JPH11283230A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH11283230A JPH11283230A JP7984898A JP7984898A JPH11283230A JP H11283230 A JPH11283230 A JP H11283230A JP 7984898 A JP7984898 A JP 7984898A JP 7984898 A JP7984898 A JP 7984898A JP H11283230 A JPH11283230 A JP H11283230A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ノイズ特性に優れ、しかも十分な出力を得る
ことができる磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 基板１上に、非磁性下地膜２、磁性膜
３、保護膜４を順次形成し、磁性膜２を、Ｃｒを含むＣ
ｏ合金からなる複数の磁性層、すなわち第１および第２
磁性層３ａ、３ｂを有するものとし、これら磁性層３
ａ、３ｂのＣｒ含有率を下層側の第１磁性層３ａから上
層側の第２磁性層３ｂにかけて漸次低くし、かつ第１磁
性層３ａのＣｒ含有率を１６〜２５ａｔ％とし、第２磁
性層３ｂのＣｒ含有率を１０〜２０ａｔ％とし、第１磁
性層３ａのＣｒ含有率と第２磁性層３ｂのＣｒ含有率の
差を２ａｔ％以上とする。
ことができる磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 基板１上に、非磁性下地膜２、磁性膜
３、保護膜４を順次形成し、磁性膜２を、Ｃｒを含むＣ
ｏ合金からなる複数の磁性層、すなわち第１および第２
磁性層３ａ、３ｂを有するものとし、これら磁性層３
ａ、３ｂのＣｒ含有率を下層側の第１磁性層３ａから上
層側の第２磁性層３ｂにかけて漸次低くし、かつ第１磁
性層３ａのＣｒ含有率を１６〜２５ａｔ％とし、第２磁
性層３ｂのＣｒ含有率を１０〜２０ａｔ％とし、第１磁
性層３ａのＣｒ含有率と第２磁性層３ｂのＣｒ含有率の
差を２ａｔ％以上とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
などに用いられる磁気ディスク等の磁気記録媒体に関
し、特にノイズ特性および出力特性がともに優れた磁気
記録媒体に関する。
などに用いられる磁気ディスク等の磁気記録媒体に関
し、特にノイズ特性および出力特性がともに優れた磁気
記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気記録媒体としては、アルミニ
ウム合金、ガラスなどからなる基板上に、Ｃｒ合金など
からなる非磁性下地膜、Ｃｏ合金などからなる磁性膜、
カーボンなどからなる保護膜を順次形成したものが多く
用いられている。
ウム合金、ガラスなどからなる基板上に、Ｃｒ合金など
からなる非磁性下地膜、Ｃｏ合金などからなる磁性膜、
カーボンなどからなる保護膜を順次形成したものが多く
用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年では、磁気記録媒
体の更なる高記録密度化が要望されており、これに伴
い、ノイズ特性の向上が求められている。しかしなが
ら、従来の磁気記録媒体では、ノイズ特性の向上を図る
とそれに応じて出力特性が低くなる傾向があり、ノイズ
特性および出力特性がいずれも満足できるものは得られ
ていないのが現状である。本発明は、上記事情に鑑みて
なされたもので、ノイズ特性および出力特性が共に優れ
た磁気記録媒体を提供することを目的とする。
体の更なる高記録密度化が要望されており、これに伴
い、ノイズ特性の向上が求められている。しかしなが
ら、従来の磁気記録媒体では、ノイズ特性の向上を図る
とそれに応じて出力特性が低くなる傾向があり、ノイズ
特性および出力特性がいずれも満足できるものは得られ
ていないのが現状である。本発明は、上記事情に鑑みて
なされたもので、ノイズ特性および出力特性が共に優れ
た磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題は、磁性膜が、
Ｃｒを含むＣｏ合金からなる複数の磁性層を有するもの
であり、これら磁性層のＣｒ含有率が下層側の磁性層か
ら上層側の磁性層にかけて漸次低くなり、かつ最下層側
磁性層のＣｒ含有率が１６〜２５ａｔ％とされ、最上層
側磁性層のＣｒ含有率が１０〜２０ａｔ％とされ、これ
ら最下層側磁性層と最上層側磁性層のＣｒ含有率の差が
２ａｔ％以上とされた磁気記録媒体によって解決するこ
とができる。磁性膜は、２つの磁性層を有するものとす
るのが好ましく、下層側磁性層の厚さと、上層側磁性層
の厚さの比は、１：１〜４：１とするのが好ましい。
Ｃｒを含むＣｏ合金からなる複数の磁性層を有するもの
であり、これら磁性層のＣｒ含有率が下層側の磁性層か
ら上層側の磁性層にかけて漸次低くなり、かつ最下層側
磁性層のＣｒ含有率が１６〜２５ａｔ％とされ、最上層
側磁性層のＣｒ含有率が１０〜２０ａｔ％とされ、これ
ら最下層側磁性層と最上層側磁性層のＣｒ含有率の差が
２ａｔ％以上とされた磁気記録媒体によって解決するこ
とができる。磁性膜は、２つの磁性層を有するものとす
るのが好ましく、下層側磁性層の厚さと、上層側磁性層
の厚さの比は、１：１〜４：１とするのが好ましい。
【０００５】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の磁気記録媒体の
一実施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体は、
基板１上に、非磁性下地膜２、磁性膜３、保護膜４を順
次形成したものである。基板１としては、磁気記録媒体
用基板として一般に用いられるＮｉＰメッキ膜が形成さ
れたアルミニウム合金や、ガラス、セラミックなどから
なるものを用いることができる。また、基板１は、その
表面にメカニカルテクスチャ処理などのテクスチャ処理
を施したものとしてもよい。
一実施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体は、
基板１上に、非磁性下地膜２、磁性膜３、保護膜４を順
次形成したものである。基板１としては、磁気記録媒体
用基板として一般に用いられるＮｉＰメッキ膜が形成さ
れたアルミニウム合金や、ガラス、セラミックなどから
なるものを用いることができる。また、基板１は、その
表面にメカニカルテクスチャ処理などのテクスチャ処理
を施したものとしてもよい。
【０００６】非磁性下地膜２の材料としては、Ｃｒ、ま
たはＣｒ／Ｗ系、Ｃｒ／Ｔｉ系、Ｃｒ／Ｖ系、Ｃｒ／Ｓ
ｉ系の合金を用いるのが好適である。また、他の公知の
非磁性下地膜に用いられる材料、例えば欧州特許公報Ｅ
Ｐ０７０４８３９Ａ１に記載されたＮｉＡｌ、ＡｌＣ
ｏ、ＦｅＡｌ、ＦｅＴｉ、ＣｏＦｅ、ＣｏＴｉ、ＣｏＨ
ｆ、ＣｏＺｒ、ＮｉＴｉ、ＣｕＢｅ、ＣｕＺｎ、ＡｌＭ
ｎ、ＡｌＲｅ、ＡｇＭｇ、Ａｌ2ＦｅＭｎ2などからな
り、Ｂ２構造を有する材料や、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、およびＭｏのうち１種以上の材料などを用い
ることができる。非磁性下地膜２の厚みは、２０〜１０
００Åとするのが好ましい。
たはＣｒ／Ｗ系、Ｃｒ／Ｔｉ系、Ｃｒ／Ｖ系、Ｃｒ／Ｓ
ｉ系の合金を用いるのが好適である。また、他の公知の
非磁性下地膜に用いられる材料、例えば欧州特許公報Ｅ
Ｐ０７０４８３９Ａ１に記載されたＮｉＡｌ、ＡｌＣ
ｏ、ＦｅＡｌ、ＦｅＴｉ、ＣｏＦｅ、ＣｏＴｉ、ＣｏＨ
ｆ、ＣｏＺｒ、ＮｉＴｉ、ＣｕＢｅ、ＣｕＺｎ、ＡｌＭ
ｎ、ＡｌＲｅ、ＡｇＭｇ、Ａｌ2ＦｅＭｎ2などからな
り、Ｂ２構造を有する材料や、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、およびＭｏのうち１種以上の材料などを用い
ることができる。非磁性下地膜２の厚みは、２０〜１０
００Åとするのが好ましい。
【０００７】本実施形態の磁気記録媒体では、磁性膜３
が、第１磁性層３ａ上に第２磁性層３ｂが形成された２
層構造を有するものとされている。第１磁性層３ａは、
この磁気記録媒体のノイズ特性を高めるためのもので、
この第１磁性層３ａは、Ｃｒを含むＣｏ合金、例えばＣ
ｏ／Ｃｒ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｔａ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ／
Ｔａ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｎｉ／Ｐｔ／Ｔａ系、Ｃｏ／Ｃｒ
／Ｐｔ／Ｔａ／Ｚｒ系等の合金からなるものとされ、そ
のＣｒ含有率は１６〜２５ａｔ％（好ましくは１８〜２
３ａｔ％）とされる。
が、第１磁性層３ａ上に第２磁性層３ｂが形成された２
層構造を有するものとされている。第１磁性層３ａは、
この磁気記録媒体のノイズ特性を高めるためのもので、
この第１磁性層３ａは、Ｃｒを含むＣｏ合金、例えばＣ
ｏ／Ｃｒ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｔａ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ／
Ｔａ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｎｉ／Ｐｔ／Ｔａ系、Ｃｏ／Ｃｒ
／Ｐｔ／Ｔａ／Ｚｒ系等の合金からなるものとされ、そ
のＣｒ含有率は１６〜２５ａｔ％（好ましくは１８〜２
３ａｔ％）とされる。
【０００８】第１磁性層３ａのＣｒ含有率が上記範囲下
限値未満であると、第１磁性層３ａ内においてＣｒの粒
界偏析が十分に行われず、磁性粒子同士の交換結合の影
響によるノイズ特性の低下が起こりやすくなる。また、
Ｃｒ含有率が上記範囲上限値を越えると、第１磁性層３
ａの磁気異方性が低下し、保磁力角形比Ｓ*および再生
パルス出力半値幅Ｐｗ50が悪化し、十分な出力特性を得
るのが難しくなる。
限値未満であると、第１磁性層３ａ内においてＣｒの粒
界偏析が十分に行われず、磁性粒子同士の交換結合の影
響によるノイズ特性の低下が起こりやすくなる。また、
Ｃｒ含有率が上記範囲上限値を越えると、第１磁性層３
ａの磁気異方性が低下し、保磁力角形比Ｓ*および再生
パルス出力半値幅Ｐｗ50が悪化し、十分な出力特性を得
るのが難しくなる。
【０００９】第１磁性層３ａの材料としては、特に、オ
ーバーライト特性に優れるＣｏ／Ｃｒ／Ｔａ系合金を用
いるのが好ましく、なかでも、Ｃｒ含有率が１８〜２３
ａｔ％、Ｔａ含有率が２〜５ａｔ％、Ｚｒ含有率が０〜
５ａｔ％、Ｐｔ含有率が０〜１０ａｔ％、残部がＣｏか
らなるものを用いるのが好適である。
ーバーライト特性に優れるＣｏ／Ｃｒ／Ｔａ系合金を用
いるのが好ましく、なかでも、Ｃｒ含有率が１８〜２３
ａｔ％、Ｔａ含有率が２〜５ａｔ％、Ｚｒ含有率が０〜
５ａｔ％、Ｐｔ含有率が０〜１０ａｔ％、残部がＣｏか
らなるものを用いるのが好適である。
【００１０】第２磁性層３ｂは、この磁気記録媒体の出
力特性を高めるためのもので、この第２磁性層３ｂは、
第１磁性層３ａと同様、Ｃｒを含むＣｏ合金、例えばＣ
ｏ／Ｃｒ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｔａ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ／
Ｔａ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ／Ｔａ／Ｚｒ系等の合金から
なるものとされる。第２磁性層３ｂのＣｒ含有率は１０
〜２０ａｔ％（好ましくは１２〜１８ａｔ％）の範囲内
にあり、しかも第１磁性層３ａのＣｒ含有率に比べ、２
ａｔ％以上低い値となるように設定されている。
力特性を高めるためのもので、この第２磁性層３ｂは、
第１磁性層３ａと同様、Ｃｒを含むＣｏ合金、例えばＣ
ｏ／Ｃｒ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｔａ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ／
Ｔａ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ／Ｔａ／Ｚｒ系等の合金から
なるものとされる。第２磁性層３ｂのＣｒ含有率は１０
〜２０ａｔ％（好ましくは１２〜１８ａｔ％）の範囲内
にあり、しかも第１磁性層３ａのＣｒ含有率に比べ、２
ａｔ％以上低い値となるように設定されている。
【００１１】第２磁性層３ｂのＣｒ含有率が上記範囲下
限値未満であると、第２磁性層３ｂ内の磁性粒子同士の
交換結合の影響によるノイズ特性の低下が起こりやすく
なる。また、第２磁性層３ｂのＣｒ含有率が上記範囲上
限値を越えると、第２磁性層３ｂの磁気異方性が低下
し、保磁力角形比Ｓ*および再生パルス出力半値幅Ｐｗ5
0が悪化し、十分な出力特性を得るのが難しくなる。
限値未満であると、第２磁性層３ｂ内の磁性粒子同士の
交換結合の影響によるノイズ特性の低下が起こりやすく
なる。また、第２磁性層３ｂのＣｒ含有率が上記範囲上
限値を越えると、第２磁性層３ｂの磁気異方性が低下
し、保磁力角形比Ｓ*および再生パルス出力半値幅Ｐｗ5
0が悪化し、十分な出力特性を得るのが難しくなる。
【００１２】また第２磁性層３ｂのＣｒ含有率と、第１
磁性層３ａのＣｒ含有率の差を２ａｔ％以上とするの
は、このＣｒ含有率の差が２ａｔ％未満であると、高Ｃ
ｒ含有率の第１磁性層３ａによるノイズ特性向上効果、
または低Ｃｒ含有率の第２磁性層３ｂによる出力特性向
上効果のうちいずれかが不十分となるためである。
磁性層３ａのＣｒ含有率の差を２ａｔ％以上とするの
は、このＣｒ含有率の差が２ａｔ％未満であると、高Ｃ
ｒ含有率の第１磁性層３ａによるノイズ特性向上効果、
または低Ｃｒ含有率の第２磁性層３ｂによる出力特性向
上効果のうちいずれかが不十分となるためである。
【００１３】第２磁性層３ｂの材料としては、特に、Ｃ
ｒ含有率が１２〜１８ａｔ％、Ｐｔ含有率が３〜１２ａ
ｔ％、Ｔａ含有率が２〜５ａｔ％、残部がＣｏからなる
Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ／Ｔａ系合金を用いるのが好適であ
る。
ｒ含有率が１２〜１８ａｔ％、Ｐｔ含有率が３〜１２ａ
ｔ％、Ｔａ含有率が２〜５ａｔ％、残部がＣｏからなる
Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ／Ｔａ系合金を用いるのが好適であ
る。
【００１４】また、下層側の第１磁性層３ａの厚さと、
上層側の第２磁性層３ｂの厚さの比は、１：１〜４：１
に設定するのが好ましい。これは、低Ｃｒ含有率の第２
磁性層３ｂを、高Ｃｒ含有率の第１磁性層３ａより厚く
形成した場合、出力特性は向上するものの、第２磁性層
３ｂ内の磁性粒子同士の交換結合の影響によって、高記
録密度化を図るために必要なノイズ特性が得られなくな
るおそれがあり、第２磁性層３ｂの厚さを第１磁性層３
ａの厚さの１／４未満に設定すると、得られる磁気記録
媒体の出力特性が不十分となり易いためである。具体的
には、第１磁性層３ａの厚さを５０〜３００Åとし、第
２磁性層３ｂの厚さを２０〜１００Åとするのが好まし
い。
上層側の第２磁性層３ｂの厚さの比は、１：１〜４：１
に設定するのが好ましい。これは、低Ｃｒ含有率の第２
磁性層３ｂを、高Ｃｒ含有率の第１磁性層３ａより厚く
形成した場合、出力特性は向上するものの、第２磁性層
３ｂ内の磁性粒子同士の交換結合の影響によって、高記
録密度化を図るために必要なノイズ特性が得られなくな
るおそれがあり、第２磁性層３ｂの厚さを第１磁性層３
ａの厚さの１／４未満に設定すると、得られる磁気記録
媒体の出力特性が不十分となり易いためである。具体的
には、第１磁性層３ａの厚さを５０〜３００Åとし、第
２磁性層３ｂの厚さを２０〜１００Åとするのが好まし
い。
【００１５】保護膜４は、カーボン、酸化シリコン、窒
化シリコンなどからなるものとすることができ、その厚
みは、３０〜１５０Åとするのが好ましい。また、保護
膜４上には、パーフルオロポリエーテルなどからなる潤
滑膜を設けるのが好ましい。
化シリコンなどからなるものとすることができ、その厚
みは、３０〜１５０Åとするのが好ましい。また、保護
膜４上には、パーフルオロポリエーテルなどからなる潤
滑膜を設けるのが好ましい。
【００１６】上記構造の磁気記録媒体を製造するには、
スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティング、メ
ッキなどの手法により、基板１上に、Ｃｒ合金等からな
る非磁性下地膜２、上記Ｃｒ含有Ｃｏ合金からなる第１
および第２磁性層３ａ、３ｂ、カーボン等からなる保護
膜４を順次形成する方法を採用することができる。
スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティング、メ
ッキなどの手法により、基板１上に、Ｃｒ合金等からな
る非磁性下地膜２、上記Ｃｒ含有Ｃｏ合金からなる第１
および第２磁性層３ａ、３ｂ、カーボン等からなる保護
膜４を順次形成する方法を採用することができる。
【００１７】上記構成の磁気記録媒体にあっては、磁性
膜３を、第１磁性層３ａ上に第２磁性層３ｂを形成した
２層構造を有するものとし、上層側の第２磁性層３ｂの
Ｃｒ含有率を下層側の第１磁性層３ａのＣｒ含有率より
２ａｔ％以上低くなるようにし、かつ第１磁性層３ａの
Ｃｒ含有率を１６〜２５ａｔ％とし、第２磁性層３ｂの
Ｃｒ含有率を１０〜２０ａｔ％としたので、高Ｃｒ含有
率の第１磁性層３ａにおけるＣｒの粒界偏析による磁性
粒子の孤立化によってノイズ特性が向上する。またこれ
に加えて、Ｃｒ含有率が比較的低い第２磁性層３ｂにお
いて保磁力角形比Ｓ*および再生パルス出力半値幅Ｐｗ
50が良好なものとなり、十分な出力特性が得られるよう
になる。従って、ノイズ特性および出力特性が共に優れ
た磁気記録媒体を得ることができる。
膜３を、第１磁性層３ａ上に第２磁性層３ｂを形成した
２層構造を有するものとし、上層側の第２磁性層３ｂの
Ｃｒ含有率を下層側の第１磁性層３ａのＣｒ含有率より
２ａｔ％以上低くなるようにし、かつ第１磁性層３ａの
Ｃｒ含有率を１６〜２５ａｔ％とし、第２磁性層３ｂの
Ｃｒ含有率を１０〜２０ａｔ％としたので、高Ｃｒ含有
率の第１磁性層３ａにおけるＣｒの粒界偏析による磁性
粒子の孤立化によってノイズ特性が向上する。またこれ
に加えて、Ｃｒ含有率が比較的低い第２磁性層３ｂにお
いて保磁力角形比Ｓ*および再生パルス出力半値幅Ｐｗ
50が良好なものとなり、十分な出力特性が得られるよう
になる。従って、ノイズ特性および出力特性が共に優れ
た磁気記録媒体を得ることができる。
【００１８】なお、上記構成の磁気記録媒体は、磁性膜
３を２層構造を有するものとしたが、本発明の磁気記録
媒体はこれに限らず、３層構造、あるいはそれ以上の多
層構造の磁性膜を有するものであってもよく、例えば図
２に示すように３層構造の磁性膜１３を有するものとし
てもよい。図２に示す磁気記録媒体において、磁性膜１
３を構成する第１ないし第３磁性層１３ａ、１３ｂ、１
３ｃは、図１に示す磁気記録媒体の第１および第２磁性
層３ａ、３ｂと同様、Ｃｒを含むＣｏ合金からなるもの
とされ、これら第１ないし第３磁性層１３ａ、１３ｂ、
１３ｃのＣｒ含有率は、最下層側の第１磁性層１３ａか
ら最上層側の第３磁性層１３ｃにかけて漸次低くなり、
かつ第１磁性層１３ａのＣｒ含有率が１６〜２５ａｔ
％、第３磁性層１３ｃのＣｒ含有率が１０〜２０ａｔ％
とされ、第３磁性層１３ｃのＣｒ含有率が第１磁性層３
ａのＣｒ含有率に比べ２ａｔ％以上低くなるように設定
されている。
３を２層構造を有するものとしたが、本発明の磁気記録
媒体はこれに限らず、３層構造、あるいはそれ以上の多
層構造の磁性膜を有するものであってもよく、例えば図
２に示すように３層構造の磁性膜１３を有するものとし
てもよい。図２に示す磁気記録媒体において、磁性膜１
３を構成する第１ないし第３磁性層１３ａ、１３ｂ、１
３ｃは、図１に示す磁気記録媒体の第１および第２磁性
層３ａ、３ｂと同様、Ｃｒを含むＣｏ合金からなるもの
とされ、これら第１ないし第３磁性層１３ａ、１３ｂ、
１３ｃのＣｒ含有率は、最下層側の第１磁性層１３ａか
ら最上層側の第３磁性層１３ｃにかけて漸次低くなり、
かつ第１磁性層１３ａのＣｒ含有率が１６〜２５ａｔ
％、第３磁性層１３ｃのＣｒ含有率が１０〜２０ａｔ％
とされ、第３磁性層１３ｃのＣｒ含有率が第１磁性層３
ａのＣｒ含有率に比べ２ａｔ％以上低くなるように設定
されている。
【００１９】第１、第３磁性層１３ａ、１３ｃのＣｒ含
有率は、上記範囲下限値未満となると、磁性粒子同士の
交換結合の影響によるノイズ特性の低下が起こりやすく
なり、上記範囲上限値を越えると、磁気異方性の低下に
よる保磁力角形比Ｓ*および再生パルス出力半値幅Ｐｗ
50の悪化が起こりやすくなり、十分な出力特性を得るの
が難しくなる。
有率は、上記範囲下限値未満となると、磁性粒子同士の
交換結合の影響によるノイズ特性の低下が起こりやすく
なり、上記範囲上限値を越えると、磁気異方性の低下に
よる保磁力角形比Ｓ*および再生パルス出力半値幅Ｐｗ
50の悪化が起こりやすくなり、十分な出力特性を得るの
が難しくなる。
【００２０】第１ないし第３磁性層１３ａ、１３ｂ、１
３ｃの材料としては、次のものを用いるのが好適であ
る。第１磁性層１３ａの材料としては、Ｃｒ含有率が１
８〜２３ａｔ％、Ｔａ含有率が２〜５ａｔ％、Ｚｒ含有
率が０〜５ａｔ％、Ｐｔ含有率が０〜１０ａｔ％、残部
がＣｏからなるものを用いるのが好適である。第２磁性
層１３ｂの材料としては、Ｃｒ含有率が１４〜２０ａｔ
％、Ｐｔ含有率が３〜１２ａｔ％、Ｔａ含有率が２〜５
ａｔ％、残部がＣｏからなるものを用いるのが好適であ
る。第３磁性層１３ｃの材料としては、Ｃｒ含有率が１
２〜１８ａｔ％、Ｐｔ含有率が３〜１２ａｔ％、Ｔａ含
有率が２〜５ａｔ％、残部がＣｏからなるものを用いる
のが好適である。
３ｃの材料としては、次のものを用いるのが好適であ
る。第１磁性層１３ａの材料としては、Ｃｒ含有率が１
８〜２３ａｔ％、Ｔａ含有率が２〜５ａｔ％、Ｚｒ含有
率が０〜５ａｔ％、Ｐｔ含有率が０〜１０ａｔ％、残部
がＣｏからなるものを用いるのが好適である。第２磁性
層１３ｂの材料としては、Ｃｒ含有率が１４〜２０ａｔ
％、Ｐｔ含有率が３〜１２ａｔ％、Ｔａ含有率が２〜５
ａｔ％、残部がＣｏからなるものを用いるのが好適であ
る。第３磁性層１３ｃの材料としては、Ｃｒ含有率が１
２〜１８ａｔ％、Ｐｔ含有率が３〜１２ａｔ％、Ｔａ含
有率が２〜５ａｔ％、残部がＣｏからなるものを用いる
のが好適である。
【００２１】第１ないし第３磁性層１３ａ、１３ｂ、１
３ｃの厚さは、それぞれ５０〜２００Å、１０〜１００
Å、１０〜１００Åとするのが好ましい。
３ｃの厚さは、それぞれ５０〜２００Å、１０〜１００
Å、１０〜１００Åとするのが好ましい。
【００２２】ここに示す磁気記録媒体にあっては、上述
の図１に示す２層構造の磁性膜３を有する磁気記録媒体
と同様、ノイズ特性および出力特性が共に優れたものと
なる。またこれに加えて、磁性膜１３が３層構造とさ
れ、それぞれの磁性層のＣｒ含有率が、最下層側から最
上層側にかけて漸次低くなるようにされているので、相
隣接する磁性層同士の組成が近いものとなり、これら磁
性層同士の結晶格子のミスマッチが生じにくくなり、第
１磁性層１３ａ上に形成される第２および３磁性層１３
ｂ、１３ｃの結晶配向性が良好なものとなる。このた
め、出力特性をより高めることが可能となる。
の図１に示す２層構造の磁性膜３を有する磁気記録媒体
と同様、ノイズ特性および出力特性が共に優れたものと
なる。またこれに加えて、磁性膜１３が３層構造とさ
れ、それぞれの磁性層のＣｒ含有率が、最下層側から最
上層側にかけて漸次低くなるようにされているので、相
隣接する磁性層同士の組成が近いものとなり、これら磁
性層同士の結晶格子のミスマッチが生じにくくなり、第
１磁性層１３ａ上に形成される第２および３磁性層１３
ｂ、１３ｃの結晶配向性が良好なものとなる。このた
め、出力特性をより高めることが可能となる。
【００２３】なお、本発明の磁気記録媒体は、磁性膜を
４層以上の構造を有するものとしてもよい。この場合に
おいても、これら磁性層のＣｒ含有率を最下層側磁性層
から最上層側磁性層にかけて漸次低くし、かつ最下層側
磁性層のＣｒ含有率を１６〜２５ａｔ％とし、最上層側
磁性層のＣｒ含有率を１０〜２０ａｔ％とし、最上層側
磁性層のＣｒ含有率を最下層側磁性層のＣｒ含有率に比
べ２ａｔ％以上低くなるように設定する。また、本明細
書において、磁性層のＣｒ含有率が下層側磁性層から上
層側磁性層にかけて漸次低くなるとは、磁性膜を構成す
る複数の磁性層のうち最上層側のもののＣｒ含有率が最
下層側のもののＣｒ含有率より低く、かつ互いに隣接す
る２つの磁性層を対比した際に上層側のもののＣｒ含有
率が下層側のもののＣｒ含有率以下となることを指し、
この条件を満たすものであれば、上記複数の磁性層のう
ち相隣接する２つの磁性層のＣｒ含有率が互いに同一で
あってもよい。また、上記実施形態では、磁性膜を、各
磁性層を直接積層したものとしたが、これに限らず、各
磁性層の間に、Ｃｒ合金などからなる厚さ１０〜５０Å
の非磁性中間層を設けることも可能である。
４層以上の構造を有するものとしてもよい。この場合に
おいても、これら磁性層のＣｒ含有率を最下層側磁性層
から最上層側磁性層にかけて漸次低くし、かつ最下層側
磁性層のＣｒ含有率を１６〜２５ａｔ％とし、最上層側
磁性層のＣｒ含有率を１０〜２０ａｔ％とし、最上層側
磁性層のＣｒ含有率を最下層側磁性層のＣｒ含有率に比
べ２ａｔ％以上低くなるように設定する。また、本明細
書において、磁性層のＣｒ含有率が下層側磁性層から上
層側磁性層にかけて漸次低くなるとは、磁性膜を構成す
る複数の磁性層のうち最上層側のもののＣｒ含有率が最
下層側のもののＣｒ含有率より低く、かつ互いに隣接す
る２つの磁性層を対比した際に上層側のもののＣｒ含有
率が下層側のもののＣｒ含有率以下となることを指し、
この条件を満たすものであれば、上記複数の磁性層のう
ち相隣接する２つの磁性層のＣｒ含有率が互いに同一で
あってもよい。また、上記実施形態では、磁性膜を、各
磁性層を直接積層したものとしたが、これに限らず、各
磁性層の間に、Ｃｒ合金などからなる厚さ１０〜５０Å
の非磁性中間層を設けることも可能である。
【００２４】以下、具体例を示して本発明の作用効果を
明確化する。 （試験例１〜１０）図１または図２に示すものと同様の
構造の磁気記録媒体を以下の工程に従って作製した。基
板として、表面にＮｉＰメッキ膜（１５μｍ）を形成し
たアルミニウム合金基板（直径８４ｍｍ、厚さ０．８ｍ
ｍ）を用い、この基板に表面粗さＲａが１５Åとなるよ
うにメカニカルテクスチャリングを施した後、ＤＣマグ
ネトロンスパッタ装置（アネルバ社製３０１０）を用い
て、基板を２３０℃に加熱した状態で、この基板上にＣ
ｒからなる非磁性下地膜（厚さ２００Å）を形成した。
明確化する。 （試験例１〜１０）図１または図２に示すものと同様の
構造の磁気記録媒体を以下の工程に従って作製した。基
板として、表面にＮｉＰメッキ膜（１５μｍ）を形成し
たアルミニウム合金基板（直径８４ｍｍ、厚さ０．８ｍ
ｍ）を用い、この基板に表面粗さＲａが１５Åとなるよ
うにメカニカルテクスチャリングを施した後、ＤＣマグ
ネトロンスパッタ装置（アネルバ社製３０１０）を用い
て、基板を２３０℃に加熱した状態で、この基板上にＣ
ｒからなる非磁性下地膜（厚さ２００Å）を形成した。
【００２５】次いで、上記スパッタ装置を用いて、表１
に示す材料からなる単層または多層構造の磁性膜、カー
ボンからなる保護膜（厚さ１００Å）を非磁性下地膜上
に順次形成した。なお、上記操作においては、スパッタ
ガスとしてＡｒを用い、その圧力を３ミリＴｏｒｒとし
た。
に示す材料からなる単層または多層構造の磁性膜、カー
ボンからなる保護膜（厚さ１００Å）を非磁性下地膜上
に順次形成した。なお、上記操作においては、スパッタ
ガスとしてＡｒを用い、その圧力を３ミリＴｏｒｒとし
た。
【００２６】上記試験例の静磁気特性を振動式磁気特性
測定装置（ＶＳＭ）を用いて測定した。また、これら磁
気記録媒体の記録再生特性を、再生部に磁気抵抗（Ｍ
Ｒ）素子を有する複合型薄膜磁気ヘッドを用い、線記録
密度２４０ｋＦＣＩにて測定した。測定結果を表１に示
す。
測定装置（ＶＳＭ）を用いて測定した。また、これら磁
気記録媒体の記録再生特性を、再生部に磁気抵抗（Ｍ
Ｒ）素子を有する複合型薄膜磁気ヘッドを用い、線記録
密度２４０ｋＦＣＩにて測定した。測定結果を表１に示
す。
【００２７】
【表１】
【００２８】表１に示すように、磁性膜を複数の磁性層
からなるものとし、磁性層のＣｒ含有率を最下層側磁性
層から最上層側磁性層にかけて漸次低くし、かつ最下層
側磁性層のＣｒ含有率を１６〜２５ａｔ％とし、最上層
側磁性層のＣｒ含有率を１０〜２０ａｔ％とし、しかも
最上層側磁性層のＣｒ含有率を最下層側磁性層のＣｒ含
有率に比べ２ａｔ％以上低くなるように設定した磁気記
録媒体は、これら条件のうちいずれかを満たさないもの
に比べ、ノイズ特性または出力特性が優れたものとなっ
たことがわかる。
からなるものとし、磁性層のＣｒ含有率を最下層側磁性
層から最上層側磁性層にかけて漸次低くし、かつ最下層
側磁性層のＣｒ含有率を１６〜２５ａｔ％とし、最上層
側磁性層のＣｒ含有率を１０〜２０ａｔ％とし、しかも
最上層側磁性層のＣｒ含有率を最下層側磁性層のＣｒ含
有率に比べ２ａｔ％以上低くなるように設定した磁気記
録媒体は、これら条件のうちいずれかを満たさないもの
に比べ、ノイズ特性または出力特性が優れたものとなっ
たことがわかる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気記録
媒体にあっては、ノイズ特性および出力特性が共に優れ
た磁気記録媒体を得ることができる。
媒体にあっては、ノイズ特性および出力特性が共に優れ
た磁気記録媒体を得ることができる。
【図１】 本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示す一
部断面図である。
部断面図である。
【図２】 本発明の磁気記録媒体の他の実施形態を示す
一部断面図である。
一部断面図である。
１・・・基板、２・・・非磁性下地膜、３、１３・・・磁性膜、
３ａ・・・第１磁性層（最下層側磁性層）、３ｂ・・・第２磁
性層（最上層側磁性層）、４・・・保護膜、１３ａ・・・第１
磁性層（最下層側磁性層）、１３ｂ・・・第２磁性層、１
３ｃ・・・第３磁性層（最上層側磁性層）
３ａ・・・第１磁性層（最下層側磁性層）、３ｂ・・・第２磁
性層（最上層側磁性層）、４・・・保護膜、１３ａ・・・第１
磁性層（最下層側磁性層）、１３ｂ・・・第２磁性層、１
３ｃ・・・第３磁性層（最上層側磁性層）
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に、非磁性下地膜、磁性膜、保護
膜を順次形成した磁気記録媒体であって、 磁性膜は、Ｃｒを含むＣｏ合金からなる複数の磁性層を
有するものであり、これら磁性層のＣｒ含有率が下層側
の磁性層から上層側の磁性層にかけて漸次低くなり、か
つ最下層側磁性層のＣｒ含有率が１６〜２５ａｔ％とさ
れ、最上層側磁性層のＣｒ含有率が１０〜２０ａｔ％と
され、これら最下層側磁性層と最上層側磁性層のＣｒ含
有率の差が２ａｔ％以上とされていることを特徴とする
磁気記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１記載の磁気記録媒体において、
磁性膜が２つの磁性層を有するものであることを特徴と
する磁気記録媒体。 - 【請求項３】 請求項２記載の磁気記録媒体において、
下層側磁性層の厚さと、上層側磁性層の厚さの比が、
１：１〜４：１とされていることを特徴とする磁気記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07984898A JP3576372B2 (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07984898A JP3576372B2 (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11283230A true JPH11283230A (ja) | 1999-10-15 |
| JP3576372B2 JP3576372B2 (ja) | 2004-10-13 |
Family
ID=13701628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07984898A Expired - Fee Related JP3576372B2 (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3576372B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6528149B2 (en) | 2000-05-29 | 2003-03-04 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular-magnetic recording media and magnetic recording apparatus |
| US7094482B2 (en) | 2002-08-15 | 2006-08-22 | Fujitsu Limited | Recording medium having magnetic layer of smaller thickness |
| US7532436B2 (en) | 2004-09-14 | 2009-05-12 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic recording medium and magnetic memory device for high density recording |
| US7545604B2 (en) | 2004-12-24 | 2009-06-09 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic recording medium having a cobalt-based alloy film for high density recording and magnetic storage device using same |
| US8697260B2 (en) | 2008-07-25 | 2014-04-15 | Seagate Technology Llc | Method and manufacture process for exchange decoupled first magnetic layer |
| US9666221B2 (en) | 2010-07-30 | 2017-05-30 | Seagate Technology Llc | Apparatus including a perpendicular magnetic recording layer having a convex magnetic anisotropy profile |
-
1998
- 1998-03-26 JP JP07984898A patent/JP3576372B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6528149B2 (en) | 2000-05-29 | 2003-03-04 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular-magnetic recording media and magnetic recording apparatus |
| US6641901B2 (en) | 2000-05-29 | 2003-11-04 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular-magnetic recording media and magnetic recording apparatus |
| US6852398B2 (en) | 2000-05-29 | 2005-02-08 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular-magnetic recording media and magnetic recording apparatus |
| US7094482B2 (en) | 2002-08-15 | 2006-08-22 | Fujitsu Limited | Recording medium having magnetic layer of smaller thickness |
| US7532436B2 (en) | 2004-09-14 | 2009-05-12 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic recording medium and magnetic memory device for high density recording |
| US7545604B2 (en) | 2004-12-24 | 2009-06-09 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic recording medium having a cobalt-based alloy film for high density recording and magnetic storage device using same |
| US7876530B2 (en) | 2004-12-24 | 2011-01-25 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic recording medium having a cobalt-based alloy film for high density recording and magnetic storage device using same |
| US8697260B2 (en) | 2008-07-25 | 2014-04-15 | Seagate Technology Llc | Method and manufacture process for exchange decoupled first magnetic layer |
| US9666221B2 (en) | 2010-07-30 | 2017-05-30 | Seagate Technology Llc | Apparatus including a perpendicular magnetic recording layer having a convex magnetic anisotropy profile |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3576372B2 (ja) | 2004-10-13 |
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