JPH11339240A - 磁気記録媒体及び磁気ディスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁気記録媒体に関し、ノイズを増加せしめる
ことなく再生出力及びＳ／Ｎ比を向上させることを目的
とする。 【解決手段】 無方向性凹凸を表面に有するガラス基板
上に、クロムを主成分とする第１の下地膜の存在もしく
は不存在において前記ガラス基板上に順次形成された、
ＮｉＰからなる第２の下地膜及びクロムを主成分とする
第３の下地膜からなる下地層を介して、コバルトを主成
分として含有し、クロム及び白金を含み、さらにタンタ
ル又はタンタル及びニオブを組み合わせて有する合金か
ら構成されている磁性膜を設けてなるように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体に関
し、さらに詳しく述べると、高い保磁力により高密度記
録を可能とするとともに、ノイズの増加を抑制するかも
しくは、好ましくは、ノイズを低減し、再生出力及びＳ
／Ｎ比を向上させた磁気記録媒体に関する。本発明はま
た、このような磁気記録媒体を使用した、情報の記録及
び再生を行うための磁気ディスク装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】情報処理技術の発達に伴い、コンピュー
タの外部記憶装置に用いられる磁気ディスク装置に対し
て高密度化の要求が高まっている。具体的には、かかる
磁気ディスク装置の再生ヘッド部において、従来の巻線
型のインダクティブ薄膜磁気ヘッドに代えて、磁界の強
さに応じて電気抵抗が変化する磁気抵抗素子を使用した
磁気抵抗効果型ヘッド、すなわち、ＭＲ（ｍａｇｎｅｔ
ｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッドを使用することが提案さ
れている。ＭＲヘッドは、磁性体の電気抵抗が外部磁界
により変化する磁気抵抗効果を記録媒体上の信号の再生
に応用したもので、従来のインダクティブ薄膜磁気ヘッ
ドに較べて数倍も大きな再生出力幅が得られること、イ
ングクタンスが小さいこと、大きなＳ／Ｎ比が期待でき
ること、などを特徴としている。また、このＭＲヘッド
とともに、異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲ（ａｎ
ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖ
ｅ）ヘッド、巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲ（ｇｉ
ａｎｔ ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッド、
そしてその実用タイプであるスピンバルブＧＭＲヘッド
の使用も提案されている。

【０００３】さらに、高密度記録の要求を満たすため
に、磁気ディスク装置において用いられるべき磁気記録
媒体においても、上記したＭＲヘッド、ＡＭＲヘッドあ
るいはＧＭＲヘッド（スピンバルブヘッドを含む）に対
応可能な特性の向上が求められている。磁気記録媒体で
は、高い保磁力Ｈｃにより高密度記録を可能とするとと
もに、特に低ノイズであることが求められている。

【０００４】従来の技術では、周知のように、アルミニ
ウム基板などのような非磁性基板上にクロム層を形成
し、さらにこのクロム層の上にコバルトを主成分とする
合金からなる磁性膜を形成して磁気記録媒体となしてい
る。また、このような磁気記録媒体において低ノイズ化
を達成するため、磁性粒子間の磁気的相互作用の切断の
ために追加の合金元素を添加すること、磁性膜を構成す
る磁性粒子の粒径を小さくすること、などが行われてい
る。例えば、特開昭６３−１４８４１１号公報には、高
密度記録装置に好適な、低ノイズ高密度記録用磁気記録
媒体が開示されている。この磁気記録媒体は、その磁性
膜が、Ｃｏ−Ｎｉ系合金あるいはＣｏ−Ｃｒ系合金に対
して、第３の添加元素として、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗのいずれ
か、もしくはそれらの合金を添加したことを特徴として
いる。また、特開平７−５０００８号公報には、高保磁
力及び低ノイズの両特性を同時に満足させる磁気記録媒
体が開示されている。この磁気記録媒体は、非磁性基体
層上に、クロム又はクロム合金からなる非磁性金属下地
層（膜厚＝１０〜３００nm）を介して、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐ
ｔ、そしてＮｂ、Ｈｆ、Ｗ、Ｔｉ及びＴａからなる群か
ら選ばれた少なくとも１員を含む合金組成の磁性層を形
成したことを特徴としている。この発明に従うと、１６
１０〜１７５０Ｏｅの高い保磁力（実施例１〜７）とと
もに、低ノイズも達成することができる。同様に、特開
平７−５０００９号公報では、ＣｏＣｒＰｔ合金からな
る単層磁性膜の下地層として、Ｃｒ９５〜６０ａｔ％と
Ｍｏ、Ｗのうちの１種以上５〜４０ａｔ％とからなる合
金組成を有する薄膜媒体を使用したことを特徴とする磁
気記録媒体が開示されている。この磁気記録媒体でも、
高い保磁力とともに、低ノイズも達成することができ
る。具体的には、下地層として２８ａｔ％のＭｏを含有
するＣｒ層を使用することにより、Ｃｒ単独からなる下
地層に較べて１０％ほどノイズの低減を図ることができ
る。しかしながら、これらの公開特許公報に教示されて
いる技術は、ｔＢｒ（磁性膜の膜厚ｔと残留磁化密度Ｂ
ｒの積）が２７０Ｇμm 以上の技術であるので、今後に
おいてさらに高レベルが要求されることが予想される高
密度化には不十分である。

【０００５】また、最近では、磁気ディスク装置が屡々
携帯して使用されることを認識して、その際の耐衝撃性
を改善することを主眼に、アルミニウム基板などに代え
てガラス基板を使用することが始められている。例え
ば、特開平５−１９７９４１号公報は、非磁性のガラス
基板の上に、熱伝導性に優れた蓄熱用非磁性層（Ｃｒ、
Ｔｉ又はＣｒＴｉ合金）及びＮｉＰ層をこの順序で積層
した後、Ｃｒ下地層を介してＣｏ合金からなる磁気記録
層を形成したことを特徴とする金属薄膜型磁気記録媒体
を開示している。この発明によると、ＮｉＰ層の下に熱
伝導性に優れた蓄熱用非磁性層を３００〜１５００Åの
厚膜で配置したので、結晶配向性の向上のためにＮｉＰ
層の表面をＩＲヒータ等により２５０〜３００℃の高温
度に加熱する時にＮｉＰ層のみの温度が急上昇して結晶
化するのを防止でき、ひいてはＣｏ合金層の保磁力の低
下を防止できるという効果がある。また、特開平５−３
１４４７１号公報は、最大高さ（Ｒｍａｘ）が５００Å
以下の表面粗さを有するガラス基板の上に最大高さ（Ｒ
ｍａｘ）が５００Å以下の表面粗さの非磁性無電解Ｎｉ
Ｐメッキ層を設けてなることを特徴とする磁気記録媒体
用基板を開示している。この発明によると、ガラス基板
を使用したことにより耐久性に優れ、かつ無電解メッキ
層を設けたことにより耐蝕性に優れた磁気記録媒体が得
られるという効果がある。

【０００６】ところで、本発明者らが、非磁性の基板と
してガラス基板を使用したこれら及びその他の従来の磁
気記録媒体における電磁変換特性を調査したところで
は、現在必要とされている記録密度（通常、１Ｇｂ／in
² もしくはそれ以上）では、十分に満足し得る電磁変換
特性を得ることができない。すなわち、低ノイズ化を達
成し得たとしても、同時に再生出力が低下する等の不都
合を回避することができず、換言すると、高い再生出力
を維持したまま、今まで以上に低ノイズ化を行うこと、
すなわち、高Ｓ／Ｎ化を達成することが必要となってき
ている。

【０００７】従来の関連技術についてさらに説明する
と、磁気記録媒体においてその非磁性基板と磁性膜との
間に介在させる非磁性下地膜は、通常、クロムなどから
構成されている。これは、この下地膜の上に形成され
る、コバルトを主成分とする合金からなる磁性膜の磁化
容易方向を膜面内とすることが目的にあるからである。
実際、下地膜を上記したようにクロム層から構成する
か、さもなければ、クロムを主成分とする２成分以上の
合金から構成するのが好適であることは、よく知られて
いる。しかし、本発明者らの調査の結果から、磁気記録
媒体においてガラス基板を用いた場合、通常のクロム系
下地膜では媒体ノイズが異常に増加し、良好なＳ／Ｎ比
が得られないということが判明した。

【０００８】また、従来広く使用されている、非磁性Ｎ
ｉＰ膜を表面に有するアルミニウム基板では、その表面
に対して、いわゆる「テクスチャ」を施すことによっ
て、磁性膜の磁化容易方向をさらに円周方向に向かせる
ことができ、よって、媒体Ｓ／Ｎ比の向上に寄与するこ
とができるということも、よく知られている。しかし、
本発明者らの実験によると、アルミニウム基板に代えて
ガラス基板の表面にテクスチャを施した場合、アルミニ
ウム基板の場合と同様な、円周方向への磁気異方性は生
じないということが判明した。

【０００９】さらに、テクスチャのいま１つの目的は、
媒体とヘッドとの吸着を軽減することにあることもよく
知られている。しかし、従来の技術では、ガラス表面に
テクスチャを施すことは加工性が良くないために実用化
されておらず、その代替として、フィルムテクスチャと
呼ばれる凹凸保有膜をガラス表面に積層する方法が採用
されている。しかしながら、この代替方法は磁性膜の面
内配向を損なうものであり、また、多くの方法はグレイ
ンを粗大化させるものであり、媒体Ｓ／Ｎ比を低下させ
るものであるということが判明している。

【００１０】さらにまた、媒体表面に凹凸を付与するこ
とには摩擦力の低減もある。すなわち、ＣＳＳ方式を採
用する磁気ディスク装置では装置停止時に記録ヘッドと
磁気記録媒体が接触しているので、起動時には少なから
ず記録ヘッドと記録媒体の間に摩擦力が生じるからであ
る。この摩擦力を低減させるため、磁気記録媒体の表面
に凹凸を付ける処理が行われる。また、近年の磁気ディ
スク装置の携帯端末への適用、及び高性能化により高い
耐衝撃性が要求されているため、従来のアルミニウム基
板に代わり硬質のガラス基板が用いられる傾向にある
が、その加工性の悪さのため、従来とは異なる方法によ
って媒体表面に凹凸を付与している。従来用いられてい
る凹凸付与技術には、例えば、 基板を回転させ、そこにアルミナ塗粒テープを押し
付けて円周上の溝を付けるテープテクスチャ技術 アルミナやダイヤモンドパウダーの入った研磨液を
染み込ませたパッドを押し付けて円周上の溝を付けるス
ラリーテクスチャ技術 アルミニウム、チタン等から構成される凹凸形成層
を形成する技術 アルミニウム基板の強度を高めるためにＮｉＰをメ
ッキする技術 などがある。しかしながら、技術により処理を施した
アルミニウム基板を用いた記録媒体では今後の高性能化
に向け必要な耐衝撃性が満足されない。また、耐衝撃性
を考慮し硬質の基板を用い、その上に上記技術，の
処理を直接施しても加工性が悪く十分な表面粗度が得ら
れない。そのため、硬度基板においては主に技術が用
いられているが、ＳＦＳヘッドのパッド摩耗量が大きく
ＳＦＳヘッドが適用できない。そのため、記録ヘッドの
低浮上量２５nm以下という範囲においては新たな記録ヘ
ッド・記録媒体の開発を要することになる。いずれの問
題も、高信頼性の磁気ディスク装置を作製するうえでは
無視できないものである。したがって、加工性の悪い硬
質基板においても、記録ヘッドの低浮上のために整った
凹凸を従来の製造プロセスで付与することができ、加え
て、耐衝撃性の向上をはかれることが望ましい。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
したような従来の技術のいろいろな問題点を解決するこ
とにある。本発明の第１の目的は、したがって、吸着性
の低い凹凸表面を有するガラス媒体あるいはシリコン媒
体を非磁性基板として有していて、高い再生出力に結び
つく高い保磁力を有するとともに、ノイズの増加を抑制
するかもしくは、好ましくは、ノイズを低減し、再生出
力及び媒体Ｓ／Ｎ比を向上させることのできる磁気記録
媒体、特に面内磁気記録媒体を提供することにある。

【００１２】ここで、本発明が提供しようとする磁気記
録媒体において、その特性の目安は、記録密度に関して
１Ｇｂ／in² もしくはそれ以上の使用条件を適用した
時、媒体Ｓ／Ｎ比として２０ｄＢ以上のレベルを確保で
きることである。また、本発明の第２の目的は、上記し
たような本発明による磁気記録媒体を使用した磁気ディ
スク装置を提供することにある。

【００１３】本発明の上記した目的及びその他の目的
は、以下の詳細な説明から容易に理解することができる
であろう。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、その１つの面
において、非磁性の基板上に下地膜を介して磁性金属材
料からなる磁性膜を設けてなる磁気記録媒体において、
前記基板が、無方向性凹凸を表面に有するガラス基板又
はシリコン基板であり、前記下地膜が、クロムを主成分
とする第１の下地膜の存在もしくは不存在において前記
基板上に順次形成された、ニッケル・燐（ＮｉＰ）から
なる第２の下地膜及びクロムを主成分とする第３の下地
膜からなり、そして前記磁性膜が、円周方向を磁化容易
方向とし、かつコバルトを主成分として含有し、クロム
及び白金を含み、さらにタンタル又はタンタル及びニオ
ブを組み合わせて有する合金から構成されていることを
特徴とする磁気記録媒体にある。

【００１５】本発明による磁気記録媒体では、上記のよ
うな特定の層構成を採用したことにより、吸着の恐れが
なく、媒体ノイズが小さい記録媒体が提供される。ま
た、従来、ガラス基板又はシリコン基板の表面にテクス
チャ加工を施すことは、加工性が悪いために実用に供さ
れていなかったけれども、本発明に従いこれらの基板の
表面にＮｉＰ膜を積層することで、従来と同様な加工が
可能になった。さらに、本発明では、その磁性膜として
特にコバルト、クロム、白金及びタンタルからなる特定
の四元系合金あるいはコバルト、クロム、白金、タンタ
ル及びニオブからなる特定の五元系合金を使用したこと
により、高いＳ／Ｎ比の記録媒体が提供される。

【００１６】本発明者らは、さらに、ガラス基板又はシ
リコン基板の表面にＮｉＰ膜を積層するに際し、これら
の基板の表面に先ずＣｒ膜を形成し、その後でＮｉＰ膜
を形成するのが本発明の目的にかなっているということ
を見い出した。これは、次のような知見に基づいてい
る：用意された基板の上に直接Ｃｒ膜／ＣｏＣｒ系磁性
膜を成膜とすると、特にＣｒ濃度が１５ａｔ％以上で
は、Ｃｏ結晶のｈｃｐ相のＣ軸の面内配向が悪い。これ
を改善するために下地Ｃｒ膜の膜厚を増加すると、配向
性は改良されるけれども、Ｃｒ膜のグレインが粗大化
し、その上のＣｏＣｒ系磁性膜のグレインも粗大化し、
ノイズ増加の原因となる。ところが、基板と下地Ｃｒ膜
の間にＮｉＰスパッタ膜を挟むと、磁性膜は粗大化せ
ず、ノイズは増加しないということがわかった。さら
に、このＮｉＰスパッタ膜と基板表面の密着性を上げる
のに、上記したように、基板表面に先ずＣｒ膜を形成
し、その後でＮｉＰ膜を形成するのが有効であるという
こともわかった。

【００１７】本発明はまた、非磁性の基板上に下地膜を
介して磁性金属材料からなる磁性膜を設けてなる磁気記
録媒体において、前記下地膜が、クロムを主成分とする
第１の下地膜の存在もしくは不存在において前記基板上
に形成された、スパッタ法により成膜されかつテクスチ
ャ加工を施されたものであるニッケル合金からなる第２
の下地膜を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体に
ある。好ましい１態様において、この磁気記録媒体の下
地膜の第２の下地膜の上にはさらに、クロムを主成分と
する第３の下地膜が成膜されている。

【００１８】本発明は、そのもう１つの面において、磁
気記録媒体において情報の記録を行うための記録ヘッド
部及び情報の再生を行うための再生ヘッド部を備えた磁
気ディスク装置であって、前記磁気記録媒体が、上記し
かつ以下において詳細に説明する本発明の磁気記録媒体
であり、そして前記再生ヘッド部が磁気抵抗効果型ヘッ
ドを備えていることを特徴とする磁気ディスク装置にあ
る。

【００１９】また、本発明の磁気ディスク装置において
用いられる磁気抵抗効果型ヘッドは、好ましくは、高性
能を発揮可能な、ＭＲヘッド、ＡＭＲヘッド又はＧＭＲ
ヘッドである。さらに、このような磁気抵抗効果型ヘッ
ドは、磁気記録媒体に対向する面に浮上力発生用レール
を有しかつ該レールの浮上面に複数個のスティクション
防止のための突起を備えたスティクションフリースライ
ダ（いわゆるＳＦＳ）に配設されているのが好ましい。
換言すると、本発明の実施に当たっては、本発明の磁気
記録媒体を、スティクション防止のために浮上面に突起
を具備したスライダを有する浮上型の磁気抵抗効果型ヘ
ッドと組み合わせて使用するのが好ましい。

【００２０】

【発明の実施の形態】引き続いて、本発明をその好まし
い実施の形態を参照して説明する。本発明による磁気記
録媒体は、非磁性の基板上に下地膜を介して磁性金属材
料からなる磁気記録膜を設けてなるものであり、本発明
の範囲内においていろいろな層構成を採用することがで
きる。

【００２１】本発明の磁気記録媒体の好ましい１例は、
それを断面で示すと、図１に示す通りである。すなわ
ち、磁気記録媒体１０は、非磁性の基板１の上に、下地
膜２を介して、磁性金属材料からなる磁性膜３を設けて
構成することができる。ここで、基板１は、無方向性凹
凸を表面に有するガラス基板からなり、あるいはシリコ
ン基板であってもよい。なお、以下においては、時に
「ガラス基板」を参照して本発明を説明する。また、ガ
ラス基板１と磁性膜３との間に介在せしめられた下地膜
２は、クロムを主成分とする第１の下地膜２−１（この
下地膜は単なる密着層として機能するものであるので、
その必要性がないならば、省略しても差し支えない）、
ニッケル・燐（ＮｉＰ）からなる第２の下地膜２−２及
びクロムを主成分とする第３の下地膜２−３の３層構造
からなる。さらに、磁性膜３は、以下において詳細に説
明するように、円周方向を磁化容易方向とし、かつコバ
ルトを主成分として含有し、クロム及び白金を含み、さ
らにタンタル又はタンタル及びニオブを組み合わせて有
する合金からなる。さらに、図示の例では、この技術分
野において一般的に行われているように、保護膜４が最
上層を構成している。保護膜４は、好ましくは、カーボ
ンあるいはダイヤモンドライクカーボンからなる。

【００２２】本発明の磁気記録媒体において、その基体
として用いられる非磁性の基板は、無方向性凹凸を表面
に有するガラス基板又はシリコン基板であることを特徴
とする。ガラス基板は、この技術分野において常用のガ
ラス基板のなかから、適当なものを選択して使用するこ
とができる。適当なガラス基板としては、以下に列挙す
るものに限定されるわけではないけれども、例えば、ソ
ーダライムガラス、無アルカリガラス、結晶化ガラスな
どを挙げることができる。これらのガラス基板は、その
表面に無方向性の凹凸を有していることが必要であり、
また、ガラス基板の表面に対する凹凸の付与は、例え
ば、弗酸による処理などで有利に行うことができる。シ
リコン基板も、常用のものを使用することができる。

【００２３】また、ガラス基板又はシリコン基板は、そ
の表面を清浄に処理した後で有利に使用することができ
る。例えば、ガラス基板表面の清浄化は、常用の技法に
従って行うことができ、例えば、超純水、アルカリ洗浄
剤、中性洗剤等を使用した脱脂工程やイオン交換水を使
用した洗浄工程などを組み合わせて使用することができ
る。また、このような清浄化工程に追加して、必要な応
じて、基板表面の活性化処理などを施してもよい。

【００２４】基板は、好ましくは、ディスクの形状で用
いられる。ディスクの寸法は、所望とする媒体の詳細な
どに応じて広く変更することができ、特に限定されな
い。本発明の磁気記録媒体において、ガラス基板又はシ
リコン基板と磁性膜との間に介在せしめられる下地膜
は、クロムを主成分とする第１の下地膜の存在もしくは
不存在において前記ガラス基板上に順次形成された、ニ
ッケル・燐（ＮｉＰ）からなる第２の下地膜及びクロム
を主成分とする第３の下地膜からなる。

【００２５】第１の下地膜は、特にガラス基板又はシリ
コン基板に対する第２の下地膜、すなわち、ＮｉＰ膜の
密着を改良するためのものであって、その必要がないな
らば省略してもよいが、より強力な密着を確保するた
め、存在せしめたほうが好ましい。この下地膜は、通
常、クロムの単独から構成してもよく、さもなければ、
この技術分野で通常行われているように、クロムと他の
金属との合金から構成してもよい。適当な合金として
は、例えば、ＣｒＷ、ＣｒＶ、ＣｒＴｉ、ＣｒＭｏなど
があり、特にＣｒＭｏが好ましい。このような第１の下
地膜は、好ましくは、例えばマグネトロンスパッタ法な
どのスパッタ法により、常用の成膜条件により形成する
ことができる。特に、保磁力を高めるため、ＤＣ負バイ
アスの印加下にスパッタ法を実施するのが好ましい。適
当な成膜条件として、例えば、約１００〜３００℃の成
膜温度、約１〜１０ｍＴｏｒｒのＡｒガス圧力、そして
約１００〜３００ＶのＤＣ負バイアスを挙げることがで
きる。また、必要に応じて、スパッタ法に代えて、他の
成膜法、例えば蒸着法、イオンビームスパッタ法等を使
用してもよい。かかる下地膜の膜厚は、必要とされる密
着力の程度に応じて変更することができるというもの
の、通常、５〜２５nmの範囲にあれば十分である。

【００２６】第２の下地膜はＮｉＰから構成され、ここ
に本発明の特徴の１つがある。ＮｉＰ下地膜は、通常、
無電解メッキにより厚膜で形成されているが、これに対
して、本発明では、好ましくは、スパッタ法により薄膜
で形成される。ＮｉＰ下地膜をスパッタ法により薄膜で
形成することにより、例えば、ガラス基板の凹凸を正確
に再現できるので走行性、吸着性の改良、異方性の発生
などの効果を導くことができる。また、表面粗さが小さ
いので、特に突起付きの磁気ヘッドと組み合わせて使用
した場合に、ヘッドの浮上を下げることができるといっ
た効果も導くことができる。

【００２７】ＮｉＰ下地膜は、好ましくは、例えばマグ
ネトロンスパッタ法などのスパッタ法により、常用の成
膜条件により形成することができる。特に、保磁力を高
めるため、ＤＣ負バイアスの印加下にスパッタ法を実施
するのが好ましい。適当な成膜条件として、例えば、約
１００〜２５０℃の成膜温度、約１〜１０ｍＴｏｒｒの
Ａｒガス圧力、そして約１００〜３００ＶのＤＣ負バイ
アスを挙げることができる。ここでは、２５０℃以下の
比較的に低い温度で成膜を実施するので、ＮｉＰの結晶
化がおこるようなことはない。かかるＮｉＰ下地膜の膜
厚は、種々のファクタに応じて広い範囲で変更すること
ができるというものの、好ましくは、Ｓ／Ｎ比を高める
ため、５〜１００nmの範囲である。ＮｉＰ下地膜の膜厚
が５nmを下回ると、磁気特性が十分に発現しないおそれ
があり、また、反対に１００nmを上回ると、ノイズが増
大する傾向がある。

【００２８】ＮｉＰ下地膜において、それを構成するＮ
ｉ及びＰの比（ａｔ％）は、所望とする効果などに応じ
て広く変更することができるけれども、特に好ましく
は、６７〜８５：３３〜１５の範囲である。換言する
と、ＮｉＰ膜中に占めるＰの割合（濃度）は、好ましく
は、１５〜３３ａｔ％の範囲である。ＮｉＰ膜は、磁気
記録の障害となる磁性を有していてはならず、したがっ
て、その濃度の下限は、ＮｉＰが実質的に非磁性を示し
得るレベル、１５ａｔ％である。例えば、結晶体として
見た場合に、Ｐ濃度が最も高いものはＮｉ₃ Ｐである
が、これは非磁性であることが知られている。また、Ｎ
ｉＰにおいて、Ｐ濃度が１５〜２６ａｔ％の範囲では非
晶質構造をとることも知られている。ここで、非晶質構
造のＮｉＰは実質的に非磁性であるけれども、Ｐ濃度が
１５ａｔ％を下回ると、Ｎｉ層が析出するようになり、
磁性が発現する。ＮｉＰ膜中に占めるＰの濃度の上限
は、３３ａｔ％である。これは、もしもＰ量がさらに増
加した場合、得られるＮｉＰは脆くて加工できなくな
り、高純度のスパッタターゲットを提供することができ
ないからである。

【００２９】第２の下地膜としてのＮｉＰ膜は、上記し
たように薄膜として形成されるので、従来の技術になら
うと、通常行われているようにテクスチャ処理を行わな
いが、本発明の場合、テクスチャ処理を行うのが好まし
い。すなわち、ＮｉＰ下地膜は、その表面に円周方向に
形成された浅い筋状の突起部及び溝部（凹凸）を有して
いる状態で使用されるのが好ましい。特に、ＮｉＰ下地
膜は、その表面における粗さが、円周方向でＲａ₁ ＜１
nmであり、半径方向でＲａ₂ ＜２nmであり、そしてＲａ
₁ ＜Ｒａ₂ であるようにテクスチャを施してあるのが好
ましい。かかる表面粗さは、換言すると、潤滑剤を凹凸
表面に適用した時にその潤滑剤で凹凸が埋まってしまわ
ない程度の粗さである。

【００３０】ＮｉＰ下地膜の表面のテクスチャ処理は、
磁気記録媒体の製造において一般的に用いられている技
法に従って機械的に行うことができる。適当なテクスチ
ャ処理として、例えば、砥石研磨テープ、遊離砥粒など
の研磨手段でＮｉＰ膜の表面を研磨することが挙げられ
る。本発明の磁気記録媒体では、上記したＮｉＰ下地膜
の上にクロムを主成分とする第３の下地膜がさらに形成
された後、磁性膜が設けられる。クロムを主成分とする
第３の下地膜は、先に説明した第１の下地膜と同様に構
成することができる。すなわち、この下地膜は、特に、
クロムのみを主成分とする金属材料あるいはクロム及び
モリブデンを主成分とする金属材料から有利に構成する
ことができる。本発明の磁気記録媒体の場合、その磁性
膜に白金が含まれるので、その直下の下地膜となるこの
第３の下地膜は、好ましくは、クロム及びモリブデンを
主成分とする金属材料から構成することができる。すな
わち、モリブデンの添加によって、格子面間隔を広げる
ことができ、また、磁気記録膜の組成、特に白金量によ
って広がる磁気記録膜の格子面間隔に対して下地膜の格
子面間隔を近くしてやることにより、磁気記録膜（Ｃｏ
Ｃｒ系合金）のＣ軸の面内への優先配向を促すことがで
きるからである。適当な下地膜の材料の例として、例え
ば、Ｃｒ、ＣｒＷ、ＣｒＶ、ＣｒＴｉ、ＣｒＭｏなどを
挙げることができる。このような下地膜は、好ましく
は、例えばマグネトロンスパッタ法などのスパッタ法に
より、常用の成膜条件により形成することができる。特
に、保磁力を高めるため、ＤＣ負バイアスの印加下にス
パッタ法を実施するのが好ましい。適当な成膜条件とし
て、例えば、約１００〜３００℃の成膜温度、約１〜１
０ｍＴｏｒｒのＡｒガス圧力、そして約１００〜３００
ＶのＤＣ負バイアスを挙げることができる。また、必要
に応じて、スパッタ法に代えて、他の成膜法、例えば蒸
着法、イオンビームスパッタ法等を使用してもよい。か
かる下地膜の膜厚は、種々のファクタに応じて広い範囲
で変更することができるというものの、好ましくは、Ｓ
／Ｎ比を高めるため、５〜６０nmの範囲である。下地膜
の膜厚が５nmを下回ると、磁気特性が十分に発現しない
おそれがあり、また、反対に６０nmを上回ると、ノイズ
が増大する傾向がある。

【００３１】本発明の磁気記録媒体において、磁性膜
は、上記したように、円周方向を磁化容易方向とし、か
つコバルトを主成分として含有し、クロム及び白金を含
み、さらにタンタル又はタンタル及びニオブを組み合わ
せて有する四元系合金あるいは五元系合金から構成され
ている。ここで、主成分としてのコバルトに組み合わせ
て用いられるクロム及び白金の量は、好ましくは、 クロム １４〜２２ａｔ％、及び 白金 ４〜１０ａｔ％、 である。

【００３２】さらに具体的に説明すると、この磁性膜
の、コバルト、クロム、白金及びタンタルの４元素から
構成される四元系合金は、好ましくは、次式により表さ
れる組成範囲： Ｃｏ_bal.−Ｃｒ_14-22 −Ｐｔ_4-10−Ｔａ_x （上式中、_bal.はバランス量を意味し、そしてｘは１〜
５ａｔ％である）にある。

【００３３】また、コバルト、クロム、白金、タンタル
及びニオブの５元素から構成される五元系合金は、好ま
しくは、次式により表される組成範囲： Ｃｏ_bal.−Ｃｒ_14-22 −Ｐｔ_4-10−Ｔａ_x −Ｎｂ_y （上式中、_bal.はバランス量を意味し、そしてｘ＋ｙは
１〜５ａｔ％である）にある。このような五元系合金に
おいて、タンタル及びニオブの添加量は、好ましくは、
同等であるかもしくはほぼ同等である。

【００３４】本発明の磁気記録媒体において、かかる磁
性膜は、それが四元系合金であるかあるいは五元系合金
であるかにかかわりなく、４０〜１８０Ｇμm のｔＢｒ
（磁気記録膜の膜厚ｔと残留磁化密度Ｂｒの積）を有し
ていることが好ましい。本発明の磁性膜は、従来の磁性
膜に比較して薄く構成したことにより、特にＭＲヘッド
をはじめとした磁気抵抗効果型ヘッド用として最適であ
る。

【００３５】非磁性のガラス基板上に本発明に特有の下
地膜を介して設けられる磁性膜は、上記したように、Ｃ
ｏＣｒＰｔＴａの四元系合金から、あるいはＣｏＣｒＰ
ｔＴａＮｂの五元系合金から構成されるものである。か
かる磁性膜は、好ましくは、スパッタ法により、特定の
成膜条件下で有利に形成することができる。特に、保磁
力を高めるため、ＤＣ負バイアスの印加下にスパッタ法
を実施するのが好ましい。スパッタ法としては、上記し
た下地膜の成膜と同様、例えばマグネトロンスパッタ法
などを使用することができる。適当な成膜条件として、
例えば、約１００〜３５０℃の成膜温度、好ましくは約
２００〜３２０℃の温度、特に好ましくは２５０℃前後
の温度、約１〜１０ｍＴｏｒｒのＡｒガス圧力、そして
約８０〜４００ＶのＤＣ負バイアスを挙げることができ
る。ここで、約３５０℃を上回る成膜温度は、本来非磁
性であるべき基板において磁性を発現する可能性がある
ので、その使用を避けることが望ましい。また、必要に
応じて、スパッタ法に代えて、他の成膜法、例えば蒸着
法、イオンビームスパッタ法等を使用してもよい。磁性
膜の形成の好ましい１例を示すと、スパッタ法で、ＤＣ
負バイアスの印加下に、１５０〜３５０℃の成膜温度
で、上記の元素群から有利に形成することができる。

【００３６】特に、本発明の磁気記録媒体では、上記し
た磁性膜及び前記下地膜のすべてを、それぞれ、スパッ
タ法により成膜するのが好ましい。すなわち、すべての
膜をスパッタ法により成膜するとともに、それぞれの膜
の膜厚を所定厚さ以下に調整することによって、ガラス
基板の耐衝撃性を維持することができる。スパッタ法の
条件等は、前記した通りである。

【００３７】また、本発明の磁気記録媒体は、必要に応
じて、その最上層として、そして、通常、上記した磁性
膜の上方に、この技術分野において屡々採用されている
ように、保護膜をさらに有していてもよい。適当な保護
膜としては、例えば、カーボンの単独もしくばその化合
物からなる層、例えばＣ層、ＷＣ層、ＳｉＣ層、Ｂ₄Ｃ
層、水素含有Ｃ層など、あるいは特により高い硬度を有
するという点で最近注目されているダイヤモンドライク
カーボン（ＤＬＣ）の層を挙げることができるできる。
特に、本発明の実施に当たっては、カーボンあるいはＤ
ＬＣからなる保護膜を有利に使用することができる。こ
のような保護膜は、常法に従って、例えば、スパッタ
法、蒸着法などによって形成することができる。かかる
保護膜の膜厚は、種々のファクタに応じて広い範囲で変
更することができるというものの、好ましくは、約５〜
１５nmである。

【００３８】本発明の磁気記録媒体は、上記したような
必須の層及び任意に使用可能な層に加えて、この技術分
野において常用の追加の層を有していたり、さもなけれ
ば、含まれる層に任意の化学処理等が施されていてもよ
い。例えば、上記した保護膜の上に、フルオロカーボン
樹脂系の潤滑剤層が形成されていたり、さもなければ、
同様な処理が施されていてもよい。

【００３９】また、本発明に従うと、上記したような磁
気記録媒体の変形例として、非磁性の基板上に下地膜を
介して磁性金属材料からなる磁性膜を設けてなる磁気記
録媒体において、前記下地膜が、クロムを主成分とする
第１の下地膜の存在もしくは不存在において前記基板上
に形成された、スパッタ法により成膜されかつテクスチ
ャ加工を施されたものであるニッケル合金からなる第２
の下地膜及び、好ましくはこの第２の下地膜の上にさら
に成膜された、クロムを主成分とする第３の下地膜を含
んでなることを特徴とする磁気記録媒体が提供される。

【００４０】この変形例としての磁気記録媒体では、非
磁性の基板として各種の基板を用いることができる。適
当な基板としては、ガラス基板、カーボン基板、カナサ
イト基板、ＡＢＣ基板、シリコン基板、硬質の金属基板
などを挙げることができる。なお、本発明の実施に当っ
ては、記録ヘッドの低浮上量（２５nm以下）という要件
を満たすため、基板の粗さ自体は１５Å以下であるのが
望ましい。

【００４１】クロムを主成分とする第１の下地膜は、も
しもそれを存在せしめるならば、上記したようにクロム
のみからなっていてもよく、クロムと他の元素との合金
とからなっていてもよい。クロム合金の形成のための添
加元素としては、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，
Ｍｏ，Ｗなどを挙げることができる。第１の下地膜の膜
厚は、好ましくは、０〜５０nmの範囲である。成膜は、
上記したようにスパッタ法により有利に行うことができ
る。

【００４２】ニッケル合金からなる第２の下地膜は、好
ましくは、ニッケルとアルミニウム（Ａｌ）、チタン
（Ｔｉ）又は燐（Ｐ）の合金から構成することができ、
その際、スパッタ法による成膜及びテクスチャ加工は、
それぞれ、上記した手法により有利に行うことができ
る。第２の下地膜の膜厚は、好ましくは、５０〜５００
nmの範囲である。膜厚を５００nm以下にすることによっ
て、硬質基板の耐衝撃性を維持することが可能になり、
従来のアルミニウム基板に比較して、加速度３００Ｇ次
上の大きな耐衝撃性をもたらすことが可能になる。

【００４３】クロムを主成分とする第３の下地膜は、前
記した磁気記録媒体の混合と同様、第１の下地膜に準じ
て成膜することができる。さらに、この第３の下地膜の
上に、これも前記した磁気記録媒体と同様、ダイヤモン
ドライフカーボンなどの保護膜やフルオロカーボン樹脂
系の潤滑剤などを有利に施すことができる。本発明によ
れば、上記のように媒体を構成することにより、加工性
の悪い硬質基板においても従来のＮｉＰメッキＡｌ基板
で培われた製造プロセスで磁気記録媒体を形成すること
ができ、磁気記録ヘッドと磁気記録媒体との摩擦、浮上
量の低減が可能になる。また、ＮｉＰメッキＡｌ基板で
問題になっていた耐衝撃性の向上が可能となる。特に、
ＳＦＳ型磁気記録ヘッドスライダを用いることによっ
て、記録ヘッドの更なる低浮上化が実現できるととも
に、安定した浮上性、摩擦物性が達成される。

【００４４】さらにまた、本発明は、そのもう１つの面
において、上記しかつ以下に詳細に説明する本発明の磁
気記録媒体を使用した磁気ディスク装置にある。本発明
の磁気ディスク装置において、その構造は特に限定され
ないというものの、基本的に、磁気記録媒体において情
報の記録を行うための記録ヘッド部及び情報の再生を行
うための再生ヘッド部を備えている装置を包含する。特
に、再生ヘッド部は、以下に説明するように、磁界の強
さに応じて電気抵抗が変化する磁気抵抗素子を使用した
磁気抵抗効果型ヘッド、すなわち、ＭＲヘッドを備えて
いることが好ましい。

【００４５】本発明の磁気ディスク装置において、好ま
しくは、磁気抵抗効果素子及び該磁気抵抗効果素子にセ
ンス電流を供給する導体層を有し、磁気記録媒体からの
情報の読み出しを行う磁気抵抗効果型の再生ヘッド部
と、薄膜で形成された一対の磁極を有し、磁気記録媒体
への情報の記録を行う誘導型の記録ヘッド部とが積層さ
れてなる複合型の磁気ヘッドを使用することができる。
磁気抵抗効果型の再生ヘッドは、この技術分野において
公知のいろいろな構造を有することができ、そして、好
ましくは、異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲヘッド
又は巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲヘッド（スピン
バルブＧＭＲヘッド等を含む）を包含する。再生ヘッド
部の導体層は、いろいろな構成を有することができるけ
れども、好ましくは、 １．導体層の膜厚に関して、磁気抵抗効果素子の近傍部
分を比較的に薄く形成し、その他の部分を厚く形成した
もの、 ２．導体層の膜厚及び幅員に関して、磁気抵抗効果素子
の近傍部分のそれを比較的に薄くかつ細く形成し、その
他の部分を厚くかつ幅広に形成したもの、を包含する。
導体層の膜厚及び必要に応じて幅員を上記のように調整
することは、いろいろな手法に従って行うことができる
ものの、特に、導体層の多層化によって膜厚の増加を図
ることによりこれを達成することが推奨される。

【００４６】特に上記したような構成の磁気ディスク装
置を使用すると、従来の複合型の磁気ヘッドに比較し
て、記録ヘッド部の磁極の湾曲を小さくするとともに導
体層の抵抗を下げ、オフトラックが小さい範囲であれ
ば、精確にかつ高感度で情報を読み出すことができる。
さらに、本発明の磁気ディスク装置では、上記したよう
な磁気抵抗効果型ヘッドを、磁気記録媒体に対向する面
に浮上力発生用レールを有しかつ該レールの浮上面に複
数個のスティクション防止のための突起を備えたスティ
クションフリースライダ（ＳＦＳ）に配設して使用する
のが好ましく、特に、かかるスライダ付きヘッドを組み
合わせて使用するディスク媒体の表面粗さＲａが６〜４
０Åの範囲にあることが最適である。

【００４７】ＳＦＳスライダは、浮上面に突起を有し、
ディスク媒体の表面との吸着を防止したものである。い
ろいろなスライダ構造を採用できるというものの、適当
なＳＦＳスライダは、例えば、特開昭６１−４８１８２
号公報において開示されている。この公開公報に開示の
浮動形磁気ヘッドでは、ヘッド支持基板の磁気記録媒体
面と対向する面に、少なくとも３個の凸半球面形状を有
するスライダパットが設けられており、かつ該スライダ
パットの内の少なくとも１個に電磁変換素子が設けられ
ている。この浮動形磁気ヘッドを使用すると、複数個の
突起をスライダ表面に設けたので、ヨーアングル方向に
対して浮上量変化が少なく、したがって、ヨーアングル
が数十度程度とが大きくなっても浮上姿勢が崩れること
がなく、安定に浮上状態を維持することができるという
効果がある。また、特開昭６１−１５１８２７号公報に
開示される浮上型磁気ヘッドも有用である。この浮上型
磁気ヘッドでは、磁気記録媒体に対向するスライダ浮上
面の空気流入側端部に、記録媒体の面粗さより大きくか
つ浮上高さより低い突起が設けられている。この浮上型
磁気ヘッドを使用すると、スライダ浮上面に存在する複
数個の突起の作用により、磁気記録媒体に対する接触摩
擦を小さくでき、良好なヘッド走行が得られ、したがっ
て大きな低浮上安定性を得ることができるという効果が
ある。

【００４８】通常のヘッドでは、ディスク表面の粗さＲ
ａが４０Å以下になると、ヘッドとディスクの吸着が発
生してしまうけれども、ＳＦＳスライダを用いると、こ
のような不都合を回避することができる。実際に、ＳＦ
Ｓを使用すると、Ｒａが６Åになっても吸着を起こさな
い。吸着はディスク表面に塗布される潤滑剤によっても
影響されるが、本発明者らの知見によると、潤滑剤の膜
厚として約２０Åの実際的な膜厚を採用した場合でも、
ヘッドとディスクの吸着を効果的に防止することができ
る。

【００４９】さらに、ヘッドの浮上性はディスク表面の
粗さに大きく左右され、粗さが小さいほど浮上を抑制で
きるということも判明した。本発明の磁気記録媒体のよ
うに、ガラス基板上に薄いＮｉＰスパッタ膜を形成した
ものでは、表面粗さＲａの小さいテクスチャの形成に適
している。すなわち、ＮｉＰ膜よりガラス基板の方が硬
度に優れるため、この硬さの差により、ＮｉＰ膜の表面
にのみ選択的にテクスチャを施すことができる。また、
別法として、ＮｉＰ膜の下にそれよりも硬い膜を形成し
ておくのも有効である。

【００５０】ＳＦＳスライダについて、図１４〜図１６
を参照してさらに説明する。図１４は、ＳＦＳスライダ
を用いた時の、ディスク媒体の表面粗さＲａとスティク
ションとの関係を示したグラフ、図１５は、通常のスラ
イダにおけるヘッドとディスクの吸着について示した略
示断面図、また、図１６は、図１５に示したような通常
のスライダを用いた時の、ディスク媒体の表面粗さＲａ
とスティクション及び摩擦力（絶対単位）との関係を示
したグラフである。

【００５１】ＳＦＳスライダは、上記したように、スラ
イダの浮上面に突起を形成したもので、ディスク表面と
スライダの吸着を起り難くしたものである。突起高さは
１〜１０nmで浮上高さより小さくしてある。またスライ
ダの浮上姿勢は通常前上がりであるので、ヘッド素子よ
り前方に設けることで浮上中に接触しない余裕を持たせ
ることができる。その効果は、図１４のグラフに具体的
に示されるように、ディスク表面粗さＲａが１nm以下に
なってもスティクションが起らない。

【００５２】これとは対象的に、通常の突起のないスラ
イダでは、図１５（Ａ）に示すようにディスク１０の表
面に潤滑剤などの液体が存在しているので、図１５
（Ｂ）に示すように、液体の表面張力により、ディスク
１０の表面とスライダ（ここでは、便宜的に参照番号４
０を付与した）の吸着が発生する。この現象は、スライ
ダ４０の表面及びディスク１０の表面の粗さが小さけれ
ば小さいほど発生し易く、吸着力も高レベルである。そ
の結果、図１６に示すように、表面粗さＲａが４nm以下
でもスティクションが起り、Ｒａが大きくなると摩擦力
が増大してしまう。なお、本発明者らの知見によると、
ＳＦＳスライダを使用するに当っては、それを表面粗さ
Ｒａが１nmのような小さな値のディスクと組み合わせる
ことが好適である。

【００５３】本発明の磁気ディスク装置は、好ましく
は、その記録ヘッド部及び再生ヘッド部を図２及び図３
に示すような積層構造とすることができる。図２は、本
発明の磁気ディスク装置の原理図で、また、図３は、図
２の線分Ｂ−Ｂにそった断面図である。図２及び図３に
おいて、１１は磁気記録媒体への情報の記録を行う誘導
型の記録ヘッド部、１２は情報の読み出しを行う磁気抵
抗効果型の再生ヘッド部である。記録ヘッド部１１は、
ＮｉＦｅ等からなる下部磁極（上部シールド層）１３
と、一定間隔をもって下部磁極１３と対向したＮｉＦｅ
等からなる上部磁極１４と、これらの磁極１３及び１４
を励磁し、記録ギャップ部分にて、磁気記録媒体に情報
の記録を行わせるコイル１５等から構成される。

【００５４】再生ヘッド部１２は、好ましくはＡＭＲヘ
ッドやＧＭＲヘッド等でもって構成されるものであり、
その磁気抵抗効果素子部１２Ａ上には、磁気抵抗効果素
子部１２Ａにセンス電流を供給するための一対の導体層
１６が記録トラック幅に相応する間隔をもって設けられ
ている。ここで、導体層１６の膜厚は、磁気抵抗効果素
子部１２Ａの近傍部分１６Ａが薄く形成され、他の部分
１６Ｂは厚く形成されている。

【００５５】図２及び図３の構成では、導体層１６の膜
厚が、磁気抵抗効果素子部１２Ａの近傍部分１６Ａで薄
くなっているため、下部磁極（上部シールド層）１３等
の湾曲が小さくなっている。このため、磁気記録媒体に
対向する記録ギャップの形状もあまり湾曲せず、情報の
記録時における磁気ヘッドのトラック上の位置と読み出
し時における磁気ヘッドのトラック上の位置に多少ずれ
があっても、磁気ディスク装置は正確に情報を読み出す
ことができ、オフトラック量が小さいにもかかわらず読
み出しの誤差が生じるという事態を避けることができ
る。

【００５６】一方、導体層１６の膜厚が、磁気抵抗効果
素子部１２Ａの近傍以外の部分１６Ｂでは厚く形成され
ているため、導体層１６の抵抗を全体として小さくする
こともでき、その結果、磁気抵抗素子部１２Ａの抵抗変
化を高感度で検出することが可能になり、Ｓ／Ｎ比が向
上し、また、導体層１６での発熱も避けることができ、
発熱に起因したノイズの発生も防げる。

【００５７】上記したような磁気抵抗効果型の磁気ヘッ
ドは、その多数個を薄膜技術を用いてセラミック製ヘッ
ド基板上に形成した後、ヘッド基板をヘッド毎に切り出
し、所定の形状に加工することによって製造することが
できる。図４は、このようにして製造された磁気ヘッド
付きのスライダの一例を示した斜視図である。スライダ
４０において、その磁気記録媒体（図示せず）に対向す
る面には、磁気記録媒体の回転によって生じる空気流の
方向に沿った浮上力発生用レール４１及び４２が設けら
れている。これらのレール４１及び４２の浮上面の空気
流入側部分には、傾斜面４１ａ及び４２ａが形成されて
いる。そして、スライダ４０におけるレール４２の後端
面には、上記したような磁気ヘッド４５が形成されてい
る。

【００５８】ところで、本発明の実施に当たっては、上
記したように、かかる磁気ヘッド付きのスライダにおい
て、そのレールの浮上面上に複数個の突起が備えられて
いること、すなわち、ＳＦＳスライダを使用することが
好ましい。図５及び図６は、それぞれ、本発明の実施に
おいて有利に使用することのできるＳＦＳスライダの一
例（浮上型のフェライト磁気ヘッド付きスライダ）を示
す斜視図及び正面図である。図示の磁気ヘッド付きスラ
イダでは、磁気記録媒体（磁気ディスク、図示せず）に
対して記録再生を行うヘッド本体４５と、これを安定浮
上させるためのスライダ４０とを一体的に結合した構成
を有する。ヘッド４５はまた、コイル４６とヨーク４７
を有する。スライダ４０は磁気ヘッドのヨークを兼ねて
おり、磁気ディスクに対向する浮上面（斜線部）４０Ａ
に、空気の流れ方向に沿った平行な３本のレール４１、
４２及び４３を有する。それぞれのレールの空気流入側
部分には、傾斜面４１ａ、４２ａ及び４３ａが形成され
ている。スライダ浮上面４０Ａ上のレールのうち両側の
レール４１及び４３には、図示されるように、ヘッド本
体４５の取り付け位置とは反対側となる空気流入側端部
に小さな突起４４がそれぞれ設けられている。突起４４
は、いろいろな手法に従って、例えば、レールの形成後
に所定のマスクを使用して選択的にエッチングを行うこ
とによって、形成することができる。

【００５９】突起４４の高さは、磁気ディスクの面粗さ
より大きく、しかし、ヘッドの浮上高さより低いことが
必要である。例えば、磁気ディスクの面粗さ（最大値）
Ｒmax が０．０２μｍで、スライダ４０の空気流入側端
部の浮上高さが、磁気ディスクが平常に回転する時、
０．６μｍであると仮定すると、０．０４〜０．１μｍ
の範囲にあるのが好ましい。突起４４の高さが大きすぎ
ると、記録再生中、磁気ディスクの記録媒体面に突起が
誤って接触したり、浮上姿勢バランスが崩れて浮上安定
性が損ねられるといった不都合が発生するであろう。

【００６０】図示のように、あるいはその他の好ましい
形態で、複数個の突起をスライダの浮上面に配設するこ
とによって、スライダをその浮上面全体ではなく、突起
をもって磁気ディスクと接触させることができる。接触
面積が極めて小さくなるので、浮上過程における磁気ヘ
ッドの記録媒体面に対する摺動摩擦が非常に小さくな
り、良好なヘッド走行が可能となる。

【００６１】さらに、本発明による磁気ディスク装置の
好ましい１例は、図７及び図８に示す通りである。な
お、図７は磁気ディスク装置の平面図（カバーを除いた
状態）、図８は図７の線分Ａ−Ａにそった断面図であ
る。これらの図において、５０はベースプレート５１上
に設けられたスピンドルモータ５２によって回転駆動さ
れる磁気記録媒体としての複数枚（本実施例では３枚）
の磁気ディスクである。

【００６２】５３はベースプレート５１上に回転可能に
設けられたアクチュエータである。このアクチュエータ
５３の一方の回転端部には、磁気ディスク５０の記録面
方向に延出する複数のヘッドアーム５４が形成されてい
る。このヘッドアーム５４の回転端部には、スプリング
アーム５５が取り付けられ、更に、このスプリングアー
ム５５のフレクシャー部に前述のスライダ４０が図示し
ない絶縁膜を介して傾動可能に取り付けられている。一
方、アクチュエータ５３の他方の回転端部には、コイル
５７が設けられている。

【００６３】ベースプレート５１上には、マグネット及
びヨークで構成された磁気回路５８が設けられ、この磁
気回路５８の磁気ギャップ内に、上記コイル５７が配置
されている。そして、磁気回路５８とコイル５７とでム
ービングコイル型のリニアモータ（ＶＣＭ：ボイスコイ
ルモータ）が構成されている。そして、これらベースプ
レート５１の上部はカバー５９で覆われている。

【００６４】次に、上記構成の磁気ディスク装置の作動
を説明する。磁気ディスク５０が停止している時には、
スライダ４０は磁気ディスク５０の退避ゾーンに接触し
停止している。次に、磁気ディスク５０がスピンドルモ
ータ５２によって、高速で回転駆動されると、この磁気
ディスク５０の回転による発生する空気流によって、ス
ライダ４０は微小間隔をもってディスク面から浮上す
る。この状態でコイル５７に電流を流すと、コイル５７
には推力が発生し、アクチュエータ５３が回転する。こ
れにより、ヘッド（スライダ４０）を磁気ディスク５０
の所望のトラック上に移動させ、データのリード／ライ
トを行なうことができる。

【００６５】この磁気ディスク装置では、磁気ヘッドの
導体層として、磁気抵抗効果素子部の近傍部分を薄く形
成し他の部分を厚く形成したものを用いているため、記
録ヘッド部の磁極の湾曲を小さくすると共に導体層の抵
抗を下げ、オフトラックが小さい範囲であれば正確に且
つ高感度に情報を読み出すことができる。

【００６６】

【実施例】以下、本発明をその典型的な実施例に関して
詳細に説明する。しかし、本発明は、これらの実施例に
よって限定されるものではないことを理解されたい。例１ 磁気記録媒体（磁気ディスク）の作製 よく洗浄されたディスク状ガラス基板の上に、ＤＣマグ
ネトロンスパッタ装置により、クロム（Ｃｒ、第１の下
地膜として）及びニッケル・燐（ＮｉＰ、第２の下地膜
として）を順次スパッタ成膜した。この成膜のため、ス
パッタ室内を３×１０^-7Ｔｏｒｒ以下に排気し、基板温
度を２００℃に高め、Ａｒガスを導入してスパッタ室内
を５ｍＴｏｒｒに保持し、−２００Ｖのバイアスを印加
しながらＣｒを膜厚２５nmで成膜した。次いで、同様な
成膜条件下、ＮｉＰをＮｉ₂ Ｐターゲットから膜厚１０
０nmで成膜し、さらにその表面にテクスチャ処理を施し
た。テクスチャ処理は、ＮｉＰ膜の表面を、粒径１μｍ
のダイヤモンド砥粒を用いて、円周方向に筋目を持つよ
うに擦ることによって実施した。テクスチャ処理の完了
後、ＮｉＰ膜の表面において円周方向に延在する筋状の
突起部及び溝が形成され、これらを平均粗さに関して評
価したところ、半径方向が１５Å、円周方向が７Åであ
った。

【００６７】第２の下地膜としてのＮｉＰ膜の上にさら
に、同じくＤＣマグネトロンスパッタ装置により、第３
の下地膜としてのＣｒＭｏ１０（ａｔ％）下地膜、Ｃｏ
ＣｒＰｔＴａＮｂ系磁性膜、そしてカーボン（Ｃ）保護
膜を順次成膜した。この場合、上記した成膜工程と同様
に、下地層の成膜前にスパッタ室内を３×１０^-7Ｔｏｒ
ｒ以下に排気し、基板温度を２００℃に高め、Ａｒガス
を導入してスパッタ室内を５ｍＴｏｒｒに保持し、−２
００Ｖのバイアスを印加しながら、ＣｒＭｏ膜を膜厚１
０〜６０nmで成膜した。さらに続けて、ＣｏＣｒＰｔＴ
ａＮｂ膜をそのＢｒｔが１００Ｇμｍ（２７nm厚）とな
るように成膜した。ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ膜の組成式は
Ｃｏ₇₂Ｃｒ₁₉Ｐｔ₅ Ｔａ₂ Ｎｂ₂ であり、ＣｏＣｒター
ゲットにＰｔ、Ｔａ、Ｎｂチップを配置した複合ターゲ
ットを用いることによって目的とする組成を得た。先に
図１を参照して説明したような層構成の本発明の磁気デ
ィスク（以下、「磁気ディスク１」と呼ぶ）が得られ
た。

【００６８】さらに続けて、比較に供するため、下記の
相違点を除いて上述の手法を繰り返して、２種類の比較
用の磁気ディスクＡ及びＢを作製した。 磁気ディスクＡ…ＮｉＰ膜を省略（ＮｉＰなし） 磁気ディスクＢ…ＮｉＰ膜においてテキスチャ処理を省
略（Ｔｅｘなし）例２ 磁気ディスクの評価試験 前記例１において作製した磁気ディスク１ならびに比較
用磁気ディスクＡ及びＢについて、下記の項目に関して
特性評価試験を行った。なお、組成分析にはＥＤＸ、磁
気測定にはＶＳＭを用いた。 （１）媒体の孤立波Ｓiso ／Ｎm のＮｉＰ膜依存性 それぞれの磁気ディスクについて、媒体の孤立波Ｓiso
／Ｎm を測定したところ、下記の第１表に記載するよう
な結果が得られた。ここで、Ｓ_is0 ／Ｎｍの測定は、リ
ード幅１μｍでの孤立波出力と記録密度１６０ｋＦＣＩ
における媒体ノイズの実効値に基づいて実施した。すな
わち、 Ｓiso ／Ｎm ＝２０ log（Ｓisorms／Ｎmrms） である。また、下記の第１表では、参考のため、それぞ
れの磁気ディスクの保磁力Ｈｃ（Ｏｅ）、Ｂｒ／Ｂ５０
００及び残留磁化密度Ｂｒ（Ｇ）もあわせて記載する。
磁性膜の膜厚はいずれも２５μｍである。

【００６９】 第１表 磁気ディスク Ｈｃ（Ｏｅ） Ｂｒ／Ｂ５０００ Ｂｒ（Ｇ） Ｓ_is0 ／Ｎｍ の種類 １（本発明） ２３００ ０．７５ ３２００ ２９．４ Ａ(NiPなし) ２３００ ０．６５ ２７００ ２０．２Ｂ(Texなし) ２３００ ０．６５ ２７００ ２８．５ 上記した第１表に記載の結果から、本発明による磁気デ
ィスクのような層構成では、下地膜としてＮｉＰ膜を併
用した方が併用しない場合よりも、また、そのＮｉＰ膜
の表面にテキスチャ処理を施した方が施さない場合より
も、媒体Ｓ／Ｎ比の向上に有効であるということがわか
る。

【００７０】また、上記の評価試験では、磁性膜の組成
がＣｏ₇₂Ｃｒ₁₉Ｐｔ₅ Ｔａ₂ Ｎｂ₂である磁気ディスク
を使用したが、媒体Ｓ／Ｎ比の向上に対するＣｒ濃度の
影響を確認するため、異なるＣｒ濃度の磁気ディスクを
前記実施例１に記載の手法に従って同様に作製し、上記
と同様に評価したところ、Ｓ／Ｎ比の向上はＣｒ濃度が
高い時に顕著であり、最低でも１４ａｔ％は必要である
ことが判明した。これは、Ｃｒ濃度が高い方がＣｏ（ｈ
ｃｐ）層のｃ軸が垂直に向きやすく、さらにこれを面内
に向けるのにＮｉＰ膜が効果を有するからであると考察
される。 （２）媒体の水平方向及び垂直方向保磁力ＨｃのＮｉＰ
膜依存性 ＮｉＰ膜の有無が媒体の水平方向保磁力Ｈｃ//及び垂直
方向保磁力Ｈｃ⊥にいかに影響するかを評価するため、
磁気ディスク１及びＡについて水平方向及び垂直方向の
保磁力Ｈｃ（Ｏｅ）を測定した。下記の第２表に記載す
るような結果が得られた。

【００７１】 第２表 磁気ディスク 水平方向保磁力 垂直方向保磁力 保磁力の比 の種類 （Ｏｅ） （Ｏｅ） （垂直／水平） １（本発明） ２３００ ５００ ０．２２ Ａ(NiPなし) ２３００ ７００ ０．３０ 上記した第２表に記載の結果から、ＮｉＰ膜がない場
合、垂直方向保磁力Ｈｃ⊥が顕著に大きくなり、したが
って、水平方向保磁力Ｈｃ//及び垂直方向保磁力Ｈｃ⊥
の比も大きく増加し、垂直異方性が大となることが明ら
かである。周知のように、垂直異方性が大きいというこ
とは水平記録では望ましいものではなく、記録密度を向
上させる際の妨げとして作用してしまう。 （３）媒体の残留磁化のＣｒ濃度依存性 磁気ディスク１に関して、異なるＣｒ濃度における残留
磁化Ｂｒの変化を測定した。図９にプロットするよう
な、残留磁化のＣｒ濃度依存性を示すグラフが得られ
た。この結果から、残留磁化はクロム濃度に関して直線
的に減少することがわかる。また、残留磁化量の目安と
なる２０００Ｇ（ガウス）を維持するためには、クロム
濃度は２２ａｔ％以下が望ましいこともわかる。 （４）媒体の孤立波Ｓ_is0 ／ＮｍのＣｒ濃度依存性 磁気ディスク１に関して、異なるＣｒ濃度における媒体
の孤立波Ｓ_is0 ／Ｎｍの変化を測定した。図１０にプロ
ットするような、媒体Ｓ_is0 ／ＮｍのＣｒ濃度依存性を
示すグラフが得られた。この結果から、クロム濃度の増
加に伴い媒体Ｓ _is0 ／Ｎｍが向上していることがわか
る。また、リード幅１μｍで所要Ｓ_is0 ／Ｎｍの２０ｄ
Ｂをクリアするためには、クロム濃度は１４ａｔ％以上
が必要であることもわかる。 （５）媒体の孤立波Ｓ_is0 ／ＮｍのｔＢｒ依存性 磁気ディスク１に関して、異なるｔＢｒにおける媒体の
孤立波Ｓ_is0 ／Ｎｍの変化を測定した。図１１にプロッ
トするような、媒体Ｓ_is0 ／ＮｍのｔＢｒ依存性を示す
グラフが得られた。この結果から、所要Ｓ_is0 ／Ｎｍで
ある１６ｄＢを満足するためには、１８０Ｇμｍ以下の
ｔＢｒが必要であり、ｔＢｒを下げる方がＳ_is0 ／Ｎｍ
が向上すること、また、Ｃｒ濃度は１４ａｔ％よりも１
９ａｔ％の方が、すなわち、高濃度の方が好ましいこと
がわかる。なお、ｔＢｒの下限は、使用するヘッドの種
類によって変動し得るというものの、熱安定性などの面
から、４０Ｇμｍであるのが好ましい。 （６）その他 上記したような評価試験に追加して、媒体特性のＰｔ濃
度依存性を評価したところ、Ｐｔ濃度が４〜１０ａｔ％
の範囲にある時に上記と同様な満足し得る結果が得られ
ることがわかった。また、Ｔａ及びＮｂの濃度について
は、その合計量が１〜５ａｔ％の範囲であれば同様な結
果が得られること、そしてＴａ＝Ｎｂ＝１．５〜２ａｔ
％の時に最も良好なＳ／Ｎが得られること、がわかっ
た。

【００７２】さらに、磁性膜をスパッタ法で成膜する
時、成膜温度として２００〜２５０℃の範囲に含まれる
温度を採用した時、上記と同様な良好な媒体特性を得る
ことができるということもわかった。例３ 前記例２に記載の手法を繰り返した。しかし、本例で
は、磁気ディスクの磁性膜の組成を、Ｃｏ₇₂Ｃｒ₁₉Ｐｔ
₅ Ｔａ₂ Ｎｂ₂ からＣｏ₇₇Ｃｒ₁₅Ｐｔ₄ Ｔａ₄ に変更し
た。供試磁気ディスクは、前記例１に記載の手法に従っ
て作製した。得られた磁気ディスクの媒体Ｓ／Ｎ比を前
記例２と同様にして評価し、また、ＮｉＰ膜を有しない
媒体及び未テキスチャ処理のＮｉＰ膜を有する媒体と比
較したところ、前記例２に記載の結果と遜色のない満足
し得る結果を得ることができた。例４ 磁気記録媒体（磁気ディスク）の作製 よく洗浄されたディスク状ガラス基板の上に、ＤＣマグ
ネトロンスパッタ装置により、クロム（Ｃｒ、第１の下
地膜として）及びニッケル・燐（ＮｉＰ、第２の下地膜
として）を順次スパッタ成膜した。この成膜のため、ス
パッタ室内を３×１０^-7Ｔｏｒｒ以下に排気し、基板温
度を２５０℃に高め、Ａｒガスを導入してスパッタ室内
を５ｍＴｏｒｒに保持し、−２００Ｖのバイアスを印加
しながらＣｒを膜厚２５nmで成膜した。次いで、同様な
成膜条件下、３種類の異なる組成：Ｎｉ６７−Ｐ３３、
Ｎｉ７５−Ｐ２５及びＮｉ８１−Ｐ１９（ａｔ％比）を
有するＮｉＰをＮｉ₂ Ｐターゲットから膜厚１００nmで
成膜し、さらにその表面にテクスチャ処理を施した。テ
クスチャ処理は、ＮｉＰ膜の表面を、粒径１μｍのダイ
ヤモンド砥粒を用いて、円周方向に筋目を持つように擦
ることによって実施した。テクスチャ処理の完了後、Ｎ
ｉＰ膜の表面において円周方向に延在する筋状の突起部
及び溝が形成され、これらを平均粗さに関して評価した
ところ、半径方向が１５Å、円周方向が７Åであった。

【００７３】第２の下地膜としてのＮｉＰ膜の上にさら
に、同じくＤＣマグネトロンスパッタ装置により、第３
の下地膜としてのＣｒＭｏ１０（ａｔ％）下地膜、Ｃｏ
ＣｒＰｔＴａＮｂ系磁性膜、そしてカーボン（Ｃ）保護
膜を順次成膜した。この場合、上記した成膜工程と同様
に、下地層の成膜前にスパッタ室内を３×１０^-7Ｔｏｒ
ｒ以下に排気し、基板温度を２５０℃に高め、Ａｒガス
を導入してスパッタ室内を５ｍＴｏｒｒに保持し、−２
００Ｖのバイアスを印加しながら、ＣｒＭｏ膜を膜厚２
５nmで成膜した。さらに続けて、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ
膜をそのＢｒｔが約８０Ｇμｍ（２５nm厚）となるよう
に成膜した。ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ膜の組成式はＣｏ₇₂
Ｃｒ₁₉Ｐｔ₅ Ｔａ₂ Ｎｂ₂ であり、ＣｏＣｒターゲット
にＰｔ、Ｔａ、Ｎｂチップを配置した複合ターゲットを
用いることによって目的とする組成を得た。先に図１を
参照して説明したような層構成の、以下「磁気ディスク
２」（Ｎｉ６７−Ｐ３３）、「磁気ディスク３」（Ｎｉ
７５−Ｐ２５）及び「磁気ディスク４」（Ｎｉ８１−Ｐ
１９）と呼ぶ本発明の磁気ディスクが得られた。

【００７４】さらに続けて、比較に供するため、ＮｉＰ
膜を省略した点を除いて上述の手法を繰り返して、比較
用の磁気ディスクＣを作製した。例５ 磁気ディスクの評価試験 前記例４において作製した磁気ディスク２、３及び４な
らびに比較用磁気ディスクＣについて、下記の項目に関
して特性評価試験を行った。なお、組成分析にはＥＤ
Ｘ、磁気測定にはＶＳＭを用いた。 （１）媒体のＳ／Ｎm 比のＮｉＰ膜依存性 それぞれの磁気ディスクについて、媒体のＳ／Ｎm 比を
測定したところ、下記の第３表に記載するような結果が
得られた。ここで、Ｓ／Ｎｍ比の測定は、リード幅１μ
ｍでの孤立波出力と記録密度１６０ｋＦＣＩにおける媒
体ノイズの実効値に基づいて実施した。すなわち、 Ｓ／Ｎ＝２０ log（Ｓisorms／Ｎmrms） である。また、下記の第３表では、参考のため、それぞ
れの磁気ディスクの面内保磁力Ｈｃ（Ｏｅ）、垂直方向
保磁力Ｈｃ（Ｏｅ）、Ｓ^* 及びｔＢｒ（Ｇμｍ）もあわ
せて記載する。

【００７５】 第３表 磁気ディスク Ｈｃ面内 Ｈｃ垂直 Ｓ^* ｔＢｒ Ｓ／Ｎｍ の種類 （Ｏｅ） （Ｏｅ） （Ｇμｍ） （ｄＢ） ２(Ni67-P33) ２５００ ４８９ ０．８２ ８０ ２８．４ ３(Ni75-P25) ２５１４ ３４０ ０．７１ ８０ ２７．７ ４(Ni81-P19) ２５６４ ３３３ ０．７０ ８０ ２７．８ Ｃ(NiPなし) ２３６４ ６７９ ０．７５ ８０ ２０．５ 上記した第３表に記載の結果から、Ｃｒ下地膜とガラス
基板の間にＮｉＰ膜を介在させて本発明による磁気ディ
スクの層構成とすることにより、面内配向性が改善さ
れ、Ｓ／Ｎ比が大きく向上したことがわかる。 （２）媒体のＳ／Ｎm 比の成膜温度依存性 前記例４において、それぞれの磁気ディスクのＣｒＭｏ
１０（ａｔ％）下地膜は成膜温度２５０℃で成膜した。
この成膜温度が下地のＮｉＰ膜に影響を及ぼして媒体Ｓ
／Ｎm 比を変動させるか否かを評価するため、１５０〜
３５０℃の範囲内のいろいろな成膜温度でＣｒＭｏ１０
下地膜を成膜した。それぞれの磁気ディスクについて、
媒体のＳ／Ｎm 比を測定したところ、添付の図１２に示
すような結果が得られた。この結果から、本発明に従い
ＮｉＰ膜を介在させることにより媒体Ｓ／Ｎm 比を向上
させることができるが、その効果は、ＣｒＭｏ１０下地
膜の成膜温度に依存しないということがわかった。 （３）媒体のＳ／Ｎm 比の、ＮｉＰ膜のテクスチャ処理
依存性 前記例４において、磁気ディスク２〜４のそれぞれのＮ
ｉＰ膜には記載のような手法でテクスチャ処理を施し
た。このテクスチャ処理が媒体Ｓ／Ｎm 比にどのように
影響するかを評価するため、テクスチャ処理を省略した
点を除いて磁気ディスク２に同じ磁気ディスクＤを作製
し、磁気ディスク２及びＤのＳ／Ｎm 比を対比したとこ
ろ、添付の図１３に示すような結果が得られた。図１３
のグラフにおいて、横座標には線記録密度ｄ（ｋＦＣ
Ｉ）が、縦座標にはＳ／Ｎm 比（ｄＢ）が、それぞれプ
ロットされている。ここで、ＦＣＩは、Ｆｌｕｘ Ｃｈ
ａｎｇｅｓ ｐｅｒ Ｉｎｃｈの略語である。この結果
から、本発明に従いＮｉＰ膜の表面にテクスチャ処理を
施すことで、媒体Ｓ／Ｎm 比をさらに向上させることが
できることがわかった。

【００７６】また、上記の評価試験では、磁性膜の組成
がＣｏ₇₂Ｃｒ₁₉Ｐｔ₅ Ｔａ₂ Ｎｂ₂である磁気ディスク
を使用したが、媒体Ｓ／Ｎ比の向上に対するＣｒ濃度の
影響を確認するため、異なるＣｒ濃度の磁気ディスクを
前記例４に記載の手法に従って同様に作製し、上記と同
様に評価したところ、Ｓ／Ｎ比の向上はＣｒ濃度が高い
時に顕著であり、最低でも１４ａｔ％は必要であること
が判明した。これは、Ｃｒ濃度が高い方がＣｏ（ｈｃ
ｐ）層のｃ軸が垂直に向きやすく、さらにこれを面内に
向けるのにＮｉＰ膜が効果を有するからであると考察さ
れる。 （４）媒体の残留磁化のＣｒ濃度依存性 磁気ディスク２に関して、異なるＣｒ濃度における残留
磁化Ｂｒの変化を測定したところ、図９にプロットした
ものとほぼ同一の、残留磁化のＣｒ濃度依存性を示すグ
ラフが得られた。この結果から、残留磁化はクロム濃度
に関して直線的に減少すること、また、残留磁化量の目
安となる１０００Ｇ（ガウス）を維持するためには、ク
ロム濃度は２２ａｔ％以下が好ましいことがわかった。 （５）媒体の孤立波Ｓ_is0 ／ＮｍのＣｒ濃度依存性 磁気ディスク２に関して、異なるＣｒ濃度における媒体
の孤立波Ｓ_is0 ／Ｎｍの変化を測定したところ、図１０
にプロットしたものとほぼ同一の、媒体Ｓ_is0／Ｎｍの
Ｃｒ濃度依存性を示すグラフが得られた。この結果か
ら、クロム濃度の増加に伴い媒体Ｓ_is0 ／Ｎｍが向上し
ていること、また、リード幅１μｍで所要Ｓ_is0 ／Ｎｍ
の２０ｄＢをクリアするためには、クロム濃度は１４ａ
ｔ％以上が必要であることがわかった。 （６）媒体の孤立波Ｓ_is0 ／ＮｍのｔＢｒ依存性 磁気ディスク２に関して、異なるｔＢｒにおける媒体の
孤立波Ｓ_is0 ／Ｎｍの変化を測定したところ、図１１に
プロットしたものとほぼ同一の、媒体Ｓ_is0 ／Ｎｍのｔ
Ｂｒ依存性を示すグラフが得られた。この結果から、所
要Ｓ_is0 ／Ｎｍである１６ｄＢを満足するためには１８
０Ｇμｍ以下のｔＢｒが必要であることがわかった。 （７）その他 上記したような評価試験に追加して、媒体特性のＰｔ濃
度依存性を評価したところ、Ｐｔ濃度が４〜１０ａｔ％
の範囲にある時に上記と同様な満足し得る結果が得られ
ることがわかった。また、Ｔａ及びＮｂの濃度について
は、その合計量が１〜５ａｔ％の範囲であれば同様な結
果が得られること、そしてＴａ＝Ｎｂ＝１．５〜２ａｔ
％の時に最も良好なＳ／Ｎが得られること、がわかっ
た。

【００７７】さらに、磁性膜をスパッタ法で成膜する
時、成膜温度として１５０〜３５０℃の範囲に含まれる
温度を採用した時、上記と同様な良好な媒体特性を得る
ことができるということもわかった。例６ 前記例１と同様な手法に従って磁気ディスクを作製し
た。しかし、本例では、ガラス基板に代えて低抵抗シリ
コン基板を使用し、この基板の上にＮｉＰ膜をスパッタ
法により膜厚５０nmで成膜し、さらにその表面にテクス
チャ処理を施した。さらに、テクスチャ処理後のＮｉＰ
膜の上に、膜厚２５nmのＣｒＭｏ膜、膜厚２０nmのＣｏ
ＣｒＰｔＴａ膜、そして膜厚６nmのカーボン（Ｃ）保護
膜を順次成膜した。目的とする組成（Ｃｏ₇₇Ｃｒ₁₅Ｐｔ
₄ Ｔａ₄ ）を有する磁気ディスクが得られた。

【００７８】次に、比較に供するため、ＮｉＰ膜を省略
する相違点を除いて上記の手法を繰り返し、比較用の磁
気ディスクを作製した。得られた磁気ディスクのそれぞ
れについて、前記例２及び例５に記載のようにして特性
評価試験を行った。その結果、 Ｈｃ ： ２３００Ｏ_e Ｓ ： ０．６ Ｓ^* ： ０．８ であることが確認された。さらに、Ｓｉｓｏ／Ｎｍの測
定値は２８dBであり、ＮｉＰ膜を有しない比較用の磁気
ディスクに比較して約８dBの特性の向上のあることが確
認された。例７ 前記例１と同様な手法に従って磁気ディスクを作製し
た。しかし、本例では、よく洗浄されたガラス基板の上
に、クロム（Ｃｒ）に代えて、ＣｒＭｏ１０（ａｔ％）
膜を膜厚１０nmでスパッタ法により成膜した後、ＮｉＰ
膜をスパッタ法により膜厚１００nmで成膜し、さらにＮ
ｉＰ膜の表面に、半径方向の平均粗さが１１Åとなるよ
うに、テクスチャ処理を施した。さらに、テクスチャ処
理後のＮｉＰ膜の上に、膜厚２５nmのＣｒ膜、膜厚２８
nmのＣｏＣｒＰｔＴａ膜、そして膜厚９nmのカーボン
（Ｃ）保護膜を順次成膜し、最後にフルオロカーボン樹
脂系の潤滑剤層を膜厚１６Åで成膜した。目的とする組
成（Ｃｏ₇₇Ｃｒ₁₅Ｐｔ₄ Ｔａ₄）を有する磁気ディスク
が得られた。

【００７９】上記のようにして作製した磁気ディスク
は、従来のアルミニウム基板を用いて同様に作製した磁
気ディスクと同一の表面形状及び摩擦物性を有している
ことが確認された。また、この磁気ディスクをＳＦＳヘ
ッドを搭載した磁気ディスク装置で使用したところ、１
０，２Åのギャップ高さを実現できた。この時の初期摩
擦計数は０．３３であった。

【００８０】また、上記と同様な磁気ディスクをそのＮ
ｉＰ膜の膜厚をいろいろに変更して作製し、振り子式の
衝撃試験機によって衝撃試験を行ったところ、ＮｉＰ膜
の膜厚が５００nm以下の範囲においてガラス基板と同一
の耐衝撃性を有することが確認された。また、このよう
な耐衝撃性は、下地膜として使用したＣｒ膜に第２の元
素（例えばＭｏ）を添加しても変動しないことが確認さ
れた。

【００８１】

【発明の効果】以上の説明から理解されるように、本発
明によれば、従来の磁気記録媒体に比較して媒体Ｓ／Ｎ
比を高めることができ、従来装置に比較して高密度磁気
ディスク装置を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による磁気記録媒体の好ましい１例を示
す断面図である。

【図２】本発明の磁気ディスク装置の原理を示す断面図
である。

【図３】図２の磁気ディスク装置の線分Ｂ−Ｂにそった
断面図である。

【図４】本発明の磁気ディスク装置において用いられる
磁気ヘッド付きスライダの好ましい１例を示した斜視図
である。

【図５】本発明の磁気ディスク装置において用いられる
磁気ヘッド付きスライダのもう１つの好ましい例を示し
た斜視図である。

【図６】図５の磁気ヘッド付きスライダの正面図であ
る。

【図７】本発明の磁気ディスク装置の好ましい１例を示
す平面図である。

【図８】図７の磁気ディスク装置の線分Ａ−Ａにそった
断面図である。

【図９】磁気記録媒体の残留磁化のＣｒ濃度依存性を示
すグラフである。

【図１０】磁気記録媒体の孤立波Ｓ_is0 ／ＮｍのＣｒ濃
度依存性を示すグラフである。

【図１１】磁気記録媒体の孤立波Ｓ_is0 ／ＮｍのｔＢｒ
依存性を示すグラフである。

【図１２】磁気記録媒体のＳ／Ｎｍ比の成膜温度依存性
を示すグラフである。

【図１３】磁気記録媒体のＳ／Ｎｍ比のテキスチャ処理
依存性を示すグラフである。

【図１４】ＳＦＳスライダを用いた時の、ディスクの表
面粗さＲａとスティクションとの関係を示したグラフで
ある。

【図１５】通常のスライダにおけるヘッドとディスクの
吸着について示した略示断面図である。

【図１６】通常のスライダを用いた時の、ディスクの表
面粗さＲａとスティクション及び摩擦力との関係を示し
たグラフである。

【符号の説明】

１…非磁性のガラス基板 ２…下地膜 ２−１…第１の下地膜 ２−２…第２の下地膜 ２−３…第３の下地膜 ３…ＮｉＰスパッタ膜 ４…磁性膜 ５…保護膜 １０…磁気記録媒体 １１…記録ヘッド部 １２…再生ヘッド部 １３…下部磁極 １４…上部磁極 １５…コイル １６…導体層 ４０…スライダ ４１…レール ４２…レール ４３…レール ４４…突起 ４５…磁気ヘッド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 祐樹 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 岡本 巌 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 池田 保次 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 山口 潔 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性の基板上に下地膜を介して磁性金
   属材料からなる磁性膜を設けてなる磁気記録媒体におい
   て、 前記基板が、無方向性凹凸を表面に有するガラス基板又
   はシリコン基板であり、 前記下地膜が、クロムを主成分とする第１の下地膜の存
   在もしくは不存在において前記基板上に順次形成され
   た、ニッケル・燐（ＮｉＰ）からなる第２の下地膜及び
   クロムを主成分とする第３の下地膜からなり、そして前
   記磁性膜が、円周方向を磁化容易方向とし、かつコバル
   トを主成分として含有し、クロム及び白金を含み、さら
   にタンタル又はタンタル及びニオブを組み合わせて有す
   る合金から構成されていることを特徴とする磁気記録媒
   体。
2. 【請求項２】 前記第２の下地膜としてのＮｉＰ膜が、
   その表面に円周方向に形成された筋状の突起部及び溝部
   を有していることを特徴とする請求項１に記載の磁気記
   録媒体。
3. 【請求項３】 前記第２の下地膜としてのＮｉＰ膜の表
   面における粗さが、円周方向でＲａ₁ ＜１nmであり、半
   径方向でＲａ₂ ＜２nmであり、そしてＲａ₁＜Ｒａ₂ で
   あることを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 前記第２の下地膜としてのＮｉＰ膜にお
   いて、Ｎｉ及びＰの比（ａｔ％）が６７〜８５：３３〜
   １５であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１
   項に記載の磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 前記磁性膜が、コバルト、クロム、白金
   及びタンタルの四元系合金から構成されており、かつ次
   式により表される組成範囲： Ｃｏ_bal.−Ｃｒ_14-22 −Ｐｔ_4-10−Ｔａ_x （上式中、_bal.はバランス量を意味し、そしてｘは１〜
   ５ａｔ％である）にあることを特徴とする請求項１〜４
   のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 前記磁性膜が、コバルト、クロム、白
   金、タンタル及びニオブの五元系合金から構成されてお
   り、かつ次式により表される組成範囲： Ｃｏ_bal.−Ｃｒ_14-22 −Ｐｔ_4-10−Ｔａ_x −Ｎｂ_y （上式中、_bal.はバランス量を意味し、そしてｘ＋ｙは
   １〜５ａｔ％である）にあることを特徴とする請求項１
   〜４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
7. 【請求項７】 前記磁性膜の五元系合金において、タン
   タル及びニオブの添加量が同等もしくはほぼ同等である
   ことを特徴とする請求項６に記載の磁気記録媒体。
8. 【請求項８】 前記磁性膜が４０〜１８０Ｇμm のｔＢ
   ｒ（磁気記録膜の膜厚ｔと残留磁化密度Ｂｒの積）を有
   していることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項
   に記載の磁気記録媒体。
9. 【請求項９】 前記下地膜が第１、第２及び第３の下地
   膜からなる３層構造下地膜であり、その際、第１の下地
   膜の膜厚が５〜２５nmであり、第２の下地膜の膜厚が１
   ０〜２００nmであり、そして第３の下地膜の膜厚が５〜
   ６０nmであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか
   １項に記載の磁気記録媒体。
10. 【請求項１０】 前記下地膜のすべて及び前記磁性膜が
    それぞれスパッタ法により成膜されたものであることを
    特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の磁気記
    録媒体。
11. 【請求項１１】 前記磁性膜が１５０〜３５０℃の成膜
    温度でスパッタ法により成膜されたものであることを特
    徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の磁気記
    録媒体。
12. 【請求項１２】 前記磁性膜の上に、カーボンもしくは
    ダイヤモンドライクカーボンからなる保護膜をさらに有
    していることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１
    項に記載の磁気記録媒体。
13. 【請求項１３】 磁気記録媒体において情報の記録を行
    うための記録ヘッド部及び情報の再生を行うための再生
    ヘッド部を備えた磁気ディスク装置であって、前記磁気
    記録媒体が請求項１〜１２のいずれか１項に記載の磁気
    記録媒体であり、そして前記再生ヘッド部が磁気抵抗効
    果型ヘッドを備えていることを特徴とする磁気ディスク
    装置。
14. 【請求項１４】 前記磁気抵抗効果型ヘッドが、ＭＲヘ
    ッド、ＡＭＲヘッド又はＧＭＲヘッドであることを特徴
    とする請求項１３に記載の磁気ディスク装置。
15. 【請求項１５】 前記磁気抵抗効果型ヘッドが、前記磁
    気記録媒体に対向する面に浮上力発生用レールを有しか
    つ該レールの浮上面に複数個の突起を備えたスティクシ
    ョンフリースライダに配設されており、かつ前記磁気記
    録媒体の表面粗さＲａが６〜４０Åであることを特徴と
    する請求項１３又は１４に記載の磁気ディスク装置。