JP3437024B2

JP3437024B2 - 磁気記録媒体

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Publication number: JP3437024B2
Application number: JP31649095A
Authority: JP
Inventors: 真大木島; 正裕岡; 文明横山
Original assignee: Showa Denko KK
Current assignee: Showa Denko KK
Priority date: 1994-12-05
Filing date: 1995-12-05
Publication date: 2003-08-18
Anticipated expiration: 2015-12-05
Also published as: JPH08329444A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体に係り、詳
しくは磁気ディスク装置、フロッピーディスク装置、磁
気テープ装置等の磁気記録装置に用いられる面内磁気記
録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気ディスク装置、フロッピーデ
ィスク装置、磁気テープ装置等の磁気記録装置の適用範
囲は著しく拡大され、その重要性が増すと共に、これら
の装置に用いられる磁気記録媒体について、その記録密
度の著しい向上が図られつつある。

【０００３】これらの磁気記録媒体については、今後、
更に高記録密度化を達成することが要求されており、そ
のために、磁気記録層の高保磁力化と高信号対雑音比を
達成することが必要とされている。

【０００４】このうち、高保磁力化の有効な手段とし
て、磁性材料にＰｔを添加することにより、２０００Ｏ
ｅを超える高い保磁力が得られることが知られている。
たとえば、特開昭５９−８８８０６号公報にはＣｏ系材
料、ＵＳＰＮｏ.5,024,903号にはＣｏＣｒＴａ系材料に
それぞれＰｔを添加した例が開示されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｐｔの
添加は保磁力の向上には効果があるが、一方で媒体ノイ
ズをも増大させる。ＣｏＰｔ系磁性層を形成した磁気記
録媒体では、ＣｏＣｒＴａのような比較的保磁力の低い
磁性層を形成した磁気記録媒体と比べても、媒体ノイズ
が高くなる。媒体ノイズを低減する方法として、磁性層
を多層化し、間に非磁性層を挿入する方法が知られてい
る（特開平６−１７６３４１号公報等）が、この方法は
磁性層を分断するので保磁力が低下する傾向があり、高
保磁力化と低ノイズ化の両方を実現する有力な手段は未
だ開発されていないのが現状である。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記従来の実
情に鑑みてなされたものであって、磁気記録媒体におい
て、信号／雑音比（Ｓ／Ｎ比）を低下させることなく高
保磁力化を実現する磁気記録媒体を提供することを目的
としている。

【０００７】本発明による磁気記録媒体は、非磁性基板
と、Ｃｏ系合金磁性層（ＭＬ）と、この磁性層と基板の
間にＣｒを主成分とする非磁性下地層を有する磁気記録
媒体において、前記磁性層と非磁性下地層との間に、ｈ
ｃｐ構造を有するＣｏ系合金からなる中間層（ＩＬ）を
有し、かつ磁性層を構成するＣｏ系合金の飽和磁束密度
（ＢｓＭＬ）と磁性層膜厚（ｔＭＬ）との積（ＢｓＭＬ
・ｔＭＬ）に対する、前記中間層を構成するＣｏ系合金
の飽和磁束密度（ＢｓＩＬ）と中間層膜厚（ｔＩＬ）の
積（ＢｓＩＬ・ｔＩＬ）の比Ｒ＝（ＢｓＩＬ・ｔＩＬ）／（ＢｓＭＬ・ｔＭＬ）が
０．２以下であることを特徴とする磁気記録媒体であ
る。

【０００８】

【発明の実施の態様】本発明において、非磁性基板とし
ては、通常の場合、無電解めっき法により形成したＮｉ
−Ｐ層を設けたアルミニウム合金板又はガラス基板が用
いられるが、その他、セラミック基板、炭素基板、Ｓｉ
基板、更には各種樹脂基板等、あらゆる非磁性基板を用
いることができる。

【０００９】このような非磁性基板上に形成するＣｒを
主成分とする非磁性下地層としては、Ｃｒ以外の元素、
例えばＳｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ等の１種又は２種以上
を３０原子％程度以下の範囲において含んでいても良
い。また、この非磁性下地層の膜厚は通常１００〜２０
００Å、好ましくは２００Å以上の範囲が採用される。
下地層が薄すぎると、保磁力が大きく低下する原因とな
る。

【００１０】このような下地層の上に形成するＣｏ基合
金中間層は、結晶構造が最密六方（ｈｃｐ）構造を有
し、かつ、この中間層上に形成するＣｏ系合金磁性層の
飽和磁束密度（ＢｓＭＬ）とＣｏ系合金磁性層膜厚（ｔ
ＭＬ）の積ＢｓＭＬ・ｔＭＬに対する、中間層の飽和磁
束密度（ＢｓＩＬ）と中間層膜厚（ｔＩＬ）の積ＢｓＩ
Ｌ・ｔＩＬの比が０．２以下、即ち、下記（Ｉ）式を満
足する非磁性ないし弱磁性中間層であることを特徴とす
る。Ｒ＝(BsML*tML)/(BsIL*tIL)<=0.2 (I)

【００１１】飽和磁束密度Ｂｓと膜厚ｔの積Ｂｓ・ｔは
磁性層の単位面積当たりの飽和磁化量を表しており、本
発明の中間層におけるＢｓ・ｔの値（ＢｓＩＬ・ｔＩ
Ｌ）は、Ｃｏ系合金磁性層のＢｓ・ｔの値（ＢｓＭＬ・
ｔＭＬ）の２０％以下、好ましくは１０％以下、更に好
ましくは０である。両者の比Ｒが０．２を超えると、保
磁力の低下等、磁気特性の劣化を来たす。

【００１２】本発明において中間層を設けることは、Ｃ
ｏ系合金磁性層の初期成長層の特性を改良することが主
な目的であり、このため、中間層自身は磁気的に動作し
ないことが望ましい。中間層の飽和磁束密度を、上記
（Ｉ）式を満足するような小さな値、とりわけ、０Ｇａ
ｕｓｓ（Ｒ＝０）とすることにより、磁気記録媒体に及
ぼす中間層の磁気的影響を完全に排除することができ
る。

【００１３】本発明における中間層材料は、Ｃｒ、Ｔ
ａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｍｏ、Ｓｉの少なくとも１種とＣｏ
との合金が好ましい。中間層材料中のこれらの元素Ｍの
含有率は適宜選択すれば良く特に制限はないが、通常、
２０〜５０原子％程度である。また、この場合、Ｃｏの
一部をＮｉ等の磁性元素で置換することもできる。この
際、中間層は非磁性であることが好ましく、例えば、Ｃ
ｏ−Ｃｒ系中間層においてはＣｒの含有量が３４〜４５
原子％であることが、飽和磁束密度が０でかつ結晶がｈ
ｃｐ構造となるため好ましい。

【００１４】中間層の材料合金には、上記中間層として
の性能を損なわない限り、数原子％以下程度ならその他
のＧｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、窒素、酸素、水素等の元素を含ん
でいても良い。また、更に、Ｃｏ系合金磁性層との結晶
格子定数を調整する等のために、他の元素を添加しても
よい。なお、このような中間層の膜厚は、１０〜１００
０Å、特に５０〜５００Åとするのが好ましい。

【００１５】このような中間層上に形成するＣｏ系合金
磁性層のＣｏ系合金としては、通常、ＣｏＣｒ系、Ｃｏ
ＮｉＣｒ系、ＣｏＰｔ系合金等が用いられ、これらは更
に、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｂ等の元素を含んでいて
も良い。Ｃｏ系合金磁性層の具体的なＣｏ系合金として
は、ＣｏＣｒＴａ合金、ＣｏＮｉＣｒＢＴａ合金、Ｃｏ
ＰｔＣｒＴａ合金が挙げられる。磁性層の膜厚には特に
制限はないが、通常、１００〜８００Åの厚さに成膜さ
れる。

【００１６】このような本発明の磁気記録媒体は、非磁
性基板上に下地層、中間層及び磁性層を順次成膜するこ
とにより製造されるが、その際、成膜途中で大気曝露す
ることなく一貫して真空雰囲気中で順次積層成膜するこ
とが望ましい。

【００１７】なお、成膜法としては、直流又は高周波マ
グネトロンスパッタ法のいずれでも良く、成膜時のスパ
ッタ条件としても特に制限はなく、バイアス電圧、基板
温度、スパッタガス圧、真空度等は、スパッタ材料によ
り適宜決定される。通常の場合、バイアス電圧（絶対
値）は５０〜５００Ｖ、基板温度は室温〜３００℃、ス
パッタガス圧は１×１０−３〜２０×１０−３Ｔｏｒ
ｒ、真空度は１×１０−６Ｔｏｒｒ以下で成膜される。
本発明の磁気記録媒体は、上述した中間層とＣｏ系合金
磁性層との組み合わせを満たす限り、Ｃｏ系合金磁性層
の上に更に同様の中間層及び磁性層を設けた積層構造を
有するものであっても良い。

【００１８】即ち、本発明の磁気記録媒体は、記録層で
ある磁性層と下地層との間にＣｏ系非磁性（ないし弱磁
性）中間層を設けることを特徴としており、例えば、非
磁性基板と下地層の間に金属被覆層を形成したもの、磁
性層を２種以上のＣｏ合金層の積層構造としたもの、磁
性層上に非磁性中間層を設けて積層したもの、或いは磁
性層上に更に必要に応じて炭素質等の保護層及び／又は
通常用いられる潤滑剤よりなる潤滑層等を形成してなる
ものであっても良い。

【００１９】

【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。表１〜表
８に示すように、各種条件で実施例および比較例を実施
した。なお、本発明において残留磁束密度（Ｂｒ）、飽
和磁束密度（Ｂｓ）および保磁力（Ｈｃ）は、ＶＳＭ
（Vibration Sample Magnetometer:東英工業株式会社製
ＶＳＭ−３Ｓ型）により、測定したＭＨループ（hyster
esis loop)を基に値を算出した。なお、測定時の条件は
次の通りである。最大印加磁界５０００（Ｏｅ）サンプルサイズ（縦×横）８ｍｍ×８ｍｍまた、磁性層の膜組成の分析は、蛍光Ｘ線分析で行っ
た。

【００２０】実施例１〜１９、比較例１〜４（実施例１〜５）内径２５ｍｍ、外径９５ｍｍのアルミ
ニウム合金ディスク基板表面に、無電解メッキにより非
磁性Ｎｉ−Ｐ層を２５μｍ厚さに成膜し、その表面を鏡
面研磨してＲａ（中心線平均粗さ）２０〜３０Åに仕上
げた。

【００２１】この非磁性基板を高周波（１３．５６ＭＨ
ｚ）マグネトロンスパッタ装置に装着し、３×１０^-6Ｔ
ｏｒｒまで真空排気した後、基板温度を２５０℃まで昇
温し、アルゴン分圧５×１０^-3Ｔｏｒｒにて、基板に直
流−１００Ｖのバイアス電圧を印加しながら、Ｃｒ下地
層を約６００Åの厚さに成膜した。

【００２２】そして引き続き、中間層としてＣｏ６３原
子％−Ｃｒ３７原子％の組成のＣｏＣｒ膜を１００Åの
厚みに形成した後、Ｃｏ８０原子％−Ｃｒ１４原子％−
Ｔａ６原子％の組成の磁性膜を１５０〜４００Å成膜す
ることにより、残留磁束密度と膜厚の積であるＢｒ・ｔ
が６０〜１８０ｇａｕｓｓ・μｍの範囲の試料を作製し
た（実施例１〜５）。

【００２３】なお、中間層のＣｏ６３原子％−Ｃｒ３７
原子％の組成のＣｏＣｒ膜はＢｓ＝０Ｇａｕｓｓの非磁
性体であり、かつｈｃｐ構造を有している。得られた試
料のＢｓ・ｔとＨｃの関係を図１に示す。

【００２４】（実施例６〜９）中間層としてＣｏ６２原
子％−Ｃｒ３７原子％−Ｔａ１原子％を用いたこと以外
は実施例１〜５と同様にして試料を作成した。得られた
試料のＢｓ・ｔとＨｃの関係を図２に示す。

【００２５】（実施例１０〜１４）中間層としてＣｏ６
０．５原子％−Ｃｒ３６原子％−Ｔｉ３．５原子％を用
いたこと以外は実施例１〜５と同様にして試料を作成し
た。得られた試料のＢｓ・ｔとＨｃの関係を図２に示
す。

【００２６】（実施例１５〜１９）中間層としてＣｏ５
９．５原子％−Ｃｒ３６原子％−Ｖ４．５原子％を用い
たこと以外は実施例１〜５と同様にして試料を作成し
た。得られた試料のＢｓ・ｔとＨｃの関係を図２に示
す。

【００２７】（比較例１〜４）ＣｏＣｒ中間層を設けず
に成膜したこと以外は、実施例１〜５と同じ条件で試料
を作製した。得られた試料のＢｓ・ｔとＨｃの関係を図
１に示す。

【００２８】

【表１】

【００２９】表１、Ｆｉｇ１および２から明らかなよう
に、Ｃｏ系中間層を形成したことにより、Ｈｃが４００
〜８００Ｏｅ上昇したことが認められる。

【００３０】実施例２０〜２３、比較例５〜８実施例１〜５或いは比較例１〜４と同様にして作製した
各磁気記録媒体について、各々、磁性層上に、更に、厚
さ１５０ÅのＣ（炭素）保護膜をスパッタリング法で成
膜し、その上にＦ（弗素）系の潤滑剤を約３０Åの厚さ
に塗布し、得られた各磁気記録媒体について、電磁変換
特性を測定した。

【００３１】なお、電磁変換特性の測定はハードディス
ク用ＭＲ（磁気抵抗効果）ヘッドを用いて行った。使用
したヘッドの仕様および測定の条件を以下に示す。ヘッド浮上高さ７５０Å 記録ギャップ長０．７８μｍ再生シールド幅０．２２μｍ再生トラック幅４．２μｍディスク回転数３，６００ｒｐｍ測定半径２３ｍｍ記録周波数２０．１ＭＨｚ

【００３２】電磁変換特性の測定結果を表２に示す。ま
た、図３に再生出力と磁気記録媒体のＳ／Ｎ比との関係
を、図４に再生出力と孤立再生波形の半値幅（ＰＷ５
０）との関係をそれぞれ示した。

【００３３】

【表２】

【００３４】表２、Ｆｉｇｓ３および４より、ＣｏＣｒ
中間層を設けた磁気記録媒体の方がＳ／Ｎ特性および分
解能のいずれにおいても優れていることが認められる。

【００３５】実施例２４〜２８、比較例９〜１０（実施例２４〜２８）ＣｏＣｒ中間層のＣｒ含有量を約
２９原子％から４４原子％まで変化させた以外は実施例
１〜５と同様にして試料を作製した。

【００３６】（比較例９）ＣｏＣｒ中間層のＣｒ含有量
を２４原子％とした以外は実施例１〜５と同様にして、
試料を作製した。

【００３７】（比較例１０）ＣｏＣｒ中間層のＣｒ含有
量を５４原子％とした以外は実施例１〜５と同様にし
て、試料を作製した。なお、比較例１０を除く各例で用
いたＣｏ系中間層は何れもｈｃｐ構造を有する。また、
Co(80)Cr(14)Ta(6)のBs(ML)は５５００(Gauss)であっ
た。

【００３８】実施例２４〜２８及び比較例９，１０で得
られた試料につき、ＣｏＣｒ中間層のＣｒ含有率と保磁
力Ｈｃとの関係を図５に、ＣｏＣｒ中間層のＣｒ含有率
と、飽和磁束密度と膜厚の積Ｂｓ・ｔとの関係を図６に
それぞれ示す。

【００３９】

【表３】

【００４０】表３、Ｆｉｇ５および６から明らかなよう
に、ｈｃｐ構造を有し、かつBs・t(ML)／Bs・t(IL)が0.20
0未満、特に0.015未満の範囲においては、顕著な保磁力
Ｈｃの上昇効果が得られている。また、この条件はＣｏ
Ｃｒ合金においてはＣｒ含有率が２７〜５２原子％の範
囲が相当し、特にＣｒ含有率が３４〜４７原子％の範囲
で効果が高いこともわかる。

【００４１】ここで、比較例１０においてのみＣｏＣｒ
中間層はｈｃｐ構造を有しておらず、本発明において中
間層がｈｃｐ構造を有することが重要であることが明ら
かである。また、表３より明らかなように、特に高保磁
力の実施例２７、２８においてはＣｏＣｒ中間層が非磁
性（Ｂｓ＝０）であることから、中間層は非磁性である
ことが望ましい。

【００４２】実施例２９〜３４、比較例１１〜１５（実施例２９〜３４）実施例１〜５の作製条件におい
て、磁性層をＣｏ７０原子％−Ｃｒ２１原子％−Ｐｔ９
原子％の組成のＣｏＣｒＰｔ磁性層に変更し、それ以外
の条件については同様にして試料を作製した。

【００４３】（比較例１１〜１５）また、ＣｏＣｒ中間
層を設けずに成膜したこと以外は、上記と全く同じ条件
で試料を作製した。各試料の構成、保磁力および製造条
件を表４に、保磁力ＨｃとＢｓ・ｔの関係を図７に示し
た。

【００４４】

【表４】

【００４５】表１及び図７より、磁性層にＴａを含まな
くともＣｏ系中間層による効果が得られることが明らか
である。

【００４６】実施例３５〜３７、比較例１６〜１８（実施例３５〜３７）実施例１〜５の作製条件におい
て、高周波スパッタ法を直流スパッタ法に、バイアス電
圧を−１００Ｖから−５００Ｖに、ＣｏＣｒ中間層厚み
を１００Åから５０Åに、更にＣｏＣｒＴａ磁性層をＣ
ｏ５６．５原子％−Ｎｉ３０原子％−Ｃｒ７．５原子％
−Ｂ３原子％−Ｔａ３原子％の組成のＣｏＮｉＣｒＢＴ
ａ磁性膜に変更し、それ以外の条件については同様にし
て試料を作製した。

【００４７】（比較例１６〜１８）また、ＣｏＣｒ中間
層を設けずに成膜したこと以外は、上記と全く同じ条件
で試料を作製した。各試料の構成、保磁力および製造条
件を表５に、保磁力ＨｃとＢｓ・ｔの関係を図８に示し
た。

【００４８】

【表５】

【００４９】表５及び図８より、スパッタ方法、バイア
ス電圧、磁性層の種類が変わっても、Ｃｏ系中間層によ
る効果が得られることが明らかである。

【００５０】実施例３８〜４１、比較例１９〜２２（実施例３８〜４１）実施例１〜５の作製条件におい
て、高周波スパッタ法を直流スパッタ法に、バイアス電
圧を−１００Ｖから−３００Ｖに、Ｃｒ下地層厚みを６
００Åから８５０Åに、ＣｏＣｒ中間層厚みを１００Å
から１７０Åに、更にＣｏＣｒＴａ磁性層をＣｏ８０原
子％−Ｃｒ１２原子％−Ｐｔ６原子％−Ｔａ２原子％の
組成のＣｏＣｒＰｔＴａ磁性膜に変更し、それ以外の条
件については同様にして試料を作製した。

【００５１】（比較例１９〜２２）また、ＣｏＣｒ中間
層を設けずに成膜したこと以外は、上記と全く同じ条件
で試料を作製した。これら試料の構成、特性及び製造条
件を表６に、得られた各磁気記録媒体の保

【００５２】

【表６】

【００５３】磁力ＨｃとＢｓ・ｔとの関係を図９に示し
た。表６及び図９から、Ｐｔを含むＣｏ系合金磁性層に
おいても、本発明の効果が得られることが明らかであ
る。

【００５４】実施例４２〜４５、比較例２３（実施例４２〜４５）実施例１〜５の作製条件におい
て、磁性層を厚さ２５０ÅのＣｏ７８原子％−Ｃｒ１７
原子％−Ｔａ５原子％に変更し、それ以外の条件につい
ては同様にして、ＣｏＣｒ中間層の厚さを５０Å〜５０
０Åまで変化させた試料を作製した。

【００５５】（比較例２３）また、ＣｏＣｒ中間層を設
けずに成膜したこと以外は、上記と全く同じ条件で試料
を作製した。これら試料の構成、特性及び製造条件を表
７に、得られた各磁気記録媒体の保磁力ＨｃとＢｓ・ｔ
との関係を図１０に示した。

【００５６】

【表７】

【００５７】表７及び図１０から、中間層の厚みが増加
すると保磁力が低下する傾向にあることが読み取られ、
中間層の厚みとしては５００Å以下が適当であると思わ
れる。

【００５８】実施例４６〜４９、比較例２４〜２６（実施例４６〜４９）実施例４２〜４５の作製条件にお
いて、ＣｏＣｒ中間層の厚さを１００Åとし、それ以外
の条件は同様にして、クロム下地層の厚さを１００〜６
００Åまで変化させた試料を作製した。

【００５９】（比較例２４〜２６）また、ＣｏＣｒ中間
層を設けずに成膜したこと以外は、上記と全く同じ条件
で試料を作製した。これら試料の構成、特性及び製造条
件を表８に、得られた各磁気記録媒体の保磁力ＨｃとＢ
ｓ・ｔとの関係を図１１に示した。

【００６０】

【表８】

【００６１】表８及び図１１から、中間層の厚みが増加
すると保磁力が低下する傾向にあることが読み取られ、
中間層の厚みとしては１０００Å以下が適当であると思
われる。

【００６２】以上記述した通り、本発明の磁気記録媒体
によれば、従来の磁気記録媒体に比べ著しく高い保磁力
と優れた電磁変換特性を示し、高密度記録に極めて適し
た磁気記録媒体が提供される。

【００６３】

【発明の効果】本発明に従って、ｈｃｐ構造を有するＣ
ｏ系非磁性ないし弱磁性中間層を設けることにより、中
間層による磁気的影響を完全に排除ないし著しく小さい
ものとした上で、記録層となるＣｏ系合金磁性層の初期
成長層の特性を効果的に改良することができ、これによ
り、磁気記録媒体の保磁力及び電磁変換特性は大幅に改
善される。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１〜５及び比較例１〜４で得られた、飽
和磁束密度と膜厚の積Ｂｓ・ｔと、保磁力Ｈｃとの関係
を示すグラフである。

【図２】実施例６〜１９及び比較例５〜７で得られた、
飽和磁束密度と膜厚の積Ｂｓ・ｔと保磁力Ｈｃとの関係
を示すグラフである。

【図３】実施例１１〜１４及び比較例８〜１１で得られ
た、再生出力とＳ／Ｎ比との関係を示すグラフである。

【図４】実施例１１〜１４及び比較例８〜１１で得られ
た、再生出力と孤立再生波形の半値幅ＰＷ５０との関係
を示すグラフである。

【図５】実施例２４〜２８及び比較例９，１０で得られ
た、ＣｏＣｒ中間層のＣｒ含有率と保磁力Ｈｃとの関係
を示すグラフである。

【図６】実施例２４〜２８及び比較例９，１０で得られ
た、ＣｏＣｒ中間層のＣｒ含有率と、飽和磁束密度と膜
厚の積Ｂｓ・ｔとの関係を示すグラフである。

【図７】実施例２９〜３４及び比較例１１〜１５で得ら
れた、飽和磁束密度と膜厚の積Ｂｓ・ｔと保磁力Ｈｃと
の関係を示すグラフである。

【図８】実施例３５〜３７及び比較例１６〜１８で得ら
れた、飽和磁束密度と膜厚の積Ｂｓ・ｔと保磁力Ｈｃと
の関係を示すグラフである。

【図９】実施例３８〜４１及び比較例１９〜２２で得ら
れた、飽和磁束密度と膜厚の積Ｂｓ・ｔと保磁力Ｈｃと
の関係を示すグラフである。

【図１０】実施例４２〜４５及び比較例２３で得られ
た、ＣｏＣｒ中間層厚みと保磁力Ｈｃとの関係を示すグ
ラフである。

【図１１】実施例４６〜４９及び比較例２４〜２６で得
られた、Ｃｒ下地層厚みと保磁力Ｈｃとの関係を示すグ
ラフである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 5/66

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基板と、Ｃｏ系合金磁性層（Ｍ
Ｌ）と、この磁性層と基板の間にＣｒを主成分とする非
磁性下地層を有する磁気記録媒体において、前記磁性層と非磁性下地層との間に、ｈｃｐ構造を有す
るＣｏ系合金からなる中間層（ＩＬ）を有し、かつ磁性
層を構成するＣｏ系合金の飽和磁束密度（ＢｓＭＬ）と
磁性層膜厚（ｔＭＬ）との積（ＢｓＭＬ・ｔＭＬ）に対
する、前記中間層を構成するＣｏ系合金の飽和磁束密度
（ＢｓＩＬ）と中間層膜厚（ｔＩＬ）の積（ＢｓＩＬ・
ｔＩＬ）の比Ｒ＝（ＢｓＩＬ・ｔＩＬ）／（ＢｓＭＬ・ｔＭＬ）が
０．２以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】中間層がＣｏ−Ｍ系合金薄膜層（ただ
し、ＭはＣｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｍｏ及びＳｉよりなる群
から選ばれる１種又は２種以上の元素）であることを特
徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】ＭがＣｒで、かつＣｒ含有量が２７〜５
２原子％であることを特徴とする請求項２記載の磁気記
録媒体
【請求項４】前記中間層の厚さが１０〜１０００Åで
ある請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項５】前記下地層の厚さが１００〜１０００Å
である請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項６】非磁性下地層、中間層及び磁性層は、大
気曝露されることなく真空雰囲気中で順次積層成膜され
てなる請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項７】Ｃｏ系合金磁性層が、ＣｏＣｒ系、Ｃｏ
ＮｉＣｒ系或いはＣｏＰｔ系合金磁性層である請求項１
記載の磁気記録媒体。
【請求項８】前記非磁性基板と下地層の間に金属被覆
層を有する請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項９】前記磁性層が多層構造を有する請求項１
記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】前記磁性層上に炭素質保護層及び／又
は弗素系潤滑層を有する請求項１記載の磁気記録媒体。