JPH11213371A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH11213371A JPH11213371A JP1674798A JP1674798A JPH11213371A JP H11213371 A JPH11213371 A JP H11213371A JP 1674798 A JP1674798 A JP 1674798A JP 1674798 A JP1674798 A JP 1674798A JP H11213371 A JPH11213371 A JP H11213371A
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- magnetic recording
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い保磁力を示し、高密度記録に極めて適し
た磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 非磁性基板上に少なくとも非磁性下地
膜、磁性膜を形成した磁気記録媒体において、非磁性下
地膜として、基板側からＡｌＴｉ合金下地膜、Ｃｒを主
成分とする下地膜の順に設けたことを特徴とする磁気記
録媒体。
た磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 非磁性基板上に少なくとも非磁性下地
膜、磁性膜を形成した磁気記録媒体において、非磁性下
地膜として、基板側からＡｌＴｉ合金下地膜、Ｃｒを主
成分とする下地膜の順に設けたことを特徴とする磁気記
録媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体に係わ
り、詳しくは磁気ディスク装置、フロッピーディスク装
置、磁気テープ装置等の磁気記録装置に用いられる磁気
記録媒体に関するものである。
り、詳しくは磁気ディスク装置、フロッピーディスク装
置、磁気テープ装置等の磁気記録装置に用いられる磁気
記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気ディスク装置、フロッピーデ
ィスク装置、磁気テープ装置等の磁気記録装置の適用範
囲は著しく増大され、その重要性が増すと共に、これら
の装置に用いられる磁気記録媒体について、その記録密
度の著しい向上が図られつつある。これらの磁気記録媒
体については、今後更に高記録密度化を達成することが
要求されており、そのために可能な限りの磁気記録層の
高保磁力化と高信号対雑音比を達成することが必要とさ
れている。
ィスク装置、磁気テープ装置等の磁気記録装置の適用範
囲は著しく増大され、その重要性が増すと共に、これら
の装置に用いられる磁気記録媒体について、その記録密
度の著しい向上が図られつつある。これらの磁気記録媒
体については、今後更に高記録密度化を達成することが
要求されており、そのために可能な限りの磁気記録層の
高保磁力化と高信号対雑音比を達成することが必要とさ
れている。
【０００３】現在、磁気ディスクにおいて、ＮｉＰ層を
メッキしたＡｌ合金基板、ガラス基板などの非磁性基板
上に、Ｃｒ又はＣｒ合金からなる下地層、Ｃｏを主成分
とする磁性層を成膜する方法が一般に使用されている。
また、高保磁力の有効な手段として、例えば磁性材料に
Ｐｔを添加する方法などが各種提案、実用化されている
が、高密度化に対応した高保磁力化の要求はこれらの成
果を上回るスピードで進みつつある。
メッキしたＡｌ合金基板、ガラス基板などの非磁性基板
上に、Ｃｒ又はＣｒ合金からなる下地層、Ｃｏを主成分
とする磁性層を成膜する方法が一般に使用されている。
また、高保磁力の有効な手段として、例えば磁性材料に
Ｐｔを添加する方法などが各種提案、実用化されている
が、高密度化に対応した高保磁力化の要求はこれらの成
果を上回るスピードで進みつつある。
【０００４】一方、高密度化のために基板表面を極力平
滑化する努力もなされており、基板の円周方向に形成さ
れていたテキスチャーはどんどん弱められ、将来的には
平均粗さＲａが０．５ｎｍ以下の超平滑基板を使用した
等方媒体が実現されるものと推測されている。テキスチ
ャーのない基板においては、テキスチャーに誘起されて
いた円周方向の磁気異方性がなくなり、膜面内で磁気的
に等方な性質を有する。このような等方媒体は、磁気異
方性媒体に比べ、円周方向の保磁力の低下が起きてしま
う欠点があり、これに対して、保磁力を向上させる対策
が必要とされているのが現状である。
滑化する努力もなされており、基板の円周方向に形成さ
れていたテキスチャーはどんどん弱められ、将来的には
平均粗さＲａが０．５ｎｍ以下の超平滑基板を使用した
等方媒体が実現されるものと推測されている。テキスチ
ャーのない基板においては、テキスチャーに誘起されて
いた円周方向の磁気異方性がなくなり、膜面内で磁気的
に等方な性質を有する。このような等方媒体は、磁気異
方性媒体に比べ、円周方向の保磁力の低下が起きてしま
う欠点があり、これに対して、保磁力を向上させる対策
が必要とされているのが現状である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記実状に
鑑みてなされたものであって、磁気記録媒体において高
保磁力化を実現する磁気記録媒体を提供することを目的
としている。
鑑みてなされたものであって、磁気記録媒体において高
保磁力化を実現する磁気記録媒体を提供することを目的
としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の要旨
は、非磁性基板上に少なくとも非磁性下地膜、磁性膜を
形成した磁気記録媒体において、非磁性下地膜として、
基板側からＡｌＴｉ合金下地膜、Ｃｒを主成分とする下
地膜の順に設けたことを特徴とする磁気記録媒体に存す
る。
は、非磁性基板上に少なくとも非磁性下地膜、磁性膜を
形成した磁気記録媒体において、非磁性下地膜として、
基板側からＡｌＴｉ合金下地膜、Ｃｒを主成分とする下
地膜の順に設けたことを特徴とする磁気記録媒体に存す
る。
【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。本発明に
よる磁気記録媒体は、非磁性基板上に少なくとも非磁性
下地膜、磁性膜を形成した磁気記録媒体において、非磁
性下地膜として、基板側からＡｌＴｉ合金下地膜、Ｃｒ
を主成分とする下地膜の順に設けたことを特徴とする。
よる磁気記録媒体は、非磁性基板上に少なくとも非磁性
下地膜、磁性膜を形成した磁気記録媒体において、非磁
性下地膜として、基板側からＡｌＴｉ合金下地膜、Ｃｒ
を主成分とする下地膜の順に設けたことを特徴とする。
【０００８】本発明において非磁性基板としては、通常
の場合、無電解メッキ法により形成されたＮｉ−Ｐ層を
設けたアルミニウム合金基板またはガラス基板が用いら
れるが、その他、セラミックス基板、炭素基板、Ｓｉ基
板等の各種非磁性基板を用いることが可能であり、中で
も、ガラス基板を用いることが良好である。基板の表面
は、表面粗さ（Ｒａ）で１ｎｍ以下、更には０．５ｎｍ
以下の鏡面仕上げとされているのが好ましい。
の場合、無電解メッキ法により形成されたＮｉ−Ｐ層を
設けたアルミニウム合金基板またはガラス基板が用いら
れるが、その他、セラミックス基板、炭素基板、Ｓｉ基
板等の各種非磁性基板を用いることが可能であり、中で
も、ガラス基板を用いることが良好である。基板の表面
は、表面粗さ（Ｒａ）で１ｎｍ以下、更には０．５ｎｍ
以下の鏡面仕上げとされているのが好ましい。
【０００９】洗浄・乾燥後、基板の表面には各層が設け
られる。基板表面、下地膜表面、磁性層表面などには、
機械的なテキスチャー加工あるいはレーザー光線などを
利用したテキスチャー加工などを施しても良い。本発明
においては、非磁性基板上に、ＡｌＴｉ合金下地膜、Ｃ
ｒを主成分とする下地膜の順で形成する。
られる。基板表面、下地膜表面、磁性層表面などには、
機械的なテキスチャー加工あるいはレーザー光線などを
利用したテキスチャー加工などを施しても良い。本発明
においては、非磁性基板上に、ＡｌＴｉ合金下地膜、Ｃ
ｒを主成分とする下地膜の順で形成する。
【００１０】非磁性基板とＣｒを主成分とする下地膜の
間に、ＡｌＴｉ合金下地膜を設けることの目的は、Ｃｏ
磁性合金膜の結晶配向を改善することにある。Ｃｒを主
成分とする合金下地膜は、体心立方体の結晶構造をと
り、（１１０）面、（２００）面などの２以上の配向を
する場合が多いが、ＡｌＴｉ下地膜を設けることによ
り、（１１０）面あるいは（２００）面のどちらか一方
の配向が現れるため、優れた結晶配向の膜になる。その
結果、Ｃｒを主成分とする合金下地膜上に形成するＣｏ
磁性層は、エピタキシャル成長を通し、結晶配向の良好
な膜になる。これにより、保磁力の増加が達成できるも
のと考えられる。
間に、ＡｌＴｉ合金下地膜を設けることの目的は、Ｃｏ
磁性合金膜の結晶配向を改善することにある。Ｃｒを主
成分とする合金下地膜は、体心立方体の結晶構造をと
り、（１１０）面、（２００）面などの２以上の配向を
する場合が多いが、ＡｌＴｉ下地膜を設けることによ
り、（１１０）面あるいは（２００）面のどちらか一方
の配向が現れるため、優れた結晶配向の膜になる。その
結果、Ｃｒを主成分とする合金下地膜上に形成するＣｏ
磁性層は、エピタキシャル成長を通し、結晶配向の良好
な膜になる。これにより、保磁力の増加が達成できるも
のと考えられる。
【００１１】ＡｌＴｉ合金下地膜の材料としては、Ａｌ
含有率が２０〜８０原子％の範囲が好ましく、更には４
５〜７０原子％のものが望ましい。また、耐酸化性や合
金の組織を改善するために、ＡｌＴｉ合金に、Ｓｉ、Ｎ
ｂ、Ｗ、Ｍｏ等を１種以上添加しても良い。ＡｌＴｉ合
金下地膜の膜厚は、成膜装置の加熱方式等の条件で適宜
に決定されるが、通常５〜２００ｎｍ、好ましくは１０
〜１００ｎｍである。
含有率が２０〜８０原子％の範囲が好ましく、更には４
５〜７０原子％のものが望ましい。また、耐酸化性や合
金の組織を改善するために、ＡｌＴｉ合金に、Ｓｉ、Ｎ
ｂ、Ｗ、Ｍｏ等を１種以上添加しても良い。ＡｌＴｉ合
金下地膜の膜厚は、成膜装置の加熱方式等の条件で適宜
に決定されるが、通常５〜２００ｎｍ、好ましくは１０
〜１００ｎｍである。
【００１２】Ｃｒを主成分とする下地膜としては、純Ｃ
ｒの他、Ｃｒに第二、第三元素を添加した合金などが使
用される。Ｃｒ合金としては、Ｃｒ−Ｍ系合金（ＭはＴ
ｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｂ及びＨ
ｆから選ばれる１種又は２種以上の元素）が好適であ
る。これらの第二、第三元素の含有量は、それぞれの元
素によって最適な量が異なるが、一般には１〜５０原子
％、好ましくは５〜３０原子％、更に好ましくは５〜１
５原子％である。
ｒの他、Ｃｒに第二、第三元素を添加した合金などが使
用される。Ｃｒ合金としては、Ｃｒ−Ｍ系合金（ＭはＴ
ｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｂ及びＨ
ｆから選ばれる１種又は２種以上の元素）が好適であ
る。これらの第二、第三元素の含有量は、それぞれの元
素によって最適な量が異なるが、一般には１〜５０原子
％、好ましくは５〜３０原子％、更に好ましくは５〜１
５原子％である。
【００１３】中でも、ＣｒＴｉ合金を使用した場合は、
その下地膜における粒径が比較的小さいため、保磁力が
増加し、特に望ましい。ＣｒＴｉの組成としては、Ｔｉ
含有量が１〜３０原子％のものが望ましく、特には５〜
２０原子％の範囲が望ましい。また、Ｃｒを主成分とす
る下地膜は、単層であっても、二層以上設けても良い。
特に、ＣｒＴｉ合金下地膜を成膜した後、Ｃｒ層あるい
はＣｒ系合金下地膜（以下、第二のＣｒ合金下地膜とい
う。）を形成することが好適である。
その下地膜における粒径が比較的小さいため、保磁力が
増加し、特に望ましい。ＣｒＴｉの組成としては、Ｔｉ
含有量が１〜３０原子％のものが望ましく、特には５〜
２０原子％の範囲が望ましい。また、Ｃｒを主成分とす
る下地膜は、単層であっても、二層以上設けても良い。
特に、ＣｒＴｉ合金下地膜を成膜した後、Ｃｒ層あるい
はＣｒ系合金下地膜（以下、第二のＣｒ合金下地膜とい
う。）を形成することが好適である。
【００１４】第二のＣｒ合金下地膜の材料としては、薄
膜成長初期層が基板表面の状態に影響されにくいＣｒＴ
ａ合金が特に望ましい。ＣｒＴａ合金の組成としては、
Ｔａ含有量が１〜２０原子％のものが望ましく、この範
囲であれば、ＣｒＴｉ合金下地膜との結晶格子定数がマ
ッチングしやすいため、エピタキシャル成長を保つこと
が可能となる。Ｃｒを主成分とする各下地膜の膜厚は、
磁気記録媒体の電磁特性等の要求に応じ、適宜決定され
る。通常は５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲で使用される。
膜成長初期層が基板表面の状態に影響されにくいＣｒＴ
ａ合金が特に望ましい。ＣｒＴａ合金の組成としては、
Ｔａ含有量が１〜２０原子％のものが望ましく、この範
囲であれば、ＣｒＴｉ合金下地膜との結晶格子定数がマ
ッチングしやすいため、エピタキシャル成長を保つこと
が可能となる。Ｃｒを主成分とする各下地膜の膜厚は、
磁気記録媒体の電磁特性等の要求に応じ、適宜決定され
る。通常は５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲で使用される。
【００１５】磁性膜としては、通常、Ｃｏ、ＣｏＣｒＴ
ａ系合金、ＣｏＮｉＣｒ系合金、ＣｏＰｔ系合金等の一
般に用いられるＣｏ系磁性材料が用いられる。これらの
Ｃｏ系合金に更にＮｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、Ｂなど
の元素やＳｉＯ2 等の化合物を加えても良い。磁性膜の
膜厚は特に制限がないが、通常１０〜４０ｎｍの膜厚に
成膜される。
ａ系合金、ＣｏＮｉＣｒ系合金、ＣｏＰｔ系合金等の一
般に用いられるＣｏ系磁性材料が用いられる。これらの
Ｃｏ系合金に更にＮｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、Ｂなど
の元素やＳｉＯ2 等の化合物を加えても良い。磁性膜の
膜厚は特に制限がないが、通常１０〜４０ｎｍの膜厚に
成膜される。
【００１６】通常の場合、磁性膜成膜後にカーボン等の
保護膜を形成し、その後潤滑剤を塗布するのが一般的で
ある。保護膜としては、蒸着、スパッタ、プラズマＣＶ
Ｄ、湿式法などの方法により、炭素膜、水素化あるいは
窒素化カーボン膜、ＳｉＣ等の炭化物膜、ＴｉＮ等の窒
化物膜、ＳｉＯ2 等の酸化物膜等が、通常５〜３０ｎｍ
の厚さで形成される。潤滑剤としては、フッ素系潤滑
剤、炭化水素系潤滑剤及びこれらの混合物等が、通常１
〜４ｎｍの厚さで形成される。
保護膜を形成し、その後潤滑剤を塗布するのが一般的で
ある。保護膜としては、蒸着、スパッタ、プラズマＣＶ
Ｄ、湿式法などの方法により、炭素膜、水素化あるいは
窒素化カーボン膜、ＳｉＣ等の炭化物膜、ＴｉＮ等の窒
化物膜、ＳｉＯ2 等の酸化物膜等が、通常５〜３０ｎｍ
の厚さで形成される。潤滑剤としては、フッ素系潤滑
剤、炭化水素系潤滑剤及びこれらの混合物等が、通常１
〜４ｎｍの厚さで形成される。
【００１７】なお、本発明の磁気記録媒体は、非磁性基
板上に、非磁性下地膜として、ＡｌＴｉ合金下地膜を設
けた後、Ｃｒを主成分とする下地膜、磁性膜を形成する
ことを特徴としており、上述した組み合わせを満たす限
り、磁性層を２種以上の積層構造としたもの、Ｃｒを主
成分とする下地層を複数層の積層構造としたもの、Ｃｒ
を主成分とする下地膜と磁性層との間に非磁性ＣｏＣｒ
等の中間層を設けて積層構造としたもの等であってもよ
い。
板上に、非磁性下地膜として、ＡｌＴｉ合金下地膜を設
けた後、Ｃｒを主成分とする下地膜、磁性膜を形成する
ことを特徴としており、上述した組み合わせを満たす限
り、磁性層を２種以上の積層構造としたもの、Ｃｒを主
成分とする下地層を複数層の積層構造としたもの、Ｃｒ
を主成分とする下地膜と磁性層との間に非磁性ＣｏＣｒ
等の中間層を設けて積層構造としたもの等であってもよ
い。
【００１８】非磁性基板上にこれらの下地膜、磁性層を
形成する成膜法としては、高周波又は直流スパッタリン
グ法、高周波又は直流マグネトロンスパッタリング法、
高周波と直流結合型スパッタリング法、ＥＣＲスパッタ
リング法、真空蒸着法などの物理的蒸着法であればいず
れの成膜方式でも良い。また、成膜時の条件としても特
に制限はなく、到達真空度、基板加熱の方式と基板温
度、スパッタリングガス圧、バイアス電圧等は、成膜装
置により適宜に決定される。例えば、スパッタリング成
膜では、通常の場合、到達真空度は１×１０-6Ｔｏｒｒ
以下、基板温度は室温〜４００℃、スパッタガス圧は１
×１０-3〜２０×１０-3Ｔｏｒｒ、バイアス電圧は０〜
５００Ｖで成膜される。
形成する成膜法としては、高周波又は直流スパッタリン
グ法、高周波又は直流マグネトロンスパッタリング法、
高周波と直流結合型スパッタリング法、ＥＣＲスパッタ
リング法、真空蒸着法などの物理的蒸着法であればいず
れの成膜方式でも良い。また、成膜時の条件としても特
に制限はなく、到達真空度、基板加熱の方式と基板温
度、スパッタリングガス圧、バイアス電圧等は、成膜装
置により適宜に決定される。例えば、スパッタリング成
膜では、通常の場合、到達真空度は１×１０-6Ｔｏｒｒ
以下、基板温度は室温〜４００℃、スパッタガス圧は１
×１０-3〜２０×１０-3Ｔｏｒｒ、バイアス電圧は０〜
５００Ｖで成膜される。
【００１９】上述した磁気記録媒体の製造にあたって
は、成膜装置の構成等を考慮し、最適な製造工程が決定
される。成膜に当たっては、磁性層のＣｒの偏析を促進
するために、一般に基板を５０〜３５０℃程度に加熱す
ることが好ましい。基板加熱は下地層成膜前に行っても
良いし、熱吸収率が低い透明な基板を使用する場合に
は、熱吸収率を高くするため、ＡｌＴｉ下地膜を成膜し
た後に、加熱しても良い。また、ＡｌＴｉ下地膜の上に
Ｃｒを主成分とする下地膜を形成してから、基板を加熱
し、しかる後に第二のＣｒを主成分とする下地膜を形成
しても良い。更に、ＡｌＴｉ膜を成膜した後、一旦大気
中に取り出し、再び成膜装置に挿入し、排気、基板加熱
後、磁性層を成膜することも可能である。
は、成膜装置の構成等を考慮し、最適な製造工程が決定
される。成膜に当たっては、磁性層のＣｒの偏析を促進
するために、一般に基板を５０〜３５０℃程度に加熱す
ることが好ましい。基板加熱は下地層成膜前に行っても
良いし、熱吸収率が低い透明な基板を使用する場合に
は、熱吸収率を高くするため、ＡｌＴｉ下地膜を成膜し
た後に、加熱しても良い。また、ＡｌＴｉ下地膜の上に
Ｃｒを主成分とする下地膜を形成してから、基板を加熱
し、しかる後に第二のＣｒを主成分とする下地膜を形成
しても良い。更に、ＡｌＴｉ膜を成膜した後、一旦大気
中に取り出し、再び成膜装置に挿入し、排気、基板加熱
後、磁性層を成膜することも可能である。
【００２０】
【作用】本発明に従って、非磁性基板上に、非磁性下地
層として、ＡｌＴｉ合金下地層膜を設けた後、Ｃｒを主
成分とする下地膜を形成することにより、結晶配向の優
れた磁性層が得られる。これにより、磁気記録媒体の保
磁力は大幅に向上する。
層として、ＡｌＴｉ合金下地層膜を設けた後、Ｃｒを主
成分とする下地膜を形成することにより、結晶配向の優
れた磁性層が得られる。これにより、磁気記録媒体の保
磁力は大幅に向上する。
【００２１】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。 実施例１ 内径２５ｍｍ、外形９５ｍｍのガラスディスクの基板表
面を研磨してＲａ（中心線平均粗さ）約０．５ｎｍに仕
上げた。この非磁性基板を直流マグネトロンスパッタ装
置の前室に装着して排気し、同時に２５０℃まで加熱し
た。真空圧が７×１０-5Ｔｏｒｒ以下に到達した後、真
空圧が７×１０-7Ｔｏｒｒ以下の高真空成膜室に導入し
て、５０Ａｌ−５０Ｔｉ（原子％）のＡｌＴｉ合金下地
膜を１００ｎｍ成膜し、その後、基板温度を３００℃ま
で昇温し、その上にＣｒ下地膜を６０ｎｍ形成した。そ
して引き続き、７６Ｃｏ−１５Ｃｒ−６Ｐｔ−２Ｔａ−
１Ｗ（原子％）のＣｏＣｒＰｔＴａＷ磁性膜を２０ｎｍ
成膜することにより、残留磁化（Ｂｒ）と膜厚（ｔ）の
積であるＢｒ・ｔが８５（Ｇ・μｍ）の試料を作製し
た。得られた磁気記録媒体の保磁力Ｈｃを測定し、結果
を表１に示した。尚、保磁力の測定は、試料振動式磁力
計で行った。
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。 実施例１ 内径２５ｍｍ、外形９５ｍｍのガラスディスクの基板表
面を研磨してＲａ（中心線平均粗さ）約０．５ｎｍに仕
上げた。この非磁性基板を直流マグネトロンスパッタ装
置の前室に装着して排気し、同時に２５０℃まで加熱し
た。真空圧が７×１０-5Ｔｏｒｒ以下に到達した後、真
空圧が７×１０-7Ｔｏｒｒ以下の高真空成膜室に導入し
て、５０Ａｌ−５０Ｔｉ（原子％）のＡｌＴｉ合金下地
膜を１００ｎｍ成膜し、その後、基板温度を３００℃ま
で昇温し、その上にＣｒ下地膜を６０ｎｍ形成した。そ
して引き続き、７６Ｃｏ−１５Ｃｒ−６Ｐｔ−２Ｔａ−
１Ｗ（原子％）のＣｏＣｒＰｔＴａＷ磁性膜を２０ｎｍ
成膜することにより、残留磁化（Ｂｒ）と膜厚（ｔ）の
積であるＢｒ・ｔが８５（Ｇ・μｍ）の試料を作製し
た。得られた磁気記録媒体の保磁力Ｈｃを測定し、結果
を表１に示した。尚、保磁力の測定は、試料振動式磁力
計で行った。
【００２２】実施例２ Ｃｒ下地膜６０ｎｍを設ける代わりに、９０Ｃｒ−１０
Ｔｉ（原子％）のＣｒＴｉ合金下地膜を６０ｎｍ形成し
た以外は実施例１と全く同様に磁気記録媒体を作製し、
保磁力を測定した。結果を表１に示す。
Ｔｉ（原子％）のＣｒＴｉ合金下地膜を６０ｎｍ形成し
た以外は実施例１と全く同様に磁気記録媒体を作製し、
保磁力を測定した。結果を表１に示す。
【００２３】実施例３ 実施例１と同様のガラス基板を用い、２５０℃、７×１
０-7Ｔｏｒｒ以下で、５０Ａｌ−５０Ｔｉ（原子％）の
ＡｌＴｉ合金下地膜を６０ｎｍ成膜し、その上に９０Ｃ
ｒ−１０Ｔｉ（原子％）のＣｒＴｉ合金下地膜を６０ｎ
ｍ形成した。その後、基板温度を３００℃まで昇温し、
再び９０Ｃｒ−１０Ｔｉ（原子％）のＣｒＴｉ合金下地
膜（以下、第二のＣｒＴｉ合金下地膜という。）を６０
ｎｍ形成した。次いで、実施例１と全く同様に磁気記録
媒体を作製し、保磁力を測定した。結果を表１に示す。
０-7Ｔｏｒｒ以下で、５０Ａｌ−５０Ｔｉ（原子％）の
ＡｌＴｉ合金下地膜を６０ｎｍ成膜し、その上に９０Ｃ
ｒ−１０Ｔｉ（原子％）のＣｒＴｉ合金下地膜を６０ｎ
ｍ形成した。その後、基板温度を３００℃まで昇温し、
再び９０Ｃｒ−１０Ｔｉ（原子％）のＣｒＴｉ合金下地
膜（以下、第二のＣｒＴｉ合金下地膜という。）を６０
ｎｍ形成した。次いで、実施例１と全く同様に磁気記録
媒体を作製し、保磁力を測定した。結果を表１に示す。
【００２４】実施例４ 第二のＣｒＴｉ合金下地膜６０ｎｍを設ける代わりに、
９３Ｃｒ−７Ｔａ（原子％）のＣｒＴａ合金下地膜を６
０ｎｍ形成した以外は実施例３と全く同様に磁気記録媒
体を作製し、保磁力を測定した。結果を表１に示す。
９３Ｃｒ−７Ｔａ（原子％）のＣｒＴａ合金下地膜を６
０ｎｍ形成した以外は実施例３と全く同様に磁気記録媒
体を作製し、保磁力を測定した。結果を表１に示す。
【００２５】比較例１ ＡｌＴｉ合金下地膜１００ｎｍを設ける代わりに、Ｃｒ
下地膜を１００ｎｍ形成した以外は実施例１と全く同様
に磁気記録媒体を作製し、保磁力を測定した。結果を表
１に示す。
下地膜を１００ｎｍ形成した以外は実施例１と全く同様
に磁気記録媒体を作製し、保磁力を測定した。結果を表
１に示す。
【００２６】比較例２ ＡｌＴｉ合金下地膜１００ｎｍを設ける代わりに、９０
Ｃｒ−１０Ｔｉ（原子％）のＣｒＴｉ合金下地膜を１０
０ｎｍ形成した以外は実施例２と全く同様に磁気記録媒
体を作製し、保磁力を測定した。結果を表１に示す。
Ｃｒ−１０Ｔｉ（原子％）のＣｒＴｉ合金下地膜を１０
０ｎｍ形成した以外は実施例２と全く同様に磁気記録媒
体を作製し、保磁力を測定した。結果を表１に示す。
【００２７】
【表１】 表１ ─────────────────────────────────── 膜構成 保磁力（Ｏｅ） ─────────────────────────────────── 実施例１ 基板／ＡｌＴｉ／Ｃｒ ／磁性層 ２３００ (100nm) (60nm） 実施例２ 基板／ＡｌＴｉ／ＣｒＴｉ／磁性層 ２３２５ (100nm) (60nm） 実施例３ 基板／ＡｌＴｉ／ＣｒＴｉ／ＣｒＴｉ／磁性層 ２５１３ (60nm) (60nm) (60nm） 実施例４ 基板／ＡｌＴｉ／ＣｒＴｉ／ＣｒＴａ／磁性層 ２６４３ (60nm) (60nm) (60nm） 比較例１ 基板／Ｃｒ ／Ｃｒ ／磁性層 ２０７５ (100nm) (60nm） 比較例２ 基板／ＣｒＴｉ／ＣｒＴｉ／磁性層 ２０７５ (100nm) (60nm） ───────────────────────────────────
【００２８】
【発明の効果】本発明の磁気記録媒体によれば、従来の
構成の磁気記録媒体に比べ、著しく高い保磁力を示し、
高密度記録に適した磁気記録媒体が提供される。
構成の磁気記録媒体に比べ、著しく高い保磁力を示し、
高密度記録に適した磁気記録媒体が提供される。
Claims (5)
- 【請求項１】 非磁性基板上に少なくとも非磁性下地
膜、磁性膜を形成した磁気記録媒体において、非磁性下
地膜として、基板側からＡｌＴｉ合金下地膜、Ｃｒを主
成分とする下地膜の順に設けたことを特徴とする磁気記
録媒体。 - 【請求項２】 Ｃｒを主成分とする下地膜が、Ｃｒ−Ｍ
系合金（ＭはＴｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｓｉ、Ｎｂ、
Ｚｒ、Ｂ及びＨｆから選ばれる１種又は２種以上の元
素）からなることを特徴とする請求項１記載の磁気記録
媒体。 - 【請求項３】 Ｃｒを主成分とする下地膜が、ＣｒＴｉ
合金からなることを特徴とする請求項２記載の磁気記録
媒体。 - 【請求項４】 非磁性下地膜として、基板側からＡｌＴ
ｉ合金下地膜、ＣｒＴｉ合金下地膜、ＣｒＴａ合金下地
膜の順に設けたことを特徴とする請求項１ないし３いず
れかに磁気記録媒体。 - 【請求項５】 非磁性基板がガラス基板であることを特
徴とする請求項１ないし４いずれかに記載の磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1674798A JPH11213371A (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1674798A JPH11213371A (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11213371A true JPH11213371A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=11924874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1674798A Pending JPH11213371A (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11213371A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6428906B1 (en) * | 2000-05-30 | 2002-08-06 | Maxtor Corporation | Magnetic recording media having a layered structure for perpendicular magnetization of a recording layer |
| US6586116B1 (en) * | 2000-02-09 | 2003-07-01 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Nonmetallic thin film magnetic recording disk with pre-seed layer |
| KR100733781B1 (ko) | 2005-04-30 | 2007-07-02 | 고려대학교 산학협력단 | ＴｉｘＡｌ１－ｘ（０＜Ｘ＜１）을 하지층 또는 상지층으로사용한 다층 구조를 지닌 소자 |
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| USRE41282E1 (en) | 2001-08-31 | 2010-04-27 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and a method of manufacturing the same |
| KR101094456B1 (ko) | 2009-11-30 | 2011-12-15 | 고려대학교 산학협력단 | 수직 자기 기록 매체 및 그 제조 방법 |
| US8252152B2 (en) | 2001-12-07 | 2012-08-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and method of manufacturing the same and product thereof |
-
1998
- 1998-01-29 JP JP1674798A patent/JPH11213371A/ja active Pending
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