JP2002025032A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/676—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having magnetic layers separated by a nonmagnetic layer, e.g. antiferromagnetic layer, Cu layer or coupling layer
- G11B5/678—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having magnetic layers separated by a nonmagnetic layer, e.g. antiferromagnetic layer, Cu layer or coupling layer having three or more magnetic layers
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7377—Physical structure of underlayer, e.g. texture
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 積層磁気記録層における遷移ノイズが大幅に
減少され、Ｓ／Ｎに優れた短波長記録に好適な磁気記録
媒体を提供する。 【解決手段】 Ｐｔ層若しくはＰｄ層と、Ｃｏ層とが交
互に積層された人工格子膜からなり、Ｂ及びＯを含有し
てなる垂直磁気記録膜５を備える。
減少され、Ｓ／Ｎに優れた短波長記録に好適な磁気記録
媒体を提供する。 【解決手段】 Ｐｔ層若しくはＰｄ層と、Ｃｏ層とが交
互に積層された人工格子膜からなり、Ｂ及びＯを含有し
てなる垂直磁気記録膜５を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスク、
磁気テープ、フロッピー（登録商標）ディスク、光磁気
ディスク等に利用される磁気記録媒体に関する。
磁気テープ、フロッピー（登録商標）ディスク、光磁気
ディスク等に利用される磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体に関する面内磁気記録は、
記録情報の高密度化に伴って、記録磁化が時間の経過に
したがって減衰する熱減磁が問題となってきている。
記録情報の高密度化に伴って、記録磁化が時間の経過に
したがって減衰する熱減磁が問題となってきている。
【０００３】この、磁気記録媒体に対する面内磁気記録
の問題点を解決する手法の１つとして、垂直磁気記録が
ある。かかる垂直磁気記録用磁気記録媒体の磁性材料と
して、ＣｏＣｒ合金が広く研究されている。
の問題点を解決する手法の１つとして、垂直磁気記録が
ある。かかる垂直磁気記録用磁気記録媒体の磁性材料と
して、ＣｏＣｒ合金が広く研究されている。
【０００４】しかしながら、垂直磁気記録用磁気記録媒
体の磁性材料としてのＣｏＣｒ合金の垂直磁気異方性
は、飽和磁化より小さいため、垂直角形比が１にならな
いという欠点がある。このため、ＣｏＣｒ合金の磁性層
は、長波長記録部分で反転磁化領域が発生し、それがノ
イズの原因となることが知られている。
体の磁性材料としてのＣｏＣｒ合金の垂直磁気異方性
は、飽和磁化より小さいため、垂直角形比が１にならな
いという欠点がある。このため、ＣｏＣｒ合金の磁性層
は、長波長記録部分で反転磁化領域が発生し、それがノ
イズの原因となることが知られている。
【０００５】この問題を解決するためには、垂直磁気記
録用磁気記録媒体の磁性層として、垂直磁気異方性の大
きな材料を用いれば良く、そのような磁性層としては、
ＣｏとＰｔ又はＰｄとを交互に積層した積層磁性層があ
る。
録用磁気記録媒体の磁性層として、垂直磁気異方性の大
きな材料を用いれば良く、そのような磁性層としては、
ＣｏとＰｔ又はＰｄとを交互に積層した積層磁性層があ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、かかるＣｏ
と、Ｐｔ又はＰｄとを交互に積層した積層磁気記録層を
有する磁気記録媒体は、積層磁気記録層の垂直磁気異方
性磁界が飽和磁化に起因した反磁界より十分大きいの
で、積層磁気記録層におけるノイズの発生は少ないが、
その反面遷移ノイズが多いので短波長記録には不向きで
あるという問題がある。
と、Ｐｔ又はＰｄとを交互に積層した積層磁気記録層を
有する磁気記録媒体は、積層磁気記録層の垂直磁気異方
性磁界が飽和磁化に起因した反磁界より十分大きいの
で、積層磁気記録層におけるノイズの発生は少ないが、
その反面遷移ノイズが多いので短波長記録には不向きで
あるという問題がある。
【０００７】したがって、本発明は、かかる点に鑑み、
Ｃｏと、Ｐｔ又はＰｄとを交互に積層した積層磁気記録
層を有する磁気記録媒体において、積層磁気記録層にお
ける遷移ノイズが大幅に減少され、Ｓ／Ｎに優れた短波
長記録に好適な磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。
Ｃｏと、Ｐｔ又はＰｄとを交互に積層した積層磁気記録
層を有する磁気記録媒体において、積層磁気記録層にお
ける遷移ノイズが大幅に減少され、Ｓ／Ｎに優れた短波
長記録に好適な磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気記録媒
体は、Ｐｔ層若しくはＰｄ層と、Ｃｏ層とが交互に積層
された人工格子膜からなり、Ｂ及びＯを含有してなる垂
直磁気記録膜を備えることを特徴とするものである。
体は、Ｐｔ層若しくはＰｄ層と、Ｃｏ層とが交互に積層
された人工格子膜からなり、Ｂ及びＯを含有してなる垂
直磁気記録膜を備えることを特徴とするものである。
【０００９】本発明に係る磁気記録媒体は、積層磁気記
録層として、Ｐｔ層若しくはＰｄ層とＣｏ層とが交互に
積層された人工格子膜からなり、さらにＢ及びＯを含有
してなる垂直磁気記録膜を備えるため、積層磁気記録層
における遷移ノイズが大幅に減少する。
録層として、Ｐｔ層若しくはＰｄ層とＣｏ層とが交互に
積層された人工格子膜からなり、さらにＢ及びＯを含有
してなる垂直磁気記録膜を備えるため、積層磁気記録層
における遷移ノイズが大幅に減少する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態を図面を参照して説明する。
態を図面を参照して説明する。
【００１１】図１を参照して本発明の実施の形態の一例
を説明する。図１に示した磁気記録媒体１は、基板２
と、基板２上に形成された接着層３と、接着層３上に形
成された下地層４と、下地層４上に形成された積層磁気
記録層５と、積層磁気記録層５上に形成された保護層６
とを備えて構成されている。
を説明する。図１に示した磁気記録媒体１は、基板２
と、基板２上に形成された接着層３と、接着層３上に形
成された下地層４と、下地層４上に形成された積層磁気
記録層５と、積層磁気記録層５上に形成された保護層６
とを備えて構成されている。
【００１２】基板２は、磁気記録媒体の種類により異な
るが、ここでは、例えばガラス板を用いる。
るが、ここでは、例えばガラス板を用いる。
【００１３】接着層３は、基板２と下地層４との接合力
を高めるために設けられる。接着層３の材質は、基板及
び下地層４の種類により異なるが、基板２がガラス板の
場合には、接着層３としては、例えばＴｉを用いること
ができ、その厚さは、例えば１ｎｍである。
を高めるために設けられる。接着層３の材質は、基板及
び下地層４の種類により異なるが、基板２がガラス板の
場合には、接着層３としては、例えばＴｉを用いること
ができ、その厚さは、例えば１ｎｍである。
【００１４】下地層４は、面心立方構造を有する金属を
含む材料により構成される。このような材料としては、
具体的には、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｉｒを挙
げることができる。また、これらの材料は、特に、酸化
や窒化等の化学的変化を受け難い材料が選ばれており、
これらの合金も用いることが可能である。ここでは下地
層４として、例えばＰｄを用い、その厚さは、例えば２
０ｎｍとされる。
含む材料により構成される。このような材料としては、
具体的には、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｉｒを挙
げることができる。また、これらの材料は、特に、酸化
や窒化等の化学的変化を受け難い材料が選ばれており、
これらの合金も用いることが可能である。ここでは下地
層４として、例えばＰｄを用い、その厚さは、例えば２
０ｎｍとされる。
【００１５】積層磁気記録層５は、Ｐｔ層及とＣｏ層が
所定の層数だけ交互に積層された人工格子膜からなるも
のである。そして、この人工格子膜は、高密度記録に対
応した垂直磁気記録用の垂直磁化膜とされている。積層
磁気記録層５は、ここでは、例えば厚さが、０．６ｎｍ
のＣｏ層と、例えば厚さが０．６ｎｍのＰｔ層とが、そ
れぞれ２０層ずつ交互に積層されてなる。また、Ｐｔ層
の代わりにＰｄ層等を用いても良い。
所定の層数だけ交互に積層された人工格子膜からなるも
のである。そして、この人工格子膜は、高密度記録に対
応した垂直磁気記録用の垂直磁化膜とされている。積層
磁気記録層５は、ここでは、例えば厚さが、０．６ｎｍ
のＣｏ層と、例えば厚さが０．６ｎｍのＰｔ層とが、そ
れぞれ２０層ずつ交互に積層されてなる。また、Ｐｔ層
の代わりにＰｄ層等を用いても良い。
【００１６】保護層６は、積層磁気記録層５上に被着形
成されている。この保護層６の材料としては、例えばＣ
を用いることができ、その厚さは、例えば１０ｎｍであ
る。
成されている。この保護層６の材料としては、例えばＣ
を用いることができ、その厚さは、例えば１０ｎｍであ
る。
【００１７】ここで、この磁気記録媒体１は、積層磁気
記録層５がその層中にＢ元素及びＯ元素を含有すること
を特徴とする。そして、Ｂ元素及びＯ元素は、積層磁気
記録層５の構成要素であるＣｏ層と及びＰｔ層の双方に
含有されるものである。
記録層５がその層中にＢ元素及びＯ元素を含有すること
を特徴とする。そして、Ｂ元素及びＯ元素は、積層磁気
記録層５の構成要素であるＣｏ層と及びＰｔ層の双方に
含有されるものである。
【００１８】この磁気記録媒体１は、積層磁気記録層５
中にＢ元素及びＯ元素を含有することにより、磁性粒子
であるＰｔ粒子及びＣｏ粒子の結晶学的な孤立性が向上
する。そして、この結晶粒子の結晶学的な孤立は、当該
結晶粒子の磁気的な孤立を生じさせる。その結果、この
磁気記録媒体１は、積層磁気記録層５における遷移ノイ
ズが減少し、Ｓ／Ｎを向上させることが可能となる。
中にＢ元素及びＯ元素を含有することにより、磁性粒子
であるＰｔ粒子及びＣｏ粒子の結晶学的な孤立性が向上
する。そして、この結晶粒子の結晶学的な孤立は、当該
結晶粒子の磁気的な孤立を生じさせる。その結果、この
磁気記録媒体１は、積層磁気記録層５における遷移ノイ
ズが減少し、Ｓ／Ｎを向上させることが可能となる。
【００１９】ここで、積層磁気記録層５中におけるＢ元
素及びＯ元素の含有率は、Ｂ元素に関しては、１原子％
以上、１５原子％以下とすることが好ましい。
素及びＯ元素の含有率は、Ｂ元素に関しては、１原子％
以上、１５原子％以下とすることが好ましい。
【００２０】これは、積層磁気記録層５中におけるＢ元
素の含有率が、１原子％未満である場合には、磁性粒子
であるＰｔ粒子及びＣｏ粒子の結晶学的な孤立性を十分
に向上させることができない。そして、その結果、積層
磁気記録層５における遷移ノイズを減少させ、Ｓ／Ｎ比
を向上させる効果を十分に得ることができないからであ
る。また、積層磁気記録層５中におけるＢ元素の含有率
量が、１５原子％よりも多い場合には、過剰のＢ元素が
結晶粒子内に進入することで、垂直磁気異方性が劣化す
る。その結果、垂直角形比が１以下となり、Ｓ／Ｎが低
下するからである。
素の含有率が、１原子％未満である場合には、磁性粒子
であるＰｔ粒子及びＣｏ粒子の結晶学的な孤立性を十分
に向上させることができない。そして、その結果、積層
磁気記録層５における遷移ノイズを減少させ、Ｓ／Ｎ比
を向上させる効果を十分に得ることができないからであ
る。また、積層磁気記録層５中におけるＢ元素の含有率
量が、１５原子％よりも多い場合には、過剰のＢ元素が
結晶粒子内に進入することで、垂直磁気異方性が劣化す
る。その結果、垂直角形比が１以下となり、Ｓ／Ｎが低
下するからである。
【００２１】そして、上述した含有率は、積層磁気記録
層５の各Ｐｔ層及び各Ｃｏ層において上述した範囲とさ
れる。磁気記録媒体１では、積層磁気記録層５の各Ｐｔ
層及び各Ｃｏ層に、上述した範囲でＢ元素を含有させる
ことにより、上述した効果を確実に得ることができるか
らである。
層５の各Ｐｔ層及び各Ｃｏ層において上述した範囲とさ
れる。磁気記録媒体１では、積層磁気記録層５の各Ｐｔ
層及び各Ｃｏ層に、上述した範囲でＢ元素を含有させる
ことにより、上述した効果を確実に得ることができるか
らである。
【００２２】また、積層磁気記録層５中におけるＯ元素
の含有率は、０．１原子％以上、１０原子％以下とする
ことが好ましい。
の含有率は、０．１原子％以上、１０原子％以下とする
ことが好ましい。
【００２３】これは、積層磁気記録層５中におけるＯ元
素含有率が、１原子％未満である場合には、磁性粒子で
あるＰｔ粒子及びＣｏ粒子の結晶学的な孤立性を十分に
向上させることができない。そして、その結果、積層磁
気記録層５における遷移ノイズを減少させ、Ｓ／Ｎ比を
向上させる効果を十分に得ることができないからであ
る。また、積層磁気記録層５中におけるＯ元素の含有率
が、１０原子％よりも多い場合には、過剰のＯ元素が結
晶粒子内に進入することで、垂直磁気異方性が劣化す
る。その結果、垂直角形比が１以下となり、Ｓ／Ｎが低
下するからである。
素含有率が、１原子％未満である場合には、磁性粒子で
あるＰｔ粒子及びＣｏ粒子の結晶学的な孤立性を十分に
向上させることができない。そして、その結果、積層磁
気記録層５における遷移ノイズを減少させ、Ｓ／Ｎ比を
向上させる効果を十分に得ることができないからであ
る。また、積層磁気記録層５中におけるＯ元素の含有率
が、１０原子％よりも多い場合には、過剰のＯ元素が結
晶粒子内に進入することで、垂直磁気異方性が劣化す
る。その結果、垂直角形比が１以下となり、Ｓ／Ｎが低
下するからである。
【００２４】そして、上述した含有率は、積層磁気記録
層５の各Ｐｔ層及び各Ｃｏ層において上述した範囲とさ
れる。磁気記録媒体１では、積層磁気記録層５の各Ｐｔ
層及び各Ｃｏ層に、上述した範囲でＯ元素を含有させる
ことにより、上述した効果を確実に得ることができるか
らである。
層５の各Ｐｔ層及び各Ｃｏ層において上述した範囲とさ
れる。磁気記録媒体１では、積層磁気記録層５の各Ｐｔ
層及び各Ｃｏ層に、上述した範囲でＯ元素を含有させる
ことにより、上述した効果を確実に得ることができるか
らである。
【００２５】また、上述した下地層４は、図２に示すよ
うに、上述した材料がＢ元素及びＯ元素を含有した材料
により構成されても良い。下地層４がかかる材料により
構成されることにより、Ｐｔ層及びＣｏ層からなる積層
磁気記録層５にみられる遷移ノイズを減少させ、Ｓ／Ｎ
比を向上させることができるからである。これは、下地
層４がＢ元素及びＯ元素を含有することにより、その結
晶粒の孤立性が高められ、当該下地層４上に形成される
積層磁気記録層５の結晶粒の孤立性を高めるからであ
る。
うに、上述した材料がＢ元素及びＯ元素を含有した材料
により構成されても良い。下地層４がかかる材料により
構成されることにより、Ｐｔ層及びＣｏ層からなる積層
磁気記録層５にみられる遷移ノイズを減少させ、Ｓ／Ｎ
比を向上させることができるからである。これは、下地
層４がＢ元素及びＯ元素を含有することにより、その結
晶粒の孤立性が高められ、当該下地層４上に形成される
積層磁気記録層５の結晶粒の孤立性を高めるからであ
る。
【００２６】このとき、上述した下地層４中におけるＢ
元素及びＯ元素の含有率は、Ｂ元素に関しては、１原子
％以上、３０原子％以下とすることが好ましい。
元素及びＯ元素の含有率は、Ｂ元素に関しては、１原子
％以上、３０原子％以下とすることが好ましい。
【００２７】これは、下地層４中におけるＢ元素の含有
率が、１原子％未満である場合には、下地層４の結晶粒
の孤立性を十分に高めることができないため、下地層４
上に形成される積層磁気記録層５の結晶粒の孤立性が十
分に高められない。そして、その結果、積層磁気記録層
５にみられる遷移ノイズを減少させ、Ｓ／Ｎ比を向上さ
せる効果を得ることができないからである。また、下地
層４中に含有させるＢ元素の量が、３０原子％よりも多
い場合には、下地層の結晶粒サイズが不均一となり、そ
の結果、積層磁気記録層５の結晶粒サイズが不均一とな
りＳ／Ｎ比が低下するからである。
率が、１原子％未満である場合には、下地層４の結晶粒
の孤立性を十分に高めることができないため、下地層４
上に形成される積層磁気記録層５の結晶粒の孤立性が十
分に高められない。そして、その結果、積層磁気記録層
５にみられる遷移ノイズを減少させ、Ｓ／Ｎ比を向上さ
せる効果を得ることができないからである。また、下地
層４中に含有させるＢ元素の量が、３０原子％よりも多
い場合には、下地層の結晶粒サイズが不均一となり、そ
の結果、積層磁気記録層５の結晶粒サイズが不均一とな
りＳ／Ｎ比が低下するからである。
【００２８】また、下地層４中に含有させるＯ元素の割
合は、０．１原子％以上、３０原子％以下とすることが
好ましい。これは、下地層４中に含有させるＯ元素の量
が、１原子％未満である場合には、下地層４の結晶粒の
孤立性を十分に高めることができないため、下地層４上
に形成される積層磁気記録層５の結晶粒の孤立性が十分
に高められない。そして、その結果、積層磁気記録層５
にみられる遷移ノイズを減少させ、Ｓ／Ｎ比を向上させ
る効果を得ることができないからである。また、下地層
４中に含有させるＯ元素の量が、３０原子％よりも多い
場合には、下地層の結晶粒サイズが不均一となり、その
結果、積層磁気記録層５の結晶粒サイズが不均一となり
Ｓ／Ｎ比が低下するからである。
合は、０．１原子％以上、３０原子％以下とすることが
好ましい。これは、下地層４中に含有させるＯ元素の量
が、１原子％未満である場合には、下地層４の結晶粒の
孤立性を十分に高めることができないため、下地層４上
に形成される積層磁気記録層５の結晶粒の孤立性が十分
に高められない。そして、その結果、積層磁気記録層５
にみられる遷移ノイズを減少させ、Ｓ／Ｎ比を向上させ
る効果を得ることができないからである。また、下地層
４中に含有させるＯ元素の量が、３０原子％よりも多い
場合には、下地層の結晶粒サイズが不均一となり、その
結果、積層磁気記録層５の結晶粒サイズが不均一となり
Ｓ／Ｎ比が低下するからである。
【００２９】そして、上述したＢ元素及びＯ元素を含有
する積層磁気記録層５とＢ元素及びＯ元素を含有する下
地層４とを併用することにより、積層磁気記録層５にみ
られる遷移ノイズを減少させ、Ｓ／Ｎ比を向上させる効
果をさらに高めることが可能となる。
する積層磁気記録層５とＢ元素及びＯ元素を含有する下
地層４とを併用することにより、積層磁気記録層５にみ
られる遷移ノイズを減少させ、Ｓ／Ｎ比を向上させる効
果をさらに高めることが可能となる。
【００３０】また、上述した下地層４は、Ｐｄ、Ｐｔ、
Ａｕ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｉｒの面心立方構造の金属の何れか
と、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＴｉＯ2、Ｌｉ2Ｏ、
ＣａＯ、ＺｎＯ、ＺｒＯ、Ｙ2Ｏ3、ＨｆＯ等の酸化物の
何れか、との複合材料からなる複合材料層にて構成され
ても良い。下地層４が、かかる構成を有することによ
り、Ｐｔ層及びＣｏ層からなる積層磁気記録層５を有す
る磁気記録媒体にみられる遷移ノイズを大きく減少させ
ることができる。また、上述した複合材料は、Ｐｄ、Ｐ
ｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｉｒの面心立方構造の金属の何
れかと、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＢＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｇ
ａＮ等の窒化物の何れか、との複合材料でも良く、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｉｒの面心立方構造の金
属の何れかと、ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＴａＣ等の炭
化物の何れか、との複合材料でも良い。何れの場合も、
Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｉｒの面心立方構造の
金属の何れかと、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｔｉ
Ｏ2、Ｌｉ2Ｏ、ＣａＯ、ＺｎＯ、ＺｒＯ、Ｙ2Ｏ3、Ｈｆ
Ｏ等の酸化物の何れか、との複合材料の場合と同様の効
果を得ることができる。
Ａｕ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｉｒの面心立方構造の金属の何れか
と、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＴｉＯ2、Ｌｉ2Ｏ、
ＣａＯ、ＺｎＯ、ＺｒＯ、Ｙ2Ｏ3、ＨｆＯ等の酸化物の
何れか、との複合材料からなる複合材料層にて構成され
ても良い。下地層４が、かかる構成を有することによ
り、Ｐｔ層及びＣｏ層からなる積層磁気記録層５を有す
る磁気記録媒体にみられる遷移ノイズを大きく減少させ
ることができる。また、上述した複合材料は、Ｐｄ、Ｐ
ｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｉｒの面心立方構造の金属の何
れかと、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＢＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｇ
ａＮ等の窒化物の何れか、との複合材料でも良く、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｉｒの面心立方構造の金
属の何れかと、ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＴａＣ等の炭
化物の何れか、との複合材料でも良い。何れの場合も、
Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｉｒの面心立方構造の
金属の何れかと、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｔｉ
Ｏ2、Ｌｉ2Ｏ、ＣａＯ、ＺｎＯ、ＺｒＯ、Ｙ2Ｏ3、Ｈｆ
Ｏ等の酸化物の何れか、との複合材料の場合と同様の効
果を得ることができる。
【００３１】さらに、この磁気記録媒体においては、上
述した複合材料からなる下地層４を備える場合に、図３
に示すように下地層４の直下に、すなわち積層磁気記録
層５と反対側に軟磁性層を配しても良い。通常、垂直記
録用磁気記録層の下側に、軟磁性層を配すると、記録遷
移が明瞭に書けることが知られているが、その反面、磁
気記録層のノイズが増加することが多い。そこで、上述
したように、軟磁性層と、積層磁気記録層５との間に、
上述した複合材料からなる下地層４を備えることで、磁
気記録層で発生するノイズを低減することができる。す
なわち、磁気記録層のノイズを増加させることなく、記
録遷移を明瞭に書くことが可能となる。
述した複合材料からなる下地層４を備える場合に、図３
に示すように下地層４の直下に、すなわち積層磁気記録
層５と反対側に軟磁性層を配しても良い。通常、垂直記
録用磁気記録層の下側に、軟磁性層を配すると、記録遷
移が明瞭に書けることが知られているが、その反面、磁
気記録層のノイズが増加することが多い。そこで、上述
したように、軟磁性層と、積層磁気記録層５との間に、
上述した複合材料からなる下地層４を備えることで、磁
気記録層で発生するノイズを低減することができる。す
なわち、磁気記録層のノイズを増加させることなく、記
録遷移を明瞭に書くことが可能となる。
【００３２】このとき、複合材料からなる下地層４の厚
さは、１ｎｍより薄いときは、ノイズ低減効果は得られ
ず、３０ｎｍより厚い場合は、積層磁気記録層５と、軟
磁性層との間の距離が離れすぎて、軟磁性層による上述
した効果が小さくなる。したがって、軟磁性層を備える
場合には、複合材料からなる下地層４の厚さは、１ｎｍ
以上、３０ｎｍ以下とすることが好ましい。
さは、１ｎｍより薄いときは、ノイズ低減効果は得られ
ず、３０ｎｍより厚い場合は、積層磁気記録層５と、軟
磁性層との間の距離が離れすぎて、軟磁性層による上述
した効果が小さくなる。したがって、軟磁性層を備える
場合には、複合材料からなる下地層４の厚さは、１ｎｍ
以上、３０ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００３３】図３の例では、軟磁性層として、例えば、
ＮｉＦｅ層を用い、複合材料層として、例えば、厚さが
２０ｎｍの（Ａｕ＋ＳｉＯ2）層を用い、積層磁気記録
層５として、厚さが、例えば、０．６ｎｍのＰｄ層と、
厚さが、例えば、０．６ｎｍのＣｏ層とが、それぞれ２
０枚ずつ交互に積層されたものを用いている。
ＮｉＦｅ層を用い、複合材料層として、例えば、厚さが
２０ｎｍの（Ａｕ＋ＳｉＯ2）層を用い、積層磁気記録
層５として、厚さが、例えば、０．６ｎｍのＰｄ層と、
厚さが、例えば、０．６ｎｍのＣｏ層とが、それぞれ２
０枚ずつ交互に積層されたものを用いている。
【００３４】また、図３においては、軟磁性層として、
ＮｉＦｅ層を用いているが、軟磁性層に用いる材料は、
これに限定されることなく、ＣｏＺｒ、ＦｅＮ、ＮｉＦ
ｅＴａ等を用いることもできる。
ＮｉＦｅ層を用いているが、軟磁性層に用いる材料は、
これに限定されることなく、ＣｏＺｒ、ＦｅＮ、ＮｉＦ
ｅＴａ等を用いることもできる。
【００３５】
【実施例】以下、本発明を具体的な例に基づいて説明す
る。
る。
【００３６】＜実施例１＞実施例１では、積層磁気記録
層である垂直磁化膜にＢ元素及びＯ元素を含有させた磁
気記録媒体を作製した。
層である垂直磁化膜にＢ元素及びＯ元素を含有させた磁
気記録媒体を作製した。
【００３７】磁気記録媒体は、直径２．５インチのガラ
ス基板上に、ＲＦスパッタ法により、下地層と積層磁気
記録層とをこの順で成膜して作製した。積層磁気記録層
は、人工格子膜からなる垂直磁化膜により構成した。各
層の組成、構成は、（ＣｏＢＯ：０．４ｎｍ／ＰｄＢ
Ｏ：０．６ｎｍ）×２０／Ｐｄ：２０ｎｍとし、図４に
示す断面構造からなる磁気記録媒体１を作製した。
ス基板上に、ＲＦスパッタ法により、下地層と積層磁気
記録層とをこの順で成膜して作製した。積層磁気記録層
は、人工格子膜からなる垂直磁化膜により構成した。各
層の組成、構成は、（ＣｏＢＯ：０．４ｎｍ／ＰｄＢ
Ｏ：０．６ｎｍ）×２０／Ｐｄ：２０ｎｍとし、図４に
示す断面構造からなる磁気記録媒体１を作製した。
【００３８】成膜条件は、スパッタリング前到達真空
度：８×１０-5Ｐａ、投入電力：１２０Ｗとした。スパ
ッタリングターゲットは、下地層４用には、Ｐｄターゲ
ット、積層磁気記録層５用には、図４に示すようにＣｏ
ターゲット上及びＰｄターゲット上に１ｃｍ角のＢチッ
プを４個配置させたターゲットを用いた。下地層４の成
膜は、Ａｒ雰囲気中において２Ｐａのスパッタガス圧で
行い、積層磁気記録層５の成膜は、（Ａｒ＋Ｏ2）雰囲
気中において２Ｐａのスパッタガス圧で行った。Ａｒと
Ｏ2の質量流量比Ｏ2／Ａｒは、０．２％とした。
度：８×１０-5Ｐａ、投入電力：１２０Ｗとした。スパ
ッタリングターゲットは、下地層４用には、Ｐｄターゲ
ット、積層磁気記録層５用には、図４に示すようにＣｏ
ターゲット上及びＰｄターゲット上に１ｃｍ角のＢチッ
プを４個配置させたターゲットを用いた。下地層４の成
膜は、Ａｒ雰囲気中において２Ｐａのスパッタガス圧で
行い、積層磁気記録層５の成膜は、（Ａｒ＋Ｏ2）雰囲
気中において２Ｐａのスパッタガス圧で行った。Ａｒと
Ｏ2の質量流量比Ｏ2／Ａｒは、０．２％とした。
【００３９】また、作製した磁気記録媒体１の積層磁気
記録層５中におけるＢ元素及びＯ元素の含有率を化学分
析、エネルギー分散性Ｘ線（Energy-dispersive x-ra
y：以下、ＥＤＸと呼ぶ。）及び二次イオン質量分析計
（Secondary ion mass spectrometer：以下、ＳＩＭＳ
と呼ぶ。）により調べたところ、Ｂ元素の含有率は、３
原子％であり、Ｏ元素の含有率は、０．３原子％であっ
た。
記録層５中におけるＢ元素及びＯ元素の含有率を化学分
析、エネルギー分散性Ｘ線（Energy-dispersive x-ra
y：以下、ＥＤＸと呼ぶ。）及び二次イオン質量分析計
（Secondary ion mass spectrometer：以下、ＳＩＭＳ
と呼ぶ。）により調べたところ、Ｂ元素の含有率は、３
原子％であり、Ｏ元素の含有率は、０．３原子％であっ
た。
【００４０】上記において作製した磁気記録媒体１の垂
直方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調
べた結果を表１に示す。ここで、Ｓ／Ｎは、磁気記録媒
体１を磁気ヘッドに対する相対速度が１５ｍ／ｓｅｃに
なるように回転させ、記録トラック幅が１．２μｍの磁
気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）で周波数が５０ＭＨ
ｚの信号を磁気記録媒体に記録し、その再生信号中の５
０ＭＨｚの信号と、０Ｈｚから８０ＭＨｚまでのノイズ
を積分したノイズ強度との比と定めた。
直方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調
べた結果を表１に示す。ここで、Ｓ／Ｎは、磁気記録媒
体１を磁気ヘッドに対する相対速度が１５ｍ／ｓｅｃに
なるように回転させ、記録トラック幅が１．２μｍの磁
気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）で周波数が５０ＭＨ
ｚの信号を磁気記録媒体に記録し、その再生信号中の５
０ＭＨｚの信号と、０Ｈｚから８０ＭＨｚまでのノイズ
を積分したノイズ強度との比と定めた。
【００４１】
【表１】
【００４２】実施例１で作製した磁気記録媒体１は、Ｈ
ｃは磁気的及び熱的外乱に対して安定しており、且つ従
来の記録ヘッドで記録可能である実用的なレベルの値を
保持しつつ、遷移ノイズが著しく改善されている。その
結果、Ｓ／Ｎは２８ｄＢと良好な値を示している。
ｃは磁気的及び熱的外乱に対して安定しており、且つ従
来の記録ヘッドで記録可能である実用的なレベルの値を
保持しつつ、遷移ノイズが著しく改善されている。その
結果、Ｓ／Ｎは２８ｄＢと良好な値を示している。
【００４３】＜実施例２＞下地層をＰｔとしたこと以外
は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
【００４４】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１と同等の効果が得られた。
【００４５】＜実施例３＞下地層をＡｕとしたこと以外
は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
【００４６】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１と同等の効果が得られた。
【００４７】＜実施例４＞下地層をＡｇとしたこと以外
は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
【００４８】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１と同等の効果が得られた。
【００４９】＜実施例５＞下地層をＲｈとしたこと以外
は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
【００５０】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１と同等の効果が得られた。
【００５１】＜実施例６＞下地層をＩｒとしたこと以外
は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
【００５２】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１と同等の効果が得られた。
【００５３】＜実施例７＞実施例７では、積層磁気記録
層である垂直磁化膜と、下地層との双方にＢ元素及びＯ
元素を含有させた磁気記録媒体を作製した。
層である垂直磁化膜と、下地層との双方にＢ元素及びＯ
元素を含有させた磁気記録媒体を作製した。
【００５４】磁気記録媒体は、実施例１と同様にして作
製した。各層の組成、構成は、（ＣｏＢＯ：０．４ｎｍ
／ＰｄＢＯ：０．６ｎｍ）×２０／ＰｄＢＯ：２０ｎｍ
とし、図５に示す断面構造からなる磁気記録媒体１を作
製した。
製した。各層の組成、構成は、（ＣｏＢＯ：０．４ｎｍ
／ＰｄＢＯ：０．６ｎｍ）×２０／ＰｄＢＯ：２０ｎｍ
とし、図５に示す断面構造からなる磁気記録媒体１を作
製した。
【００５５】スパッタリングターゲットは、下地層４用
には、図６に示すようにＰｄターゲット上に１ｃｍ角の
Ｂチップを４個配置させたターゲット、積層磁気記録層
５用には、図６に示すようにＣｏターゲット上及びＰｄ
ターゲット上に１ｃｍ角のＢチップを４個配置させたタ
ーゲットを用いた。
には、図６に示すようにＰｄターゲット上に１ｃｍ角の
Ｂチップを４個配置させたターゲット、積層磁気記録層
５用には、図６に示すようにＣｏターゲット上及びＰｄ
ターゲット上に１ｃｍ角のＢチップを４個配置させたタ
ーゲットを用いた。
【００５６】また、作製した磁気記録媒体１の積層磁気
記録層５中におけるＢ元素及びＯ元素の含有率を化学分
析、ＥＤＸ及びＳＩＭＳにより調べたところ、Ｂ元素の
含有率は、３原子％であり、Ｏ元素の含有率は、０．２
原子％であった。
記録層５中におけるＢ元素及びＯ元素の含有率を化学分
析、ＥＤＸ及びＳＩＭＳにより調べたところ、Ｂ元素の
含有率は、３原子％であり、Ｏ元素の含有率は、０．２
原子％であった。
【００５７】上記において作製した磁気記録媒体１の垂
直方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調
べた結果を表１に併せて示す。ここで、Ｓ／Ｎは、実施
例１と同様にして求めた。
直方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調
べた結果を表１に併せて示す。ここで、Ｓ／Ｎは、実施
例１と同様にして求めた。
【００５８】実施例７で作製した磁気記録媒体は、実施
例１で作製した磁気記録媒体よりもさらに遷移ノイズが
改善され、Ｓ／Ｎは３０ｄＢと良好な値を示している。
この磁気記録層では、Ｐｄ下地層にもＢ元素及びＯ元素
を含有させることにより、下地層の結晶粒の孤立性が高
められたことで、その上に積層したＣｏ／Ｐｄ積層磁気
記録層の結晶粒の孤立性がより高められた。そして、そ
の結果、積層磁気記録層における遷移ノイズが減少し、
Ｓ／Ｎが向上したものと考えられる。
例１で作製した磁気記録媒体よりもさらに遷移ノイズが
改善され、Ｓ／Ｎは３０ｄＢと良好な値を示している。
この磁気記録層では、Ｐｄ下地層にもＢ元素及びＯ元素
を含有させることにより、下地層の結晶粒の孤立性が高
められたことで、その上に積層したＣｏ／Ｐｄ積層磁気
記録層の結晶粒の孤立性がより高められた。そして、そ
の結果、積層磁気記録層における遷移ノイズが減少し、
Ｓ／Ｎが向上したものと考えられる。
【００５９】＜実施例８＞下地層をＰｔＢＯとしたこと
以外は、実施例７と同様にして磁気記録媒体を作製し
た。
以外は、実施例７と同様にして磁気記録媒体を作製し
た。
【００６０】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例７と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例７と同等の効果が得られた。
【００６１】＜実施例９＞下地層をＡｕＢＯとしたこと
以外は、実施例７と同様にして磁気記録媒体を作製し
た。
以外は、実施例７と同様にして磁気記録媒体を作製し
た。
【００６２】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例７と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例７と同等の効果が得られた。
【００６３】＜実施例１０＞下地層をＡｇＢＯとしたこ
と以外は、実施例７と同様にして磁気記録媒体を作製し
た。
と以外は、実施例７と同様にして磁気記録媒体を作製し
た。
【００６４】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例７と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例７と同等の効果が得られた。
【００６５】＜実施例１１＞下地層をＲｈＢＯとしたこ
と以外は、実施例７と同様にして磁気記録媒体を作製し
た。
と以外は、実施例７と同様にして磁気記録媒体を作製し
た。
【００６６】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例７と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例７と同等の効果が得られた。
【００６７】＜実施例１２＞下地層をＩｒＢＯとしたこ
と以外は、実施例７と同様にして磁気記録媒体を作製し
た。
と以外は、実施例７と同様にして磁気記録媒体を作製し
た。
【００６８】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例７と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例７と同等の効果が得られた。
【００６９】＜実施例１３＞実施例１３では、積層磁気
記録層中におけるＢ元素の含有率が、Ｓ／Ｎに与える影
響について調べた。
記録層中におけるＢ元素の含有率が、Ｓ／Ｎに与える影
響について調べた。
【００７０】磁気記録媒体は、積層磁気記録層中におけ
るＯ元素の含有率を０．２原子％に固定し、Ｂ元素の含
有率を０原子％、０．５原子％、０．７原子％、１原子
％、１．８原子％、３原子％、４．３原子％、５原子％
と変化させること以外は、実施例１と同様にして８種類
の磁気記録媒体を作製した。各層の組成、構成は、実施
例１と同様に（ＣｏＢＯ：０．４ｎｍ／ＰｄＢＯ：０．
６ｎｍ）×２０／Ｐｄ：２０ｎｍとし、図４に示す断面
構造からなる磁気記録媒体１を作製した。
るＯ元素の含有率を０．２原子％に固定し、Ｂ元素の含
有率を０原子％、０．５原子％、０．７原子％、１原子
％、１．８原子％、３原子％、４．３原子％、５原子％
と変化させること以外は、実施例１と同様にして８種類
の磁気記録媒体を作製した。各層の組成、構成は、実施
例１と同様に（ＣｏＢＯ：０．４ｎｍ／ＰｄＢＯ：０．
６ｎｍ）×２０／Ｐｄ：２０ｎｍとし、図４に示す断面
構造からなる磁気記録媒体１を作製した。
【００７１】積層磁気記録層５中におけるＢ元素の含有
率は、スパッタリングターゲット上に配置するＢチップ
の数で制御し、Ｏ元素の含有率は、ＡｒとＯ2の質量流
量比（Ｏ2／Ａｒ）により制御した。
率は、スパッタリングターゲット上に配置するＢチップ
の数で制御し、Ｏ元素の含有率は、ＡｒとＯ2の質量流
量比（Ｏ2／Ａｒ）により制御した。
【００７２】磁気記録媒体１の積層磁気記録層５中にお
けるＢ元素及びＯ元素の含有率は、化学分析、エネルギ
ー分散性Ｘ線（Energy-dispersive x-ray：ＥＤＸ）及
び二次イオン質量分析計（Secondary ion mass spectro
meter：ＳＩＭＳ）を用いて総合的に解析した。
けるＢ元素及びＯ元素の含有率は、化学分析、エネルギ
ー分散性Ｘ線（Energy-dispersive x-ray：ＥＤＸ）及
び二次イオン質量分析計（Secondary ion mass spectro
meter：ＳＩＭＳ）を用いて総合的に解析した。
【００７３】上記において作製した８種類の磁気記録媒
体の垂直方向の信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べた結果を
図７に示す。ここで、Ｓ／Ｎは、実施例１と同様にして
求めた。
体の垂直方向の信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べた結果を
図７に示す。ここで、Ｓ／Ｎは、実施例１と同様にして
求めた。
【００７４】図７より、Ｂ元素の含有率が１原子％の付
近でＳ／Ｎは急激に上昇し、それ以上の範囲では、ほぼ
一定の値となることが判る。このＳ／Ｎが上昇するＢ元
素含有率の臨界値を、Ｏ元素含有率を変化させて調べた
結果を図８に示す。図８から判るように、Ｓ／Ｎが向上
するＢ元素の臨界含有率は、Ｏ元素の含有率が０．１原
子％以上であれば、Ｏ元素の含有率に依存せずほぼ一定
であった。
近でＳ／Ｎは急激に上昇し、それ以上の範囲では、ほぼ
一定の値となることが判る。このＳ／Ｎが上昇するＢ元
素含有率の臨界値を、Ｏ元素含有率を変化させて調べた
結果を図８に示す。図８から判るように、Ｓ／Ｎが向上
するＢ元素の臨界含有率は、Ｏ元素の含有率が０．１原
子％以上であれば、Ｏ元素の含有率に依存せずほぼ一定
であった。
【００７５】以上の結果から、積層磁気記録層の結晶粒
子を孤立させるために必要なＢ元素の含有率は、１原子
％以上であることが判る。この条件は、上述した実施例
７におけるＰｄＢＯからなる下地層の結晶粒子が孤立化
する条件と同一であった。
子を孤立させるために必要なＢ元素の含有率は、１原子
％以上であることが判る。この条件は、上述した実施例
７におけるＰｄＢＯからなる下地層の結晶粒子が孤立化
する条件と同一であった。
【００７６】＜実施例１４＞実施例１４では、積層磁気
記録層中におけるＯ元素の含有率が、Ｓ／Ｎに与える影
響について調べた。
記録層中におけるＯ元素の含有率が、Ｓ／Ｎに与える影
響について調べた。
【００７７】磁気記録媒体は、Ｂ元素の含有率を３原子
％に固定し、Ｂ元素の含有率を０原子％、０．０５原子
％、０．０８原子％、０．１原子％、０．２原子％、
０．３原子％、０．３７原子％、０．４８原子％と変化
させること以外は、実施例１と同様にして８種類の磁気
記録媒体を作製した。各層の組成、構成は、実施例１と
同様に（ＣｏＢＯ：０．４ｎｍ／ＰｄＢＯ：０．６ｎ
ｍ）×２０／Ｐｄ：２０ｎｍとし、図４に示す断面構造
からなる磁気記録媒体１を作製した。
％に固定し、Ｂ元素の含有率を０原子％、０．０５原子
％、０．０８原子％、０．１原子％、０．２原子％、
０．３原子％、０．３７原子％、０．４８原子％と変化
させること以外は、実施例１と同様にして８種類の磁気
記録媒体を作製した。各層の組成、構成は、実施例１と
同様に（ＣｏＢＯ：０．４ｎｍ／ＰｄＢＯ：０．６ｎ
ｍ）×２０／Ｐｄ：２０ｎｍとし、図４に示す断面構造
からなる磁気記録媒体１を作製した。
【００７８】積層磁気記録層５中におけるＢ元素の含有
率は、スパッタリングターゲット上に配置するＢチップ
の数で制御し、Ｏ元素の含有率は、ＡｒとＯ2の質量流
量比（Ｏ2／Ａｒ）により制御した。
率は、スパッタリングターゲット上に配置するＢチップ
の数で制御し、Ｏ元素の含有率は、ＡｒとＯ2の質量流
量比（Ｏ2／Ａｒ）により制御した。
【００７９】磁気記録媒体１の積層磁気記録層５中にお
けるＢ元素及びＯ元素の含有率は、実施例１３と同様
に、化学分析、ＥＤＸ及びＳＩＭＳを用いて総合的に解
析した。
けるＢ元素及びＯ元素の含有率は、実施例１３と同様
に、化学分析、ＥＤＸ及びＳＩＭＳを用いて総合的に解
析した。
【００８０】上記において作製した８種類の磁気記録媒
体の垂直方向の信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べた結果を
図９に示す。ここで、Ｓ／Ｎは、実施例１と同様にして
求めた。
体の垂直方向の信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べた結果を
図９に示す。ここで、Ｓ／Ｎは、実施例１と同様にして
求めた。
【００８１】図９より、Ｏ元素の含有率が０．１原子％
の付近でＳ／Ｎは急激に上昇し、それ以上の範囲では、
ほぼ一定の値となることが判る。このＳ／Ｎが上昇する
Ｏ元素含有率の臨界値をＢ元素含有率を変化させて調べ
た結果を図１０に示す。図１０から判るように、Ｓ／Ｎ
が向上するＢ元素の臨界含有率は、Ｂ元素の含有率が１
原子％以上であれば、Ｂ元素の含有率に依存せずほぼ一
定であった。
の付近でＳ／Ｎは急激に上昇し、それ以上の範囲では、
ほぼ一定の値となることが判る。このＳ／Ｎが上昇する
Ｏ元素含有率の臨界値をＢ元素含有率を変化させて調べ
た結果を図１０に示す。図１０から判るように、Ｓ／Ｎ
が向上するＢ元素の臨界含有率は、Ｂ元素の含有率が１
原子％以上であれば、Ｂ元素の含有率に依存せずほぼ一
定であった。
【００８２】以上の結果から、積層磁気記録層の結晶粒
子を孤立させるために必要なＯ元素の含有率は、０．１
原子％以上であることが判る。この条件は、上述した実
施例７におけるＰｄＢＯからなる下地層の結晶粒子が孤
立化する条件と同一であった。
子を孤立させるために必要なＯ元素の含有率は、０．１
原子％以上であることが判る。この条件は、上述した実
施例７におけるＰｄＢＯからなる下地層の結晶粒子が孤
立化する条件と同一であった。
【００８３】＜実施例１５＞実施例１５では、積層磁気
記録層である垂直磁化膜にＢ元素及びＯ元素を含有さ
せ、さらに下地層としてＰｄとＳｉＯ2とを同時成膜し
た複合下地層を用いた磁気記録媒体を作製した。
記録層である垂直磁化膜にＢ元素及びＯ元素を含有さ
せ、さらに下地層としてＰｄとＳｉＯ2とを同時成膜し
た複合下地層を用いた磁気記録媒体を作製した。
【００８４】磁気記録媒体の各層の組成、構成は、（Ｃ
ｏＢＯ：０．４ｎｍ／ＰｄＢＯ：０．６ｎｍ）×２０／
Ｐｄ＋ＳｉＯ２：２０ｎｍとし、図１１に示す断面構造
からなる磁気記録媒体を作製した。
ｏＢＯ：０．４ｎｍ／ＰｄＢＯ：０．６ｎｍ）×２０／
Ｐｄ＋ＳｉＯ２：２０ｎｍとし、図１１に示す断面構造
からなる磁気記録媒体を作製した。
【００８５】そして、複合下地膜を、ＳｉＯ2のターゲ
ット上にＰｄのチップを配置したターゲットを用いてＲ
Ｆマグネトロンスパッタで成膜したこと以外は、実施例
１と同様にして作製した。複合下地膜の構成は体積比で
Ｐｄ：５０％、ＳｉＯ2：５０％である。
ット上にＰｄのチップを配置したターゲットを用いてＲ
Ｆマグネトロンスパッタで成膜したこと以外は、実施例
１と同様にして作製した。複合下地膜の構成は体積比で
Ｐｄ：５０％、ＳｉＯ2：５０％である。
【００８６】また、作製した磁気記録媒体１の積層磁気
記録層５中におけるＢ元素及びＯ元素の含有率を化学分
析、ＥＤＸ及びＳＩＭＳにより調べたところ、Ｂ元素の
含有率は、３原子％であり、Ｏ元素の含有率は、０．２
原子％であった。
記録層５中におけるＢ元素及びＯ元素の含有率を化学分
析、ＥＤＸ及びＳＩＭＳにより調べたところ、Ｂ元素の
含有率は、３原子％であり、Ｏ元素の含有率は、０．２
原子％であった。
【００８７】上記において作製した磁気記録媒体１の垂
直方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調
べた結果を表１に併せて示す。ここで、Ｓ／Ｎは、実施
例１と同様にして求めた。
直方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調
べた結果を表１に併せて示す。ここで、Ｓ／Ｎは、実施
例１と同様にして求めた。
【００８８】実施例１５で作製した磁気記録媒体１は、
実施例１で作製した磁気記録媒体よりもさらに遷移ノイ
ズが改善され、Ｓ／Ｎは、実施例７の磁気記録媒体とほ
ぼ同等の３１ｄＢという良好な値を示している。これ
は、下地層４としてＰｄ＋ＳｉＯ2複合下地層を用いた
ことにより、ＣｏＢＯ／ＰｄＢＯ積層磁気記録層５にお
ける結晶粒の孤立性が実施例１に較べて、より高めら
れ、その結果として遷移ノイズが大幅に減少し、Ｓ／Ｎ
が向上したものと考えられる。
実施例１で作製した磁気記録媒体よりもさらに遷移ノイ
ズが改善され、Ｓ／Ｎは、実施例７の磁気記録媒体とほ
ぼ同等の３１ｄＢという良好な値を示している。これ
は、下地層４としてＰｄ＋ＳｉＯ2複合下地層を用いた
ことにより、ＣｏＢＯ／ＰｄＢＯ積層磁気記録層５にお
ける結晶粒の孤立性が実施例１に較べて、より高めら
れ、その結果として遷移ノイズが大幅に減少し、Ｓ／Ｎ
が向上したものと考えられる。
【００８９】＜実施例１６＞下地層をＰｔ＋ＳｉＯ2と
したこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体
を作製した。
したこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体
を作製した。
【００９０】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
【００９１】＜実施例１７＞下地層をＡｕ＋Ａ１2Ｏ3と
したこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体
を作製した。
したこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体
を作製した。
【００９２】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
【００９３】＜実施例１８＞下地層をＡｇ＋ＭｇＯとし
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
【００９４】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５同等の効果が得られた。
【００９５】＜実施例１９＞下地層をＲｈ＋ＴｉＯ2と
したこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体
を作製した。
したこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体
を作製した。
【００９６】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
【００９７】＜実施例２０＞下地層をＩｒ＋ＬｉＯ2と
したこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体
を作製した。
したこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体
を作製した。
【００９８】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
【００９９】＜実施例２１＞下地層をＰｄ＋ＣａＯとし
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
【０１００】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
【０１０１】＜実施例２２＞下地層をＰｄ＋ＺｎＯとし
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
【０１０２】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
【０１０３】＜実施例２２＞下地層をＰｄ＋ＺｒＯとし
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
【０１０４】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
【０１０５】＜実施例２３＞下地層をＰｄ＋Ｙ2Ｏ3とし
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
【０１０６】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
【０１０７】＜実施例２４＞下地層をＰｄ＋ＨｆＯとし
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
【０１０８】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
【０１０９】＜実施例２５＞下地層をＰｄ＋ＨｆＯとし
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
【０１１０】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
【０１１１】＜実施例２６＞下地層をＰｄ＋Ｓｉ3Ｎ4と
したこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体
を作製した。
したこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体
を作製した。
【０１１２】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
【０１１３】＜実施例２７＞下地層をＰｔ＋ＡｌＮとし
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
【０１１４】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
【０１１５】＜実施例２８＞下地層をＡｕ＋ＢＮとした
こと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を作
製した。
こと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を作
製した。
【０１１６】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
【０１１７】＜実施例２９＞下地層をＡｇ＋ＴｉＮとし
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
【０１１８】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
【０１１９】＜実施例３０＞下地層をＲｈ＋ＺｒＮとし
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
【０１２０】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
【０１２１】＜実施例３１＞下地層をＩｒ＋ＧａＮとし
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
【０１２２】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
【０１２３】＜実施例３２＞下地層をＰｄ＋ＳｉＣとし
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
【０１２４】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
【０１２５】＜実施例３３＞下地層をＰｔ＋ＴｉＣとし
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
【０１２６】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
【０１２７】＜実施例３４＞下地層をＡｕ＋ＺｒＣとし
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
【０１２８】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
【０１２９】＜実施例３５＞下地層をＡｇ＋ＴａＣとし
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
たこと以外は、実施例１５と同様にして磁気記録媒体を
作製した。
【０１３０】上記において作製した磁気記録媒体の垂直
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べ
たところ、実施例１５と同等の効果が得られた。
【０１３１】以上、実施例１５乃至実施例３５の結果よ
り、下地層が、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｉｒの
面心立方構造の金属の何れかと、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、
ＭｇＯ、ＴｉＯ2、Ｌｉ2Ｏ、ＣａＯ、ＺｎＯ、ＺｒＯ、
Ｙ2Ｏ3、ＨｆＯ等の酸化物の何れか、との複合材料から
なる複合材料、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｉｒの
面心立方構造の金属の何れかと、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、Ｂ
Ｎ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＧａＮ等の窒化物の何れか、との
複合材料、若しくは、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｈ、
Ｉｒの面心立方構造の金属の何れかと、ＳｉＣ、Ｔｉ
Ｃ、ＺｒＣ、ＴａＣ等の炭化物の何れか、との複合材料
により構成することにより積層磁気記録層にみられる遷
移ノイズを減少させ、Ｓ／Ｎ比を向上させる効果を得ら
れることが確認された。
り、下地層が、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｉｒの
面心立方構造の金属の何れかと、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、
ＭｇＯ、ＴｉＯ2、Ｌｉ2Ｏ、ＣａＯ、ＺｎＯ、ＺｒＯ、
Ｙ2Ｏ3、ＨｆＯ等の酸化物の何れか、との複合材料から
なる複合材料、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｉｒの
面心立方構造の金属の何れかと、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、Ｂ
Ｎ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＧａＮ等の窒化物の何れか、との
複合材料、若しくは、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｈ、
Ｉｒの面心立方構造の金属の何れかと、ＳｉＣ、Ｔｉ
Ｃ、ＺｒＣ、ＴａＣ等の炭化物の何れか、との複合材料
により構成することにより積層磁気記録層にみられる遷
移ノイズを減少させ、Ｓ／Ｎ比を向上させる効果を得ら
れることが確認された。
【０１３２】＜実施例３６＞実施例３６では、下地層の
下にＮｉＦｅＴａからなる軟磁性層を備え、その上に下
地層、積層磁気記録層が形成された磁気記録媒体を作製
した。
下にＮｉＦｅＴａからなる軟磁性層を備え、その上に下
地層、積層磁気記録層が形成された磁気記録媒体を作製
した。
【０１３３】磁気記録媒体の各層の組成、構成は、（Ｃ
ｏＢＯ：０．４ｎｍ／ＰｄＢＯ：０．６ｎｍ）×２０／
（Ｐｄ＋ＳｉＯ2）：２０ｎｍ／Ｎｉ80Ｆｅ15Ｔａ5：２
０ｎｍとし、図１２に示す断面構造からなる磁気記録媒
体１を作製した。
ｏＢＯ：０．４ｎｍ／ＰｄＢＯ：０．６ｎｍ）×２０／
（Ｐｄ＋ＳｉＯ2）：２０ｎｍ／Ｎｉ80Ｆｅ15Ｔａ5：２
０ｎｍとし、図１２に示す断面構造からなる磁気記録媒
体１を作製した。
【０１３４】そして、軟磁性層を、ＮｉターゲットとＦ
ｅターゲットとＴａターゲットとを用いてスパッタ法で
成膜したこと以外は、実施例１５と同様にして作製し
た。
ｅターゲットとＴａターゲットとを用いてスパッタ法で
成膜したこと以外は、実施例１５と同様にして作製し
た。
【０１３５】また、作製した磁気記録媒体１の積層磁気
記録層５中におけるＢ元素及びＯ元素の含有率を化学分
析、ＥＤＸ及びＳＩＭＳにより調べたところ、Ｂ元素の
含有率は、３原子％であり、Ｏ元素の含有率は、０．２
原子％であった。
記録層５中におけるＢ元素及びＯ元素の含有率を化学分
析、ＥＤＸ及びＳＩＭＳにより調べたところ、Ｂ元素の
含有率は、３原子％であり、Ｏ元素の含有率は、０．２
原子％であった。
【０１３６】上記において作製した磁気記録媒体１の信
号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べた結果を表１に併せて示
す。ここで、Ｓ／Ｎは、実施例１と同様にして求めた。
号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べた結果を表１に併せて示
す。ここで、Ｓ／Ｎは、実施例１と同様にして求めた。
【０１３７】実施例３６の磁気記録媒体１は、裏打ち層
として軟磁性層であるＮｉ80Ｆｅ15Ｔａ5層を用いるこ
とで、積層磁気記録層における記録磁区の遷移領域がよ
り明瞭になったために、Ｓ／Ｎは実施例１、実施例７及
び実施例１５よりもさらに向上し、３２ｄＢと良好な値
を示している。
として軟磁性層であるＮｉ80Ｆｅ15Ｔａ5層を用いるこ
とで、積層磁気記録層における記録磁区の遷移領域がよ
り明瞭になったために、Ｓ／Ｎは実施例１、実施例７及
び実施例１５よりもさらに向上し、３２ｄＢと良好な値
を示している。
【０１３８】＜実施例３７＞軟磁性層をＣｏＺｒとした
こと以外は、実施例３６と同様にして磁気記録媒体を作
製した。
こと以外は、実施例３６と同様にして磁気記録媒体を作
製した。
【０１３９】上記において作製した磁気記録媒体の信号
対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べたところ、実施例３６と同等
の効果が得られた。
対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べたところ、実施例３６と同等
の効果が得られた。
【０１４０】＜実施例３８＞軟磁性層をＦｅＮとしたこ
と以外は、実施例３６と同様にして磁気記録媒体を作製
した。
と以外は、実施例３６と同様にして磁気記録媒体を作製
した。
【０１４１】上記において作製した磁気記録媒体の信号
対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べたところ、実施例３６と同等
の効果が得られた。
対ノイズの比Ｓ／Ｎを調べたところ、実施例３６と同等
の効果が得られた。
【０１４２】以上、実施例３６乃至実施例３８の結果か
ら、下地層の直下、すなわち積層磁気記録層と反対側に
裏打ち層として軟磁性層を備えることにより、積層磁気
記録層における記録磁区の遷移領域がより明瞭にするこ
ととができ、その結果、Ｓ／Ｎを向上させられることが
確認された。
ら、下地層の直下、すなわち積層磁気記録層と反対側に
裏打ち層として軟磁性層を備えることにより、積層磁気
記録層における記録磁区の遷移領域がより明瞭にするこ
ととができ、その結果、Ｓ／Ｎを向上させられることが
確認された。
【０１４３】＜比較例＞比較例では、積層磁気記録層で
ある垂直磁化膜、及び下地層にＢ元素及びＯ元素を含有
させない従来の磁気記録媒体１を作製した。
ある垂直磁化膜、及び下地層にＢ元素及びＯ元素を含有
させない従来の磁気記録媒体１を作製した。
【０１４４】磁気記録媒体は、実施例１と同様にして作
製した。各層の組成、構成は、（Ｃｏ：０．４ｎｍ／Ｐ
ｄ：０．６ｎｍ）×２０／Ｐｄ：２０ｎｍとし、図１３
に示す断面構造からなる磁気記録媒体１を作製した。
製した。各層の組成、構成は、（Ｃｏ：０．４ｎｍ／Ｐ
ｄ：０．６ｎｍ）×２０／Ｐｄ：２０ｎｍとし、図１３
に示す断面構造からなる磁気記録媒体１を作製した。
【０１４５】スパッタリングターゲットは、下地層４用
には、Ｐｄターゲット、積層磁気記録層５用には、Ｃｏ
ターゲット及びＰｄターゲットを用いて、２ＰａのＡｒ
雰囲気中で成膜を行った。
には、Ｐｄターゲット、積層磁気記録層５用には、Ｃｏ
ターゲット及びＰｄターゲットを用いて、２ＰａのＡｒ
雰囲気中で成膜を行った。
【０１４６】上記において作製した磁気記録媒体１の垂
直方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調
べた結果を表１に併せて示す。ここで、Ｓ／Ｎは、実施
例１と同様にして求めた。
直方向の保磁力Ｈｃ、及び信号対ノイズの比Ｓ／Ｎを調
べた結果を表１に併せて示す。ここで、Ｓ／Ｎは、実施
例１と同様にして求めた。
【０１４７】比較例１で作製した磁気記録媒体１は、Ｈ
ｃは、磁気的及び熱的外乱に対して安定であり、且つ従
来の記録ヘッドで記録可能な実用的な値を示している
が、遷移ノイズが大きく、その結果Ｓ／Ｎは１２ｄＢと
小さい値を示している。
ｃは、磁気的及び熱的外乱に対して安定であり、且つ従
来の記録ヘッドで記録可能な実用的な値を示している
が、遷移ノイズが大きく、その結果Ｓ／Ｎは１２ｄＢと
小さい値を示している。
【０１４８】ここで、比較例と実施例１との磁気記録媒
体の、積層磁気記録層における遷移ノイズの差を明らか
にするために、積層磁気記録層の微細構造を透過電子顕
微鏡（Transmission electron microscope：ＴＥＭ）に
より解析し、比較例と実施例１とを比較した。実施例１
のＴＥＭでの観察結果を図１４に、比較例のＴＥＭでの
観察結果を図１５に示す。その結果、比較例では、結晶
粒子同士が密着しているのに対し、実施例１では、結晶
粒界に隙間が見られた。
体の、積層磁気記録層における遷移ノイズの差を明らか
にするために、積層磁気記録層の微細構造を透過電子顕
微鏡（Transmission electron microscope：ＴＥＭ）に
より解析し、比較例と実施例１とを比較した。実施例１
のＴＥＭでの観察結果を図１４に、比較例のＴＥＭでの
観察結果を図１５に示す。その結果、比較例では、結晶
粒子同士が密着しているのに対し、実施例１では、結晶
粒界に隙間が見られた。
【０１４９】また、実施例１の結晶粒界の構造を明らか
にするために、高分解能ＴＥＭとＥＤＸにより解析を行
った。ＥＤＸの分析領域は５ｎｍ程度で、高分解能ＴＥ
Ｍ像中の分析領域Ａでは結晶粒子内のみの元素情報が得
られるが、分析領域Ｂでは結晶粒内と結晶粒界の両方の
元素情報を含んでいる。結晶粒内のＥＤＸの分析結果を
図１６に、結晶粒界のＥＤＸの分析結果を図１７に示
す。また、高分解能ＴＥＭでの観察結果を図１８に示
す。
にするために、高分解能ＴＥＭとＥＤＸにより解析を行
った。ＥＤＸの分析領域は５ｎｍ程度で、高分解能ＴＥ
Ｍ像中の分析領域Ａでは結晶粒子内のみの元素情報が得
られるが、分析領域Ｂでは結晶粒内と結晶粒界の両方の
元素情報を含んでいる。結晶粒内のＥＤＸの分析結果を
図１６に、結晶粒界のＥＤＸの分析結果を図１７に示
す。また、高分解能ＴＥＭでの観察結果を図１８に示
す。
【０１５０】高分解能ＴＥＭ像からは、結晶粒子の周り
がアモルファス状の物質で満たされており、結晶粒子同
士が結晶学的に孤立しているのが判った。
がアモルファス状の物質で満たされており、結晶粒子同
士が結晶学的に孤立しているのが判った。
【０１５１】また、ＥＤＸスペクトルを結晶粒内と結晶
粒界とで比較すると、Ｂ元素及びＯ元素は結晶粒界でし
か検出されず、結晶粒界にボロンオキサイド相が析出し
ていると考えられる。
粒界とで比較すると、Ｂ元素及びＯ元素は結晶粒界でし
か検出されず、結晶粒界にボロンオキサイド相が析出し
ていると考えられる。
【０１５２】これらのことより、本解析結果は、Ｂ元素
及びＯ元素が積層磁気記録層の結晶粒子を孤立させるの
に重要な役割を果たすことを示している。すなわち、こ
の結晶粒子の結晶学的な孤立が磁気的な孤立を生じさ
せ、その結果遷移ノイズが減少し、Ｓ／Ｎが向上したも
のと考えられる。
及びＯ元素が積層磁気記録層の結晶粒子を孤立させるの
に重要な役割を果たすことを示している。すなわち、こ
の結晶粒子の結晶学的な孤立が磁気的な孤立を生じさ
せ、その結果遷移ノイズが減少し、Ｓ／Ｎが向上したも
のと考えられる。
【０１５３】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
係る磁気記録媒体は、積層磁気記録層として、Ｐｔ層若
しくはＰｄ層とＣｏ層とが交互に積層された人工格子膜
からなり、さらにＢ及びＯを含有してなる垂直磁気記録
膜を備えるため、積層磁気記録層における遷移ノイズが
大幅に減少する。
係る磁気記録媒体は、積層磁気記録層として、Ｐｔ層若
しくはＰｄ層とＣｏ層とが交互に積層された人工格子膜
からなり、さらにＢ及びＯを含有してなる垂直磁気記録
膜を備えるため、積層磁気記録層における遷移ノイズが
大幅に減少する。
【０１５４】したがって、本発明によれば、積層磁気記
録層における遷移ノイズが大幅に減少され、Ｓ／Ｎに優
れた短波長記録に好適な磁気記録媒体を提供することが
可能となる。
録層における遷移ノイズが大幅に減少され、Ｓ／Ｎに優
れた短波長記録に好適な磁気記録媒体を提供することが
可能となる。
【図１】本発明を適用した磁気記録媒体の一例の層構造
を示す要部断面図である。
を示す要部断面図である。
【図２】本発明を適用した磁気記録媒体の一例を層構造
を示す要部断面図である。
を示す要部断面図である。
【図３】本発明を適用した磁気記録媒体の一例を層構造
を示す要部断面図である。
を示す要部断面図である。
【図４】実施例１、実施例１３及び実施例１４で作製し
た磁気記録媒体の層構造を示す要部断面図である。
た磁気記録媒体の層構造を示す要部断面図である。
【図５】実施例７で作製した磁気記録媒体の層構造を示
す要部断面図である。
す要部断面図である。
【図６】本津名を適用した磁気記録媒体を作製する際に
用いたスパッタリングターゲットを示す平面図である。
用いたスパッタリングターゲットを示す平面図である。
【図７】Ｂ元素の含有率とＳ／Ｎとの関係を示す特性図
である。
である。
【図８】Ｏ元素の含有率とＳ／Ｎが上昇するＢ元素の含
有率の臨界値との関係を示す特性図である。
有率の臨界値との関係を示す特性図である。
【図９】Ｏ元素の含有率とＳ／Ｎとの関係を示す特性図
である。
である。
【図１０】Ｂ元素の含有率とＳ／Ｎが上昇するＯ元素の
含有率の臨界値との関係を示す特性図である。
含有率の臨界値との関係を示す特性図である。
【図１１】実施例１５で作製した磁気記録媒体の層構造
を示す要部断面図である。
を示す要部断面図である。
【図１２】実施例３６で作製した磁気記録媒体の層構造
を示す要部断面図である。
を示す要部断面図である。
【図１３】比較例で作製した磁気記録媒体の層構造を示
す要部断面図である。
す要部断面図である。
【図１４】実施例１のＴＥＭでの観察結果を示す顕微鏡
写真を表す図である。
写真を表す図である。
【図１５】比較例のＴＥＭでの観察結果を示す顕微鏡写
真を表す図である。
真を表す図である。
【図１６】結晶粒内のＥＤＸの分析結果を示す特性図で
ある。
ある。
【図１７】結晶粒界のＥＤＸの分析結果を示す特性図で
ある。
ある。
【図１８】実施例１の高分解能ＴＥＭでの観察結果を示
す顕微鏡写真を表す図である。
す顕微鏡写真を表す図である。
１ 磁気記録媒体、２ 基板、３ 接着層、４ 下地
層、５ 積層磁気記録層、６ 保護層、７ 軟磁性層
層、５ 積層磁気記録層、６ 保護層、７ 軟磁性層
Claims (13)
- 【請求項１】 Ｐｔ層若しくはＰｄ層と、Ｃｏ層とが交
互に積層された人工格子膜からなり、Ｂ及びＯを含有し
てなる垂直磁気記録膜を備えることを特徴とする磁気記
録媒体。 - 【請求項２】 上記Ｂは、１原子％以上１５原子％以下
の範囲で含有され、且つ上記Ｏは、０．１原子％以上１
０原子％以下の範囲で含有されることを特徴とする請求
項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 上記磁気記録層に対して、面心立方構造
を有する金属を含有する材料からなる下地層を備えるこ
とを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 上記面心立方構造を有する金属は、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｒｈ、若しくはＩｒであること
を特徴とする請求項３記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 上記下地層は、Ｂ及びＯを含有すること
を特徴とする請求項３記載の磁気記録媒体。 - 【請求項６】 上記Ｂは、１原子％以上３０原子％以下
の範囲で含有され、且つ上記Ｏは、０．１原子％以上３
０原子％以下の範囲で含有されることを特徴とする請求
項５記載の磁気記録媒体。 - 【請求項７】 上記磁気記録層に対して、面心立方構造
を有する金属と、酸化物、窒化物、若しくは炭化物の何
れかとの複合材料からなる下地層を備えることを特徴と
する請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項８】 上記面心立方構造を有する金属は、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｒｈ、若しくはＩｒであること
を特徴とする請求項７記載の磁気記録媒体。 - 【請求項９】 上記酸化物は、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｍ
ｇＯ、ＴｉＯ2、Ｌｉ2Ｏ、ＣａＯ、ＺｎＯ、ＺｒＯ、Ｙ
2Ｏ3、ＨｆＯであることを特徴とする請求項７記載の磁
気記録媒体。 - 【請求項１０】 上記窒化物は、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、Ｂ
Ｎ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＧａＮであること特徴とする請求
項７記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１１】 上記炭化物は、ＳｉＣ、ＴｉＣ、Ｚｒ
Ｃ、ＴａＣであることを特徴とする請求項７記載の磁気
記録媒体。 - 【請求項１２】 上記下地層の直下に軟磁性層を備える
ことを特徴とする請求項８記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１３】 上記軟磁性層は、ＮｉＦｅ、ＣｏＺ
ｒ、ＦｅＮ、若しくはＮｉＦｅＴａからなることを特徴
とする請求項１２記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000200370A JP2002025032A (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 磁気記録媒体 |
| US09/892,021 US6596418B2 (en) | 2000-06-30 | 2001-06-26 | Magnetic recording medium comprising an artificial lattice film containing B and O elements |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000200370A JP2002025032A (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002025032A true JP2002025032A (ja) | 2002-01-25 |
Family
ID=18698256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000200370A Withdrawn JP2002025032A (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2002025032A (ja) |
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2000
- 2000-06-30 JP JP2000200370A patent/JP2002025032A/ja not_active Withdrawn
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2001
- 2001-06-26 US US09/892,021 patent/US6596418B2/en not_active Expired - Fee Related
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070904 |