JP4037139B2

JP4037139B2 - 磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置

Info

Publication number: JP4037139B2
Application number: JP2002086451A
Authority: JP
Inventors: 哲彌逢坂; 浩志酒井
Original assignee: Showa Denko KK; Waseda University
Current assignee: Showa Denko KK; Waseda University
Priority date: 2002-03-26
Filing date: 2002-03-26
Publication date: 2008-01-23
Anticipated expiration: 2022-03-26
Also published as: JP2003281708A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ディスク装置などに用いられる磁気記録媒体に関するものであり、特に、ノイズ特性に優れた磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在市販されている磁気記録媒体は、磁性膜内の磁化容易軸が主に基板に対し水平に配向した面内磁気記録媒体がほとんどである。
【０００３】
面内磁気記録媒体において、高記録密度化を実現するには、磁性粒子を小粒径化しノイズ低減を図ることが必要となるが、磁性粒子の粒径を小さくすると、この粒子の体積が小さくなるため、熱揺らぎに起因する再生特性の悪化が生じやすくなる。また記録密度を高めた際に、記録ビット境界での反磁界の影響により媒体ノイズが増加することがある。
【０００４】
これに対し、磁性膜内の磁化容易軸が主に基板に対し垂直に配向した、いわゆる垂直磁気記録媒体は、高記録密度化した場合でもビット境界での反磁界の影響が小さく、境界が鮮明な記録磁区が形成されるため低ノイズ化が可能である。
【０００５】
さらに、垂直磁気記録媒体は、比較的磁性粒子の体積が大きくても、高記録密度化が可能であるため、熱揺らぎ耐性を高めることができることから、近年大きな注目を集めている。
【０００６】
例えば、特開昭６０−２１４４１７号公報には、Ｃｏ合金からなる垂直磁性膜の下地膜の材料としてＧｅ、Ｓｉを用いた垂直磁気記録媒体が開示されている。
【０００７】
また特開昭６３−２１１１１７号公報には、Ｃｏ合金からなる垂直磁性膜の下地膜として１オングストローム〜１００オングストローム（０．１ｎｍ〜１０ｎｍ）の厚さの炭素含有材料膜を形成した垂直磁気記録媒体が開示されている。
【０００８】
しかしながら、これら従来の磁気記録媒体では、角型比を高めるのが難しく、逆磁区核形成磁界（Ｈｎ）が低くなる問題があった。このため、低記録密度における熱揺らぎ耐性に劣る問題があった。
【０００９】
なお、角型比とは、残留磁化を飽和磁化で割ったものである。
【００１０】
これに対し、特開平６−１１１４０３号公報、特開平８−３０９５１号公報、米国特許第５６６０９３０号公報には、Ｈｎを向上させ得る磁気記録媒体として、Ｃｏなどの遷移金属とＰｔなどの貴金属とを多層に積層した、多層膜を設けた磁気記録媒体が提案されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
近年では、磁気記録媒体の更なる高記録密度化が要望されており、これに伴いノイズ特性の向上が要求されている。
【００１２】
しかしながら上記の従来の磁気記録媒体で、遷移金属と貴金属の多層膜を設けたものは、ノイズ特性の点で満足できるものでなく、よりノイズ特性に優れた磁気記録媒体が要望されていた。
【００１３】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、角型比およびＨｎを高めることができ、かつノイズ特性に優れた磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意努力検討した結果、本発明に到達した。すなわち本発明は以下に関する。
【００１５】
［１］基板（１）上に少なくとも、下地層（２）と、磁性層（３）とを有し、磁性層（３）が、PtまたはPdを含有する貴金属層（３１）と、Coを含有するコバルト層（３２）と、非磁性材料を含有する非磁性材料層（３３）とを含むことを特徴とする磁気記録媒体。
【００１６】
［２］磁性層（３）が、貴金属層（３１）と、コバルト層（３２）と、非磁性材料層（３３）とを、それぞれ複数層以上含むことを特徴とする１に記載の磁気記録媒体。
【００１７】
［３］磁性層（３）が、貴金属層（３１）とコバルト層（３２）との積層構造を複数以上含み、該積層構造の間に、非磁性材料層（３３）を有することを特徴とする1または２に記載の磁気記録媒体。
【００１８】
［４］貴金属層（３１）とコバルト層（３２）との積層構造が、貴金属層（３１）とコバルト層（３２）とを交互に、それぞれ１層〜３０層の範囲内で積層した構造であることを特徴とする３に記載の磁気記録媒体。
【００１９】
［５］非磁性材料層（３３）により分離された貴金属層（３１）とコバルト層（３２）との積層構造を、２積層構造〜１０積層構造の範囲内で有することを特徴とする３または４に記載の磁気記録媒体。
【００２０】
［６］磁性層（３）が、磁化容易軸が基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層であることを特徴とする１〜５の何れか１に記載の磁気記録媒体。
【００２１】
［７］非磁性材料が、C、Si、Geからなる群から選ばれた何れか1種以上を主成分とすることを特徴とする1〜６の何れか１に記載の磁気記録媒体。
【００２２】
［８］非磁性層（３３）の厚さが、0.1nm〜10nmの範囲内であることを特徴とする１〜７の何れか１に記載の磁気記録媒体。
【００２３】
［９］貴金属層（３１）の厚さが、0.4nm〜2nmの範囲内であることを特徴とする１〜８の何れか１に記載の磁気記録媒体。
【００２４】
［１０］コバルト層（３２）の厚さが、0.1nm〜1nmの範囲内であることを特徴とする１〜９の何れか１に記載の磁気記録媒体。
【００２５】
［１１］貴金属層（３１）が、金属または非金属の酸化物または窒化物を含むことを特徴とする１〜１０の何れか１に記載の磁気記録媒体。
【００２６】
［１２］コバルト層（３２）が、金属または非金属の酸化物または窒化物を含むことを特徴とする１〜１１の何れか１に記載の磁気記録媒体。
【００２７】
［１３］金属または非金属が、Cr,Cu,Ag,Au,B,Al,Ga,Si,Ge,Zrらなる群から選ばれた何れか1種以上であることを特徴とする１１または１２に記載の磁気記録媒体。
［１４］磁気記録媒体のHnが、1000Ｏｅ〜4500Ｏｅ（79000Ａ／ｍ〜355500Ａ／ｍ）の範囲内であることを特徴とする１〜１３の何れか１に記載の磁気記録媒体。
【００２８】
［１５］下地層（２）が、C,Si,Geからなる群から選ばれた何れか1種以上を含むことを特徴とする1〜１４の何れか１に記載の磁気記録媒体。
【００２９】
［１６］基板（１）と下地層（２）との間に、軟磁性材料を含む軟磁性層（１０１）を有することを特徴とする1〜１５の何れか１に記載の磁気記録媒体。
【００３０】
［１７］スパッタ装置の同一チャンバー内に、PtまたはPdを含有するスパッタターゲットと、Coを含有するスパッタターゲットと、非磁性材料を含むスパッタターゲットとを有し、磁性層（３）を構成する、貴金属層（３１）、コバルト層（３２）および非磁性材料層（３３）を、同一チャンバー内で順次積層することを特徴とする１〜１６の何れか１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００３１】
［１８］１７に記載の磁気記録媒体の製造方法を用いて製造した磁気記録媒体。
【００３２】
［１９］１〜１６および１８の何れか１に記載の磁気記録媒体を用いて製造した磁気記録再生装置。
【００３３】
【発明の実施の形態】
本発明の磁気記録媒体は、基板（１）上に少なくとも、下地層（２）と、磁性層（３）とを有し、磁性層（３）が、PtまたはPdを含有する貴金属層（３１）と、Coを含有するコバルト層（３２）と、非磁性材料を含有する非磁性材料層（３３）とを含むことを特徴とする。
【００３４】
この場合の磁性層（３）は、貴金属層（３１）と、コバルト層（３２）と、非磁性材料層（３３）とを、それぞれ複数層以上含むのが好ましく、より好ましくは、磁性層（３）が、貴金属層（３１）とコバルト層（３２）との積層構造を複数以上含み、該積層構造の間に、非磁性材料層（３３）を有する構造とする。
【００３５】
本発明の磁気記録媒体を、図１を用いて説明する。本発明の磁気記録媒体は、例えば、基板１上に、カーボン等の下地膜２、多層構造の磁性層３、保護膜４、潤滑膜５をこの順序で含む構造を有する。
【００３６】
基板１としては、磁気記録媒体用基板として一般に用いられる、ＮｉＰメッキ膜が形成されたアルミニウム合金基板（以下、「ＮｉＰメッキＡｌ基板」という）、ガラス基板、セラミック基板、カーボン基板、可撓性樹脂基板、またはこれらの基板にＮｉＰ膜をメッキあるいスパッタ法により形成した基板を用いることができる。
【００３７】
磁性層３は、PtまたはPdを含有する層と、Cｏを含有する層と、非磁性材料を含有する層とを、それぞれ複数層にわたって形成されたものである。
【００３８】
本発明のPtまたはPdを含有する層は、PtとPdの合金であっても良く、PtまたはPdを合計で50ａｔ％以上含有するのが好ましい。また、Cｏを含有する層は、Ｃｏを用いてもよいし、Ｃｏに他の元素としてＣｒ、Ｔａ、Ｃなどを添加しても良い。この場合、Ｃｏ含有する層にはＣｏを50ａｔ％以上含有させるのが好ましい。
【００３９】
本発明の磁性層は、図２に示すように、貴金属層３１とコバルト層３２との積層構造を複数以上含み、該積層構造の間に、非磁性材料層３３を有する構造とするのが好ましい。このような構造とすることにより、磁気記録媒体の角型比およびＨｎを高めることができ、かつノイズ特性を高めることが可能となる。
【００４０】
本発明の貴金属層３１とコバルト層３２との積層構造は、貴金属層３１とコバルト層３２とを交互に、それぞれ１層〜３０層の範囲内、より好ましくは5層〜20層の範囲内で積層した構造とするのが好ましい。積層数が、３０層より大きくなると膜厚が厚くなるため分解能が低下し、積層数が１層より少なくなると保磁力が低下してしまう。
【００４１】
なお、貴金属層３１またはコバルト層３２の層厚が薄くなると、それぞれの膜を例えばスパッタにより交互に成膜しても、それぞれの膜が巨視的にはミックスされた状態や、また、成膜後の膜の構造解析では、両層がミックスされた状態で分析される場合がある。本発明は、このように巨視的には両層がミックスされた状態の膜も含む。すなわち、このような膜でも微視的には貴金属層３１およびコバルト層３２が積層構造を形成し、本発明の効果を有するからである。
【００４２】
また本発明は、貴金属層３１とコバルト層３２との積層構造を、２積層構造〜１０積層構造の範囲内、より好ましくは２積層構造〜５積層構造の範囲内とし、各積層構造の間に、非磁性材料層３３を挟む構造とするのが好ましい。積層構造数が10より多くなると保磁力が維持できなくなり、積層構造数が1より少なくなるとSNR改善効果が見られなくなる。
【００４３】
なお、非磁性材料層３３も層厚が薄くなると、膜が巨視的には貴金属層３１またはコバルト層３２とミックスされた状態や、また、成膜後の膜の構造解析では、非磁性材料層が他層とミックスされた状態で分析される場合がある。本発明は、このように巨視的には層が他層とミックスされた状態の膜も含む。すなわち、このような膜でも微視的には貴金属層３１およびコバルト層３２との積層構造を分離し、本発明の効果を有するからである。
【００４４】
なお、貴金属層３１とコバルト層３２との積層構造体は、最下層側に貴金属層３１を形成してもよいし、コバルト層３２を形成してもよいが、特に、貴金属層３１を最下層側に形成するのが好ましい。
【００４５】
本発明の磁性層３は、磁化容易軸が基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層であるのが好ましい。主に垂直に配向とは、磁化容易軸の５０％以上、より好ましくは 70％以上、最も好ましくは90％以上が垂直に配向していることを意味する。磁化容易軸の基板に対して垂直に配向した比率が５０％未満となると、分解能が低下する。なお、磁化容易軸の基板に対する配向はTEMまたはX線回折によって測定する。
【００４６】
本発明の非磁性材料層を形成する非磁性材料は、C、Si、Geからなる群から選ばれた何れか1種以上を主成分とするのが好ましい。主成分とは、非磁性材料中の原子数比が５０ａｔ％以上、より好ましくは70ａｔ％以上を意味する。なお、C、Si、Geからなる群から複数の物質を選択した場合は、合計の原子数比を５０ａｔ％以上とするのが好ましい。また本発明では、非磁性材料にＳｎを含有させるのも好ましい。
【００４７】
非磁性材料としてこれらの物質を、５０ａｔ％以上の原子数比で用いることにより、磁気記録媒体において低ノイズの特性が得られる。
【００４８】
貴金属層３１の厚さは、０．４ｎｍ〜２ｎｍ（４オングストローム〜２０オングストローム）の範囲内、より好ましくは０．６ｎｍ〜１ｎｍの範囲内とするのが好ましい。貴金属層３１の厚さが上記範囲を外れると、保磁力および逆磁区核形成磁界Ｈｎが低下する。またノイズ特性が劣化しやすくなる。
【００４９】
コバルト層３２の厚さは、０．１ｎｍ〜１ｎｍ（１オングストローム〜１０オングストロームの範囲内、より好ましくは０．１ｎｍ〜０．４ｎｍの範囲内とするのが好ましい。コバルト層３２の厚さがこの範囲を外れると、保磁力および逆磁区核形成磁界Ｈｎが低下する。またノイズ特性が劣化しやすくなる。
【００５０】
本発明の非磁性材料としては特にカーボンがメディアノイズを下げる効果及び分解能を上げる効果が著しい。非磁性材料の膜厚は0.1〜10nmが好ましい。特に0.5nm〜5nmがさらに好適に用いられる。膜厚が0.1nm以下では、非磁性を挟んだ低ノイズ化の効果が見られない。また、10nm以上では非磁性層によるスペーシングロスの効果が大きくなり望ましくない。
【００５１】
本発明の貴金属層３１は、金属または非金属の酸化物または窒化物を含むのが好ましい。また、コバルト層３２についても、金属または非金属の酸化物または窒化物またはBを含むのが好ましい。金属または非金属としては、Cr,Cu,Ag,Au,B,Al,Ga,Si,Ge,Zrを用いるのが好ましい。
【００５２】
本発明の磁気記録媒体は、磁性膜３の上に、保護膜４を形成するのが好ましい。保護膜４は、磁性膜３の腐食を防ぐとともに、ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損傷を防ぎ、かつヘッドと媒体の間の潤滑特性を確保するためのもので、従来公知の材料を使用でき、例えばＣ、ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂の単一組成、またはこれらを主成分とし他元素を含むものが使用可能である。
【００５３】
保護膜４の厚さは、１ｎｍ〜１０ｎｍ（１０オングストローム〜１００オングストローム）の範囲内が好ましい。
【００５４】
本発明の磁気記録媒体のHnは、1000Ｏｅ〜4500Ｏｅ（79000Ａ／ｍ〜355500Ａ／ｍ）の範囲内、より好ましくは、1500 Ｏｅ〜 4500Ｏｅ（118500Ａ／ｍ〜355500 Ａ／ｍ）の範囲内とするのが好ましい。Ｈｎが1000Ｏｅより小さくなると低記録密度における熱揺らぎ耐性が低下し、4500Ｏｅより大きくなると記録特性が低下する。
【００５５】
ここでＨｎとは、一方向に外部磁界を加えて磁気記録媒体を十分に磁化した後、外部磁界を反転させ、逆方向の磁界強度を高めていったときに、磁化反転を起こすときの外部磁界を指す。
【００５６】
Ｈｎは、図３に示すヒステリシスループ（ＭＨループ）において、上記逆方向の磁界強度を高めていったときに、保磁力を示す磁界からMHループに沿って接線を引き、飽和磁化を示すMHループに沿ってX軸に平行に線を引いた時の交点の磁界を示す。
【００５７】
本発明の下地層２は、一般に使われるPt,Pd貴金属を主成分とした材料を使用してもよいが、C,Si,Geからなる群から選ばれた何れか1種以上を含むのが好ましい。下地膜は２、C,Si,Geを主成分とするものが媒体ノイズを低く抑えるとともに保磁力を増大させる。特にC,Si,Ge膜厚が厚いほどノイズが下がる傾向にある。なお、下地層２にＳｎを含有させるのも好ましい。
【００５８】
下地層２の膜厚としては、20オングストローム〜1000オングストロームの範囲内が好ましい。例えばカーボン下地膜２の厚さが２０オングストローム以下の場合には、十分な保磁力が得られずまた、ノイズ特性が悪化する。また、1000オングストローム以上では効果は変わらないが、表面性が悪化するので望ましくないし、裏打ち層を成膜した２層媒体ではスペーシングロスが大きいため望ましくない。下地膜２の厚さは、ノイズ特性の点から、より好ましくは、１００オングストローム〜９００オングストロームの範囲内、最も好ましくは、２００オングストローム〜８００オングストロームの範囲内とする。
【００５９】
また本発明では、基板１とカーボン下地膜２との間に、軟磁性層を設けることが好ましい。この軟磁性層は、特に限定されるものでないが、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの単一組成膜、またはＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏに他の元素を含有させた合金からなるものとするのが好ましい。
【００６０】
軟磁性膜の材料の具体例としては、ＮｉＦｅ、ＦｅＣ、ＦｅＡｌＳｉ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＴａＺｒ、ＦｅＴａＣ等の各種合金を挙げることができる。
【００６１】
また、軟磁性から発生するスパイクノイズを抑えるため、軟磁性層の下に面内硬磁性膜を成膜し半径方向に磁場をかけることで磁区の制御を行っても良いし、またはIrMnやPtMnなどの反強磁性材料を付与することで磁区を制御してもよい。
【００６２】
本発明の磁気記録媒体を製造するには、例えば、基板１上に、スパッタ法などによりカーボン下地膜２を形成し、次いで磁性膜３をスパッタ法により形成する。
【００６３】
磁性膜３を形成するには、貴金属層３１を構成する材料（ＰｔとＰｄのうち少なくとも１種を含む材料。）からなる第１ターゲットと、コバルト層３２を構成する材料（Ｃｏを含有する材料。）からなる第２ターゲット、非磁性材料層３３を構成する材料からなる第３ターゲットとを相互に用いて、貴金属層３１の構成材料と、コバルト層３２の構成材料とを積層させると共に、各積層構造の間にて、非磁性材料層３３を形成して磁性膜３を形成する。
【００６４】
この際、スパッタ装置の同一チャンバー内に、PtまたはPdを含有するスパッタターゲットと、Coを含有するスパッタターゲットと、非磁性材料を含むスパッタターゲットとを有し、磁性層３を構成する、貴金属層３１、コバルト層３２および非磁性材料層３３を、同一チャンバー内で順次積層あるいは同時に放電するのが好ましい。このような製造方法を用いることによりチャンバー数を増やすことなく積層が可能となり、また積層膜だけでなく単一膜のような成膜も可能となる。
【００６５】
なおカーボン下地膜２の形成には、真空蒸着、イオンプレーティングなどを用いることもできる。
【００６６】
次いで保護膜４を、好ましくはプラズマＣＶＤ法、イオンビーム法、スパッタリング法により形成する。
【００６７】
次いで、ディッピング法、スピンコート法などによって潤滑膜５を形成する。
【００６８】
図４は、上記磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置の例を示すものである。ここに示す磁気記録再生装置は、本発明の磁気記録媒体７と、磁気記録媒体７を回転駆動させる媒体駆動部８と、磁気記録媒体７に情報を記録再生する磁気ヘッド９と、ヘッド駆動部１０と、記録再生信号処理系１１とを備えている。記録再生信号処理系１１は、入力されたデータを処理して記録信号を磁気ヘッド９に送ったり、磁気ヘッド９からの再生信号を処理してデータを出力することができるようになっている。
【００６９】
【実施例】
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００７０】
（実施例１）
以下の手順で、磁気記録媒体を作製した。
【００７１】
洗浄したガラス基板１（株式会社オハラ製）をＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製）のチャンバ内にセットした。
【００７２】
チャンバ内を真空度２×１０^-5Paとなるまで排気した後、この基板１上に、カーボン下地膜２を成膜し、Pdからなる第1ターゲット、及びCoからなる第２ターゲットを交互に用いてCo層（膜厚2オングストローム）、Pd層（膜厚8オングストローム）を、交互に10回ずつ積層したあと、カーボン層（膜厚１０オングストローム）成膜し、さらにその後、Co層（膜厚2オングストローム）とPd層（膜厚8オングストローム）を10回積層し、磁性膜３を形成した。
【００７３】
磁性膜上には、カーボンからなる保護膜（膜厚5０オングストローム）を形成し、カーボン保護膜上には厚さ２０オングストロームのパーフルオロポリエーテルからなる潤滑膜をディッピング法により形成した。
【００７４】
（実施例２、３）
非磁性層の厚さを変えたこと以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
【００７５】
（比較例１）
非磁性層を形成しなかったこと以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
【００７６】
（実施例４〜５）
非磁性層の数を増やし、Co層、Pd層の積層数を変えた以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
【００７７】
（実施例６、７）
非磁性層の組成を変えた以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
【００７８】
（実施例８、９）
下地層の組成または膜厚を変えた以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
【００７９】
（実施例１０）
基板と下地層の間に、CoZrNbからなる軟磁性層を膜厚2000オングストロームで成膜した以外は実施例９と同様にして磁気記録媒体を作製した。
【００８０】
実施例１〜１０、比較例１の作製条件を表１に示す。
【００８１】
実施例１〜１０、比較例１の磁気記録媒体の静磁気特性を振動式磁気特性測定装置（ＶＳＭ）を用いて測定した。また、これら磁気記録媒体の電磁変換特性を、ＧＵＺＩＫ社製リードライトアナライザＲＷＡ１６３２、およびスピンスタンドＳ１７０１ＭＰを用いて測定した。電磁変換特性の評価には、磁気ヘッドとして、再生部に巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子を有する複合型薄膜磁気記録ヘッドを用い、記録条件を線記録密度４５０ｋＦＣＩとして測定した。
【００８２】
実施例１〜１０、比較例１の磁気記録媒体の静磁気特性、電磁変換特性の測定結果を表２に示す。
【００８３】
表１中、実施例１〜３、比較例１の比較より、非磁性層でCo層Pd層を分離した実施例１、２の磁気記録媒体は、非磁性層を形成しない比較例１の磁気記録媒体に比べ、非常に優れたノイズ特性を有するものとなった。
【００８４】
実施例4〜５によりCo層Pd層の分離数を増やしていくとさらに低ノイズ特性を示すものとなった。
【００８５】
【表１】

【００８６】
【表２】

【００８７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の磁気記録媒体を用いることにより、ノイズ特性に優れた磁気記録再生装置を提供することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示す一部断面図である。
【図２】本発明の磁気記録媒体の、他の実施形態を示す一部断面図である。
【図３】逆磁区核形成磁界Ｈｎについての説明図である。
【図４】図１に示す磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置の一例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
１基板
１０１軟磁性層
２下地膜
３磁性層
３１貴金属層
３２コバルト層
３３非磁性材料層
４保護膜
５潤滑膜
７磁気記録媒体
８媒体駆動部
９磁気ヘッド
１０ヘッド駆動部
１１記録再生信号処理系

Claims

基板（１）上に少なくとも、下地層（２）と、磁性層（３）とを有し、磁性層（３）が、
Ｐｄ層とＣｏ層との積層構造を複数含み、該積層構造の間にＣ層を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
Ｐｄ層とＣｏ層との積層構造が、Ｐｄ層とＣｏ層とを交互に、それぞれ１層〜３０層の範囲内で積層した構造であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
Ｃ層により分離されたＰｄ層とＣｏ層との積層構造を、２積層構造〜１０積層構造の範囲内で有することを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
磁性層（３）が、磁化容易軸が基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
Ｃ層の厚さが、０．１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
Ｐｄ層の厚さが、０．４ｎｍ〜２ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
Ｃｏ層の厚さが、０．１ｎｍ〜１ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
Ｐｄ層が、金属または非金属の酸化物または窒化物を含むことを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
Ｃｏ層が、金属または非金属の酸化物または窒化物を含むことを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
金属または非金属が、Ｃｒ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｚｒからなる群から選ばれた何れか１種以上であることを特徴とする請求項８または９に記載の磁気記録媒体。
磁気記録媒体のＨｎが、１０００Ｏｅ〜４５００Ｏｅ（７９０００Ａ／ｍ〜３５５５００Ａ／ｍ）の範囲内であることを特徴とする請求項１〜１０の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
下地層（２）が、Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅからなる群から選ばれた何れか１種以上を含むことを特徴とする請求項１〜１１の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
基板（１）と下地層（２）との間に、軟磁性材料を含む軟磁性層（１０１）を有することを特徴とする請求項１〜１２の何れか１項に記載の磁気記録媒体。