JP2004273100A - 反強磁性的に結合したＣｏＣｒＦｅ合金第１強磁性体薄膜を用いた磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】媒体雑音を減らしたＡＦＣ媒体が求められている。
【解決手段】データ記憶のための磁気記録媒体１０‘には、非強磁性スペーサ薄膜２６を通して反強磁性的に交換結合した少なくとも二つの強磁性薄膜２２，２４’を持つ磁気記録層２０‘を用いる。反強磁性的に結合した（ＡＦＣ）記録層２０‘においては、二つの強磁性薄膜２２，２４’の磁化モーメント３２，３４はアンチパラレルに配向され、そしてＡＦＣ記録層２０‘の実残留磁束密度−厚さの積（Ｍｒｔ）は二つの強磁性薄膜のＭｒｔ値の差である。このＭｒｔ値の削減は記録媒体の安定性を下げることなく達成される。ＡＦＣ記録層の下部の強磁性薄膜２４’は強磁性ＣｏＣｒＦｅ合金であって、それとＣｒ合金下地層１３との間にニュークリエーション層を必要としない。ＡＦＣ記録層における下部の強磁性薄膜としてＣｏＣｒＦｅ合金を持つ媒体は、固有の媒体雑音が減少する。
【選択図】図２

Description

本発明は、一般には磁気記録媒体に係わり、より詳細には反強磁性的に結合（ＡＦＣ）した磁気記録層を持つ磁気記録ディスクに関する。

この出願は、2000年8月4日に米国出願された出願番号09/631,908、「反強磁性的に結合した核形成層として硼素を含まない第１強磁性体薄膜を用いた磁気記録媒体」に関連しており、ここではこれを参照している。

ハード・ディスク・ドライブの磁気記録ディスクなど、従来の磁気記録媒体には一般に記録媒体として、スパッタ成膜によるコバルト・プラチナ合金（ＣｏＰｔ）などによる粒状の強磁性層が用いられてきた。磁気層の各磁化ドメインは多くの小さい磁化粒で構成されている。磁化されたドメイン間の遷移は記録されたデータの「ビット」を表している。ＩＢＭの米国特許第４７８９５９８（特許文献１）と５５２３１７３（特許文献２）はこの形式の従来の硬質ディスクを説明している。

磁気記録ディスクの記録密度が増加するに従い、残留磁束密度Ｍｒ（Ｍｒは強磁性体の単位体積当たりの磁気モーメントを単位とする）と磁性体層の厚さｔとの積が減少してきた。同様に、磁性体層の保持磁界あるいは保磁力（Ｈｃ）が増加してきた。これがＭｒｔ／Ｈｃ比の減少へとつながった。この減少の理由は、パラメータＭｒｔ／Ｈｃが、高密度で磁化ビットを分解する読み出しヘッドの能力に関係していることにある。Ｍｒｔ／Ｈｃを減らすと、この能力が増加する。Ｍｒｔを減らすためには、磁性体層の厚さｔを薄くすることも可能であるが、層の中に記憶されている情報も劣化する可能性があるので限度がある。磁化の劣化は、小さな磁化粒の熱活性化（超常磁性効果）に起因している。磁化粒の熱的な安定性は主としてＫ_ｕＶにより決まる。ここでＫ_ｕは層の磁気異方性定数であり、Ｖは磁化粒の体積である。層の厚さが薄くなると、Ｖも減少する。もし、層の厚さが薄くなりすぎると、通常のディスク・ドライブの動作環境では記憶された磁化情報はもはや安定ではなくなる。

この問題の解決への一つのアプローチは、より高度の異方性を持つ材料（より高いＫ_ｕ）へ移行することである。しかしながら、Ｋ_ｕを増やすことは、およそＫ_ｕ／Ｍ_ｓ（Ｍ_ｓは飽和磁化）と等しい保磁力Ｈｃが大きくなりすぎ、従来の記録ヘッドで書き込むことが困難になることから制約される。同様のアプローチは、ＭｒがＭ_ｓに関係しているので、Ｍｒを下げるために一定の厚さの層の磁性体層のＭ_ｓを下げることであるが、これも書き込み可能な保磁力で制約される。他の解決方法は、粒間の交換を増やし、磁化粒の有効体積を増加させることである。しかしながら、このアプローチは磁性体層の固有の信号対雑音比（ＳＮＲ）を劣化させることが分かった。

特許文献３（米国特許６２８０８１３）では、磁気記録媒体について説明しているが、その磁気記録層は非強磁性体のスペーサ薄膜を通して、少なくとも２枚の強磁性体の薄膜を相互に反強磁性的に結合させたものである。ＡＦＣ媒体と呼ばれるこの形式の磁気媒体においては、二つの反強磁性的に結合した薄膜の磁化モーメントは、アンチパラレルであり、結果として記憶層の実残留磁化−厚さ積（Ｍｒｔ）は、二つの強磁性薄膜におけるＭｒｔ値の差になる。このＭｒｔの削減は、体積Ｖを減らすことなく達成される。したがって、記録媒体の熱的な安定性は損なわれない。強磁性体の薄膜の一方は、他方より厚くするが、印加磁界がゼロの時にネット・モーメントは低いがゼロにはならないように厚さを選択する。ＡＦＣ媒体の１つの実施例では、双方の強磁性薄膜は、スパッタ成膜したＣｏＰｔＣｒＢ合金薄膜であって、二つのＣｏＰｔＣｒＢ薄膜間の反強磁性的結合を最大にする厚さのＲｕスペーサ薄膜で分離されている。

米国特許第４７８９５９８号明細書

米国特許第５５２３１７３号明細書 米国特許第６２８０８１３号明細書

ＡＦＣ媒体の強磁性薄膜の組成に硼素を含むＣｏＰｔＣｒＢのような合金を用いることにより、薄膜面内にこれらの薄膜のＣ軸が存在するようにＣｏＰｔＣｒＢの成長を促進する特殊なオンセットあるいは核形成層（ニュークリエーション層）を用いることが必要になる。ニュークリエーション層は、一般的に非強磁性のＣｏＣｒ合金であるが、製造ラインで追加のスパッタ装置が必要になる。前に引用した審査中の特許出願において、ＡＦＣ媒体の下部の強磁性薄膜は、硼素を含まない強磁性ＣｏＣｒ合金であって、それとＣｒあるいはＣｒ合金の下地層との間にニュークリエーション層を必要としない。この強磁性ＣｏＣｒ合金は十分な飽和磁束密度（Ｍｓ）と粒状組織を持ち、ＡＦＣ記録層に優れた磁気記録性能を発揮させると同時に、ニュークリエーション層として作用しながらスペーサ層を通して上部のＣｏＰｔＣｒＢ強磁性薄膜のC軸が面内方向に成長するように誘導する。

磁気記録媒体における継続的な問題点は、ディスク・ドライブの全般的な信号対雑音比に大きく寄与する固有媒体雑音である。媒体雑音を減らしたＡＦＣ媒体が求められている。

本発明は、非強磁性のスペーサ薄膜を介して反強磁性的に相互に結合している少なくとも二つの強磁性薄膜を有するＡＦＣ磁気記録媒体に関するものである。この反強磁性的に結合した（ＡＦＣ）記録層においては、２つの強磁性薄膜の磁気モーメントはアンチパラレルに配向されており、ＡＦＣ記録層の実残留磁気−厚さの積（Ｍｒｔ）は、二つの強磁性薄膜のＭｒｔ値の差である。このＭｒｔ値の削減は記録媒体の熱安定性を下げることなく達成されている。ＡＦＣ記録層の下部の強磁性薄膜は強磁性ＣｏＣｒＦｅ合金で、それとＣｒ合金下地層との間にニュークリエーション層を必要としない。第１のすなわち下部の強磁性薄膜であるＣｏＣｒＦｅ合金のＡＦＣ媒体の固有媒体雑音は低減されている。

本発明の本質と利点をさらによく理解するためには、付図と共に以下の詳細説明を参照すべきである。

本発明によれば、媒体雑音を減らしたＡＦＣ媒体を提供することができる。

《ＡＦＣ媒体ディスクの全体構造》
本発明の磁気記録ディスクは、１枚ないしはそれ以上の非強磁性スペーサ薄膜により隣接する強磁性薄膜に反強磁性的（ＡＦ）に結合する２枚ないしはそれ以上の強磁性薄膜で出来ている磁気記録層を持つ形式である。図１は、反強磁性的に結合した（ＡＦＣ）磁気層２０を有するディスク１０の断面構成を示す。

基板（サブストレート）１１は、ＮｉＰの表面メッキをつけた、ガラス、ＳｉＣ／Ｓｉ、セラミック、石英やＡｌＭｇ合金ベースなどの任意の適当な材料である。シード層１２はオプションの層で、下地層１３の成長を高めるために用いられることがある。シード層１２は、もっとも一般的には、サブストレート１１がガラスのように非金属の場合に用いられる。シード層１２は厚さがおよそ１から５０ｎｍの範囲のＴａ、ＣｒＴｉ、ＮｉＡｌあるいはＲｕＡｌのような材料の一つであって、これらは好ましい結晶配向に次の層の成長を促進するためのシード材料として有用である。プリシード層（図示せず）が、ガラスのサブストレート１１とシード層１２の間に用いられる場合もある。下地層１３は、もしあれば、シード層１２の上に、そうでなければサブストレート１１の上に直接成膜され、ＣｒＶあるいはＣｒＴｉなどのクロムあるいはクロム合金の非磁性材料である。下地層１３は通常は約１０ｎｍであるが、５から１００ｎｍの範囲の厚さである。

ＡＦＣ磁性体層２０は非強磁性スペーサ薄膜２６により分離された２枚の強磁性薄膜２２と２４で出来ている。非強磁性スペーサ薄膜２６の厚さと組成は、隣接する薄膜２２と２４の磁化モーメント３２と３４が、それぞれ非強磁性スペーサ薄膜２６を通してＡＦ結合され、ゼロ印加磁場においてアンチパラレルになるように選ばれる。層２０の２つのＡＦ結合した薄膜２２と２４は、上側の薄膜２２がより大きい磁化モーメントを持ちながら、アンチパラレルに配向された磁化モーメントを持つ。強磁性薄膜２２と２４は、４から２０の原子パーセント（ａｔ．％）のプラチナと、１０から２３ａｔ．％のクロムと、２から２０ａｔ．％の硼素を含むＣｏＰｔＣｒＢ合金で出来ている。非強磁性スペーサ薄膜２６はルテニューム（Ｒｕ）で出来ている。

ＡＦＣ磁性体層２０の第１強磁性薄膜２４は硼素を含むＣｏＰｔＣｒＢ合金で出来ているので、下地層１３の上に非常に薄い（通常は１から５ｎｍ）コバルト合金のオンセットあるいは核形成層（ニュークリエーション層）１４が成膜される。ニュークリエーション層１４は、そのＣ軸が薄膜の面内方向に配向されるように薄膜２４の六方晶系最密充填（ＨＣＰ）ＣｏＰｔＣｒＢ合金の成長を向上するように選択された組成を持つ。第１ＣｏＰｔＣｒＢ薄膜２４の適正な結晶構造により、今度は、Ｒｕスペーサ薄膜２６を通し、そのＣ軸を面内方向に配向するように、第２ＣｏＰｔＣｒＢ薄膜２２の成長を促進させる。

もしＣｏＰｔＣｒＢ薄膜２４をニュークリエーション層なしにＣｒ合金の下地層１３上に直接成長させた場合は、そのC軸は薄膜の面内方向には成長せず、結果として低い記録性能となる。高性能の媒体に必要である記録層の微粒化を達成するためには、硼素の存在が重要であることはよく知られている。したがって、ニュークリエーション層１４により、記録層として硼素を含む合金を使用することが出来る。ニュークリエーション層１４は、通常はＣｒ>=３１ａｔ．％のＣｏＣｒ合金のような、非強磁性Ｃｏ合金である。このＣｏＣｒ組成は非強磁性あるいは僅かに強磁性の相を発生させる。

図１の層２０の構造のような非強磁性遷移金属スペーサ薄膜を経由する強磁性薄膜のＡＦ結合は、広く研究され、論文にも書かれている。一般には、スペーサ薄膜の厚さを増やしていくと、交換カップリングは強磁性から非強磁性へと変動する。特定の材料の組み合わせに関わるこの変動する結合関係は、パーキン等の「金属超格子構造：Ｃｏ／Ｒｕ、Ｃｏ／ＣｒとＦｅＣｒにおける交換結合と磁気抵抗の変動」Phys. Rev. Lett., Vol.64, p.2034(1990)に述べられている。材料の組み合わせには、Ｃｏ、Ｆｅ、ＮｉとこれらのＮｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−ＣｏやＦｅ−Ｃｏなどの合金の強磁性薄膜と、Ｒｕ、クロム（Ｃｒ）、ロジューム（Ｒｈ）、イリジューム（Ｉｒ）、銅（Ｃｕ）やこれらの合金の非強磁性スペーサ薄膜が含まれる。このような材料の各組み合わせについて、もし知られていないならば、変動交換結合関係を決定し、二つの強磁性薄膜間の反強磁性結合を確かなものにするために、非強磁性スペーサ薄膜の厚さを選択しなければならない。変動の期間は非強磁性スペーサ材料によって決まるが、しかし変動結合の強度と位相はまた、強磁性材料と界面の質に依存する。

層２０のこのＡＦＣ構造について、隣接する薄膜２２と２４の磁化モーメント３２と３４の配向はそれぞれアンチパラレルに配列され、そして破壊的に付加される。矢印３２と３４は、ＡＦ結合薄膜２６を通して直接上下になっている個々の磁化ドメインのモーメント配向を示している。

図１は二つの薄膜構造と単一スペーサ薄膜を持つＡＦＣ磁気層２０について示しているが、一方ＡＦＣディスクは強磁性薄膜の間にＡＦ結合スペーサ薄膜を持つ追加の強磁性薄膜を持つこともある。
《ＣｏＣｒＦｅ下部強磁性薄膜を有するＡＦＣディスクの構造》
ガラスのサブストレートとＣｏＰｔＣｒＢの単層磁気層を有する高性能な商業的に入手可能なディスクは、６層まで必要となる。これらの層は、ガラス・サブストレート上のプリシード層（図１には表示せず）と、シード層と、下地層と、非強磁性（または僅かに強磁性）のＣｏＣｒニュークリエーション層と、ＣｏＰｔＣｒＢ磁気層と、保護膜である。サーキュラスＭ１２のような一般的な製造用スパッタリング設備は、２台の加熱装置と１台の冷却装置を用いるとして、現状では実際のスパッタに利用可能なのは７台の装置である。ＡＦＣ磁気層は、１個の磁気層を３個の層で置き換えるので、１枚のＡＦＣディスクを作成するのに必要なスパッタリング・カソードの数は８個である。この数は、上記で説明した構成のサーキュラスＭ１２上で現在利用可能な数よりも大きい。他の形式の製造用スパッタ設備もおそらく限られた数のスパッタリング・カソードしか持たないので、ＡＦＣ媒体の実用が困難になる。

ある種の材料が、ＡＦＣ層で下部強磁性薄膜としての働きをし、またＲｕスペーサ層を通して第２ＣｏＰｔＣｒＢ薄膜の面内でのＣ軸成長を促進する二つの目的の役に立つことが出来る。これにより、ニュークリエーション層とＡＦＣ層の下側の強磁性薄膜を組み合わせて１つの層にすることが可能になり、したがって１台のスパッタリング・カソードだけが必要となる。これにより、ＡＦＣディスク構成のスパッタ層の総数が減り、それにより見込まれる製造上の問題点が解決される。前に引用した審査中の特許出願が、４２５ｅｍｕ／ｃｃの飽和磁束密度（Ｍｓ）を持つ強磁性Ｃｏ_７８Ｃｒ_２２が、ＡＦＣ構成においてオンセットあるいはニュークリエーション層、そして下層薄膜として有効であることを示した。

本発明においては、ＣｏＣｒＦｅ合金は、ＡＦＣ記録においてオンセットあるいはニュークリエーション層、そして下部薄膜の双方に有効であり、ＡＦＣ媒体の信号対雑音比を大幅に向上させる。ＦｅをＣｏ合金に添加することは、粒間交換結合を加えることになることが知られており、通常は記録特性に害があると見なされていたので、これは驚くべき結果である。前に引用した‘８１３特許で説明されているように、粒間交換結合は媒体雑音を増やすことが知られているので、媒体雑音を減らすためには孤立磁化粒を持つ、すなわち粒間交換結合の無い粒状強磁性材料を用いるのが有利である。このように、ＡＦＣ媒体において、ＣｏＣｒＦｅの下部薄膜が媒体雑音を減らすことは予想外であった。

図２は本発明におけるＡＦＣディスク１０’の好適な構造例を示す。この実施例における各種の層の厚さと組成を下記に示す。
プリシード層：Ｃｒ_５０Ｔｉ_５０（２０〜５０ｎｍ）
シード層１２：Ｒｕ_５０Ａｌ_５０（８〜２０ｎｍ）
下地層１３：Ｃｒ_８０Ｔｉ_２０（６〜２０ｎｍ）
下地層１３の直接上の下部ＡＦＣ薄膜２４’：
Ｃｏ_{（１００−ｘ−ｙ）}Ｃｒ_ｘＦｅ_ｙ、但し２<ｘ<２５、２<ｙ<３０
スペーサ層２６：ＲｕあるいはＣｒ（０．４〜１．０ｎｍ）
表面のＡＦＣ薄膜２２：Ｃｏ_{（１００−ｘ−ｙ−ｚ）}Ｐｔ_ｙＣｒ_ｘＢ_ｚ、但し６<ｙ<２５、１０<ｘ<２５、６<ｚ<１５
本実施例においては、特別なニュークリエーション層なしに底部ＡＦＣ薄膜として機能するＣｏＣｒＦｅ合金は、およそ２から３０at.％のＦｅ成分と、およそ２から２５at.％のＣｒ成分を持つ。Ｆｅ濃度は底部ＡＦＣ薄膜に必要な厚さとＭｒｔにより主として決定される。ＣｒとＦｅのａｔ．％により、所定の厚さについてのＣｏＣｒＦｅ薄膜のＭｒｔが決まる。Ｆｅの上限は、ＣｏＣｒＦｅ合金のＨＣＰ構造が失われる辺りの量であって、したがって上部ＣｏＰｔＣｒＢ薄膜の面内Ｃ軸成長との兼ね合いで決定される。Ｃｒ上限は約２５ａｔ．％であり、ＣｏＣｒＦｅ合金が非強磁性になる辺りの量である。ＣｏＣｒＦｅ薄膜の要求される厚さは最適の薄膜成長と記録性能により決まり、通常はおよそ０．５と３．５ｎｍの間である。

図３は、数枚のディスクについて、孤立波パルスと異なった記録密度（１０００磁束変化／インチまたはｋｆｃｉ）での実測雑音との実測比（Ｓ_０ＮＲ）を示す。これらの媒体は、下地層と表面のＡＦＣ薄膜の双方とも同じ厚さと同じ合金で、同じ成長条件下にて成長したものである。表面ＡＦＣ薄膜はＭｒｔ＝０．３９ｅｍｕ／ｃｍ^２を持つ。複合Ｍｒｔは凡例に明細があり、表面ＡＦＣ薄膜のＭｒｔから下層ＡＦＣ薄膜のＭｒｔを差し引くことで得られる。図３は、下部薄膜としてＣｏＣｒＦｅ合金を用いたＡＦＣ媒体は、前述で引用した審査中の特許出願で説明された下部薄膜としてＣｏＣｒ合金を用いたＡＦＣ媒体よりかなり高いＳ_０ＮＲを持つことを示す。図３はまた、幾つかのＭｒｔ値を持つＣｏＣｒ下部薄膜によるＡＦＣ媒体に比較しても、ＣｏＣｒＦｅ下部薄膜によるＡＦＣ媒体では、改良されたＳ_０ＮＲが得られることを示す。

本発明について、好適な実施例を参照しながら個々に示し、あるいは説明してきたが、この分野に熟練した人にとって、本発明の精神や趣旨や教示から外れることなく、形態や細部について各種の変更を行ない得ることは明白である。したがって、開示された本発明は、説明の目的のためであって、特許請求の範囲で規定された範囲によってのみ規定されるものである。

前に引用した審査中の特許出願で従来技術として説明したＡＦＣ磁気記録ディスクの概略断面図である。 本発明によるＡＦＣ磁気記録ディスクの概略断面図である。 ＣｏＣｒＦｅの下部ＡＦＣ薄膜を持つ幾つかのディスクに関する、異なった記録密度（１０００磁束変化／１インチまたは、ｋｆｃｉ）で記録された磁化遷移についての孤立信号パルス波形と実測された雑音（Ｓ_０ＮＲ）との実測比率のグラフである。

符号の説明

１０‘…磁気記録ディスク、１１…サブストレート、１２…シード層、１３…下地層、
２０‘…磁気記録層（ＡＦＣ記録層）、２２…上部強磁性薄膜、２４’…下部強磁性薄膜、
２６…非強磁性スペーサ薄膜（ＡＦ結合薄膜）、３２，３４…磁化モーメント。

Claims (17)

1. サブストレートと、
   前記サブストレート上にありＣｒとＣｒの合金から成るグループから選択された非強磁性の下地層と、
   前記下地層の上に直接かつ接触して形成されており、本質的にコバルト（Ｃｏ）とクロム（Ｃｒ）と鉄（Ｆｅ）から成る合金である第１の強磁性薄膜と、
   前記第１の強磁性薄膜上の非強磁性スペーサ薄膜と、
   前記スペーサ薄膜上にあり、ＣｏとＢを含む合金であり、前記スペーサ薄膜を通して前記第１の強磁性薄膜と反強磁性的に交換結合している第２の強磁性薄膜と、を有することを特徴とする磁気記録ディスク。
2. 前記下地層は、Ｃｒとチタン（Ｔｉ）のみの合金であることを特徴とする請求項１記載のディスク。
3. さらに、前記サブストレートと前記下地層の間にシード層を有し、前記下地層が直接前記シード層上に接触して形成されていることを特徴とする請求項１記載のディスク。
4. 前記シード層は、ルテニューム（Ｒｕ）とアルミニューム（Ａｌ）のみの合金であることを特徴とする請求項３記載のディスク。
5. 前記シード層は、ニッケル（Ｎｉ）とアルミニューム（Ａｌ）のみの合金であることを特徴とする請求項３記載のディスク。
6. 前記スペーサ薄膜は、本質的にルテニューム（Ｒｕ）から成ることを特徴とする請求項１記載のディスク。
7. 前記第２の強磁性薄膜は、さらにＣｒとＰｔを含む合金であることを特徴とする請求項１記載のディスク。
8. 前記サブストレートはガラスであることを特徴とする請求項１記載のディスク。
9. さらに、前記第２の強磁性薄膜上に形成された保護膜を有することを特徴とする請求項１記載のディスク。
10. 前記第１の強磁性薄膜はＣｏとＣｒとＦｅのみの合金であることを特徴とする請求項１記載のディスク。
11. 前記第１の強磁性薄膜は、Ｃｏ_{（１００−ｘ−ｙ）}Ｃｒ_ｘＦｅ_ｙ、但しｘは２と２５の間で、ｙは２と３０の間である、の組成を持つことを特徴とする請求項１記載のディスク。
12. 前記第１の強磁性薄膜は、およそ０．５と３．５ｎｍの間の厚さを持つことを特徴とする請求項１記載のディスク。
13. 前記第１の強磁性薄膜はｔ１の厚さとＭ１の磁化を持ち、前記第２の強磁性薄膜はｔ２の厚さとＭ２の磁化を持ち、前記第１と第２の強磁性薄膜の単位面積当たりの磁化モーメント（Ｍ１×ｔ１）と（Ｍ２×ｔ２）は、それぞれ互いに異なっていることを特徴とする請求項１記載のディスク。
14. ガラスのサブストレートと、
    前記サブストレート上にあり、ＣｒとＣｒＶ合金とＣｒＴｉ合金から成るグループから選択された下地層と、
    およそ２と２５原子パーセントの間であるＣｒとおよそ２と３０原子パーセントの間であるＦｅとＣｏのみの合金であり前記下地層の上に直接かつ接触する第１の強磁性薄膜と、前記第１の強磁性薄膜上にありＲｕとＣｒとＲｈとＩｒとＣｕとこれらの合金から成るグループから選択された材料による非強磁性スペーサ薄膜と、前記スペーサ薄膜上にありＣｏとＢを含む合金の第２の強磁性薄膜とを有し、前記スペーサ薄膜は前記第２の強磁性薄膜が当該スペーサ薄膜を通して前記第１の強磁性薄膜に反強磁性的に交換結合されるように誘導するために十分な厚さを持つ、前記下地層上にある磁気記録層と、
    前記磁気記録層上に形成された保護膜と、を有することを特徴とする磁気記録ディスク。
15. さらに、前記サブストレートと前記下地層の間にシード層を有し、前記下地層はＣｒとＴｉのみの合金であり前記シード層上に直接かつ接触して形成されていることを特徴とする請求項１４記載のディスク。
16. 前記シード層は、ＲｕＡｌ合金とＮｉＡｌ合金から成るグループから選択されることを特徴とする請求項１５記載のディスク。
17. 前記スペーサ薄膜は、Ｒｕであることを特徴とする請求項１６記載のディスク。
    

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