JP2002183927A

JP2002183927A - 垂直磁気記録媒体

Info

Publication number: JP2002183927A
Application number: JP2000381516A
Authority: JP
Inventors: Toshio Ando; 敏男安藤
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 2000-12-15
Filing date: 2000-12-15
Publication date: 2002-06-28

Abstract

(57)【要約】【課題】垂直記録層の膜厚を薄くできるようにし、こ
れにより、媒体ノイズが小さく、Ｓ／Ｎ及び信号安定性
の高い垂直磁気記録媒体を提供する。【解決手段】非磁性の基板１と、前記基板１上に順次
形成されたＣｏ−Ｚｒ系アモルファス軟磁性層３とｈｃ
ｐ構造からなるＣｏ−Ｃｒ系垂直記録層５とを有する垂
直磁気記録媒体１０において、前記軟磁性層３と前記垂
直記録層５との間に配置された、ｈｃｐ構造を有するＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｔａ系の非磁性層４を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は垂直磁気記録媒体に
係り、特に、軟磁性下地層を有しており高記録密度用に
好適な垂直磁気記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】垂直磁気記録方式は、実用化されている
現行の長手磁気記録方式よりも高密度記録が可能である
ことより、各所で研究開発が行なわれている。垂直磁気
記録方式に用いる記録媒体（単に、垂直磁気記録媒体ま
たは垂直媒体ともいう）の記録層としては、Ｃｏ−Ｃｒ
系合金薄膜が、強い垂直磁気異方性を有し良好な記録特
性が得られることから、最も精力的に検討されている。
Ｃｏ−Ｃｒ系合金薄膜は、ｈｃｐの結晶構造をとり、磁
化容易軸であるｃ軸が膜面に対して垂直方向に配向する
ことにより強い垂直磁気異方性を示す。

【０００３】一方、高記録密度化のためには、高Ｓ／Ｎ
化する必要があり、そのため、磁気記録媒体の記録層の
薄層化すること、および保磁力Ｈｃ、角型比Ｒｓ（飽和
磁化Ｍｓに対する残留磁化Ｍｒの比、Ｍｒ／Ｍｓ）を高
くすることが要求されている。しかし、垂直磁気記録媒
体の場合、膜厚を薄くすると、Ｈｃ、Ｒｓが低下する傾
向が強い。更に、膜厚を薄くするとｃ軸分散角Δθ５０
が大きくなり、垂直磁気異方性が弱くなって高密度記録
に適さなくなってしまう。

【０００４】また、高Ｓ／Ｎ化以外に、高い信号安定性
を得るためにも高Ｈｃ化、高Ｒｓ化は重要である。これ
は、垂直磁気記録媒体の面内方向の寸法に対して膜厚が
極めて小さいために、垂直方向（膜厚方向）での反磁界
が大きく、Ｒｓが低下しやすく、熱揺らぎの影響で記録
信号が劣化しやすいからである。

【０００５】そこで、垂直磁気記録媒体の記録層（以
下，単に垂直記録層ともいう）の特性を改善するため、
垂直記録層と基板の間に挿入する下地層について、種々
の検討がなされている。例えばＴｉ、ＴｉＣｒ、または
非磁性のＣｏＣｒ（Ｃｒ成分が３０ａｔ％以上）、Ｃｏ
Ｒｕ、およびこれらを組合せたものが知られている。こ
れらはいずれも、垂直記録層と同じｈｃｐ構造であるこ
とを利用して、垂直記録層の垂直配向度を高めようとす
るものである。

【０００６】また、基板と垂直記録層の間に、下地層と
して軟磁性下地層を有する、いわゆる２層垂直磁気記録
媒体（以下，単に２層垂直媒体ともいう）において、Ｃ
ｏ−Ｚｒ系アモルファス膜は、軟磁性下地層と垂直記録
層の垂直配向促進層としての両方の機能を兼ね備えてお
り、特に有効であることが知られている。中でも、硬磁
性であるＣｏＳｍをピンニング層として、ＣｏＺｒ系軟
磁性下地層と基板の間に設けて、軟磁性下地層の磁壁の
発生を抑えて低ノイズ化及び高信号安定化を図ったもの
は更に有効である。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、基板上に垂
直記録層のみが形成されている、いわゆる単層垂直磁気
記録媒体（以下、単に単層垂直媒体ともいう）は、記録
／再生（以下、単にＲ／Ｗともいう）の際に、磁気ヘッ
ドとの間で閉磁路が形成されにくいため、Ｒ／Ｗ効率が
悪く、実用には適さない。これは、上述のＴｉ、ＴｉＣ
ｒ、または非磁性のＣｏＣｒ（Ｃｒ成分３０ａｔ％以
上）、ＣｏＲｕといった下地層を設けても、同様であ
る。

【０００８】また、垂直記録層の垂直配向性を高めるた
めに、これら下地層の垂直配向度を高める必要があり、
単層垂直媒体において垂直記録層の垂直配向性を高める
のと同様に、実現するのが困難である。

【０００９】一方、軟磁性下地層を有する２層垂直媒体
の場合は、Ｒ／Ｗに際して、磁気ヘッドと垂直記録層を
通して軟磁性下地層との間で閉磁路が形成されるため、
Ｒ／Ｗ効率が高く、特に、軟磁性下地層をアモルファス
Ｃｏ−Ｚｒ系から構成すると、ｃ軸が膜面に対して垂直
方向に強く配向した垂直記録層を得やすいのであるが、
垂直記録層の膜厚を薄くするとＨｃ、Ｒｓが低下する傾
向が特に強いという欠点があり、解決を求められる課題
であった。

【００１０】そこで，本発明は、垂直磁気記録媒体にお
いて、垂直記録層の膜厚を薄くできるようにし、これに
より、媒体ノイズが小さく、Ｓ／Ｎ及び信号安定性の高
い垂直磁気記録媒体を提供することを目的とするもので
ある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の手段として、本発明の垂直磁気記録媒体は、非磁性の
基板と、前記基板上に順次形成されたＣｏ−Ｚｒ系アモ
ルファス軟磁性層とｈｃｐ構造からなるＣｏ−Ｃｒ系垂
直記録層とを有する垂直磁気記録媒体において、前記軟
磁性層と前記垂直記録層との間に配置された、ｈｃｐ構
造を有するＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系の非磁性層を有すること
を特徴とする垂直磁気記録媒体である。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につ
き、好ましい実施例により、図面を参照して説明する。
図１は、本発明による垂直磁気記録媒体の一例を示す断
面構成図である。図１において、１は基板，２はピンニ
ング層、３は軟磁性下地層、４は非磁性中間層、５は垂
直記録層、６は保護層，及び１０は垂直磁気記録媒体を
それぞれ示す。

【００１３】＜第１実施例＞軟磁性下地層３と垂直記録
層５の間に，非磁性中間層４を設けた場合を説明する。（実施例１）鏡面仕上した直径９５ｍｍ、厚さ０．８ｍ
ｍである円板状のガラス基板１上に、まず、厚さ１５０
ｎｍのＣｏ８３−Ｓｍ１７ａｔ％（８３ａｔ％のＣｏと
１７ａｔ％のＳｍからなる組成の合金を表す。以下の同
様の表示も同じ意味を表す）膜からなる硬磁性ピンニン
グ層２を、マグネトロンスパッタ法を用いて形成した。
成膜時の真空度は、０．０６Ｐａから０．１３Ｐａであ
り、Ａｒガス雰囲気中で、基板１に対して、マグネトロ
ンの磁石によって、基板１の半径方向に略４０００Ａ／
ｍの磁界を加えており、ピンニング層２の磁化及び磁化
容易軸は基板１の半径方向に揃えてある。基板温度は室
温である。

【００１４】次に、ピンニング層２の上に、厚さ３５０
ｎｍのＣｏ８８−Ｚｒ７−Ｎｂ５ａｔ％膜からなるＣｏ
−Ｚｒ系アモルファス軟磁性下地層３を、基板温度が室
温、その他の条件はピンニング層２のスパッタ条件と同
様の条件で、形成した。従って、軟磁性下地層３の磁化
及び磁化容易軸は基板１の半径方向に揃っている。

【００１５】次に、厚さ２０ｎｍであるＣｏ−Ｃｒ系の
Ｃｏ６２−Ｃｒ３７−Ｔａ０．５Ｎｂ０．５ａｔ％の組
成を有する非磁性中間層４と、厚さ１５ｎｍであるＣｏ
−Ｃｒ系のＣｏ７７．４−Ｃｒ２０−Ｔａ１．３−Ｎｂ
１．３ａｔ％の組成を有する垂直記録層５と、厚さ５ｎ
ｍのカーボンからなる保護層６とを、順次、基板温度が
３００℃、マグネトロン磁界（略４０００Ａ／Ｍの強
さ）を印加して、Ａｒガス雰囲気で、真空度０．０６Ｐ
ａから０．１３Ｐａで、マグネトロンスパッタリング法
により形成し、実施例１の垂直磁気記録媒体１０を得
た。なお、これらの各膜の形成は，同一のスパッタリン
グ装置で、連続して行った。

【００１６】得られた垂直記録媒体１０に関し、以下の
特性を測定した。まず、垂直記録層５及び非磁性中間層
４の組成をＩＣＰ発光分光分析により同定した。ここ
で、組成分析用の試料としては、垂直記録層５及び非磁
性中間層４を形成するときに、基板１とは別に配置した
ガラス基板上に形成された各膜を用いた。

【００１７】また、垂直磁気記録媒体１０の信号記録再
生特性を評価した。垂直磁気記録媒体１０への信号記録
には、トラック幅１０μｍ、主磁極厚０．２μｍ、コイ
ルタ−ン数２６のインダクティブ単磁極（ＳＰＴ）ヘッ
ドを用い、信号再生には、トラック幅０．７μｍの巨大
磁気抵抗効果型（ＧＭＲ）ヘッドを用いた。ディスク状
の垂直磁気記録媒体１０を回転させて、その上に配置し
たＳＰＴヘッド及びＧＭＲヘッドとの相対速度（線速
度）を７．１ｍ／ｓとした。ここで各ヘッドの浮上量は
約３０ｎｍであった。

【００１８】ここで、７ＭＨｚ（５０ｋｆｃｉに相当）
の正弦波信号を記録し、スペクトルアナライザーを用い
て、帯域２５ＭＨｚ、レゾリュ−ション帯域幅３０ｋＨ
ｚの条件で測定し、信号Ｓとして、再生した出力信号の
ｐｅａｋ−ｔｏ−ｐｅａｋ値Ｓをとり、ノイズＮとし
て、ヘッドアンロード時の測定系のノイズを差し引いた
ＡＣイレーズ状態における媒体ノイズＮをとり、Ｓ／Ｎ
とした。Ｓ／Ｎは３３．４ｄＢであった。結果を表１に
示す。

【００１９】（実施例２）実施例１の垂直磁気記録媒体
１０において、垂直記録層５の厚さを２５ｎｍとした以
外は、実施例１と同様にして、実施例２の垂直磁気記録
媒体１０を得、Ｓ／Ｎを測定した。Ｓ／Ｎは３６．８ｄ
Ｂであった。結果を表１に示す。

【００２０】（実施例３）実施例１の垂直磁気記録媒体
１０において、垂直記録層５の厚さを３０ｎｍとした以
外は、実施例１と同様にして，実施例３の垂直磁気記録
媒体１０を得、Ｓ／Ｎを測定した。Ｓ／Ｎは３５．９ｄ
Ｂであった。結果を表１に示す。

【００２１】（比較例１）実施例１の垂直磁気記録媒体
１０において、非磁性中間層４を設けず、垂直記録層５
の厚さを２５ｎｍとした以外は、実施例１と同様にし
て、比較例１の垂直磁気記録媒体を得、Ｓ／Ｎを測定し
た。Ｓ／Ｎは２７．２ｄＢであった。結果を表１に示
す。

【００２２】（比較例２）実施例１の垂直磁気記録媒体
１０において、非磁性中間層４を設けず、垂直記録層５
の厚さを４０ｎｍとした以外は、実施例１と同様にし
て、比較例２の垂直磁気記録媒体を得、Ｓ／Ｎを測定し
た。Ｓ／Ｎは３４．８ｄＢであった。結果を表１に示
す。

【００２３】（比較例３）実施例１の垂直磁気記録媒体
１０において、非磁性中間層４を設けず、垂直記録層５
の厚さを５０ｎｍとした以外は、実施例１と同様にし
て、比較例３の垂直磁気記録媒体を得、Ｓ／Ｎを測定し
た。Ｓ／Ｎは３４．５ｄＢであった。結果を表１に示
す。

【００２４】（比較例４）実施例１の垂直磁気記録媒体
１０において、非磁性中間層４を設けず、垂直記録層５
の厚さを６０ｎｍとした以外は、実施例１と同様にし
て、比較例４の垂直磁気記録媒体を得、Ｓ／Ｎを測定し
た。Ｓ／Ｎは３２．６ｄＢであった。結果を表１に示
す。

【００２５】（比較例５）実施例１の垂直磁気記録媒体
１０において、非磁性中間層４を設けず、垂直記録層５
の厚さを７０ｎｍとした以外は、実施例１と同様にし
て、比較例４の垂直磁気記録媒体を得、Ｓ／Ｎを測定し
た。Ｓ／Ｎは３１．３ｄＢであった。結果を表１に示
す。

【００２６】

【表１】

【００２７】また、表１の内容を図２に示す。図２は、
垂直記録層の膜厚とＳ／Ｎの関係を示すグラフ図であ
る。図２に示すように、非磁性中間層４を設けない場合
には、垂直記録層５の厚さが４０ｎｍから５０ｎｍの領
域で最大のＳ／Ｎを示すが、その値は３５ｄＢ以下であ
る。

【００２８】これに対して、非磁性中間層４を設けた場
合には、垂直記録層５の厚さが２５ｎｍ近辺の、比較例
の場合に比較して薄い領域で、最大のＳ／Ｎを示し、そ
の値も３５ｄＢ以上と大きいものである。すなわち、Ｃ
ｏ６２−Ｃｒ３７−Ｔａ０．５Ｎｂ０．５ａｔ％の非磁
性中間層４を設けることにより、薄いＣｏ７７．４−Ｃ
ｒ２０−Ｔａ１．３−Ｎｂ１．３ａｔ％垂直記録層５に
おいても、高いＳ／Ｎを得ることができる。

【００２９】＜第２実施例＞ここでは、第１実施例で高
いＳ／Ｎを示した厚さ２５ｎｍの垂直記録層５の場合に
ついて、非磁性中間層４の効果を明らかにした。

【００３０】（実施例４）上述の実施例２（厚さ２５ｎ
ｍのＣｏ７７．４−Ｃｒ２０−Ｔａ１．３−Ｎｂ１．３
ａｔ％垂直記録層５、厚さ２０ｎｍのＣｏ６２−Ｃｒ３
７−Ｔａ０．５Ｎｂ０．５ａｔ％非磁性中間層４を有す
る）において、非磁性中間層４の厚さを１０ｎｍとした
以外は、実施例２と同様に実施例４の垂直記録媒体１０
を得、同様にＳ／Ｎを測定した。Ｓ／Ｎは３３．７ｄＢ
であった。

【００３１】また、７ＭＨｚの信号を記録する場合のＮ
Ｉ５０を測定した。ＮＩ５０は０．１２５Ａ・ｔであっ
た。結果を表２に示す。ここでＮＩ５０は、飽和再生出
力の５０％出力が得られるところの記録ヘッドの起磁力
（記録電流Ａ×コイルターン数ｔ）を示し、記録感度の
指標であり、小さいほど、少ない起磁力で記録でき、記
録感度が高いことを示す。

【００３２】（実施例２）上述の実施例２において、Ｓ
／Ｎ（３６．８ｄＢ）に加えて、さらにＮＩ５０を測定
した。ＮＩ５０は０．１．３８Ａ・ｔであった。結果を
表２に示す。

【００３３】（実施例５）実施例２において、非磁性中
間層４の厚さを２５ｎｍとした以外は、実施例２と同様
に実施例５の垂直記録媒体を得、同様にＳ／Ｎを測定し
た。Ｓ／Ｎは３６．４ｄＢであった。また、ＮＩ５０を
測定した。ＮＩ５０は０．１５１Ａ・ｔであった。結果
を表２に示す。

【００３４】（実施例６）実施例２において、非磁性中
間層４の厚さを３０ｎｍとした以外は、実施例２と同様
に実施例５の垂直記録媒体を得、同様にＳ／Ｎを測定し
た。Ｓ／Ｎは３６．１ｄＢであった。また、ＮＩ５０を
測定した。ＮＩ５０は０．１５６Ａ・ｔであった。結果
を表２に示す。

【００３５】

【表２】

【００３６】なお、表２には、上述の比較例１も比較の
ために示してある。また、表２の内容を図３に示す。図
３は、非磁性中間層の膜厚とＳ／Ｎ及びＮＩ５０の関係
を示すグラフ図である。垂直記録層の厚さが２５ｎｍの
場合、非磁性中間層が無い（比較例１）と、Ｓ／Ｎは２
７．２ｄＢと低いのに対して、非磁性中間層を設けるこ
とでＳ／Ｎは大きく向上する。図２の傾向からみて、１
５ｎｍから３０ｎｍ厚さの非磁性中間層を設けることが
特にＳ／Ｎ向上に有効（３５ｄＢ以上である）であると
いえる。ただし厚くなり過ぎると、ＮＩ５０が大きくな
り記録感度が低下する。これは、非磁性中間層によって
垂直記録層と軟磁性層との間の磁気的なスペーシングが
大きくなるためである。したがって非磁性中間層の膜厚
は、以上の結果を考慮に入れて、使われるシステムに応
じて最適な値を決定すればよい。

【００３７】次に、垂直記録層を同様にするとともに、
非磁性中間層をＣｏ６２−Ｃｒ３８ａｔ％又はＣｏ６７
−Ｃｒ３０−Ｔａ３ａｔ％の層より構成した場合につい
ても同様に調べたところ、Ｃｏ６２−Ｃｒ３７−Ｔａ
０．５−Ｎｂ０．５ａｔ％の場合とほぼ同等のＳ／Ｎ特
性が得られた。しかしながらＣｏ６２−Ｃｒ３８ａｔ％
の場合、全体にバースト状ノイズが観測され、ノイズ特
性に関しては、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系もしくはＣｏ−Ｃｒ
−Ｔａ−Ｎｂ系の非磁性中間層の方が良好であった。

【００３８】＜第３実施例＞非磁性中間層を膜厚３０ｎ
ｍのＣｏ６７−Ｃｒ３０−Ｔａ３ａｔ％とした場合につ
いて、説明する。

【００３９】（実施例７）実施例１において、垂直記録
層５を１５ｎｍとし、非磁性中間層４を実施例１におけ
ると同様の方法で、厚さ３０ｎｍのＣｏ６７−Ｃｒ３０
−Ｔａ３ａｔ％膜より形成した以外は、実施例１と同様
にして、実施例７の垂直磁気記録媒体１０を得て、垂直
記録層５の抗磁力Ｈｃ及び角型比Ｒｓを、カー効果を用
いて測定した。Ｈｃは１７．８×１０⁴Ａ／ｍ、Ｒｓは
６５であった。結果を表３に示す。

【００４０】（実施例８）実施例１において、垂直記録
層５を２０ｎｍとし、非磁性中間層４を実施例１におけ
ると同様の方法で、厚さ３０ｎｍのＣｏ６７−Ｃｒ３０
−Ｔａ３ａｔ％膜より形成した以外は、実施例１と同様
にして、実施例８の垂直磁気記録媒体１０を得て、垂直
記録層５のＨｃ及びＲｓを測定した。Ｈｃは２１．２×
１０⁴Ａ／ｍ、Ｒｓは７３であった。結果を表３に示
す。

【００４１】（実施例９）実施例１において、垂直記録
層５を２５ｎｍとし、非磁性中間層４を実施例１におけ
ると同様の方法で、厚さ３０ｎｍのＣｏ６７−Ｃｒ３０
−Ｔａ３ａｔ％膜より形成した以外は、実施例１と同様
にして、実施例９の垂直磁気記録媒体１０を得て、垂直
記録層５のＨｃ及びＲｓを測定した。Ｈｃは２６．８×
１０⁴Ａ／ｍ、Ｒｓは７５であった。結果を表３に示
す。

【００４２】（実施例１０）実施例１において、垂直記
録層５を４０ｎｍとし、非磁性中間層４を実施例１にお
けると同様の方法で、厚さ３０ｎｍのＣｏ６７−Ｃｒ３
０−Ｔａ３ａｔ％膜より形成した以外は、実施例１と同
様にして、実施例１０の垂直磁気記録媒体１０を得て、
垂直記録層５のＨｃ及びＲｓを測定した。Ｈｃは２８．
２×１０⁴Ａ／ｍ、Ｒｓは７６であった。結果を表３に
示す。

【００４３】（比較例６）実施例１において、垂直記録
層５を２０ｎｍとし、非磁性中間層４を設けなかった以
外は実施例１と同様にして、比較例６の垂直磁気記録媒
体を得て、垂直記録層５のＨｃ及びＲｓを測定した。Ｈ
ｃは７．３×１０⁴Ａ／ｍ、Ｒｓは２３であった。結果
を表３に示す。

【００４４】（比較例７）実施例１において、垂直記録
層５を３０ｎｍとし、非磁性中間層４を設けなかった以
外は実施例１と同様にして、比較例７の垂直磁気記録媒
体を得て、垂直記録層５のＨｃ及びＲｓを測定した。Ｈ
ｃは２０．２×１０⁴Ａ／ｍ、Ｒｓは５１であった。結
果を表３に示す。

【００４５】

【表３】

【００４６】なお、表３には、上述の比較例３及び６も
比較のために示してある。また、表３の内容を図４及び
５に示す。図４は、垂直記録層の膜厚とＨｃの関係を示
すグラフ図であり、図５は、垂直記録層の膜厚とＲｓの
関係を示すグラフ図である。

【００４７】図４及び５より、非磁性中間層の有無で比
較すると、Ｃｒ６７−Ｃｒ３０−Ｔａ３ａｔ％の非磁性
中間層を設けることにより、垂直記録層の厚さを２５ｎ
ｍ程度に薄くしても、Ｈｃ＞２．４×１０⁴Ａ／ｍ、Ｒ
ｓ＞０．７である良好な磁気特性が得られることが分か
る。

【００４８】＜第４実施例＞Ｃｏ６７−Ｃｒ３０−Ｔａ
３ａｔ％からなる非磁性中間層の膜厚を変えた場合につ
いて、説明する。

【００４９】（実施例１１）実施例１において、垂直記
録層の厚さを２０ｎｍとし、非磁性中間層４を実施例１
におけると同様の方法で、厚さ１７ｎｍのＣｏ６７−Ｃ
ｒ３０−Ｔａ３ａｔ％膜より形成した以外は、実施例１
と同様にして、実施例１１の垂直磁気記録媒体１０を得
て、垂直記録層５のＨｃ及びＲｓを、カ−効果を用いて
測定した。Ｈｃは２０．２×１０⁴Ａ／ｍ、Ｒｓは６８
であった。結果を表４に示す。

【００５０】（実施例１２）実施例１において、垂直記
録層の厚さを２０ｎｍとし、非磁性中間層４を実施例１
におけると同様の方法で、厚さ４５ｎｍのＣｏ６７−Ｃ
ｒ３０−Ｔａ３ａｔ％膜より形成した以外は、実施例１
と同様にして、実施例１１の垂直磁気記録媒体１０を得
て、垂直記録層５のＨｃ及びＲｓを、カ−効果を用いて
測定した。Ｈｃは２２．４×１０⁴Ａ／ｍ、Ｒｓは７９
であった。結果を表４に示す。

【００５１】

【表４】

【００５２】なお、表４には、上述の実施例８及び比較
例６も比較のために示してある。又、表４の内容を、図
６及び７に示す。図６は、非磁性中間層の膜厚とＨｃの
関係を示すグラフ図であり、図７は、非磁性中間層の膜
厚とＲｓの関係を示すグラフ図である。

【００５３】図６及び７より分かるように、Ｃｏ６７−
Ｃｒ３０−Ｔａ３ａｔ％膜非磁性中間層を１５ｎｍ以上
設けることで、垂直磁気記録媒体のＨｃ及びＲｓは高く
なる。すなわち、上述の第１実施例における電磁特性の
結果と合わせて考えると、非磁性中間層を１５ｎｍ以上
設けた結果、垂直記録層を膜厚２５ｎｍの薄い垂直記録
層より構成しても、Ｈｃ、Ｒｓが高くなり、高いＳ／Ｎ
が得られることが分かる。

【００５４】なお、上述の垂直記録層及び非磁性中間層
は、Ｘ線回折の結果、いずれもｈｃｐ構造をとることが
確認されている。ここで、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂアモルファ
ス軟磁性下地層は、ｈｃｐ構造からなるＣｏ−Ｃｒ−Ｔ
ａ系合金のｃ軸を垂直に配向させる効果が高いので、非
磁性中間層の垂直配向性が高くなり、垂直記録層を連続
したｈｃｐ構造とすることで、垂直記録層の垂直配向性
も高くなり、良好な特性を有する垂直磁気記録媒体が得
られるものである。以上、非磁性中間層としてＣｏ−Ｃ
ｒ−Ｔａについて説明したが、ｈｃｐ構造からなるＣｏ
−Ｃｒ−Ｔａ系合金で、実質的に非磁性となる組成であ
れば良く、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａに、Ｐｔ，Ｎｂ、Ｍｏ，
Ｗ、Ｒｕなどを添加したもの、及びこれらを複数添加し
たものでも良い。

【００５５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の垂直磁気
記録媒体は、軟磁性層と垂直記録層との間に配置され
た、ｈｃｐ構造を有するＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系の非磁性層
を有することにより、垂直記録層の膜厚を薄くできるよ
うにし、これにより、媒体ノイズが小さく、Ｓ／Ｎ及び
信号安定性の高い垂直磁気記録媒体を提供することがで
きるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による垂直磁気記録媒体の一例を示す断
面構成図である。

【図２】垂直記録層の膜厚とＳ／Ｎの関係を示すグラフ
図である。

【図３】非磁性中間層の膜厚とＳ／Ｎ及びＮＩ５０の関
係を示すグラフ図である。

【図４】垂直記録層の膜厚とＨｃの関係を示すグラフ図
である。

【図５】垂直記録層の膜厚とＲｓの関係を示すグラフ図
である。

【図６】非磁性中間層の膜厚とＨｃの関係を示すグラフ
図である。

【図７】非磁性中間層の膜厚とＲｓの関係を示すグラフ
図である。

【符号の説明】

１…基板、２…ピンニング層、３…軟磁性下地層、４…
非磁性中間層、５…垂直記録層、６…保護層、１０…垂
直磁気記録媒体。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性の基板と、前記基板上に順次形成さ
れたＣｏ−Ｚｒ系アモルファス軟磁性層とｈｃｐ構造か
らなるＣｏ−Ｃｒ系垂直記録層とを有する垂直磁気記録
媒体において、前記軟磁性層と前記垂直記録層との間に配置された、ｈ
ｃｐ構造を有するＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系の非磁性層を有す
ることを特徴とする垂直磁気記録媒体。