KR100377453B1 - 열 안정성을 향상하는 강자성 오버레이 재질을 갖는 자기 매체 및 그 생성 방법 - Google Patents
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- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 135
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 118
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 13
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(II) oxide Inorganic materials [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 3
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000943 NiAl Inorganic materials 0.000 claims description 2
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical compound [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 abstract description 24
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 12
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000020477 pH reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/743—Patterned record carriers, wherein the magnetic recording layer is patterned into magnetic isolated data islands, e.g. discrete tracks
- G11B5/746—Bit Patterned record carriers, wherein each magnetic isolated data island corresponds to a bit
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
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- G11B2220/00—Record carriers by type
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- G11B2220/25—Disc-shaped record carriers characterised in that the disc is based on a specific recording technology
- G11B2220/2508—Magnetic discs
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- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
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Abstract
자기 기록 디스크는 강자성 호스트(host)층 및 1-40Å 범위의 유효 오버레이 두께로 호스트층 상에 직접 증착되는 강자성 오버레이(Overlay)를 포함하는 자기 기록층을 구비한다. 오버레이에 사용되는 강자성 재질로는 Co, Fe 및/또는 Ni이 있으며, 이는 강자성 호스트층에 사용되는 물질의 자기 모멘트(magnetic moment)보다 상당히 큰 자기 모멘트를 갖는다. 강자성 오버레이는 브리징(bridging)을 통해 호스트층 내에 함유된 슈퍼파라마그네틱 결정(superparamagnetic grain)을 자기적으로 커플링시킴으로써 이의 열 안정성을 향상시킨다. 매체의 개선된 열 안전성으로 인해 더 얇은 강자성체 호스트층이 사용될 수 있어, 낮은 잔류 자화 ×두께(Mrt) 값 및 높은 기록 밀도가 얻어진다.
Description
본 발명은 전형적으로 자기 기록 매체에서 이용하는 자기층 구조에 관한 것으로, 특히 자기 기록 디스크에 관한 것이다.
종래의 자기 기록 디스크는, 결정체 자기 재질의 결정(grain)을 가지는 연속 박막으로써 스퍼터링 증착되는 전형적으로 코발트(Co) 합금과 같은 강자성 합금인 자기 기록층을 가진다. 자기 기록 디스크에서 고밀도 기록을 획득하기 위해서는 결정 크기를 감소시키고 포화 보자력(Coercivity)(Hc)을 증가시키며 자기 기록층의 잔류 자화 ×두께(Mrt)을 줄이는 것이 필요하다고 알려져 있다. 따라서, 자기 매체의 자기 기록 밀도를 증가하기 위한 대부분의 시도는 자기층에서의 자기 재질의 혼합 및 미세구조를 변경하거나 낮은 Mrt를 얻기 위해 자기층 두께를 줄이는 이러한 세가지 파라미터에 촛점을 맞추고 있다. 불행하게도, 작은 결정을 가진 매우 얇은 자기 기록층은 열적으로 불안정하게 될 수 있으며, 그 작은 결정의 자기 모멘트가 그 자화 방향을 자연적으로 변화시켜 기록된 데이터의 손실을 발생시킨다. 이는 상승된 동작 온도의 디스크 드라이브에서 특히 고려해야 된다. 충분히 작은 결정 크기에서 열적으로 불안정한 결정은 일반적으로 슈퍼파라마그네틱 결정(superparamagnetic grain)으로 언급된다.
이러한 슈퍼파라마그네틱 결정은 자기 기록 밀도 증가에 있어서 심각한 장애물이다. 종래 매체의 이러한 한계는 예컨대, 결정 부피를 단지 1/2로 줄임으로써 열 안정성이 몇 년 단위에서 일분 이하 단위로 변화된다는 사실에 의해 증명된다.
종래의 매체는 진폭 손실, 노이즈 증가, 증가되는 데이터 에러율, 분해 손실 등을 나타내고, 요약하면, 갑작스런 변화 및 신속한 열적 비자화 전의 열 구동 비자화 처리 과정으로 인해 일반적인 자기 기록 수행의 손실이 슈퍼파라마그네틱 한계에서 시작된다. 이는 더 느리지만 정상 자화 감소를 다수의 실험적 측정 방법에 의해 특성화될 수 있고, 자기 "점도(Viscosity)"(자화 감쇠율) 측정 방법을 포함한다. 종래의 자기 기록 매체는 획득 가능한 자기 기록 밀도에 심각한 제한을 가하는 상당한 자화 감쇠율을 나타낼 수 있다.
종래의 매커니즘은 매체의 자기 결정성 이방체(Magnetocrystalline anisotropy) 및 포화 보자력(Coercivity)을 증가시킴으로써 열적으로 활성화된 자화 처리를 안정화시킨다. 그러나, 이 루틴은 자기 기록 헤드가 기록 헤드의 자극편재질의 자기 모멘트 밀도에 의해 제한되는 최대 필드량(field magnitude)만을 생성할 수 있는 상태에 목적을 두고 있다. 고기능 매체의 기록성은 자기 기록 밀도를 증가시키기 위해 중요하다.
도 1은 유지층(9)을 갖는 종래 기술의 자기 매체(5)의 단면도이다. 자기 기록층(2)은 기판(3) 상에 증착되어 있다. 자기 기록층(2)의 상면에서는 얇은 Cr 차단층(7)이 약 25 Å 두께로 증착되어 있다. 차단층(7)의 상면에는 유지층(9)이 증착되어 있다. 차단층(7)은 자기층(2) 내에서 입간 커플링을 방지하거나 감소시키기 위하여 자기 기록층(2) 상에 증착되어 있다. 자기적으로 연질인 유지층(9)은 자기층(2)에 기록되는 자기 변화로 인해 발생되는 비자화 필드를 줄인다.
매체에서 자기 기록층을 열적으로 안정화하기 위한 "유지층"을 이용하는 것은 1998년 IEEE 트랜스(trans)에 Mag.,에 실려있는 제이. 쳉(J. Chen) 등의 제출된 논문의 Vol 34의 no. 4의 제 1624-1625 쪽에 게재되어 있다. 크롬(Cr) 차단층이 유지층(Keeper Layer)과 자기층 사이에 적층되어 있다. 예를 들어, 약 25Å 두께의 Cr 차단층은 50 내지 150 ㎚ 두께의 유지층을 증착하기 전에 자기층 상에 증착된다. Cr 차단층은 유지층의 성장을 제어하고 자기층 내의 결정 사이에 상호 교환 커플링(Exchange Coupling)을 방지하는데 이용된다. 자기 기록층 상에 직접 자기적으로 약하고 두꺼운 유지층을 증착하는 것은 자기층 내에서 강한 자기 입간 결합(Inter-granular Coupling)을 유발하고, 고밀도용으로 자기층을 이용하는 것을 방지한다. 유지층/차단층 구조의 기능은 근처의 자기 변화로부터 비자화 필드를 줄이는 것이다. 유지층은 가장 큰 기록 노이즈의 원인으로 알려져 있다. 또한, 보고된 유지층 구조는 50-150㎚ 두께이다. 기록 성능을 최적화하도록, 매체를 구성하는 층, 오버레이, 보호 오버코팅(Protective Overcoat)의 전체 두께를 매우 얇게 하는 것이 바람직하다.
높은 포화 보자력, 큰 포화 보자력 스퀘어렌니스(squareness : S*), 낮은 잔류 자화 ×두께(Mrt)를 가지고, 매우 높은 기록 밀도를 유지할 수 있도록 열적으로 안정하고 기록가능한 얇은 자기 기록층을 갖는 자기 기록 매체가 필요하다. 종래의 막 증착 방법을 이용하여 그 매체를 생성하는 것이 바람직하다.
따라서, 본 발명의 주 목적은 향상된 열 안정성을 나타내는 자기 기록 매체를 제공하는데 있다. 본 발명의 자기 매체가 향상된 열 안정성을 나타내므로, 작은 결정을 포함하는 더 얇은 자기 기록층이 이용될 수 있어 더 높은 자기 데이터 기록 밀도를 얻을 수 있다.
본 발명의 제 2 목적은 이 자기층 상에 증착된 캐핑층(Capping Layer) 또는 강자성 오버레이를 제공함으로써 매우 얇은 자기층의 기록 특성을 향상하는데 있다. 강자성 오버레이는 열적으로 불안정한 작은 결정의 유효 볼륨(Volume)을 자기층 내에서 증가시켜 열 안정성을 향상시킨다.
본 발명의 제 3 목적은 향상된 기록성을 갖는 자기 기록 매체를 제공하는데 있다.
마지막으로, 본 발명의 목적은 명확한 자기 변화, 높은 S*, 낮은 Mrt를 갖는 자기 매체를 제공하는데 있다.
도 1은 자기 기록층 상에 증착된 차단층 및 연약 유지층을 가진 종래 기술에 따른 자기 디스크의 단면도,
도 2는 본 발명에 따른 자기 기록 디스크를 나타내는 단면도,
도 3은 강자성 오버레이 재질에 의해 강자성 호스트층의 일부 유효 범위를 나타내는 본 발명의 자기 디스크의 상면도,
도 4는 강자성 호스트층의 작은 결정의 커플링 상태를 강자성 오버레이 재질의 아일랜드 및 2 자기 비트로써 나타내는 도 3에 도시된 디스크의 일부 단면도,
도 5는 CoPtCr 합금 강자성 호스트층 및 다른 두께의 강자성 Co 오버레이 재질로 생성되는 세개의 자기 구조용 자기 데이터를 나타내는 테이블,
도 6은 도 5의 테이블에서 나타낸 데이터가 자기 구조용 역 필드(reverse field)를 제공하는 자화 감쇠율대의 그래프,
도 7은 CoPtCrB 강자성 호스트층 및 다양한 두께의 치환합금 NiFe 강자성 오버레이를 가진 자기 구조용 필드에 대비하는 잔류 자화의 그래프,
도 8은 도 7에 도시된 바와 같이 데이터가 제공된 동일 자기 구조용 역 필드에 대비하여 자화 감쇠율의 그래프이다.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 : 자기 기록 디스크 11 : 기판
13 : 하부층 15 : 강자성 호스트층
17 : 얇은 강자성 오버레이 21 : 강자성 오버레이
본 발명의 목적 및 잇점은 강자성 "호스트"층 및 강자성 호스트층에 증착된 강자성 재질의 캐핑층 또는 얇은 오버레이를 포함하는 자기 기록층을 갖는 자기 매체를 제공하여 얻어진다. 강자성 호스트층은 약하게 결합되거나 결합되지 않은 결정을 갖는 입자층이고, 이 결정은 자기 기록 헤드에 의해 발생되는 로컬(local) 자장으로 인하여 자화 방향을 독립적으로 변화시킬 수 있다. 강자성 오버레이는 호스트층에서 강자성 재질의 기록성 및 열 안정성을 향상시키고, 호스트층보다 실질적으로 더 얇으며, 호스트층에서 상호 교환 커플링된다. 강자성 "오버레이"는 강자성 재질의 연속층이거나, 강자성 재질의 아일랜드(island) 또는 결정의 분산이거나, 또는 제 2 비강자성 재질에 의해 분할되는 제 1 강자성 재질의 아일랜드 또는 결정을 포함하는 다수의 위상층(Phase layer)인 강자성 재질로 언급됨을 의미하고 있다. 강자성 오버레이가 불연속 막 또는 재질의 분산일 수 있으므로, 연속적 유효 범위를 나타내는 막용 증착 장치로부터 동일한 파티클 플럭스(particle flux)를 획득하는 두께인 "유효 두께"로 언급됨는 것이 일반적이다. 부수적으로, 다수의 위상층이 또한 강자성 오버레이로써 간주되므로, 오버레이에서 재질의 유효 농도로 언급되는 것이 일반적이고, 재질의 평균 농도로 언급되는 것이 일반적이다. 연속 층으로써 강자성 호스트층 또는 강자성 오버레이가 언급될 때, 이 의미는 재질의 분산이거나 또는 불연속 층으로부터 연속층을 분리하는 것이다.
본 발명의 자기 매체는 바람직하게는 1 내지 30㎚ 두께이고 준비된 기판 상에 증착되는 적어도 하나의 자기 Co계 층(Co-based layer)을 가진다. 기판은 니켈 포스포러스(Phosphorus)로 도포된 알루미늄 디스크 블랭크(Disk Blank), NiAl로 도포된 유리, 실리콘, 세라믹, 수정, MgO, 실리콘-카바이드(Silicon-carbide)와 같은 어떤 적당한 디스크 기판이다. 기판은 다음에 증착되는 강자성 호스트층의 필요한 결정체 방위(Orientation)를 얻기 위하여 하부층(Underlayer)으로 도포되어 있다. 순수한 Cr은 전형적 하부층이지만, 하부층은 Co, V, Ti, O의 성분을 함유하는 Cr 합금을 또한 포함할 수도 있다. 기판 및 하부층은 증착할 강자성 호스트층 및 매체의 의도한 어플리케이션(application)에 의존하여 선택된다.
강자성 호스트층은 바람직하게는 연속 자기 기록층이지만, 이산된(discrete) 강자성 및 비강자성 영역을 형성하기 위하여 해당 기술에서 공지된 몇가지 방법에 의해 또한 패턴화된 강자성 호스트층일 수도 있다. 바람직한 실시예에 있어서, 강자성 호스트층은 약 20-85 원자 퍼센트범위 내에서 Co를 갖는 CoCr 제 3 위 또는 제 4 위 합금이고, Cr은 약 30% 이상이다. 바람직한 실시예에 있어서, 강자성 호스트층은 약 1-20% 범위 내에서 Pt, Ta 또는 Pd, 및 약 3-25%의 유효 농도내에서 분리한 붕소(B)의 성분을 포함한다. 다른 분리 재질은 자기 결정과 약하게 결합하거나 결합되지 않는 Si 및 Co의 산화물, 및 Ti, Zr, Hf, Ag, Nb, W, Au를 포함하는 몇개의 전이 금속(Transition Metals)을 포함한다. 강자성 호스트층을 형성하는데이용되는 재질은 약 50과 1000emu/㎤ 사이에서 포화 자화(saturation magnetization)(Ms) 값을 가진다.
Co, Fe, Ni로부터 선택된 적어도 하나의 성분을 포함하는 캐핑층 또는 얇은 강자성 오버레이는 강자성 호스트층 상에 증착된다. 캐핑층은 바람직하게는 약 50과 1900 emu/㎤ 사이에서 포화 자화(Ms) 값을 갖는 높은 모멘트 강자성 재질이다. 바람직하게는 강자성 오버레이가 강자성 호스트층 재질의 자기 모멘트보다 충분히 더 큰 자기 모멘트(예를 들어, 1.5배 이상)를 가지는 재질이다. 바람직하게는 강자성 오버레이가 약 1-40Å의 유효 두께를 갖는 강자성 호스트층의 표면 상에서의 강자성 아일랜드의 분산이다. 택일적인 실시예에 있어서, 또한 결정으로써 언급되는 강자성 아일랜드는 약 1-75% 범위 내에서 Pt 및 Pd의 성분 또는 1-35% 범위내에서 Cr의 성분을 포함한다. 본 발명의 특정 실시예에 있어서, 강자성 오버레이 결정은 CoO, SiO2또는 B의 제 2 위 또는 제 3 위 화합물을 포함하는 비결정 부 위상(Amorphous Secondary Phase)에 의해 분리된다.
본 발명의 하부층, 강자성 호스트층, 강자성 오버레이는 스퍼터링, 이온-빔 증착(Ion-Beam Deposition), 레이저 증착(Laser Depostion)을 포함하는 몇가지 방법에 의해 증착된다. 오버레이 및 강자성 호스트층의 산성화(Oxidation) 및 분해(Degradation)을 방지하기 위하여 강자성 오버레이를 증착한 후, 종래의 비결정 카본 오버코트와 같은 보호 오버코트를 증착하는 것이 필요하다. 본 발명의 자기 매체는 2와 20kOe 사이의 범위에서 포화 보자력을 가진다.
일반적으로, 자기 볼륨 성분(volume elements)은 자기 비트를 함께 형성하는 자기층 내에서 강자성 합금의 다수 결정을 구비하고, 자기 기록 헤드에 근접하여 리드백(readback) 신호를 더 제공한다. 본 발명에 있어서, 최상의 모멘트 밀도를 가진 자기 재질, 즉 오버레이 내의 재질은 기록 헤드에 가장 근접하여 위치하고 있다. 예를 들어, Co의 모멘트 밀도는 약 300 emu/㎤의 모멘트 밀도를 가지는 종래의 제 3 위 또는 제 4 위 Co 합금의 모멘트 밀도보다 거의 5배 정도이다. 따라서, 0.5㎚의 매우 얇은 층을 가지는 Co는 종래의 제 3 위 또는 제 4 위 Co 합금의 모멘트 밀도보다 거의 5배를 가진다. 또한, 0.5㎚의 매우 얇은 층을 갖는 Co는 2.5㎚의 얇은 층을 가지는 종래의 Co 합금과 동일한 Mrt를 가질 뿐만 아니라, 기록 헤드에 가장 근접하게 자기 플럭스(Magnetic Flux)의 소스를 배치한다. 그리고, 높은 모멘트 밀도 오버레이가 기록 헤드에 가장 근접하게 위치하므로, 자기 기록 헤드로부터 필드를 기록하는 동안이 헤드에 근접한 표면상에서 가장 강하기 때문에 또한 기록성을 향상시킨다. 또한, 기록 헤드로부터 제공된 필드에 의해 발생되는 자기 토크(Magnetic Torque)는 강자성 오버레이의 증가된 모멘트 밀도에 의해 증폭된다. 또한 본 발명은 매체 내의 자기 기록층의 표면에서 가장 큰 자기 토크를 갖는 가장 강한 기록 필드 크기(Write Field Magnitude)를 조합함으로써 기록성 향상을 제공한다.
본 발명의 목적 및 잇점을 이해하기 위하여 함께 첨부한 도면을 참조하여 이하에서 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 자기 기록 디스크(10)의 단면도이다. 디스크(10)는 기판(11), 바람직하게는 니켈 포스포러스로 도포된 알루미늄 기판을 사용하지만, 유리, 실리콘, 세라믹, 수정, MgO, 또는 실리콘-카바이드 기판을 또한 사용할 수 있다. Cr를 기초로 둔 하부층(13)은 기판(11) 상에 증착된다. 강자성 호스트층(15)은 바람직하게는 하부층(13)상에 증착된 연속성 강자성층이다. 강자성 호스트층(15)은, 예를 들어, IBM의 미국 특허 제 5,051,288 호에 게재된 바와 같이, 또한 얇은 층 형태의 자기 기록층을 가지는 자기 기록 디스크에서 이용되는 하나 이상의 강자성 막일 수 있다. 하부층(13)은 호스트층(15)의 순차적 증착 및 성장(Growth)이 용이하도록 기판(11) 상에 증착된다. 증착하는 특정 Cr계 하부층이 순차적으로 증착된 강자성층의 성장 처리를 확대하는 것은 널리 공지되어 있다. 순수한 Cr은 전형적으로 하부층으로 사용되지만, 본 발명에서는 Co, V, Ti, O의 성분을 가진 하부층을 또한 이용할 수 있다.
강자성 호스트층(15)은 50-1000emu/㎤ 사이에서 포화 자기값(Ms)을 가지는 1-30nm두께의 CoCr합금이다. 바람직한 실시예에 있어서, 강자성 호스트층(15)은 약 1-25% 범위 내에서 Pd, Ta 또는 Pt 성분을 또한 포함하고, CoCr 합금 결정용 분리 재질로써 활성화하도록 1-20% 범위 내에서 유효 농도를 갖는 B를 또한 포함할 수 있다. 다른 분리 재질에는 CoO 및 SiO2가 포함된다.
Co, Fe, Ni 중 적어도 하나의 성분을 포함하고 1-40 Å 사이에서 유효 두께를 갖는 얇은 강자성 오버레이(17)는 강자성 호스트층(15) 상에 증착된다. 오버레이 재질은 50-1900emu/㎤ 사이에서 Ms값을 가진다. 오버레이 재질은 실질적으로 강자성 호스트층 재질의 값보다 더 큰 값인 Ms를 가진다. 본 발명의 택일적인 실시예에 있어서, 강자성 오버레이는 또한 약 1-75% 범위 내에서 Pt 또는 Pd 성분을 포함한다. 강자성 오버레이는 또한 약 1-35% 범위 내에서 Cr을 포함한다. 또한 강자성 오버레이는 비강자성 분리 재질에 의해 분리되는 강자성 재질의 아일랜드 또는 결정의 분산일 수도 있다. 본 발명의 강자성 오버레이로써 이용되는 바람직한 분리 재질은 B, CoO, SiO2를 포함한다. 이는 기본 층의 표면 산성화를 방지하기 위하여 강자성 오버레이를 증착한 후에 종래의 카본 오버코트층(19)을 증착할 수 있는 잇점이 있다.
도 3은 강자성 캐핑층 또는 오버레이에 의해 강자성 호스트층의 일부 범위를 나타내는 본 발명의 자기 디스크의 상면도이다. 사선이 없는 원(Clear Circle)은 결정(31, 33) 또는 강자성 호스트층의 결정 더미를 표현하고, 사선이 표시된 원은 강자성 호스트 재질의 표면 상에 증착된 강자성 오버레이 재질의 결정(34) 또는 아일랜드를 나타낸다. 사선이 없는 더 큰 원은 열적으로 안정될 충분한 볼륨을 가지는 더 큰 결정(31)을 나타내고, 반면에, 사선이 없는 더 작은 원은 강자성 오버레이 재질의 부재로 인하여 열적으로 불안전한 더 작은 결정(33)을 나타낸다. 강자성 호스트층 결정(31, 33)의 표면 상에 강자성 오버레이 결정(34)을 제공함으로써, 더 작은 결정(33)은 호스트층 결정을 함께 브리지하는 오버레이 결정을 통해 자기적으로 커플링되고, 반면에, 열적으로 안정한 더 큰 결정(31)은 다른 큰 결정에 커플링되지 않는다. 따라서, 작은 결정(33)의 유효 자기 부피가 증가되고, 그에 의해 그 열 안정성이 향상된다.
도 4는 도 3에 도시된 캐핑층과 강자성 호스트층의 일부를 절단하고, 강자성 호스트층(15) 및 캐핑층(17)을 구비하는 자기 기록층의 미세 구조를 나타내는 단면도이다. 강자성 호스트층(15)은 바람직하게는 비강자성 분리 재질(21)에 의해 물리적으로 분할되는 결정(31, 33) 또는 결정의 그룹을 포함한다. 결정의 분리는 강자성 호스트층(15)을 증착하는 동안 성분 또는 성분들의 함유물에 의해 이루어진다. 바람직한 분리 재질은 B이지만, 강하게 커플링되는 않는 SiO2, CoO 및 Ti, Zr, Hf, Ag, Nb, W, Au의 전이 금속을 결정 분리 재질로서 또한 이용한다. 바람직한 실시예에 있어서, 강자성 호스트층(15)은 분리 재질(21)로써 피복하는 약간의 첨가된 B 및 Cr을 갖는 CoPtCrB로 형성된다. 분리 재질은, 바람직하게는 약 1-20%의 범위 내에서 유효 호스트층 농도를 갖는 강자성 호스트층으로 합쳐지는데 이용된다. 분리 재질(21)은 입간 커플링을 줄이기 위하여 절연재(insulator)로써 이용되어 각 결정을 독립적으로 다른 분리 재질로써 활동하도록 한다. 도 4는 캐핑층(17)의 결정(14)은 작은 결정(33)이 인접한 결정과 자기적으로 어떻게 커플링되는지를 나타내고, 그 결과 그 유효 자기 볼륨이 증가한다. 분리를 이끄는 비강자성 재질을 포함하는 바람직한 오버레이용 재질은 CoCr이고, CoCr 타겟(target)으로부터 스퍼터 증착에 의해 호스트층(15) 상에 증착될 수 있다. 강자성 CoCr 오버레이가 도 4에 도시된 불연속성 오버레이(17)와 연속막으로써 형성되기 위하여 충분한 유효 두께를 가지는 그 실시예에 있어서, Co-rich 아일랜드 또는 결정의 영역(34)이 동일하지 않고, 결정(34) 사이에서 Cr이 풍부한 영역(Co-rich Region)에 의해 분할됨을 알 수 있다.
도 4에 있어서, 두개의 자기 비트는 화살표에 의해 표현되는데, 오른쪽으로 향하는 화살표는 한 방향으로 그 결정의 자화 방향을 나타내고, 왼쪽으로 향하는 화살표는 반대 방향으로 그 결정의 지기화 방향을 나타낸다. 본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 강자성 호스트층을 형성하는 재질의 자기 모멘트는 강자성 호스트층 내의 재질의 자기 모멘트와 동일하거나 1.5배 이상이다.
도 5의 테이블은 세개의 자기 구조에 대한 자기 특성을 나타낸다. 제 1 열은 강자성 오버레이가 없는 CoPtCrB 강자성층을 갖는 자기 구조에 대한 자기 데이터를 나타내고, 제 2 열은 3Å의 유효 두께를 가지는 Co 강자성 오버레이 및 CoPtCrB 호스트층을 갖는 구조에 대한 자기 데이터를 나타내며, 제 3 열은 6Å의 유효 두께를 가지는 Co 강자성 오버레이 및 CoPtCrB 강자성 호스트층을 갖는 제 2 구조에 대한 자기 데이터를 나타낸다. 제 2 열 및 제 3 열의 두 샘플은 향상된 포화 보자력 스퀘어렌니스(Coercivity Squareness)(S*)을 나타내고, 3Å 두께의 Co 강자성 오버레이의 샘플은 향상된 SNR을 나타낸다.
도 6은 본 발명에 따른 샘플을 관찰하는 대부분 충분한 향상도, 즉 향상된 열 안정성을 나타낸다. 도 6에 있어서, 제공된 역 필드의 기능으로써의 자화 감쇠율(또한, "점도"라고도 함)은 도 5의 테이블에서 세개의 샘플로 도시되어 있다. 라인 41은 강자성 오버레이 없이 준비된 샘플에 대한 자화 감쇠 곡선이고, 라인 42는 3Å의 유효 두께를 가지는 강자성 오버레이를 갖는 샘플에 대한 자화 감쇠 곡선이며, 라인 43은 6Å의 유효 두께를 가지는 Co 강자성 오버레이를 갖는 샘플에 대한 자화 감쇠 곡선이다. 이러한 역 자화 곡선은 강자성 오버레이 두께를 계속 향상시키기 위한 Co 오버레이를 가진 샘플에 대한 열 안정성에서의 향상도를 명확히 나타낸다.
도 7은 향상된 열 안정성 및 자기 변환 스퀘어렌니스(squareness)를 얻기 위하여 치환 합금 NiFe 강자성 오버레이의 효과를 나타낸다. 도 7은 CoPtCrB 합금 강자성 호스트층을 포함하는 세개의 자기 구조에 대해 제공된 필드에 대비되는 잔류 자화 Mr을 도시하고 있다. 제 1 샘플(라인 51)은 강자성 오버레이를 구비하지 않고, 제 2 샘플(라인 52)는 CoPtCrB 합금 강자성 호스트층 상에 10Å 유효 두께를 가진 NiFe 강자성 오버레이를 가지며, 제 3 샘플(라인 53)은 CoPtCrB 합금 강자성 호스트층 상에 25Å의 유효 두께를 갖는 NiFe 강자성 오버레이를 구비한다. 곡선들은 NiFe 강자성 오버레이의 함유물을 갖는 향상된 포화 보자력 스퀘어니스 S*및 잔류 자화 Mr에서의 향상된 포화 보자력 감소율을 나타낸다. 또한, 연속적인 Hc의 감소 및 S*에서의 증가는 25Å 유효 두께를 가지는 NiFe 강자성 오버레의 두께를 증가시킴으로써 관찰할 수 있다. M-H 곡선의 기울기인 S*는 다음과 같은 식으로 나타낸다:
도 5의 테이블에서 Co 오버레이를 갖는 구조인데 반하여, 도 7의 라인 53으로 데이터가 나타내는 25Å두께의 NiFe 오버레이는 하부의 전체 호스트 강자성층 전체를 덮힌 연속층이다.
도 8은 도 7에 대하여 도시된 샘플에 대한 자화 감쇠율을 나타낸다. 라인 61은 NiFe 강자성 오버레이 없는 샘플과 일치하고, 라인 62는 10Å 유효 두께의 NiFe 강자성 오버레이를 갖는 샘플과 일치하고, 라인 63은 25Å 유효 두께의 NiFe 강자성 오버레이를 갖는 샘플과 일치한다. NiFe 강자성 오버레이를 갖는 샘플들은 강자성 캐핑층없이 샘플 이상의 향상된 열 안정성을 나타낸다.
본 발명은 바람직한 실시예를 상세히 설명하였지만, 당업자라면 본 발명의 사상 및 범위 내에서 다양하게 변경할 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 바람직한 실시예에서 강자성 호스트층이 연속 결정 자기층인 반면에, 캐핑 오버레이는 이산된 자기 비트 영역 또는 이산 트랙(discrete tracks)을 제공하도록 패턴화된 패턴 자기층 상에 또한 증착할 수 있다는 것을 설명할 수 있을 것이다.
Claims (23)
- ① 기판과,② 상기 기판 상의 하부층과,③ 상기 하부층에 형성되며 약 1 내지 30 ㎚ 범위의 두께를 갖는 입자성(granular) 강자성 Co 합금 호스트층과,④ 상기 입자성 강자성 Co 합금 호스트층 상에 형성되어 접촉하며, Co, Fe, Ni로 구성되는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 성분을 포함하고, 약 1 내지 40 Å 범위의 유효 두께를 가지며, 상기 입자성 강자성 Co 합금 호스트층의 자기 모멘트 밀도보다 적어도 1.5배 이상의 자기 모멘트 밀도를 갖는 강자성 오버레이를 포함하는 자기 기록 매체.
- 제 1 항에 있어서,상기 강자성 오버레이가 Pt 및 Pd로 구성되는 그룹으로부터 선택된 성분을 더 포함하는 자기 기록 매체.
- 제 1 항에 있어서,상기 강자성 오버레이가 Cr을 더 포함하는 자기 기록 매체.
- 제 1 항에 있어서,상기 강자성 오버레이가 CoO, SiO2, B로 구성되는 그룹으로부터 선택된 재질을 분리시킴으로써 분리된 강자성 재질의 결정을 포함하는 자기 기록 매체.
- 제 1 항에 있어서,상기 입자성 강자성 Co 합금 호스트층이 Cr을 포함하는 자기 기록 매체.
- 제 5 항에 있어서,상기 입자성 강자성 Co 합금 호스트층이 Pd, Ta, Pt로 구성되는 그룹으로부터 선택된 성분을 더 포함하는 자기 기록 매체.
- 제 5 항에 있어서,상기 입자성 강자성 Co 합금 호스트층이 CoO, SiO2, B, Ti, Zr, Hf, Ag, Nb, W, Au로 구성되는 그룹으로부터 선택된 분리 재질(a segregating material)을 더 포함하는 자기 기록 매체.
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- ① 디스크 기판과,② 상기 디스크 기판 상에 증착된 Cr을 구비하는 하부층과,③ CoxCry를 포함하는 Co 합금을 구비하되, 20<X<85 원자퍼센트, 0<y<30 원자 퍼센트, 40<(x+y)<90 원자 퍼센트이고, 불연속층인 입자성 강자성 호스트층과,④ Cou, Fev및 Niw로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 성분을 구비하되, 원자 퍼센트가 0<u<100 원자 퍼센트, 0<v<100 원자 퍼센트, 0<w<100 원자 퍼센트 및 50<(u+v+w)<100 원자 퍼센트이고, 1.0 내지 40 Å의 유효 두께를 가지며, 상기 호스트층에 접촉되어 있는 강자성 오버레이를 포함하는 자기 기록 디스크.
- 제 10 항에 있어서,상기 디스크 기판이 니켈 포스포러스로 도포된 알루미늄, NiAl로 도포된 유리, 실리콘, 세라믹 수정, MgO, 실리콘-카바이드로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 자기 기록 디스크.
- 제 10 항에 있어서,상기 하부층이 Co, V, Ti, O로 구성되는 그룹으로부터 선택된 성분을 더 구비하는 자기 기록 디스크.
- 제 10 항에 있어서,상기 강자성 호스트층이 약 1 내지 30 ㎚ 두께 범위 내에 있는 자기 기록 디스크.
- 제 10 항에 있어서,상기 강자성 호스트층이 1<z<20 원자 퍼센트의 범위 내에서 Pdz, Taz, Ptz로 구성되는 그룹으로부터 선택된 성분을 더 구비하되, 40<(x+y+z)<100 원자 퍼센트인 자기 기록 디스크.
- 제 10 항에 있어서,상기 강자성 호스트층이 CoO, SiO2, B로 구성되는 그룹으로부터 선택된 분리 재질을 포함하는 자기 기록 디스크.
- 제 10 항에 있어서,상기 입자성 강자성 Co 합금 호스트층이 Ti, Zr, Hf, Ag, Nb, W, Au로 구성되는 그룹으로부터 선택된 성분을 구비하는 전이 금속 분리 재질에 의해 분리된 강자성 입자를 포함하되, 상기 전이 금속 분리 재질의 유효 호스트층 농도가 1 내지 20 원자 퍼센트인 자기 기록 디스크.
- 제 10 항에 있어서,상기 오버레이가 CoO, SiO2,B로 구성되는 그룹으로부터 선택된 분리 재질을 갖는 강자성 결정을 구비하는 입자성 오버레이인 자기 기록 디스크.
- 제 10 항에 있어서,상기 오버레이가 1<t<75 원자 퍼센트의 범위 내에서 Ptt및 Pdt로 구성되는 그룹으로부터 선택된 성분을 구비하되, 75<(t+u+v+w)<100 원자 퍼센트인 자기 기록 디스크.
- 제 17 항에 있어서,상기 강자성 오버레이 결정이 1<s<25 원자 퍼센트의 범위 내에서 Crs를 더 구비하되, 75<(s+u+v+w)<100 원자 퍼센트인 자기 기록 디스크.
- 제 10 항에 있어서,상기 디스크의 포화 보자력이 2와 20 KOe 사이에 있는 자기 기록 디스크.
- 제 10 항에 있어서,상기 하부층이 200 내지 1000 Å 두께인 자기 기록 디스크.
- 제 10 항에 있어서,상기 강자성 오버레이 상에 보호 카본 오버코팅을 더 구비하는 자기 기록 디스크.
- 자기 기록 매체의 생성 방법에 있어서,① 기판을 마련하는 단계와,② 기판 상에 하부층(underlayer)을 증착하는 단계와;③ 상기 하부층 상에 약 1 내지 30 ㎚ 범위의 두께의 입자성 강자성 Co 합금 호스트층을 증착하는 단계와;④ Co, Fe, Ni로 구성되는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 성분을 포함하고, 약 1 내지 40 Å 범위의 유효 두께를 가지며, 상기 입자성 강자성 Co 합금 호스트층의 자기 모멘트 밀도보다 적어도 1.5배 이상의 자기 모멘트 밀도를 갖는 강자성 오버레이를 상기 입자성 강자성 Co 합금 호스트층 상에 증착하는 단계를 포함하는 자기 기록 매체 생성 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US9/324,606 | 1999-06-02 | ||
| US09/324,606 US6440589B1 (en) | 1999-06-02 | 1999-06-02 | Magnetic media with ferromagnetic overlay materials for improved thermal stability |
| US09/324,606 | 1999-06-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010020939A KR20010020939A (ko) | 2001-03-15 |
| KR100377453B1 true KR100377453B1 (ko) | 2003-03-26 |
Family
ID=23264326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0030053A KR100377453B1 (ko) | 1999-06-02 | 2000-06-01 | 열 안정성을 향상하는 강자성 오버레이 재질을 갖는 자기 매체 및 그 생성 방법 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6440589B1 (ko) |
| JP (1) | JP2001023144A (ko) |
| KR (1) | KR100377453B1 (ko) |
| CN (1) | CN1211784C (ko) |
| DE (1) | DE10026050A1 (ko) |
| MY (1) | MY127996A (ko) |
| SG (1) | SG90729A1 (ko) |
| TW (1) | TW514888B (ko) |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100374792B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2003-03-04 | 삼성전자주식회사 | 수직 자기 기록 디스크 |
| JP3993786B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2007-10-17 | 富士通株式会社 | 磁気記録媒体 |
| US7128987B2 (en) * | 2002-06-21 | 2006-10-31 | Seagate Technology Llc | Multilayer magnetic recording media including composite layer with discontinuous magnetic phase and continuous non-magnetic phase |
| WO2004042705A1 (en) * | 2002-11-04 | 2004-05-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Storage system using superparamagnetic particles |
| US7314675B1 (en) * | 2003-01-30 | 2008-01-01 | Seagate Technology Llc | Magnetic media with high Ms magnetic layer |
| US20040166371A1 (en) * | 2003-02-26 | 2004-08-26 | Berger Andreas Klaus Dieter | Magnetic recording media with write-assist layer |
| JP3730627B2 (ja) * | 2003-02-28 | 2006-01-05 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
| WO2005034097A1 (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-14 | Fujitsu Limited | 垂直磁気記録媒体，その製造方法、記録方法及び再生方法 |
| US7158346B2 (en) * | 2003-12-23 | 2007-01-02 | Seagate Technology Llc | Heat assisted magnetic recording film including superparamagnetic nanoparticles dispersed in an antiferromagnetic or ferrimagnetic matrix |
| US20050249981A1 (en) * | 2004-05-10 | 2005-11-10 | Heraeus, Inc. | Grain structure for magnetic recording media |
| US20050277002A1 (en) * | 2004-06-15 | 2005-12-15 | Heraeus, Inc. | Enhanced sputter target alloy compositions |
| US20050274221A1 (en) * | 2004-06-15 | 2005-12-15 | Heraeus, Inc. | Enhanced sputter target alloy compositions |
| JP3796255B2 (ja) * | 2004-07-12 | 2006-07-12 | Ｔｄｋ株式会社 | 磁気記録再生装置 |
| US7136252B2 (en) * | 2004-07-14 | 2006-11-14 | Tdk Corporation | Magnetic recording and reproducing apparatus with recording layer having predetermined convex-concave pattern |
| JP2006031789A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Tdk Corp | 磁気記録再生装置 |
| US20060078457A1 (en) * | 2004-10-12 | 2006-04-13 | Heraeus, Inc. | Low oxygen content alloy compositions |
| US7425377B2 (en) * | 2005-02-04 | 2008-09-16 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Incoherently-reversing magnetic laminate with exchange coupled ferromagnetic layers |
| JP2006331578A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置 |
| US20060286414A1 (en) * | 2005-06-15 | 2006-12-21 | Heraeus, Inc. | Enhanced oxide-containing sputter target alloy compositions |
| US7736766B2 (en) * | 2006-02-24 | 2010-06-15 | Seagate Technology Llc | Magnetic storage media with Ag, Au-containing magnetic layers |
| JP4922648B2 (ja) | 2006-03-31 | 2012-04-25 | 昭和電工株式会社 | 垂直磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記憶装置 |
| US20070253103A1 (en) * | 2006-04-27 | 2007-11-01 | Heraeus, Inc. | Soft magnetic underlayer in magnetic media and soft magnetic alloy based sputter target |
| KR100811704B1 (ko) * | 2006-07-26 | 2008-03-11 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 수직 자기 기록 매체, 기록 방법, 재생 방법 및 자기 기억장치 |
| KR100811705B1 (ko) * | 2006-07-26 | 2008-03-11 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 수직 자기 기록 매체 및 자기 기억 장치 |
| US7704614B2 (en) * | 2006-10-20 | 2010-04-27 | Seagate Technology Llc | Process for fabricating patterned magnetic recording media |
| US20080138662A1 (en) * | 2006-12-07 | 2008-06-12 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording medium with multilayer recording structure including intergranular exchange enhancement layer |
| JP5103097B2 (ja) * | 2007-08-30 | 2012-12-19 | エイチジーエスティーネザーランドビーブイ | 垂直磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録再生装置 |
| US20090080110A1 (en) * | 2007-09-24 | 2009-03-26 | Andreas Berger | Perpendicular recording magnetic media with imbalanced magnetic moment multilayer cap structure |
| US7867406B2 (en) * | 2007-12-26 | 2011-01-11 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Patterned magnetic media having an exchange bridge structure connecting islands |
| US8259410B1 (en) | 2008-05-23 | 2012-09-04 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a magnetic head using a composite magnetic material in the recording transducer |
| JP5616145B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2014-10-29 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 磁気ディスク用基板の製造方法 |
| US9058831B2 (en) | 2011-12-14 | 2015-06-16 | HGST Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording medium with grain boundary controlling layers |
| TWI702294B (zh) * | 2018-07-31 | 2020-08-21 | 日商田中貴金屬工業股份有限公司 | 磁氣記錄媒體用濺鍍靶 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05144105A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6326827A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-04 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| DE3882832T2 (de) * | 1987-06-30 | 1994-02-10 | Sony Corp | Weicheisenmagnet-Dünnfilme. |
| US5432012A (en) * | 1992-06-30 | 1995-07-11 | Hmt Technology Corporation | Thin-film medium with compositional gradient |
| US5658659A (en) * | 1994-01-28 | 1997-08-19 | Komag, Inc. | Magnetic alloy and method for manufacturing same |
| US5763071A (en) * | 1996-03-11 | 1998-06-09 | Seagate Technology, Inc. | High areal density magnetic recording medium with dual magnetic layers |
| US5840394A (en) * | 1997-04-02 | 1998-11-24 | Komag, Incorporated | Method of manufacturing a thin film magnetic recording medium having low MrT value and high coercivity |
| JPH11238221A (ja) * | 1998-02-20 | 1999-08-31 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体及び磁気ディスク装置 |
-
1999
- 1999-06-02 US US09/324,606 patent/US6440589B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-05-24 MY MYPI20002271A patent/MY127996A/en unknown
- 2000-05-25 DE DE10026050A patent/DE10026050A1/de not_active Withdrawn
- 2000-05-29 SG SG200002906A patent/SG90729A1/en unknown
- 2000-05-30 TW TW089110524A patent/TW514888B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-05-30 JP JP2000159518A patent/JP2001023144A/ja active Pending
- 2000-06-01 CN CNB001200992A patent/CN1211784C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-06-01 KR KR10-2000-0030053A patent/KR100377453B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05144105A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001023144A (ja) | 2001-01-26 |
| DE10026050A1 (de) | 2000-12-28 |
| CN1276595A (zh) | 2000-12-13 |
| CN1211784C (zh) | 2005-07-20 |
| KR20010020939A (ko) | 2001-03-15 |
| US6440589B1 (en) | 2002-08-27 |
| DE10026050A8 (de) | 2004-09-02 |
| MY127996A (en) | 2007-01-31 |
| SG90729A1 (en) | 2002-08-20 |
| TW514888B (en) | 2002-12-21 |
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Legal Events
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