JPH1041133A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH1041133A JPH1041133A JP19758996A JP19758996A JPH1041133A JP H1041133 A JPH1041133 A JP H1041133A JP 19758996 A JP19758996 A JP 19758996A JP 19758996 A JP19758996 A JP 19758996A JP H1041133 A JPH1041133 A JP H1041133A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気ドラム、磁気テープ、磁気ディスク等の
磁気記録媒体に関し、特に記録再生時の媒体ノイズを低
減させた磁気記録媒体及びその製造方法を提案する。 【解決手段】 非磁性基板１、非磁性下地膜２、磁性膜
３及び保護膜４を基本構成とする磁気記録媒体であっ
て、前記非磁性下地膜１は、Ｓｉからなる第１下地膜２
１の上に、Ｔａ，Ａｇから選ばれる元素で構成される第
２下地膜２２を積層し、さらにその上にＣｒのみ、又は
Ｔｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｔａを一種以上含有するＣｒ合金で
構成される第３下地膜２３を積層したものであり、前記
磁性膜３は、Ｃｏを主成分とする合金で構成される膜で
ある。
磁気記録媒体に関し、特に記録再生時の媒体ノイズを低
減させた磁気記録媒体及びその製造方法を提案する。 【解決手段】 非磁性基板１、非磁性下地膜２、磁性膜
３及び保護膜４を基本構成とする磁気記録媒体であっ
て、前記非磁性下地膜１は、Ｓｉからなる第１下地膜２
１の上に、Ｔａ，Ａｇから選ばれる元素で構成される第
２下地膜２２を積層し、さらにその上にＣｒのみ、又は
Ｔｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｔａを一種以上含有するＣｒ合金で
構成される第３下地膜２３を積層したものであり、前記
磁性膜３は、Ｃｏを主成分とする合金で構成される膜で
ある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ドラム、磁気
テープ、磁気ディスク等の磁気記録媒体に関し、特に記
録再生時の媒体ノイズを低減させた磁気記録媒体及びそ
の製造方法に関する。
テープ、磁気ディスク等の磁気記録媒体に関し、特に記
録再生時の媒体ノイズを低減させた磁気記録媒体及びそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気ディスク装置等の高記録密度
化に伴い、再生感度の高い磁気抵抗効果を用いた磁気ヘ
ッド（以下、ＭＲヘッドという）に適した磁気記録媒体
が必要とされている。ＭＲヘッドは、従来の電磁誘導型
ヘッドに比べてヘッドノイズが低いため、磁性媒体にお
いても磁気ディスク装置全体の信号対ノイズ比（Ｓ／
Ｎ）を改善するためには、媒体ノイズの低下が極めて重
要な課題となっている。
化に伴い、再生感度の高い磁気抵抗効果を用いた磁気ヘ
ッド（以下、ＭＲヘッドという）に適した磁気記録媒体
が必要とされている。ＭＲヘッドは、従来の電磁誘導型
ヘッドに比べてヘッドノイズが低いため、磁性媒体にお
いても磁気ディスク装置全体の信号対ノイズ比（Ｓ／
Ｎ）を改善するためには、媒体ノイズの低下が極めて重
要な課題となっている。
【０００３】また、ＭＲヘッド用の磁気記録媒体では記
録密度の向上に伴い、ヘッドの低フライングハイト化が
要求されるため、従来に比べて基板には高い表面平滑性
が要求され、基板の表面平均粗さＲａは小さくなってい
る。現在、一般に用いられているＡｌ合金を基板とした
磁気ディスク用記録媒体としては、前記非磁性基板上
に、非磁性下地膜としてＣｒ又はＣｒ合金を成膜した上
に、磁性膜としてＣｏを主成分とするＣｏＣｒＴａ合金
などを成膜したものが各種提案され、実用化されてい
る。例えば特開平１−２３２５２２号公報には、非磁性
下地膜としてＣｒ、又はＣｒ中にＣｕ，Ｎｂ，Ｔｉ，
Ｖ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｚｎ，Ｗ，Ｔａのうち１種以上の金属
を添加した合金を成膜することにより磁気特性、特に保
磁力を向上させることが提案されている。また、特公平
８−３８９３号公報には、非磁性基板上にＣｒＴｉから
なる下地層を形成することで、保磁力及びＳ／Ｎ等の特
性を向上することが提案されている。さらに、ガラス基
板等にＣｒをプレコートし、該膜上にＣｒ又はＣｒ合金
を形成し、さらにその上にＣｏからなる磁性層を形成さ
せる手法も知られている。
録密度の向上に伴い、ヘッドの低フライングハイト化が
要求されるため、従来に比べて基板には高い表面平滑性
が要求され、基板の表面平均粗さＲａは小さくなってい
る。現在、一般に用いられているＡｌ合金を基板とした
磁気ディスク用記録媒体としては、前記非磁性基板上
に、非磁性下地膜としてＣｒ又はＣｒ合金を成膜した上
に、磁性膜としてＣｏを主成分とするＣｏＣｒＴａ合金
などを成膜したものが各種提案され、実用化されてい
る。例えば特開平１−２３２５２２号公報には、非磁性
下地膜としてＣｒ、又はＣｒ中にＣｕ，Ｎｂ，Ｔｉ，
Ｖ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｚｎ，Ｗ，Ｔａのうち１種以上の金属
を添加した合金を成膜することにより磁気特性、特に保
磁力を向上させることが提案されている。また、特公平
８−３８９３号公報には、非磁性基板上にＣｒＴｉから
なる下地層を形成することで、保磁力及びＳ／Ｎ等の特
性を向上することが提案されている。さらに、ガラス基
板等にＣｒをプレコートし、該膜上にＣｒ又はＣｒ合金
を形成し、さらにその上にＣｏからなる磁性層を形成さ
せる手法も知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記特開平１−２３２
５２２号公報では、非磁性下地膜としてＣｒ又はＣｒ合
金を用いているが、基板の平滑化に伴い、テクスチャリ
ング等によるディスクの円周方向の異方性制御の効果が
弱まり、保磁力が低下し、再生時の出力が低下してしま
うものであった。さらに、同程度の出力を得るために磁
性層の膜厚を厚くすると、記録再生時のノイズが高くな
るという問題があった。また、前記特公平８−３８９３
号公報に記載のＣｒＴｉを下地層に用いる方法では、デ
ィスクを搬送するトレー部を大気中に出さなくても良い
ように工夫し、成膜時にトレー部からの脱ガスの影響を
少なくするようにしたアネルバ社製「３１００スパッタ
機改良タイプ」で成膜した場合、下地にＣｒを成膜した
ものの特性はより顕著に向上し、下地にＣｒＴｉを用い
たものと比較して特性的に殆ど差が無くなりＣｒＴｉの
効果は特に見られない。しかも、再生出力及びノイズ等
の特性は共に十分満足できるものではなかった。ＳＩＭ
Ｓによる分析でＣｒ合金とＣｏ合金の界面の16ＯのＮｉ
Ｐメッキ層内部の31Ｐ強度で補正した値で比較すると、
アネルバ社製「３１００スパッタ機」が０．２０、「３
１００スパッタ機改良タイプ」の方が０．１１であり、
界面の酸素量に違いが見られる。さらに、前記Ｃｒをプ
レコートする手法では、ガラス基板からの脱ガスを防止
でき、磁気特性を幾分かは向上させることが可能である
が、十分満足できるものではなかった。こうした問題点
に鑑み、本発明の目的は、記録再生時のノイズが十分に
低く、再生出力が十分に高く出るようなＭＲヘッドと好
適に組み合わされる磁気記録媒体を提供することにあ
る。
５２２号公報では、非磁性下地膜としてＣｒ又はＣｒ合
金を用いているが、基板の平滑化に伴い、テクスチャリ
ング等によるディスクの円周方向の異方性制御の効果が
弱まり、保磁力が低下し、再生時の出力が低下してしま
うものであった。さらに、同程度の出力を得るために磁
性層の膜厚を厚くすると、記録再生時のノイズが高くな
るという問題があった。また、前記特公平８−３８９３
号公報に記載のＣｒＴｉを下地層に用いる方法では、デ
ィスクを搬送するトレー部を大気中に出さなくても良い
ように工夫し、成膜時にトレー部からの脱ガスの影響を
少なくするようにしたアネルバ社製「３１００スパッタ
機改良タイプ」で成膜した場合、下地にＣｒを成膜した
ものの特性はより顕著に向上し、下地にＣｒＴｉを用い
たものと比較して特性的に殆ど差が無くなりＣｒＴｉの
効果は特に見られない。しかも、再生出力及びノイズ等
の特性は共に十分満足できるものではなかった。ＳＩＭ
Ｓによる分析でＣｒ合金とＣｏ合金の界面の16ＯのＮｉ
Ｐメッキ層内部の31Ｐ強度で補正した値で比較すると、
アネルバ社製「３１００スパッタ機」が０．２０、「３
１００スパッタ機改良タイプ」の方が０．１１であり、
界面の酸素量に違いが見られる。さらに、前記Ｃｒをプ
レコートする手法では、ガラス基板からの脱ガスを防止
でき、磁気特性を幾分かは向上させることが可能である
が、十分満足できるものではなかった。こうした問題点
に鑑み、本発明の目的は、記録再生時のノイズが十分に
低く、再生出力が十分に高く出るようなＭＲヘッドと好
適に組み合わされる磁気記録媒体を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】記録再生時のノイズを高
くすることなく、再生時の出力を高くするためには、非
磁性下地膜のＣｒ又はＣｒ合金及び、その上のＣｏ合金
をエピタキシャルに成長させることが望ましい。即ち、
前記の目的を達成するために、非磁性基板、非磁性下地
膜、磁性膜及び保護膜を基本構成とする磁気記録媒体で
あって、前記非磁性下地膜は、Ｓｉで構成される第１下
地層の上に、Ｔａ，Ａｇから選ばれる元素で構成される
第２下地膜を積層し、さらにその上にＣｒのみ、又はＴ
ｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｔａを一種以上含有するＣｒ合金で構
成される第３下地膜を積層してなり、前記磁性膜は、Ｃ
ｏを主成分とする合金で構成される膜であることを特徴
とする磁気記録媒体及びその製造方法を提案する。
くすることなく、再生時の出力を高くするためには、非
磁性下地膜のＣｒ又はＣｒ合金及び、その上のＣｏ合金
をエピタキシャルに成長させることが望ましい。即ち、
前記の目的を達成するために、非磁性基板、非磁性下地
膜、磁性膜及び保護膜を基本構成とする磁気記録媒体で
あって、前記非磁性下地膜は、Ｓｉで構成される第１下
地層の上に、Ｔａ，Ａｇから選ばれる元素で構成される
第２下地膜を積層し、さらにその上にＣｒのみ、又はＴ
ｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｔａを一種以上含有するＣｒ合金で構
成される第３下地膜を積層してなり、前記磁性膜は、Ｃ
ｏを主成分とする合金で構成される膜であることを特徴
とする磁気記録媒体及びその製造方法を提案する。
【０００６】
【発明の実施の形態】前記本発明における非磁性基板と
しては、磁気記録媒体用基板として一般に用いられるＮ
ｉＰメッキ膜が形成されたＡｌ合金（以下、ＮｉＰメッ
キＡｌ基板という）に加え、表面平滑性に優れるガラス
基板、シリコン基板などを用いることができる。前述の
ようにＭＲヘッド用の磁気記録媒体では記録密度の向上
に伴い、ヘッドの低フライングハイト化が要求されるた
め、従来に比べ基板に対して高い表面平滑性が必要とさ
れる。即ち、本発明に用いられる基板は、表面平均粗さ
Ｒａが２０Å以下であることが望ましい。
しては、磁気記録媒体用基板として一般に用いられるＮ
ｉＰメッキ膜が形成されたＡｌ合金（以下、ＮｉＰメッ
キＡｌ基板という）に加え、表面平滑性に優れるガラス
基板、シリコン基板などを用いることができる。前述の
ようにＭＲヘッド用の磁気記録媒体では記録密度の向上
に伴い、ヘッドの低フライングハイト化が要求されるた
め、従来に比べ基板に対して高い表面平滑性が必要とさ
れる。即ち、本発明に用いられる基板は、表面平均粗さ
Ｒａが２０Å以下であることが望ましい。
【０００７】また、前記本発明における非磁性下地膜
は、Ｓｉで構成される第１下地膜の上に、Ｔａ，Ａｇか
ら選ばれる元素で構成される第２下地膜を積層し、さら
にその上にＣｒのみ、又はＴｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｔａを一
種以上含有するＣｒ合金で構成される第３下地膜を積層
してなる。前記第１下地膜を形成した場合、非磁性基板
と第２下地層との密着性が向上する。また、形成しない
場合と比較して保磁力、角型比の上昇が見られ、高出力
化が可能になる。その理由として、非磁性基板の表面に
存在する元素や特にガラス基板で起こるＯイオンの第２
下地膜への拡散、非磁性基板内に存在する気孔や粒界に
保持（内包）されているＨ2 Ｏ、Ｈ2 の放出による悪影
響、例えば磁性膜での保磁力（Ｈｃ）が低下して角型比
で代表される磁化のヒステリシスが適当でなくなり、高
記録密度化を達成することができないこともあるが、こ
れらを防ぐことができる為と考えられる。この第１下地
膜の膜厚としては、２５〜１０００Åが望ましい。第１
下地膜の膜厚が２５Åより薄いと、その上に積層させる
第２下地膜、第３下地膜及びＣｏ合金磁性膜において結
晶性の良いエピタキシャル成長が不十分になり、１００
０Åより厚いと、第１下地膜を成膜する時間が長くな
り、プロセス全体の処理能力が低くなるので好ましくな
い。したがって、第１下地膜の膜厚は２５〜１０００Å
であることが望ましい。尚、この第１下地膜は、Ｓｉ
に、第１下地膜を成膜する効果を損なわない範囲で他の
元素を１種以上添加したものでも良い。前記第２下地膜
を形成した場合、その上に形成される第３下地膜及びＣ
ｏ合金磁性膜が結晶性のよいエピタキシャル成長をする
と考えられる。この第２下地膜の膜厚としては、２５〜
１０００Åが望ましい。第２下地膜の膜厚が２５Åより
薄いと、その上に積層させる第３下地膜及びＣｏ合金磁
性膜において結晶性の良いエピタキシャル成長させる効
果が不十分になる傾向があり、１０００Åより厚いと、
第２下地膜を形成する時間が長くなり、プロセス全体の
処理能力が低くなるので好ましくない。したがって、第
２下地膜の膜厚は２５〜１０００Åであることが望まし
い。尚、この第２下地膜は、Ｔａ、Ａｇから選ばれる元
素に、第２下地膜を成膜する効果を損なわない範囲で他
の元素を１種以上添加したものでも良い。前記第３下地
膜の膜厚としては２５〜５００Åが望ましい。第３下地
膜の膜厚が２５Åより薄いと、如何なるＣｒ合金膜を用
いても保磁力Ｈｃの低下を抑えることが困難であり、５
００Åより厚いと、その上に形成するＣｏ合金磁性膜の
結晶粒子粗大化により媒体ノイズ低減化が困難になる。
したがって、第３下地膜の膜厚は２５〜５００Åである
ことが望ましい。尚、この第３下地膜は、Ｃｒのみ、又
はＴｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｔａを一種以上含有するＣｒ合金
に、第３下地膜を成膜する効果を損なわない範囲で他の
元素を１種以上添加したものでも良い。
は、Ｓｉで構成される第１下地膜の上に、Ｔａ，Ａｇか
ら選ばれる元素で構成される第２下地膜を積層し、さら
にその上にＣｒのみ、又はＴｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｔａを一
種以上含有するＣｒ合金で構成される第３下地膜を積層
してなる。前記第１下地膜を形成した場合、非磁性基板
と第２下地層との密着性が向上する。また、形成しない
場合と比較して保磁力、角型比の上昇が見られ、高出力
化が可能になる。その理由として、非磁性基板の表面に
存在する元素や特にガラス基板で起こるＯイオンの第２
下地膜への拡散、非磁性基板内に存在する気孔や粒界に
保持（内包）されているＨ2 Ｏ、Ｈ2 の放出による悪影
響、例えば磁性膜での保磁力（Ｈｃ）が低下して角型比
で代表される磁化のヒステリシスが適当でなくなり、高
記録密度化を達成することができないこともあるが、こ
れらを防ぐことができる為と考えられる。この第１下地
膜の膜厚としては、２５〜１０００Åが望ましい。第１
下地膜の膜厚が２５Åより薄いと、その上に積層させる
第２下地膜、第３下地膜及びＣｏ合金磁性膜において結
晶性の良いエピタキシャル成長が不十分になり、１００
０Åより厚いと、第１下地膜を成膜する時間が長くな
り、プロセス全体の処理能力が低くなるので好ましくな
い。したがって、第１下地膜の膜厚は２５〜１０００Å
であることが望ましい。尚、この第１下地膜は、Ｓｉ
に、第１下地膜を成膜する効果を損なわない範囲で他の
元素を１種以上添加したものでも良い。前記第２下地膜
を形成した場合、その上に形成される第３下地膜及びＣ
ｏ合金磁性膜が結晶性のよいエピタキシャル成長をする
と考えられる。この第２下地膜の膜厚としては、２５〜
１０００Åが望ましい。第２下地膜の膜厚が２５Åより
薄いと、その上に積層させる第３下地膜及びＣｏ合金磁
性膜において結晶性の良いエピタキシャル成長させる効
果が不十分になる傾向があり、１０００Åより厚いと、
第２下地膜を形成する時間が長くなり、プロセス全体の
処理能力が低くなるので好ましくない。したがって、第
２下地膜の膜厚は２５〜１０００Åであることが望まし
い。尚、この第２下地膜は、Ｔａ、Ａｇから選ばれる元
素に、第２下地膜を成膜する効果を損なわない範囲で他
の元素を１種以上添加したものでも良い。前記第３下地
膜の膜厚としては２５〜５００Åが望ましい。第３下地
膜の膜厚が２５Åより薄いと、如何なるＣｒ合金膜を用
いても保磁力Ｈｃの低下を抑えることが困難であり、５
００Åより厚いと、その上に形成するＣｏ合金磁性膜の
結晶粒子粗大化により媒体ノイズ低減化が困難になる。
したがって、第３下地膜の膜厚は２５〜５００Åである
ことが望ましい。尚、この第３下地膜は、Ｃｒのみ、又
はＴｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｔａを一種以上含有するＣｒ合金
に、第３下地膜を成膜する効果を損なわない範囲で他の
元素を１種以上添加したものでも良い。
【０００８】前記本発明における磁性膜は、Ｃｏを主成
分とする合金で構成されるが、Ｐｔを含有するＣｏＣｒ
Ｐｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａなどが好適に用いられる。特に
下地の効果が顕著に現れるのは、ＣｏＣｒＰｔＴａを用
いた時である。尚、この磁性膜の膜厚は、ＭＲヘッド用
の磁性媒体であることを考慮すると、残留磁化膜厚積Ｂ
ｒＴが５０〜１３０Ｇμｍとなるように調整することが
望ましい。残留磁化膜厚積ＢｒＴが５０Ｇμｍを下回る
と、適切な出力が得られず、１３０Ｇμｍを越えると、
ＭＲメディアに適した特性を得ることができない。
分とする合金で構成されるが、Ｐｔを含有するＣｏＣｒ
Ｐｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａなどが好適に用いられる。特に
下地の効果が顕著に現れるのは、ＣｏＣｒＰｔＴａを用
いた時である。尚、この磁性膜の膜厚は、ＭＲヘッド用
の磁性媒体であることを考慮すると、残留磁化膜厚積Ｂ
ｒＴが５０〜１３０Ｇμｍとなるように調整することが
望ましい。残留磁化膜厚積ＢｒＴが５０Ｇμｍを下回る
と、適切な出力が得られず、１３０Ｇμｍを越えると、
ＭＲメディアに適した特性を得ることができない。
【０００９】その他の構成或いは成膜方法等については
特に限定するものではなく、例えば保護膜としては、カ
ーボン等公知の構成のものを採用すれば良く、また成膜
方法としては、通常スパッタ法が用いられるが、蒸着、
イオンプレーティング、メッキ法等を用いることもでき
る。
特に限定するものではなく、例えば保護膜としては、カ
ーボン等公知の構成のものを採用すれば良く、また成膜
方法としては、通常スパッタ法が用いられるが、蒸着、
イオンプレーティング、メッキ法等を用いることもでき
る。
【００１０】こうして作製される本発明の磁気記録媒体
は、非磁性下地膜として、Ｃｒ又はＣｒ合金からなる第
３下地膜の成膜に先だって、Ｔａ、Ａｇから選ばれる元
素で構成される第２下地膜をプレコートする構造であ
り、しかも非磁性基板との密着性を向上するため、Ｓｉ
で構成される第１下地膜をプレコートする構造であるた
め、保磁力、再生時の出力、ノイズ等の特性が優れてい
る。
は、非磁性下地膜として、Ｃｒ又はＣｒ合金からなる第
３下地膜の成膜に先だって、Ｔａ、Ａｇから選ばれる元
素で構成される第２下地膜をプレコートする構造であ
り、しかも非磁性基板との密着性を向上するため、Ｓｉ
で構成される第１下地膜をプレコートする構造であるた
め、保磁力、再生時の出力、ノイズ等の特性が優れてい
る。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を示す。但し、本発明
は以下の実施例に限定されるものではなく、特許請求の
範囲に記載の構成を変更しない限りどのようにでも実施
することができる。
は以下の実施例に限定されるものではなく、特許請求の
範囲に記載の構成を変更しない限りどのようにでも実施
することができる。
【００１２】［実施例１］ＮｉＰメッキＡｌ基板に表面
粗さＲａ１５Åのテクスチャリングを施した後、アネル
バ社製「３１００スパッタ機」内にセットした。到達真
空度２×１０-7Ｔｏｒｒまで排気した後、第１下地膜と
してＳｉを３００Å成膜し、第２下地膜としてＴａを３
００Å成膜し、第３下地膜としてＣｒ85Ｔｉ15合金膜を
２００Å成膜した。引き続きＣｏ78Ｃｒ13Ｐｔ6 Ｔａ3
合金磁性膜を成膜した。さらに、磁性膜の上には保護膜
としてカーボンを１５０Å成膜した。成膜時のＡｒ圧力
は各々３ｍＴｏｒｒとした。磁性膜の膜厚は残留磁化膜
厚積（ＢｒＴ）で１１０Ｇμｍであった。尚、得られた
磁気記録媒体の構造を図１に模式的に示した。図中、１
は非磁性基板，２は非磁性下地膜，２１は第１下地膜，
２２は第２下地膜，２３は第３下地膜，３は磁性膜，４
は保護膜である。この実施例１により作製された磁気記
録媒体の磁気特性は、振動式磁気特性装置（ＶＳＭ）を
用いて測定し、保磁力（Ｈｃ）は２７４３Ｏｅ、保磁力
角型比（Ｓ* ）は８６．８％であった。磁気記録媒体の
記録再生特性は、再生部に磁気抵抗（ＭＲ）素子を有す
る複合型薄膜磁気ヘッドを用い、線記録密度１４８．５
ＫＦＣＩにて測定した。実施例１の磁気記録媒体の記録
再生時の出力は、２３０μＶ、ノイズは２．２８μＶで
あった。
粗さＲａ１５Åのテクスチャリングを施した後、アネル
バ社製「３１００スパッタ機」内にセットした。到達真
空度２×１０-7Ｔｏｒｒまで排気した後、第１下地膜と
してＳｉを３００Å成膜し、第２下地膜としてＴａを３
００Å成膜し、第３下地膜としてＣｒ85Ｔｉ15合金膜を
２００Å成膜した。引き続きＣｏ78Ｃｒ13Ｐｔ6 Ｔａ3
合金磁性膜を成膜した。さらに、磁性膜の上には保護膜
としてカーボンを１５０Å成膜した。成膜時のＡｒ圧力
は各々３ｍＴｏｒｒとした。磁性膜の膜厚は残留磁化膜
厚積（ＢｒＴ）で１１０Ｇμｍであった。尚、得られた
磁気記録媒体の構造を図１に模式的に示した。図中、１
は非磁性基板，２は非磁性下地膜，２１は第１下地膜，
２２は第２下地膜，２３は第３下地膜，３は磁性膜，４
は保護膜である。この実施例１により作製された磁気記
録媒体の磁気特性は、振動式磁気特性装置（ＶＳＭ）を
用いて測定し、保磁力（Ｈｃ）は２７４３Ｏｅ、保磁力
角型比（Ｓ* ）は８６．８％であった。磁気記録媒体の
記録再生特性は、再生部に磁気抵抗（ＭＲ）素子を有す
る複合型薄膜磁気ヘッドを用い、線記録密度１４８．５
ＫＦＣＩにて測定した。実施例１の磁気記録媒体の記録
再生時の出力は、２３０μＶ、ノイズは２．２８μＶで
あった。
【００１３】［実施例２］アネルバ社製「３１００スパ
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、さらに第３下地膜としてＣｒ80Ｔ
ｉ20を３００Å成膜した以外は前記実施例１と同様にし
て磁気記録媒体を作製した。この実施例２により作製さ
れた磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性について
も前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２７２２Ｏｅ、
Ｓ* は８５．３％、出力は２２５μＶ、ノイズは２．２
９μＶであった。
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、さらに第３下地膜としてＣｒ80Ｔ
ｉ20を３００Å成膜した以外は前記実施例１と同様にし
て磁気記録媒体を作製した。この実施例２により作製さ
れた磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性について
も前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２７２２Ｏｅ、
Ｓ* は８５．３％、出力は２２５μＶ、ノイズは２．２
９μＶであった。
【００１４】［実施例３］アネルバ社製「３１００スパ
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、さらに第３下地膜としてＣｒを３
００Å成膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記
録媒体を作製した。この実施例３により作製された磁気
記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実
施例１と同様に測定し、Ｈｃは２７０１Ｏｅ、Ｓ* は８
４．５％、出力は２１９μＶ、ノイズは２．３１μＶで
あった。
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、さらに第３下地膜としてＣｒを３
００Å成膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記
録媒体を作製した。この実施例３により作製された磁気
記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実
施例１と同様に測定し、Ｈｃは２７０１Ｏｅ、Ｓ* は８
４．５％、出力は２１９μＶ、ノイズは２．３１μＶで
あった。
【００１５】［比較例１］アネルバ社製「３１００スパ
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第１下地膜及び第２下地膜を成膜
せず、第３下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20を３００Å成膜し
た以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製
した。この比較例１により作製された磁気記録媒体の磁
気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様
に測定し、Ｈｃは２１５７Ｏｅ、Ｓ* は７０．８％、出
力は１５５μＶ、ノイズは３．２３μＶであった。
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第１下地膜及び第２下地膜を成膜
せず、第３下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20を３００Å成膜し
た以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製
した。この比較例１により作製された磁気記録媒体の磁
気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様
に測定し、Ｈｃは２１５７Ｏｅ、Ｓ* は７０．８％、出
力は１５５μＶ、ノイズは３．２３μＶであった。
【００１６】［比較例２］第１下地膜及び第２下地膜を
成膜せず、第３下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20を３００Å成
膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を
作製した。この比較例２により作製された磁気記録媒体
の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と
同様に測定し、Ｈｃは２３５７Ｏｅ、Ｓ* は８２．８
％、出力は１８０μＶ、ノイズは３．２３μＶであっ
た。
成膜せず、第３下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20を３００Å成
膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を
作製した。この比較例２により作製された磁気記録媒体
の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と
同様に測定し、Ｈｃは２３５７Ｏｅ、Ｓ* は８２．８
％、出力は１８０μＶ、ノイズは３．２３μＶであっ
た。
【００１７】［比較例３］第１下地膜及び第２下地膜を
成膜せず、第３下地膜としてＣｒを３００Å成膜した以
外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製し
た。この比較例３により作製された磁気記録媒体の磁気
特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様に
測定し、Ｈｃは２０９４Ｏｅ、Ｓ* は７１．０％、出力
は１５０μＶ、ノイズは３．９６μＶであった。
成膜せず、第３下地膜としてＣｒを３００Å成膜した以
外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製し
た。この比較例３により作製された磁気記録媒体の磁気
特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様に
測定し、Ｈｃは２０９４Ｏｅ、Ｓ* は７１．０％、出力
は１５０μＶ、ノイズは３．９６μＶであった。
【００１８】［比較例４］アネルバ社製「３１００スパ
ッタ機改良タイプ」を用い、第１下地膜及び第２下地膜
を成膜せず、第３下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20を３００Å
成膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体
を作製した。この比較例４により作製された磁気記録媒
体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１
と同様に測定し、Ｈｃは２４０５Ｏｅ、Ｓ* は８３．０
％、出力は１８２μＶ、ノイズは３．０２μＶであっ
た。
ッタ機改良タイプ」を用い、第１下地膜及び第２下地膜
を成膜せず、第３下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20を３００Å
成膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体
を作製した。この比較例４により作製された磁気記録媒
体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１
と同様に測定し、Ｈｃは２４０５Ｏｅ、Ｓ* は８３．０
％、出力は１８２μＶ、ノイズは３．０２μＶであっ
た。
【００１９】［比較例５］アネルバ社製「３１００スパ
ッタ機改良タイプ」を用い、第１下地膜及び第２下地膜
を成膜せず、第３下地膜としてＣｒを３００Å成膜した
以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製し
た。この比較例５により作製された磁気記録媒体の磁気
特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様に
測定し、Ｈｃは２３６０Ｏｅ、Ｓ* は８１．２％、出力
は１７８μＶ、ノイズは３．２０μＶであった。
ッタ機改良タイプ」を用い、第１下地膜及び第２下地膜
を成膜せず、第３下地膜としてＣｒを３００Å成膜した
以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製し
た。この比較例５により作製された磁気記録媒体の磁気
特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様に
測定し、Ｈｃは２３６０Ｏｅ、Ｓ* は８１．２％、出力
は１７８μＶ、ノイズは３．２０μＶであった。
【００２０】［比較例６］アネルバ社製「３１００スパ
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第１下地膜としてＣｒを５００Å
成膜し、第２下地膜を成膜せず、第３下地膜としてＣｒ
80Ｔｉ20を３００Å成膜した以外は前記実施例１と同様
にして磁気記録媒体を作製した。この比較例６により作
製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性につ
いても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２１１９Ｏ
ｅ、Ｓ* は７２．８％、出力は１５８μＶ、ノイズは
３．７３μＶであった。
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第１下地膜としてＣｒを５００Å
成膜し、第２下地膜を成膜せず、第３下地膜としてＣｒ
80Ｔｉ20を３００Å成膜した以外は前記実施例１と同様
にして磁気記録媒体を作製した。この比較例６により作
製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性につ
いても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２１１９Ｏ
ｅ、Ｓ* は７２．８％、出力は１５８μＶ、ノイズは
３．７３μＶであった。
【００２１】［実施例４］アネルバ社製「３１００スパ
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第１下地膜としてＳｉを３００
Å、第２下地膜としてＴａを６００Å、第３下地膜とし
てＣｒ81Ｔｉ15Ｔａ4 を３００Å成膜した以外は前記実
施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。 この実
施例４により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記
録再生特性についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈ
ｃは２５４６Ｏｅ、Ｓ* は８４．３％、出力は２０１μ
Ｖ、ノイズは２．３１μＶであった。
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第１下地膜としてＳｉを３００
Å、第２下地膜としてＴａを６００Å、第３下地膜とし
てＣｒ81Ｔｉ15Ｔａ4 を３００Å成膜した以外は前記実
施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。 この実
施例４により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記
録再生特性についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈ
ｃは２５４６Ｏｅ、Ｓ* は８４．３％、出力は２０１μ
Ｖ、ノイズは２．３１μＶであった。
【００２２】［実施例５］アネルバ社製「３１００スパ
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第１下地膜としてＳｉを４００
Å、第２下地膜としてＴａを４００Å、第３下地膜とし
てＣｒ85Ｍｏ15を２００Å成膜した以外は前記実施例１
と同様にして磁気記録媒体を作製した。この実施例５に
より作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特
性についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２７
１５Ｏｅ、Ｓ* は８６．６％、出力は２２６μＶ、ノイ
ズは２．２９μＶであった。
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第１下地膜としてＳｉを４００
Å、第２下地膜としてＴａを４００Å、第３下地膜とし
てＣｒ85Ｍｏ15を２００Å成膜した以外は前記実施例１
と同様にして磁気記録媒体を作製した。この実施例５に
より作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特
性についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２７
１５Ｏｅ、Ｓ* は８６．６％、出力は２２６μＶ、ノイ
ズは２．２９μＶであった。
【００２３】［実施例６］アネルバ社製「３１００スパ
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第２下地膜としてＡｇを１００
Å、第３下地膜としてＣｒ83Ｔｉ15Ａｇ2 を３００Å成
膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を
作製した。この実施例６により作製された磁気記録媒体
の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と
同様に測定し、Ｈｃは２５８８Ｏｅ、Ｓ* は８３．１
％、出力は２１５μＶ、ノイズは２．３３μＶであっ
た。
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第２下地膜としてＡｇを１００
Å、第３下地膜としてＣｒ83Ｔｉ15Ａｇ2 を３００Å成
膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を
作製した。この実施例６により作製された磁気記録媒体
の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と
同様に測定し、Ｈｃは２５８８Ｏｅ、Ｓ* は８３．１
％、出力は２１５μＶ、ノイズは２．３３μＶであっ
た。
【００２４】［実施例７］アネルバ社製「３１００スパ
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第２下地膜としてＴａを２００
Å、第３下地膜としてＣｒ80Ｔｉ15Ａｌ5 を３００Å成
膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を
作製した。この実施例７により作製された磁気記録媒体
の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と
同様に測定し、Ｈｃは２４９９Ｏｅ、Ｓ* は８２．３
％、出力は２１０μＶ、ノイズは２．３５μＶであっ
た。
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第２下地膜としてＴａを２００
Å、第３下地膜としてＣｒ80Ｔｉ15Ａｌ5 を３００Å成
膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を
作製した。この実施例７により作製された磁気記録媒体
の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と
同様に測定し、Ｈｃは２４９９Ｏｅ、Ｓ* は８２．３
％、出力は２１０μＶ、ノイズは２．３５μＶであっ
た。
【００２５】［比較例７］アネルバ社製「３１００スパ
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第２下地膜としてＴａを８００
Å、第３下地膜としてＣｒ85Ｔｉ15を２０００Å成膜し
た以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製
した。この比較例７により作製された磁気記録媒体の磁
気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様
に測定し、Ｈｃは２６３４Ｏｅ、Ｓ* は７９．３％、出
力は１８８μＶ、ノイズは３．９１μＶであった。
ッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクス
チャリングを施さず、第２下地膜としてＴａを８００
Å、第３下地膜としてＣｒ85Ｔｉ15を２０００Å成膜し
た以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製
した。この比較例７により作製された磁気記録媒体の磁
気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様
に測定し、Ｈｃは２６３４Ｏｅ、Ｓ* は７９．３％、出
力は１８８μＶ、ノイズは３．９１μＶであった。
【００２６】［実施例８］アネルバ社製「３１００スパ
ッタ機改良タイプ」を用い、非磁性基板を単結晶Ｓｉと
し、テクスチャリングを施さない以外は前記実施例１と
同様にして磁気記録媒体を作製した。この実施例８によ
り作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性
についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２７８
１Ｏｅ、Ｓ* は８５．６％、出力は２２５μＶ、ノイズ
は２．２９μＶであった。
ッタ機改良タイプ」を用い、非磁性基板を単結晶Ｓｉと
し、テクスチャリングを施さない以外は前記実施例１と
同様にして磁気記録媒体を作製した。この実施例８によ
り作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性
についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２７８
１Ｏｅ、Ｓ* は８５．６％、出力は２２５μＶ、ノイズ
は２．２９μＶであった。
【００２７】［実施例９］アネルバ社製「３１００スパ
ッタ機改良タイプ」を用い、非磁性基板を結晶化ガラス
（ＯＨＡＲＡ製）とし、テクスチャリングを施さない以
外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製し
た。この実施例９により作製された磁気記録媒体の磁気
特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様に
測定し、Ｈｃは２７３２Ｏｅ、Ｓ* は８５．３％、出力
は２２４μＶ、ノイズは２．２８μＶであった。
ッタ機改良タイプ」を用い、非磁性基板を結晶化ガラス
（ＯＨＡＲＡ製）とし、テクスチャリングを施さない以
外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製し
た。この実施例９により作製された磁気記録媒体の磁気
特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様に
測定し、Ｈｃは２７３２Ｏｅ、Ｓ* は８５．３％、出力
は２２４μＶ、ノイズは２．２８μＶであった。
【００２８】［比較例８］アネルバ社製「３１００スパ
ッタ機改良タイプ」を用い、非磁性基板を結晶化ガラス
（ＯＨＡＲＡ製）とし、テクスチャリングを施さず、第
１下地膜を成膜せず、第２下地膜としてＣｒを５００Å
成膜し、さらに第３下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20を５００
Å成膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒
体を作製した。この比較例８により作製された磁気記録
媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例
１と同様に測定し、Ｈｃは２２７８Ｏｅ、Ｓ* は７４．
３％、出力は１６４μＶ、ノイズは３．４８μＶであっ
た。
ッタ機改良タイプ」を用い、非磁性基板を結晶化ガラス
（ＯＨＡＲＡ製）とし、テクスチャリングを施さず、第
１下地膜を成膜せず、第２下地膜としてＣｒを５００Å
成膜し、さらに第３下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20を５００
Å成膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒
体を作製した。この比較例８により作製された磁気記録
媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例
１と同様に測定し、Ｈｃは２２７８Ｏｅ、Ｓ* は７４．
３％、出力は１６４μＶ、ノイズは３．４８μＶであっ
た。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気記録
媒体は、媒体ノイズを低減させ、高出力が得られるＭＲ
ヘッド対応の磁気記録媒体として利用することができ
る。例えば前述した従来のＣｒ又はＣｒ合金を下地膜と
する手法やＣｒをプレコートする手法と比較して、本発
明の方が出力、ノイズ等の特性が著しく優れたものが得
られる。また、第３下地膜の膜厚を２５〜５００Åにし
た場合、特に低ノイズ媒体が得られるものになる。さら
に、Ｃｏ合金磁性膜の組成をＣｏＣｒＰｔＴａの４元合
金にした場合、高保磁力化が図れる。
媒体は、媒体ノイズを低減させ、高出力が得られるＭＲ
ヘッド対応の磁気記録媒体として利用することができ
る。例えば前述した従来のＣｒ又はＣｒ合金を下地膜と
する手法やＣｒをプレコートする手法と比較して、本発
明の方が出力、ノイズ等の特性が著しく優れたものが得
られる。また、第３下地膜の膜厚を２５〜５００Åにし
た場合、特に低ノイズ媒体が得られるものになる。さら
に、Ｃｏ合金磁性膜の組成をＣｏＣｒＰｔＴａの４元合
金にした場合、高保磁力化が図れる。
【図１】本発明の一実施例の磁気記録媒体を模式的に示
す断面図である。
す断面図である。
１ 非磁性基板 ２ 非磁性下地膜 ２１ 第１下地膜 ２２ 第２下地膜 ２３ 第３下地膜 ３ 磁性膜 ４ 保護膜
Claims (9)
- 【請求項１】 非磁性基板、非磁性下地膜、磁性膜及び
保護膜を基本構成とする磁気記録媒体であって、 前記非磁性下地膜は、Ｓｉで構成される第１下地膜の上
に、Ｔａ，Ａｇから選ばれる元素で構成される第２下地
膜を積層し、さらにその上に、Ｃｒのみ、又はＴｉ，Ｍ
ｏ，Ａｌ，Ｔａを一種以上含有するＣｒ合金で構成され
る第３下地膜を積層してなり、 前記磁性膜は、Ｃｏを主成分とする合金で構成される膜
であることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 非磁性基板がＮｉＰをメッキしたＡｌ基
板であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項３】 非磁性基板がガラス基板であることを特
徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 非磁性基板がＳｉ基板であることを特徴
とする請求項１に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 第１下地膜が２５〜１０００Åの膜厚で
あることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載
の磁気記録媒体。 - 【請求項６】 第２下地膜が２５〜１０００Åの膜厚で
あることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載
の磁気記録媒体。 - 【請求項７】 磁性膜がＣｏＣｒＰｔＴａの４元合金よ
りなることを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項８】 磁性膜の残留磁化膜厚積（ＢｒＴ）が５
０〜１３０Ｇμｍであることを特徴とする請求項１〜７
の何れか一項に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項９】 非磁性基板上に、非磁性下地膜としてま
ずＳｉで構成される第１下地膜を成膜し、次にＴａ，Ａ
ｇから選ばれる元素で構成される第２下地膜を成膜し、
その後Ｃｒのみ、又はＴｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｔａを一種以
上含有するＣｒ合金で構成される第３下地膜を成膜し、
磁性膜としてＣｏを主成分とする合金で構成される膜、
さらに保護膜を順次成膜したことを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19758996A JPH1041133A (ja) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19758996A JPH1041133A (ja) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1041133A true JPH1041133A (ja) | 1998-02-13 |
Family
ID=16377009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19758996A Pending JPH1041133A (ja) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1041133A (ja) |
-
1996
- 1996-07-26 JP JP19758996A patent/JPH1041133A/ja active Pending
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