JPH1092638A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH1092638A JPH1092638A JP25598696A JP25598696A JPH1092638A JP H1092638 A JPH1092638 A JP H1092638A JP 25598696 A JP25598696 A JP 25598696A JP 25598696 A JP25598696 A JP 25598696A JP H1092638 A JPH1092638 A JP H1092638A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気ドラム、磁気テープ、磁気ディスク等の
磁気記録媒体に関し、特に記録再生時の媒体ノイズを低
減させた磁気記録媒体及びその製造方法を提案する。 【解決手段】 非磁性基板１、非磁性下地膜２、磁性膜
３及び保護膜４を基本構成とする磁気記録媒体であっ
て、前記非磁性下地膜２は、Ｔａ，Ａｇ，Ａｌから選ば
れる元素で構成される第１下地膜２１の上に、Ｃｒの
み、又はＣｒ合金で構成される第２下地膜２２を積層し
たものであり、前記磁性膜３は、Ｃｏを主成分とする合
金で構成される膜である。
磁気記録媒体に関し、特に記録再生時の媒体ノイズを低
減させた磁気記録媒体及びその製造方法を提案する。 【解決手段】 非磁性基板１、非磁性下地膜２、磁性膜
３及び保護膜４を基本構成とする磁気記録媒体であっ
て、前記非磁性下地膜２は、Ｔａ，Ａｇ，Ａｌから選ば
れる元素で構成される第１下地膜２１の上に、Ｃｒの
み、又はＣｒ合金で構成される第２下地膜２２を積層し
たものであり、前記磁性膜３は、Ｃｏを主成分とする合
金で構成される膜である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ドラム、磁気
テープ、磁気ディスク等の磁気記録媒体に関し、特に記
録再生時の媒体ノイズを低減させた磁気記録媒体及びそ
の製造方法に関する。
テープ、磁気ディスク等の磁気記録媒体に関し、特に記
録再生時の媒体ノイズを低減させた磁気記録媒体及びそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気ディスク装置等の高記録密度
化に伴い、再生感度の高い磁気抵抗効果を用いた磁気ヘ
ッド（以下、ＭＲヘッドという）に適した磁気記録媒体
が必要とされている。ＭＲヘッドは、従来の電磁誘導型
ヘッドに比べてヘッドノイズが低いため、磁性媒体にお
いても磁気ディスク装置全体の信号対ノイズ比（Ｓ／
Ｎ）を改善するためには、媒体ノイズの低下が極めて重
要な課題となっている。
化に伴い、再生感度の高い磁気抵抗効果を用いた磁気ヘ
ッド（以下、ＭＲヘッドという）に適した磁気記録媒体
が必要とされている。ＭＲヘッドは、従来の電磁誘導型
ヘッドに比べてヘッドノイズが低いため、磁性媒体にお
いても磁気ディスク装置全体の信号対ノイズ比（Ｓ／
Ｎ）を改善するためには、媒体ノイズの低下が極めて重
要な課題となっている。
【０００３】また、ＭＲヘッド用の磁気記録媒体では記
録密度の向上に伴い、ヘッドの低フライングハイト化が
要求されるため、従来に比べて基板には高い表面平滑性
が要求され、基板の表面平均粗さＲａは小さくなってい
る。現在、一般に用いられているＡｌ合金を基板とした
磁気ディスク用記録媒体としては、前記非磁性基板上
に、非磁性下地膜としてＣｒ又はＣｒ合金を成膜した上
に、磁性膜としてＣｏを主成分とするＣｏＣｒＴａ合金
などを成膜したものが各種提案され、実用化されてい
る。例えば特開平１−２３２５２２号公報には、非磁性
下地膜としてＣｒ、又はＣｒ中にＣｕ，Ｎｂ，Ｔｉ，
Ｖ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｚｎ，Ｗ，Ｔａのうち１種以上の金属
を添加した合金を成膜することにより磁気特性、特に保
磁力を向上させることが提案されている。また、特公平
８−３８９３号公報には、非磁性基板上にＣｒＴｉから
なる下地層を形成することで、保磁力及びＳ／Ｎ等の特
性を向上することが提案されている。さらに、ガラス基
板等にＣｒをプレコートし、該膜上にＣｒ又はＣｒ合金
を形成し、さらにその上にＣｏからなる磁性層を形成さ
せる手法も知られている。
録密度の向上に伴い、ヘッドの低フライングハイト化が
要求されるため、従来に比べて基板には高い表面平滑性
が要求され、基板の表面平均粗さＲａは小さくなってい
る。現在、一般に用いられているＡｌ合金を基板とした
磁気ディスク用記録媒体としては、前記非磁性基板上
に、非磁性下地膜としてＣｒ又はＣｒ合金を成膜した上
に、磁性膜としてＣｏを主成分とするＣｏＣｒＴａ合金
などを成膜したものが各種提案され、実用化されてい
る。例えば特開平１−２３２５２２号公報には、非磁性
下地膜としてＣｒ、又はＣｒ中にＣｕ，Ｎｂ，Ｔｉ，
Ｖ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｚｎ，Ｗ，Ｔａのうち１種以上の金属
を添加した合金を成膜することにより磁気特性、特に保
磁力を向上させることが提案されている。また、特公平
８−３８９３号公報には、非磁性基板上にＣｒＴｉから
なる下地層を形成することで、保磁力及びＳ／Ｎ等の特
性を向上することが提案されている。さらに、ガラス基
板等にＣｒをプレコートし、該膜上にＣｒ又はＣｒ合金
を形成し、さらにその上にＣｏからなる磁性層を形成さ
せる手法も知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記特開平１−２３２
５２２号公報では、非磁性下地膜としてＣｒ又はＣｒ合
金を用いているが、基板の平滑化に伴い、テクスチャリ
ング等によるディスクの円周方向の異方性制御の効果が
弱まり、保磁力が低下し、再生時の出力が低下してしま
うものであった。さらに、同程度の出力を得るために磁
性層の膜厚を厚くすると、記録再生時のノイズが高くな
るという問題があった。また、前記特公平８−３８９３
号公報に記載のＣｒＴｉを下地層に用いる方法では、デ
ィスクを搬送するトレー部を大気中に出さなくても良い
ように工夫し、成膜時にトレー部からの脱ガスの影響を
少なくするようにしたアネルバ社製「３１００スパッタ
機改良タイプ」で成膜した場合、下地にＣｒを成膜した
ものの特性はより顕著に向上し、下地にＣｒＴｉを用い
たものと比較して特性的に殆ど差が無くなりＣｒＴｉの
効果は特に見られなかった。しかも、再生出力及びノイ
ズ等の特性は共に十分満足できるものではなかった。Ｓ
ＩＭＳによる分析でＣｒ合金とＣｏ合金の界面の16Ｏの
ＮｉＰメッキ層内部の31Ｐ強度で補正した値で比較する
と、アネルバ社製「３１００スパッタ機」が０．２０、
「３１００スパッタ機改良タイプ」の方が０．１１であ
り、界面の酸素量に違いが見られる。さらに、前記Ｃｒ
をプレコートする手法では、ガラス基板からの脱ガスを
防止でき、磁気特性を幾分かは向上させることが可能で
あるが、十分満足できるものではなかった。こうした問
題点に鑑み、本発明の目的は、記録再生時のノイズが十
分に低く、再生出力が十分に高く出るようなＭＲヘッド
と好適に組み合わされる磁気記録媒体を提供することに
ある。
５２２号公報では、非磁性下地膜としてＣｒ又はＣｒ合
金を用いているが、基板の平滑化に伴い、テクスチャリ
ング等によるディスクの円周方向の異方性制御の効果が
弱まり、保磁力が低下し、再生時の出力が低下してしま
うものであった。さらに、同程度の出力を得るために磁
性層の膜厚を厚くすると、記録再生時のノイズが高くな
るという問題があった。また、前記特公平８−３８９３
号公報に記載のＣｒＴｉを下地層に用いる方法では、デ
ィスクを搬送するトレー部を大気中に出さなくても良い
ように工夫し、成膜時にトレー部からの脱ガスの影響を
少なくするようにしたアネルバ社製「３１００スパッタ
機改良タイプ」で成膜した場合、下地にＣｒを成膜した
ものの特性はより顕著に向上し、下地にＣｒＴｉを用い
たものと比較して特性的に殆ど差が無くなりＣｒＴｉの
効果は特に見られなかった。しかも、再生出力及びノイ
ズ等の特性は共に十分満足できるものではなかった。Ｓ
ＩＭＳによる分析でＣｒ合金とＣｏ合金の界面の16Ｏの
ＮｉＰメッキ層内部の31Ｐ強度で補正した値で比較する
と、アネルバ社製「３１００スパッタ機」が０．２０、
「３１００スパッタ機改良タイプ」の方が０．１１であ
り、界面の酸素量に違いが見られる。さらに、前記Ｃｒ
をプレコートする手法では、ガラス基板からの脱ガスを
防止でき、磁気特性を幾分かは向上させることが可能で
あるが、十分満足できるものではなかった。こうした問
題点に鑑み、本発明の目的は、記録再生時のノイズが十
分に低く、再生出力が十分に高く出るようなＭＲヘッド
と好適に組み合わされる磁気記録媒体を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】記録再生時のノイズを高
くすることなく、再生時の出力を高くするためには、非
磁性下地膜のＣｒ又はＣｒ合金及び、その上のＣｏ合金
をエピタキシャルに成長させることが望ましい。即ち、
前記の目的を達成するために、非磁性基板、非磁性下地
膜、磁性膜及び保護膜を基本構成とする磁気記録媒体で
あって、前記非磁性下地膜は、Ｔａ，Ａｇ，Ａｌから選
ばれる元素で構成される第１下地膜の上に、Ｃｒのみ、
又はＣｒ合金で構成される第２下地膜を積層してなり、
前記磁性膜は、Ｃｏを主成分とする合金で構成される膜
であることを特徴とする磁気記録媒体及びその製造方法
を提案する。
くすることなく、再生時の出力を高くするためには、非
磁性下地膜のＣｒ又はＣｒ合金及び、その上のＣｏ合金
をエピタキシャルに成長させることが望ましい。即ち、
前記の目的を達成するために、非磁性基板、非磁性下地
膜、磁性膜及び保護膜を基本構成とする磁気記録媒体で
あって、前記非磁性下地膜は、Ｔａ，Ａｇ，Ａｌから選
ばれる元素で構成される第１下地膜の上に、Ｃｒのみ、
又はＣｒ合金で構成される第２下地膜を積層してなり、
前記磁性膜は、Ｃｏを主成分とする合金で構成される膜
であることを特徴とする磁気記録媒体及びその製造方法
を提案する。
【０００６】
【発明の実施の形態】前記本発明における非磁性基板と
しては、磁気記録媒体用基板として一般に用いられるＮ
ｉＰメッキ膜が形成されたＡｌ合金（以下、ＮｉＰメッ
キＡｌ基板という）に加え、表面平滑性に優れるガラス
基板、シリコン基板などを用いることができる。前述の
ようにＭＲヘッド用の磁気記録媒体では記録密度の向上
に伴い、ヘッドの低フライングハイト化が要求されるた
め、従来に比べ基板に対して高い表面平滑性が必要とさ
れる。即ち、本発明に用いられる基板は、表面平均粗さ
Ｒａが２０Å以下であることが望ましい。
しては、磁気記録媒体用基板として一般に用いられるＮ
ｉＰメッキ膜が形成されたＡｌ合金（以下、ＮｉＰメッ
キＡｌ基板という）に加え、表面平滑性に優れるガラス
基板、シリコン基板などを用いることができる。前述の
ようにＭＲヘッド用の磁気記録媒体では記録密度の向上
に伴い、ヘッドの低フライングハイト化が要求されるた
め、従来に比べ基板に対して高い表面平滑性が必要とさ
れる。即ち、本発明に用いられる基板は、表面平均粗さ
Ｒａが２０Å以下であることが望ましい。
【０００７】また、前記本発明における非磁性下地膜
は、Ｔａ、Ａｇ、Ａｌから選ばれる元素で構成される第
１下地膜の上に、Ｃｒのみ、又はＣｒ合金で構成される
第２下地膜を積層してなる。前記第１下地膜を形成した
場合、その上に形成される第２下地膜及びＣｏ合金磁性
膜が結晶性のよいエピタキシャル成長をすると考えられ
る。この第１下地膜の膜厚としては、２５〜１０００Å
が望ましい。第１下地膜の膜厚が２５Åより薄いと、そ
の上に積層させる第２下地膜及びＣｏ合金磁性膜におい
て結晶性の良いエピタキシャル成長させる効果が不十分
になる傾向があり、１０００Åより厚いと、第１下地膜
を形成する時間が長くなり、プロセス全体の処理能力が
低くなるので好ましくない。したがって、第１下地膜の
膜厚は２５〜１０００Åであることが望ましい。尚、こ
の第１下地膜としては、Ｔａ、Ａｇ、Ａｌから選ばれる
元素に、第１下地膜を成膜する効果を損なわない範囲で
他の元素を１種以上添加したものでも良い。特に１〜５
０ａｔ％のＮを含むＴａＮ合金、５〜４０ａｔ％のＳｉ
を含むＴａＳｉ合金、５〜５０ａｔ％のＭｏを含むＴａ
Ｍｏ合金から選ばれる合金で第１下地膜を構成すると、
保磁力、再生時の出力、ノイズ等の特性がより一層優れ
たものが得られる（以下、第２発明という）。尚、スパ
ッタリングして得られるＴａ膜やＴａＮ合金膜やＴａＭ
ｏ合金膜には、α−Ｔａ、β−Ｔａ等があるが、成膜条
件を変化させてβ−Ｔａのみが形成されるようにした場
合、満足のいく特性は得られなかった。また、ＴａＮ合
金膜の形成方法としては、ＴａをＡｒと窒素との混合ガ
ス雰囲気中でスパッタリングする方法、ＴａＮ合金をＡ
ｒガス雰囲気中でスパッタリングする方法などを挙げる
ことができるが、その他どのような方法を採用しても良
い。前記第２下地膜の膜厚としては２５〜５００Åが望
ましい。第２下地膜の膜厚が２５Åより薄いと、如何な
るＣｒ合金膜を用いても保磁力Ｈｃの低下を抑えること
が困難であり、５００Åより厚いと、その上に形成する
Ｃｏ合金磁性膜の結晶粒子粗大化により媒体ノイズ低減
化が困難になる。したがって、第２下地膜の膜厚は２５
〜５００Åであることが望ましい。前記のように１〜５
０ａｔ％のＮを含むＴａＮ合金、５〜４０ａｔ％のＳｉ
を含むＴａＳｉ合金、５〜５０ａｔ％のＭｏを含むＴａ
Ｍｏ合金から選ばれる合金で第１下地膜を構成した第２
発明の場合には、前記と同様の理由により第２下地膜を
２５〜１５００Åとすることが望ましい。尚、この第２
下地膜は、Ｃｒに、例えばＴｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｔａ或い
はその他の元素を、第２下地膜を成膜する効果を損なわ
ない範囲で１種以上添加したものでも良い。
は、Ｔａ、Ａｇ、Ａｌから選ばれる元素で構成される第
１下地膜の上に、Ｃｒのみ、又はＣｒ合金で構成される
第２下地膜を積層してなる。前記第１下地膜を形成した
場合、その上に形成される第２下地膜及びＣｏ合金磁性
膜が結晶性のよいエピタキシャル成長をすると考えられ
る。この第１下地膜の膜厚としては、２５〜１０００Å
が望ましい。第１下地膜の膜厚が２５Åより薄いと、そ
の上に積層させる第２下地膜及びＣｏ合金磁性膜におい
て結晶性の良いエピタキシャル成長させる効果が不十分
になる傾向があり、１０００Åより厚いと、第１下地膜
を形成する時間が長くなり、プロセス全体の処理能力が
低くなるので好ましくない。したがって、第１下地膜の
膜厚は２５〜１０００Åであることが望ましい。尚、こ
の第１下地膜としては、Ｔａ、Ａｇ、Ａｌから選ばれる
元素に、第１下地膜を成膜する効果を損なわない範囲で
他の元素を１種以上添加したものでも良い。特に１〜５
０ａｔ％のＮを含むＴａＮ合金、５〜４０ａｔ％のＳｉ
を含むＴａＳｉ合金、５〜５０ａｔ％のＭｏを含むＴａ
Ｍｏ合金から選ばれる合金で第１下地膜を構成すると、
保磁力、再生時の出力、ノイズ等の特性がより一層優れ
たものが得られる（以下、第２発明という）。尚、スパ
ッタリングして得られるＴａ膜やＴａＮ合金膜やＴａＭ
ｏ合金膜には、α−Ｔａ、β−Ｔａ等があるが、成膜条
件を変化させてβ−Ｔａのみが形成されるようにした場
合、満足のいく特性は得られなかった。また、ＴａＮ合
金膜の形成方法としては、ＴａをＡｒと窒素との混合ガ
ス雰囲気中でスパッタリングする方法、ＴａＮ合金をＡ
ｒガス雰囲気中でスパッタリングする方法などを挙げる
ことができるが、その他どのような方法を採用しても良
い。前記第２下地膜の膜厚としては２５〜５００Åが望
ましい。第２下地膜の膜厚が２５Åより薄いと、如何な
るＣｒ合金膜を用いても保磁力Ｈｃの低下を抑えること
が困難であり、５００Åより厚いと、その上に形成する
Ｃｏ合金磁性膜の結晶粒子粗大化により媒体ノイズ低減
化が困難になる。したがって、第２下地膜の膜厚は２５
〜５００Åであることが望ましい。前記のように１〜５
０ａｔ％のＮを含むＴａＮ合金、５〜４０ａｔ％のＳｉ
を含むＴａＳｉ合金、５〜５０ａｔ％のＭｏを含むＴａ
Ｍｏ合金から選ばれる合金で第１下地膜を構成した第２
発明の場合には、前記と同様の理由により第２下地膜を
２５〜１５００Åとすることが望ましい。尚、この第２
下地膜は、Ｃｒに、例えばＴｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｔａ或い
はその他の元素を、第２下地膜を成膜する効果を損なわ
ない範囲で１種以上添加したものでも良い。
【０００８】前記本発明における磁性膜は、Ｃｏを主成
分とする合金で構成されるが、Ｐｔを含有するＣｏＣｒ
Ｐｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａなどが好適に用いられる。特に
下地の効果が顕著に現れるのは、ＣｏＣｒＰｔＴａを用
いた時である。尚、この磁性膜の膜厚は、ＭＲヘッド用
の磁性媒体であることを考慮すると、残留磁化膜厚積Ｂ
ｒＴが５０〜１３０Ｇμｍとなるように調整することが
望ましい。残留磁化膜厚積ＢｒＴが５０Ｇμｍを下回る
と、適切な出力が得られず、１３０Ｇμｍを越えると、
ＭＲメディアに適した特性を得ることができない。
分とする合金で構成されるが、Ｐｔを含有するＣｏＣｒ
Ｐｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａなどが好適に用いられる。特に
下地の効果が顕著に現れるのは、ＣｏＣｒＰｔＴａを用
いた時である。尚、この磁性膜の膜厚は、ＭＲヘッド用
の磁性媒体であることを考慮すると、残留磁化膜厚積Ｂ
ｒＴが５０〜１３０Ｇμｍとなるように調整することが
望ましい。残留磁化膜厚積ＢｒＴが５０Ｇμｍを下回る
と、適切な出力が得られず、１３０Ｇμｍを越えると、
ＭＲメディアに適した特性を得ることができない。
【０００９】その他の構成或いは成膜方法等については
特に限定するものではなく、例えば保護膜としては、カ
ーボン等公知の構成のものを採用すれば良く、また成膜
方法としては、通常スパッタ法が用いられるが、蒸着、
イオンプレーティング、メッキ法等を用いることもでき
る。また、前記非磁性下地膜と非磁性基板との間に、少
なくとも本発明の効果を損なわない範囲で適宜構成の介
在膜を形成しても良い。
特に限定するものではなく、例えば保護膜としては、カ
ーボン等公知の構成のものを採用すれば良く、また成膜
方法としては、通常スパッタ法が用いられるが、蒸着、
イオンプレーティング、メッキ法等を用いることもでき
る。また、前記非磁性下地膜と非磁性基板との間に、少
なくとも本発明の効果を損なわない範囲で適宜構成の介
在膜を形成しても良い。
【００１０】こうして作製される本発明の磁気記録媒体
は、非磁性下地膜として、Ｃｒ又はＣｒ合金からなる第
２下地膜の成膜に先だって、Ｔａ、Ａｇ、Ａｌから選ば
れる元素で構成される第１下地膜をプレコートする構造
であるため、保磁力、再生時の出力、ノイズ等の特性が
優れている。また、１〜５０ａｔ％のＮを含むＴａＮ合
金、５〜４０ａｔ％のＳｉを含むＴａＳｉ合金、５〜５
０ａｔ％のＭｏを含むＴａＭｏ合金から選ばれる合金で
第１下地膜を構成する第２発明では、保磁力、再生時の
出力、ノイズ等の特性がより一層優れたものとなる。
は、非磁性下地膜として、Ｃｒ又はＣｒ合金からなる第
２下地膜の成膜に先だって、Ｔａ、Ａｇ、Ａｌから選ば
れる元素で構成される第１下地膜をプレコートする構造
であるため、保磁力、再生時の出力、ノイズ等の特性が
優れている。また、１〜５０ａｔ％のＮを含むＴａＮ合
金、５〜４０ａｔ％のＳｉを含むＴａＳｉ合金、５〜５
０ａｔ％のＭｏを含むＴａＭｏ合金から選ばれる合金で
第１下地膜を構成する第２発明では、保磁力、再生時の
出力、ノイズ等の特性がより一層優れたものとなる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を示す。但し、本発明
は以下の実施例に限定されるものではなく、特許請求の
範囲に記載の構成を変更しない限りどのようにでも実施
することができる。
は以下の実施例に限定されるものではなく、特許請求の
範囲に記載の構成を変更しない限りどのようにでも実施
することができる。
【００１２】［実施例１］ＮｉＰメッキＡｌ基板に表面
粗さＲａ１５Åのテクスチャリングを施した後、アネル
バ社製「３１００スパッタ機」内にセットした。到達真
空度２×１０-7Ｔｏｒｒまで排気した後、第１下地膜と
してＴａ膜を４００Å成膜し、第２下地膜としてＣｒ85
Ｔｉ15合金膜を２００Å成膜した後、引き続きＣｏ78Ｃ
ｒ13Ｐｔ6Ｔａ3 合金磁性膜を成膜した。さらに、磁性
膜の上には保護膜としてカーボンを１５０Å成膜した。
成膜時のＡｒ圧力は各々３ｍＴｏｒｒとした。磁性膜の
膜厚は残留磁化膜厚積（ＢｒＴ）で１１０Ｇμｍであっ
た。尚、得られた磁気記録媒体の構造を図１に模式的に
示した。図中、１は非磁性基板，２は非磁性下地膜，２
１は第１下地膜，２２は第２下地膜，３は磁性膜，４は
保護膜である。この実施例１により作製された磁気記録
媒体の磁気特性は、振動式磁気特性装置（ＶＳＭ）を用
いて測定し、保磁力（Ｈｃ）は２５６３Ｏｅ、保磁力角
型比（Ｓ* ）は８１．８％であった。磁気記録媒体の記
録再生特性は、再生部に磁気抵抗（ＭＲ）素子を有する
複合型薄膜磁気ヘッドを用い、線記録密度１４８．５Ｋ
ＦＣＩにて測定した。実施例１の磁気記録媒体の記録再
生時の出力は、１９６μＶ、ノイズは２．４０μＶであ
った。
粗さＲａ１５Åのテクスチャリングを施した後、アネル
バ社製「３１００スパッタ機」内にセットした。到達真
空度２×１０-7Ｔｏｒｒまで排気した後、第１下地膜と
してＴａ膜を４００Å成膜し、第２下地膜としてＣｒ85
Ｔｉ15合金膜を２００Å成膜した後、引き続きＣｏ78Ｃ
ｒ13Ｐｔ6Ｔａ3 合金磁性膜を成膜した。さらに、磁性
膜の上には保護膜としてカーボンを１５０Å成膜した。
成膜時のＡｒ圧力は各々３ｍＴｏｒｒとした。磁性膜の
膜厚は残留磁化膜厚積（ＢｒＴ）で１１０Ｇμｍであっ
た。尚、得られた磁気記録媒体の構造を図１に模式的に
示した。図中、１は非磁性基板，２は非磁性下地膜，２
１は第１下地膜，２２は第２下地膜，３は磁性膜，４は
保護膜である。この実施例１により作製された磁気記録
媒体の磁気特性は、振動式磁気特性装置（ＶＳＭ）を用
いて測定し、保磁力（Ｈｃ）は２５６３Ｏｅ、保磁力角
型比（Ｓ* ）は８１．８％であった。磁気記録媒体の記
録再生特性は、再生部に磁気抵抗（ＭＲ）素子を有する
複合型薄膜磁気ヘッドを用い、線記録密度１４８．５Ｋ
ＦＣＩにて測定した。実施例１の磁気記録媒体の記録再
生時の出力は、１９６μＶ、ノイズは２．４０μＶであ
った。
【００１３】［実施例２］アネルバ社製「３１００スパ
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、さらに第２下地膜としてＣｒ80Ｔ
ｉ20合金膜を３００Å成膜した以外は前記実施例１と同
様にして磁気記録媒体を作製した。この実施例２により
作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性に
ついても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２５３５
Ｏｅ、Ｓ* は８０．３％、出力は１９４μＶ、ノイズは
２．３３μＶであった。
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、さらに第２下地膜としてＣｒ80Ｔ
ｉ20合金膜を３００Å成膜した以外は前記実施例１と同
様にして磁気記録媒体を作製した。この実施例２により
作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性に
ついても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２５３５
Ｏｅ、Ｓ* は８０．３％、出力は１９４μＶ、ノイズは
２．３３μＶであった。
【００１４】［実施例３］アネルバ社製「３１００スパ
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、さらに第２下地膜としてＣｒ膜を
３００Å成膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気
記録媒体を作製した。この実施例３により作製された磁
気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記
実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２４９６Ｏｅ、Ｓ* は
８０．１％、出力は１９０μＶ、ノイズは２．３５μＶ
であった。
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、さらに第２下地膜としてＣｒ膜を
３００Å成膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気
記録媒体を作製した。この実施例３により作製された磁
気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記
実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２４９６Ｏｅ、Ｓ* は
８０．１％、出力は１９０μＶ、ノイズは２．３５μＶ
であった。
【００１５】［比較例１］ＮｉＰメッキ基板にテクスチ
ャリングを施さず、第１下地膜を成膜せず、第２下地膜
としてＣｒ80Ｔｉ20合金膜を３００Å成膜した以外は前
記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。この
比較例１により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び
記録再生特性についても前記実施例１と同様に測定し、
Ｈｃは２１５７Ｏｅ、Ｓ* は７０．８％、出力は１５５
μＶ、ノイズは３．２３μＶであった。
ャリングを施さず、第１下地膜を成膜せず、第２下地膜
としてＣｒ80Ｔｉ20合金膜を３００Å成膜した以外は前
記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。この
比較例１により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び
記録再生特性についても前記実施例１と同様に測定し、
Ｈｃは２１５７Ｏｅ、Ｓ* は７０．８％、出力は１５５
μＶ、ノイズは３．２３μＶであった。
【００１６】［比較例２］第１下地膜を成膜せず、第２
下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20合金膜を３００Å成膜した以
外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製し
た。この比較例２により作製された磁気記録媒体の磁気
特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様に
測定し、Ｈｃは２３５７Ｏｅ、Ｓ* は８２．８％、出力
は１８０μＶ、ノイズは３．２３μＶであった。
下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20合金膜を３００Å成膜した以
外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製し
た。この比較例２により作製された磁気記録媒体の磁気
特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様に
測定し、Ｈｃは２３５７Ｏｅ、Ｓ* は８２．８％、出力
は１８０μＶ、ノイズは３．２３μＶであった。
【００１７】［比較例３］第１下地膜を成膜せず、第２
下地膜としてＣｒ膜を３００Å成膜した以外は前記実施
例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。この比較例
３により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再
生特性についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは
２０９４Ｏｅ、Ｓ* は７１．０％、出力は１５０μＶ、
ノイズは３．９６μＶであった。
下地膜としてＣｒ膜を３００Å成膜した以外は前記実施
例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。この比較例
３により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再
生特性についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは
２０９４Ｏｅ、Ｓ* は７１．０％、出力は１５０μＶ、
ノイズは３．９６μＶであった。
【００１８】［比較例４］アネルバ社製「３１００スパ
ッタ機改良タイプ」を用い、第１下地膜を成膜せず、第
２下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20合金膜を３００Å成膜した
以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製し
た。この比較例４により作製された磁気記録媒体の磁気
特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様に
測定し、Ｈｃは２４０５Ｏｅ、Ｓ* は８３．０％、出力
は１８２μＶ、ノイズは３．０２μＶであった。
ッタ機改良タイプ」を用い、第１下地膜を成膜せず、第
２下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20合金膜を３００Å成膜した
以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製し
た。この比較例４により作製された磁気記録媒体の磁気
特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様に
測定し、Ｈｃは２４０５Ｏｅ、Ｓ* は８３．０％、出力
は１８２μＶ、ノイズは３．０２μＶであった。
【００１９】［比較例５］アネルバ社製「３１００スパ
ッタ機改良タイプ」を用い、第１下地膜を成膜せず、第
２下地膜としてＣｒ膜を３００Å成膜した以外は前記実
施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。この比較
例５により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録
再生特性についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃ
は２３６０Ｏｅ、Ｓ* は８１．２％、出力は１７８μ
Ｖ、ノイズは３．２０μＶであった。
ッタ機改良タイプ」を用い、第１下地膜を成膜せず、第
２下地膜としてＣｒ膜を３００Å成膜した以外は前記実
施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。この比較
例５により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録
再生特性についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃ
は２３６０Ｏｅ、Ｓ* は８１．２％、出力は１７８μ
Ｖ、ノイズは３．２０μＶであった。
【００２０】［比較例６］アネルバ社製「３１００スパ
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第１下地膜としてＣｒ膜を５００
Å成膜し、第２下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20合金膜を３０
０Å成膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録
媒体を作製した。この比較例６により作製された磁気記
録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施
例１と同様に測定し、Ｈｃは２１１９Ｏｅ、Ｓ* は７
２．８％、出力は１５８μＶ、ノイズは３．７３μＶで
あった。
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第１下地膜としてＣｒ膜を５００
Å成膜し、第２下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20合金膜を３０
０Å成膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録
媒体を作製した。この比較例６により作製された磁気記
録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施
例１と同様に測定し、Ｈｃは２１１９Ｏｅ、Ｓ* は７
２．８％、出力は１５８μＶ、ノイズは３．７３μＶで
あった。
【００２１】［実施例４］アネルバ社製「３１００スパ
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第１下地膜としてＴａ膜を６００
Å、第２下地膜としてＣｒ81Ｔｉ15Ｔａ4 合金膜を３０
０Å成膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録
媒体を作製した。この実施例４により作製された磁気記
録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施
例１と同様に測定し、Ｈｃは２５６１Ｏｅ、Ｓ* は７
９．５％、出力は１８８μＶ、ノイズは２．３９μＶで
あった。
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第１下地膜としてＴａ膜を６００
Å、第２下地膜としてＣｒ81Ｔｉ15Ｔａ4 合金膜を３０
０Å成膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録
媒体を作製した。この実施例４により作製された磁気記
録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施
例１と同様に測定し、Ｈｃは２５６１Ｏｅ、Ｓ* は７
９．５％、出力は１８８μＶ、ノイズは２．３９μＶで
あった。
【００２２】［実施例５］アネルバ社製「３１００スパ
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第１下地膜としてＴａ膜を４００
Å、第２下地膜としてＣｒ85Ｍｏ15合金膜を２００Å成
膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を
作製した。この実施例５により作製された磁気記録媒体
の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と
同様に測定し、Ｈｃは２７９４Ｏｅ、Ｓ* は８２．３
％、出力は２０１μＶ、ノイズは２．３５μＶであっ
た。
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第１下地膜としてＴａ膜を４００
Å、第２下地膜としてＣｒ85Ｍｏ15合金膜を２００Å成
膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を
作製した。この実施例５により作製された磁気記録媒体
の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と
同様に測定し、Ｈｃは２７９４Ｏｅ、Ｓ* は８２．３
％、出力は２０１μＶ、ノイズは２．３５μＶであっ
た。
【００２３】［実施例６］アネルバ社製「３１００スパ
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第１下地膜としてＡｇ膜を１００
Å、第２下地膜としてＣｒ83Ｔｉ15Ａｇ2 を３００Å成
膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を
作製した。この実施例６により作製された磁気記録媒体
の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と
同様に測定し、Ｈｃは２５３４Ｏｅ、Ｓ* は７８．９
％、出力は１８３μＶ、ノイズは２．４５μＶであっ
た。
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第１下地膜としてＡｇ膜を１００
Å、第２下地膜としてＣｒ83Ｔｉ15Ａｇ2 を３００Å成
膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を
作製した。この実施例６により作製された磁気記録媒体
の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と
同様に測定し、Ｈｃは２５３４Ｏｅ、Ｓ* は７８．９
％、出力は１８３μＶ、ノイズは２．４５μＶであっ
た。
【００２４】［実施例７］アネルバ社製「３１００スパ
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第１下地膜としてＡｌを２００
Å、第２下地膜としてＣｒ83Ｔｉ15Ａｌ2 を３００Å成
膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を
作製した。この実施例７により作製された磁気記録媒体
の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と
同様に測定し、Ｈｃは２５２０Ｏｅ、Ｓ* は８１．１
％、出力は１８５μＶ、ノイズは２．４４μＶであっ
た。
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第１下地膜としてＡｌを２００
Å、第２下地膜としてＣｒ83Ｔｉ15Ａｌ2 を３００Å成
膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を
作製した。この実施例７により作製された磁気記録媒体
の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と
同様に測定し、Ｈｃは２５２０Ｏｅ、Ｓ* は８１．１
％、出力は１８５μＶ、ノイズは２．４４μＶであっ
た。
【００２５】［比較例７］アネルバ社製「３１００スパ
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第１下地膜としてＴａを８００
Å、第２下地膜としてＣｒ85Ｔｉ15を２０００Å成膜し
た以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製
した。この比較例７により作製された磁気記録媒体の磁
気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様
に測定し、Ｈｃは２５２０Ｏｅ、Ｓ* は７８．５％、出
力は１８６μＶ、ノイズは３．９５μＶであった。
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第１下地膜としてＴａを８００
Å、第２下地膜としてＣｒ85Ｔｉ15を２０００Å成膜し
た以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製
した。この比較例７により作製された磁気記録媒体の磁
気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様
に測定し、Ｈｃは２５２０Ｏｅ、Ｓ* は７８．５％、出
力は１８６μＶ、ノイズは３．９５μＶであった。
【００２６】［実施例８］アネルバ社製「３１００スパ
ッタ機改良タイプ」を用い、非磁性基板を単結晶Ｓｉと
し、テクスチャリングを施さず、さらに第２下地膜とし
てＣｒ80Ｔｉ20を３００Å成膜した以外は前記実施例１
と同様にして磁気記録媒体を作製した。この実施例８に
より作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特
性についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２４
５０Ｏｅ、Ｓ* は７９．６％、出力は１９０μＶ、ノイ
ズは２．３５μＶであった。
ッタ機改良タイプ」を用い、非磁性基板を単結晶Ｓｉと
し、テクスチャリングを施さず、さらに第２下地膜とし
てＣｒ80Ｔｉ20を３００Å成膜した以外は前記実施例１
と同様にして磁気記録媒体を作製した。この実施例８に
より作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特
性についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２４
５０Ｏｅ、Ｓ* は７９．６％、出力は１９０μＶ、ノイ
ズは２．３５μＶであった。
【００２７】［実施例９］アネルバ社製「３１００スパ
ッタ機改良タイプ」を用い、非磁性基板を結晶化ガラス
（ＯＨＡＲＡ製）とし、テクスチャリングを施さず、さ
らに第２下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20を３００Å成膜した
以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製し
た。この実施例９により作製された磁気記録媒体の磁気
特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様に
測定し、Ｈｃは２７８０Ｏｅ、Ｓ* は８０．３％、出力
は２０２μＶ、ノイズは２．２６μＶであった。
ッタ機改良タイプ」を用い、非磁性基板を結晶化ガラス
（ＯＨＡＲＡ製）とし、テクスチャリングを施さず、さ
らに第２下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20を３００Å成膜した
以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製し
た。この実施例９により作製された磁気記録媒体の磁気
特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様に
測定し、Ｈｃは２７８０Ｏｅ、Ｓ* は８０．３％、出力
は２０２μＶ、ノイズは２．２６μＶであった。
【００２８】［比較例８］アネルバ社製「３１００スパ
ッタ機改良タイプ」を用い、非磁性基板を結晶化ガラス
（ＯＨＡＲＡ製）とし、テクスチャリングを施さず、さ
らに第１下地膜としてＣｒを５００Å、第２下地膜とし
てＣｒ80Ｔｉ20を３００Å成膜した以外は前記実施例１
と同様にして磁気記録媒体を作製した。この比較例８に
より作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特
性についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２２
３１Ｏｅ、Ｓ* は７２．８％、出力は１５８μＶ、ノイ
ズは３．５３μＶであった。
ッタ機改良タイプ」を用い、非磁性基板を結晶化ガラス
（ＯＨＡＲＡ製）とし、テクスチャリングを施さず、さ
らに第１下地膜としてＣｒを５００Å、第２下地膜とし
てＣｒ80Ｔｉ20を３００Å成膜した以外は前記実施例１
と同様にして磁気記録媒体を作製した。この比較例８に
より作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特
性についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２２
３１Ｏｅ、Ｓ* は７２．８％、出力は１５８μＶ、ノイ
ズは３．５３μＶであった。
【００２９】以下の実施例１０〜１５及び比較例９〜１
７については、前記第２発明に係るものであるため、１
〜５０ａｔ％のＮを含むＴａＮ合金、５〜４０ａｔ％の
Ｓｉを含むＴａＳｉ合金、５〜５０ａｔ％のＭｏを含む
ＴａＭｏ合金から選ばれる合金で第１下地膜を構成する
もの以外は比較例とした。したがって、例えば第１下地
膜としてＴａを成膜したものも比較例とした。 ［実施例１０］ＮｉＰメッキＡｌ基板に表面粗さＲａ１
５Åのテクスチャリングを施した後、ＤＣマグネトロン
スパッタ装置内にセットした。到達真空度２×１０-7Ｔ
ｏｒｒまで排気した後、第１下地膜としてＴａ90Ｎ10タ
ーゲットをＡｒガス雰囲気中で成膜することによりＴａ
90Ｎ10合金膜を４００Å成膜し、第２下地膜としてＣｒ
膜を２００Å成膜した後、引き続きＣｏ78Ｃｒ13Ｐｔ6
Ｔａ3 合金磁性膜を成膜した。さらに、磁性膜の上には
保護膜としてカーボンを１５０Å成膜した。成膜時のＡ
ｒ圧力は各々３ｍＴｏｒｒとした。磁性膜の膜厚は残留
磁化膜厚積（ＢｒＴ）で１１０Ｇμｍであった。この実
施例１０により作製された磁気記録媒体の磁気特性は、
振動式磁気特性装置（ＶＳＭ）を用いて測定し、保磁力
（Ｈｃ）は２６９３Ｏｅ、保磁力角型比（Ｓ* ）は８
５．８％であった。磁気記録媒体の記録再生特性は、再
生部に磁気抵抗（ＭＲ）素子を有する複合型薄膜磁気ヘ
ッドを用い、線記録密度１４８．５ＫＦＣＩにて測定し
た。実施例１０の磁気記録媒体の記録再生時の出力は、
２３０μＶ、ノイズは２．３３μＶであった。尚、この
ようにして作製された実施例１０の磁気記録媒体のＸ線
回折強度を測定したところ、図２に示すようにα−Ｔａ
及びβ−Ｔａが形成されていた。
７については、前記第２発明に係るものであるため、１
〜５０ａｔ％のＮを含むＴａＮ合金、５〜４０ａｔ％の
Ｓｉを含むＴａＳｉ合金、５〜５０ａｔ％のＭｏを含む
ＴａＭｏ合金から選ばれる合金で第１下地膜を構成する
もの以外は比較例とした。したがって、例えば第１下地
膜としてＴａを成膜したものも比較例とした。 ［実施例１０］ＮｉＰメッキＡｌ基板に表面粗さＲａ１
５Åのテクスチャリングを施した後、ＤＣマグネトロン
スパッタ装置内にセットした。到達真空度２×１０-7Ｔ
ｏｒｒまで排気した後、第１下地膜としてＴａ90Ｎ10タ
ーゲットをＡｒガス雰囲気中で成膜することによりＴａ
90Ｎ10合金膜を４００Å成膜し、第２下地膜としてＣｒ
膜を２００Å成膜した後、引き続きＣｏ78Ｃｒ13Ｐｔ6
Ｔａ3 合金磁性膜を成膜した。さらに、磁性膜の上には
保護膜としてカーボンを１５０Å成膜した。成膜時のＡ
ｒ圧力は各々３ｍＴｏｒｒとした。磁性膜の膜厚は残留
磁化膜厚積（ＢｒＴ）で１１０Ｇμｍであった。この実
施例１０により作製された磁気記録媒体の磁気特性は、
振動式磁気特性装置（ＶＳＭ）を用いて測定し、保磁力
（Ｈｃ）は２６９３Ｏｅ、保磁力角型比（Ｓ* ）は８
５．８％であった。磁気記録媒体の記録再生特性は、再
生部に磁気抵抗（ＭＲ）素子を有する複合型薄膜磁気ヘ
ッドを用い、線記録密度１４８．５ＫＦＣＩにて測定し
た。実施例１０の磁気記録媒体の記録再生時の出力は、
２３０μＶ、ノイズは２．３３μＶであった。尚、この
ようにして作製された実施例１０の磁気記録媒体のＸ線
回折強度を測定したところ、図２に示すようにα−Ｔａ
及びβ−Ｔａが形成されていた。
【００３０】［実施例１１］第１下地膜としてＴａター
ゲットをＡｒ＋３％Ｎ2 ガス混合雰囲気中で成膜するこ
とによりＴａＮ合金膜を４００Å形成した以外は前記実
施例１０と同様にして磁気記録媒体を作製した。この実
施例１１により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び
記録再生特性についても前記実施例１０と同様に測定
し、Ｈｃは２８５０Ｏｅ、Ｓ* は８６．４％、出力は２
３３μＶ、ノイズは２．２３μＶであった。尚、Ｔａ合
金膜の組成はＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分析装置）
で分析したところ、Ｔａ85Ｎ15が形成されていた。
ゲットをＡｒ＋３％Ｎ2 ガス混合雰囲気中で成膜するこ
とによりＴａＮ合金膜を４００Å形成した以外は前記実
施例１０と同様にして磁気記録媒体を作製した。この実
施例１１により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び
記録再生特性についても前記実施例１０と同様に測定
し、Ｈｃは２８５０Ｏｅ、Ｓ* は８６．４％、出力は２
３３μＶ、ノイズは２．２３μＶであった。尚、Ｔａ合
金膜の組成はＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分析装置）
で分析したところ、Ｔａ85Ｎ15が形成されていた。
【００３１】［実施例１２］ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第１下地膜としてＴａ70Ｎ30合金
膜を５０Å成膜し、第２下地膜としてＣｒ80Ｔｉ15合金
膜を３００Å成膜した以外は前記実施例１０と同様にし
て磁気記録媒体を作製した。この実施例１２により作製
された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性につい
ても前記実施例１０と同様に測定し、Ｈｃは２７４０Ｏ
ｅ、Ｓ* は８４．３％、出力は２２９μＶ、ノイズは
２．３３μＶであった。
チャリングを施さず、第１下地膜としてＴａ70Ｎ30合金
膜を５０Å成膜し、第２下地膜としてＣｒ80Ｔｉ15合金
膜を３００Å成膜した以外は前記実施例１０と同様にし
て磁気記録媒体を作製した。この実施例１２により作製
された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性につい
ても前記実施例１０と同様に測定し、Ｈｃは２７４０Ｏ
ｅ、Ｓ* は８４．３％、出力は２２９μＶ、ノイズは
２．３３μＶであった。
【００３２】［実施例１３］ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第１下地膜としてＴａ70Ｓｉ 30合
金膜を５０Å、第２下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20合金膜を
３００Å成膜した以外は前記実施例１０と同様にして磁
気記録媒体を作製した。この実施例１３により作製され
た磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても
前記実施例１０と同様に測定し、Ｈｃは２８４４Ｏｅ、
Ｓ* は８６．８％、出力は２４０μＶ、ノイズは２．０
６μＶであった。
チャリングを施さず、第１下地膜としてＴａ70Ｓｉ 30合
金膜を５０Å、第２下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20合金膜を
３００Å成膜した以外は前記実施例１０と同様にして磁
気記録媒体を作製した。この実施例１３により作製され
た磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても
前記実施例１０と同様に測定し、Ｈｃは２８４４Ｏｅ、
Ｓ* は８６．８％、出力は２４０μＶ、ノイズは２．０
６μＶであった。
【００３３】［比較例９］ＮｉＰメッキ基板にテクスチ
ャリングを施さず、第１下地膜を成膜せず、第２下地膜
としてＣｒ80Ｔｉ20を３００Å成膜した以外は前記実施
例１０と同様にして磁気記録媒体を作製した。この比較
例９により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録
再生特性についても前記実施例１０と同様に測定し、Ｈ
ｃは２１５７Ｏｅ、Ｓ* は７０．８％、出力は１５５μ
Ｖ、ノイズは３．２３μＶであった。
ャリングを施さず、第１下地膜を成膜せず、第２下地膜
としてＣｒ80Ｔｉ20を３００Å成膜した以外は前記実施
例１０と同様にして磁気記録媒体を作製した。この比較
例９により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録
再生特性についても前記実施例１０と同様に測定し、Ｈ
ｃは２１５７Ｏｅ、Ｓ* は７０．８％、出力は１５５μ
Ｖ、ノイズは３．２３μＶであった。
【００３４】［比較例１０］ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第１下地膜を成膜せず、第２下地
膜としてＣｒを３００Å成膜した以外は前記実施例１０
と同様にして磁気記録媒体を作製した。この比較例１０
により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生
特性についても前記実施例１０と同様に測定し、Ｈｃは
２０９４Ｏｅ、Ｓ* は７１．０％、出力は１５０μＶ、
ノイズは３．２０μＶであった。
チャリングを施さず、第１下地膜を成膜せず、第２下地
膜としてＣｒを３００Å成膜した以外は前記実施例１０
と同様にして磁気記録媒体を作製した。この比較例１０
により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生
特性についても前記実施例１０と同様に測定し、Ｈｃは
２０９４Ｏｅ、Ｓ* は７１．０％、出力は１５０μＶ、
ノイズは３．２０μＶであった。
【００３５】［比較例１１］ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第１下地膜としてＣｒを５００Å
成膜し、第２下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20を３００Å成膜
した以外は前記実施例１０と同様にして磁気記録媒体を
作製した。この比較例１１により作製された磁気記録媒
体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１
０と同様に測定し、Ｈｃは２１１９Ｏｅ、Ｓ* は７２．
８％、出力は１５８μＶ、ノイズは３．５３μＶであっ
た。
チャリングを施さず、第１下地膜としてＣｒを５００Å
成膜し、第２下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20を３００Å成膜
した以外は前記実施例１０と同様にして磁気記録媒体を
作製した。この比較例１１により作製された磁気記録媒
体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１
０と同様に測定し、Ｈｃは２１１９Ｏｅ、Ｓ* は７２．
８％、出力は１５８μＶ、ノイズは３．５３μＶであっ
た。
【００３６】［比較例１２］ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第１下地膜としてＴａを４００Å
成膜し、第２下地膜としてＣｒ85Ｔｉ15を２００Å成膜
した以外は前記実施例１０と同様にして磁気記録媒体を
作製した。この比較例１２により作製された磁気記録媒
体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１
０と同様に測定し、Ｈｃは２５６３Ｏｅ、Ｓ* は８１．
８％、出力は１９６μＶ、ノイズは２．４０μＶであっ
た。
チャリングを施さず、第１下地膜としてＴａを４００Å
成膜し、第２下地膜としてＣｒ85Ｔｉ15を２００Å成膜
した以外は前記実施例１０と同様にして磁気記録媒体を
作製した。この比較例１２により作製された磁気記録媒
体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１
０と同様に測定し、Ｈｃは２５６３Ｏｅ、Ｓ* は８１．
８％、出力は１９６μＶ、ノイズは２．４０μＶであっ
た。
【００３７】［比較例１３］ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第１下地膜としてＴａ45Ｎ55を４
００Å成膜し、第２下地膜としてＣｒ85Ｔｉ15を２００
Å成膜した以外は前記実施例１０と同様にして磁気記録
媒体を作製した。この比較例１３により作製された磁気
記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実
施例１０と同様に測定し、Ｈｃは２１４１Ｏｅ、Ｓ* は
７８．３％、出力は１７７μＶ、ノイズは３．８２μＶ
であった。
チャリングを施さず、第１下地膜としてＴａ45Ｎ55を４
００Å成膜し、第２下地膜としてＣｒ85Ｔｉ15を２００
Å成膜した以外は前記実施例１０と同様にして磁気記録
媒体を作製した。この比較例１３により作製された磁気
記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実
施例１０と同様に測定し、Ｈｃは２１４１Ｏｅ、Ｓ* は
７８．３％、出力は１７７μＶ、ノイズは３．８２μＶ
であった。
【００３８】［比較例１４］ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第１下地膜としてＴａ50Ｓｉ 50を
６００Å成膜し、第２下地膜としてＣｒ85Ｔｉ15を２０
０Å成膜した以外は前記実施例１０と同様にして磁気記
録媒体を作製した。この比較例１４により作製された磁
気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記
実施例１０と同様に測定し、Ｈｃは１９６１Ｏｅ、Ｓ*
は７５．４％、出力は１６６μＶ、ノイズは４．３０μ
Ｖであった。
チャリングを施さず、第１下地膜としてＴａ50Ｓｉ 50を
６００Å成膜し、第２下地膜としてＣｒ85Ｔｉ15を２０
０Å成膜した以外は前記実施例１０と同様にして磁気記
録媒体を作製した。この比較例１４により作製された磁
気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記
実施例１０と同様に測定し、Ｈｃは１９６１Ｏｅ、Ｓ*
は７５．４％、出力は１６６μＶ、ノイズは４．３０μ
Ｖであった。
【００３９】［比較例１５］ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第１下地膜としてＴａ30Ｍｏ 70を
４００Å、第２下地膜としてＣｒ85Ｔｉ15を２００Å成
膜した以外は前記実施例１０と同様にして磁気記録媒体
を作製した。この比較例１５により作製された磁気記録
媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例
１０と同様に測定し、Ｈｃは１５７７Ｏｅ、Ｓ* は７
７．２％、出力は１６９μＶ、ノイズは２．９３μＶで
あった。
チャリングを施さず、第１下地膜としてＴａ30Ｍｏ 70を
４００Å、第２下地膜としてＣｒ85Ｔｉ15を２００Å成
膜した以外は前記実施例１０と同様にして磁気記録媒体
を作製した。この比較例１５により作製された磁気記録
媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例
１０と同様に測定し、Ｈｃは１５７７Ｏｅ、Ｓ* は７
７．２％、出力は１６９μＶ、ノイズは２．９３μＶで
あった。
【００４０】［実施例１４］非磁性基板を単結晶Ｓｉと
した以外は前記実施例１０と同様にして磁気記録媒体を
作製した。この実施例１４により作製された磁気記録媒
体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１
０と同様に測定し、Ｈｃは２６７２Ｏｅ、Ｓ* は８４．
０％、出力は２１１μＶ、ノイズは２．３２μＶであっ
た。
した以外は前記実施例１０と同様にして磁気記録媒体を
作製した。この実施例１４により作製された磁気記録媒
体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１
０と同様に測定し、Ｈｃは２６７２Ｏｅ、Ｓ* は８４．
０％、出力は２１１μＶ、ノイズは２．３２μＶであっ
た。
【００４１】［実施例１５］非磁性基板を結晶化ガラス
（ＯＨＡＲＡ製）とした以外は前記実施例１０と同様に
して磁気記録媒体を作製した。この実施例１５により作
製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性につ
いても前記実施例１０と同様に測定し、Ｈｃは２６８０
Ｏｅ、Ｓ* は８５．３％、出力は２１２μＶ、ノイズは
２．１１μＶであった。
（ＯＨＡＲＡ製）とした以外は前記実施例１０と同様に
して磁気記録媒体を作製した。この実施例１５により作
製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性につ
いても前記実施例１０と同様に測定し、Ｈｃは２６８０
Ｏｅ、Ｓ* は８５．３％、出力は２１２μＶ、ノイズは
２．１１μＶであった。
【００４２】［比較例１６］非磁性基板を結晶化ガラス
（ＯＨＡＲＡ製）とし、さらに第１下地膜としてＣｒを
５００Å成膜し、第２下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20を３０
０Å成膜した以外は前記実施例１０と同様にして磁気記
録媒体を作製した。この比較例１６により作製された磁
気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記
実施例１０と同様に測定し、Ｈｃは２２３１Ｏｅ、Ｓ*
は７２．８％、出力は１５８μＶ、ノイズは３．５３μ
Ｖであった。
（ＯＨＡＲＡ製）とし、さらに第１下地膜としてＣｒを
５００Å成膜し、第２下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20を３０
０Å成膜した以外は前記実施例１０と同様にして磁気記
録媒体を作製した。この比較例１６により作製された磁
気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記
実施例１０と同様に測定し、Ｈｃは２２３１Ｏｅ、Ｓ*
は７２．８％、出力は１５８μＶ、ノイズは３．５３μ
Ｖであった。
【００４３】［比較例１７］ＮｉＰメッキ基板を２×１
０-7Ｔｏｒｒまで排気した後、第１下地膜としてＴａタ
ーゲットをＡｒガス雰囲気中で成膜することによりＴａ
膜を４００Å成膜した以外は前記実施例１０と同様にし
て磁気記録媒体を作製した。この比較例１７により作製
された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性につい
ても前記実施例１０と同様に測定し、Ｈｃは２３５０Ｏ
ｅ、Ｓ* は７３．４％、出力は１６５μＶ、ノイズは
３．５３μＶであった。尚、このようにして作製された
磁気記録媒体のＸ線回折強度を測定したところ、図３に
示すようにβ−Ｔａのみが形成されていた。
０-7Ｔｏｒｒまで排気した後、第１下地膜としてＴａタ
ーゲットをＡｒガス雰囲気中で成膜することによりＴａ
膜を４００Å成膜した以外は前記実施例１０と同様にし
て磁気記録媒体を作製した。この比較例１７により作製
された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性につい
ても前記実施例１０と同様に測定し、Ｈｃは２３５０Ｏ
ｅ、Ｓ* は７３．４％、出力は１６５μＶ、ノイズは
３．５３μＶであった。尚、このようにして作製された
磁気記録媒体のＸ線回折強度を測定したところ、図３に
示すようにβ−Ｔａのみが形成されていた。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気記録
媒体は、媒体ノイズを低減させ、高出力が得られるＭＲ
ヘッド対応の磁気記録媒体として利用することができ
る。例えば前述した従来のＣｒ又はＣｒ合金を下地膜と
する手法やＣｒをプレコートする手法と比較して、本発
明の方が出力、ノイズ等の特性が著しく優れたものが得
られる。また、第２下地膜の膜厚を２５〜５００Åにし
た場合、特に低ノイズ媒体が得られるものになる。さら
に、Ｃｏ合金磁性膜の組成をＣｏＣｒＰｔＴａの４元合
金にした場合、高保磁力化が図れる。
媒体は、媒体ノイズを低減させ、高出力が得られるＭＲ
ヘッド対応の磁気記録媒体として利用することができ
る。例えば前述した従来のＣｒ又はＣｒ合金を下地膜と
する手法やＣｒをプレコートする手法と比較して、本発
明の方が出力、ノイズ等の特性が著しく優れたものが得
られる。また、第２下地膜の膜厚を２５〜５００Åにし
た場合、特に低ノイズ媒体が得られるものになる。さら
に、Ｃｏ合金磁性膜の組成をＣｏＣｒＰｔＴａの４元合
金にした場合、高保磁力化が図れる。
【００４５】特に１〜５０ａｔ％のＮを含むＴａＮ合
金、５〜４０ａｔ％のＳｉを含むＴａＳｉ合金、５〜５
０ａｔ％のＭｏを含むＴａＭｏ合金から選ばれる合金で
第１下地膜を構成した場合、保磁力、再生時の出力、ノ
イズ等の特性がより一層優れたものとなる。この場合、
第２下地膜の膜厚を２５〜１５００Åにした場合、特に
低ノイズ媒体がられるものになる。
金、５〜４０ａｔ％のＳｉを含むＴａＳｉ合金、５〜５
０ａｔ％のＭｏを含むＴａＭｏ合金から選ばれる合金で
第１下地膜を構成した場合、保磁力、再生時の出力、ノ
イズ等の特性がより一層優れたものとなる。この場合、
第２下地膜の膜厚を２５〜１５００Åにした場合、特に
低ノイズ媒体がられるものになる。
【図１】本発明の一実施例の磁気記録媒体を模式的に示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】実施例１０におけるＸ線回折チャートである。
【図３】比較例１７におけるＸ線回折チャートである。
１ 非磁性基板 ２ 非磁性下地膜 ２１ 第１下地膜 ２２ 第２下地膜 ３ 磁性膜 ４ 保護膜
Claims (10)
- 【請求項１】 非磁性基板、非磁性下地膜、磁性膜及び
保護膜を基本構成とする磁気記録媒体であって、 前記非磁性下地膜は、Ｔａ，Ａｇ，Ａｌから選ばれる元
素を主として構成される第１下地膜の上に、Ｃｒのみ、
又はＣｒ合金で構成される第２下地膜を積層してなり、 前記磁性膜は、Ｃｏを主成分とする合金で構成される膜
であることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 第１下地膜は、１〜５０ａｔ％のＮを含
むＴａＮ合金、５〜４０ａｔ％のＳｉを含むＴａＳｉ合
金、５〜５０ａｔ％のＭｏを含むＴａＭｏ合金から選ば
れることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 非磁性基板がＮｉＰをメッキしたＡｌ基
板であることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気
記録媒体。 - 【請求項４】 非磁性基板がガラス基板であることを特
徴とする請求項１又は２に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 非磁性基板がＳｉ基板であることを特徴
とする請求項１又は２に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項６】 第１下地膜が２５〜１０００Åの膜厚で
あることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載
の磁気記録媒体。 - 【請求項７】 第１下地膜がＴａ合金で形成され、α−
Ｔａのみ、若しくはα−Ｔａ及びβ−Ｔａが形成される
ことを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載の磁
気記録媒体。 - 【請求項８】 磁性膜がＣｏＣｒＰｔＴａの４元合金よ
りなることを特徴とする請求項１〜７の何れか一項に記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項９】 磁性膜の残留磁化膜厚積（ＢｒＴ）が５
０〜１３０Ｇμｍであることを特徴とする請求項１〜８
の何れか一項に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１０】 非磁性基板上に、少なくとも非磁性下
地膜としてまずＴａ，Ａｇ，Ａｌから選ばれる元素を主
として構成される第１下地膜を成膜し、その後Ｃｒの
み、又はＣｒ合金で構成される第２下地膜を成膜し、磁
性膜としてＣｏを主成分とする合金で構成される膜、さ
らに保護膜を順次成膜したことを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25598696A JP3682132B2 (ja) | 1996-07-26 | 1996-09-27 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-197588 | 1996-07-26 | ||
| JP19758896 | 1996-07-26 | ||
| JP25598696A JP3682132B2 (ja) | 1996-07-26 | 1996-09-27 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092638A true JPH1092638A (ja) | 1998-04-10 |
| JP3682132B2 JP3682132B2 (ja) | 2005-08-10 |
Family
ID=26510451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25598696A Expired - Fee Related JP3682132B2 (ja) | 1996-07-26 | 1996-09-27 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3682132B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6664784B1 (en) | 1998-11-26 | 2003-12-16 | Nec Corporation | Magneto-resistive sensor with ZR base layer and method of fabricating the same |
| US7115191B2 (en) * | 2001-03-05 | 2006-10-03 | Anelva Corporation | Magnetic recording disk, magnetic recording disk manufacturing method and magnetic recording disk manufacturing system |
-
1996
- 1996-09-27 JP JP25598696A patent/JP3682132B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6664784B1 (en) | 1998-11-26 | 2003-12-16 | Nec Corporation | Magneto-resistive sensor with ZR base layer and method of fabricating the same |
| US7115191B2 (en) * | 2001-03-05 | 2006-10-03 | Anelva Corporation | Magnetic recording disk, magnetic recording disk manufacturing method and magnetic recording disk manufacturing system |
| US7517438B2 (en) | 2001-03-05 | 2009-04-14 | Canon Anelva Corporation | Magnetic recording disk, magnetic recording disk manufacturing method and magnetic recording disk manufacturing system |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3682132B2 (ja) | 2005-08-10 |
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