JPH0354723A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0354723A JPH0354723A JP2087746A JP8774690A JPH0354723A JP H0354723 A JPH0354723 A JP H0354723A JP 2087746 A JP2087746 A JP 2087746A JP 8774690 A JP8774690 A JP 8774690A JP H0354723 A JPH0354723 A JP H0354723A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- substrate
- magnetic layer
- recording medium
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 65
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 claims abstract description 23
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 20
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 42
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 3
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018106 Ni—C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001333909 Soter Species 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
本発明は磁気記録媒体に係り、特に磁気ディスク装置、
フロッピーディスク装置、磁気テープ装置等の磁気記録
装置に用いられる磁気記録媒体であって、その磁気特性
が著しく向上された磁気記録媒体及びその製造方法に関
するものである。
フロッピーディスク装置、磁気テープ装置等の磁気記録
装置に用いられる磁気記録媒体であって、その磁気特性
が著しく向上された磁気記録媒体及びその製造方法に関
するものである。
[従来の技術]
近年、磁気ディスク装置、フロッピーディスク装置、磁
気テープ装置等の磁気記録装置の適用範囲は著しく増大
され、その重要性が増すと共に、これらの装置に用いら
れる磁気記録媒体について、その記録密度の著しい向上
が図られつつある。
気テープ装置等の磁気記録装置の適用範囲は著しく増大
され、その重要性が増すと共に、これらの装置に用いら
れる磁気記録媒体について、その記録密度の著しい向上
が図られつつある。
これらの磁気記録媒体については、今後更に高記録密度
化を達或することが要求されており、そのために、磁気
記録層の高保磁力化と高信号対雑音比(SN比)が必要
とされている。
化を達或することが要求されており、そのために、磁気
記録層の高保磁力化と高信号対雑音比(SN比)が必要
とされている。
ところで、線記録密度、出力、及びSN比と、磁気記録
媒体の特性との間には、およそ次のような関係があるこ
とが解明されている。
媒体の特性との間には、およそ次のような関係があるこ
とが解明されている。
(線記録密度) E (He/Br−t)(出 力
) c1:(Br−t−Hc)(S N 比) −
(He/Br−t)ここで、Heは保磁力、Brは残
留磁束密度、tは膜厚を表す。また、記号σは左辺の特
性が右辺の値と比例することを示している。
) c1:(Br−t−Hc)(S N 比) −
(He/Br−t)ここで、Heは保磁力、Brは残
留磁束密度、tは膜厚を表す。また、記号σは左辺の特
性が右辺の値と比例することを示している。
従って、高記録密度の磁気記録媒体の設計においては、
必要とされる出力を損なわないようBr−tを維持して
、保磁力Heを大きくすることが必要となる。
必要とされる出力を損なわないようBr−tを維持して
、保磁力Heを大きくすることが必要となる。
近年、高記録密度化の賎点から、金属薄膜型の磁気記録
媒体が磁性粉及びバインダー樹脂からなる磁性塗料を塗
布して磁性層を形成してなる塗布型磁気記録媒体に代わ
って用いられ始めている。
媒体が磁性粉及びバインダー樹脂からなる磁性塗料を塗
布して磁性層を形成してなる塗布型磁気記録媒体に代わ
って用いられ始めている。
この金属薄膜型の磁気記録媒体は、蝿電解めっき、電気
めっき、スパッタ、蒸着等の方法により磁性膜が戊膜さ
れ、その磁性層組成としては、Co(コバルト)一P(
リン)、Co−Ni(ニッケル)−P,Co−Ni−C
r(クロム)、Co−Ni−Pt(プラチナ)合金等が
実用化されている。
めっき、スパッタ、蒸着等の方法により磁性膜が戊膜さ
れ、その磁性層組成としては、Co(コバルト)一P(
リン)、Co−Ni(ニッケル)−P,Co−Ni−C
r(クロム)、Co−Ni−Pt(プラチナ)合金等が
実用化されている。
最近、スパッタ成膜法において、磁性層戊膜中に基板に
負のバイアス電圧を印加することにより、高保磁力が得
られることが報告されている(昭和63年第35回応用
物理学関係連合講演余資利29a−C−9, −10及
び電子通信学会電子部品材料研究会資料CPM 88
− 92 )これらの報告には、バイアス電圧の印加は
Crを一定量以上含有する特定の組成(Co 70原子
%−Ni20原子%−CrlO原子%、Co 86原子
%−Crl2原子%−Ta2原子%)に関してのみ、効
果があることが述べられている。
負のバイアス電圧を印加することにより、高保磁力が得
られることが報告されている(昭和63年第35回応用
物理学関係連合講演余資利29a−C−9, −10及
び電子通信学会電子部品材料研究会資料CPM 88
− 92 )これらの報告には、バイアス電圧の印加は
Crを一定量以上含有する特定の組成(Co 70原子
%−Ni20原子%−CrlO原子%、Co 86原子
%−Crl2原子%−Ta2原子%)に関してのみ、効
果があることが述べられている。
なお、バイアス電圧を印加しながら、磁性層をスパッタ
成膜することは、特開昭57 − 34324号公報等
で公知である。該公開公報にはバイアス電圧を印加しな
からCo − Cr合金磁性層を成膜することによって
垂直磁気特性を改良する方法に関するものであり、バイ
アス電圧の印加にょりfffl ?a力の増加が認めら
れることが記載されている。
成膜することは、特開昭57 − 34324号公報等
で公知である。該公開公報にはバイアス電圧を印加しな
からCo − Cr合金磁性層を成膜することによって
垂直磁気特性を改良する方法に関するものであり、バイ
アス電圧の印加にょりfffl ?a力の増加が認めら
れることが記載されている。
[発明が解決しようとする課題]
前述したように、基板にバイアス電圧を印加しながら磁
性層スパッタ或膜することにより保磁力が増加するとい
う組或は、Crを一定量以上含有する系のみが公知とな
っている。
性層スパッタ或膜することにより保磁力が増加するとい
う組或は、Crを一定量以上含有する系のみが公知とな
っている。
本発明者は、Crを含まない磁性層組成においてもバイ
アス電圧を印加しながらスパッタ或膜することにより、
高保磁力を有ずる磁気記録媒体が得られることを見出し
、本発明に到達した。
アス電圧を印加しながらスパッタ或膜することにより、
高保磁力を有ずる磁気記録媒体が得られることを見出し
、本発明に到達した。
[課題を解決するだめの千段]
即ち、本発明の要旨は、非磁性基板上にCrを主成分と
する非磁性下地層を介して合金磁性層を形成してなる磁
気記録媒体であって、合金磁性層がCo及びNiを主成
分としてB(ホウ素)を8原子%以下含有するものであ
り、且つ非磁性基板に負のバイアス電位を印加した状態
でスパソタ法により或膜されたものであることを特徴と
する磁気記録媒体及びその製造方法に存する。
する非磁性下地層を介して合金磁性層を形成してなる磁
気記録媒体であって、合金磁性層がCo及びNiを主成
分としてB(ホウ素)を8原子%以下含有するものであ
り、且つ非磁性基板に負のバイアス電位を印加した状態
でスパソタ法により或膜されたものであることを特徴と
する磁気記録媒体及びその製造方法に存する。
ここで、負のバイアス電位とはプラズマ電位に対して相
対的に低い電位であることを意味する。
対的に低い電位であることを意味する。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明において、非磁性基板としては特に制限はなく、
通常、蝿電解めっき法により形或したニッケルーリン層
を設けたアルミニウム合金板が用いられるが、その他、
銅、チタン等の金,属基板、ガラス基板、セラミソク基
板、又は樹脂基板等を用いることもできる。ただし、基
板が非導電性基板の場合は、磁性層或膜時のバイアス電
位印加方式を交流としたり、基板は接地電位のまま、ス
パッタ時のプラズマポテンシャルを高めるような装置的
な工夫が必要である。
通常、蝿電解めっき法により形或したニッケルーリン層
を設けたアルミニウム合金板が用いられるが、その他、
銅、チタン等の金,属基板、ガラス基板、セラミソク基
板、又は樹脂基板等を用いることもできる。ただし、基
板が非導電性基板の場合は、磁性層或膜時のバイアス電
位印加方式を交流としたり、基板は接地電位のまま、ス
パッタ時のプラズマポテンシャルを高めるような装置的
な工夫が必要である。
このような非磁性基板上に形或するCrを主成分とする
非磁性下地層(以下、rCr系下地層1と称することが
ある。)は、通常、その膜厚が100A以上、好ましく
は300人以上あればよい。膜厚の上限は特に制限はな
いが、生産性及び保磁力以外の磁気特性、例えば角形性
を考慮すれば、実用的には3000 A以下が好ましい
。
非磁性下地層(以下、rCr系下地層1と称することが
ある。)は、通常、その膜厚が100A以上、好ましく
は300人以上あればよい。膜厚の上限は特に制限はな
いが、生産性及び保磁力以外の磁気特性、例えば角形性
を考慮すれば、実用的には3000 A以下が好ましい
。
基板にバイアス電位を印加しないで通常のスパッタ或膜
で磁性層を成膜する場合は、磁性層の保磁力を増加させ
るためにCr系下地層の膜厚を1500〜3000 A
程度にする必要があるが、本発明の場合は、Cr系下地
層の膜厚は磁性層の磁化容易軸を膜面内に配向させるの
に充分な膜厚であればよく、薄くても高い保磁力を容易
に得ることができる。
で磁性層を成膜する場合は、磁性層の保磁力を増加させ
るためにCr系下地層の膜厚を1500〜3000 A
程度にする必要があるが、本発明の場合は、Cr系下地
層の膜厚は磁性層の磁化容易軸を膜面内に配向させるの
に充分な膜厚であればよく、薄くても高い保磁力を容易
に得ることができる。
なお、Cr系下地層はCrを主体とするものであれば良
く、Crの結晶性を損なわない限りCr以外の元素、例
えばアルミニウム、銅、ケイ素等を数%含んでいてもよ
い。
く、Crの結晶性を損なわない限りCr以外の元素、例
えばアルミニウム、銅、ケイ素等を数%含んでいてもよ
い。
Cr系下地層を形戒するスパッタ条件としては特に制限
はなく、通常のCr系下地層を形戊する際に採用される
スパッタ条件を採用することができる。その際、基板に
負のバイアス電位を印加しても印加しなくてもよいが、
印加した場合は磁気特性が多少向上する。
はなく、通常のCr系下地層を形戊する際に採用される
スパッタ条件を採用することができる。その際、基板に
負のバイアス電位を印加しても印加しなくてもよいが、
印加した場合は磁気特性が多少向上する。
本発明において、このようなCr系下地層上に形戒する
合金磁性層は、Co及びNiを主成分としてBを8原子
%以下、好ましくは0.005〜8.0原子%含有する
Co−Ni−B系磁性層である。Bの含有量が8原子%
を越えると保磁力増加効果がなくなる。
合金磁性層は、Co及びNiを主成分としてBを8原子
%以下、好ましくは0.005〜8.0原子%含有する
Co−Ni−B系磁性層である。Bの含有量が8原子%
を越えると保磁力増加効果がなくなる。
また、Niの含有量が多くなる程、保磁力は増加する傾
向にあり、NiはCoに対して最大約40原子%程度ま
で含有させてもよいが、Coに対して15〜30原子%
含有させることが好ましい。
向にあり、NiはCoに対して最大約40原子%程度ま
で含有させてもよいが、Coに対して15〜30原子%
含有させることが好ましい。
さらに、磁性層の成膜をアルゴン雰囲気にて実施した場
合、後述するバイアス効果により不可避的に磁性層中に
アルゴンが混入される。その量は約0.2〜1.5原子
%程度と、基板に負のバイアス電位を印加しない通常の
スパッタ成膜の場合よりも多い。
合、後述するバイアス効果により不可避的に磁性層中に
アルゴンが混入される。その量は約0.2〜1.5原子
%程度と、基板に負のバイアス電位を印加しない通常の
スパッタ成膜の場合よりも多い。
磁性膜の膜厚は、磁気記録媒体として要求される特性に
より適宜決定すればよく,通常、300〜1500人゜
が好ましい。
より適宜決定すればよく,通常、300〜1500人゜
が好ましい。
また、本発明の磁気記録媒体の製造方法においては上記
したCo−Ni−B系合金磁性層を、非磁性基板に負の
バイアス電位を印加した状態、即ち、非磁性基板にプラ
ズマ電位に対して相対的に低い電位を印加した状態でス
パッタ法により成膜することを特徴とする。
したCo−Ni−B系合金磁性層を、非磁性基板に負の
バイアス電位を印加した状態、即ち、非磁性基板にプラ
ズマ電位に対して相対的に低い電位を印加した状態でス
パッタ法により成膜することを特徴とする。
非磁性基板にプラズマ電位に対して相対的に低い電位を
印加する方法としては、非磁性基板にスパッタ装置本体
の接地部に対して負の電位を印加する方法(以下、基板
バイアス法とも言う)、あるいは、非磁性基板は接地電
位のまま、プラズマ電位を接地電位より高くする方法の
いずれもが採用される。
印加する方法としては、非磁性基板にスパッタ装置本体
の接地部に対して負の電位を印加する方法(以下、基板
バイアス法とも言う)、あるいは、非磁性基板は接地電
位のまま、プラズマ電位を接地電位より高くする方法の
いずれもが採用される。
本発明において、スパッタ法による磁性層の或膜に際し
、得られる磁気記録媒体の保磁力は、或膜時に基板に印
加する負のバイアス電位の影響を顕著に受ける。即ち、
後述の実施例における第2図に示すように、負の基板バ
イアス電位が−40Vを越えると1000エルステッド
(Oe)以上の高保磁力が得られる。ただし、基板にか
ける負バイアス電位が太き過ぎると、成膜された磁性層
の再スパッタリングが多くなるとともに磁気特性も低下
する。
、得られる磁気記録媒体の保磁力は、或膜時に基板に印
加する負のバイアス電位の影響を顕著に受ける。即ち、
後述の実施例における第2図に示すように、負の基板バ
イアス電位が−40Vを越えると1000エルステッド
(Oe)以上の高保磁力が得られる。ただし、基板にか
ける負バイアス電位が太き過ぎると、成膜された磁性層
の再スパッタリングが多くなるとともに磁気特性も低下
する。
従って、上記した基板バイアス法を用いる場合の負の基
板バイアス電位は、高周波マグネトロンスパッタ法の場
合は、約−40V〜−250Vが好ましい範囲である。
板バイアス電位は、高周波マグネトロンスパッタ法の場
合は、約−40V〜−250Vが好ましい範囲である。
また、直流マグネトロンスパッタ法の場合は、負の基板
バイアス電位は約−50〜−500■が好ましい範囲で
ある。
バイアス電位は約−50〜−500■が好ましい範囲で
ある。
更にまた、非磁性基板は接地電位のままプラズマ電位を
接地電位より高くする方法による場合には、ターゲット
近傍に中間電極を設け該中間電極に非磁性基板並びにス
パッタ装置本体の接地部に対して、例えばI000V以
下、中でも50〜500Vの正の電位を印加するのが好
ましい なお、スパッタ法による成膜時のプラズマ電位及びバイ
アス電位印加効果は、スパッタ装置の寸法、形状等の幾
何学的影響を受けるので、上記した負の基板バイアス電
位値並びに中間電極に印加する正の電位値は、絶対的な
値ではなく、装置により最適範囲は異なる。
接地電位より高くする方法による場合には、ターゲット
近傍に中間電極を設け該中間電極に非磁性基板並びにス
パッタ装置本体の接地部に対して、例えばI000V以
下、中でも50〜500Vの正の電位を印加するのが好
ましい なお、スパッタ法による成膜時のプラズマ電位及びバイ
アス電位印加効果は、スパッタ装置の寸法、形状等の幾
何学的影響を受けるので、上記した負の基板バイアス電
位値並びに中間電極に印加する正の電位値は、絶対的な
値ではなく、装置により最適範囲は異なる。
得られる磁気記録媒体の保磁力は、スパッタ或膜時の非
磁性基板温度の影響を顕著に受ける。即ち、後述の実施
例における第3図に示すように、基板温度が120°C
以上になると著しい保磁力の増加が認められ、1000
0eを超える高保磁力が得られる。
磁性基板温度の影響を顕著に受ける。即ち、後述の実施
例における第3図に示すように、基板温度が120°C
以上になると著しい保磁力の増加が認められ、1000
0eを超える高保磁力が得られる。
したがって、成膜時の基板温度としては、120°C以
上であることが望ましい。なお、成膜時の基板温度の上
限に関しては一概に規定することは困難であるが、例え
ば、無電解ニッケル・リンめっきを施したアルミニウム
合金基板の場合には、表面平滑性の維持及びニッケル.
リンめっきの磁性化防止のため、通常は、300’C以
下とするのが好ましい。スパッタ或膜時の圧力は、高真
空の方が、原子、イオン等の平均自由工程が増すため好
ましいが、I X 10−3m Torrを越える高真
空においては、通常のスパッタ装置では安定したプラズ
マ状態が維持し難いため、実用的な範囲としては、I
X 10−3〜20X10−3mTorrが好ましい。
上であることが望ましい。なお、成膜時の基板温度の上
限に関しては一概に規定することは困難であるが、例え
ば、無電解ニッケル・リンめっきを施したアルミニウム
合金基板の場合には、表面平滑性の維持及びニッケル.
リンめっきの磁性化防止のため、通常は、300’C以
下とするのが好ましい。スパッタ或膜時の圧力は、高真
空の方が、原子、イオン等の平均自由工程が増すため好
ましいが、I X 10−3m Torrを越える高真
空においては、通常のスパッタ装置では安定したプラズ
マ状態が維持し難いため、実用的な範囲としては、I
X 10−3〜20X10−3mTorrが好ましい。
スパッタ方法は、直流マグネトロンスパッタ法でも高周
波マグネトロンスパッタ法でもよい。基板が非導電性基
板の場合は高周波マグネトロンスパッタ法が好ましい。
波マグネトロンスパッタ法でもよい。基板が非導電性基
板の場合は高周波マグネトロンスパッタ法が好ましい。
本発明の磁気記録媒体は、磁性層の上に更に必要に応じ
て炭素等の保護層及びl又は適宜の潤滑剤よりなる潤滑
層を形成してもよい。
て炭素等の保護層及びl又は適宜の潤滑剤よりなる潤滑
層を形成してもよい。
[作、用I
Co 80原子%一Ni 20原子%組或の磁性層では
、保磁力は700〜800 0e程度であり、またCo
あるいはCoとNiのみからなる磁性層では、基板に負
のバイアス電位を印加した状態でスバノタ法により磁性
層を成膜しても保磁力の増加は認められない。
、保磁力は700〜800 0e程度であり、またCo
あるいはCoとNiのみからなる磁性層では、基板に負
のバイアス電位を印加した状態でスバノタ法により磁性
層を成膜しても保磁力の増加は認められない。
Co及びNiを主威分とする磁性層に所定量のBを含有
する磁性層を、基板に負のバイアス電位を印加した状態
でスバソタ法により成膜することにより、保磁力が著し
く増加する。
する磁性層を、基板に負のバイアス電位を印加した状態
でスバソタ法により成膜することにより、保磁力が著し
く増加する。
[実施例1
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
実施例1〜6及び比較例1
内径25mm,外径95mmのアルミニウム合金ディス
ク基板表面に、無電解めっきにより非磁性Ni−P層を
25μm厚さに戊膜し、その表面を鏡面研磨してRa(
中心線平均粗さ)20〜30Aに仕上げた。この非磁性
基板を高周波(13.56MHz)マグネトロンスパソ
タ装置に装入し、I X 10−6Torrまで真空排
気した後、基板温度を160°Cまで昇温し、アルゴン
分圧5 X 10−3Torrにて、基板に直流−10
0■のバイアス電圧を印加しながら、Cr下地層を約1
40OA厚さに或膜した。そして引き続き、Co 80
原子%−Ni20原子%の組或のターゲットにBチップ
をその枚数を種々変えて乗せたターゲソトを用いて直流
−100■のバイアス電圧を印加しながら各々成膜を行
ない、各々の磁性層の飽和磁化量が4.7 X 10−
3emu /cm2になるような厚さに或膜して磁気記
録媒体を得た。
ク基板表面に、無電解めっきにより非磁性Ni−P層を
25μm厚さに戊膜し、その表面を鏡面研磨してRa(
中心線平均粗さ)20〜30Aに仕上げた。この非磁性
基板を高周波(13.56MHz)マグネトロンスパソ
タ装置に装入し、I X 10−6Torrまで真空排
気した後、基板温度を160°Cまで昇温し、アルゴン
分圧5 X 10−3Torrにて、基板に直流−10
0■のバイアス電圧を印加しながら、Cr下地層を約1
40OA厚さに或膜した。そして引き続き、Co 80
原子%−Ni20原子%の組或のターゲットにBチップ
をその枚数を種々変えて乗せたターゲソトを用いて直流
−100■のバイアス電圧を印加しながら各々成膜を行
ない、各々の磁性層の飽和磁化量が4.7 X 10−
3emu /cm2になるような厚さに或膜して磁気記
録媒体を得た。
得られた磁気記録媒体の保磁力Heを測定し、結果をそ
の磁性層組或と共に第1表及び第1図に示した。
の磁性層組或と共に第1表及び第1図に示した。
なお、保磁力Hcの測定は、試料振動式磁力計で行ない
、また、磁性層の膜組成の分析は、化学分析で行なった
。
、また、磁性層の膜組成の分析は、化学分析で行なった
。
第1表
第1表及び第1図よりBの添加により保磁力が著しく向
上し、またBの含有量に最適純囲があることが明らかで
ある。
上し、またBの含有量に最適純囲があることが明らかで
ある。
実施例7及び比較例2
Co 80原子%−Ni20原子%組或のターゲットに
Ni及びBチップを乗せて磁性層組或がCo 66.1
原子%−Ni31.6原子%一B2.3原子%になるよ
うに調整したこと及び非磁性基板への直流バイアス策泣
を第2表に示す電位としたこと以外は実施例1と同様に
して磁気記録媒体を製造した。各々についての保磁力を
iJIIJ定し、結果を第2表及び第2図に示した。ま
た、基板バイアスを印加しない場合を比較例2として示
す。
Ni及びBチップを乗せて磁性層組或がCo 66.1
原子%−Ni31.6原子%一B2.3原子%になるよ
うに調整したこと及び非磁性基板への直流バイアス策泣
を第2表に示す電位としたこと以外は実施例1と同様に
して磁気記録媒体を製造した。各々についての保磁力を
iJIIJ定し、結果を第2表及び第2図に示した。ま
た、基板バイアスを印加しない場合を比較例2として示
す。
第2表
負のバイアス電圧を印加することにより著しく保磁力が
向上し、また、最適範囲があることが第2表及び第2図
より明らかである。
向上し、また、最適範囲があることが第2表及び第2図
より明らかである。
実施例8
磁性層或膜時の基板温度を第3表に示す温度としたこと
以外は、実施例1と同様にしてCo 66.1原子%−
Ni31.6原子%一B2.3原子%の組戒よりなる磁
性層を有する磁気記録媒体を製造し各々についてその保
磁力を測定して結果を第3表及び第3図に示した。
以外は、実施例1と同様にしてCo 66.1原子%−
Ni31.6原子%一B2.3原子%の組戒よりなる磁
性層を有する磁気記録媒体を製造し各々についてその保
磁力を測定して結果を第3表及び第3図に示した。
なお、成膜時の基板温度とは成膜直前の基板温度のこと
をいう。
をいう。
第3表
実施例9
Co 80原子%−Ni 20原子%組或のターゲット
にNi及びBチップを乗せて磁性層組或がCo 66.
1原子%−Ni31.6原子%一B2.3原子%になる
ように調整したこと及び磁性層の成膜時にのみ基板バイ
アス電圧−100vを印加したこと以外は実施例1と同
様にして磁気記録媒体を製造した。保磁力を測定したと
ころ、1330 0eであった。
にNi及びBチップを乗せて磁性層組或がCo 66.
1原子%−Ni31.6原子%一B2.3原子%になる
ように調整したこと及び磁性層の成膜時にのみ基板バイ
アス電圧−100vを印加したこと以外は実施例1と同
様にして磁気記録媒体を製造した。保磁力を測定したと
ころ、1330 0eであった。
Cr下地層を形戒するときにも基板バイアス電位を印加
した場合よりも、少し小さい値となっている。
した場合よりも、少し小さい値となっている。
実施例10
Cr下地層及び磁性層を第4図に概略構戒図を示すスパ
ッタリング装置を用いて、非磁性基板を210°Cまで
昇温し、中間電極に+300Vの直流電圧を印加しなが
ら直流マグネトロンスパッタリング法にて威膜したこと
、磁性層の組或をCo 67原子%−Ni30原子%一
B3原子%になるように調整したこと以外は実施例1と
同様に行なった。
ッタリング装置を用いて、非磁性基板を210°Cまで
昇温し、中間電極に+300Vの直流電圧を印加しなが
ら直流マグネトロンスパッタリング法にて威膜したこと
、磁性層の組或をCo 67原子%−Ni30原子%一
B3原子%になるように調整したこと以外は実施例1と
同様に行なった。
第4図で、1はターゲット、2は基板ホルダー、3は基
板、4は中間電極、5はスパソタリング用電源、6は中
間電極用電源である。
板、4は中間電極、5はスパソタリング用電源、6は中
間電極用電源である。
得られた磁気記録媒体の保磁力は1380 0eであっ
た。
た。
[発明の効果1
以上詳述した通り、本発明の磁気記録媒体は、非磁性基
板上にCr系下地層を介して、Co及びNi4. を主成分として、特定量のBを含む合金磁性層を形成し
てなるものであって、スパソタ法による磁性層の或膜の
際に非磁性基板に負のバイアス電位を印加することによ
って著しく保磁力が増加する。このため、高密度記録が
可能な磁気記録媒体を提供することができる。
板上にCr系下地層を介して、Co及びNi4. を主成分として、特定量のBを含む合金磁性層を形成し
てなるものであって、スパソタ法による磁性層の或膜の
際に非磁性基板に負のバイアス電位を印加することによ
って著しく保磁力が増加する。このため、高密度記録が
可能な磁気記録媒体を提供することができる。
第1図は実施例1〜6及び比較例1で得られた、B添加
量と保磁力との関係を示すグラフである。第2図は実施
例7及び比較例2で得られた基板バイアス電位と保磁力
との関係を示すグラフである。第3図は実施例8及び比
較例3で得られた成膜時の基板温度と保磁力との関係を
示すグラフである。 第4図は実施例10で用いた中間電極を設けたスパッタ
リング装置の概略構成図である。 1:ターゲット、 2:基板ホルダー 3:基板、 4:中間電極、 5:スパッタリング用電源、 6:中間電極用電源。
量と保磁力との関係を示すグラフである。第2図は実施
例7及び比較例2で得られた基板バイアス電位と保磁力
との関係を示すグラフである。第3図は実施例8及び比
較例3で得られた成膜時の基板温度と保磁力との関係を
示すグラフである。 第4図は実施例10で用いた中間電極を設けたスパッタ
リング装置の概略構成図である。 1:ターゲット、 2:基板ホルダー 3:基板、 4:中間電極、 5:スパッタリング用電源、 6:中間電極用電源。
Claims (2)
- (1)非磁性基板上にクロムを主成分とする非磁性下地
層を介して合金磁性層を形成してなる磁気記録媒体であ
って、合金磁性層がコバルト及びニッケルを主成分とし
てホウ素を8原子%以下含有するものであり、且つ非磁
性基板に負のバイアス電位を印加した状態でスパッタ法
により成膜されたものであることを特徴とする磁気記録
媒体。 - (2)非磁性基板上にクロムを主成分とする非磁性下地
層及び合金磁性層をスパッタ法により願次形成する磁気
記録媒体の製造方法において、非磁性基板に負のバイア
ス電圧を印加した状態で、コバルト及びニッケルを主成
分としてホウ素を8原子%以下含む合金磁性層を成膜す
ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8774690A JPH0740342B2 (ja) | 1989-04-04 | 1990-04-02 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1-84947 | 1989-04-04 | ||
JP8494789 | 1989-04-04 | ||
JP8774690A JPH0740342B2 (ja) | 1989-04-04 | 1990-04-02 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0354723A true JPH0354723A (ja) | 1991-03-08 |
JPH0740342B2 JPH0740342B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=26425917
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8774690A Expired - Fee Related JPH0740342B2 (ja) | 1989-04-04 | 1990-04-02 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0740342B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03127329A (ja) * | 1989-10-13 | 1991-05-30 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
WO1995003603A1 (fr) * | 1993-07-21 | 1995-02-02 | Migaku Takahashi | Support d'enregistrement magnetique et sa fabrication |
-
1990
- 1990-04-02 JP JP8774690A patent/JPH0740342B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03127329A (ja) * | 1989-10-13 | 1991-05-30 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
WO1995003603A1 (fr) * | 1993-07-21 | 1995-02-02 | Migaku Takahashi | Support d'enregistrement magnetique et sa fabrication |
US5853847A (en) * | 1993-07-21 | 1998-12-29 | Takahashi; Migaku | Magnetic recording medium and its manufacture |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0740342B2 (ja) | 1995-05-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR0176244B1 (ko) | 자기 기록 매체 및 그 제조방법 | |
EP0412222B1 (en) | A data storage medium and process for making the same | |
US5494722A (en) | Magnetic recording medium and method for its production | |
JPH05143972A (ja) | 金属薄膜型磁気記録媒体およびその製造法 | |
JPH0354723A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
JPH0740341B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
JP2814623B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
US4753852A (en) | Magnetic recording medium comprising a magnetic Co-Ni-Cr alloy thin layer | |
JPH10233014A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP2650282B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP3092290B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法と磁気記録装置及びその製造方法 | |
JPH0817032A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
JPH0218710A (ja) | 円盤状磁気記録媒体 | |
JP2832941B2 (ja) | 面内磁気記録媒体 | |
EP0422547B1 (en) | Magnetic recording medium | |
JPS6332720A (ja) | 磁気記録媒体 | |
KR920008436B1 (ko) | 자기기록체 | |
JPH08329444A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH02103717A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH04134718A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS6364623A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS62291719A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH10208936A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS6342024A (ja) | 亜鉛含有補助層を有する磁気記録媒体及びその製造方法 | |
JPH02210614A (ja) | 磁気記録媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080501 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090501 Year of fee payment: 14 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |