JP2000057554A - 磁気ディスク - Google Patents
磁気ディスクInfo
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- JP2000057554A JP2000057554A JP10231367A JP23136798A JP2000057554A JP 2000057554 A JP2000057554 A JP 2000057554A JP 10231367 A JP10231367 A JP 10231367A JP 23136798 A JP23136798 A JP 23136798A JP 2000057554 A JP2000057554 A JP 2000057554A
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- Japan
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- disk
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度記録が可能で保磁力に優れ信頼性の高
い磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 表面に同心状テキスチャリングを施して
ある非磁性基板上に少なくとも下地層、磁性層を有する
磁気ディスクであって、該基板上に磁性層における磁性
粒子の磁化容易軸をディスク円周方向へ配向しうる第１
の下地層、磁性層における磁性粒子の磁化容易軸をディ
スク半径方向へ配向しうる第２の下地層をこの順に積層
してなる磁気ディスク。
い磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 表面に同心状テキスチャリングを施して
ある非磁性基板上に少なくとも下地層、磁性層を有する
磁気ディスクであって、該基板上に磁性層における磁性
粒子の磁化容易軸をディスク円周方向へ配向しうる第１
の下地層、磁性層における磁性粒子の磁化容易軸をディ
スク半径方向へ配向しうる第２の下地層をこの順に積層
してなる磁気ディスク。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスクに存し、特
に保磁力の高い磁気ディスクに存する。
に保磁力の高い磁気ディスクに存する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスクは一般的に、必要に応じて
ＮｉＰ層を設けたＡｌ−Ｍｇ合金等のＡｌ合金基板上
に、スパッタリング法等により、Ｃｒ等の下地層、Ｃｏ
合金を含む磁性層及びＣなどを主成分とする保護層をこ
の順に積層する。又このとき、基板表面（ＮｉＰ層があ
ればＮｉＰ層表面）にダイアモンドスラリーなどを利用
して同心状の機械式テキスチャリングを施して使用する
ことが多い。これは、適度な表面粗さを与えることによ
って、媒体とヘッドとの間の摩擦特性を改善することが
できることと、この同心状のテキスチャリング構造に沿
ってＣｒ膜の結晶面が特定の方向に配向することによ
り、その上に形成されるＣｏ系合金磁性層の結晶構造を
も支配して、結果的に磁性層における磁性粒子の磁化容
易軸の方向をディスク円周方向に向けることができると
いう理由による。磁化容易軸がディスク円周方向に向い
ていることにより、媒体の記録再生特性を向上させるこ
とができる。
ＮｉＰ層を設けたＡｌ−Ｍｇ合金等のＡｌ合金基板上
に、スパッタリング法等により、Ｃｒ等の下地層、Ｃｏ
合金を含む磁性層及びＣなどを主成分とする保護層をこ
の順に積層する。又このとき、基板表面（ＮｉＰ層があ
ればＮｉＰ層表面）にダイアモンドスラリーなどを利用
して同心状の機械式テキスチャリングを施して使用する
ことが多い。これは、適度な表面粗さを与えることによ
って、媒体とヘッドとの間の摩擦特性を改善することが
できることと、この同心状のテキスチャリング構造に沿
ってＣｒ膜の結晶面が特定の方向に配向することによ
り、その上に形成されるＣｏ系合金磁性層の結晶構造を
も支配して、結果的に磁性層における磁性粒子の磁化容
易軸の方向をディスク円周方向に向けることができると
いう理由による。磁化容易軸がディスク円周方向に向い
ていることにより、媒体の記録再生特性を向上させるこ
とができる。
【０００３】又、耐衝撃性、表面平滑性などの面から、
Ａｌ合金基板に代わりガラス、シリコン、チタンなどの
代替基板が使用され始めている。これらの代替基板にお
いても、基板表面にＮｉＰなどの金属層を形成した後に
同様の機械式テキスチャリングを施すことができ、摩擦
特性や磁化容易軸方向の制御などに同様の効果を得るこ
とができる。
Ａｌ合金基板に代わりガラス、シリコン、チタンなどの
代替基板が使用され始めている。これらの代替基板にお
いても、基板表面にＮｉＰなどの金属層を形成した後に
同様の機械式テキスチャリングを施すことができ、摩擦
特性や磁化容易軸方向の制御などに同様の効果を得るこ
とができる。
【０００４】さらにはＣｒに代えてＣｒＴａを下地層に
用いることで、Ｃｏ系合金磁性層との結晶格子定数のマ
ッチングが改善され、磁性層のエピタキシャル成長がよ
り有利になる。つまり、等方媒体においては、ＣｒＴａ
下地層を用いた媒体が、Ｃｒ下地層を用いた媒体に比べ
て、非常に高い保磁力を実現することが可能となってい
る。
用いることで、Ｃｏ系合金磁性層との結晶格子定数のマ
ッチングが改善され、磁性層のエピタキシャル成長がよ
り有利になる。つまり、等方媒体においては、ＣｒＴａ
下地層を用いた媒体が、Ｃｒ下地層を用いた媒体に比べ
て、非常に高い保磁力を実現することが可能となってい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし本発明者らが検
討した結果、このようにＣｒＴａ層を下地層として設け
ると、磁性層の磁化容易軸はディスク円周方向に配向せ
ず、むしろ半径方向に配向し、磁気ディスクの円周方向
の保磁力が半径方向の保磁力より低くなり、磁気ディス
クとして充分な性能を有するものではなかった。
討した結果、このようにＣｒＴａ層を下地層として設け
ると、磁性層の磁化容易軸はディスク円周方向に配向せ
ず、むしろ半径方向に配向し、磁気ディスクの円周方向
の保磁力が半径方向の保磁力より低くなり、磁気ディス
クとして充分な性能を有するものではなかった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は表面に同心状の
テキスチャリングを施した基板上に磁性層の磁化容易軸
をディスク円周方向へ配向させる下地層、例えばＣｒ又
はＣｒＴｉ合金下地層を設けてからＣｒＴａ下地層を組
合わせて設けることで高保磁力を実現すると同時に磁性
層の磁化容易軸をディスク円周方向へ配向させた磁気デ
ィスクに存する。
テキスチャリングを施した基板上に磁性層の磁化容易軸
をディスク円周方向へ配向させる下地層、例えばＣｒ又
はＣｒＴｉ合金下地層を設けてからＣｒＴａ下地層を組
合わせて設けることで高保磁力を実現すると同時に磁性
層の磁化容易軸をディスク円周方向へ配向させた磁気デ
ィスクに存する。
【０００７】本発明は、かかる観点から、鋭意検討した
結果なされたもので、表面に同心状テキスチャリングを
施した非磁性基板上に、Ｃｒ又はＣｒＴｉ合金である第
１の下地層薄膜、ＣｒＴａ等のＣｒ合金である第２の下
地層、および、Ｃｏ系磁性薄膜を順次積層した磁気ディ
スクを提供するものである。
結果なされたもので、表面に同心状テキスチャリングを
施した非磁性基板上に、Ｃｒ又はＣｒＴｉ合金である第
１の下地層薄膜、ＣｒＴａ等のＣｒ合金である第２の下
地層、および、Ｃｏ系磁性薄膜を順次積層した磁気ディ
スクを提供するものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の磁気ディスクを製造する
ときは、一般に非磁性基板上に、又は必要に応じてＮｉ
Ｐ等の非磁性金属被覆膜を形成した後、機械的に同心状
テキスチャリングを施す。テキスチャリングの方法は任
意であるから、例えば機械式テキスチャリングがある
が、これは研磨テープ、アルミナスラリー、ダイアモン
ドスラリーなどを用いて基板円周方向に沿った溝状のテ
キスチャリングを施すものである。
ときは、一般に非磁性基板上に、又は必要に応じてＮｉ
Ｐ等の非磁性金属被覆膜を形成した後、機械的に同心状
テキスチャリングを施す。テキスチャリングの方法は任
意であるから、例えば機械式テキスチャリングがある
が、これは研磨テープ、アルミナスラリー、ダイアモン
ドスラリーなどを用いて基板円周方向に沿った溝状のテ
キスチャリングを施すものである。
【０００９】非磁性基板としては、アルミニウム系基板
を用いることができる。アルミニウム系基板とはアルミ
ニウムを主成分とした合金等を材料とした基板を意味す
る。また、非磁性代替基板を用いることもできる。非磁
性代替基板とは、アルミニウム系基板以外のあらゆる非
磁性基板を含む。また代替基板の例をあげれば、通常の
ソーダガラス、アルミノシリケート系ガラス、シリコ
ン、チタン、セラミクス、各種樹脂などである。
を用いることができる。アルミニウム系基板とはアルミ
ニウムを主成分とした合金等を材料とした基板を意味す
る。また、非磁性代替基板を用いることもできる。非磁
性代替基板とは、アルミニウム系基板以外のあらゆる非
磁性基板を含む。また代替基板の例をあげれば、通常の
ソーダガラス、アルミノシリケート系ガラス、シリコ
ン、チタン、セラミクス、各種樹脂などである。
【００１０】磁気ディスクの製造工程においては、まず
基板の洗浄・乾燥が行われるのが通常であり、本発明に
おいても膜の密着性を確保する見地からも金属被覆膜の
形成前に洗浄・乾燥が行われることが望ましい。次い
で、非磁性基板には、テキスチャリングに先立って、一
般にＮｉＰ等の非磁性金属被覆膜が形成される。
基板の洗浄・乾燥が行われるのが通常であり、本発明に
おいても膜の密着性を確保する見地からも金属被覆膜の
形成前に洗浄・乾燥が行われることが望ましい。次い
で、非磁性基板には、テキスチャリングに先立って、一
般にＮｉＰ等の非磁性金属被覆膜が形成される。
【００１１】非磁性金属被覆膜を形成する手法として
は、無電解めっき法、スパッタリング法、真空蒸着法、
ＣＶＤ法など薄膜形成に用いられる方法を利用すること
ができる。導電性の材料からなる基板の場合であれば電
解めっきを使用することが可能である。非磁性金属被覆
膜の膜厚は５０ｎｍ以上あればよい。ただし、磁気ディ
スク媒体の生産性などを考慮すると５０ｎｍ以上５００
ｎｍ以下であることが好ましい。さらに好ましくは５０
ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。
は、無電解めっき法、スパッタリング法、真空蒸着法、
ＣＶＤ法など薄膜形成に用いられる方法を利用すること
ができる。導電性の材料からなる基板の場合であれば電
解めっきを使用することが可能である。非磁性金属被覆
膜の膜厚は５０ｎｍ以上あればよい。ただし、磁気ディ
スク媒体の生産性などを考慮すると５０ｎｍ以上５００
ｎｍ以下であることが好ましい。さらに好ましくは５０
ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。
【００１２】また、非磁性金属被覆膜を成膜する領域
は、基板表面全域が望ましいが、機械的テキスチャリン
グを施す領域のみでも実施可能である。非磁性金属被覆
膜が形成された非磁性基板は同心状テキスチャリングが
施される。本発明において同心状テキスチャリングと
は、砥粒を使用して円周方向に研磨することによって基
板円周方向に微小溝を多数形成した状態を指称する。ま
た、表面の機械的なテキスチャリング加工に加えてレー
ザー光線などを利用したテキスチャリング加工などを併
用することもできる。
は、基板表面全域が望ましいが、機械的テキスチャリン
グを施す領域のみでも実施可能である。非磁性金属被覆
膜が形成された非磁性基板は同心状テキスチャリングが
施される。本発明において同心状テキスチャリングと
は、砥粒を使用して円周方向に研磨することによって基
板円周方向に微小溝を多数形成した状態を指称する。ま
た、表面の機械的なテキスチャリング加工に加えてレー
ザー光線などを利用したテキスチャリング加工などを併
用することもできる。
【００１３】同心状テキスチャリングは遊離砥粒とテキ
スチャーテープを用いて行なうことができる。機械的テ
キスチャリングを施すための遊離砥粒の種類としてはダ
イアモンド砥粒が最も好ましい。機械的テキスチャリン
グに用いられる砥粒としては他にアルミナ砥粒が広く用
いられているが、特にテキスチャリング溝に沿って磁化
容易軸を配向させるという観点から考えるとダイアモン
ド砥粒が極めて良い性能を発揮する。この原因について
は現在のところ明確にはなっていないが、極めて再現性
の良い結果が得られている。
スチャーテープを用いて行なうことができる。機械的テ
キスチャリングを施すための遊離砥粒の種類としてはダ
イアモンド砥粒が最も好ましい。機械的テキスチャリン
グに用いられる砥粒としては他にアルミナ砥粒が広く用
いられているが、特にテキスチャリング溝に沿って磁化
容易軸を配向させるという観点から考えるとダイアモン
ド砥粒が極めて良い性能を発揮する。この原因について
は現在のところ明確にはなっていないが、極めて再現性
の良い結果が得られている。
【００１４】基板の表面は、表面粗さ（Ｒａ）がどのよ
うな値をとっても本発明の効果には基本的には影響ない
が、ヘッド浮上量ができるだけ小さいことが高密度磁気
記録の実現には有効であり、またこれら基板の特徴のひ
とつが優れた表面平滑性にあることから、基板のＲａは
２０オングストローム以下であることが好ましい。さら
に好ましくは１０オングストローム以下である。特に好
ましくは７オングストローム以下である。ただし、ここ
でＲａの決定は、触針式表面粗さ計を用いて測定した場
合を想定している。このとき測定用の針の先端は半径
０．２μｍ程度の大きさのものが使用される。
うな値をとっても本発明の効果には基本的には影響ない
が、ヘッド浮上量ができるだけ小さいことが高密度磁気
記録の実現には有効であり、またこれら基板の特徴のひ
とつが優れた表面平滑性にあることから、基板のＲａは
２０オングストローム以下であることが好ましい。さら
に好ましくは１０オングストローム以下である。特に好
ましくは７オングストローム以下である。ただし、ここ
でＲａの決定は、触針式表面粗さ計を用いて測定した場
合を想定している。このとき測定用の針の先端は半径
０．２μｍ程度の大きさのものが使用される。
【００１５】同心状テキスチャリングが行なわれた非磁
性基板上に磁性層における磁性粒子の磁化容易軸をディ
スクの円周方向へ配向しうる第１の下地層と第２の下地
層を順次形成し、磁性層を形成する。第１の下地層とし
ては、例えばＣｒ又はＣｒＴｉ合金が挙げられる。Ｃｒ
Ｔｉ合金として具体的にはＣｒとＴｉの原子比が１０
０：０〜７０：３０、好ましくは９９：５〜８０：２０
である。又、純ＣｒやＣｒＴｉのみからなる合金に、第
２の下地層との結晶マッチングなどの目的でＶ、Ｍｏ、
Ｚｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｃｕなどの第二、第三元
素を添加したものや、酸化Ｃｒなどを含んでもよい。こ
れら第二、第三元素の含有量はそれぞれの元素によって
最適な量が異なるが、一般には１原子％〜５０原子％、
好ましくは５原子％〜３０原子％、さらに好ましくは５
原子％〜２０原子％の範囲である。
性基板上に磁性層における磁性粒子の磁化容易軸をディ
スクの円周方向へ配向しうる第１の下地層と第２の下地
層を順次形成し、磁性層を形成する。第１の下地層とし
ては、例えばＣｒ又はＣｒＴｉ合金が挙げられる。Ｃｒ
Ｔｉ合金として具体的にはＣｒとＴｉの原子比が１０
０：０〜７０：３０、好ましくは９９：５〜８０：２０
である。又、純ＣｒやＣｒＴｉのみからなる合金に、第
２の下地層との結晶マッチングなどの目的でＶ、Ｍｏ、
Ｚｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｃｕなどの第二、第三元
素を添加したものや、酸化Ｃｒなどを含んでもよい。こ
れら第二、第三元素の含有量はそれぞれの元素によって
最適な量が異なるが、一般には１原子％〜５０原子％、
好ましくは５原子％〜３０原子％、さらに好ましくは５
原子％〜２０原子％の範囲である。
【００１６】第１の下地層の膜厚は、非磁性基板のテク
スチャーの平均粗さ（Ｒａ）以上の厚さであればよい
が、５〜１０００Å、好ましくは磁気記録媒体の高記録
密度化を考慮し、１０〜３００Åである。また、ＣｒＴ
ｉ膜を用いる場合には、ＣｒＴｉ層の成膜にあたり、基
板に適宜なバイアス電圧を印加してＣｒＴｉ合金層を形
成した方が、磁性層の磁化容易軸をディスク円周方向へ
配向させる意味において好ましい。
スチャーの平均粗さ（Ｒａ）以上の厚さであればよい
が、５〜１０００Å、好ましくは磁気記録媒体の高記録
密度化を考慮し、１０〜３００Åである。また、ＣｒＴ
ｉ膜を用いる場合には、ＣｒＴｉ層の成膜にあたり、基
板に適宜なバイアス電圧を印加してＣｒＴｉ合金層を形
成した方が、磁性層の磁化容易軸をディスク円周方向へ
配向させる意味において好ましい。
【００１７】第１の下地層の上に積層される第二下地層
は、磁性層における磁性粒子の磁化容易軸をディスクの
半径方向へ配向しうるものであり、具体的には、例えば
ＣｒＴａ合金などが挙げられる。ＣｒＴａ合金層として
は、体心立方体の構造を有するようにＴａ含有率が１〜
２０原子％、さらにはその上に形成する磁性層との格子
定数のよりよいマッチングを持つように、５〜１５原子
％とするのが好ましい。膜厚は、磁気記録媒体の電磁特
性等の要求に応じ適宜決定されるが、通常は５０〜１０
００Å、好ましくは１００〜８００Å、さらに好ましく
は２００〜６００Åの範囲で使用される。
は、磁性層における磁性粒子の磁化容易軸をディスクの
半径方向へ配向しうるものであり、具体的には、例えば
ＣｒＴａ合金などが挙げられる。ＣｒＴａ合金層として
は、体心立方体の構造を有するようにＴａ含有率が１〜
２０原子％、さらにはその上に形成する磁性層との格子
定数のよりよいマッチングを持つように、５〜１５原子
％とするのが好ましい。膜厚は、磁気記録媒体の電磁特
性等の要求に応じ適宜決定されるが、通常は５０〜１０
００Å、好ましくは１００〜８００Å、さらに好ましく
は２００〜６００Åの範囲で使用される。
【００１８】その上に形成される磁性層の材料として
は、通常用いられる磁気ディスク用材料であれば任意の
ものを用いることができる。例えば、Ｃｏ、ＣｏＮｉＣ
ｒ、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒ
ＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＮｉＰｔ、ＣｏＮｉＣ
ｒＢＴａ、ＣｏＳｍなどの合金等が挙げられる。これら
のＣｏ系合金に更にＮｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、Ｂな
どの元素やＳｉＯ2 等の化合物を加えても良い。磁性層
の膜厚は特に制限がないが、通常５０〜４００Åの膜厚
に成膜される。
は、通常用いられる磁気ディスク用材料であれば任意の
ものを用いることができる。例えば、Ｃｏ、ＣｏＮｉＣ
ｒ、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒ
ＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＮｉＰｔ、ＣｏＮｉＣ
ｒＢＴａ、ＣｏＳｍなどの合金等が挙げられる。これら
のＣｏ系合金に更にＮｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、Ｂな
どの元素やＳｉＯ2 等の化合物を加えても良い。磁性層
の膜厚は特に制限がないが、通常５０〜４００Åの膜厚
に成膜される。
【００１９】第１と第２の下地層の膜厚の比は１：１〜
０．０１：１、好ましくは１：１〜０．３：１である。
本発明の磁気ディスクの最上部には任意の保護層を施し
てもよい。保護層の材料としてはＣ、ＳｉＯ2 、Ｚｒ2
Ｏ3 など、通常用いられる保護層材料であれば任意のも
のを用いることができる。また、保護層が２層以上の膜
から構成されていてもよい。さらに保護層の上部には任
意の潤滑剤を塗布するのが一般的であり、任意の潤滑剤
を用いることができるが、通常フッ素系潤滑剤が多く用
いられる。
０．０１：１、好ましくは１：１〜０．３：１である。
本発明の磁気ディスクの最上部には任意の保護層を施し
てもよい。保護層の材料としてはＣ、ＳｉＯ2 、Ｚｒ2
Ｏ3 など、通常用いられる保護層材料であれば任意のも
のを用いることができる。また、保護層が２層以上の膜
から構成されていてもよい。さらに保護層の上部には任
意の潤滑剤を塗布するのが一般的であり、任意の潤滑剤
を用いることができるが、通常フッ素系潤滑剤が多く用
いられる。
【００２０】本発明の様な２つの下地層を組合せて設け
る、つまり第２の下地層、好ましくはＣｒＴａ合金層の
直下に、第１の下地層、好ましくはＣｒ又はＣｒＴｉ合
金層を設けることにより、この第１の下地層は基板上の
テキスチャ溝方向に沿って結晶配向し、引き続き積層さ
れる第２の下地層の結晶成長を制御し、ひいては磁性層
の磁化容易軸を円周方向に配向することを実現させる効
果を有する。
る、つまり第２の下地層、好ましくはＣｒＴａ合金層の
直下に、第１の下地層、好ましくはＣｒ又はＣｒＴｉ合
金層を設けることにより、この第１の下地層は基板上の
テキスチャ溝方向に沿って結晶配向し、引き続き積層さ
れる第２の下地層の結晶成長を制御し、ひいては磁性層
の磁化容易軸を円周方向に配向することを実現させる効
果を有する。
【００２１】媒体を形成する際、該代替基板は樹脂基板
など耐熱性のないものを除いて加熱してもよい。また、
表面の機械的なテキスチャリング加工に加えてレーザー
光線などを利用したテキスチャリング加工などを媒体表
面の一部に限って併用しても本発明の効果になんら影響
はない。磁気ディスクを形成する成膜方法は直流スパッ
タリング法、高周波スパッタリング法、真空蒸着法など
の物理的蒸着法やＣＶＤ等の化学的蒸着法が一般的であ
る。成膜はそれぞれ真空チャンバ内圧力、基板温度、放
電出力、基板に印加するバイアス電圧などの成膜条件を
適宜選択すればよい。基板への電圧印加はあらかじめ成
膜した導電性の膜に対して電圧を印加することとなる。
基板バイアス電圧の値は目的とする媒体の特性にあわせ
て任意に設定できるが、通常数百ボルト程度である。ま
た、成膜時に基板を加熱するなど、基板温度を変化させ
ることも可能である。
など耐熱性のないものを除いて加熱してもよい。また、
表面の機械的なテキスチャリング加工に加えてレーザー
光線などを利用したテキスチャリング加工などを媒体表
面の一部に限って併用しても本発明の効果になんら影響
はない。磁気ディスクを形成する成膜方法は直流スパッ
タリング法、高周波スパッタリング法、真空蒸着法など
の物理的蒸着法やＣＶＤ等の化学的蒸着法が一般的であ
る。成膜はそれぞれ真空チャンバ内圧力、基板温度、放
電出力、基板に印加するバイアス電圧などの成膜条件を
適宜選択すればよい。基板への電圧印加はあらかじめ成
膜した導電性の膜に対して電圧を印加することとなる。
基板バイアス電圧の値は目的とする媒体の特性にあわせ
て任意に設定できるが、通常数百ボルト程度である。ま
た、成膜時に基板を加熱するなど、基板温度を変化させ
ることも可能である。
【００２２】又、下地層等を成膜した後、いったん大気
中に取り出し、再び成膜装置に挿入し、排気、基板加熱
後、磁性層を成膜してもよい。一般的には第１の下地
層、第２の下地層、磁性層及び保護層等を連続スパッタ
リング成膜して製造する。この場合には、インライン装
置などのスパッタリング装置を利用して大量生産を図り
製品のコストダウンが可能である。
中に取り出し、再び成膜装置に挿入し、排気、基板加熱
後、磁性層を成膜してもよい。一般的には第１の下地
層、第２の下地層、磁性層及び保護層等を連続スパッタ
リング成膜して製造する。この場合には、インライン装
置などのスパッタリング装置を利用して大量生産を図り
製品のコストダウンが可能である。
【００２３】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。 実施例１ ＮｉＰめっきを施したＡｌ−Ｍｇ合金基板（半径９５ｍ
ｍ）に機械式テキスチャリングを施し、この上に直流ス
パッタリング法を用いて各層を形成した。このとき機械
式テキスチャリング加工後の基板表面粗さは１０Å［Ｒ
ａ］とした。
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。 実施例１ ＮｉＰめっきを施したＡｌ−Ｍｇ合金基板（半径９５ｍ
ｍ）に機械式テキスチャリングを施し、この上に直流ス
パッタリング法を用いて各層を形成した。このとき機械
式テキスチャリング加工後の基板表面粗さは１０Å［Ｒ
ａ］とした。
【００２４】この基板を直流マグネトロンスパッタ装置
の前室に装着して排気し、同時に１５０℃まで加熱し
た。真空圧が７×１０-5Ｔｏｒｒ以下に到達した後、真
空圧が７×１０-7Ｔｏｒｒ以下の高真空成膜室に導入し
て、基板温度を２８０℃まで昇温し、その後、Ｃｒ膜を
２０Å、Ｃｒ92.8−Ｔａ7.2 （原子％）合金下地膜を６
００Å、Ｃｏ76−Ｃｒ15−Ｔａ2 −Ｗ1 −Ｐｔ6 （原子
％）合金膜を２００Å形成した。なお各層の成膜にあた
っては、基板に対してバイアス電圧を印加しなかった。
の前室に装着して排気し、同時に１５０℃まで加熱し
た。真空圧が７×１０-5Ｔｏｒｒ以下に到達した後、真
空圧が７×１０-7Ｔｏｒｒ以下の高真空成膜室に導入し
て、基板温度を２８０℃まで昇温し、その後、Ｃｒ膜を
２０Å、Ｃｒ92.8−Ｔａ7.2 （原子％）合金下地膜を６
００Å、Ｃｏ76−Ｃｒ15−Ｔａ2 −Ｗ1 −Ｐｔ6 （原子
％）合金膜を２００Å形成した。なお各層の成膜にあた
っては、基板に対してバイアス電圧を印加しなかった。
【００２５】こうして作成された磁気ディスクの静磁気
特性を測定し、その結果を表１に示した。ここで、Ｈｃ
とＨｃ′はそれぞれディスクの半径３０ｍｍにおけるデ
ィスク面内の円周方向と半径方向に測定したときの保磁
力である。また、ＯＲはディスク面内の保磁力比を表す
もので、Ｈｃ／Ｈｃ′で定義される。一般にＯＲが大き
いほど磁気ディスクの記録再生特性に優れていると考え
られる。尚、保磁力の測定は、試料振動式磁力計で行っ
た。
特性を測定し、その結果を表１に示した。ここで、Ｈｃ
とＨｃ′はそれぞれディスクの半径３０ｍｍにおけるデ
ィスク面内の円周方向と半径方向に測定したときの保磁
力である。また、ＯＲはディスク面内の保磁力比を表す
もので、Ｈｃ／Ｈｃ′で定義される。一般にＯＲが大き
いほど磁気ディスクの記録再生特性に優れていると考え
られる。尚、保磁力の測定は、試料振動式磁力計で行っ
た。
【００２６】実施例２ Ｃｒ膜厚を５０Åとした以外は実施例１と同様に磁気デ
ィスクを作製し、ディスク面内の円周方向と半径方向の
保磁力をそれぞれ測定した。結果を表１に示す。 実施例３ Ｃｒ膜厚を１００Åとした以外は実施例１と同様に磁気
ディスクを作製し、ディスク面内の円周方向と半径方向
の保磁力をそれぞれ測定した。結果を表１に示す。
ィスクを作製し、ディスク面内の円周方向と半径方向の
保磁力をそれぞれ測定した。結果を表１に示す。 実施例３ Ｃｒ膜厚を１００Åとした以外は実施例１と同様に磁気
ディスクを作製し、ディスク面内の円周方向と半径方向
の保磁力をそれぞれ測定した。結果を表１に示す。
【００２７】実施例４ Ｃｒ膜厚を６００Åとした以外は実施例１と同様に磁気
ディスクを作製し、ディスク面内の円周方向と半径方向
の保磁力をそれぞれ測定した。結果を表１に示す。 比較例１ Ｃｒ膜を設けない以外は実施例１と全く同様に磁気ディ
スクを作製し、ディスク面円内の円周方向と半径方向の
保磁力をそれぞれ測定した。結果を表１に示す。
ディスクを作製し、ディスク面内の円周方向と半径方向
の保磁力をそれぞれ測定した。結果を表１に示す。 比較例１ Ｃｒ膜を設けない以外は実施例１と全く同様に磁気ディ
スクを作製し、ディスク面円内の円周方向と半径方向の
保磁力をそれぞれ測定した。結果を表１に示す。
【００２８】比較例２ ＣｒＴａ膜の代わりにＣｒ膜を設ける以外は実施例１と
同様に磁気ディスクを作製し、ディスク面円内の円周方
向と半径方向の保磁力をそれぞれ測定した。結果を表１
に示す。比較例１と実施例１〜４の結果より、比較例１
のＯＲが１より小さく、磁化容易軸が半径方向に配向し
ているのに対し、各実施例ではいずれもＯＲが１より大
きく、磁化容易軸が円周方向に配向し、これに伴い円周
方向の保磁力が比較例１〜２に比べ、約５００［Ｏｅ］
程度高くなっていることが分かる。これらはいずれも磁
気ディスクの記録再生特性を支配する要素であり、媒体
最下層に第１の下地層としてのＣｒ層を施した本発明に
よる媒体の方が優れた特性を示した。
同様に磁気ディスクを作製し、ディスク面円内の円周方
向と半径方向の保磁力をそれぞれ測定した。結果を表１
に示す。比較例１と実施例１〜４の結果より、比較例１
のＯＲが１より小さく、磁化容易軸が半径方向に配向し
ているのに対し、各実施例ではいずれもＯＲが１より大
きく、磁化容易軸が円周方向に配向し、これに伴い円周
方向の保磁力が比較例１〜２に比べ、約５００［Ｏｅ］
程度高くなっていることが分かる。これらはいずれも磁
気ディスクの記録再生特性を支配する要素であり、媒体
最下層に第１の下地層としてのＣｒ層を施した本発明に
よる媒体の方が優れた特性を示した。
【００２９】
【表１】 表１ ─────────────────────────────────── 膜構成 Ｈｃ Ｈｃ′ ＯＲ ［Ｏｅ］ ［Ｏｅ］ ─────────────────────────────────── 実施例１ 基板／Cr ／CrTa ／磁性層 2650 2000 1.33 (20Å) (600Å) (200Å) 実施例２ 基板／Cr ／CrTa ／磁性層 2600 2000 1.30 (50Å) (600Å) (200Å) 実施例３ 基板／Cr ／CrTa ／磁性層 2625 2025 1.30 (100Å) (600Å) (200Å) 実施例４ 基板／Cr ／CrTa ／磁性層 2600 2075 1.25 (600Å) (600Å) (200Å) 比較例１ 基板／CrTa ／磁性層 2100 2375 0.88 (600Å) (200Å) 比較例２ 基板／Cr ／磁性層 2150 1575 1.37 (600Å) (200Å) ───────────────────────────────────
【００３０】実施例５ 上記した実施例１〜４及び比較例１〜２で使われた成膜
装置に比べ、到達真空度の高い直流マグネトロンスパッ
タ装置上で磁気記録媒体を作成した。基板をこの成膜装
置の前室に装着し、真空圧が６×１０-6Ｔｏｒｒ以下ま
でに排気した後、真空圧が６×１０-8Ｔｏｒｒ以下の高
真空成膜室に導入して、基板温度を２５０℃まで昇温
し、その後、Ｃｒ91−Ｔｉ9 （原子％）合金膜を５０
Å、Ｃｒ92−Ｔａ8 （原子％）合金下地膜を２５０Å、
Ｃｏ72−Ｃｒ17−Ｔａ3 −Ｗ1 −Ｐｔ 7 （原子％）合金
膜を２００Åを形成した。なお各層を形成する時、基板
に対してそれぞれ−３００Ｖ（ＣｒＴｉ膜）、０Ｖ（Ｃ
ｒＴａ膜）、−２００Ｖ（磁性膜）のバイアス電圧を印
加した。作成した磁気記録媒体の媒体面内の円周方向と
半径方向の保磁力をそれぞれ測定した。結果を表２に示
す。
装置に比べ、到達真空度の高い直流マグネトロンスパッ
タ装置上で磁気記録媒体を作成した。基板をこの成膜装
置の前室に装着し、真空圧が６×１０-6Ｔｏｒｒ以下ま
でに排気した後、真空圧が６×１０-8Ｔｏｒｒ以下の高
真空成膜室に導入して、基板温度を２５０℃まで昇温
し、その後、Ｃｒ91−Ｔｉ9 （原子％）合金膜を５０
Å、Ｃｒ92−Ｔａ8 （原子％）合金下地膜を２５０Å、
Ｃｏ72−Ｃｒ17−Ｔａ3 −Ｗ1 −Ｐｔ 7 （原子％）合金
膜を２００Åを形成した。なお各層を形成する時、基板
に対してそれぞれ−３００Ｖ（ＣｒＴｉ膜）、０Ｖ（Ｃ
ｒＴａ膜）、−２００Ｖ（磁性膜）のバイアス電圧を印
加した。作成した磁気記録媒体の媒体面内の円周方向と
半径方向の保磁力をそれぞれ測定した。結果を表２に示
す。
【００３１】比較例３ ＣｒＴｉ膜とＣｒＴａ膜との積層の代わりにＣｒＴａ膜
を３００Å形成した以外は実施例６と同様に磁気記録媒
体を作製し、媒体面円内の円周方向と半径方向の保磁力
をそれぞれ測定した。結果を表２に示す。比較例３と実
施例５とを比べると、比較例３のＯＲが１より小さく、
磁化容易軸が半径方向に配向しているのに対し、実施例
５のＯＲが１より大きく、磁化容易軸が円周方向に配向
し、これに伴って円周方向の保磁力が比較例４に比べ、
約８００［Ｏｅ］程度と向上した。
を３００Å形成した以外は実施例６と同様に磁気記録媒
体を作製し、媒体面円内の円周方向と半径方向の保磁力
をそれぞれ測定した。結果を表２に示す。比較例３と実
施例５とを比べると、比較例３のＯＲが１より小さく、
磁化容易軸が半径方向に配向しているのに対し、実施例
５のＯＲが１より大きく、磁化容易軸が円周方向に配向
し、これに伴って円周方向の保磁力が比較例４に比べ、
約８００［Ｏｅ］程度と向上した。
【００３２】
【表２】 表２ ─────────────────────────────────── 膜構成 Ｈｃ Ｈｃ′ ＯＲ ［Ｏｅ］ ［Ｏｅ］ ─────────────────────────────────── 実施例６ 基板／CrTi ／CrTa ／磁性層 3025 2630 1.15 (50Å) (250Å) (200Å） 比較例４ 基板／CrTa ／磁性層 2235 2455 0.91 (300Å) (200Å） ───────────────────────────────────
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、従来の構成の磁気記録
媒体に比べて保磁力が著しく向上し、磁化容易軸がディ
スク円周方向に配向した磁気記録媒体が提供される。
媒体に比べて保磁力が著しく向上し、磁化容易軸がディ
スク円周方向に配向した磁気記録媒体が提供される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大木島 真 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内 Ｆターム(参考） 5D006 BA08 CA03 CA06 CB07 DA03 FA09 5D112 AA02 AA04 AA05 AA11 AA24 BB06 BD04
Claims (5)
- 【請求項１】 表面に同心状テキスチャリングを施して
ある非磁性基板上に少なくとも下地層、磁性層を有する
磁気ディスクであって、該基板上に磁性層における磁性
粒子の磁化容易軸をディスク円周方向へ配向しうる第１
の下地層、磁性層における磁性粒子の磁化容易軸をディ
スク半径方向へ配向しうる第２の下地層をこの順に積層
してなる磁気ディスク。 - 【請求項２】 第１の下地層が、Ｃｒ又はＣｒＴｉ合金
であることを特徴とする請求項１に記載の磁気ディス
ク。 - 【請求項３】 ＣｒとＴｉの原子比（％）が１００：０
〜７０：３０であることを特徴とする磁気ディスク。 - 【請求項４】 第２の下地層が、ＣｒＴａ合金であるこ
とを特徴とする請求項１乃至３に記載の磁気ディスク。 - 【請求項５】 ＣｒとＴａの原子比（％）が９９：１〜
８０：２０であることを特徴とする請求項４に記載の磁
気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10231367A JP2000057554A (ja) | 1998-08-18 | 1998-08-18 | 磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10231367A JP2000057554A (ja) | 1998-08-18 | 1998-08-18 | 磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000057554A true JP2000057554A (ja) | 2000-02-25 |
Family
ID=16922517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10231367A Pending JP2000057554A (ja) | 1998-08-18 | 1998-08-18 | 磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000057554A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019159856A1 (ja) * | 2018-02-19 | 2019-08-22 | 山陽特殊製鋼株式会社 | スパッタリングターゲット材 |
-
1998
- 1998-08-18 JP JP10231367A patent/JP2000057554A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019159856A1 (ja) * | 2018-02-19 | 2019-08-22 | 山陽特殊製鋼株式会社 | スパッタリングターゲット材 |
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