JPH11232630A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH11232630A JPH11232630A JP3266398A JP3266398A JPH11232630A JP H11232630 A JPH11232630 A JP H11232630A JP 3266398 A JP3266398 A JP 3266398A JP 3266398 A JP3266398 A JP 3266398A JP H11232630 A JPH11232630 A JP H11232630A
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- Japan
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- magnetic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い保磁力を示し、高密度記録に極めて適し
た磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 非磁性基板上に少なくとも非磁性下地
膜、磁性膜を形成した磁気記録媒体において、非磁性下
地膜として、基板側からＣｒを主成分とする合金下地
膜、ＣｒＴａ合金下地膜の順に設けたことを特徴とする
磁気記録媒体。
た磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 非磁性基板上に少なくとも非磁性下地
膜、磁性膜を形成した磁気記録媒体において、非磁性下
地膜として、基板側からＣｒを主成分とする合金下地
膜、ＣｒＴａ合金下地膜の順に設けたことを特徴とする
磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体に係
わり、詳しくは磁気ディスク装置、フロッピーデイスク
装置、磁気テープ装置等の磁気記録装置に用いられる磁
気記録媒体に関するものである。
わり、詳しくは磁気ディスク装置、フロッピーデイスク
装置、磁気テープ装置等の磁気記録装置に用いられる磁
気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気ディスク装置、フロッピーデ
ィスク装置、磁気テープ装置等の磁気記録装置の適用範
囲は著しく増大され、その重要性が増すと共に、これら
の装置に用いられる磁気記録媒体について、その記録密
度の著しい向上が図られつつある。これらの磁気記録媒
体については、今後更に高記録密度化を達成することが
要求されており、そのために可能な限りの磁気記録層の
高保磁力化と高信号対雑音比を達成することが必要とさ
れている。現在、磁気ディスクにおいて、ＮｉＰ層をメ
ッキしたＡｌ合金基板、ガラス基板などの非磁性基板上
に、Ｃｒ又はＣｒ合金からなる下地層、Ｃｏを主成分と
する磁性層を成膜する方法が一般に使用されている。ま
た、高保磁力の有効な手段として、例えば磁性材料にＰ
ｔを添加する方法などが各種提案、実用化されている
が、高密度化に対応した高保磁力化の要求はこれらの成
果を上回るスピードで進みつつある。一方、高密度化の
ために基板表面を極力平滑化する努力もなされており、
基板の円周方向に形成されていたテキスチャーはどんど
ん弱められ、将来的には平均粗さＲａが０．５ｎｍ以下
の超平滑基板を使用した等方媒体が実現されるものと推
測されている。テキスチャーのない基板においては、テ
キスチャーに誘起されていた円周方向の磁気異方性がな
くなり、膜面内で磁気的に等方な性質を有する。このよ
うな等方媒体は、磁気異方性媒体に比べ、円周方向の保
磁力の低下が起きてしまう欠点があり、これに対して、
保磁力を向上させる対策が必要とされているのが現状で
ある。
ィスク装置、磁気テープ装置等の磁気記録装置の適用範
囲は著しく増大され、その重要性が増すと共に、これら
の装置に用いられる磁気記録媒体について、その記録密
度の著しい向上が図られつつある。これらの磁気記録媒
体については、今後更に高記録密度化を達成することが
要求されており、そのために可能な限りの磁気記録層の
高保磁力化と高信号対雑音比を達成することが必要とさ
れている。現在、磁気ディスクにおいて、ＮｉＰ層をメ
ッキしたＡｌ合金基板、ガラス基板などの非磁性基板上
に、Ｃｒ又はＣｒ合金からなる下地層、Ｃｏを主成分と
する磁性層を成膜する方法が一般に使用されている。ま
た、高保磁力の有効な手段として、例えば磁性材料にＰ
ｔを添加する方法などが各種提案、実用化されている
が、高密度化に対応した高保磁力化の要求はこれらの成
果を上回るスピードで進みつつある。一方、高密度化の
ために基板表面を極力平滑化する努力もなされており、
基板の円周方向に形成されていたテキスチャーはどんど
ん弱められ、将来的には平均粗さＲａが０．５ｎｍ以下
の超平滑基板を使用した等方媒体が実現されるものと推
測されている。テキスチャーのない基板においては、テ
キスチャーに誘起されていた円周方向の磁気異方性がな
くなり、膜面内で磁気的に等方な性質を有する。このよ
うな等方媒体は、磁気異方性媒体に比べ、円周方向の保
磁力の低下が起きてしまう欠点があり、これに対して、
保磁力を向上させる対策が必要とされているのが現状で
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記実状に
鑑みてなされたものであって、磁気記録媒体において高
保磁力化を実現する磁気記録媒体を提供することを目的
としている。
鑑みてなされたものであって、磁気記録媒体において高
保磁力化を実現する磁気記録媒体を提供することを目的
としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の要旨
は、非磁性基板上に少なくとも非磁性下地膜、磁性膜を
形成した磁気記録媒体において、非磁性下地膜として、
基板側からＣｒを主成分とする合金下地膜、ＣｒＴａ合
金下地膜の順に設けたことを特徴とする磁気記録媒体に
存する。
は、非磁性基板上に少なくとも非磁性下地膜、磁性膜を
形成した磁気記録媒体において、非磁性下地膜として、
基板側からＣｒを主成分とする合金下地膜、ＣｒＴａ合
金下地膜の順に設けたことを特徴とする磁気記録媒体に
存する。
【０００５】以下、本発明を詳細に説明する。本発明に
よる磁気記録媒体は、非磁性基板上に少なくとも非磁性
下地膜、磁性膜を形成した磁気記録媒体において、非磁
性下地膜として、基板側からＣｒを主成分とする合金下
地膜、ＣｒＴａ合金下地膜の順に設けたことを特徴とす
る。本発明において非磁性基板としては、通常の場合、
無電解メッキ法により形成されたＮｉ−Ｐ層を設けたア
ルミニウム合金基板またはガラス基板が用いられるが、
その他、セラミックス基板、炭素基板、Ｓｉ基板等の各
種非磁性基板を用いることが可能である。基板は、表面
粗さ（Ｒａ）で１ｎｍ以下、更には０．５ｎｍ以下の超
平滑基板であるのが好ましい。洗浄・乾燥後、基板の表
面には各層が設けられる。基板表面、下地膜表面、磁性
層表面などには、機械的なテキスチャー加工あるいはレ
ーザー光線などを利用したテキスチャー加工などを施し
ても良い。
よる磁気記録媒体は、非磁性基板上に少なくとも非磁性
下地膜、磁性膜を形成した磁気記録媒体において、非磁
性下地膜として、基板側からＣｒを主成分とする合金下
地膜、ＣｒＴａ合金下地膜の順に設けたことを特徴とす
る。本発明において非磁性基板としては、通常の場合、
無電解メッキ法により形成されたＮｉ−Ｐ層を設けたア
ルミニウム合金基板またはガラス基板が用いられるが、
その他、セラミックス基板、炭素基板、Ｓｉ基板等の各
種非磁性基板を用いることが可能である。基板は、表面
粗さ（Ｒａ）で１ｎｍ以下、更には０．５ｎｍ以下の超
平滑基板であるのが好ましい。洗浄・乾燥後、基板の表
面には各層が設けられる。基板表面、下地膜表面、磁性
層表面などには、機械的なテキスチャー加工あるいはレ
ーザー光線などを利用したテキスチャー加工などを施し
ても良い。
【０００６】本発明においては、非磁性基板上に、Ｃｒ
を主成分とする合金下地膜、ＣｒＴａ合金下地膜の順で
形成する。これにより、Ｃｏ系磁性膜の結晶配向が改善
され、保磁力を向上することができる。すなわち、Ｃｒ
Ｔａ合金は、薄膜成長初期層が成長表面の状態に影響さ
れにくいため、磁性層側の下地層としてＣｒＴａ合金下
地層を設けることにより、Ｃｏ系磁性層は、エピタキシ
ャル成長を通し結晶配向が良好な膜となり、保磁力の増
加が達成できるものと考えられる。
を主成分とする合金下地膜、ＣｒＴａ合金下地膜の順で
形成する。これにより、Ｃｏ系磁性膜の結晶配向が改善
され、保磁力を向上することができる。すなわち、Ｃｒ
Ｔａ合金は、薄膜成長初期層が成長表面の状態に影響さ
れにくいため、磁性層側の下地層としてＣｒＴａ合金下
地層を設けることにより、Ｃｏ系磁性層は、エピタキシ
ャル成長を通し結晶配向が良好な膜となり、保磁力の増
加が達成できるものと考えられる。
【０００７】Ｃｒを主成分とする合金下地膜としては、
Ｃｒに第二、第三元素等を添加した合金が使用される。
Ｃｒ合金としては、ＣｒＴａ合金以外が好ましく、特に
は、Ｃｒ−Ｍ系合金（ＭはＴｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｓｉ、
Ｎｂ、Ｚｒ、Ｂ及びＨｆから選ばれる１種又は２種以上
の元素）が好適である。これらの第二、第三元素の含有
量は、それぞれの元素によって最適な量が異なるが、一
般には１〜５０原子％、好ましくは５〜３０原子％、更
に好ましくは５〜１５原子％である。中でも、ＣｒＴｉ
合金を使用した場合は、その下地層の粒径が比較的小さ
いため、特に好ましい。ＣｒＴｉ合金下地層を形成した
後、ＣｒＴａ合金下地層、Ｃｏ系合金磁性層の順で成膜
すると、エピタキシャル成長により粒径が小さなＣｏ系
磁性膜が得られ、保磁力の増加とノイズの低減が期待で
きる。
Ｃｒに第二、第三元素等を添加した合金が使用される。
Ｃｒ合金としては、ＣｒＴａ合金以外が好ましく、特に
は、Ｃｒ−Ｍ系合金（ＭはＴｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｓｉ、
Ｎｂ、Ｚｒ、Ｂ及びＨｆから選ばれる１種又は２種以上
の元素）が好適である。これらの第二、第三元素の含有
量は、それぞれの元素によって最適な量が異なるが、一
般には１〜５０原子％、好ましくは５〜３０原子％、更
に好ましくは５〜１５原子％である。中でも、ＣｒＴｉ
合金を使用した場合は、その下地層の粒径が比較的小さ
いため、特に好ましい。ＣｒＴｉ合金下地層を形成した
後、ＣｒＴａ合金下地層、Ｃｏ系合金磁性層の順で成膜
すると、エピタキシャル成長により粒径が小さなＣｏ系
磁性膜が得られ、保磁力の増加とノイズの低減が期待で
きる。
【０００８】ＣｒＴｉの組成としては、Ｔｉ含有量が１
〜３０原子％のものが望ましく、特には５〜２０原子％
の範囲が望ましい。ＣｒＴａ合金下地膜の材料として
は、Ｔａ含有量が１〜２０原子％、更には、５〜１５原
子％が望ましい。この範囲であれば、Ｃｏ系磁性膜との
結晶格子定数がマッチングしやすく、エピタキシャル成
長を保つことが可能となる。Ｃｒを主成分とする合金下
地膜、及びＣｒＴａ合金下地膜の膜厚は、それぞれ磁気
記録媒体の電磁特性等の要求に応じ、適宜決定される。
通常、５〜２００ｎｍ、好ましくは１０〜１００ｎｍの
範囲で使用される。
〜３０原子％のものが望ましく、特には５〜２０原子％
の範囲が望ましい。ＣｒＴａ合金下地膜の材料として
は、Ｔａ含有量が１〜２０原子％、更には、５〜１５原
子％が望ましい。この範囲であれば、Ｃｏ系磁性膜との
結晶格子定数がマッチングしやすく、エピタキシャル成
長を保つことが可能となる。Ｃｒを主成分とする合金下
地膜、及びＣｒＴａ合金下地膜の膜厚は、それぞれ磁気
記録媒体の電磁特性等の要求に応じ、適宜決定される。
通常、５〜２００ｎｍ、好ましくは１０〜１００ｎｍの
範囲で使用される。
【０００９】磁性膜としては、通常、Ｃｏ、ＣｏＣｒＴ
ａ系合金、ＣｏＮｉＣｒ系合金、ＣｏＰｔ系合金等の一
般に用いられるＣｏ系磁性材料が用いられる。これらの
Ｃｏ系合金に更にＮｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、Ｂなど
の元素やＳｉＯ2等の化合物を加えても良い。磁性膜の
膜厚は特に制限がないが、通常１０〜４０ｎｍの膜厚に
成膜される。
ａ系合金、ＣｏＮｉＣｒ系合金、ＣｏＰｔ系合金等の一
般に用いられるＣｏ系磁性材料が用いられる。これらの
Ｃｏ系合金に更にＮｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、Ｂなど
の元素やＳｉＯ2等の化合物を加えても良い。磁性膜の
膜厚は特に制限がないが、通常１０〜４０ｎｍの膜厚に
成膜される。
【００１０】通常の場合、磁性膜成膜後にカーボン等の
保護膜を形成し、その後潤滑剤を塗布するのが一般的で
ある。保護膜としては、蒸着、スパッタ、プラズマＣＶ
Ｄ、湿式法などの方法により、炭素膜、水素化あるいは
窒素化カーボン膜、ＳｉＣ等の炭化物膜、ＴｉＮ等の窒
化物膜、ＳｉＯ2等の酸化物膜等が、通常５〜３０ｎｍ
の厚さで形成される。潤滑剤としては、フッ素系潤滑
剤、炭化水素系潤滑剤及びこれらの混合物等が、通常１
〜４ｎｍの厚さで形成される。
保護膜を形成し、その後潤滑剤を塗布するのが一般的で
ある。保護膜としては、蒸着、スパッタ、プラズマＣＶ
Ｄ、湿式法などの方法により、炭素膜、水素化あるいは
窒素化カーボン膜、ＳｉＣ等の炭化物膜、ＴｉＮ等の窒
化物膜、ＳｉＯ2等の酸化物膜等が、通常５〜３０ｎｍ
の厚さで形成される。潤滑剤としては、フッ素系潤滑
剤、炭化水素系潤滑剤及びこれらの混合物等が、通常１
〜４ｎｍの厚さで形成される。
【００１１】なお、本発明の磁気記録媒体は、非磁性基
板上に、Ｃｒを主成分とする合金下地膜を設けた後、Ｃ
ｒＴａ合金下地膜、磁性膜を形成することを特徴として
おり、上述した組み合わせを満たす限り、磁性層を２種
以上の積層構造としたもの、ＣｒＴａ合金下地膜と磁性
層との間に非磁性ＣｏＣｒ等の中間層を設けて積層構造
としたもの等であってもよい。
板上に、Ｃｒを主成分とする合金下地膜を設けた後、Ｃ
ｒＴａ合金下地膜、磁性膜を形成することを特徴として
おり、上述した組み合わせを満たす限り、磁性層を２種
以上の積層構造としたもの、ＣｒＴａ合金下地膜と磁性
層との間に非磁性ＣｏＣｒ等の中間層を設けて積層構造
としたもの等であってもよい。
【００１２】非磁性基板上にこれらの下地膜、磁性層を
形成する成膜法としては、高周波又は直流スパッタリン
グ法、高周波又は直流マグネトロンスパッタリング法、
高周波と直流結合型スパッタリング法、ＥＣＲスパッタ
リング法、真空蒸着法などの物理的蒸着法であればいず
れの成膜方式でも良い。また、成膜時の条件としても特
に制限はなく、到達真空度、基板加熱の方式と基板温
度、スパッタリングガス圧、バイアス電圧等は、成膜装
置により適宜に決定される。例えば、スパッタリング成
膜では、通常の場合、到達真空度は１×１０-6Ｔｏｒｒ
以下、基板温度は室温〜４００℃、スパッタガス圧は１
×１０-3〜２０×１０-3Ｔｏｒｒ、バイアス電圧は０〜
５００Ｖで成膜される。
形成する成膜法としては、高周波又は直流スパッタリン
グ法、高周波又は直流マグネトロンスパッタリング法、
高周波と直流結合型スパッタリング法、ＥＣＲスパッタ
リング法、真空蒸着法などの物理的蒸着法であればいず
れの成膜方式でも良い。また、成膜時の条件としても特
に制限はなく、到達真空度、基板加熱の方式と基板温
度、スパッタリングガス圧、バイアス電圧等は、成膜装
置により適宜に決定される。例えば、スパッタリング成
膜では、通常の場合、到達真空度は１×１０-6Ｔｏｒｒ
以下、基板温度は室温〜４００℃、スパッタガス圧は１
×１０-3〜２０×１０-3Ｔｏｒｒ、バイアス電圧は０〜
５００Ｖで成膜される。
【００１３】上述した磁気記録媒体の製造にあたって
は、成膜装置の構成等を考慮し、最適な製造工程が決定
される。成膜に当たっては、磁性層のＣｒの偏析を促進
するために、一般に基板を５０〜３５０℃程度に加熱す
ることが好ましい。基板加熱は下地層成膜前に行っても
良いし、熱吸収率が低い透明な基板を使用する場合に
は、熱吸収率を高くするため、Ｃｒを主成分とする合金
下地膜を成膜した後に、加熱しても良い。また、Ｃｒを
主成分とする合金下地膜の上にＣｒＴａ合金下地膜を形
成してから、基板を加熱しても良い。更に、Ｃｒを主成
分とする合金下地膜を成膜した後、一旦大気中に取り出
し、再び成膜装置に挿入し、排気、基板加熱後、磁性層
を成膜することも可能である。
は、成膜装置の構成等を考慮し、最適な製造工程が決定
される。成膜に当たっては、磁性層のＣｒの偏析を促進
するために、一般に基板を５０〜３５０℃程度に加熱す
ることが好ましい。基板加熱は下地層成膜前に行っても
良いし、熱吸収率が低い透明な基板を使用する場合に
は、熱吸収率を高くするため、Ｃｒを主成分とする合金
下地膜を成膜した後に、加熱しても良い。また、Ｃｒを
主成分とする合金下地膜の上にＣｒＴａ合金下地膜を形
成してから、基板を加熱しても良い。更に、Ｃｒを主成
分とする合金下地膜を成膜した後、一旦大気中に取り出
し、再び成膜装置に挿入し、排気、基板加熱後、磁性層
を成膜することも可能である。
【００１４】
【作用】本発明に従って、非磁性基板上に、非磁性下地
層として、ＣｒＴｉ等のＣｒを主成分とする合金下地膜
を設けた後、ＣｒＴａ合金下地膜を形成することによ
り、結晶配向の優れた磁性層が得られる。これにより、
磁気記録媒体の保磁力は大幅に向上する。
層として、ＣｒＴｉ等のＣｒを主成分とする合金下地膜
を設けた後、ＣｒＴａ合金下地膜を形成することによ
り、結晶配向の優れた磁性層が得られる。これにより、
磁気記録媒体の保磁力は大幅に向上する。
【００１５】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００１６】実施例１ 内径２５ｍｍ、外形９５ｍｍのＮｉＰメッキ層を施した
アルミ合金基板表面を研磨してＲａ（中心線平均粗さ）
約０．５ｎｍに仕上げた。この非磁性基板を直流マグネ
トロンスパッタ装置の前室に装着して排気し、同時に２
５０℃まで加熱した。真空圧が７×１０-5Ｔｏｒｒ以下
に到達した後、真空圧が７×１０-7Ｔｏｒｒ以下の高真
空成膜室に導入して、基板温度を３００℃まで昇温し、
９０Ｃｒ−１０Ｔｉ（原子％）のＣｒＴｉ合金下地膜を
６０ｎｍ成膜し、その後、その上に９３Ｃｒ−７Ｔａ
（原子％）のＣｒＴａ合金下地膜を６０ｎｍ形成した。
そして引き続き、７６Ｃｏ−１５Ｃｒ−６Ｐｔ−２Ｔａ
−１Ｗ（原子％）のＣｏＣｒＰｔＴａＷ磁性膜を２０ｎ
ｍ成膜することにより、残留磁化（Ｂｒ）と膜厚（ｔ）
の積であるＢｒ・ｔが１００（Ｇ・μｍ）の試料を作製
した。得られた磁気記録媒体の保磁力Ｈｃを測定し、結
果を表１に示した。尚、保磁力の測定は、試料振動式磁
力計で行った。
アルミ合金基板表面を研磨してＲａ（中心線平均粗さ）
約０．５ｎｍに仕上げた。この非磁性基板を直流マグネ
トロンスパッタ装置の前室に装着して排気し、同時に２
５０℃まで加熱した。真空圧が７×１０-5Ｔｏｒｒ以下
に到達した後、真空圧が７×１０-7Ｔｏｒｒ以下の高真
空成膜室に導入して、基板温度を３００℃まで昇温し、
９０Ｃｒ−１０Ｔｉ（原子％）のＣｒＴｉ合金下地膜を
６０ｎｍ成膜し、その後、その上に９３Ｃｒ−７Ｔａ
（原子％）のＣｒＴａ合金下地膜を６０ｎｍ形成した。
そして引き続き、７６Ｃｏ−１５Ｃｒ−６Ｐｔ−２Ｔａ
−１Ｗ（原子％）のＣｏＣｒＰｔＴａＷ磁性膜を２０ｎ
ｍ成膜することにより、残留磁化（Ｂｒ）と膜厚（ｔ）
の積であるＢｒ・ｔが１００（Ｇ・μｍ）の試料を作製
した。得られた磁気記録媒体の保磁力Ｈｃを測定し、結
果を表１に示した。尚、保磁力の測定は、試料振動式磁
力計で行った。
【００１７】比較例１ ＣｒＴａ合金下地膜を設けない以外は、実施例１と同様
に磁気記録媒体を作製し、保磁力を測定した。結果を表
１に示す。
に磁気記録媒体を作製し、保磁力を測定した。結果を表
１に示す。
【００１８】比較例２ ＣｒＴｉ合金下地膜を設けない以外は、実施例１と同様
に磁気記録媒体を作製し、保磁力を測定した。結果を表
１に示す。
に磁気記録媒体を作製し、保磁力を測定した。結果を表
１に示す。
【００１９】比較例３ ＣｒＴａ合金下地膜６０ｎｍを設ける代わりに、９０Ｃ
ｒ−１０Ｔｉ（原子％）のＣｒＴｉ合金下地膜を６０ｎ
ｍ形成した以外は実施例１と同様に磁気記録媒体を作製
し、保磁力を測定した。結果を表１に示す。
ｒ−１０Ｔｉ（原子％）のＣｒＴｉ合金下地膜を６０ｎ
ｍ形成した以外は実施例１と同様に磁気記録媒体を作製
し、保磁力を測定した。結果を表１に示す。
【００２０】比較例４ 実施例１と同様の基板を用い、９３Ｃｒ−７Ｔａ（原子
％）のＣｒＴａ合金下地膜を６０ｎｍ製膜し、その上
に、９０Ｃｒ−１０Ｔｉ（原子％）のＣｒＴｉ合金下地
膜を６０ｎｍ形成した。その後、実施例１と同様に磁気
記録媒体を作製し、保磁力を測定した。結果を表１に示
す。
％）のＣｒＴａ合金下地膜を６０ｎｍ製膜し、その上
に、９０Ｃｒ−１０Ｔｉ（原子％）のＣｒＴｉ合金下地
膜を６０ｎｍ形成した。その後、実施例１と同様に磁気
記録媒体を作製し、保磁力を測定した。結果を表１に示
す。
【００２１】
【表１】 表１ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 膜構成 保磁力（Ｏｅ） −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 実施例１ 基板／ＣｒＴｉ(60nm)／ＣｒＴａ(60nm)／磁性層 ２７７５ 比較例１ 基板／ＣｒＴｉ(60nm)／磁性層 ２５２５ 比較例２ 基板／ＣｒＴａ(60nm)／磁性層 ２５００ 比較例３ 基板／ＣｒＴｉ(60nm)／ＣｒＴｉ(60nm)／磁性層 ２５２５ 比較例４ 基板／ＣｒＴａ(60nm)／ＣｒＴｉ(60nm)／磁性層 ２１３８ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
【００２２】
【発明の効果】本発明の磁気記録媒体によれば、従来の
構成の磁気記録媒体に比べ、著しく高い保磁力を示し、
高密度記録に適した磁気記録媒体が提供される。
構成の磁気記録媒体に比べ、著しく高い保磁力を示し、
高密度記録に適した磁気記録媒体が提供される。
Claims (3)
- 【請求項１】 非磁性基板上に少なくとも非磁性下地
膜、磁性膜を形成した磁気記録媒体において、非磁性下
地膜として、基板側からＣｒを主成分とする合金下地
膜、ＣｒＴａ合金下地膜の順に設けたことを特徴とする
磁気記録媒体。 - 【請求項２】 Ｃｒを主成分とする合金下地膜が、Ｃｒ
−Ｍ系合金（ＭはＴｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｚ
ｒ、Ｂ及びＨｆから選ばれる１種又は２種以上の元素）
からなることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項３】 Ｃｒを主成分とする合金下地膜が、Ｃｒ
Ｔｉ合金からなることを特徴とする請求項２記載の磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3266398A JPH11232630A (ja) | 1998-02-16 | 1998-02-16 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3266398A JPH11232630A (ja) | 1998-02-16 | 1998-02-16 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11232630A true JPH11232630A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12365113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3266398A Pending JPH11232630A (ja) | 1998-02-16 | 1998-02-16 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11232630A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6593009B2 (en) | 2001-03-02 | 2003-07-15 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands N.V. | Magnetic thin film media with a pre-seed layer of CrTi |
| US6852430B2 (en) | 2001-03-02 | 2005-02-08 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Magnetic thin film media with a pre-seed layer of CrTi |
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1998
- 1998-02-16 JP JP3266398A patent/JPH11232630A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6593009B2 (en) | 2001-03-02 | 2003-07-15 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands N.V. | Magnetic thin film media with a pre-seed layer of CrTi |
| US6852430B2 (en) | 2001-03-02 | 2005-02-08 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Magnetic thin film media with a pre-seed layer of CrTi |
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