JP2003317221A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高記録密度においても良好な電磁変換特性を
有しかつ熱安定性に優れさらに生産性に優れた垂直磁気
記録媒体を提供すること。 【解決手段】 非磁性基板１上に、少なくとも、中間層
６と、多層磁気記録層と、保護層１０及び液体潤滑剤層
１１を順次積層し、この多層磁気記録層を、グラニュラ
ー構造を有するＣｏＣｒ系合金膜の第１の磁気記録層７
と、非グラニュラー構造を有するＣｏＣｒ系合金膜の第
２の磁気記録層８と、希土類−遷移金属合金非晶質膜の
第３の磁気記録層９とを有する少なくとも３層の多層磁
気記録層とし、これらの磁気記録層の膜厚を最適化し
た。また、中間層６をＲｕあるいはＲｕ系合金膜とする
ことにより、第１の磁気記録層７の結晶配向を好適に制
御することができ、また、中間層６の下層にシード層５
を備えることにより、中間層６の結晶配向を制御するこ
とが可能となる。
有しかつ熱安定性に優れさらに生産性に優れた垂直磁気
記録媒体を提供すること。 【解決手段】 非磁性基板１上に、少なくとも、中間層
６と、多層磁気記録層と、保護層１０及び液体潤滑剤層
１１を順次積層し、この多層磁気記録層を、グラニュラ
ー構造を有するＣｏＣｒ系合金膜の第１の磁気記録層７
と、非グラニュラー構造を有するＣｏＣｒ系合金膜の第
２の磁気記録層８と、希土類−遷移金属合金非晶質膜の
第３の磁気記録層９とを有する少なくとも３層の多層磁
気記録層とし、これらの磁気記録層の膜厚を最適化し
た。また、中間層６をＲｕあるいはＲｕ系合金膜とする
ことにより、第１の磁気記録層７の結晶配向を好適に制
御することができ、また、中間層６の下層にシード層５
を備えることにより、中間層６の結晶配向を制御するこ
とが可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、垂直磁気記録媒体
に関し、より詳細には、高記録密度においても良好な電
磁変換特性を有しかつ熱安定性に優れさらに生産性に優
れた垂直磁気記録媒体に関する。
に関し、より詳細には、高記録密度においても良好な電
磁変換特性を有しかつ熱安定性に優れさらに生産性に優
れた垂直磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録の高密度化を実現する技術とし
て、従来の長手磁気記録方式に代えて、垂直磁気記録方
式が注目されつつある。垂直磁気記録媒体用の磁気記録
層用材料としては、現在では主として、六方最密充填構
造（ｈｃｐ構造）をもつＣｏＣｒ系合金結晶質膜が検討
されており、そのｃ軸が膜面に垂直（すなわちｃ面が膜
面に平行）になるように結晶配向を制御して垂直磁気記
録させている。また、磁気記録媒体の今後の更なる高密
度化に対応するために、このＣｏＣｒ系合金結晶質膜を
構成する結晶粒の微細化、粒径分布の低減、粒間の磁気
的な相互作用の低減等に対する取り組みがなされてい
る。
て、従来の長手磁気記録方式に代えて、垂直磁気記録方
式が注目されつつある。垂直磁気記録媒体用の磁気記録
層用材料としては、現在では主として、六方最密充填構
造（ｈｃｐ構造）をもつＣｏＣｒ系合金結晶質膜が検討
されており、そのｃ軸が膜面に垂直（すなわちｃ面が膜
面に平行）になるように結晶配向を制御して垂直磁気記
録させている。また、磁気記録媒体の今後の更なる高密
度化に対応するために、このＣｏＣｒ系合金結晶質膜を
構成する結晶粒の微細化、粒径分布の低減、粒間の磁気
的な相互作用の低減等に対する取り組みがなされてい
る。
【０００３】一方、長手磁気記録媒体の高密度化のため
の磁性層構造制御の一方式として、一般にグラニュラー
磁性層と呼ばれる、磁性結晶粒の周囲を酸化物や窒化物
のような非磁性非金属物質で囲んだ構造をもつ磁性層
が、例えば特開平８−２５５３４２号公報や米国特許
５，６７９，４７３号明細書で提案されている。このよ
うなグラニュラー磁性膜は、非磁性非金属の粒界相が磁
性粒子を物理的に分離するため、磁性粒子間の磁気的な
相互作用が低下し、記録ビットの遷移領域に生じるジグ
ザグ磁壁の形成を抑制するので、低ノイズ特性が得られ
ると考えられている。
の磁性層構造制御の一方式として、一般にグラニュラー
磁性層と呼ばれる、磁性結晶粒の周囲を酸化物や窒化物
のような非磁性非金属物質で囲んだ構造をもつ磁性層
が、例えば特開平８−２５５３４２号公報や米国特許
５，６７９，４７３号明細書で提案されている。このよ
うなグラニュラー磁性膜は、非磁性非金属の粒界相が磁
性粒子を物理的に分離するため、磁性粒子間の磁気的な
相互作用が低下し、記録ビットの遷移領域に生じるジグ
ザグ磁壁の形成を抑制するので、低ノイズ特性が得られ
ると考えられている。
【０００４】そして、これらの技術を組み合わせ、垂直
磁気記録媒体の記録層として、グラニュラー磁性層を用
いることが提案されている。例えば、ＩＥＥＥ Ｔｒａ
ｎｓ．，Ｍａｇ．，Ｖｏｌ．３６，２３９３（２００
０）には、Ｒｕを下地層とし、グラニュラー構造をもつ
ＣｏＰｔＣｒＯ合金を磁性層とした垂直磁気記録媒体が
記載されており、グラニュラー磁性層の下地層であるＲ
ｕ層の膜厚を増加させるにしたがってｃ軸配向性が向上
し、それに伴い、優れた磁気特性と電磁変換特性とが得
られている。
磁気記録媒体の記録層として、グラニュラー磁性層を用
いることが提案されている。例えば、ＩＥＥＥ Ｔｒａ
ｎｓ．，Ｍａｇ．，Ｖｏｌ．３６，２３９３（２００
０）には、Ｒｕを下地層とし、グラニュラー構造をもつ
ＣｏＰｔＣｒＯ合金を磁性層とした垂直磁気記録媒体が
記載されており、グラニュラー磁性層の下地層であるＲ
ｕ層の膜厚を増加させるにしたがってｃ軸配向性が向上
し、それに伴い、優れた磁気特性と電磁変換特性とが得
られている。
【０００５】さらに、垂直磁気記録媒体の磁気記録層用
材料としては、従来から光磁気ディスク等に用いられて
いる、例えばＴｂＦｅＣｏ合金などの希土類−３ｄ遷移
金属合金からなる非晶質膜も検討されている。
材料としては、従来から光磁気ディスク等に用いられて
いる、例えばＴｂＦｅＣｏ合金などの希土類−３ｄ遷移
金属合金からなる非晶質膜も検討されている。
【０００６】このようなグラニュラー垂直磁気記録媒体
においては、比較的良好な磁気特性と電磁変換特性とが
得られているものの、さらなる高記録密度化のために
は、結晶粒径を微細化し、かつ、粒界に析出される酸化
物の量を増やすことによって磁性粒子間の磁気的な相互
作用を極力低減してゆく必要がある。
においては、比較的良好な磁気特性と電磁変換特性とが
得られているものの、さらなる高記録密度化のために
は、結晶粒径を微細化し、かつ、粒界に析出される酸化
物の量を増やすことによって磁性粒子間の磁気的な相互
作用を極力低減してゆく必要がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、結晶粒
径の微細化と粒間相互作用の低減を進めると、記録され
た信号の熱安定性が急激に劣化し、場合によっては、記
録された信号が消失してしまうという、いわゆる「熱揺
らぎ」の問題が急浮上してくる。
径の微細化と粒間相互作用の低減を進めると、記録され
た信号の熱安定性が急激に劣化し、場合によっては、記
録された信号が消失してしまうという、いわゆる「熱揺
らぎ」の問題が急浮上してくる。
【０００８】一方、希土類−遷移金属合金非晶質膜は、
非常に高い垂直磁気異方性Ｋｕ値を有し、かつ、非晶質
であるために結晶粒界というものが存在せず、上述の熱
安定性は非常に高いという特長の反面、結晶粒界が存在
しないために書き込まれた信号をその場所に止めておく
ための核となるものが存在せず、信号がシフトしたり消
失したりしてしまうことがある。特に、この現象は高い
周波数での記録時に発生し易く、高記録密度化を目指す
垂直磁気記録用材料としては好ましくない。
非常に高い垂直磁気異方性Ｋｕ値を有し、かつ、非晶質
であるために結晶粒界というものが存在せず、上述の熱
安定性は非常に高いという特長の反面、結晶粒界が存在
しないために書き込まれた信号をその場所に止めておく
ための核となるものが存在せず、信号がシフトしたり消
失したりしてしまうことがある。特に、この現象は高い
周波数での記録時に発生し易く、高記録密度化を目指す
垂直磁気記録用材料としては好ましくない。
【０００９】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、高記録密度におい
ても良好な電磁変換特性を有し、かつ、熱安定性に優
れ、さらに生産性に優れた垂直磁気記録媒体を提供する
ことにある。
たもので、その目的とするところは、高記録密度におい
ても良好な電磁変換特性を有し、かつ、熱安定性に優
れ、さらに生産性に優れた垂直磁気記録媒体を提供する
ことにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、請求項１に記載の発明は、非磁性
基体上に、少なくとも、中間層と、磁気記録層と、保護
層と、液体潤滑剤層とが順次積層された垂直磁気記録媒
体であって、前記磁気記録層は、グラニュラー構造の合
金膜からなる第１の磁気記録層と、非グラニュラー構造
の合金膜からなる第２の磁気記録層と、希土類−遷移金
属合金非晶質膜からなる第３の磁気記録層の少なくとも
３層の磁気記録層を順次積層した多層磁気記録層である
ことを特徴とする。
的を達成するために、請求項１に記載の発明は、非磁性
基体上に、少なくとも、中間層と、磁気記録層と、保護
層と、液体潤滑剤層とが順次積層された垂直磁気記録媒
体であって、前記磁気記録層は、グラニュラー構造の合
金膜からなる第１の磁気記録層と、非グラニュラー構造
の合金膜からなる第２の磁気記録層と、希土類−遷移金
属合金非晶質膜からなる第３の磁気記録層の少なくとも
３層の磁気記録層を順次積層した多層磁気記録層である
ことを特徴とする。
【００１１】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の垂直磁気記録媒体において、前記第１および第
２の磁気記録層が、ＣｏＣｒ系合金膜からなることを特
徴とする。
に記載の垂直磁気記録媒体において、前記第１および第
２の磁気記録層が、ＣｏＣｒ系合金膜からなることを特
徴とする。
【００１２】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
又は２に記載の垂直磁気記録媒体において、前記第１の
磁気記録層の膜厚が１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下、前記第
２の磁気記録層の膜厚が１ｎｍ以上５ｎｍ以下、前記第
３の磁気記録層の膜厚が２ｎｍ以上１５ｎｍ以下である
ことを特徴とする。
又は２に記載の垂直磁気記録媒体において、前記第１の
磁気記録層の膜厚が１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下、前記第
２の磁気記録層の膜厚が１ｎｍ以上５ｎｍ以下、前記第
３の磁気記録層の膜厚が２ｎｍ以上１５ｎｍ以下である
ことを特徴とする。
【００１３】また、請求項４に記載の発明は、請求項１
乃至３のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体において、
前記中間層が、ＲｕまたはＲｕを含む合金からなること
を特徴とする。
乃至３のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体において、
前記中間層が、ＲｕまたはＲｕを含む合金からなること
を特徴とする。
【００１４】また、請求項５に記載の発明は、請求項１
乃至４のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体において、
前記非磁性基体と前記中間層との間に、シード層を備え
ることを特徴とする。
乃至４のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体において、
前記非磁性基体と前記中間層との間に、シード層を備え
ることを特徴とする。
【００１５】また、請求項６に記載の発明は、請求項５
に記載の垂直磁気記録媒体において、前記非磁性基体と
前記シード層との間に、軟磁性裏打ち層を備えることを
特徴とする。
に記載の垂直磁気記録媒体において、前記非磁性基体と
前記シード層との間に、軟磁性裏打ち層を備えることを
特徴とする。
【００１６】さらに、請求項７に記載の発明は、請求項
６記載の垂直磁気記録媒体において、前記非磁性基体と
前記軟磁性裏打ち層との間に、１層または複数層の下地
層と磁区制御層とを積層して備えることを特徴とする。
６記載の垂直磁気記録媒体において、前記非磁性基体と
前記軟磁性裏打ち層との間に、１層または複数層の下地
層と磁区制御層とを積層して備えることを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００１８】図１は、本発明の垂直磁気記録媒体の第1
の構成例を説明するための断面図で、この垂直磁気記録
媒体は、非磁性基体である非磁性基板１上に、中間層６
と、第１の磁気記録層７と、第２の磁気記録層８と、第
３の磁気記録層９と、保護層１０とが順次積層され、さ
らに、保護層１０の上に液体潤滑剤層１１が設けられて
いる。
の構成例を説明するための断面図で、この垂直磁気記録
媒体は、非磁性基体である非磁性基板１上に、中間層６
と、第１の磁気記録層７と、第２の磁気記録層８と、第
３の磁気記録層９と、保護層１０とが順次積層され、さ
らに、保護層１０の上に液体潤滑剤層１１が設けられて
いる。
【００１９】非磁性基板１としては、通常の磁気記録媒
体に用いられるＮｉＰメッキを施したＡｌ合金や強化ガ
ラス、あるいは、結晶化ガラス等を用いることができ
る。
体に用いられるＮｉＰメッキを施したＡｌ合金や強化ガ
ラス、あるいは、結晶化ガラス等を用いることができ
る。
【００２０】中間層６は、第１の磁気記録層７の結晶配
向性、結晶粒径、および、粒界偏析を好適に制御するた
めのもので、第１の磁気記録層７の結晶配向を好適に制
御するためには、その材料として、ｈｃｐの結晶構造を
有するＲｕまたはＲｕを含む合金であることが特に望ま
しい。また、中間層６の膜厚に特に制限はないが、記録
再生分解能と生産性の観点から、第１の磁気記録層７の
結晶構造制御のために必要最小限の膜厚とすることが望
ましい。
向性、結晶粒径、および、粒界偏析を好適に制御するた
めのもので、第１の磁気記録層７の結晶配向を好適に制
御するためには、その材料として、ｈｃｐの結晶構造を
有するＲｕまたはＲｕを含む合金であることが特に望ま
しい。また、中間層６の膜厚に特に制限はないが、記録
再生分解能と生産性の観点から、第１の磁気記録層７の
結晶構造制御のために必要最小限の膜厚とすることが望
ましい。
【００２１】第１の磁気記録層７は、強磁性を有する結
晶粒とそれを取り巻く非磁性粒界とからなり、かつ、そ
の非磁性粒界が、金属の酸化物または窒化物からなる、
いわゆるグラニュラー磁性層である。このような構造の
磁気記録層は、例えば、非磁性粒界を構成する酸化物を
含有する強磁性金属をターゲットとするスパッタリング
や、酸素を含有するＡｒガス雰囲気中での強磁性金属を
ターゲットとする反応性スパッタリングにより成膜可能
である。なお、この場合には、グラニュラー磁性層とし
て良好な特性を得るために、成膜時のガス圧を１０ｍＴ
ｏｒｒ以上にすることが望ましい。
晶粒とそれを取り巻く非磁性粒界とからなり、かつ、そ
の非磁性粒界が、金属の酸化物または窒化物からなる、
いわゆるグラニュラー磁性層である。このような構造の
磁気記録層は、例えば、非磁性粒界を構成する酸化物を
含有する強磁性金属をターゲットとするスパッタリング
や、酸素を含有するＡｒガス雰囲気中での強磁性金属を
ターゲットとする反応性スパッタリングにより成膜可能
である。なお、この場合には、グラニュラー磁性層とし
て良好な特性を得るために、成膜時のガス圧を１０ｍＴ
ｏｒｒ以上にすることが望ましい。
【００２２】第１の磁気記録層７の強磁性を有する結晶
粒を構成する材料としては、ＣｏＣｒ系合金が好適に用
いられ、特に、ＣｏＣｒ合金に、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｂ
のうちの少なくとも１つの元素を添加した合金とするこ
とが、優れた磁気特性と記録再生特性を得るためには望
ましい。また、第１の磁気記録層７の非磁性粒界を構成
する材料としては、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔ
ａ、Ｈｆ、Ｚｒのうちの少なくとも１つの元素の酸化物
を用いることが、安定なグラニュラー構造を形成するた
めには望ましい。
粒を構成する材料としては、ＣｏＣｒ系合金が好適に用
いられ、特に、ＣｏＣｒ合金に、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｂ
のうちの少なくとも１つの元素を添加した合金とするこ
とが、優れた磁気特性と記録再生特性を得るためには望
ましい。また、第１の磁気記録層７の非磁性粒界を構成
する材料としては、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔ
ａ、Ｈｆ、Ｚｒのうちの少なくとも１つの元素の酸化物
を用いることが、安定なグラニュラー構造を形成するた
めには望ましい。
【００２３】第１の磁気記録層７の膜厚は、１０ｎｍ以
上３０ｎｍ以下であることが望ましい。膜厚が１０ｎｍ
よりも薄い場合には磁気記録層としての特性が充分に得
られず、記録再生分解能を高めるためには３０ｎｍより
も薄くする必要があるためである。
上３０ｎｍ以下であることが望ましい。膜厚が１０ｎｍ
よりも薄い場合には磁気記録層としての特性が充分に得
られず、記録再生分解能を高めるためには３０ｎｍより
も薄くする必要があるためである。
【００２４】第２の磁気記録層８は、第３の磁気記録層
９に含有される希土類元素が、第１の磁気記録層７中に
含有されている酸素、窒素、あるいは酸化物、窒化物に
より酸化あるいは窒化されるのを防止するとともに、第
１の磁気記録層７と第３の磁気記録層９との間の磁気的
結合を制御するために設けられる。第２の磁気記録層８
は、第１の磁気記録層７で用いられているグラニュラー
磁性層と異なり、非磁性粒界に金属の酸化物や窒化物を
含まないＣｏＣｒ系合金結晶質膜であり、その材料例と
しては、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、Ｃｏ
ＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ等が挙げられるがこれら
に限定されるものではない。
９に含有される希土類元素が、第１の磁気記録層７中に
含有されている酸素、窒素、あるいは酸化物、窒化物に
より酸化あるいは窒化されるのを防止するとともに、第
１の磁気記録層７と第３の磁気記録層９との間の磁気的
結合を制御するために設けられる。第２の磁気記録層８
は、第１の磁気記録層７で用いられているグラニュラー
磁性層と異なり、非磁性粒界に金属の酸化物や窒化物を
含まないＣｏＣｒ系合金結晶質膜であり、その材料例と
しては、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、Ｃｏ
ＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ等が挙げられるがこれら
に限定されるものではない。
【００２５】また、第２の磁気記録層８の膜厚は、垂直
磁気記録媒体として良好な特性を得るためには、１ｎｍ
以上５ｎｍ以下であることが望ましい。膜厚が１ｎｍよ
りも薄い場合には希土類元素の酸化防止機能が充分に得
られず、また、５ｎｍよりも厚い場合には記録再生特性
を劣化させてしまう結果となるためである。
磁気記録媒体として良好な特性を得るためには、１ｎｍ
以上５ｎｍ以下であることが望ましい。膜厚が１ｎｍよ
りも薄い場合には希土類元素の酸化防止機能が充分に得
られず、また、５ｎｍよりも厚い場合には記録再生特性
を劣化させてしまう結果となるためである。
【００２６】第３の磁気記録層９は、第１の磁気記録層
７であるグラニュラー磁性層の熱安定性を向上させるた
めに用いられるもので、垂直磁気異方性の大きな、希土
類−遷移金属合金の非晶質膜である。この膜は、少なく
ともＴｂを含む希土類元素と、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なく
とも１種類の遷移金属を含むことが好ましく、その材料
例としては、ＴｂＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ、Ｔｂ
ＧｄＣｏ等が挙げられるがこれらに限定されるものでは
ない。
７であるグラニュラー磁性層の熱安定性を向上させるた
めに用いられるもので、垂直磁気異方性の大きな、希土
類−遷移金属合金の非晶質膜である。この膜は、少なく
ともＴｂを含む希土類元素と、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なく
とも１種類の遷移金属を含むことが好ましく、その材料
例としては、ＴｂＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ、Ｔｂ
ＧｄＣｏ等が挙げられるがこれらに限定されるものでは
ない。
【００２７】また、第３の磁気記録層９の膜厚は、２ｎ
ｍ以上１５ｎｍ以下であることが望ましい。膜厚が２ｎ
ｍよりも薄いとグラニュラー磁性層の熱安定性を向上さ
せるための充分な特性が得られず、１５ｎｍよりも厚い
と希土類−遷移金属合金非晶質膜としての特性が強くな
り過ぎ、特に、高記録密度での記録再生特性が劣化して
しまうためである。なお、第３の磁気記録層９を成膜す
る場合には、成膜時のガス圧を２０ｍＴｏｒｒ以上１０
０ｍＴｏｒｒとすることが好ましい。
ｍ以上１５ｎｍ以下であることが望ましい。膜厚が２ｎ
ｍよりも薄いとグラニュラー磁性層の熱安定性を向上さ
せるための充分な特性が得られず、１５ｎｍよりも厚い
と希土類−遷移金属合金非晶質膜としての特性が強くな
り過ぎ、特に、高記録密度での記録再生特性が劣化して
しまうためである。なお、第３の磁気記録層９を成膜す
る場合には、成膜時のガス圧を２０ｍＴｏｒｒ以上１０
０ｍＴｏｒｒとすることが好ましい。
【００２８】保護層１０は、従来から一般的に使用され
ている保護膜、例えば、カーボンを主体とする保護膜を
用いることができ、その膜厚等の条件は、通常の磁気記
録媒体で用いられる諸条件をそのまま用いることができ
る。
ている保護膜、例えば、カーボンを主体とする保護膜を
用いることができ、その膜厚等の条件は、通常の磁気記
録媒体で用いられる諸条件をそのまま用いることができ
る。
【００２９】液体潤滑剤層１１もまた、従来より一般的
に使用されている材料、例えば、パーフルオロポリエー
テル系の潤滑剤を用いることができ、その膜厚等の条件
は、通常の磁気記録媒体で用いられる諸条件をそのまま
用いることができる。
に使用されている材料、例えば、パーフルオロポリエー
テル系の潤滑剤を用いることができ、その膜厚等の条件
は、通常の磁気記録媒体で用いられる諸条件をそのまま
用いることができる。
【００３０】本発明の垂直磁気記録媒体では、少なくと
も３層の磁気記録層で多層磁気記録層を構成し、第１の
磁気記録層７をグラニュラー構造を有するＣｏＣｒ系合
金膜、第２の磁気記録層８を非グラニュラー構造を有す
るＣｏＣｒ系合金膜、第３の磁気記録層９を希土類−遷
移金属合金非晶質膜とし、これらの層の厚みを最適化す
ることとしているので、第３の磁気記録層９に含有され
る希土類元素の酸化あるいは窒化が防止されるととも
に、第１の磁気記録層７と第３の磁気記録層９との間の
磁気的結合が制御され、第１の磁気記録層７であるグラ
ニュラー磁性層の熱安定性が向上し、その結果、高記録
密度においても良好な電磁変換特性を示し、かつ、熱安
定性に非常に優れた垂直磁気記録媒体が得られる。
も３層の磁気記録層で多層磁気記録層を構成し、第１の
磁気記録層７をグラニュラー構造を有するＣｏＣｒ系合
金膜、第２の磁気記録層８を非グラニュラー構造を有す
るＣｏＣｒ系合金膜、第３の磁気記録層９を希土類−遷
移金属合金非晶質膜とし、これらの層の厚みを最適化す
ることとしているので、第３の磁気記録層９に含有され
る希土類元素の酸化あるいは窒化が防止されるととも
に、第１の磁気記録層７と第３の磁気記録層９との間の
磁気的結合が制御され、第１の磁気記録層７であるグラ
ニュラー磁性層の熱安定性が向上し、その結果、高記録
密度においても良好な電磁変換特性を示し、かつ、熱安
定性に非常に優れた垂直磁気記録媒体が得られる。
【００３１】少なくとも３層の磁気記録層で多層磁気記
録層を構成する本発明の垂直磁気記録媒体の構成は、図
１に示した構成に限定されるものではなく多くのバリエ
ーションが考えられる。
録層を構成する本発明の垂直磁気記録媒体の構成は、図
１に示した構成に限定されるものではなく多くのバリエ
ーションが考えられる。
【００３２】以下に、図２〜図４を用いて、本発明の垂
直磁気記録媒体の他の構成を例として示す。なお、理解
を容易にするために、これらの図においては、磁気記録
媒体を構成する各層について、図１で用いたのと同じ符
号を用いることとする。
直磁気記録媒体の他の構成を例として示す。なお、理解
を容易にするために、これらの図においては、磁気記録
媒体を構成する各層について、図１で用いたのと同じ符
号を用いることとする。
【００３３】図２は、本発明の垂直磁気記録媒体の第２
の構成例を説明するための断面図で、磁気記録媒体は非
磁性基板１上に、シード層５と、中間層６と、第１の磁
気記録層７と、第２の磁気記録層８と、第３の磁気記録
層９と、保護層１０とが順次積層され、さらに、保護層
１０の上に、液体潤滑剤層１１が設けられている。すな
わち、この垂直磁気記録媒体は、図１に示した構成にお
いて、非磁性基板１と中間層６との間にシード層５をさ
らに備える構成とされている。
の構成例を説明するための断面図で、磁気記録媒体は非
磁性基板１上に、シード層５と、中間層６と、第１の磁
気記録層７と、第２の磁気記録層８と、第３の磁気記録
層９と、保護層１０とが順次積層され、さらに、保護層
１０の上に、液体潤滑剤層１１が設けられている。すな
わち、この垂直磁気記録媒体は、図１に示した構成にお
いて、非磁性基板１と中間層６との間にシード層５をさ
らに備える構成とされている。
【００３４】シード層５は、中間層６の結晶配向性、結
晶粒径、および、粒界偏析を好適に制御するために用い
られるもので、その材料としては、面心立方（ｆｃｃ）
構造あるいは六方最密充填（ｈｃｐ）構造を有する単金
属膜あるいは合金膜が好ましい。特に、シード層５とし
てＮｉＦｅ系合金のような軟磁性材料を用いることとす
れば、２層垂直磁気記録媒体とした場合に、磁気記録ヘ
ッドと軟磁性裏打ち層との距離を広げることなく中間層
６の結晶構造制御が可能となるという利点がある。な
お、シード層５の膜厚に特に限定はないが、中間層６の
結晶構造制御のために必要最小限の膜厚とすることが好
ましい。
晶粒径、および、粒界偏析を好適に制御するために用い
られるもので、その材料としては、面心立方（ｆｃｃ）
構造あるいは六方最密充填（ｈｃｐ）構造を有する単金
属膜あるいは合金膜が好ましい。特に、シード層５とし
てＮｉＦｅ系合金のような軟磁性材料を用いることとす
れば、２層垂直磁気記録媒体とした場合に、磁気記録ヘ
ッドと軟磁性裏打ち層との距離を広げることなく中間層
６の結晶構造制御が可能となるという利点がある。な
お、シード層５の膜厚に特に限定はないが、中間層６の
結晶構造制御のために必要最小限の膜厚とすることが好
ましい。
【００３５】図３は、本発明の垂直磁気記録媒体の第３
の構成例を説明するための断面図で、この垂直磁気記録
媒体は、非磁性基板１上に、軟磁性裏打ち層４と、シー
ド層５と、中間層６と、第１の磁気記録層７と、第２の
磁気記録層８と、第３の磁気記録層９と、保護層１０と
が順次積層されており、さらに、保護層１０の上に液体
潤滑剤層１１が設けられている。すなわち、この垂直磁
気記録媒体は、図２に示した構成において、非磁性基板
１とシード層５との間に軟磁性裏打ち層４をさらに備え
る構成とされている。
の構成例を説明するための断面図で、この垂直磁気記録
媒体は、非磁性基板１上に、軟磁性裏打ち層４と、シー
ド層５と、中間層６と、第１の磁気記録層７と、第２の
磁気記録層８と、第３の磁気記録層９と、保護層１０と
が順次積層されており、さらに、保護層１０の上に液体
潤滑剤層１１が設けられている。すなわち、この垂直磁
気記録媒体は、図２に示した構成において、非磁性基板
１とシード層５との間に軟磁性裏打ち層４をさらに備え
る構成とされている。
【００３６】軟磁性裏打ち層４は、磁気ヘッドが発生す
る磁束を集中させ多層磁気記録層に急峻な磁場勾配を形
成するためのもので、この軟磁性裏打ち層４には、Ｎｉ
Ｆｅ系合金、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金等を用い
ることができるが、非晶質のＣｏ合金、例えば、ＣｏＮ
ｂＺｒ、ＣｏＴａＺｒなどを用いることにより良好な電
磁変換特性を得ることができる。また、軟磁性裏打ち層
４の膜厚の最適値は、磁気記録に使用する磁気ヘッドの
構造や特性に依存するが、生産性の観点からは、１０ｎ
ｍ以上３００ｎｍ以下であることが望ましい。
る磁束を集中させ多層磁気記録層に急峻な磁場勾配を形
成するためのもので、この軟磁性裏打ち層４には、Ｎｉ
Ｆｅ系合金、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金等を用い
ることができるが、非晶質のＣｏ合金、例えば、ＣｏＮ
ｂＺｒ、ＣｏＴａＺｒなどを用いることにより良好な電
磁変換特性を得ることができる。また、軟磁性裏打ち層
４の膜厚の最適値は、磁気記録に使用する磁気ヘッドの
構造や特性に依存するが、生産性の観点からは、１０ｎ
ｍ以上３００ｎｍ以下であることが望ましい。
【００３７】図４は、本発明の垂直磁気記録媒体の第４
の構成例を説明するための断面図で、この垂直磁気記録
媒体は、非磁性基板１上に、１層あるいは複数層の層を
含む下地層２と、磁区制御層３と、軟磁性裏打ち層４
と、シード層５と、中間層６と、第１の磁気記録層７
と、第２の磁気記録層８と、第３の磁気記録層９と、保
護層１０とが順次積層され、保護層１０の上に液体潤滑
剤層１１が設けられている。すなわち、この垂直磁気記
録媒体は、図３に示した構成において、非磁性基板１と
軟磁性裏打ち層４との間に、下地層２と磁区制御層３と
をさらに備える構成とされ、この磁区制御層３を備える
ことにより、軟磁性裏打ち層４の磁壁形成に起因するス
パイクノイズを抑制することが可能となる。
の構成例を説明するための断面図で、この垂直磁気記録
媒体は、非磁性基板１上に、１層あるいは複数層の層を
含む下地層２と、磁区制御層３と、軟磁性裏打ち層４
と、シード層５と、中間層６と、第１の磁気記録層７
と、第２の磁気記録層８と、第３の磁気記録層９と、保
護層１０とが順次積層され、保護層１０の上に液体潤滑
剤層１１が設けられている。すなわち、この垂直磁気記
録媒体は、図３に示した構成において、非磁性基板１と
軟磁性裏打ち層４との間に、下地層２と磁区制御層３と
をさらに備える構成とされ、この磁区制御層３を備える
ことにより、軟磁性裏打ち層４の磁壁形成に起因するス
パイクノイズを抑制することが可能となる。
【００３８】磁区制御層３としては、Ｍｎを含む合金系
からなる反強磁性膜、あるいは、非磁性基板１の半径方
向に磁化を配向させた硬質磁性膜を用いることができ、
磁区制御層３の膜厚としては５〜３００ｎｍ程度である
ことが好ましい。
からなる反強磁性膜、あるいは、非磁性基板１の半径方
向に磁化を配向させた硬質磁性膜を用いることができ、
磁区制御層３の膜厚としては５〜３００ｎｍ程度である
ことが好ましい。
【００３９】下地層２としては、磁区制御層３としてＭ
ｎ合金系の反強磁性膜を用いる場合には、ｆｃｃ構造を
有する非磁性単金属あるいは非磁性合金等を用いること
が望ましい。この場合、非磁性基体１と下地層２との間
に、下地層２の微細構造を制御するために図示しない下
地層を更に設けてもよい。
ｎ合金系の反強磁性膜を用いる場合には、ｆｃｃ構造を
有する非磁性単金属あるいは非磁性合金等を用いること
が望ましい。この場合、非磁性基体１と下地層２との間
に、下地層２の微細構造を制御するために図示しない下
地層を更に設けてもよい。
【００４０】また、磁区制御層３として硬質磁性膜を用
いた場合には、下地層２としてＣｒ合金等を用いること
ができる。この場合にも、下地層２の微細構造を制御す
るために、非磁性基体１と下地層２との間に１層又は複
数層の図示しない下地層をさらに設けてもよい。
いた場合には、下地層２としてＣｒ合金等を用いること
ができる。この場合にも、下地層２の微細構造を制御す
るために、非磁性基体１と下地層２との間に１層又は複
数層の図示しない下地層をさらに設けてもよい。
【００４１】以下に、本発明の実施例を説明するが、以
下の実施例は、本発明を好適に説明するための例に過ぎ
ず、本発明をなんら限定するものではない。
下の実施例は、本発明を好適に説明するための例に過ぎ
ず、本発明をなんら限定するものではない。
【００４２】[実施例１]図３に示した垂直磁気記録媒体
の構成において、非磁性基板１として、表面が平滑な化
学強化ガラス基板（例えば、ＨＯＹＡ社製Ｎ‐５ガラス
基板）を用い、これを洗浄後、スパッタ装置内に導入
し、先ずＣｏＺｒＮｂターゲットを用いて軟磁性裏打ち
層４を２００ｎｍ成膜し、次にＮｉＦｅＮｂターゲット
を用いてシード層５を１０ｎｍ成膜後、さらに、Ｒｕタ
ーゲットを用いて中間層６を３０ｎｍ成膜した。
の構成において、非磁性基板１として、表面が平滑な化
学強化ガラス基板（例えば、ＨＯＹＡ社製Ｎ‐５ガラス
基板）を用い、これを洗浄後、スパッタ装置内に導入
し、先ずＣｏＺｒＮｂターゲットを用いて軟磁性裏打ち
層４を２００ｎｍ成膜し、次にＮｉＦｅＮｂターゲット
を用いてシード層５を１０ｎｍ成膜後、さらに、Ｒｕタ
ーゲットを用いて中間層６を３０ｎｍ成膜した。
【００４３】この中間層６の上に、ＣｏＣｒＰｔ−Ｓｉ
Ｏ２ターゲットを用いて第１の磁気記録層７、ＣｏＣｒ
Ｐｔターゲットを用いて第２の磁気記録層８、ＴｂＣｏ
ターゲットを用いて第３の磁気記録層９を連続してＲＦ
スパッタ法により成膜し、さらに、カーボンからなる保
護層５ｎｍを成膜後、真空装置から取り出した。
Ｏ２ターゲットを用いて第１の磁気記録層７、ＣｏＣｒ
Ｐｔターゲットを用いて第２の磁気記録層８、ＴｂＣｏ
ターゲットを用いて第３の磁気記録層９を連続してＲＦ
スパッタ法により成膜し、さらに、カーボンからなる保
護層５ｎｍを成膜後、真空装置から取り出した。
【００４４】その後、パーフルオロポリエーテルからな
る液体潤滑剤層２ｎｍをディップ法により形成して垂直
磁気記録媒体とした。
る液体潤滑剤層２ｎｍをディップ法により形成して垂直
磁気記録媒体とした。
【００４５】本実施例においては、第１の磁気記録層７
の膜厚を５ｎｍ〜４５ｎｍまで変化させ、第２の磁気記
録層８の膜厚を１ｎｍ〜８ｎｍまで変化させ、さらに、
第３の磁気記録層９の膜厚を１ｎｍ〜２０ｎｍまで変化
させて垂直磁気記録媒体を作製した。なお、第１の磁気
記録層７は２０ｍＴｏｒｒ、第３の磁気記録層９は３０
ｍＴｏｒｒ、それ以外の層は全て５ｍＴｏｒｒの条件下
にて成膜を行なった。
の膜厚を５ｎｍ〜４５ｎｍまで変化させ、第２の磁気記
録層８の膜厚を１ｎｍ〜８ｎｍまで変化させ、さらに、
第３の磁気記録層９の膜厚を１ｎｍ〜２０ｎｍまで変化
させて垂直磁気記録媒体を作製した。なお、第１の磁気
記録層７は２０ｍＴｏｒｒ、第３の磁気記録層９は３０
ｍＴｏｒｒ、それ以外の層は全て５ｍＴｏｒｒの条件下
にて成膜を行なった。
【００４６】[比較例１]実施例１において、第２の磁気
記録層８および第３の磁気記録層９の成膜を行なわず、
第１の磁気記録層７のみの単層磁気記録層としたこと以
外は、実施例１に示したのと同様の条件で垂直磁気記録
媒体を作製した。なお、この垂直磁気記録媒体の第１の
磁気記録層７の膜厚は１５ｎｍとした。
記録層８および第３の磁気記録層９の成膜を行なわず、
第１の磁気記録層７のみの単層磁気記録層としたこと以
外は、実施例１に示したのと同様の条件で垂直磁気記録
媒体を作製した。なお、この垂直磁気記録媒体の第１の
磁気記録層７の膜厚は１５ｎｍとした。
【００４７】[比較例２]実施例１において、第２の磁気
記録層８を成膜せず、第１の磁気記録層７と第３の磁気
記録層９からなる２層磁気記録層としたこと以外は、実
施例１に示したのと同様の条件で垂直磁気記録媒体を作
製した。なお、この垂直磁気記録媒体の第１の磁気記録
層７の膜厚は１５ｎｍ、第３の磁気記録層９の膜厚は５
ｎｍとした。
記録層８を成膜せず、第１の磁気記録層７と第３の磁気
記録層９からなる２層磁気記録層としたこと以外は、実
施例１に示したのと同様の条件で垂直磁気記録媒体を作
製した。なお、この垂直磁気記録媒体の第１の磁気記録
層７の膜厚は１５ｎｍ、第３の磁気記録層９の膜厚は５
ｎｍとした。
【００４８】多層磁気記録層の各層の膜厚を変化させて
作製した実施例１の垂直磁気記録媒体（サンプル番号
〜○12）、および、比較例１と比較例２の垂直磁気記録
媒体について、線記録密度４００ｋＦＣＩにおけるＳＮ
Ｒ（電磁変換特性での信号とノイズの比）と熱安定性を
表１にまとめた。
作製した実施例１の垂直磁気記録媒体（サンプル番号
〜○12）、および、比較例１と比較例２の垂直磁気記録
媒体について、線記録密度４００ｋＦＣＩにおけるＳＮ
Ｒ（電磁変換特性での信号とノイズの比）と熱安定性を
表１にまとめた。
【００４９】
【表１】
【００５０】これらの垂直磁気記録媒体の電磁変換特性
は、スピンスタンドテスターを用い、ＧＭＲ素子を有す
る単磁極ヘッドにより測定を行なった。また、熱安定性
の評価は、信号書込みを１回行なった後、再生波形の読
込みを１０００秒間連続して行ない、信号書込み直後の
出力値に対する出力の変動分から算出した。
は、スピンスタンドテスターを用い、ＧＭＲ素子を有す
る単磁極ヘッドにより測定を行なった。また、熱安定性
の評価は、信号書込みを１回行なった後、再生波形の読
込みを１０００秒間連続して行ない、信号書込み直後の
出力値に対する出力の変動分から算出した。
【００５１】比較例１に示した、第１の磁気記録層のみ
の単層磁気記録層構成の垂直磁気記録媒体は、ＳＮＲは
１０．２ｄＢの良好な特性を示すが、熱安定性は２．１
％／ｄｅｃａｄｅであり熱減磁を生じている。
の単層磁気記録層構成の垂直磁気記録媒体は、ＳＮＲは
１０．２ｄＢの良好な特性を示すが、熱安定性は２．１
％／ｄｅｃａｄｅであり熱減磁を生じている。
【００５２】また、比較例２に示した、第１の磁気記録
層と第３の磁気記録層からなる２層磁気記録層構成の垂
直磁気記録媒体は、第１の磁気記録層と第３の磁気記録
層との界面付近において、第３の磁気記録層に含まれて
いる希土類元素が酸化されてしまうため、希土類−遷移
金属合金非晶質膜としての本来の特性が得られず熱安定
性の向上が認められず、更に、ＳＮＲも比較例１の磁気
記録媒体に比較して劣っている。
層と第３の磁気記録層からなる２層磁気記録層構成の垂
直磁気記録媒体は、第１の磁気記録層と第３の磁気記録
層との界面付近において、第３の磁気記録層に含まれて
いる希土類元素が酸化されてしまうため、希土類−遷移
金属合金非晶質膜としての本来の特性が得られず熱安定
性の向上が認められず、更に、ＳＮＲも比較例１の磁気
記録媒体に比較して劣っている。
【００５３】これに対し、第１〜第３の磁気記録層から
なる３層の多層磁気記録層を有する垂直磁気記録媒体で
は、ＳＮＲ、熱安定性共に良好であり、特に、熱安定性
に関しては大幅な改善効果が見られ、熱減磁は殆ど観測
されない。
なる３層の多層磁気記録層を有する垂直磁気記録媒体で
は、ＳＮＲ、熱安定性共に良好であり、特に、熱安定性
に関しては大幅な改善効果が見られ、熱減磁は殆ど観測
されない。
【００５４】１０ｄＢ以上のＳＮＲと１．０％／ｄｅｃ
ａｄｅ以下の熱安定性を基準とし、ＳＮＲと熱安定性と
が両立する磁気記録層の膜厚範囲は、第１の磁気記録層
は１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下、第２の磁気記録層は１ｎ
ｍ以上５ｎｍ以下、第３の磁気記録層は２ｎｍ以上１５
ｎｍ以下である。
ａｄｅ以下の熱安定性を基準とし、ＳＮＲと熱安定性と
が両立する磁気記録層の膜厚範囲は、第１の磁気記録層
は１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下、第２の磁気記録層は１ｎ
ｍ以上５ｎｍ以下、第３の磁気記録層は２ｎｍ以上１５
ｎｍ以下である。
【００５５】[実施例２]図２に示した垂直磁気記録媒体
の構成において、非磁性基板１として、表面が平滑な化
学強化ガラス基板（例えばＨＯＹＡ社製Ｎ−５ガラス基
板）を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、Ｎ
ｉＦｅＣｒターゲットを用いてシード層５を１０ｎｍ、
ＲｕあるいはＲｕ系合金ターゲットを用いて中間層６を
３０ｎｍ成膜した後、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２ターゲッ
トを用い第１の磁気記録層７を１５ｎｍ、ＣｏＣｒＰｔ
ターゲットを用い第２の磁気記録層８を３ｎｍ、ＴｂＣ
ｏターゲットを用い第３の磁気記録層９を５ｎｍ、ＲＦ
スパッタ法により連続して成膜を行ない、さらに、カー
ボンからなる保護層５ｎｍを成膜後、真空装置から取り
出した。
の構成において、非磁性基板１として、表面が平滑な化
学強化ガラス基板（例えばＨＯＹＡ社製Ｎ−５ガラス基
板）を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、Ｎ
ｉＦｅＣｒターゲットを用いてシード層５を１０ｎｍ、
ＲｕあるいはＲｕ系合金ターゲットを用いて中間層６を
３０ｎｍ成膜した後、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２ターゲッ
トを用い第１の磁気記録層７を１５ｎｍ、ＣｏＣｒＰｔ
ターゲットを用い第２の磁気記録層８を３ｎｍ、ＴｂＣ
ｏターゲットを用い第３の磁気記録層９を５ｎｍ、ＲＦ
スパッタ法により連続して成膜を行ない、さらに、カー
ボンからなる保護層５ｎｍを成膜後、真空装置から取り
出した。
【００５６】その後、パーフルオロポリエーテルからな
る液体潤滑剤層２ｎｍをディップ法により形成して垂直
磁気記録媒体とした。なお、第１の磁気記録層７は２０
ｍＴｏｒｒ、第３の磁気記録層９は３０ｍＴｏｒｒ、そ
れ以外の層は全て５ｍＴｏｒｒの条件下にて成膜を行な
った。
る液体潤滑剤層２ｎｍをディップ法により形成して垂直
磁気記録媒体とした。なお、第１の磁気記録層７は２０
ｍＴｏｒｒ、第３の磁気記録層９は３０ｍＴｏｒｒ、そ
れ以外の層は全て５ｍＴｏｒｒの条件下にて成膜を行な
った。
【００５７】[比較例３]実施例２に示した垂直磁気記録
媒体の構成において、シード層５を成膜せずに、非磁性
基板１上に直接Ｒｕの中間層６を成膜した以外は、実施
例２に示したのと同様の条件で垂直磁気記録媒体を作製
した。
媒体の構成において、シード層５を成膜せずに、非磁性
基板１上に直接Ｒｕの中間層６を成膜した以外は、実施
例２に示したのと同様の条件で垂直磁気記録媒体を作製
した。
【００５８】シード層を備える実施例２の垂直磁気記録
媒体（サンプル番号）およびシード層を備えない比較
例３の垂直磁気記録媒体の各々に対する、保磁力（Ｈ
ｃ）ならびにロッキングカーブの半値幅（Δθ５０）の
値を表２にまとめた。
媒体（サンプル番号）およびシード層を備えない比較
例３の垂直磁気記録媒体の各々に対する、保磁力（Ｈ
ｃ）ならびにロッキングカーブの半値幅（Δθ５０）の
値を表２にまとめた。
【００５９】なお、保磁力Ｈｃは、磁化曲線を振動試料
型磁力計にて測定し算出した。また、ＣｏＣｒ系結晶粒
の配向性は、Ｘ線回折法によりｈｃｐ（００２）面から
の回折線のロッキングカーブの半値幅Δθ５０により評
価した。
型磁力計にて測定し算出した。また、ＣｏＣｒ系結晶粒
の配向性は、Ｘ線回折法によりｈｃｐ（００２）面から
の回折線のロッキングカーブの半値幅Δθ５０により評
価した。
【００６０】
【表２】
【００６１】シード層を備えない比較例３に示した層構
成の垂直磁気記録媒体においては、Ｈｃは、３１７０Ｏ
ｅ、Δθ５０は６．４度であるが、シード層を備える層
構成の垂直磁気記録媒体では、Ｈｃが４５３０Ｏｅ、Δ
θ５０が５．０度となり、シード層がない場合に比較し
て特性が向上することが分かる。
成の垂直磁気記録媒体においては、Ｈｃは、３１７０Ｏ
ｅ、Δθ５０は６．４度であるが、シード層を備える層
構成の垂直磁気記録媒体では、Ｈｃが４５３０Ｏｅ、Δ
θ５０が５．０度となり、シード層がない場合に比較し
て特性が向上することが分かる。
【００６２】[比較例４]実施例２に示した垂直磁気記録
媒体の構成において、中間層６を成膜しなかった以外
は、実施例２に示したのと同様の条件で垂直磁気記録媒
体を作製した。
媒体の構成において、中間層６を成膜しなかった以外
は、実施例２に示したのと同様の条件で垂直磁気記録媒
体を作製した。
【００６３】表３は、実施例２に示した、中間層がＲｕ
あるいはＲｕＷで構成されている垂直磁気記録媒体（サ
ンプル番号、）、および、比較例４の垂直磁気記録
媒体の各々の保磁力（Ｈｃ）ならびにロッキングカーブ
の半値幅（Δθ５０）の値をまとめたものである。
あるいはＲｕＷで構成されている垂直磁気記録媒体（サ
ンプル番号、）、および、比較例４の垂直磁気記録
媒体の各々の保磁力（Ｈｃ）ならびにロッキングカーブ
の半値幅（Δθ５０）の値をまとめたものである。
【００６４】
【表３】
【００６５】ＲｕあるいはＲｕＷの中間層を備える垂直
磁気記録媒体では、Ｈｃは４５３０Ｏｅあるいは４３６
０Ｏｅという高い値が得られている。さらに、Δθ５０
も５．０度あるいは４．９度という比較的小さい値とな
っている。
磁気記録媒体では、Ｈｃは４５３０Ｏｅあるいは４３６
０Ｏｅという高い値が得られている。さらに、Δθ５０
も５．０度あるいは４．９度という比較的小さい値とな
っている。
【００６６】これに対して、中間層を備えない構成の垂
直磁気記録媒体では、Δθ５０が２２．６度というかな
り大きな値となっており、磁気記録層内の結晶配向性が
低いことが分かる。そのため、Ｈｃも２４１０ＯｅとＲ
ｕの場合と比較してかなり低い値となってしまってい
る。
直磁気記録媒体では、Δθ５０が２２．６度というかな
り大きな値となっており、磁気記録層内の結晶配向性が
低いことが分かる。そのため、Ｈｃも２４１０ＯｅとＲ
ｕの場合と比較してかなり低い値となってしまってい
る。
【００６７】[実施例３]図４に示した垂直磁気記録媒体
の構成において、下地層２を第１の下地層と第２の下地
層からなる２層の下地層構成とする垂直磁気記録媒体を
作製した。具体的には、非磁性基板１として表面が平滑
な化学強化ガラス基板（例えばＨＯＹＡ社製Ｎ−５ガラ
ス基板）を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入
し、軟磁性裏打ち層４を成膜する前に、第１の下地層と
してＴａ膜を５ｎｍ、第２の下地層としてＮｉＦｅＣｒ
を５ｎｍ、磁区制御層３としてＩｒＭｎを１０ｎｍ成膜
した。これらの層以外は、実施例１と同様の条件で垂直
磁気記録媒体を作製した。なお、この垂直磁気記録媒体
において、第１の磁気記録層７の膜厚は１５ｎｍ、第２
の磁気記録層８の膜厚は３ｎｍ、第３の磁気記録層９の
膜厚は５ｎｍとした。
の構成において、下地層２を第１の下地層と第２の下地
層からなる２層の下地層構成とする垂直磁気記録媒体を
作製した。具体的には、非磁性基板１として表面が平滑
な化学強化ガラス基板（例えばＨＯＹＡ社製Ｎ−５ガラ
ス基板）を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入
し、軟磁性裏打ち層４を成膜する前に、第１の下地層と
してＴａ膜を５ｎｍ、第２の下地層としてＮｉＦｅＣｒ
を５ｎｍ、磁区制御層３としてＩｒＭｎを１０ｎｍ成膜
した。これらの層以外は、実施例１と同様の条件で垂直
磁気記録媒体を作製した。なお、この垂直磁気記録媒体
において、第１の磁気記録層７の膜厚は１５ｎｍ、第２
の磁気記録層８の膜厚は３ｎｍ、第３の磁気記録層９の
膜厚は５ｎｍとした。
【００６８】図５は、このようにして作製した垂直磁気
記録媒体をスピンスタンドテスターにより評価した１周
分の出力波形である。また、比較のため、下地層と磁区
制御層とを備えない構成の実施例１に示した垂直磁気記
録媒体の出力波形も図中に示した。下地層と磁区制御層
とを備えない場合には、全周に渡り不均一にスパイクノ
イズが発生しているのに対し、下地層と磁区制御層とを
備えることによりスパイクノイズは全く発生していない
ことが分かる。これは、下地層２と磁区制御層３の存在
により、軟磁性裏打ち層４に磁壁が形成されないためで
ある。
記録媒体をスピンスタンドテスターにより評価した１周
分の出力波形である。また、比較のため、下地層と磁区
制御層とを備えない構成の実施例１に示した垂直磁気記
録媒体の出力波形も図中に示した。下地層と磁区制御層
とを備えない場合には、全周に渡り不均一にスパイクノ
イズが発生しているのに対し、下地層と磁区制御層とを
備えることによりスパイクノイズは全く発生していない
ことが分かる。これは、下地層２と磁区制御層３の存在
により、軟磁性裏打ち層４に磁壁が形成されないためで
ある。
【００６９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、非
磁性基板上に、少なくとも、中間層と、多層磁気記録層
と、保護層及び液体潤滑剤層を順次積層し、この多層磁
気記録層を、グラニュラー構造を有するＣｏＣｒ系合金
膜の第１の磁気記録層と、非グラニュラー構造を有する
ＣｏＣｒ系合金膜の第２の磁気記録層と、希土類−遷移
金属合金非晶質膜の第３の磁気記録層とを有する少なく
とも３層の多層磁気記録層とし、これらの磁気記録層の
膜厚を最適化したので、高記録密度においても良好な電
磁変換特性を示し、かつ、熱安定性に非常に優れた垂直
磁気記録媒体を提供することが可能となる。
磁性基板上に、少なくとも、中間層と、多層磁気記録層
と、保護層及び液体潤滑剤層を順次積層し、この多層磁
気記録層を、グラニュラー構造を有するＣｏＣｒ系合金
膜の第１の磁気記録層と、非グラニュラー構造を有する
ＣｏＣｒ系合金膜の第２の磁気記録層と、希土類−遷移
金属合金非晶質膜の第３の磁気記録層とを有する少なく
とも３層の多層磁気記録層とし、これらの磁気記録層の
膜厚を最適化したので、高記録密度においても良好な電
磁変換特性を示し、かつ、熱安定性に非常に優れた垂直
磁気記録媒体を提供することが可能となる。
【００７０】ここで、中間層をＲｕあるいはＲｕ系合金
膜とすることにより、第１の磁気記録層の結晶配向を好
適に制御することができ、また、中間層の下層にシード
層を備えることにより、中間層の結晶配向を制御するこ
とが可能となる。
膜とすることにより、第１の磁気記録層の結晶配向を好
適に制御することができ、また、中間層の下層にシード
層を備えることにより、中間層の結晶配向を制御するこ
とが可能となる。
【００７１】また、非磁性基板とシード層との間に軟磁
性裏打ち層をさらに備えることにより、磁気ヘッドが発
生する磁束を集中させることができ、多層磁気記録層に
急峻な磁場勾配を形成することができる。これにより、
更に記録再生特性を良好なものとすることが可能であ
る。
性裏打ち層をさらに備えることにより、磁気ヘッドが発
生する磁束を集中させることができ、多層磁気記録層に
急峻な磁場勾配を形成することができる。これにより、
更に記録再生特性を良好なものとすることが可能であ
る。
【００７２】また、非磁性基板と軟磁性裏打ち層の間
に、１層あるいは複数層の下地層、および、磁区制御層
をさらに備えることにより、軟磁性裏打ち層の磁壁形成
に起因するスパイクノイズを完全に抑制することが可能
となる。
に、１層あるいは複数層の下地層、および、磁区制御層
をさらに備えることにより、軟磁性裏打ち層の磁壁形成
に起因するスパイクノイズを完全に抑制することが可能
となる。
【００７３】さらに、本発明の垂直磁気記録媒体は、既
存の製造装置を用いて製造可能であるため、生産性に優
れる大容量垂直磁気記録媒体を提供することが可能であ
る。
存の製造装置を用いて製造可能であるため、生産性に優
れる大容量垂直磁気記録媒体を提供することが可能であ
る。
【図１】本発明の垂直磁気記録媒体の第1の構成例を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図２】本発明の垂直磁気記録媒体の第２の構成例を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図３】本発明の垂直磁気記録媒体の第３の構成例を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図４】本発明の垂直磁気記録媒体の第４の構成例を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図５】本発明の垂直磁気記録媒体をスピンスタンドテ
スターにより評価した１周分の出力波形である。
スターにより評価した１周分の出力波形である。
１ 非磁性基板
２ 下地層
３ 磁区制御層
４ 軟磁性裏打ち層
５ シード層
６ 中間層
７ 第１の磁気記録層
８ 第２の磁気記録層
９ 第３の磁気記録層
１０ 保護層
１１ 液体潤滑剤層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｆ 10/16 Ｈ０１Ｆ 10/16
Ｆターム(参考） 5D006 BB01 BB02 BB07 BB08 CA01
CA03 CA05 CA06 DA03 DA08
EA03 FA09
5E049 AA04 AC05 BA08 DB12
Claims (7)
- 【請求項１】 非磁性基体上に、少なくとも、中間層
と、磁気記録層と、保護層と、液体潤滑剤層とが順次積
層された垂直磁気記録媒体であって、 前記磁気記録層は、グラニュラー構造の合金膜からなる
第１の磁気記録層と、非グラニュラー構造の合金膜から
なる第２の磁気記録層と、希土類−遷移金属合金非晶質
膜からなる第３の磁気記録層の少なくとも３層の磁気記
録層を順次積層した多層磁気記録層であることを特徴と
する垂直磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記第１および第２の磁気記録層が、Ｃ
ｏＣｒ系合金膜からなることを特徴とする請求項１に記
載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記第１の磁気記録層の膜厚が１０ｎｍ
以上３０ｎｍ以下、前記第２の磁気記録層の膜厚が１ｎ
ｍ以上５ｎｍ以下、前記第３の磁気記録層の膜厚が２ｎ
ｍ以上１５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１又
は２に記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記中間層が、ＲｕまたはＲｕを含む合
金からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか
に記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項５】 前記非磁性基体と前記中間層との間に、
シード層を備えることを特徴とする請求項１乃至４のい
ずれかに記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項６】 前記非磁性基体と前記シード層との間
に、軟磁性裏打ち層を備えることを特徴とする請求項５
に記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項７】 前記非磁性基体と前記軟磁性裏打ち層と
の間に、１層または複数層の下地層と磁区制御層とを積
層して備えることを特徴とする請求項６記載の垂直磁気
記録媒体。
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|---|---|---|---|
| JP2002113638A JP3900999B2 (ja) | 2002-04-16 | 2002-04-16 | 垂直磁気記録媒体 |
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| JP2002113638A JP3900999B2 (ja) | 2002-04-16 | 2002-04-16 | 垂直磁気記録媒体 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003317221A true JP2003317221A (ja) | 2003-11-07 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006155865A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-06-15 | Ken Takahashi | 垂直磁気記録媒体および垂直磁気記録再生装置 |
| JP2007257740A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気記憶装置 |
| US7311983B2 (en) | 2004-01-08 | 2007-12-25 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and a method for manufacturing the same |
| KR100790281B1 (ko) * | 2005-03-30 | 2008-01-02 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 수직 자기 기록 매체, 그 제조 방법 및 자기 기억 장치 |
| KR100819410B1 (ko) * | 2004-05-13 | 2008-04-07 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 수직 자기 기록 매체 및 그 제조 방법, 자기 기억 장치 |
| JP2008103048A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Toshiba Corp | 垂直磁気記録媒体及び垂直磁気記録再生装置 |
| JP2009087446A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法、並びに磁気記録装置 |
| US7732070B2 (en) | 2006-03-31 | 2010-06-08 | Showa Denko K.K. | Perpendicular magnetic recording medium, method of manufacturing the same, and magnetic storage unit |
| US7833640B2 (en) | 2005-08-19 | 2010-11-16 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Intermediate tri-layer structure for perpendicular recording media |
| US8000060B2 (en) | 2007-01-18 | 2011-08-16 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording medium and system having a magnetic recording layer with a perpendicular recording layer, a magnetic coupling layer, and a writing assist layer |
| US8202636B2 (en) | 2008-12-23 | 2012-06-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic recording capping layer with multiple layers for controlling anisotropy for perpendicular recording media |
| US20120299134A1 (en) * | 2011-05-10 | 2012-11-29 | Magic Technologies, Inc. | Co/Ni Multilayers with Improved Out-of-Plane Anisotropy for Magnetic Device Applications |
| US20140002919A1 (en) * | 2012-06-28 | 2014-01-02 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
-
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- 2002-04-16 JP JP2002113638A patent/JP3900999B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7311983B2 (en) | 2004-01-08 | 2007-12-25 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and a method for manufacturing the same |
| US7767322B2 (en) | 2004-05-13 | 2010-08-03 | Showa Denko K.K. | Perpendicular magnetic recording medium, method of producing the same, and magnetic storage device |
| KR100819410B1 (ko) * | 2004-05-13 | 2008-04-07 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 수직 자기 기록 매체 및 그 제조 방법, 자기 기억 장치 |
| JP2006155865A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-06-15 | Ken Takahashi | 垂直磁気記録媒体および垂直磁気記録再生装置 |
| KR100790281B1 (ko) * | 2005-03-30 | 2008-01-02 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 수직 자기 기록 매체, 그 제조 방법 및 자기 기억 장치 |
| US7833640B2 (en) | 2005-08-19 | 2010-11-16 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Intermediate tri-layer structure for perpendicular recording media |
| US8709618B2 (en) | 2006-03-23 | 2014-04-29 | HGST Netherlands B.V. | Magnetic storage apparatus |
| JP2007257740A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気記憶装置 |
| US7732070B2 (en) | 2006-03-31 | 2010-06-08 | Showa Denko K.K. | Perpendicular magnetic recording medium, method of manufacturing the same, and magnetic storage unit |
| JP2008103048A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Toshiba Corp | 垂直磁気記録媒体及び垂直磁気記録再生装置 |
| US8000060B2 (en) | 2007-01-18 | 2011-08-16 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording medium and system having a magnetic recording layer with a perpendicular recording layer, a magnetic coupling layer, and a writing assist layer |
| JP2009087446A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法、並びに磁気記録装置 |
| US8202636B2 (en) | 2008-12-23 | 2012-06-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic recording capping layer with multiple layers for controlling anisotropy for perpendicular recording media |
| US20120299134A1 (en) * | 2011-05-10 | 2012-11-29 | Magic Technologies, Inc. | Co/Ni Multilayers with Improved Out-of-Plane Anisotropy for Magnetic Device Applications |
| US8508006B2 (en) * | 2011-05-10 | 2013-08-13 | Magic Technologies, Inc. | Co/Ni multilayers with improved out-of-plane anisotropy for magnetic device applications |
| US20140002919A1 (en) * | 2012-06-28 | 2014-01-02 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US8830630B2 (en) * | 2012-06-28 | 2014-09-09 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
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