなるとともに磁
気特性も低下するため負の基板バイアス電位は約−40〜
−200Vが好ましい範囲である。また、スパッタ法による
成膜時のプラズマ電位及びバイアス電位印加効果は、ス
パッタ装置の寸法、形状等の幾何学的影響を受けるの
で、基板バイアス電位値は絶対的な値ではなく、装置に
より最適範囲は異なる。
し、得られる磁気記録媒体の保磁力は、成膜時に基板に
印加する負のバイアス電位の影響を顕著に受ける。ただ
し、基板にかける負バイアス電位が大き過ぎると、成膜
された磁性層の再スパッタリングが多くなるとともに磁
気特性も低下するため負の基板バイアス電位は約−40〜
−200Vが好ましい範囲である。また、スパッタ法による
成膜時のプラズマ電位及びバイアス電位印加効果は、ス
パッタ装置の寸法、形状等の幾何学的影響を受けるの
で、基板バイアス電位値は絶対的な値ではなく、装置に
より最適範囲は異なる。
また、基板バイアス電位は必ずしも接地電位に対して
負でなくてもよく、基板は接地電位のままプラズマ電位
を接地電位より高くすることにより相対的に基板をプラ
ズマ電位より負にしてもよい。
負でなくてもよく、基板は接地電位のままプラズマ電位
を接地電位より高くすることにより相対的に基板をプラ
ズマ電位より負にしてもよい。
得られた磁気記録媒体の保磁力は、スパッタ成膜時の
非磁性基板温度の影響を顕著に受ける。
非磁性基板温度の影響を顕著に受ける。
成膜時の基板温度としては、通常120℃以上、好まし
くは150℃以上とする。なお、成膜時の基板温度の上限
に関しては一概に規定することは困難であるが、例え
ば、無電解ニッケル・リンめっきを施したアルミニウム
合金基板の場合には、表面平滑性の維持及びニッケル・
リンめっきの磁性化防止のため、通常は、300℃以下と
するのが好ましい。スパッタ成膜時の圧力は、高真空の
方が、原子、イオン等の平均自由工程が増すため好まし
いが、１×10-3mTorrを越える高真空においては、通常
のスパッタ装置では安定したプラズマ状態が維持し難い
ため、実用的な範囲としては、１×10-3〜20×10-3mTor
rが好ましい。
くは150℃以上とする。なお、成膜時の基板温度の上限
に関しては一概に規定することは困難であるが、例え
ば、無電解ニッケル・リンめっきを施したアルミニウム
合金基板の場合には、表面平滑性の維持及びニッケル・
リンめっきの磁性化防止のため、通常は、300℃以下と
するのが好ましい。スパッタ成膜時の圧力は、高真空の
方が、原子、イオン等の平均自由工程が増すため好まし
いが、１×10-3mTorrを越える高真空においては、通常
のスパッタ装置では安定したプラズマ状態が維持し難い
ため、実用的な範囲としては、１×10-3〜20×10-3mTor
rが好ましい。
スパッタ方法は、直流マグネトロンスパッタ法でも高
周波マグネトロンスパッタ法でもよい。基板が非導電性
基板の場合は高周波マグネトロンスパッタ法が好まし
い。
周波マグネトロンスパッタ法でもよい。基板が非導電性
基板の場合は高周波マグネトロンスパッタ法が好まし
い。
本発明の磁気記録媒体は、磁性層の上に更に必要に応
じて炭素等の保護層及び／又は適宜の潤滑剤よりなる潤
滑層を形成してもよい。
じて炭素等の保護層及び／又は適宜の潤滑剤よりなる潤
滑層を形成してもよい。
Co 70原子％−Ni 30原子％組成の磁性層では、保磁力
は800〜850Oe程度であり、またCoあるいはCoとNiのみか
らなる磁性層では、基板に負のバイアス電位を印加した
状態でスパッタ法により磁性層を成膜しても保磁力の増
加は認められない。
は800〜850Oe程度であり、またCoあるいはCoとNiのみか
らなる磁性層では、基板に負のバイアス電位を印加した
状態でスパッタ法により磁性層を成膜しても保磁力の増
加は認められない。
Co及びNiを主成分とする磁性層に所定量のSi及び／又
はＶを含有する磁性層を、基板に負のバイアス電位を印
加した状態でスパッタ法により成膜することにより、保
磁力が著しく増加する。
はＶを含有する磁性層を、基板に負のバイアス電位を印
加した状態でスパッタ法により成膜することにより、保
磁力が著しく増加する。
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的
に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下
の実施例に限定されるものではない。
に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下
の実施例に限定されるものではない。
実施例１〜６及び比較例１〜２ 内径25mm、外径95mmのアルミニウム合金ディスク基板
表面に、無電解めっきにより非磁性Ni−Ｐ層を25μｍ厚
さに成膜し、その表面を鏡面研摩してRa（中心線平均粗
さ）20〜30Åに仕上げた。この非磁性基板を高周波（1
3.56MHz）マグネトロンスパッタ装置に装入し、１×10
-6Torrまで真空排気した後、基板温度を160℃まで昇温
し、アルゴン分圧５×10-3Torrにて、基板に直流−100V
のバイアス電圧を印加しながら、Cr下地層を約1400Å厚
さに成膜した。そして引き続き、Co 70.6原子％−Ni 2
9.4原子％の組成のターゲットにSiチップをその枚数を
種々変えて乗せたターゲットを用いて直流−100Vのバイ
アス電圧を印加しながら各々成膜を行ない、各々の磁性
層の飽和磁化量が4.7×10-3emu/cm2になるような厚さに
成膜して磁気記録媒体を得た。
表面に、無電解めっきにより非磁性Ni−Ｐ層を25μｍ厚
さに成膜し、その表面を鏡面研摩してRa（中心線平均粗
さ）20〜30Åに仕上げた。この非磁性基板を高周波（1
3.56MHz）マグネトロンスパッタ装置に装入し、１×10
-6Torrまで真空排気した後、基板温度を160℃まで昇温
し、アルゴン分圧５×10-3Torrにて、基板に直流−100V
のバイアス電圧を印加しながら、Cr下地層を約1400Å厚
さに成膜した。そして引き続き、Co 70.6原子％−Ni 2
9.4原子％の組成のターゲットにSiチップをその枚数を
種々変えて乗せたターゲットを用いて直流−100Vのバイ
アス電圧を印加しながら各々成膜を行ない、各々の磁性
層の飽和磁化量が4.7×10-3emu/cm2になるような厚さに
成膜して磁気記録媒体を得た。
得られた磁気記録媒体の保磁力Hcを測定し、結果をそ
の磁性層組成と共に第１表及び第１図に示した。
の磁性層組成と共に第１表及び第１図に示した。
なお、保磁力Hcの測定は、試料振動式磁力計で行な
い、また、磁性層の膜組成の分析は、化学分析で行なっ
た。
い、また、磁性層の膜組成の分析は、化学分析で行なっ
た。
第１表及び第１図よりSiの添加により保磁力が著しく
向上し、またSiの含有量に最適範囲があることが明らか
である。
向上し、またSiの含有量に最適範囲があることが明らか
である。
実施例７〜11及び比較例３〜４ Co 74.4原子％−Ni 25.6原子％の組成のターゲットに
Ｖチップをその枚数を種々変えて乗せたターゲットを用
いた以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を製
造した。
Ｖチップをその枚数を種々変えて乗せたターゲットを用
いた以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を製
造した。
得られた磁気記録媒体の保磁力Hcを測定し、結果をそ
の磁性層組成と共に第２表及び第２図に示した。
の磁性層組成と共に第２表及び第２図に示した。
第２表及び第２図よりＶの添加により保磁力が著しく
向上し、またＶの含有量に最適範囲があることが明らか
である。
向上し、またＶの含有量に最適範囲があることが明らか
である。
実施例12及び比較例５ 磁性層組成がCo 62原子％−Ni 25.8原子％−Si 12.2
原子％になるようにSiチップを調整したこと及び非磁性
基板への直流バイアス電位を第３表に示す電位としたこ
と以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体を製造し
た。各々について保磁力を測定し、結果を第３表及び第
３図に示した。また、基板バイアス電圧を印加しない場
合を比較例５として示す。
原子％になるようにSiチップを調整したこと及び非磁性
基板への直流バイアス電位を第３表に示す電位としたこ
と以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体を製造し
た。各々について保磁力を測定し、結果を第３表及び第
３図に示した。また、基板バイアス電圧を印加しない場
合を比較例５として示す。
負のバイアス電圧を印加することにより、著しく保磁
力が向上し、また、最適範囲があることが第３表及び第
３図より明らかである。
力が向上し、また、最適範囲があることが第３表及び第
３図より明らかである。
実施例13及び比較例６ 磁性層組成がCo 60.4原子％−Ni 30原子％−V9.6原子
％になるようにＶ及びNiチップを調整したこと及び非磁
性基板への直流バイアス電位を第４表に示す電位とした
こと以外は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を製造
した。
％になるようにＶ及びNiチップを調整したこと及び非磁
性基板への直流バイアス電位を第４表に示す電位とした
こと以外は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を製造
した。
各々について保磁力を測定し、結果を第４表及び第４
図に示した。また、基板バイアス電圧を印加しない場合
を比較例６として示す。
図に示した。また、基板バイアス電圧を印加しない場合
を比較例６として示す。
負のバイアス電圧を印加することにより、著しく保磁
力が向上し、また、最適範囲があることが第４表及び第
４図より明らかである。
力が向上し、また、最適範囲があることが第４表及び第
４図より明らかである。
以上詳述した通り、本発明の磁気記録媒体は、非磁性
基体上にCr系下地層を介して、Co及びNiを主成分として
特定量のSi及び／又はＶを含む合金磁性層を形成してな
るものであって、スパッタ法による磁性層の成膜の際に
非磁性基板に負のバイアス電位を印加することによって
著しい保磁力が得られる。このため、高密度記録が可能
な磁気記録媒体を提供することができる。
基体上にCr系下地層を介して、Co及びNiを主成分として
特定量のSi及び／又はＶを含む合金磁性層を形成してな
るものであって、スパッタ法による磁性層の成膜の際に
非磁性基板に負のバイアス電位を印加することによって
著しい保磁力が得られる。このため、高密度記録が可能
な磁気記録媒体を提供することができる。
第１図は、実施例１〜６及び比較例１〜２で得られた各
磁気記録媒体の、磁性層のSi添加量（原子％）と保磁力
（×103Oe）との関係を示すグラフである。 第２図は、実施例７〜11及び比較例３〜４で得られた各
磁気記録媒体の、磁性層のＶ添加量（原子％）と保磁力
（×103Oe）との関係を示すグラフである。 第３図は、実施例12及び比較例５で得られた各磁気記録
媒体の、Co−Ni−Si系磁性層の基板バイアス電位（Vol
t）と保磁力（×103Oe）との関係を示すグラフである。 第４図は、実施例13及び比較例６で得られた各磁気記録
媒体の、Co−Ni−Ｖ系磁性層の基板バイアス電位（Vol
t）と保磁力（×103Oe）との関係を示すグラフである。
磁気記録媒体の、磁性層のSi添加量（原子％）と保磁力
（×103Oe）との関係を示すグラフである。 第２図は、実施例７〜11及び比較例３〜４で得られた各
磁気記録媒体の、磁性層のＶ添加量（原子％）と保磁力
（×103Oe）との関係を示すグラフである。 第３図は、実施例12及び比較例５で得られた各磁気記録
媒体の、Co−Ni−Si系磁性層の基板バイアス電位（Vol
t）と保磁力（×103Oe）との関係を示すグラフである。 第４図は、実施例13及び比較例６で得られた各磁気記録
媒体の、Co−Ni−Ｖ系磁性層の基板バイアス電位（Vol
t）と保磁力（×103Oe）との関係を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/66 G11B 5/85
Claims (2)
- 【請求項１】非磁性基板上にクロムを主成分とする非磁
性下地層を介して合金磁性層を形成してなる磁気記録媒
体であって、合金磁性層がコバルト及びニッケルを主成
分としてケイ素及びバナジウムからなる群から選ばれた
少なくとも１つを13原子％以下で含有するものであり、
且つ非磁性基板に負のバイアス電位を印加した状態でス
パッタ法により成膜されたものであることを特徴とする
磁気記録媒体。 - 【請求項２】非磁性基板上にクロムを主成分とする非磁
性下地層及び合金磁性層をスパッタ法により順次形成す
る磁気記録媒体の製造方法において、非磁性基板に負の
バイアス電圧を印加した状態で、コバルト及びニッケル
を主成分としてケイ素及びバナジウムからなる群から選
ばれた少なくとも１つを13原子％以下で含む合金磁性層
を成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30152389A JP2814623B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30152389A JP2814623B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03162711A JPH03162711A (ja) | 1991-07-12 |
| JP2814623B2 true JP2814623B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=17897958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30152389A Expired - Fee Related JP2814623B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2814623B2 (ja) |
-
1989
- 1989-11-20 JP JP30152389A patent/JP2814623B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03162711A (ja) | 1991-07-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |