JP2005251264A - 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 媒体ノイズの低減化を図ると共に、記録されている磁化の熱安定性を向上させ、高記録密度で記録再生特性に優れる垂直磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】 非磁性の基板１上に磁性層６を備えている垂直磁気記録媒体において、磁性層６は、第１の磁性層６ａであるＣｏ層と第２の磁性層６ｂであるＰｄ層とを交互に多層積層して構成され、第２の磁性層６ｂには、ＳｉＯ_２を添加する。Ｋｕ_２とＫｕとの比を所定の値以上とすることにより、ヘッドによる垂直磁気記録媒体への書き込みやすさと記録された磁化の熱安定性との両立をさらに向上することが可能となる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、垂直磁気記録媒体に関し、より詳細には、高記録密度で記録再生特性に優れる垂直磁気記録媒体に関する。

近年、パーソナルコンピュータやワークステーションの高機能化に伴って搭載される記録装置は、大容量で小型の磁気記録装置が求められている。このような背景から、記録装置の磁気ディスクにはさらなる高記録密度化が要求されている。

現在実用化されている磁気記録方式は、磁化容易軸が磁気記録媒体面に平行となる「面内（長手）磁気記録方式」である。この面内磁気記録方式において記録密度を向上させるためには、記録媒体が備える磁性膜の残留磁化（Ｂｒ）と磁性層膜厚（ｔ）との積を小さくする必要があることに加え、保持力（Ｈｃ）も増大させる必要がある。このため、磁性膜の膜厚を薄くして結晶粒径を制御するための試みがなされている。

しかしながら、面内磁気記録方式においては、ビット長の短縮化に伴って反磁界が増加し残留磁束密度が減少するために再生出力が低下するという問題があり、さらに、結晶粒の微細化や磁性膜の薄膜化に伴って顕在化してくる「熱揺らぎ問題」もある。このような理由から、現在では、面内磁気記録方式によって磁気ディスクの高密度化を図ることは技術的に限界があると予想されている。

一方、これらの問題を解決しつつ面記録密度を向上させるために「垂直磁気記録方式」が検討されている。垂直磁気記録方式では、磁性膜の磁化容易軸が基板面に対し垂直方向に配向するように磁気記録媒体を設計する。従って、磁化遷移領域において隣接する磁化同士が相互に向き合うことがなく、ビット長が短くなっても磁化が安定で、かつ、磁束の減少もなく、高密度磁気記録媒体の磁気記録方法として適している。

このような利点の反面、垂直磁気記録媒体には、磁性層中の磁性粒界相互間の領域への非磁性元素の偏析が充分に行なわれず、その結果、磁性粒間の磁気的相互作用が大きくなり、媒体ノイズが高くなり易いという問題がある。したがって、非磁性元素の粒界偏析を促進可能な材料制御技術を開発することにより、媒体ノイズを低減させ、ＳＮ比を向上させた上で高密度記録化を達成することが求められている。

そこで公知の垂直磁気記録媒体の構成として、例えば、アルミやガラス等の非磁性基板上に軟磁性の裏打ち層を形成し、その上に磁性層を垂直に配向させるための下地層を形成し、さらに、その上に垂直磁気記録層と保護層を形成するという「２層垂直磁気記録媒体」が知られている。この垂直磁気記録層として、Ｃｏ‐Ｃｒ、Ｃｏ‐Ｃｒ‐Ｔａ、Ｃｏ‐Ｃｒ‐ＰｔなどのＣｏ基合金からなる垂直磁化膜、Ｐｔ／ＣｏやＰｄ／Ｃｏなどの多層積層垂直磁化膜、Ｔｂ‐ＣｏやＴｂ‐Ｆｅ‐Ｃｏなどの非晶質垂直磁化膜、などの多くの多層膜構成が検討されている。

なかでも、Ｐｔ／ＣｏやＰｄ／Ｃｏなどの多層積層垂直磁化膜は、垂直磁気異方性が大きく、熱安定性が高く、保磁力が大きく、さらに、角型比も容易に１．０近傍の値が得られることなどの理由により、将来の高記録密度媒体として盛んに研究されている。しかしながら、これらの多層膜媒体はいわゆる媒体ノイズが大きく、このノイズの低減が実用化に向けての課題である。

このような媒体ノイズの低減のため、下地層へのグラニュラー層の適応が行われてきた。また、特許文献１では、媒体ノイズの低減のために、ＣｏとＰｔまたはＰｄとを交互に積層した多層積層垂直磁化膜中にＢ元素またはＯ元素を含有させた垂直磁気記録媒体が開示されている。

特開２００２−２５０３２号公報

しかしながら、特許文献１に開示された垂直磁気記録媒体では、多層積層中のＣｏ層やＰｔ層またはＰｄ層へのＢ元素やＯ元素の添加により、垂直磁気異方性定数Ｋｕ（本明細書では「Ｋｕ」とも呼ぶ）の低下を招いてしまい、記録された磁化の熱安定性の低下の原因になってしまう。よって、熱安定性を確保するために垂直磁気異方性定数Ｋｕを大きく保ちながら、媒体ノイズを下げるようにすることが重要である。

以上から明らかなように、垂直磁気記録媒体は、優れた高密度記録の実現に大いに期待されているが、まだ改善しなければならない課題が残されている。特に、媒体ノイズを低減させると共に、熱安定性を向上させなければならない。

本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、媒体ノイズの低減化を図ると共に、記録されている磁化の熱安定性を向上させ、高記録密度で記録再生特性に優れる垂直磁気記録媒体を提供することにある。

本発明は、このような目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、非磁性の基板上に磁性層を備えている垂直磁気記録媒体であって、前記磁性層は、第１の磁性層であるＣｏ層と第２の磁性層であるＰｄ層とを交互に多層積層して構成され、該第２の磁性層には、Ｓｉ酸化物が添加されていることを特徴とする。

請求項２に記載の発明は、請求項１記載の垂直磁気記録媒体において、前記磁性層の結晶磁気異方性エネルギーは、Ｅ≒Ｋｕ_１ｓｉｎ^２θ＋Ｋｕ_２ｓｉｎ^４θで近似され、ここでＫｕ_１およびＫｕ_２は一軸異方性定数であり、θは自発磁化と磁性層の磁化容易軸とのなす角であり、結晶磁気異方性定数ＫｕはＫｕ＝Ｋｕ_１＋Ｋｕ_２の関係にあり、前記磁性層の磁化がほぼ飽和した条件でトルク磁力計で磁気異方性を測定した場合の前記Ｋｕおよび前記Ｋｕ_２は、Ｋｕ_２／Ｋｕ≧０．２５の関係を満たすことを特徴とする。

請求項３に記載の発明は、請求項１または２記載の垂直磁気記録媒体において、前記Ｓｉ酸化物の添加の量は、２〜８ｍｏｌ％の濃度範囲であることを特徴とする。

請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体において、前記第１の磁性層の膜厚は０．２〜０．５ｎｍであり、前記第２の磁性層の膜厚は０．６〜１．０ｎｍであることを特徴とする。

請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体において、前記磁性層と前記基板との間に下地層を備え、前記磁性層は該下地層の直上に設けられていることを特徴とする。

請求項６に記載の発明は、請求項５記載の垂直磁気記録媒体において、前記下地層は、Ｒｕ膜であることを特徴とする。

請求項７に記載の発明は、請求項５または６記載の垂直磁気記録媒体において、前記下地層の厚みは、５〜２０ｎｍであることを特徴とする。

請求項８に記載の発明は、請求項５乃至７のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体において、前記下地層の表面は、酸素吸着されていることを特徴とする。

請求項９に記載の発明は、請求項５乃至８のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体において、前記基板と前記下地層との間に該下地層の結晶配向をＣ軸配向させるための配向制御層を設けることを特徴とする。

請求項１０記載の発明は、請求項９記載の垂直磁気記録媒体において、前記配向制御層は、第１の配向制御層と第２の配向制御層とを積層させて構成されていることを特徴とする。

請求項１１に記載の発明は、請求項１０記載の垂直磁気記録媒体において、前記第１の配向制御層はＴａ層であり、前記第２の配向制御層はＮｉＦｅＮｂＢ層、ＮｉＦｅＣｒ層またはＮｉＦｅＳｉ層のうちのいずれかであることを特徴とする。

請求項１２に記載の発明は、請求項１１記載の垂直磁気記録媒体において、前記ＮｉＦｅＮｂＢ層の組成は、Ｎｉが６４〜８６ａｔ％、Ｆｅが１０〜２０ａｔ％、Ｎｂが２〜１０％、Ｂが２〜６ａｔ％の範囲であり、前記ＮｉＦｅＣｒ層の組成は、Ｎｉが５０〜７０ａｔ％、Ｆｅが１０〜２０ａｔ％、Ｃｒが２０〜３０ａｔ％の範囲であり、前記ＮｉＦｅＳｉ層の組成は、Ｎｉが７０〜８８ａｔ％、Ｆｅが１０〜２０ａｔ％、Ｓｉが２〜１０ａｔ％の範囲であり、前記各組成は、各元素の組成比の合計が１００％になるようにすることを特徴とする。

請求項１３に記載の発明は、請求項１０乃至１２のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体において、前記第１の配向制御層の厚みは１〜５ｎｍであり、前記第２の配向制御層の厚みは５〜３０ｎｍであることを特徴とする。

請求項１４に記載の発明は、請求項１０乃至１３のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体において、前記基板と前記第１の配向制御層との間に、軟磁性の裏打ち層が設けられていることを特徴とする。

請求項１５に記載の発明は、請求項１４記載の垂直磁気記録媒体において、前記裏打ち層は、ＣｏＺｒＮｂまたはＣｏＺｒＴａの合金組成を有し、５０〜３００ｎｍの膜厚であることを特徴とする。

請求項１６に記載の発明は、垂直磁気記録媒体の製造方法であって、非磁性の基板上に、Ｒｕ膜の下地層を成膜する下地層成膜工程と、前記下地層の直上に第１の磁性層であるＣｏ層とＳｉ酸化物が添加された第２の磁性層であるＰｄ層とを交互に多層積層して磁性層を成膜する成膜工程とを有することを特徴とする。

請求項１７に記載の発明は、請求項１６記載の垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記成膜工程は、ＣｏのターゲットおよびＰｄに２〜８ｍｏｌの濃度範囲でＳｉ酸化物を添加させた組成のターゲットを用いるスパッタ法であることを特徴とする。

請求項１８に記載の発明は、請求項１６または１７記載の垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記下地層成膜工程では、前記下地層の表面を、質量流量比１〜１０％の酸素を混合したガス圧０．１〜１０ＰａのＡｒガス中に１〜１０秒間曝して前記下地層の表面に酸素を吸着させることを特徴とする。

請求項１９に記載の発明は、請求項１６乃至１８のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記下地層成膜工程に先立って、前記基板上に前記下地層の結晶配向をＣ軸配向させるための第１の配向制御層であるＴａ層と第２の配向制御層であるＮｉＦｅＮｂＢ層、ＮｉＦｅＣｒ層またはＮｉＦｅＳｉ層のうちのいずれかを成膜する配向制御層成膜工程をさらに有し、前記配向制御層成膜工程では、前記第１の配向制御層と前記第２の配向制御層とを積層させることを特徴とする。

請求項２０に記載の発明は、請求項１６乃至１９のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記配向制御層成膜工程に先立って、前記基板上に軟磁性の裏打ち層であるＣｏＺｒＮｂ層またはＣｏＺｒＴａ層を成膜する裏打ち層成膜工程をさらに有することを特徴とする。

以上説明したように、本発明によれば、垂直磁気記録媒体において、磁性層を第１の磁性層であるＣｏ層と第２の磁性層であるＰｄ層とを交互に多層積層し、第２の磁性層には、Ｓｉ酸化物を添加するので、垂直磁気記録媒体に記録された磁化の熱安定性を向上させることができ、優れた記録再生特性を得ることができる。

また、Ｋｕ_２とＫｕとの比を所定の値以上とすることにより、ヘッドによる垂直磁気記録媒体への書き込みやすさと記録された磁化の熱安定性との両立をさらに向上することが可能となる。

以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
（本発明を実施するにあたって実行した検討事項）
従来の垂直磁気記録媒体では、高密度記録媒体として有利な点が多く存在するが、磁性層中の磁性粒界相互間の領域への非磁性体の偏析が充分に行なわれず、磁性粒間の磁気的相互作用が大きくなり、媒体ノイズが高くなり易いという問題があった。

この点を考慮して、多層積層垂直磁化膜の基本構成をＣｏ／Ｐｄとし、Ｃｏ層にＳｉＯ_２を添加した垂直磁気記録媒体を作製する。

このようにして、Ｃｏ層にＳｉＯ_２を添加すると、Ｃｏ粒子間に非磁性のＳｉＯ_２を偏析させることができる。このため、Ｃｏ粒子の微細化・孤立化を図ることができ、媒体ノイズの低減を図ることができる。また、媒体ノイズの低減により、ＳＮ比を上げることができるため、記録再生特性は向上され、また、高密度記録が達成される。

一方、上述のように、垂直磁気記録媒体において、媒体ノイズを低減させることに加え、優れた記録再生特性を持たせ、記録された磁化の熱安定性を向上させることが望まれている。

本発明の一実施形態は、上記により説明した検討事項に鑑みてなされたものであり、本
発明の幾つかの実施形態を以下に説明する。

本発明の一実施形態は、第１の磁性層であるＣｏ層と第２の磁性層であるＰｄ層とを交互に積層させた多層積層膜を備える垂直磁気記録媒体において、Ｐｄ層にＳｉ酸化物を添加するものである。このように、Ｐｄ層にＳｉ酸化物を添加し、そのＰｄ層とＣｏ層とを積層させることにより、結晶磁気異方性定数Ｋｕを大きくすることができるのである。また、一軸異方性定数Ｋｕ_２も大きくすることができるのである。

（本発明の原理）
本発明の原理を以下に示す。
垂直磁気記録媒体に記録された磁化の熱安定性を向上するためには、垂直磁気異方性定数Ｋｕを大きくする必要があるが、一般に、垂直磁気異方性定数Ｋｕを大きくしようとすると、保持力Ｈｃやスイッチング磁界Ｈｋも大きくなる。保持力Ｈｃやスイッチング磁界Ｈｋが大き過ぎると、ヘッドによる磁気記録媒体への書き込みが困難になってしまうので、それらの大きさを適度にする必要がある。Ｋｕは、Ｋｕ＝Ｋｕ_１＋Ｋｕ_２で与えられる。ここで、Ｋｕ_１およびＫｕ_２は一軸異方性定数（本明細書では、それぞれ「Ｋｕ_１」および「Ｋｕ_２」とも呼ぶ）である。また、磁気記録媒体への記録時のスイッチング磁界は、飽和磁化をＭｓとすると、Ｈｋ＝２Ｋｕ_１／Ｍｓで与えられるので、Ｋｕ_１が小さいほどＨｋが小さくなり、磁気記録媒体への書き込みが行い易くなる。

一方、記録された磁化の熱安定性を考慮すると、Ｋｕは、大きい方が望ましい。すなわち、磁性粒子の体積をＶとすると、磁気記録媒体に記録された磁化は、「ＫｕＶ」で表される磁気異方性エネルギーを有し、ボルツマン定数をｋ、絶対温度をＴとすると、周囲環境は、「ｋＴ」で表される熱エネルギーを有し、記録されている磁化の熱安定性は、ＫｕＶ／ｋＴで表されるので、熱安定性の向上には、Ｋｕを大きくすることが必要である。

このように、優れた記録再生特性を得るためには、Ｋｕ_１を小さくし、記録された磁化の熱安定性を向上するためには、Ｋｕを大きくしなければならない。

ところが、Ｋｕ＝Ｋｕ_１＋Ｋｕ_２であるので、Ｋｕを大きくしても、Ｋｕ_２を大きくできればＫｕ_１を小さくすることがでる。従って、Ｋｕを大きくし、かつＫｕに占めるＫｕ_２の割合を大きくできれば、記録された磁化の熱安定性を向上させると共に、スイッチング磁界を適度に保つことができ、優れた記録再生特性を得ることができる。また、種々の条件で作製された各垂直磁気記録媒体においてＫｕが同じであれば、Ｋｕ_２を大きくしＫｕ_２のＫｕに占める割合を大きくすることが重要である。

なお、記録された磁化の熱安定性を向上させ、かつＨｋを適度に保つためには、一軸異方性定数Ｋｕ_２が垂直磁気異方性定数Ｋｕに占める割合は、大きい方が望ましく、Ｋｕ_２／Ｋｕが２５％以上であることが好ましい。

上述のように、優れた記録再生特性を得ると共に、記録された磁化の熱安定性を向上させるために、すなわち、垂直磁気異方性定数Ｋｕを大きく保ち、かつ一軸異方性定数Ｋｕ_２も大きくするために、本発明の一実施形態では、図１に示すように、垂直磁気記録媒体において、磁性層をＣｏ層とＳｉ酸化物を添加したＰｄ層とを積層させた多層積層膜とする。

（垂直磁気記録媒体の構成）
図１は、本発明の一実施形態の垂直磁気記録媒体の基本的な構成例を説明するための概念図で、Ａｌやガラスなどの非磁性の基板１上に、裏打ち層２と配向制御層（３および４）と下地層５と垂直配向した磁性層６とが順次積層され、磁性層６の上には保護層７が設けられている。

上述した本発明の一実施形態の垂直磁気記録媒体において、磁性層６をＣｏ層とＰｄ層とを多層に積層させた多層積層膜で基本構成し、かつ、Ｐｄ層にＳｉ酸化物を添加させ、かかる構成の磁性層６を、磁性層６を構成する磁性粒相互間の磁気的相互作用を小さくするために設けられた下地層５上に形成する。ここで、下地層５は好ましくは、Ｒｕ膜で構成されているが、Ｐｔ膜、Ｐｄ膜、Ｐｔ／Ｐｄ積層膜などであっても良い。また、磁性層６に添加されるＳｉ酸化物の組成は好ましくは化学量論比を満足するものとされ、ＳｉＯ_ｘ（０＜ｘ≦２）の組成を有するが好ましくはＳｉＯ_２である。図１に示されている裏打ち層２と配向制御層（３および４）は、下地層５の結晶配向性（Ｃ軸配向性）を高めるために下地層５と基板１との間に付加することが好ましい層であり、これらの層を備えない構成の垂直磁気記録媒体とすることも可能である。

より具体的に説明すると、下地層５はｈｃｐ（六方最密）結晶構造であるＲｕの膜からなり、その厚さは５〜２０ｎｍの範囲とする。なお、下地層５の表面に酸素吸着処理を施した後に磁性層６を形成することとすると、磁性層６の磁気特性を更に高めることが可能となる。すなわち、下地層５の表面に酸素吸着させると、この下地層５の上に形成される磁性層６の磁性粒間の磁気的相互作用が抑制され、Ｈｃ付近での磁化曲線の傾きα（本明細書では、「α」とも呼ぶ）が緩やかとなり、記録再生が容易化するという利点がある。なお、下地層５への酸素吸着は、下地層５の形成後、その表面を、質量流量比１〜１０％の酸素を混合したガス圧０．１〜１０ＰａのＡｒガス中に１〜１０秒間曝すことにより行われる。

上述のαとは、磁性層６を構成する磁性粒子相互間の磁気的な相互作用の大きさを表す指標である。αが小さければ、磁性粒子間の磁気的な相互作用が低減されているといえ、媒体ノイズが低減しているといえるのである。

磁性層６は、Ｃｏ／Ｐｄの多層積層膜で基本構成されており、この多層積層膜を構成する第1の磁性層６ａであるＣｏ層には何も添加せず、第２の磁性層６ｂであるＰｄ層には、Ｓｉ酸化物（ＳｉＯ_ｘ）が添加されて、Ｃｏ／Ｐｄ−ＳｉＯ_２などの組成を有する多層積層膜となる。本発明の一実施形態で好ましく用いられるＳｉＯ_２は、２〜８ｍｏｌ％の濃度範囲でＰｄ層に添加する。また、Ｃｏ層の厚さは、０．２〜０．５ｎｍの範囲とし、Ｐｄ層の厚さは、０．６〜１．０ｎｍとする。

このように、Ｃｏ層には何も添加せず、Ｐｄ層にＳｉＯ_２を添加し、それらの層を積層させることにより、結晶磁気異方性定数Ｋｕを大きく保つことができ、かつ、一軸異方性定数Ｋｕ_２も大きくすることができる。従って、記録された磁化の熱安定性を向上することができ、また、スイッチング磁界Ｈｋを適度に保つことができることから、優れた記録再生特性を得ることができるのである。

さらに、Ｐｄ層にＳｉＯ_２を添加することで、粒子間に非磁性であるＳｉＯ_２を偏析させて磁性粒子の微細化・孤立化を図ることができる。従って、保持力Ｈｃを適度に保つことができ、媒体ノイズも低減することができる。

本発明の一実施形態の垂直磁気記録媒体において、表面に酸素吸着させた下地層５を設けるのは、この下地層５上に形成される磁性層６の保磁力（Ｈｃ）付近の磁化曲線の傾きαを制御するためであり、磁性層６にＣｏ／Ｐｄの多層積層膜を用いるのは、Ｃｏ‐Ｃｒ合金などの磁性層に比較してＨｃが大きく角型比が容易に１となり、界面磁気異方性を利用して大きな結晶磁気異方性が得られるからである。結晶磁気異方性を大きくすると、記録された磁化の熱安定性を向上させるばかりでなく、磁化容易軸が磁性層６の表面に対して垂直になり易くなり、その表面に対して垂直な磁場に対する保持力が大きくなり、また、残留磁化が残り易くなる。

配向制御層（３および４）は、下地層５（Ｒｕ層）の結晶配向性（Ｃ軸配向性）を高めるために設けられるものであり、好ましくは、第１の配向制御層３であるＴａ層と第２の配向制御層４であるＮｉＦｅＮｂＢ層とを積層させた２層構造として構成される。なお、第２の配向制御層はＮｉＦｅＣｒ層やＮｉＦｅＳｉ層であってもよい。下地層５のＣ軸配向性を高めることで、この下地層５の上に設けられる磁性層６の結晶配向性も向上し磁気特性を更に高めることが可能となる。配向制御層３であるＴａ層の厚さは、１〜５ｎｍの範囲とし、また、配向制御層４とすることができるＮｉＦｅＮｂＢ層、ＮｉＦｅＣｒ層およびＮｉＦｅＳｉ層の厚さは、５〜３０ｎｍの範囲とする。また、ＮｉＦｅＮｂＢ層の組成を、Ｎｉが６４〜８６ａｔ％、Ｆｅが１０〜２０ａｔ％、Ｎｂが２〜１０％、Ｂが２〜６ａｔ％の範囲とし、ＮｉＦｅＣｒ層の組成を、Ｎｉが５０〜７０ａｔ％、Ｆｅが１０〜２０ａｔ％、Ｃｒが２０〜３０ａｔ％の範囲とし、ＮｉＦｅＳｉ層の組成を、Ｎｉが７０〜８８ａｔ％、Ｆｅが１０〜２０ａｔ％、Ｓｉが２〜１０ａｔ％の範囲とする。ただし、各元素の組成比の合計が１００％になるようにして各層を作成する。

裏打ち層２は、記録ヘッドでの書き込み能力を増大させるために設けられるもので、例えば、５０〜３００ｎｍの厚みの軟磁性膜であり、その組成は例えばＣｏＺｒＮｂやＣｏＺｒＴａの組成とすることができる。

以上説明したように、本発明の一実施形態では、基本構成がＣｏ／Ｐｄの多層積層膜において、この多層積層膜を構成する第1の磁性層６ａであるＣｏ層には何も添加せず、第２の磁性層６ｂであるＰｄ層にＳｉＯ_２を添加し、これらの磁性層を積層させるので、垂直磁気異方性定数Ｋｕを大きくすることができ、かつＫｕに占める一軸異方性定数Ｋｕ_２の割合を大きくすることができるので、垂直磁気記録媒体に記録された磁化の熱安定性を向上すると共に、優れた記録再生特性を得ることができる。

また、磁性層６ｂに非磁性体であるＳｉＯ_２を偏在させるので、磁性粒間の磁気的相互作用を小さくすることができ、媒体ノイズを低減することができる。

さらに、下地層５として、表面に酸素吸着させたＲｕ下地層を用いることにより、保持力Ｈｃ付近での磁化曲線の傾きαを緩やかにして磁性層６の粒子間の磁気的相互作用を小さくすることができ、記録再生を容易化することができる。

以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明は、下記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることは言うまでもない。

（実施例１）
本実施例では、基板１をガラス基板、裏打ち層２をＣｏＺｒＮｂ膜、配向制御層３をＴａ層、配向制御層４をＮｉＦｅＮｂＢ層、下地層５をＲｕ層、保護層７を窒素ドープのカーボン膜とし、磁性層６を、Ｃｏ組成の第１の磁性層６ａであるＣｏ層と、Ｐｄ−ＳｉＯ_２組成の第２の磁性層６ｂであるＰｄ−ＳｉＯ_２層とを多層積層させて構成した例について説明する。

この垂直磁気記録媒体の製造方法は以下のとおりである。基板１は厚み０．６３５ｍｍで直径２．５インチのガラス基板であるが、その径や厚さは本質的ではない。また、材質も本質的ではなく、基板１としてＡｌ基板などでもよい。

基板１を充分に洗浄したのちに、軟磁性層であるＣｏＺｒＮｂ膜を成膜して裏打ち層２をスパッタリング法により形成する。本実施例で用いたスパッタターゲットは、８７ａｔ％Ｃｏ‐５ａｔ％Ｚｒ‐８ａｔ％Ｎｂ組成である。スパッタガスとしてはＡｒガスを用い、Ａｒガス圧約１Ｐａで室温にて約２００ｎｍの厚さに成膜した。なお、ＣｏＺｒＮｂ膜は、室温成膜した非晶質状態でも充分な軟磁気特性を有する。

このＣｏＺｒＮｂ膜の上に、連続して、Ｔａの第１の配向制御層３をスパッタ成膜する。用いたターゲットは純Ｔａである。Ａｒガスでスパッタを行い膜厚３ｎｍの厚さに成膜した。成膜温度は室温、ガス圧は約１Ｐａである。

このＴａ膜の上に、連続して、ＮｉＦｅＮｂＢの第２の配向制御層４をスパッタ成膜する。用いたターゲットの組成は７９ａｔ％Ｎｉ−１２ａｔ％Ｆｅ−３ａｔ％Ｎｂ−６ａｔ％Ｂである。Ａｒガスでスパッタを行い膜厚約２５ｎｍの厚さに成膜した。成膜温度は室温、ガス圧は約１Ｐａである。

上述により成膜された配向制御層３および４は、次に成膜する下地層５（Ｒｕ層）の結晶配向をｈｃｐ結晶構造にさせるために用いている。すなわち、Ｒｕの下地層５の結晶をＣ軸配向させて保磁力を向上させることを目的として、結晶配向制御用に第１の配向制御層３としてＴａ層、第２の配向制御層４としてＮｉＦｅＮｂＢ層を用いるのである。

上述により成膜されたＮｉＦｅＮｂＢ膜の上に、下地層５であるＲｕ膜をスパッタ成膜する。用いたターゲットは純Ｒｕである。Ａｒガスでスパッタを行い膜厚約１０ｎｍの厚さに成膜した。成膜温度は室温、ガス圧は約４Ｐａである。このようにして成膜したｈｃｐ結晶構造であるＲｕ下地層５の表面を、１Ｐａの圧力下でＡｒガスに質量流量比２％のＯ_２ガスを混合させた雰囲気中に１０秒程度曝してＲｕ表面に適度な量の酸素を吸着させた。

このように、下地層５として、表面に酸素吸着させたＲｕ下地層を用いることにより、Ｈｃ付近での磁化曲線の傾きを緩やかにして垂直磁性層の粒子間の磁気的相互作用を小さくし、記録再生を容易化している。

次に、このＲｕの下地層５の上に、Ｃｏ／Ｐｄ−ＳｉＯ_２多層積層膜からなる垂直配向した磁性層６をスパッタリングにより形成する。用いたターゲットは、純Ｃｏ、およびＰｄに５ｍｏｌ％のＳｉＯ_２を添加させた組成（９５ｍｏｌ％Ｐｄ−５ｍｏｌ％ＳｉＯ_２）のターゲットである。これらの２つのターゲットを同時に放電してスパッタさせながら回転させることで、Ｃｏ層とＰｄ−ＳｉＯ_２層とを交互に積層させる。なお、成膜されたＰｄ−ＳｉＯ_２層の組成は、用いたターゲットの組成を反映して９５ｍｏｌ％Ｐｄ−５ｍｏｌ％ＳｉＯ_２である。Ａｒガスでスパッタを行い、膜厚はＣｏ層が０．３ｎｍ、Ｐｄ−ＳｉＯ_２層が０．８ｎｍである。なお、この成膜は室温で行っており、ガス圧は５Ｐａである。

このように、磁性層６として第１の磁性層６ａであるＣｏ層と第２の磁性層６ｂであるＰｄ−ＳｉＯ_２層とを交互に多層積層されたＣｏ／Ｐｄ−ＳｉＯ_２を用いることで、Ｋｕを大きくすることおよびＫｕに占めるＫｕ_２を大きくすることを図っている。また、ＰｄにＳｉＯ_２を添加することでＰｄ粒子間に非磁性のＳｉＯ_２を偏析させてＰｄ粒子の微細化・孤立化を図っている。

最後に、保護層７である窒素ドープのカーボン（Ｃ：Ｎ）膜をスパッタ成膜する。用いたターゲットはＣである。Ａｒガスに質量流量比４％のＮ_２ガスを混合させた雰囲気中にＡｒガスでスパッタを行い膜厚約７ｎｍの厚さに成膜した。成膜温度は室温、Ａｒガス圧は約１Ｐａである。

このようにして、Ｃｏ／９５ｍｏｌ％Ｐｄ−５ｍｏｌ％ＳｉＯ_２多層積層膜からなる磁性層を備える垂直磁気記録媒体を作製した。

図２は、Ｃｏ／９５ｍｏｌ％Ｐｄ−５ｍｏｌ％ＳｉＯ_２多層積層膜からなる磁性層を備える垂直磁気記録媒体（媒体Ａとも呼ぶ）、９４ｍｏｌ％Ｃｏ−６ｍｏｌ％ＳｉＯ_２／Ｐｄ多層積層膜からなる磁性層を備える垂直磁気記録媒体（媒体Ｂとも呼ぶ）、９４ｍｏｌ％Ｃｏ−６ｍｏｌ％ＳｉＯ_２／９５ｍｏｌ％Ｐｄ−５ｍｏｌ％ＳｉＯ_２多層積層膜からなる磁性層を備える垂直磁気記録媒体（媒体Ｃとも呼ぶ）、および純Ｃｏ層と純Ｐｄ層とを多層積層させたＣｏ／Ｐｄ多層積層膜からなる磁性層（媒体Ｄとも呼ぶ）を備える垂直磁気記録媒体の各々の保持力Ｈｃの、Ｐｄ層またはＰｄ−ＳｉＯ_２層の膜厚依存性を説明するための図である。同図において、縦軸は保持力Ｈｃであり、横軸はＰｄまたはＰｄ−ＳｉＯ_２の膜厚（厚さ）である。

なお、媒体Ｂ、媒体Ｃおよび媒体Ｄは、磁性層の構成を上述のようにした以外は、媒体Ａと同様の組成および成膜プロセスを用いて垂直磁気記録媒体を作製した。

図２において、Ｈｃは、４種類の媒体ともＰｄまたはＰｄ−ＳｉＯ_２の膜厚が０．８ｎｍであれば、Ｈｃは大きくなることが分かる。この膜厚において、媒体Ｃについては、Ｈｃは４０００Ｏｅ程度である。一方、本発明に係る媒体Ａは、Ｈｃは７０００Ｏｅ程度であり、優れた記録再生特性を得るためには十分な大きさである。また、媒体Ｂについては、Ｈｃは７５００Ｏｅ程度である。また、Ｃｏ層およびＰｄ層にＳｉＯ_２を添加していない媒体Ｄについては、Ｈｃが１００００Ｏｅ程度あり大きすぎる。Ｈｃが大きすぎると、磁化方向を反転させるのに、記録再生に用いるリングヘッドから発生する磁界が足らず、十分な記録再生が行えない。

上述のように、Ｃｏ層およびＰｄ層を基本構成とする多層積層膜を備える垂直磁気記録媒体において、Ｃｏ層やＰｄ層へのＳｉＯ_２添加の有無によって、Ｈｃの大きさを調整することができ、特に、本発明に係る媒体Ａでは、Ｈｃの大きさを大きすぎず、また小さすぎず、適度な大きさにすることができ、優れた記録再生特性を得ることができる。

（実施例２）
図３は、Ｃｏ／９５ｍｏｌ％Ｐｄ−５ｍｏｌ％ＳｉＯ_２多層積層膜からなる磁性層を備える垂直磁気記録媒体（媒体Ａ_１とも呼ぶ）、９４ｍｏｌ％Ｃｏ−６ｍｏｌ％ＳｉＯ_２／Ｐｄ多層積層膜からなる磁性層を備える垂直磁気記録媒体（媒体Ｂ_１とも呼ぶ）、９４ｍｏｌ％Ｃｏ−６ｍｏｌ％ＳｉＯ_２／９５ｍｏｌ％Ｐｄ−５ｍｏｌ％ＳｉＯ_２多層積層膜からなる磁性層を備える垂直磁気記録媒体（媒体Ｃ_１とも呼ぶ）、および純Ｃｏ層と純Ｐｄ層とを多層積層させたＣｏ／Ｐｄ多層積層膜からなる磁性層（媒体Ｄ_１とも呼ぶ）を備える垂直磁気記録媒体の各々の、磁化曲線のＨｃ付近の傾きαのＰｄまたはＰｄ−ＳｉＯ_２層の膜厚依存性を説明するための図で、この図において、縦軸が傾きα、横軸がＰｄまたはＰｄ−ＳｉＯ_２膜厚である。磁化曲線の傾きαは、磁性層６を構成する磁性粒相互間の磁気的な相互作用の大きさを示す指標であり、この値が小さい方が好ましいとされる。

なお、本実施例において、本発明に係る媒体Ａ_１の作製条件および作成方法については、実施例１と同様であるので、それらの説明は省略する。また、媒体Ｂ_１、媒体Ｃ_１および媒体Ｄ_１は、磁性層の構成を上述のようにした以外は、媒体Ａ_１と同様の組成および成膜プロセスを用いて垂直磁気記録媒体を作製した。

図３において、４種類の媒体のいずれにおいても、ＰｄまたはＰｄ−ＳｉＯ_２の膜厚が厚い方がαは小さくなることが分かる。また、媒体Ｄ_１については、αが１．５以上であるのに対し、媒体Ａ_１、媒体Ｂ_１および媒体Ｃ_１については、各膜厚において、媒体Ｄ_１に比べて、αは小さい値を示し、またその値は同程度であることも分かる。すなわち、Ｃｏ層およびＰｄ層を基本構成とする多層積層膜を備える垂直磁気記録媒体において、Ｃｏ層またはＰｄ層にＳｉＯ_２を添加すると、磁性粒相互間の磁気的相互作用を抑制することができ、その結果、媒体ノイズが低減されることを意味している。

（実施例３）
表１は、Ｃｏ／９５ｍｏｌ％Ｐｄ−５ｍｏｌ％ＳｉＯ_２多層積層膜からなる磁性層を備える垂直磁気記録媒体（媒体Ａ_２とも呼ぶ）、９４ｍｏｌ％Ｃｏ−６ｍｏｌ％ＳｉＯ_２／Ｐｄ多層積層膜からなる磁性層を備える垂直磁気記録媒体（媒体Ｂ_２とも呼ぶ）、９４ｍｏｌ％Ｃｏ−６ｍｏｌ％ＳｉＯ_２／９５ｍｏｌ％Ｐｄ−５ｍｏｌ％ＳｉＯ_２多層積層膜からなる磁性層を備える垂直磁気記録媒体（媒体Ｃ_２とも呼ぶ）、および純Ｃｏ層と純Ｐｄ層とを多層積層させたＣｏ／Ｐｄ多層積層膜からなる磁性層（媒体Ｄ_２とも呼ぶ）を備える垂直磁気記録媒体の各々の、垂直磁気異方性定数Ｋｕ、一軸異方性定数Ｋｕ_１およびＫｕ_２、ならびにＫｕ_２とＫｕとの比、すなわちＫｕ_２／Ｋｕを求めた結果である。

なお、本実施例において、本発明に係る媒体Ａ_２の作製条件および作成方法については、実施例１と同様であるので、それらの説明は省略する。また、媒体Ｂ_２、媒体Ｃ_２および媒体Ｄ_２は、磁性層の構成を上述のようにし、多層積層膜を構成するＣｏ層またはＣｏ−ＳｉＯ_２層の膜厚を０．３ｎｍとし、Ｐｄ層またはＰｄ−ＳｉＯ_２層の膜厚を０．８ｎｍとした以外は、媒体Ａ_２と同様の組成および成膜プロセスを用いて垂直磁気記録媒体を作製した。

また、本実施例では、磁性層の磁化がほぼ飽和した条件で、トルク磁力計により印加磁界Ｈを１０ｋＯｅ〜２５ｋＯｅの範囲で変化させて測定した各印加磁界Ｈに対する磁気トルク曲線をフーリエ解析し、磁性膜の結晶磁気異方性エネルギーＥがＥ≒Ｋｕ_１ｓｉｎ^２θ＋Ｋｕ_２ｓｉｎ^４θ（θ：自発磁化と磁性膜の磁化容易軸とのなす角）で近似される関係を用いて各印加磁界Ｈに対するＫｕとＫｕ_２とを求めた。このようにして求められた各印加磁界Ｈに対するＫｕおよびＫｕ_２を、印加磁界の逆数（１／Ｈ）でプロットし直線で近似した。すなわち、Ｋｕについては、その直線において、１／Ｈ＝０（すなわちｙ切片）に外挿して得られた値に２πＭｓ^２（Ｍｓ：飽和磁化）を足した値をＫｕと定義した。また、Ｋｕ_２については、上述の直線において、外挿して得られた値をそのままＫｕ_２と定義した。さらに、Ｋｕ＝Ｋｕ_１＋Ｋｕ_２であるので、Ｋｕ_１については、Ｋｕ−Ｋｕ_２で求められる値をＫｕ_１と定義した。

この表から分かるように、Ｋｕについては、本発明に係る媒体Ａ_２が最も大きな値を示していることが分かる。従って、記録されている磁化の熱安定性はＫｕＶ／ｋＴで表されるので、Ｋｕが最も大きい媒体Ａ_２が、記録された磁化の熱安定性が最も良いといえる。

また、Ｃｏ層およびＰｄ層を基本構成とする多層積層膜において、Ｃｏ層にＳｉＯ_２を添加していない媒体Ａ_２および媒体Ｄ_２のＫｕは、Ｃｏ層にＳｉＯ_２を添加している媒体Ｂおよび媒体ＣのＫｕに比べて大きいことも分かる。従って、Ｃｏ層にＳｉＯ_２を添加しない方が、記録された磁化の熱安定性に有利であるといえる。

また、比Ｋｕ_２／Ｋｕについても、本発明に係る媒体Ａは、最も高いＫｕを達成した上で最も大きいことが分かる。上述のように、記録時のスイッチング磁界Ｈｋは、Ｈｋ＝２Ｋｕ_１／Ｍｓと表せるので、Ｋｕ_１のみがスイッチング磁界Ｈｋに影響するが、記録された磁化の熱安定性はＫｕ＝Ｋｕ_１＋Ｋｕ_２で効いてくる。従って、Ｋｕを大きくし、かつＫｕ_２も大きくすると、すなわちＫｕを大きくし比Ｋｕ_２／Ｋｕを大きくすると、垂直磁気記録媒体への書き込みを容易にすることができ、記録された磁化の熱安定性を向上することができる。

（実施例４）
表２は、Ｃｏ／９５ｍｏｌ％Ｐｄ−５ｍｏｌ％ＳｉＯ_２多層積層膜からなる磁性層を備える垂直磁気記録媒体（媒体Ａ_３とも呼ぶ）、９４ｍｏｌ％Ｃｏ−６ｍｏｌ％ＳｉＯ_２／Ｐｄ多層積層膜からなる磁性層を備える垂直磁気記録媒体（媒体Ｂ_３とも呼ぶ）、および純Ｃｏ層と純Ｐｄ層とを多層積層させたＣｏ／Ｐｄ多層積層膜からなる磁性層（媒体Ｃ_３とも呼ぶ）を備える垂直磁気記録媒体の各々の、記録再生特性としてＳＮ比（ＳＮＲ）およびＯＷ（オーバーライト）特性を求めた結果である。

なお、本実施例において、本発明に係る媒体Ａ_３の作製条件および作成方法については、実施例１と同様であるので、それらの説明は省略する。また、媒体Ｂ_３、媒体Ｃ_３は、磁性層の構成を上述のようにし、多層積層膜を構成するＣｏ層またはＣｏ−ＳｉＯ_２の膜厚を０．３ｎｍとした以外は、媒体Ａ_３と同様の組成および成膜プロセスを用いて垂直磁気記録媒体を作製した。

また、ＳＮＲの評価は、線記録密度４７０ｋＦＣＩにおいて、面内媒体用のリングヘッドを用いて実行した。

さらに、ＯＷ特性の評価は、垂直磁気記録媒体において、低い線記録密度上に高い線記録密度で書き込んだ場合のＯＷ特性をＯＷ１として、低い線記録密度で書き込んだ信号に対して、高い線記録密度でオーバーライトし、最初に書き込んだ低い線記録密度の信号と、オーバーライトした後の残留している低い線記録密度の信号との比をとることにより実行した。使用した記録密度は低い線記録密度が５３．５ｋＦＣＩ（１２Ｔ）であり、高い線記録密度が６４２ｋＦＣＩ（１Ｔ）である。なお、高い線記録密度上に低い線記録密度で書き込んだ場合のＯＷ特性（ＯＷ２とも呼ぶ）についても、ＯＷ１と同様にして、最初に書き込んだ高い線記録密度の信号と、オーバーライトした後の残留している高い線記録密度の信号との比をとることにより実行した。使用した線記録密度は高い線記録密度が３２１ｋＦＣＩ（２Ｔ）であり、低い線記録密度が４２．８ｋＦＣＩ（１５Ｔ）である。

この表から分かるように、ＳＮＲは、媒体Ａ_３が最も高く、次に媒体Ｂ_３が高く、媒体Ｃ_３が最も低いことが分かる。ところで、ＳＮＲが大きいと、低ノイズ化が実現でき、記録密度の向上を図ることができる。従って、媒体Ａ_３について、媒体Ｂ_３や媒体Ｃ_３に比べて高いＳＮＲを得ることができ、記録密度は向上され、記録再生特性は改善される。

また、媒体Ａ_３のＯＷ１は４０．８ｄＢ、またＯＷ２は４０．６ｄＢが確保されており、それらいずれの値も、媒体Ｂ_３および媒体Ｃ_３のＯＷ特性よりも高い値である。従って、媒体Ａ_３について、媒体Ｂ_３や媒体Ｃ_３に比べて高いＯＷ特性を得ることができ、記録再生特性は改善される。

上述のように、Ｃｏ層にＳｉＯ_２を添加せず、Ｐｄ層にＳｉＯ_２を添加した本発明に係る媒体Ａ_３について、検討事項で説明した媒体Ｂ_３や従来の媒体Ｃ_３に比べて高いＳＮＲおよびＯＷ特性を得ることができ、記録再生特性を向上させることができるといえる。

本発明の一実施形態の垂直磁気記録媒体の構成例を説明するための図である。 Ｃｏ層またはＣｏ−ＳｉＯ_２層およびＰｄ層またはＰｄ−ＳｉＯ_２層から構成される多層積層膜を備える垂直磁気記録媒体の各々の保持力Ｈｃの、Ｐｄ層またはＰｄ−ＳｉＯ_２層の膜厚依存性を説明するための図である。 Ｃｏ層またはＣｏ−ＳｉＯ_２層およびＰｄ層またはＰｄ−ＳｉＯ_２層から構成される多層積層膜を備える垂直磁気記録媒体の各々の磁化曲線のＨｃ付近の傾きαのＰｄまたはＰｄ−ＳｉＯ_２層の膜厚依存性を説明するための図である。

符号の説明

１ 基板
２ 裏打ち層
３ 第１の配向制御層
４ 第２の配向制御層
５ 下地層
６ 磁性層
６ａ 第１の磁性層
６ｂ 第２の磁性層
７ 保護層

Claims (20)

1. 非磁性の基板上に磁性層を備えている垂直磁気記録媒体であって、
   前記磁性層は、第１の磁性層であるＣｏ層と第２の磁性層であるＰｄ層とを交互に多層積層して構成され、該第２の磁性層には、Ｓｉ酸化物が添加されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
2. 前記磁性層の結晶磁気異方性エネルギーは、Ｅ≒Ｋｕ_１ｓｉｎ^２θ＋Ｋｕ_２ｓｉｎ^４θで近似され、ここでＫｕ_１およびＫｕ_２は一軸異方性定数であり、θは自発磁化と磁性層の磁化容易軸とのなす角であり、結晶磁気異方性定数ＫｕはＫｕ＝Ｋｕ_１＋Ｋｕ_２の関係にあり、前記磁性層の磁化がほぼ飽和した条件でトルク磁力計で磁気異方性を測定した場合の前記Ｋｕおよび前記Ｋｕ_２は、Ｋｕ_２／Ｋｕ≧０．２５の関係を満たすことを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
3. 前記Ｓｉ酸化物の添加の量は、２〜８ｍｏｌ％の濃度範囲であることを特徴とする請求項１または２記載の垂直磁気記録媒体。
4. 前記第１の磁性層の膜厚は０．２〜０．５ｎｍであり、前記第２の磁性層の膜厚は０．６〜１．０ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
5. 前記磁性層と前記基板との間に下地層を備え、前記磁性層は該下地層の直上に設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
6. 前記下地層は、Ｒｕ膜であることを特徴とする請求項５記載の垂直磁気記録媒体。
7. 前記下地層の厚みは、５〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項５または６記載の垂直磁気記録媒体。
8. 前記下地層の表面は、酸素吸着されていることを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
9. 前記基板と前記下地層との間に該下地層の結晶配向をＣ軸配向させるための配向制御層を設けることを特徴とする請求項５乃至８のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
10. 前記配向制御層は、第１の配向制御層と第２の配向制御層とを積層させて構成されていることを特徴とする請求項９記載の垂直磁気記録媒体。
11. 前記第１の配向制御層はＴａ層であり、前記第２の配向制御層はＮｉＦｅＮｂＢ層、ＮｉＦｅＣｒ層またはＮｉＦｅＳｉ層のうちのいずれかであることを特徴とする請求項１０記載の垂直磁気記録媒体。
12. 前記ＮｉＦｅＮｂＢ層の組成は、Ｎｉが６４〜８６ａｔ％、Ｆｅが１０〜２０ａｔ％、Ｎｂが２〜１０％、Ｂが２〜６ａｔ％の範囲であり、前記ＮｉＦｅＣｒ層の組成は、Ｎｉが５０〜７０ａｔ％、Ｆｅが１０〜２０ａｔ％、Ｃｒが２０〜３０ａｔ％の範囲であり、前記ＮｉＦｅＳｉ層の組成は、Ｎｉが７０〜８８ａｔ％、Ｆｅが１０〜２０ａｔ％、Ｓｉが２〜１０ａｔ％の範囲であり、前記各組成は、各元素の組成比の合計が１００％になるようにすることを特徴とする請求項１１記載の垂直磁気記録媒体。
13. 前記第１の配向制御層の厚みは１〜５ｎｍであり、前記第２の配向制御層の厚みは５〜３０ｎｍであることを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
14. 前記基板と前記第１の配向制御層との間に、軟磁性の裏打ち層が設けられていることを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
15. 前記裏打ち層は、ＣｏＺｒＮｂまたはＣｏＺｒＴａの合金組成を有し、５０〜３００ｎｍの膜厚であることを特徴とする請求項１４記載の垂直磁気記録媒体。
16. 垂直磁気記録媒体の製造方法であって、
    非磁性の基板上に、Ｒｕ膜の下地層を成膜する下地層成膜工程と、
    前記下地層の直上に第１の磁性層であるＣｏ層とＳｉ酸化物が添加された第２の磁性層であるＰｄ層とを交互に多層積層して磁性層を成膜する成膜工程と
    を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
17. 前記成膜工程は、ＣｏのターゲットおよびＰｄに２〜８ｍｏｌの濃度範囲でＳｉ酸化物を添加させた組成のターゲットを用いるスパッタ法であることを特徴とする請求項１６記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
18. 前記下地層成膜工程では、前記下地層の表面を、質量流量比１〜１０％の酸素を混合したガス圧０．１〜１０ＰａのＡｒガス中に１〜１０秒間曝して前記下地層の表面に酸素を吸着させることを特徴とする請求項１６または１７記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
19. 前記下地層成膜工程に先立って、前記基板上に前記下地層の結晶配向をＣ軸配向させるための第１の配向制御層であるＴａ層と第２の配向制御層であるＮｉＦｅＮｂＢ層、ＮｉＦｅＣｒ層またはＮｉＦｅＳｉ層のうちのいずれかを成膜する配向制御層成膜工程をさらに有し、
    前記配向制御層成膜工程では、前記第１の配向制御層と前記第２の配向制御層とを積層させることを特徴とする請求項１６乃至１８のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
20. 前記配向制御層成膜工程に先立って、前記基板上に軟磁性の裏打ち層であるＣｏＺｒＮｂ層またはＣｏＺｒＴａ層を成膜する裏打ち層成膜工程をさらに有することを特徴とする請求項１６乃至１９のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
    

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