JPH07272263A - 磁気ディスク - Google Patents
磁気ディスクInfo
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- JPH07272263A JPH07272263A JP1489195A JP1489195A JPH07272263A JP H07272263 A JPH07272263 A JP H07272263A JP 1489195 A JP1489195 A JP 1489195A JP 1489195 A JP1489195 A JP 1489195A JP H07272263 A JPH07272263 A JP H07272263A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ガラスなどからなる非磁性基体を用い、耐衝撃
性,CSS耐久性が優れ、かつ、磁気特性が優れ、小
径,薄形が可能な磁気ディスクを提供する。 【構成】ガラスなどのうちから選ばれた一つの材料から
なるディスク状の非磁性基板11の上に無電解メッキ法
でNiP層12を形成し、その表面に機械的なテクスチ
ャリング処理を施して円周方向に沿った細かい溝を形成
して粗面化して非磁性基体1とし、その上にCr下地層
2,Co合金系磁性層3,カーボン保護膜4をスパッタ
法で順次成膜し、さらにその上に液体潤滑剤層5を形成
して磁気ディスクとする。
性,CSS耐久性が優れ、かつ、磁気特性が優れ、小
径,薄形が可能な磁気ディスクを提供する。 【構成】ガラスなどのうちから選ばれた一つの材料から
なるディスク状の非磁性基板11の上に無電解メッキ法
でNiP層12を形成し、その表面に機械的なテクスチ
ャリング処理を施して円周方向に沿った細かい溝を形成
して粗面化して非磁性基体1とし、その上にCr下地層
2,Co合金系磁性層3,カーボン保護膜4をスパッタ
法で順次成膜し、さらにその上に液体潤滑剤層5を形成
して磁気ディスクとする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、情報処理装置の外部
記憶装置として用いられる固定磁気ディスク装置などに
搭載される磁気ディスクに関する。
記憶装置として用いられる固定磁気ディスク装置などに
搭載される磁気ディスクに関する。
【0002】
【従来の技術】近年、コンピュータなどの情報処理装置
の外部記憶装置として固定磁気ディスク装置(HDD)
が多く用いられている。この固定磁気ディスク装置に搭
載される磁気ディスクは、一般に、非磁性基体の上に非
磁性金属下地層,強磁性合金からなる薄膜の磁性層,保
護層が順次形成されて構成されている。
の外部記憶装置として固定磁気ディスク装置(HDD)
が多く用いられている。この固定磁気ディスク装置に搭
載される磁気ディスクは、一般に、非磁性基体の上に非
磁性金属下地層,強磁性合金からなる薄膜の磁性層,保
護層が順次形成されて構成されている。
【0003】磁気ディスクの非磁性基体としては、従来
からAl−Mg合金からなるディスク状基板の表面にN
iPのメッキ層が12μm程度形成されたものが多用さ
れている。このAl−Mg合金は、比較的軽量であって
固定磁気ディスク装置の磁気ディスクを回転させる回転
駆動モータへの負担が少なく、また、加工精度に優れて
いるなどの利点があり、さらにNiPのメッキ層を形成
しポリッシングを施すことで、記録・再生時のエラーと
なる基体表面の欠陥をなくし、また、ディスク表面の平
面度を向上させ、また、磁気特性の向上を図っている。
からAl−Mg合金からなるディスク状基板の表面にN
iPのメッキ層が12μm程度形成されたものが多用さ
れている。このAl−Mg合金は、比較的軽量であって
固定磁気ディスク装置の磁気ディスクを回転させる回転
駆動モータへの負担が少なく、また、加工精度に優れて
いるなどの利点があり、さらにNiPのメッキ層を形成
しポリッシングを施すことで、記録・再生時のエラーと
なる基体表面の欠陥をなくし、また、ディスク表面の平
面度を向上させ、また、磁気特性の向上を図っている。
【0004】さらに、従来の磁気ディスクにおいては、
固定磁気ディスク装置で行われる磁気ヘッドの磁気ディ
スクへの繰り返し離着陸動作(CSS動作)の際の磁気
ヘッド─磁気ディスク間の摩擦係数を低下させ、かつ、
磁気ディスクの円周方向の磁気特性,特に保磁力Hc,
角型比S,保磁力角型比S* を向上させるために、上記
基体のNiP層表面に研磨テープあるいは遊離砥粒を用
いてテクスチャリング処理を行って、主に円周方向に沿
っての細かい溝の形成された粗面としている。この磁気
ディスクの円周方向の磁気特性の向上は磁気ディスクの
記録・再生特性を向上させるという点で非常に重要であ
る。
固定磁気ディスク装置で行われる磁気ヘッドの磁気ディ
スクへの繰り返し離着陸動作(CSS動作)の際の磁気
ヘッド─磁気ディスク間の摩擦係数を低下させ、かつ、
磁気ディスクの円周方向の磁気特性,特に保磁力Hc,
角型比S,保磁力角型比S* を向上させるために、上記
基体のNiP層表面に研磨テープあるいは遊離砥粒を用
いてテクスチャリング処理を行って、主に円周方向に沿
っての細かい溝の形成された粗面としている。この磁気
ディスクの円周方向の磁気特性の向上は磁気ディスクの
記録・再生特性を向上させるという点で非常に重要であ
る。
【0005】一方、固定磁気ディスク装置は、近年高記
録密度化とともに小型・軽量化が進んでおり、磁気ディ
スクのサイズも直径65mm,厚さ0.381mmや直
径48mm,厚さ0.381mmといった小径,薄形へ
と変わってきている。さらに、可搬型の固定磁気ディス
ク装置に対応するため、磁気ディスクに要求される耐衝
撃性も200G〜400Gとかなり大きな値となってき
た。しかし、従来のAl合金からなる基板にNiP層を
形成した基体では0.381mmという厚さでは強度が
充分でなく、また、衝撃に対しても基体が塑性変形を起
こしてしまうために、磁気ディスクの基体としての要求
に応えることができなくなってきている。
録密度化とともに小型・軽量化が進んでおり、磁気ディ
スクのサイズも直径65mm,厚さ0.381mmや直
径48mm,厚さ0.381mmといった小径,薄形へ
と変わってきている。さらに、可搬型の固定磁気ディス
ク装置に対応するため、磁気ディスクに要求される耐衝
撃性も200G〜400Gとかなり大きな値となってき
た。しかし、従来のAl合金からなる基板にNiP層を
形成した基体では0.381mmという厚さでは強度が
充分でなく、また、衝撃に対しても基体が塑性変形を起
こしてしまうために、磁気ディスクの基体としての要求
に応えることができなくなってきている。
【0006】このような問題点を解決するために、強化
ガラス,セラミックス,Ti,Si,Cなど(以下、
“ガラスなど”と称する)が基体の材料として用いられ
るようになってきている。これらの材料は板厚を薄くし
ても充分な強度があり、かつ、耐衝撃性に優れるなど従
来のAl合金にはない性能を有している。しかしなが
ら、これらの材料からなる基体は当然のことながらAl
合金からなる基板にNiP層を形成した基体とは異なる
物理的・化学的特性を示すため、Al合金の場合と同一
の製造工程で磁気ディスクを製造することが一般的には
困難である。特に前述の基体表面を粗面化するテクスチ
ャリング処理に関しては、基体の表面硬度がAl合金か
らなる基板の上にNiP層を形成した基体とは大きく異
なるため従来の方法を用いることができず、それぞれの
材料の基体に応じて基体表面の新しい粗面化法を開発す
ることが必要であり、種々の方法が提案されている。
ガラス,セラミックス,Ti,Si,Cなど(以下、
“ガラスなど”と称する)が基体の材料として用いられ
るようになってきている。これらの材料は板厚を薄くし
ても充分な強度があり、かつ、耐衝撃性に優れるなど従
来のAl合金にはない性能を有している。しかしなが
ら、これらの材料からなる基体は当然のことながらAl
合金からなる基板にNiP層を形成した基体とは異なる
物理的・化学的特性を示すため、Al合金の場合と同一
の製造工程で磁気ディスクを製造することが一般的には
困難である。特に前述の基体表面を粗面化するテクスチ
ャリング処理に関しては、基体の表面硬度がAl合金か
らなる基板の上にNiP層を形成した基体とは大きく異
なるため従来の方法を用いることができず、それぞれの
材料の基体に応じて基体表面の新しい粗面化法を開発す
ることが必要であり、種々の方法が提案されている。
【0007】例えば、特開平3−73419号公報に
は、ガラスなどからなる基体上に低融点金属からなる島
状膜を形成し、その凹凸によりCSS時の摩擦を低減す
る方法が開示されている。また特開昭64−37722
号公報には、ガラス基板に化学的エッチングを施した
り,ガラスを析出させたり,研磨を施したりして、表面
にランダムに配置された点状突起を形成し、CSS時の
摩擦を低減する方法が開示されている。さらに特開平4
−255908号公報には、NiPメッキを施したガラ
ス基板上に低融点金属からなる不連続な微小突起を形成
し、その凹凸によりCSS時の摩擦を低減する方法が開
示されている。
は、ガラスなどからなる基体上に低融点金属からなる島
状膜を形成し、その凹凸によりCSS時の摩擦を低減す
る方法が開示されている。また特開昭64−37722
号公報には、ガラス基板に化学的エッチングを施した
り,ガラスを析出させたり,研磨を施したりして、表面
にランダムに配置された点状突起を形成し、CSS時の
摩擦を低減する方法が開示されている。さらに特開平4
−255908号公報には、NiPメッキを施したガラ
ス基板上に低融点金属からなる不連続な微小突起を形成
し、その凹凸によりCSS時の摩擦を低減する方法が開
示されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような粗面化法では優れたCSS耐久性を実現すること
はできるが、基体表面の凹凸がランダムであるため、デ
ィスク円周方向での磁気特性を向上させるという効果は
得られない。従って、このような基体を使用した磁気デ
ィスクは記録・再生特性が従来のAl合金からなる基板
にNiP層を形成した基体を用いた磁気ディスクよりも
劣るという欠点がある。ガラスなどからなる基板上にN
iPメッキ層を形成しその表面にテクスチャリング処理
を施すことが考えられるが、ガラスなどにテクスチャリ
ング処理を施すに十分な1μm以上の膜厚のNiPメッ
キ層を密着性良く形成することは困難である。特開平4
−295614号公報には2段に分けたメッキ法が提案
されているが、その上に磁性層などをスパッタリングに
より成膜するときの熱ストレスに負けない密着性を得る
ことは難しく、また、膜の均一性を満足させるには精密
な液管理および環境の整備が必要であり、さらに工程が
2段でその間に加熱処理が必要であるなど工程が複雑で
問題が多い。
ような粗面化法では優れたCSS耐久性を実現すること
はできるが、基体表面の凹凸がランダムであるため、デ
ィスク円周方向での磁気特性を向上させるという効果は
得られない。従って、このような基体を使用した磁気デ
ィスクは記録・再生特性が従来のAl合金からなる基板
にNiP層を形成した基体を用いた磁気ディスクよりも
劣るという欠点がある。ガラスなどからなる基板上にN
iPメッキ層を形成しその表面にテクスチャリング処理
を施すことが考えられるが、ガラスなどにテクスチャリ
ング処理を施すに十分な1μm以上の膜厚のNiPメッ
キ層を密着性良く形成することは困難である。特開平4
−295614号公報には2段に分けたメッキ法が提案
されているが、その上に磁性層などをスパッタリングに
より成膜するときの熱ストレスに負けない密着性を得る
ことは難しく、また、膜の均一性を満足させるには精密
な液管理および環境の整備が必要であり、さらに工程が
2段でその間に加熱処理が必要であるなど工程が複雑で
問題が多い。
【0009】この発明は、上述の点に鑑みてなされたも
のであって、ガラスなどからなる非磁性基体を用い、耐
衝撃性,CSS耐久性が優れ、しかも磁気特性の良好な
磁気ディスクを提供することを目的とする。
のであって、ガラスなどからなる非磁性基体を用い、耐
衝撃性,CSS耐久性が優れ、しかも磁気特性の良好な
磁気ディスクを提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、この発明
によれば、非磁性基体上に非磁性金属下地層,磁性層,
保護膜がこの順に形成されてなる磁気ディスクにおい
て、前記非磁性基体が、ガラスなどのうちから選ばれた
一つの材料からなるディスク状基板の表面にNiP層が
無電解メッキにより形成されており、そのNiP層表面
が機械的なテクスチャリング処理により主にディスクの
円周方向に沿って形成された細かい溝によって粗面化さ
れているディスク状基体である磁気ディスクとすること
によって解決される。
によれば、非磁性基体上に非磁性金属下地層,磁性層,
保護膜がこの順に形成されてなる磁気ディスクにおい
て、前記非磁性基体が、ガラスなどのうちから選ばれた
一つの材料からなるディスク状基板の表面にNiP層が
無電解メッキにより形成されており、そのNiP層表面
が機械的なテクスチャリング処理により主にディスクの
円周方向に沿って形成された細かい溝によって粗面化さ
れているディスク状基体である磁気ディスクとすること
によって解決される。
【0011】ガラスなどからなるディスク状基板の表面
が機械的および化学的に粗面化されているとNiP層と
の密着性が向上するので好ましい。ディスク状基板の表
面粗さは中心線平均粗さRaで100Å以上とすること
が望ましい。また、NiP層の厚さは1μm以上10μ
m以下の範囲内であることが望ましい。
が機械的および化学的に粗面化されているとNiP層と
の密着性が向上するので好ましい。ディスク状基板の表
面粗さは中心線平均粗さRaで100Å以上とすること
が望ましい。また、NiP層の厚さは1μm以上10μ
m以下の範囲内であることが望ましい。
【0012】
【作用】この発明に係わる非磁性基体は、上述のよう
に、ガラスなどからなるディスク状基板の表面に無電解
メッキ法によりNiP層を形成し、さらにそのNiP層
表面に機械的なテクスチャリング処理を施してディスク
の円周方向に沿って細かな溝が形成されている。NiP
層を形成せずにガラスなどからなるディスク状基板表面
に直接テクスチャリング処理を施し、この基体を用いて
磁気ディスクを製作しても、CSS耐久性は良好である
がディスク円周方向の磁気特性,特に保磁力や角形比が
小さく十分良好な記録・再生特性が得られない。また、
NiP層を形成した場合でも、機械的なテクスチャリン
グ処理を行わず、従ってNiP層表面がランダムな表面
粗さを有するときには、やはり保磁力や角形比が小さく
十分良好な記録・再生特性が得られない。
に、ガラスなどからなるディスク状基板の表面に無電解
メッキ法によりNiP層を形成し、さらにそのNiP層
表面に機械的なテクスチャリング処理を施してディスク
の円周方向に沿って細かな溝が形成されている。NiP
層を形成せずにガラスなどからなるディスク状基板表面
に直接テクスチャリング処理を施し、この基体を用いて
磁気ディスクを製作しても、CSS耐久性は良好である
がディスク円周方向の磁気特性,特に保磁力や角形比が
小さく十分良好な記録・再生特性が得られない。また、
NiP層を形成した場合でも、機械的なテクスチャリン
グ処理を行わず、従ってNiP層表面がランダムな表面
粗さを有するときには、やはり保磁力や角形比が小さく
十分良好な記録・再生特性が得られない。
【0013】ガラスなどからなるディスク状基板表面を
機械的および化学的に粗面化しておくと、その上に従来
のAl合金からなる基板の場合と同様の工程,装置でN
iP層を密着性良く形成することができて好適である。
ディスク状基板の表面粗さは中心線平均粗さRaで10
0Å以上程度であることが望ましい。また、このような
NiP層表面には従来のAl合金からなる基板にNiP
層を形成した基体の場合と同様の工程,装置でテクスチ
ャリング処理を施すことができる。NiP層の膜厚は1
μm以上10μm以下の範囲内が好ましい。膜厚が1μ
m未満ではメッキ後のポリッシュやテクスチャリング処
理でディスク状基板が露出する場合があり、また基体の
耐蝕性に問題が生じることがあり、一方、10μmを超
えて厚くなると密着性が悪くなり、また、基体表面の平
滑性か悪くなるので好ましくない。
機械的および化学的に粗面化しておくと、その上に従来
のAl合金からなる基板の場合と同様の工程,装置でN
iP層を密着性良く形成することができて好適である。
ディスク状基板の表面粗さは中心線平均粗さRaで10
0Å以上程度であることが望ましい。また、このような
NiP層表面には従来のAl合金からなる基板にNiP
層を形成した基体の場合と同様の工程,装置でテクスチ
ャリング処理を施すことができる。NiP層の膜厚は1
μm以上10μm以下の範囲内が好ましい。膜厚が1μ
m未満ではメッキ後のポリッシュやテクスチャリング処
理でディスク状基板が露出する場合があり、また基体の
耐蝕性に問題が生じることがあり、一方、10μmを超
えて厚くなると密着性が悪くなり、また、基体表面の平
滑性か悪くなるので好ましくない。
【0014】
【実施例】以下、この発明の実施例について説明する。
図1はこの発明の磁気ディスクの一実施例の構成の説明
図である。非磁性基体1はガラスなどからなるディスク
状の非磁性基板11とその上に無電解メッキで形成され
たNiP層12とからなる。非磁性基板11の表面は機
械的および化学的に粗面化されている。また、NiP層
12の表面はテクスチャリング処理によりディスク円周
方向に沿って細かな溝が形成された粗面である。その上
にスパッタ法によりCr下地層2,Co合金系磁性層3
およびカーボン保護膜4が順次形成され、さらに、その
上に液体潤滑剤層5が塗布形成されている。NiP層1
2の表面のテクスチャリング処理された粗面形状は凹凸
が若干滑らかにはなるがその上に形成される各層に引き
継がれ、液体潤滑剤層5の表面はディスク円周方向に沿
って細かな溝が形成された粗面となっている。
図1はこの発明の磁気ディスクの一実施例の構成の説明
図である。非磁性基体1はガラスなどからなるディスク
状の非磁性基板11とその上に無電解メッキで形成され
たNiP層12とからなる。非磁性基板11の表面は機
械的および化学的に粗面化されている。また、NiP層
12の表面はテクスチャリング処理によりディスク円周
方向に沿って細かな溝が形成された粗面である。その上
にスパッタ法によりCr下地層2,Co合金系磁性層3
およびカーボン保護膜4が順次形成され、さらに、その
上に液体潤滑剤層5が塗布形成されている。NiP層1
2の表面のテクスチャリング処理された粗面形状は凹凸
が若干滑らかにはなるがその上に形成される各層に引き
継がれ、液体潤滑剤層5の表面はディスク円周方向に沿
って細かな溝が形成された粗面となっている。
【0015】実施例1 外径65mm,厚さ0.381mmのディスク状の強化
ガラス基板表面を、研磨剤としてAl2 O3 (SiC,
SiOなどでもよい)を用いた砥石(研磨テープ,遊離
砥粒などでもよい)により表面粗さが中心線平均粗さR
aで100Å以上程度に研磨して粗面化した後、NaO
H溶液でアルカリ脱脂し、さらにフッ酸(フッ化アンモ
ニウム,硝酸などでもよい)で化学的にエッチングし、
純水で洗浄した後、SnCl2 溶液に5分以内浸漬して
感受性化(センシタイゼーション)を行い、水洗後、P
dCl2 溶液に5分以内浸漬して活性化を行い、水洗
後、市販の無電解NiPメッキ溶液(上村工業(株)
製;HDX)を用い、液温70℃以上で無電解メッキを
行い、膜厚10μmのNiP層を形成した。続いて、水
洗後、クリーンな乾燥器で温度100℃〜300℃の大
気中で数時間熱処理を行った。なお、以上のプロセスは
基板を回転させながら行った。
ガラス基板表面を、研磨剤としてAl2 O3 (SiC,
SiOなどでもよい)を用いた砥石(研磨テープ,遊離
砥粒などでもよい)により表面粗さが中心線平均粗さR
aで100Å以上程度に研磨して粗面化した後、NaO
H溶液でアルカリ脱脂し、さらにフッ酸(フッ化アンモ
ニウム,硝酸などでもよい)で化学的にエッチングし、
純水で洗浄した後、SnCl2 溶液に5分以内浸漬して
感受性化(センシタイゼーション)を行い、水洗後、P
dCl2 溶液に5分以内浸漬して活性化を行い、水洗
後、市販の無電解NiPメッキ溶液(上村工業(株)
製;HDX)を用い、液温70℃以上で無電解メッキを
行い、膜厚10μmのNiP層を形成した。続いて、水
洗後、クリーンな乾燥器で温度100℃〜300℃の大
気中で数時間熱処理を行った。なお、以上のプロセスは
基板を回転させながら行った。
【0016】以上のようにして形成したNiP層の表面
をポリシングにより鏡面研磨して表面の突起などの欠陥
を除去し、その鏡面研磨した表面に、平均砥粒径2μm
の白色アルミナを研磨剤とするテクスチャリング処理用
研磨テープをゴムローラで押しつけながら基板を回転さ
せて第一のテクスチャリング処理を行い、続いて、平均
砥粒径1μmの白色アルミナを含むスラリーをゴムロー
ラでNiP層の表面に押しつけた植毛テープに滴下しな
がら基板を回転させて第二のテクスチャリング処理を行
って非磁性基体とする。
をポリシングにより鏡面研磨して表面の突起などの欠陥
を除去し、その鏡面研磨した表面に、平均砥粒径2μm
の白色アルミナを研磨剤とするテクスチャリング処理用
研磨テープをゴムローラで押しつけながら基板を回転さ
せて第一のテクスチャリング処理を行い、続いて、平均
砥粒径1μmの白色アルミナを含むスラリーをゴムロー
ラでNiP層の表面に押しつけた植毛テープに滴下しな
がら基板を回転させて第二のテクスチャリング処理を行
って非磁性基体とする。
【0017】この非磁性基体上に搬送式のDCマグネト
ロンスパッタによりCr下地層(膜厚1000Å),C
oCrNiTa磁性層(膜厚500Å)を形成し、さら
に、その上に圧力5mTorr,30%モル濃度のCH
4 を混合したアルゴンガスを流量20SCCMで流して
いる雰囲気中でカーボンをターゲットとした搬送式DC
マグネトロンスパッタによりカーボン保護膜(膜厚15
0Å)を成膜し、続いて、このカーボン保護膜上にパー
フルオロポリエーテル系液体潤滑剤を塗布して膜厚16
Å〜20Åの潤滑剤層を形成して磁気ディスクを作製し
た。
ロンスパッタによりCr下地層(膜厚1000Å),C
oCrNiTa磁性層(膜厚500Å)を形成し、さら
に、その上に圧力5mTorr,30%モル濃度のCH
4 を混合したアルゴンガスを流量20SCCMで流して
いる雰囲気中でカーボンをターゲットとした搬送式DC
マグネトロンスパッタによりカーボン保護膜(膜厚15
0Å)を成膜し、続いて、このカーボン保護膜上にパー
フルオロポリエーテル系液体潤滑剤を塗布して膜厚16
Å〜20Åの潤滑剤層を形成して磁気ディスクを作製し
た。
【0018】実施例2 実施例1において、基板材質をTiに代えたこと以外
は、実施例1と同様にして磁気ディスクを作製した。 比較例1 実施例1において、NiP層を設けなかったこと以外
は、実施例1と同様にして磁気ディスクを作製した。
は、実施例1と同様にして磁気ディスクを作製した。 比較例1 実施例1において、NiP層を設けなかったこと以外
は、実施例1と同様にして磁気ディスクを作製した。
【0019】比較例2 実施例1において、NiP層表面にテクスチャリング処
理を行わず、その代わりに、Alからなる凹凸を有する
島状の膜を形成して粗面化したこと以外は、実施例1と
同様にして磁気ディスクを作製した。 比較例3 実施例1において、NiP層の膜厚を0.8μmとした
こと以外は、実施例1と同様にして磁気ディスクを作製
した。
理を行わず、その代わりに、Alからなる凹凸を有する
島状の膜を形成して粗面化したこと以外は、実施例1と
同様にして磁気ディスクを作製した。 比較例3 実施例1において、NiP層の膜厚を0.8μmとした
こと以外は、実施例1と同様にして磁気ディスクを作製
した。
【0020】比較例4 実施例1において、NiP層の膜厚を12μmとしたこ
と以外は、実施例1と同様にして磁気ディスクを作製し
た。 比較例5 実施例1において、NiP層のメッキを行う際に基板表
面を機械的,化学的に粗面化することなしにメッキを行
ったこと以外は、実施例1と同様にして磁気ディスクを
作製した。
と以外は、実施例1と同様にして磁気ディスクを作製し
た。 比較例5 実施例1において、NiP層のメッキを行う際に基板表
面を機械的,化学的に粗面化することなしにメッキを行
ったこと以外は、実施例1と同様にして磁気ディスクを
作製した。
【0021】このようにして得られた磁気ディスクにつ
いて、磁気特性,記録・再生特性の評価を行った。磁気
特性は試料振動形磁力計(VSM)を用いて測定した。
記録・再生特性は表1に示す条件でインダクティブ方式
の薄膜磁気ヘッドを用いて測定した。その結果を表2に
示す。
いて、磁気特性,記録・再生特性の評価を行った。磁気
特性は試料振動形磁力計(VSM)を用いて測定した。
記録・再生特性は表1に示す条件でインダクティブ方式
の薄膜磁気ヘッドを用いて測定した。その結果を表2に
示す。
【0022】
【表1】
【0023】
【表2】
【0024】表2に見られるように、基体にNiP層が
形成されていない比較例1の磁気ディスクは、実施例1
と同様に表面に円周方向に沿って細かい溝が形成されて
いるにもかかわらず磁気特性が悪く記録・再生特性も劣
っている。また、基体のNiP層表面がテクスチャリン
グ処理を施されずAlからなる凹凸の島状膜を形成して
粗面化されている基体を用いた比較例2の磁気ディスク
は、表面がランダムな粗面であり磁気特性,記録・再生
特性ともに実施例より劣っている。また、NiP層の膜
厚が0.8μmと薄い基体はテクスチャリング処理でガ
ラスが露出し、このような基体を用いた比較例3の磁気
ディスクは磁気特性が極端に悪く磁気ディスクとして使
用できない。また、NiP層の膜厚が12μmと厚い基
体はガラスとNiP層の密着性が低く、このような基体
を用いた比較例4の磁気ディスクはスパッタ成膜時の温
度変化のためにNiP層がガラスから剥離してしまっ
た。また、基板表面を機械的,化学的に粗面化せずにN
iP層を無電解メッキした基体もガラスとNiP層の密
着性が低く、このような基体を用いた比較例5の磁気デ
ィスクもスパッタ成膜時の温度変化のためにNiP層が
ガラスから剥離してしまった。
形成されていない比較例1の磁気ディスクは、実施例1
と同様に表面に円周方向に沿って細かい溝が形成されて
いるにもかかわらず磁気特性が悪く記録・再生特性も劣
っている。また、基体のNiP層表面がテクスチャリン
グ処理を施されずAlからなる凹凸の島状膜を形成して
粗面化されている基体を用いた比較例2の磁気ディスク
は、表面がランダムな粗面であり磁気特性,記録・再生
特性ともに実施例より劣っている。また、NiP層の膜
厚が0.8μmと薄い基体はテクスチャリング処理でガ
ラスが露出し、このような基体を用いた比較例3の磁気
ディスクは磁気特性が極端に悪く磁気ディスクとして使
用できない。また、NiP層の膜厚が12μmと厚い基
体はガラスとNiP層の密着性が低く、このような基体
を用いた比較例4の磁気ディスクはスパッタ成膜時の温
度変化のためにNiP層がガラスから剥離してしまっ
た。また、基板表面を機械的,化学的に粗面化せずにN
iP層を無電解メッキした基体もガラスとNiP層の密
着性が低く、このような基体を用いた比較例5の磁気デ
ィスクもスパッタ成膜時の温度変化のためにNiP層が
ガラスから剥離してしまった。
【0025】次に実施例1,2および比較例1,2の各
磁気ディスクについて、ヘッド浮上量およびCSS耐久
性の評価を行った。ヘッド浮上量はグライドハイトテス
ターにより評価した。CSS耐久性は荷重9.5gf,
Al2 O3 ・TiCスライダーの薄膜ヘッドを用いて評
価した。その結果を表3に示す。
磁気ディスクについて、ヘッド浮上量およびCSS耐久
性の評価を行った。ヘッド浮上量はグライドハイトテス
ターにより評価した。CSS耐久性は荷重9.5gf,
Al2 O3 ・TiCスライダーの薄膜ヘッドを用いて評
価した。その結果を表3に示す。
【0026】
【表3】
【0027】表3に見られるように、ヘッド浮上量はい
ずれの磁気ディスクも良好である。また、CSS耐久性
も比較例2で2万回CSS後の摩擦係数が若干大きいが
いずれも良好である。しかしながら、表2に見られるよ
うに比較例1,2の磁気ディスクは磁気特性,記録・再
生特性で実施例の磁気ディスクに劣るという問題を有す
る。
ずれの磁気ディスクも良好である。また、CSS耐久性
も比較例2で2万回CSS後の摩擦係数が若干大きいが
いずれも良好である。しかしながら、表2に見られるよ
うに比較例1,2の磁気ディスクは磁気特性,記録・再
生特性で実施例の磁気ディスクに劣るという問題を有す
る。
【0028】
【発明の効果】この発明によれば、磁気ディスクの非磁
性基体として、ガラスなどからなるディスク状の基板の
表面に無電解メッキ法によりNiP層を形成し、さらに
そのNiP層表面に機械的なテクスチャリング処理を施
してディスクの円周方向に沿って細かな溝が形成されて
いる基体を用いる。このような基体を用いることによ
り、耐衝撃性,CSS耐久性が優れ、しかも磁気特性の
良好な磁気ディスクを得ることができ、小径,薄形の磁
気ディスクを得ることが可能となる。
性基体として、ガラスなどからなるディスク状の基板の
表面に無電解メッキ法によりNiP層を形成し、さらに
そのNiP層表面に機械的なテクスチャリング処理を施
してディスクの円周方向に沿って細かな溝が形成されて
いる基体を用いる。このような基体を用いることによ
り、耐衝撃性,CSS耐久性が優れ、しかも磁気特性の
良好な磁気ディスクを得ることができ、小径,薄形の磁
気ディスクを得ることが可能となる。
【図1】この発明に係わる磁気ディスクの一実施例の構
成の説明図
成の説明図
1 非磁性基体 2 Cr下地層 3 Co合金系磁性層 4 カーボン保護膜 5 液体潤滑剤層 11 非磁性基板 12 NiP層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 倉田 昇 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 富士電機株式会社内 (72)発明者 金庭 有治 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 富士電機株式会社内 (72)発明者 平野 博 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 富士電機株式会社内
Claims (4)
- 【請求項1】非磁性基体上に非磁性金属下地層,磁性
層,保護層がこの順に形成されてなる磁気ディスクにお
いて、前記非磁性基体が強化ガラス,ガラスセラミック
ス,Ti,Si,Cのうちから選ばれた一つの材料から
なるディスク状基板の表面にNiP層が無電解メッキに
より形成されており、そのNiP層の表面が機械的なテ
クスチャリング処理により主にディスクの円周方向に沿
って形成された細かい溝によって粗面化されているディ
スク状基体であることを特徴とする磁気ディスク。 - 【請求項2】ディスク状基板の表面が機械的および化学
的に粗面化されており、その粗面上にNiP層が無電解
メッキにより形成されている非磁性基体であることを特
徴とする請求項1記載の磁気ディスク。 - 【請求項3】ディスク状基板の表面粗さが中心線平均粗
さRaで100Å以上である非磁性基体であることを特
徴とする請求項2記載の磁気ディスク。 - 【請求項4】NiP層の厚さが1μm以上10μm以下
の範囲内である非磁性基体であることを特徴とする請求
項1ないし3のいずれかに記載の磁気ディスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1489195A JPH07272263A (ja) | 1994-02-10 | 1995-02-01 | 磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6-15622 | 1994-02-10 | ||
JP1562294 | 1994-02-10 | ||
JP1489195A JPH07272263A (ja) | 1994-02-10 | 1995-02-01 | 磁気ディスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07272263A true JPH07272263A (ja) | 1995-10-20 |
Family
ID=26350929
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1489195A Pending JPH07272263A (ja) | 1994-02-10 | 1995-02-01 | 磁気ディスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07272263A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6740383B2 (en) | 1998-05-27 | 2004-05-25 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium possessing a ratio of Hc(perpendicular) to Hc(horizontal) that is not more than 0.22 and magnetic recording disk device |
JP2004277277A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-10-07 | Hitachi Maxell Ltd | 金属被膜付き部材及びその製造方法 |
JP2006049698A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Denso Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1995
- 1995-02-01 JP JP1489195A patent/JPH07272263A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6740383B2 (en) | 1998-05-27 | 2004-05-25 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium possessing a ratio of Hc(perpendicular) to Hc(horizontal) that is not more than 0.22 and magnetic recording disk device |
JP2004277277A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-10-07 | Hitachi Maxell Ltd | 金属被膜付き部材及びその製造方法 |
JP2006049698A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Denso Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
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