JP2000268340A

JP2000268340A - 磁気記録媒体及びその製造方法

Info

Publication number: JP2000268340A
Application number: JP11066657A
Authority: JP
Inventors: Kazumasa Shimoda; 一正下田
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1999-03-12
Filing date: 1999-03-12
Publication date: 2000-09-29

Abstract

(57)【要約】【課題】特にＨＤＤにおける使用に有用な、極めて高
保磁力であり、高記録密度が可能な磁気記録媒体を提供
すること。【解決手段】非磁性の基板と、その基板の上に順次、
それぞれスパッタリングによって形成された、Ｎｉ系非
磁性材料からなる下地層及びＣｏ系磁性合金からなる磁
性層とを有する磁気記録媒体において、前記磁性層が磁
性合金粒子から構成されかつ、それらの磁性粒子の粒界
に、磁性粒子間の磁気的相互作用を低減せしめる作用を
有する非磁性金属元素が拡散せしめられているように構
成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体に関
し、さらに詳しく述べると、コンピュータのハードディ
スクドライブ（以下、「ＨＤＤ」ともいう）に有利に使
用することのできる磁気記録媒体に関する。本発明は、
また、このような磁気記録媒体の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＨＤＤにおける近年の著しい容量の増大
に伴い、それに用いられる磁気記録媒体でも、記録密度
の向上、すなわち、高記録密度化の要求が高まってい
る。従来の磁気記録媒体は、周知のように、非磁性の基
板と、その基板の上に形成した磁性材料の薄膜（磁性
層）とから構成され、さらに、磁性層の性能がその下地
の材料によって悪影響を受けるのを回避するため、通
常、非磁性の基板と磁性層との間に下地層を設けるのが
一般的である。さらに具体的に説明すると、非磁性の基
板の上に、Ｃｒ、Ｎｉ又はそれらを主成分とする合金の
下地層を形成し、この下地層の上にさらにＣｏを主成分
とするＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ等の合金からなる磁
性層を形成した磁気記録媒体が、高記録密度可能なもの
として現在用いられている。また、このような記録密度
の向上に伴い、記録保持のために保磁力を高めることが
求められている。

【０００３】磁気記録媒体において、その磁性層の保磁
力を高めるためには、その磁性層の膜組織を改良するこ
とが必要であり、具体的には、磁性層を構成する隣り合
う磁性粒子どうしを分離させる必要がある。この要求を
満足させるため、１つの一般的な方法では、ＣｏＣｒ系
合金を磁性層に用い、かつその磁性層の成膜時に基板加
熱を行うことが行われている。この方法によると、磁性
粒界に非磁性Ｃｒを偏析させることで、磁性粒子間を磁
気的に分離することができる。例えば、特開平６−９６
４３１号公報には、図１にその典型的な層構成を示すよ
うに、ガラス、セラミック、カーボン等の非磁性基板５
１の上に、順次、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｄ等の金属層５２、Ｃ
ｒ下地層５３、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒ
Ｐｔ等のＣｏ系合金の磁性層５４、カーボン（Ｃ）等の
保護膜５５及び潤滑剤層５６を積層した磁気記録媒体５
０が開示されている。また、この磁気記録媒体の製造で
は、その実施例にも記載されているように、磁性層の特
性の向上のために例えば３００℃の温度で１０分間にわ
たって基板を加熱することを必要とする。この磁気記録
媒体では、基板からの酸素などがＣｒ下地層へ到達する
のを防ぐとともに、Ｃｒの（１１０）面が基板面に平行
となるようにＣｕ等の金属層を挿入して、高保磁力を得
るのに望ましい結晶成長を実現している。しかし、基板
の加熱は、それを行うことで、基板および成膜チャンバ
ーに存在する吸着ガスが放出され、チャンバー内の真空
度が低下するという不都合や、このガスは湿度やチャン
バーの付着膜の状態により放出量やガス種が変わるた
め、形成した磁性層の特性の不安定要因となるという不
都合が引き起こされるので、より安定した特性を得るた
めにはない方が望ましい。

【０００４】もう１つの一般的な方法としては、磁性層
を高アルゴン（Ａｒ）ガスの圧力下でスパッタリング
（以下、「スパッタ法」ともいう）により成膜する方法
がある。この方法によって形成された磁性層はボイド
（空隙）の多い膜組織となり、隣り合う磁性粒子どうし
が空間的に、そして磁気的に分離される。この方法を用
いて製造した磁気記録媒体の場合、初期の段階では、磁
性層の下に形成する下地層をＣｒから形成するのが一般
的であったが、最近では、磁気特性等の向上のため、例
えば特開平８−１７１７１６号公報に記載されるように
ＮｉＰ合金を使用する例が多くなってきている。特開平
８−１７１７１６号公報には、図２にその典型的な層構
成を示すように、アルミニウム、ガラス、シリコン、カ
ーボン等の非磁性基板６１の上に、ＮｉＰのメッキ層６
２、ＮｉＰとドープ剤とを含む核生成層６３、ＣｏＰｔ
系合金と結合強度が９０Ｋｃａｌ／モルより大きな特定
の分離剤化合物（Ａｓ、Ｂ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｃｒ等の酸化
物又は窒化物）とを含む磁性層６４、カーボン（Ｃ）等
の保護膜６５及び潤滑剤層６６を積層した磁気記録媒体
６０が開示されている。この磁気記録媒体では、図３に
模式的に示すように、磁性層を構成する磁性粒子７０が
ほぼ均一なサイズであり、かつ分離剤化合物７１によっ
て均一に分離されているので、最適な記録特性が得られ
るという効果がある。また、磁性層を成膜するためのス
パッタ法は、例えば、H₂O の分圧が５．０×１０^-5Ｔｏ
ｒｒ未満でかつＡｒガス圧力が２０×１０^-3Ｔｏｒｒ未
満である真空蒸着システムを使用して実施することがで
きる。しかし、このような高Ａｒガス圧下のスパッタ法
を使用して得られる磁気記録媒体は、一般に高々１．６
〜１．８ｋＯｅあるいはその近傍の保磁力を示すに過ぎ
ず、媒体に対する最近の要求に応えるためには、保磁力
を少なくとも２．０ｋＯｅ以上まで高めることが望まし
い。また、本発明者らの実験から、特開平８−１７１７
１６号公報に記載のようにガラス基板等の上にＮｉとＰ
の化合物（Ｎｉ₃Ｐ）を直接形成すると、磁性層の基板
への密着性が良くないことも判明している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
したような従来の技術の問題点を解消して、特にＨＤＤ
に有利に使用することのできる、極めて高保磁力であ
り、かつしたがって高記録密度が可能な磁気記録媒体を
提供することにある。また、本発明のもう１つの目的
は、このような磁気記録媒体の有利な製造方法を提供す
ることにある。

【０００６】本発明の上記した目的及びその他の目的
は、以下の詳細な説明から容易に理解することができる
であろう。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、その１つの面
において、非磁性の基板と、その基板の上に順次、それ
ぞれスパッタリングによって形成された、Ｎｉ系非磁性
材料からなる下地層及びＣｏ系磁性合金からなる磁性層
とを有する磁気記録媒体において、前記磁性層が磁性合
金粒子から構成されかつ、それらの磁性粒子の粒界に、
磁性粒子間の磁気的相互作用を低減せしめる作用を有す
る非磁性金属元素が拡散せしめられていることを特徴と
する磁気記録媒体を提供する。

【０００８】また、本発明は、そのもう１つの面におい
て、非磁性の基板と、その基板の上に順次、それぞれス
パッタリングによって形成された、Ｎｉ系非磁性材料か
らなる下地層及びＣｏ系磁性合金からなる磁性層とを有
しかつ、その際、前記磁性層が磁性合金粒子から構成さ
れかつ、それらの磁性粒子の粒界に、磁性粒子間の磁気
的相互作用を低減せしめる作用を有する非磁性金属元素
が拡散せしめられている磁気記録媒体を製造するに当た
って、前記磁性層あるいは前記磁性層に隣接して配置さ
れた金属拡散層に前記非磁性金属元素に対応する非磁性
金属を含ませ、前記磁性層及び、もしも存在するなら
ば、前記金属拡散層の形成後にアニーリングを行うこと
により前記非磁性金属元素を前記磁性粒子の粒界に拡散
せしめることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法を提
供する。

【０００９】本発明は、以下の詳細な説明から明らかに
なるであろうけれども、理解を容易にするため、磁気記
録媒体の磁性層近傍の層構成を示す図４を参照してその
作用効果を説明する。図４は、本発明による磁気記録媒
体の好ましい一例を示す図５の一部層を拡大して示した
ものであり、ＮｉＰからなる下地層３の上にＣｏＣｒＰ
ｔ（ＳｉＯ₂）からなる磁性層４が形成されている。磁
性層４は、図示されるように、多数個の磁性粒子（一般
に、「磁性粒」ともいう）が粒子間に僅かな空隙をあけ
た状態で密に配置されている。そして、磁性層４の上に
は、それに直に接触して非磁性金属（ここではＣｒの単
独を使用）からなる金属拡散層５が形成されている。こ
のような層構成において、金属拡散層５の形成後にアニ
ール（ここでは、「ポストアニール」ともいう）を行う
と、磁性層４の粒界に、図示のように、金属拡散層５か
らＣｒが拡散（いわゆる、粒界拡散）し、Ｃｒの偏析が
発生する。ここで金属拡散層に使用する非磁性金属は、
容易に拡散可能であることの必要性から、例えばＣｒ、
Ｍｏ、Ｃなどのような単一元素物質であることが好まし
い。また、金属拡散層は、磁性層の直下にあっても、さ
もなければ、もしも磁性層が多層構造を有しているのな
らば、それらの中間にあっても、保磁力の向上という所
期の効果を奏することができる。さらに、場合によって
は、金属拡散層が存在しなくても、その層を構成する非
磁性金属が磁性層そのもののなかに含まれているなら
ば、同様な効果を得ることができる。成膜後のアニーリ
ングは、その温度が高すぎると、非磁性金属の磁性層へ
の拡散が過度に生じ、磁性層が非磁性化してしまうた
め、６００℃未満のアニール温度で実施することが好ま
しい。磁気記録媒体の磁性層近傍を上記のように構成
し、引き続いて特定の温度条件下でポストアニールを行
うと、従来のように高Ａｒガス圧力下で磁性層をスパッ
タ形成したままの場合に比較して、磁性粒間の磁気的相
互作用を大幅に低減することができ、その結果として、
高記録密度媒体で要求されている高保磁力が可能とな
る。

【００１０】

【発明の実施の形態】引き続いて、本発明をその好まし
い実施の形態について説明する。本発明による磁気記録
媒体は、非磁性の基板の上に、Ｎｉ系非磁性材料からな
る下地層とＣｏ系磁性合金からなる磁性層とを順次設け
てなるものであり、以下において説明するように、必要
に応じて追加の層を有していてもよい。それぞれの層
は、スパッタ法によって形成されたものである。スパッ
タ成膜は、それらの層の粒子成長を促進するのに十分な
圧力の下で実施するのが好ましく、特に、例えばアルゴ
ン（Ａｒ）ガスなどの不活性ガスの存在において、１０
ｍＴｏｒｒ以上の高ガス圧下で実施するのが好ましい。
磁性層は、単層構造を有していてもよく、あるいは上層
及び下層からなる２層構造を有していてもよい。

【００１１】本発明の磁気記録媒体において、その基体
として用いられる非磁性の基板は、この技術分野におい
て常用のいろいろな基板材料から構成することができ
る。しかし、ここで使用する基板は、本発明の磁気記録
媒体の製造において高保磁力の達成のために成膜後のア
ニーリング、すなわち、ポストアニールが必須であるの
で、その際の高温に耐え得るものでなければならない。
適当な基板としては、以下に列挙するものに限定される
わけではないけれども、例えば、表面酸化膜（例えばシ
リコン酸化膜ＳｉＯ₂）を有するシリコン基板、ＳｉＣ
基板、カーボン基板、ガラス基板、強化ガラス基板（結
晶化ガラス基板などを含む）、セラミック基板などを挙
げることができる。特にシリコン基板、カーボン基板、
ガラス基板、結晶化ガラス基板などを有利に使用するこ
とができ、なかんずくシリコン基板を有利に使用するこ
とができる。

【００１２】非磁性基板上の下地層は、上記したよう
に、Ｎｉ系非磁性材料からなる。適当なＮｉ系非磁性材
料は、Ｎｉを主成分とするＮｉＰ又はＮｉＺｒ合金であ
る。ＮｉＰ合金の代表例は、Ｎｉ₂Ｐ、Ｎｉ₃Ｐなどで
ある。このような下地層には、その上に形成する磁性層
の特性、特に保磁力と記録再生特性を向上させる作用が
ある。下地層として使用できるＮｉ系非磁性材料の具体
例としては、上記したもの以外に、例えば、Ｎｉ
₅Ｐ₂、Ｎｉ₆₇Ｚｒ₃₃などもある。

【００１３】上記したような下地層は、好ましくは、例
えばマグネトロンスパッタ法などのスパッタ法により、
常用の成膜条件により形成することができる。特に、保
磁力を高めるため、ＤＣ負バイアスの印加下にスパッタ
法を実施するのが好ましい。適当な成膜条件として、例
えば、約１００〜３００℃の成膜温度、約１０ｍＴｏｒ
ｒ以上の高められたＡｒガス圧力、そして約１００〜３
００ＶのＤＣ負バイアスを挙げることができる。

【００１４】かかる下地層の膜厚は、一般的に、１０〜
１００nmの範囲であるのが望ましい。下地層の膜厚が１
０nmよりも小さいと、磁性層の微細構造の制御が難しく
なって、保磁力が低下し、記録再生特性が劣化するよう
になる。また、膜厚が１００nm以上となると、磁性層表
面の凹凸が激しくなり、最近の磁気ヘッドの低浮上化に
鑑みて望ましくない。下地層のより好ましい膜厚は、５
０〜１００nmの範囲である。

【００１５】本発明の磁気記録媒体において、非磁性の
下地層の上に形成されるべき磁性層は、それがＣｏ系磁
性合金の粒子からなるという条件を満たす限りにおい
て、いろいろな層構成や組成を有することができる。例
えば、磁性層は、単層構造を有していてもよく、さもな
ければ、２層構造あるいはそれ以上の多層構造を有して
いてもよい。また、多層構造の場合、それぞれの磁性層
は、同一のＣｏ系磁性合金の粒子から構成されていても
よく、さもなければ、異なるＣｏ系磁性合金の粒子から
構成されていてもよい。

【００１６】本発明の実施において磁性層の形成に有利
に使用することのできるＣｏ系磁性合金は、この技術分
野において磁性層の形成に常用のＣｏ系磁性合金を包含
する。そのなかでも有利に使用することのできるＣｏ系
磁性合金は、例えば、Ｃｏを主成分とするＣｏＰｔ又は
ＣｏＣｒＰｔ合金に、非磁性酸化物であるＳｉＯ₂を添
加した合金である。本願明細書では、これらの合金をそ
れぞれＣｏＰｔ（ＳｉＯ₂）合金又はＣｏＣｒＰｔ（Ｓ
ｉＯ₂）合金などのように記載する。すなわち、本発明
で使用するＣｏ系磁性合金のあるものは、主成分として
のＣｏの他に、ＰｔとＳｉＯ₂を含み、そして任意にＣ
ｒを含む。Ｃｒを含まないＣｏＰｔ（ＳｉＯ₂）合金の
場合には、Ｐｔを６〜４５at％、そしてＳｉＯ₂を０ m
ol％より多くかつ６ mol％未満含み、残部はＣｏと不可
避的不純物である。

【００１７】上記のようなＣｏ系磁性合金中に含まれる
Ｐｔは、磁性層の異方性磁界（Ｈｋ）を高め、保磁力を
増加させる作用がある。この作用は、Ｐｔ含有量が６at
％以上でより顕著となる。一方、Ｐｔ含有量が更に多く
なると保磁力は４kOe （３１８kA/m）を超えて、現状の
磁気ヘッドでは磁気記録ができなくなる。文献による
と、ＣｏへのＰｔ添加量が約２０at％で保磁力は最大と
なる（Masahiro Kitadaand Noboru Shimizu, J. Appl.
Phys., Vol.54, No.12, p7089(1993)を参照された
い）。実用的な保磁力としてその最大の保磁力の１／１
０を目安とすると、６〜４５at％のＰｔの添加が有効で
ある。従って、本発明において上記のようなＣｏ系磁性
合金を使用した場合のＰｔ添加量の上限は４５at％とな
る。また、さらに好ましいＰｔ添加量は、６at％より大
きく１２at％以下である。

【００１８】合金に対して添加されるＳｉＯ₂は、磁性
層の粒界に析出すると考えられており（A. Murayama et
al., Appl. Phys. Lett. Vol.65，1186（1994）を参照
されたい）、従って、少量の添加で保磁力を大幅に向上
させる働きをする。また、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）
観察によれば、ＳｉＯ₂の添加により磁性層の結晶粒径
が減少しており、そのため媒体ノイズの低減を図ること
ができる。しかし、ＳｉＯ₂を過度に添加すると異方性
磁界（Ｈｋ）の減少を招き、保磁力も減少する。このよ
うな状況を考慮して、ＳｉＯ₂の添加量は、０モル％よ
り多くかつ６モル％未満とするのが望ましい。さらに好
ましいＳｉＯ₂の添加量は、３モル％より大きく６モル
％未満である。

【００１９】Ｃｒを含むＣｏＣｒＰｔ（ＳｉＯ₂）合金
は、Ｃｒ以外の成分についての上述の含有量の範囲内に
おいて、Ｃｒを０at％より多くかつ２８at％以下含むこ
とができる。Ｃｒには、磁性層の保磁力を向上させる作
用があるが、Ｃｒは非磁性材料なので、過度に添加する
と合金が非磁性化する。したがって、Ｃｒ量は２８at％
以下が望ましい。

【００２０】ここで補足して説明しておくと、上記した
ようなＣｏ系磁性合金の組成を表すのに、元素としての
成分Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔに対しては原子百分率（at％）を
用い、化合物である成分ＳｉＯ₂に対してはモル百分率
（モル％）を用いているが、各成分の含有量の合計（Ｃ
ｏ、Ｐｔ及びＳｉＯ₂含有量の合計、又はＣｏ、Ｃｒ、
Ｐｔ及びＳｉＯ₂含有量の合計）は１００％を構成す
る。

【００２１】また、磁性層の磁性粒子の結晶粒径が減少
すればするほど、媒体ノイズは低減できると考えられて
おり、そのようにすることによって磁気記録媒体の低ノ
イズ化が可能である。すでに説明したように、本発明に
おいてはＳｉＯ₂の添加により磁性層の結晶粒径を低下
させることができる。なお、磁性層の好ましい平均結晶
粒径は５〜１５ｎｍである。また、このような磁性層の
膜厚は、一般には５〜５０nmの範囲が適当であり、より
好ましくは１０〜３０nmの範囲である。

【００２２】本発明の磁性層は、上記したＣｏＰｔ（Ｓ
ｉＯ₂）合金あるいはＣｏＣｒＰｔ（ＳｉＯ₂）合金に
代えて、その他のＣｏ系磁性合金からも有利に構成する
こともできる。別の有利に使用することのできるＣｏ系
磁性合金は、例えば、Ｃｏを主成分とするＣｏＰｔ又は
ＣｏＣｒＰｔ合金に、さらにタングステン（Ｗ）、カー
ボン（Ｃ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）などを
単独であるいは組み合わせて添加した合金である。

【００２３】上記したＣｏ系磁性合金は、例えば、Ｃｏ
を主成分として含有し、１４〜２３at％のＣｒ及び１〜
２０at％のＰｔを含み、さらにＷ及びＣを組み合わせて
有する五元系合金である。このような合金は、さらに具
体的に説明すると、次式により表すことができる。Ｃｏ_bal.−Ｃｒ_14-23−Ｐｔ_1-20−Ｗ_x−Ｃ_y （上式中、_bal.はバランス量を意味し、そしてｘ＋ｙは
１〜７at％である）。

【００２４】本発明による磁気記録媒体では、磁性層を
ＣｏＣｒＰｔ合金から構成し、これにＷ及びＣの両方を
添加し、さらに層構成や成膜プロセスを最適化すること
により、ノイズの大幅な低減を図ることができ、したが
って、高いＳ／Ｎ比が得られ、よって、高密度記録媒体
を具現することができる。上記したような注目すべき効
果は、磁性層の形成のためにＣｏＣｒＰｔ合金に対して
添加されたＷ及びＣは、ＷＣ及びＷ₂Ｃなる安定な化合
物を形成することができることに由来する。これらの化
合物は、Ｃｏへの固溶限界が極めて小さいため、結晶粒
界に析出するものと考えられる。

【００２５】ここで、ＷＣ及びＷ₂Ｃは強磁性材料では
ないので、結晶粒界に析出した場合に、各磁性粒子の磁
気的な結合を切断し、ノイズを低減させる。しかしなが
ら、過剰なＣの添加は、磁性層の粒子径を微細化し、保
磁力Ｈｃの低下を招く傾向にある。したがって、Ｗ：Ｃ
におけるカーボン比は２より小さいことが必要である。
一方、上述のように、Ｃが１に対して、平均で、１．５
のＷがカーボンと結合可能である。残りのタングステン
は、磁性粒子のＣｏリッチな領域に進入し、粒子の微細
化をもたらし、媒体の低ノイズ化に寄与する。Ｗ：Ｃに
おいて、タングステン比が５よりも大であると、組織の
微細化が進行し、保磁力Ｈｃが低下するため、媒体ノイ
ズの増大や高密度記録領域における信号出力の低下が生
じる。また、過剰なＷの添加を行うと、ターゲットが硬
化するので、その加工が困難となる。このような観点か
ら、ＣｏＣｒＰｔＷＣ五元系合金において、Ｗ及びＣの
添加量の比は、５：１〜２：１の範囲であることが好ま
しい。また、かかる五元系合金において、Ｗ及びＣの添
加量の比が４：１でありかつ合計量が１〜７at％である
ことが特に好ましい。

【００２６】上記したＣｏ系磁性合金のさらに別の例
は、Ｃｏを主成分として含有し、１３〜２１at％のＣｒ
及び１〜２０at％のＰｔを含み、さらにＴａ及びＮｂを
組み合わせて有する五元系合金である。このような合金
は、さらに具体的に説明すると、次式により表すことが
できる。Ｃｏ_bal.−Ｃｒ_13-21−Ｐｔ_1-20−Ｔａ_x−Ｎｂ_y （上式中、_bal.はバランス量を意味し、そしてｘ＋ｙは
１〜７at％である）。

【００２７】本発明の磁気記録媒体において、その磁性
層は、単層構造及び２層構造にかかわりなく、３０〜１
８０Ｇμm のｔＢｒ（磁性層の膜厚ｔと残留磁化密度Ｂ
ｒの積）を有していることが好ましい。特に、単層構造
の磁性層は、５０〜１８０Ｇμm のｔＢｒを有している
ことが好ましく、また、２層構造の磁性層は、３０〜１
６０Ｇμm のｔＢｒを有していることが好ましい。本発
明の磁気記録膜は、従来の磁気記録膜に比較して薄く構
成したことにより、特にＭＲヘッドをはじめとした磁気
抵抗効果型ヘッド用として最適である。

【００２８】非磁性基板上に上記したような下地層を介
して設けられる磁性層は、上記したようにスパッタ法に
より形成されるものであり、その際、例えばＡｒガスの
ような不活性ガスの存在下、その磁性層の粒状成長を促
進するのに十分なガス圧力の下でスパッタ法を実施する
ことが好ましい。特に、保磁力を高めるため、ＤＣ負バ
イアスの印加下にスパッタ法を実施するのが好ましい。
スパッタ法としては、上記した下地層の成膜と同様、例
えばマグネトロンスパッタ法などを使用することができ
る。適当な成膜条件として、例えば、約１００〜３５０
℃の成膜温度、好ましくは約１００〜３２０℃の温度、
特に好ましくは２５０℃前後の温度、１０ｍＴｏｒｒ以
上の高められたＡｒガス圧力、そして約８０〜４００Ｖ
のＤＣ負バイアスを挙げることができる。ここで、約３
５０℃を上回る成膜温度は、本来非磁性であるべき基板
において磁性を発現する可能性があるので、その使用を
避けることが望ましい。

【００２９】本発明の磁気記録媒体の磁性層は、上記し
たように、Ｃｏ系磁性合金粒子から構成されかつ、それ
らの磁性粒子の粒界に、磁性粒子間の磁気的相互作用を
低減せしめる作用を有する非磁性金属元素が拡散により
偏析せしめられていることを特徴とする。非磁性金属元
素としては、その拡散を容易に起こさせる必要があるこ
とから、単一元素物質、例えばＣｒ、Ｍｏ、Ｃなどが好
ましく、換言すると、拡散係数の小さくない化合物では
ないほうが好ましい。

【００３０】本発明に従うと、非磁性金属元素の磁性粒
子間への拡散はいろいろな技法に従って行うことができ
る。ひとつの好ましい方法は、拡散されるべき非磁性金
属元素を磁性層中に予め含まれる非磁性金属に依存し、
磁性層の形成後にアニーリングを行うことにより非磁性
金属を磁性粒子の粒界に拡散せしめる方法である。この
方法の場合、上記したような、すでにＣｒを含有するＣ
ｏ系磁性合金から形成された磁性層を有利に使用するこ
とができる。なお、この場合のアニーリングは、通常、
６００℃未満、好ましくは１００〜５００℃、さらに好
ましくは３００℃前後の温度で実施することができる。

【００３１】もう１つの好ましい方法は、磁性層に隣接
して、上記したような非磁性金属からなる金属拡散層を
配置して、その層から非磁性金属を拡散により放出せし
め、磁性粒子の粒界に拡散せしめらる方法である。金属
拡散層は、磁性層の直上に配置してもよく、あるいは磁
性層の直下に配置してもよく、さもなければ、もしも磁
性層が２層構造等の多層構造で使用されるのならば、そ
れらの磁性層の中間に配置してもよい。いずれの場合に
も、磁性層と金属拡散層の両方の成膜後にアニーリング
を行うことが必要である。なお、この場合のアニーリン
グは、通常、６００℃未満、好ましくは約１００〜５０
０℃、さらに好ましくは４００℃前後の温度で実施する
ことができる。

【００３２】また、本発明の磁気記録媒体は、必要に応
じて、その最上層として、そして、通常、上記した磁性
層の上方に、この技術分野において屡々採用されている
ように、保護膜をさらに有していてもよい。適当な保護
膜としては、例えば、カーボン（Ｃ）の単独もしくはそ
の化合物からなる層、例えばＣ層、ＷＣ層、ＳｉＣ層、
Ｂ₄Ｃ層、水素含有Ｃ層など、あるいは特により高い硬
度を有するという点で最近注目されているダイヤモンド
ライクカーボン（ＤＬＣ）の層を挙げることができる。
特に、本発明の実施に当たっては、カーボンあるいはＤ
ＬＣからなる保護膜を有利に使用することができる。こ
のような保護膜は、常法に従って、例えば、スパッタ
法、蒸着法などによって形成することができる。かかる
保護膜の膜厚は、種々のファクタに応じて広い範囲で変
更することができるというものの、好ましくは、約５〜
１５nmである。

【００３３】さらに、本発明の磁気記録媒体は、好まし
くは、その非磁性基板とその上方の下地層との中間に、
基板と下地層の密着を改善するための密着層をさらに有
している。適当な密着層は、例えば、クロムあるいはチ
タンを主成分とする金属材料からなる薄膜、好ましくは
Ｃｒ薄膜又はＴｉ薄膜、さらに好ましくはＣｒ薄膜であ
る。

【００３４】例えば、本発明で密着層として有利に使用
することのできるＣｒ薄膜は、下地層及び磁性層の基板
への密着性の点で必要なだけでなく、磁性層の磁気特性
や記録再生特性にも影響を及ぼす。磁性層の磁気特性や
記録再生特性は、磁性層の結晶粒径や結晶粒間の分離度
等の微細構造に依存する。また、磁性層の結晶成長は下
地層の膜組織により変化する。従って、磁気特性や記録
再生特性に優れた磁性層を形成するためには、下地層の
膜組織を良好にしなければならない。そのためには、成
膜装置のベースプレッシャ（成膜装置内の到達真空度に
相当する）を低くし、かつ成膜雰囲気（一般にはＡｒ等
の不活性ガス雰囲気）の圧力を高くして、基板上に密着
層としてのＣｒ薄膜を形成することが有効である。こう
することにより、Ｃｒ薄膜は凹凸の強調された膜とな
り、その上に形成される下地層にも凹凸が導入され、磁
性粒間の分離度の高まった膜が形成される。その結果、
磁性粒間の磁気的相互作用が低減して、磁気記録媒体の
保磁力を高め、媒体ノイズを低減することが可能にな
る。

【００３５】さらに、Ｃｒ密着層の形成後、成膜装置の
大気解放や酸素プラズマエッチングによりＣｒ表面を酸
化して酸化クロムとすることで、Ｃｒ密着層と下地層の
間の結晶学的な関係を分断し、下地層の均一な粒成長を
促進でき、それにより磁気記録媒体の記録再生特性をさ
らに向上させることもできる。この効果は、実際、アル
ミニウム基板上に直接下地層を形成した場合に得られる
ものと同様な効果であると考えられる。

【００３６】本発明の実施において、高密度記録に適し
た磁気記録媒体を得るために下地層が好都合に結晶成長
するためには、そしてまた、基板と下地層の良好な密着
を保証するためには、Ｃｒ密着層やその他の密着層の膜
厚は、通常、１０〜４０nmの範囲であることが好まし
い。密着層の膜厚が１０nmより小さいと、結果として得
られた磁性層の磁性粒間の分離度が低減して、保磁力が
低下し記録再生特性が劣化する。また、膜厚が４０nmよ
りも大きくなると、下地層の凹凸が激しくなり、磁性層
に異常成長が生じて記録再生特性が劣化する。

【００３７】本発明の磁気記録媒体は、上記したような
必須の層及び任意に使用可能な層に加えて、この技術分
野において常用の追加の層を有していたり、さもなけれ
ば、含まれる層に任意の化学処理等が施されていてもよ
い。例えば、上記した保護膜の上に、フルオロカーボン
樹脂系の潤滑剤層が形成されていたり、さもなければ、
同様な処理が施されていてもよい。

【００３８】本発明の磁気記録媒体は、以上に詳細に説
明したことからも理解されるように、磁性層中あるいは
磁性層に隣接して配置された金属拡散層中に非磁性金属
元素に対応する非磁性金属を含ませ、その磁性層の形成
後かもしくは磁性層と金属拡散層の形成後にアニーリン
グを行うことにより非磁性金属元素を磁性粒子の粒界に
拡散せしめることを含む方法によって製造することがで
きる。アニール温度は、先にも説明したように、好まし
くは、６００℃未満であり、非磁性金属元素の拡散形態
などによって広く変更することができる。

【００３９】また、本発明の磁気記録媒体の各層は、こ
れも先に説明したように、好ましくは、Ａｒ等の不活性
ガスの高圧の適用下に、それぞれの層の組成に対応した
ターゲットから、スパッタ法によって形成することがで
きる。なお、スパッタ法自体は周知の技法であるので、
ここでの詳細な説明を省略する。しかしながら、本発明
の磁気記録媒体の製造においては、各層を形成する際の
圧力を、それらの層の粒状成長を促進するのに十分な圧
力とすることが重要である。先に説明したように、磁性
層の磁気特性や記録再生特性の向上のためには、磁性層
の結晶を粒状に成長させて孤立化するのが有利であり、
そのためには下地層の結晶をやはり粒状に成長させて形
成しておくことが有利である。下地層を粒状成長させる
ために、従来は、例えば前述の特開平６−９６４３１号
公報に記載されているように、基板の加熱を行っていた
が、基板加熱には先に説明したような弊害がある。本発
明ではそれを避けるために、スパッタリングによる通常
の成膜プロセスで採用されている数ｍＴｏｒｒの成膜雰
囲気圧力に代えて、少なくとも１０ｍＴｏｒｒ（１．３
Pa）もしくはそれ以上の高い圧力、さらに好ましくは例
えば２０〜５０ｍＴｏｒｒ（２．７〜６．７Pa）程度の
高い圧力を採用する。このように通常より高い圧力とす
ることにより、成膜雰囲気中の不活性ガスの濃度が高く
なり、スパッタリングにより飛来する粒子が不活性ガス
により散乱されやすくなって、基板上に粒状の結晶を成
長しやすくなる。同様に、Ｎｉ系下地層を粒状成長させ
るには、その下にＣｒ密着層を配置するとともに、その
Ｃｒ密着層を粒状成長させておくことが有利であり、従
ってＣｒ密着層の形成時にも結晶の粒状成長を促進する
圧力、例えば２０〜５０ｍＴｏｒｒとすることが重要で
ある。

【００４０】粒状成長に有効な圧力は、成長させる結晶
に依存するだけでなく、使用する成膜装置によっても変
動する。そのため、成膜時の圧力は、これらの条件を考
慮して決定すべきである。とは言え、粒子の散乱を増加
させることで粒状成長を促進するというここでの目的の
ためには、通常の成膜プロセスにおける数ｍＴｏｒｒの
成膜雰囲気圧力よりも有意に高い圧力、すなわち、前記
した少なくとも１０ｍＴｏｒｒの圧力を使用するのが有
利である。

【００４１】本発明による磁気記録媒体とその構成は、
以上の説明から容易に理解することができるであろう。
さらに具体的に説明すると、本発明の磁気記録媒体の典
型的な構成例は、図５〜図７に模式断面図で示す通りで
ある。図５は、磁性層の直上に金属拡散層としてＣｒ拡
散層を設けた例である。図示の磁気記録媒体１０におい
て、基板１としてはＳｉＯ₂膜を有するシリコン基板が
使用されており、その基板１の上に順次、いずれも１０
ｍＴｏｒｒ以上の高Ａｒガス下でスパッタ成膜されたも
のであるが、膜厚２０μｍのＣｒ密着層２、膜厚１００
nmのＮｉＰ下地層３、膜厚２０nmのＣｏＣｒＰｔ（Ｓｉ
Ｏ₂）磁性層４、膜厚１００nmのＣｒ拡散層５、そして
膜厚８nmのカーボン保護膜６、が設けられている。さら
に、カーボン保護膜６の上には、図示しないが、フロオ
ロカーボン樹脂系の潤滑剤層が施されている。

【００４２】図６は、磁性層の直下に金属拡散層として
Ｃｒ拡散層を設けた例である。図示の磁気記録媒体１０
において、基板１としてはＳｉＯ₂膜を有するシリコン
基板が使用されており、その基板１の上に順次、いずれ
も１０ｍＴｏｒｒ以上の高Ａｒガス下でスパッタ成膜さ
れたものであるが、膜厚２０μｍのＣｒ密着層２、膜厚
１００nmのＮｉＰ下地層３、膜厚２０nmのＣｒ拡散層
５、膜厚２０nmのＣｏＣｒＰｔ（ＳｉＯ₂）磁性層４、
そして膜厚８nmのカーボン保護膜６、が設けられてい
る。さらに、カーボン保護膜６の上には、図示しない
が、フロオロカーボン樹脂系の潤滑剤層が施されてい
る。

【００４３】図７は、磁性層を上下に分断された２層構
造とし、それらの磁性層の中間に、金属拡散層としてＣ
ｒ拡散層を設けた例である。図示の磁気記録媒体１０に
おいて、基板１としてはＳｉＯ₂膜を有するシリコン基
板が使用されており、その基板１の上に順次、いずれも
１０ｍＴｏｒｒ以上の高Ａｒガス下でスパッタ成膜され
たものであるが、膜厚２０μｍのＣｒ密着層２、膜厚１
００nmのＮｉＰ下地層３、膜厚１０nmの下方のＣｏＣｒ
Ｐｔ（ＳｉＯ₂）磁性層４−１、膜厚２０nmのＣｒ拡散
層５、膜厚１０nmの上方のＣｏＣｒＰｔ（ＳｉＯ₂）磁
性層４−２、そして膜厚８nmのカーボン保護膜６、が設
けられている。さらに、カーボン保護膜６の上には、図
示しないが、フロオロカーボン樹脂系の潤滑剤層が施さ
れている。

【００４４】さらにまた、本発明は、そのもう１つの面
において、本発明の磁気記録媒体を使用した磁気ディス
ク装置にある。本発明の磁気ディスク装置において、そ
の構造は特に限定されないというものの、基本的に、磁
気記録媒体において情報の記録を行うための記録ヘッド
部及び情報の再生を行うための再生ヘッド部を備えてい
る装置を包含する。特に、再生ヘッド部は、磁界の強さ
に応じて電気抵抗が変化する磁気抵抗素子を使用した磁
気抵抗効果型ヘッド、すなわち、ＭＲヘッドを備えてい
ることが好ましい。

【００４５】本発明の磁気ディスク装置において、好ま
しくは、磁気抵抗効果素子及び該磁気抵抗効果素子にセ
ンス電流を供給する導体層を有し、磁気記録媒体からの
情報の読み出しを行う磁気抵抗効果型の再生ヘッド部
と、薄膜で形成された一対の磁極を有し、磁気記録媒体
への情報の記録を行う誘導型の記録ヘッド部とが積層さ
れてなる複合型の磁気ヘッドを使用することができる。
磁気抵抗効果型の再生ヘッドは、この技術分野において
公知のいろいろな構造を有することができ、そして、好
ましくは、異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲヘッド
又は巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲヘッド（スピン
バルブＧＭＲヘッド等を含む）を包含する。特に上記し
たような構成の磁気ディスク装置を使用すると、従来の
複合型の磁気ヘッドに比較して、記録ヘッド部の磁極の
湾曲を小さくするとともに導体層の抵抗を下げ、オフト
ラックが小さい範囲であれば、精確にかつ高感度で情報
を読み出すことができる。

【００４６】

【実施例】次いで、本発明の磁気記録媒体及びその製造
方法を下記の実施例によりさらに詳細に説明する。実施例１外径６５mm、内径２０mm及び厚さ０．６３５mmのＳｉＯ
₂ 膜付きシリコン基板を使用して本発明の磁気記録媒体
を製造した。

【００４７】ＤＣ／ＲＦマグネトロンスパッタ装置（ア
ネルバ社製ＳＰＦ−４３０）を用意し、チャンバ内を１
×１０^-6Ｔｏｒｒに排気した後、Ａｒガスを導入して放
電時のガス圧を５０ｍＴｏｒｒに保持した。最初に、投
入電力３００Ｗ（ＤＣマグネトロン）、成膜速度１．７
nm／秒の条件で膜厚２０nmのＣｒ密着層を成膜した。次
いで、チャンバ内を一旦大気に解放した後、３×１０^-7
Ｔｏｒｒに排気し、さらにＡｒガスを導入し、放電時の
ガス圧を３０ｍＴｏｒｒに保持して、投入電力３００Ｗ
（ＤＣマグネトロン）、成膜速度１．１１nm／秒の条件
で膜厚１００nmのＮｉ₃ Ｐ下地層を成膜した。引き続
き、同じガス圧で、投入電力１５０Ｗ（ＲＦマグネトロ
ン）、成膜速度０．５４nm／秒の条件で膜厚２０nmの
（Ｃｏ−７Ｃｒ−２０Ｐｔ）₉₀−（ＳｉＯ₂ ）₁₀磁性層
を成膜した。チャンバ内を再び大気に解放した後、Ａｒ
ガスを導入して放電時のガス圧を５０ｍＴｏｒｒに保持
して、投入電力３００Ｗ（ＤＣマグネトロン）、成膜速
度１．７nm／秒の条件で膜厚１００nmのＣｒ拡散層を成
膜し、引き続いて、真空を維持したまま、添付の図８に
示すように異なるアニール温度で加熱した。最後に、チ
ャンバ内を１．０×１０ ^-6Ｔｏｒｒに排気後、Ａｒガス
を導入し、放電時のガス圧を５０ｍＴｏｒｒに保持し
て、投入電力４００Ｗ（ＤＣマグネトロン）、成膜速度
０．２４nm／秒の条件で膜厚８nmのカーボン保護膜を成
膜した。図５に示したような層構成を有する磁気記録媒
体が得られた。

【００４８】上記のようにして製造した磁気記録媒体の
保磁力のアニール温度依存性を評価するため、異なるア
ニール温度を適用して製造された磁気記録媒体のそれぞ
れについて保磁力Ｈｃを測定したところ、添付の図８に
曲線Ｉでプロットするような結果が得られた。図示の結
果から理解することができるように、保磁力は、４００
℃の温度まではアニール温度の上昇につれて単調に増加
するけれども、６００℃まで温度を上昇させると、Ｃｒ
拡散層からのＣｒ拡散が過度に生じる結果、非磁性化し
てしまう。したがって、アニール温度は６００℃未満で
あることが必要であり、満足し得る保磁力は約１００〜
５００℃のアニール温度の時に得ることができ、４００
℃前後の温度の時に最も高い保磁力を得ることができ
る。実施例２前記実施例１に記載の手法を繰り返したが、本例では、
磁気記録媒体からＣｒ拡散層を省略した。磁性層の直上
にＣｒ拡散層を有しない相違点を除いて、図５に示した
ような層構成を有する磁気記録媒体が得られた。

【００４９】製造した磁気記録媒体の保磁力のアニール
温度依存性を評価するため、異なるアニール温度を適用
して製造された磁気記録媒体のそれぞれについて保磁力
Ｈｃを測定したところ、添付の図８に曲線IIでプロット
するような結果が得られた。図示の結果から理解するこ
とができるように、保磁力は、３００℃の温度まではア
ニール温度の上昇につれて単調に増加するけれども、そ
れよりも高温になると急激な低下を示し、６００℃まで
温度を上昇させると、磁性層自体からのＣｒ拡散が過度
に生じる結果、非磁性化してしまう。したがって、アニ
ール温度は６００℃未満であることが必要であり、満足
し得る保磁力は約１００〜５００℃のアニール温度の時
に得ることができ、３００℃前後の温度の時に最も高い
保磁力を得ることができる。なお、本例の場合にアニー
ル温度が３００℃を過ぎたあたりから保磁力が低下しは
じめ、４００℃近傍からは急激な保磁力の低下が発生し
たのは、磁性粒形状の変化を伴った拡散が始まり、磁性
粒どうしが合体し始めて、磁性粒間の磁気的相互作用が
逆に増加してしまったことに原因があると、考察され
る。実施例３外径６５mm、内径２０mm及び厚さ０．６３５mmのＳｉＯ
₂ 膜付きシリコン基板を使用して本発明の磁気記録媒体
を製造した。

【００５０】ＤＣ／ＲＦマグネトロンスパッタ装置（ア
ネルバ社製ＳＰＦ−４３０）を用意し、チャンバ内を１
×１０^-6Ｔｏｒｒに排気した後、Ａｒガスを導入して放
電時のガス圧を５０ｍＴｏｒｒに保持した。最初に、投
入電力３００Ｗ（ＤＣマグネトロン）、成膜速度１．７
nm／秒の条件で膜厚２０nmのＣｒ密着層を成膜した。次
いで、チャンバ内を一旦大気に解放した後、３×１０^-7
Ｔｏｒｒに排気し、さらにＡｒガスを導入し、放電時の
ガス圧を３０ｍＴｏｒｒに保持して、投入電力３００Ｗ
（ＤＣマグネトロン）、成膜速度１．１１nm／秒の条件
で膜厚１００nmのＮｉ₃ Ｐ下地層を成膜した。次いで、
再びＡｒガスを導入して放電時のガス圧を５０ｍＴｏｒ
ｒに保持して、投入電力３００Ｗ（ＤＣマグネトロ
ン）、成膜速度１．７nm／秒の条件で膜厚２０nmのＣｒ
拡散層を成膜した。さらに続けて、放電時のガス圧を３
０ｍＴｏｒｒに保持して、投入電力１５０Ｗ（ＲＦマグ
ネトロン）、成膜速度０．５４nm／秒の条件で膜厚２０
nmの（Ｃｏ−７Ｃｒ−２０Ｐｔ）₉₀−（ＳｉＯ₂ ）₁₀磁
性層を成膜し、そして、真空を維持したまま、異なるア
ニール温度で加熱した。最後に、チャンバ内を１．０×
１０^-6Ｔｏｒｒに排気後、Ａｒガスを導入し、放電時の
ガス圧を５０ｍＴｏｒｒに保持して、投入電力４００Ｗ
（ＤＣマグネトロン）、成膜速度０．２４nm／秒の条件
で膜厚８nmのカーボン保護膜を成膜した。図６に示した
ような層構成を有する磁気記録媒体が得られた。製造
した磁気記録媒体の保磁力のアニール温度依存性を評価
するため、異なるアニール温度を適用して製造された磁
気記録媒体のそれぞれについて保磁力Ｈｃを測定したと
ころ、添付の図８に曲線Ｉでプロットしたものに比較可
能な結果が得られた。実施例４外径６５mm、内径２０mm及び厚さ０．６３５mmのＳｉＯ
₂ 膜付きシリコン基板を使用して本発明の磁気記録媒体
を製造した。

【００５１】ＤＣ／ＲＦマグネトロンスパッタ装置（ア
ネルバ社製ＳＰＦ−４３０）を用意し、チャンバ内を１
×１０^-6Ｔｏｒｒに排気した後、Ａｒガスを導入して放
電時のガス圧を５０ｍＴｏｒｒに保持した。最初に、投
入電力３００Ｗ（ＤＣマグネトロン）、成膜速度１．７
nm／秒の条件で膜厚２０nmのＣｒ密着層を成膜した。次
いで、チャンバ内を一旦大気に解放した後、３×１０^-7
Ｔｏｒｒに排気し、さらにＡｒガスを導入し、放電時の
ガス圧を３０ｍＴｏｒｒに保持して、投入電力３００Ｗ
（ＤＣマグネトロン）、成膜速度１．１１nm／秒の条件
で膜厚１００nmのＮｉ₃ Ｐ下地層を成膜した。次いで、
放電時のガス圧を３０ｍＴｏｒｒに保持して、投入電力
１５０Ｗ（ＲＦマグネトロン）、成膜速度０．５４nm／
秒の条件で膜厚１０nmの（Ｃｏ−７Ｃｒ−２０Ｐｔ）₉₀
−（ＳｉＯ₂ ）₁₀磁性層を成膜した。引き続いて、再び
Ａｒガスを導入して放電時のガス圧を５０ｍＴｏｒｒに
保持して、投入電力３００Ｗ（ＤＣマグネトロン）、成
膜速度１．７nm／秒の条件で膜厚２０nmのＣｒ拡散層を
成膜した。さらに続けて、放電時のガス圧を３０ｍＴｏ
ｒｒに保持して、投入電力１５０Ｗ（ＲＦマグネトロ
ン）、成膜速度０．５４nm／秒の条件で膜厚１０nmの
（Ｃｏ−７Ｃｒ−２０Ｐｔ）₉₀−（ＳｉＯ₂ ）₁₀磁性層
を成膜し、そして、真空を維持したまま、異なるアニー
ル温度で加熱した。最後に、チャンバ内を１．０×１０
^-6Ｔｏｒｒに排気後、Ａｒガスを導入し、放電時のガス
圧を５０ｍＴｏｒｒに保持して、投入電力４００Ｗ（Ｄ
Ｃマグネトロン）、成膜速度０．２４nm／秒の条件で膜
厚８nmのカーボン保護膜を成膜した。図７に示したよう
な層構成を有する磁気記録媒体が得られた。製造した
磁気記録媒体の保磁力のアニール温度依存性を評価する
ため、異なるアニール温度を適用して製造された磁気記
録媒体のそれぞれについて保磁力Ｈｃを測定したとこ
ろ、添付の図８に曲線Ｉでプロットしたものに比較可能
な結果が得られた。

【００５２】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、特にＨＤＤに有利に使用することのできる、極めて
高保磁力であり、かつしたがって高記録密度が可能な磁
気記録媒体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の磁気記録媒体の一例を示す断面図であ
る。

【図２】従来の磁気記録媒体のもう１つの例を示す断面
図である。

【図３】図２に示した磁気記録媒体の磁性層における磁
性粒子のマイクロ構造を示す模式断面図である。

【図４】本発明による磁気記録媒体における磁性層近傍
における挙動を説明した模式断面図である。

【図５】本発明による磁気記録媒体の好ましい一例を示
す断面図である。

【図６】本発明による磁気記録媒体のもう１つの好まし
い例を示す断面図である。

【図７】本発明による磁気記録媒体のさらにもう１つの
好ましい例を示す断面図である。

【図８】本発明による磁気記録媒体における保磁力のア
ニール温度依存性を示すグラフである。

【符号の説明】

１…非磁性の基板２…Ｃｒ密着層３…Ｎｉ系下地層４…Ｃｏ系磁性層５…金属拡散層６…保護膜１０…磁気記録媒体

フロントページの続きＦターム(参考） 4K029 AA04 AA06 AA09 BA06 BA07 BA11 BA12 BA24 BA25 BA34 BB02 BC06 BD11 CA05 EA03 EA08 GA01 5D006 BB01 BB06 BB07 BB08 CA01 CB04 DA03 EA03 FA09 5D112 AA02 AA03 AA05 AA11 AA24 BA02 BA03 BB05 BB10 BD03 BD06 FA04 GB02 5E049 AA04 AA09 BA06 CB01 DB02 DB04 EB06 GC01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性の基板と、その基板の上に順次、
それぞれスパッタリングによって形成された、Ｎｉ系非
磁性材料からなる下地層及びＣｏ系磁性合金からなる磁
性層とを有する磁気記録媒体において、前記磁性層が磁性合金粒子から構成されかつ、それらの
磁性粒子の粒界に、磁性粒子間の磁気的相互作用を低減
せしめる作用を有する非磁性金属元素が拡散せしめられ
ていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】前記非磁性金属元素が、前記磁性層中に
含まれる非磁性金属に由来し、前記磁性層の形成後にア
ニーリングを行うことにより前記磁性粒子の粒界に拡散
せしめられたものであることを特徴とする請求項１に記
載の磁気記録媒体。
【請求項３】前記非磁性金属元素が、前記磁性層に隣
接して配置された非磁性金属からなる金属拡散層から拡
散により放出せしめられ、前記磁性粒子の粒界に拡散せ
しめられたものであることを特徴とする請求項１に記載
の磁気記録媒体。
【請求項４】前記金属拡散層が、前記磁性層の直上、
中間又はその直下に配置されていることを特徴とする請
求項３に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】前記非磁性金属元素が、前記磁性層及び
前記金属拡散層の形成後にアニーリングを行うことによ
り前記磁性粒子の粒界に拡散せしめられたものであるこ
とを特徴とする請求項３又は４に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】前記非磁性金属元素が、Ｃｒ、Ｍｏ及び
Ｃからなる群から選ばれた一員であることを特徴とする
請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】前記磁性層のＣｏ系磁性合金が、Ｃｏを
主成分とするＣｏＰｔ又はＣｏＣｒＰｔ合金にＳｉＯ₂
を添加した合金であることを特徴とする請求項１〜６の
いずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】前記下地層のＮｉ系非磁性材料が、Ｎｉ
を主成分とするＮｉＰ又はＮｉＺｒ合金であることを特
徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の磁気記録
媒体。
【請求項９】前記非磁性の基板と、前記Ｎｉ系非磁性
材料からなる下地層との間に、基板と下地層の密着を改
善するための密着層をさらに含むことを特徴とする請求
項１〜８のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】前記非磁性の基板が、シリコン基板、
カーボン基板、ガラス基板又は結晶化ガラス基板である
ことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の
磁気記録媒体。
【請求項１１】保磁力が２．０ｋＯｅ以上であること
を特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の磁
気記録媒体。
【請求項１２】非磁性の基板と、その基板の上に順
次、それぞれスパッタリングによって形成された、Ｎｉ
系非磁性材料からなる下地層及びＣｏ系磁性合金からな
る磁性層とを有しかつ、その際、前記磁性層が磁性合金
粒子から構成されかつ、それらの磁性粒子の粒界に、磁
性粒子間の磁気的相互作用を低減せしめる作用を有する
非磁性金属元素が拡散せしめられている磁気記録媒体を
製造するに当たって、前記磁性層中かもしくは前記磁性層に隣接して配置され
た金属拡散層中に前記非磁性金属元素に対応する非磁性
金属を含ませ、前記磁性層及び、もしも存在するなら
ば、前記金属拡散層の形成後にアニーリングを行うこと
により前記非磁性金属元素を前記磁性粒子の粒界に拡散
せしめることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１３】前記アニーリングを６００℃未満の温
度で実施することを特徴とする請求項１２に記載の製造
方法。
【請求項１４】前記各層のスパッタリングによる形成
を、それらの層の粒状成長を促進するのに十分な圧力の
下で実施することを特徴とする請求項１２又は１３に記
載の製造方法。