JPH11296844A - 磁気ディスク用基板およびその製造方法 - Google Patents
磁気ディスク用基板およびその製造方法Info
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- JPH11296844A JPH11296844A JP32185098A JP32185098A JPH11296844A JP H11296844 A JPH11296844 A JP H11296844A JP 32185098 A JP32185098 A JP 32185098A JP 32185098 A JP32185098 A JP 32185098A JP H11296844 A JPH11296844 A JP H11296844A
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- magnetic disk
- magnetic
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 グラインディング性に優れ、平面平滑性に優
れた基板を提供することを目的とし、もって、情報密度
の高い磁気ディスクの製造を可能とする。 【解決手段】 アルミニウム系金属製の磁気ディスク用
基板において、該基板の表面に露出し、直径が１μｍ以
上であるＳｉＯ2 含有量の大きいＳｉＯ2 相の粒子の数
を１個／ｍｍ2 以下としたことを特徴とする磁気ディス
ク基板。
れた基板を提供することを目的とし、もって、情報密度
の高い磁気ディスクの製造を可能とする。 【解決手段】 アルミニウム系金属製の磁気ディスク用
基板において、該基板の表面に露出し、直径が１μｍ以
上であるＳｉＯ2 含有量の大きいＳｉＯ2 相の粒子の数
を１個／ｍｍ2 以下としたことを特徴とする磁気ディス
ク基板。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気ディスク用基板
に関するものである。更に詳しくは、グライド特性に優
れ、平滑性の高い磁気ディスクを得ることのできる磁気
ディスク用基板、およびその製造方法に関する。
に関するものである。更に詳しくは、グライド特性に優
れ、平滑性の高い磁気ディスクを得ることのできる磁気
ディスク用基板、およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータ等の情報処理技術の
発達に伴い、その外部記憶装置として磁気ディスク等の
磁気記録媒体が広く用いられている。従来、磁気記録媒
体としてはアルミニウム合金基板にアルマイト処理やＮ
ｉ−Ｐメッキ等の非磁性メッキ処理を施した後に、Ｃｒ
等の下地層を被覆し、次いでＣｏ系合金の磁性薄膜層を
被覆し、更に炭素質の保護膜が被覆されたものが使用さ
れている。
発達に伴い、その外部記憶装置として磁気ディスク等の
磁気記録媒体が広く用いられている。従来、磁気記録媒
体としてはアルミニウム合金基板にアルマイト処理やＮ
ｉ−Ｐメッキ等の非磁性メッキ処理を施した後に、Ｃｒ
等の下地層を被覆し、次いでＣｏ系合金の磁性薄膜層を
被覆し、更に炭素質の保護膜が被覆されたものが使用さ
れている。
【０００３】上記磁気記録媒体（磁気ディスク）の高密
度化に伴ない、磁気ディスクと磁気ヘッドとの間隔、即
ち浮上量は益々小さくなっており、最近では０．１５μ
ｍ程度以下になっている。このように磁気ヘッドの浮上
量が著しく小さいため、磁気ディスク面に突起が存在す
るとヘッドクラッシュを招き、ディスク表面を傷つける
ことがある。また、ヘッドクラッシュに至らないような
微小な突起であっても情報の読み書きの際の種々のエラ
ーの原因となりやすい。
度化に伴ない、磁気ディスクと磁気ヘッドとの間隔、即
ち浮上量は益々小さくなっており、最近では０．１５μ
ｍ程度以下になっている。このように磁気ヘッドの浮上
量が著しく小さいため、磁気ディスク面に突起が存在す
るとヘッドクラッシュを招き、ディスク表面を傷つける
ことがある。また、ヘッドクラッシュに至らないような
微小な突起であっても情報の読み書きの際の種々のエラ
ーの原因となりやすい。
【０００４】一方、磁気ディスクは大容量化、高密度化
と並行して小型化も進められており、スピンドル回転用
のモーター等も益々小さくなっている。このため、モー
ターのトルクが不足し、磁気ヘッドが磁気ディスク面に
固着したまま浮上しないという現象が生じやすい。この
磁気ヘッドの固着を、磁気ヘッドと磁気ディスク表面と
の摩擦を小さくすることにより防止する手段として、磁
気ディスクの基板表面に微細な溝を形成するテクスチャ
加工と称する表面加工を施す処理が行なわれている。
と並行して小型化も進められており、スピンドル回転用
のモーター等も益々小さくなっている。このため、モー
ターのトルクが不足し、磁気ヘッドが磁気ディスク面に
固着したまま浮上しないという現象が生じやすい。この
磁気ヘッドの固着を、磁気ヘッドと磁気ディスク表面と
の摩擦を小さくすることにより防止する手段として、磁
気ディスクの基板表面に微細な溝を形成するテクスチャ
加工と称する表面加工を施す処理が行なわれている。
【０００５】テクスチャ加工によって、磁気ディスク上
のヘッドの浮上特性の改善が図られる。しかし、情報の
高密度化が益々要求される近年においては、基板の表面
精度が重要となっており、特に、基板表面にマイクロブ
リスターと呼ばれるミクロンオーダーの微小膨出部があ
ると製品検査工程のグライド検査において歩留りを悪化
させる要因となる。
のヘッドの浮上特性の改善が図られる。しかし、情報の
高密度化が益々要求される近年においては、基板の表面
精度が重要となっており、特に、基板表面にマイクロブ
リスターと呼ばれるミクロンオーダーの微小膨出部があ
ると製品検査工程のグライド検査において歩留りを悪化
させる要因となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、グラインデ
ィング性に優れ、平面平滑性に優れた基板を提供するこ
とを目的とし、もって、情報密度の高い磁気ディスクの
製造を可能とすることにある。
ィング性に優れ、平面平滑性に優れた基板を提供するこ
とを目的とし、もって、情報密度の高い磁気ディスクの
製造を可能とすることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、かかる目的を
達成するため鋭意検討を行った結果、基板材質の均質化
を図ることによってグライド特性の優れた基板を得るこ
とができることを見出し本発明を達成した。すなわち、
本発明は、 アルミニウム系金属製の磁気ディスク用基板におい
て、該基板の表面に露出し、直径が１μｍ以上であるＳ
ｉＯ2 高含有相粒子の数を１個／ｍｍ2 以下としたこと
を特徴とする磁気ディスク用基板、および、 アルミニウム系金属製の基板を最終研削する前に、
該基板を磁性層の成膜温度以上の温度で熱処理すること
により、基板の表面に露出し、直径が１μｍ以上である
ＳｉＯ2 高含有相粒子の数を１個／ｍｍ2 以下とするこ
とを特徴とする磁気ディスク用基板の製造方法を提供す
ることにある。 アルミニウム系金属製の基板をメッキ処理する前に
エッチング処理することにより、基板の表面に露出し、
直径が１μｍ以上であるＳｉＯ2 高含有相粒子の数を１
個／ｍｍ2 以下とすることを特徴とする磁気ディスク基
板の製造方法を提供することにある。
達成するため鋭意検討を行った結果、基板材質の均質化
を図ることによってグライド特性の優れた基板を得るこ
とができることを見出し本発明を達成した。すなわち、
本発明は、 アルミニウム系金属製の磁気ディスク用基板におい
て、該基板の表面に露出し、直径が１μｍ以上であるＳ
ｉＯ2 高含有相粒子の数を１個／ｍｍ2 以下としたこと
を特徴とする磁気ディスク用基板、および、 アルミニウム系金属製の基板を最終研削する前に、
該基板を磁性層の成膜温度以上の温度で熱処理すること
により、基板の表面に露出し、直径が１μｍ以上である
ＳｉＯ2 高含有相粒子の数を１個／ｍｍ2 以下とするこ
とを特徴とする磁気ディスク用基板の製造方法を提供す
ることにある。 アルミニウム系金属製の基板をメッキ処理する前に
エッチング処理することにより、基板の表面に露出し、
直径が１μｍ以上であるＳｉＯ2 高含有相粒子の数を１
個／ｍｍ2 以下とすることを特徴とする磁気ディスク基
板の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明における磁気記録媒体の非
磁性基板としては、一般にアルミニウムまたはアルミニ
ウム合金からなるアルミニウム系金属を使用し、これを
所定の厚さのディスク状基板形状に加工した後、その表
面を鏡面加工する。それ以後の製法は特に制限はなく公
知の手法を用いることができるが、一般には、この基板
に非磁性金属、例えば、Ｎｉ−Ｐ合金、または、Ｎｉ−
Ｃｕ−Ｐ合金等を無電解メッキ処理等により積層し、更
にこれにテクスチャ加工した後、下地層、磁性層、保護
層等が積層されて磁気ディスクが形成される。
磁性基板としては、一般にアルミニウムまたはアルミニ
ウム合金からなるアルミニウム系金属を使用し、これを
所定の厚さのディスク状基板形状に加工した後、その表
面を鏡面加工する。それ以後の製法は特に制限はなく公
知の手法を用いることができるが、一般には、この基板
に非磁性金属、例えば、Ｎｉ−Ｐ合金、または、Ｎｉ−
Ｃｕ−Ｐ合金等を無電解メッキ処理等により積層し、更
にこれにテクスチャ加工した後、下地層、磁性層、保護
層等が積層されて磁気ディスクが形成される。
【０００９】テクスチャ加工工程に至る前の基板の処理
工程は、その工程図を図１に示すように、帯状のアルミ
ニウム系金属薄板を基板形状に裁断した後、角部を研削
するチャンファリング工程を得て、平滑研削するグライ
ンディング工程、Ｎｉ−Ｐ等のメッキ工程、表面を平滑
化するポリッシュ工程が行なわれ、その間に、前工程で
発生した応力歪みを除去するための焼成（熱処理）工程
が行なわれる。
工程は、その工程図を図１に示すように、帯状のアルミ
ニウム系金属薄板を基板形状に裁断した後、角部を研削
するチャンファリング工程を得て、平滑研削するグライ
ンディング工程、Ｎｉ−Ｐ等のメッキ工程、表面を平滑
化するポリッシュ工程が行なわれ、その間に、前工程で
発生した応力歪みを除去するための焼成（熱処理）工程
が行なわれる。
【００１０】しかして、最近の高容量化対応として磁性
膜の保磁力（Ｈｃ）を向上するために膜組成を見直すと
共に、成膜温度を上昇する方向にあり、Ｃｒ磁性化温度
（３００℃）に近い２９５℃程度の成膜温度が採用され
ている。かかる高温で磁性層を成膜するときに、従来の
手法で製造された基板を使用するとマイクロブリスター
がしばしば発生する。
膜の保磁力（Ｈｃ）を向上するために膜組成を見直すと
共に、成膜温度を上昇する方向にあり、Ｃｒ磁性化温度
（３００℃）に近い２９５℃程度の成膜温度が採用され
ている。かかる高温で磁性層を成膜するときに、従来の
手法で製造された基板を使用するとマイクロブリスター
がしばしば発生する。
【００１１】本発明者が、このマイクロブリスターをＳ
ＥＭ（電子顕微鏡）による観察、ＥＤＸによる元素分析
等によって解析した結果、マイクロブリスターは、アル
ミニウム系金属内にＳｉＯ2 含有量の多い相からなる粒
子を含むボイドが原因となっていることが判明し、磁性
層を成膜する際基板が高温に晒されることによって膨れ
たものであることを見出した。
ＥＭ（電子顕微鏡）による観察、ＥＤＸによる元素分析
等によって解析した結果、マイクロブリスターは、アル
ミニウム系金属内にＳｉＯ2 含有量の多い相からなる粒
子を含むボイドが原因となっていることが判明し、磁性
層を成膜する際基板が高温に晒されることによって膨れ
たものであることを見出した。
【００１２】この結果に基づいて防止方法を検討した結
果、磁性層を成膜する工程以前において基板を熱処理し
て、ボイドを事前に膨らませた後、その部分を加工によ
って平滑にすることによって、成膜時のブリスターの発
生を防止することに成功した。従って、本発明は、基板
を磁性層の形成前に熱処理することを特徴とする。基板
の熱処理は、ブランク材に対して行ってもよく、また、
ブランク材から基板形状に打抜いた後、最終の表面研削
加工までの任意の段階で行なうことができる。従って、
本発明における基板とは、ブランク材から、各種の加工
が行なわれて基板となる工程までのものを総称する。
果、磁性層を成膜する工程以前において基板を熱処理し
て、ボイドを事前に膨らませた後、その部分を加工によ
って平滑にすることによって、成膜時のブリスターの発
生を防止することに成功した。従って、本発明は、基板
を磁性層の形成前に熱処理することを特徴とする。基板
の熱処理は、ブランク材に対して行ってもよく、また、
ブランク材から基板形状に打抜いた後、最終の表面研削
加工までの任意の段階で行なうことができる。従って、
本発明における基板とは、ブランク材から、各種の加工
が行なわれて基板となる工程までのものを総称する。
【００１３】中でも鏡面加工を行った後、Ｎｉ−Ｐ等の
非磁性金属のメッキを行なう前に行なうことが好まし
い。熱処理温度は磁性層の成膜温度以上とされる。一般
には２８０〜３００℃の温度で行なうことが望ましい。
処理時間は１０分〜２０時間、好ましくは３０分〜１０
時間程度である。
非磁性金属のメッキを行なう前に行なうことが好まし
い。熱処理温度は磁性層の成膜温度以上とされる。一般
には２８０〜３００℃の温度で行なうことが望ましい。
処理時間は１０分〜２０時間、好ましくは３０分〜１０
時間程度である。
【００１４】この熱処理によって、基板表面に露出し、
直径が１μｍ以上のＳｉＯ2 高含有相の粒子を１個／ｍ
ｍ2 以下、好ましくは０．１個／ｍｍ2 以下更に好まし
くは０．０１個／ｍｍ2 以下とすることができ、１個／
ｍｍ2 以下とすることによって、各種基板について検討
を行った結果を示す末尾記載の表１から明らかなように
マイクロブリスターの発生が極めて少なくなる。
直径が１μｍ以上のＳｉＯ2 高含有相の粒子を１個／ｍ
ｍ2 以下、好ましくは０．１個／ｍｍ2 以下更に好まし
くは０．０１個／ｍｍ2 以下とすることができ、１個／
ｍｍ2 以下とすることによって、各種基板について検討
を行った結果を示す末尾記載の表１から明らかなように
マイクロブリスターの発生が極めて少なくなる。
【００１５】また、上記マイクロブリスターの発生は上
記基板のＮｉ−Ｐ等のメッキ処理工程前にメッキ処理効
果を上げるために実施するエッチング処理によっても発
生し、そのエッチング処理条件の選択によってその発生
を防止し得ることを見出した。即ち、メッキ処理工程前
のエッチング処理におけるエッチング量を規定すること
によりマイクロブリスターの原因であるＳｉＯ2 の発生
を防止できるものである。
記基板のＮｉ−Ｐ等のメッキ処理工程前にメッキ処理効
果を上げるために実施するエッチング処理によっても発
生し、そのエッチング処理条件の選択によってその発生
を防止し得ることを見出した。即ち、メッキ処理工程前
のエッチング処理におけるエッチング量を規定すること
によりマイクロブリスターの原因であるＳｉＯ2 の発生
を防止できるものである。
【００１６】ＮｉＰ合金等メッキ前には、メッキ効果を
上げるためエッチングを実施する。エッチング処理は例
えば、Ｈ2 ＳＯ4 又はＨ2 ＳＯ4 ＋Ｈ3 ＰＯ4 を主成分
とする処理浴中で一般的に６０〜７０℃、１００〜３０
０ｓｅｃ処理することにより表面をエッチングする。本
発明者等はエッチング後の表面形態をＳＥＭにて観察し
た結果、エッチング量とマイクロブリスター発生に密接
な関係があることを見出した。マイクロブリスター発生
原因とＳｉＯ2 の関係は前記した通りである。ＳｉＯ2
の発生源としては、基板中のＭｇ2 Ｓｉ中のＭｇが溶解
し、残ったＳｉが酸化されＳｉＯ2 になるものと推定さ
れる。エッチングでは選択的に不純物（Ｍｇ2 Ｓｉ、
他）がエッチングされるため、Ｍｇ2 Ｓｉがエッチング
されると前記の通りＳｉＯ2 が発生することとなる。
上げるためエッチングを実施する。エッチング処理は例
えば、Ｈ2 ＳＯ4 又はＨ2 ＳＯ4 ＋Ｈ3 ＰＯ4 を主成分
とする処理浴中で一般的に６０〜７０℃、１００〜３０
０ｓｅｃ処理することにより表面をエッチングする。本
発明者等はエッチング後の表面形態をＳＥＭにて観察し
た結果、エッチング量とマイクロブリスター発生に密接
な関係があることを見出した。マイクロブリスター発生
原因とＳｉＯ2 の関係は前記した通りである。ＳｉＯ2
の発生源としては、基板中のＭｇ2 Ｓｉ中のＭｇが溶解
し、残ったＳｉが酸化されＳｉＯ2 になるものと推定さ
れる。エッチングでは選択的に不純物（Ｍｇ2 Ｓｉ、
他）がエッチングされるため、Ｍｇ2 Ｓｉがエッチング
されると前記の通りＳｉＯ2 が発生することとなる。
【００１７】エッチング量と１μｍ以上のＳｉＯ2 発生
量の関係をまとめると図２の通りとなった。即ち１μｍ
以上のＳｉＯ2 個数を１．０個／ｍｍ2 以下とするため
には、エッチング量は７ｍｇ／（３．５インチ基板換
算）以下、好ましくは３〜７ｍｇが最適であることが判
明した。エッチング量は多すぎると前述のマイクロブリ
スターが発生しやすくなり、一方、少なすぎるとＮｉＰ
メッキ効率が悪くなる。
量の関係をまとめると図２の通りとなった。即ち１μｍ
以上のＳｉＯ2 個数を１．０個／ｍｍ2 以下とするため
には、エッチング量は７ｍｇ／（３．５インチ基板換
算）以下、好ましくは３〜７ｍｇが最適であることが判
明した。エッチング量は多すぎると前述のマイクロブリ
スターが発生しやすくなり、一方、少なすぎるとＮｉＰ
メッキ効率が悪くなる。
【００１８】なお、本発明においてＳｉＯ2 高含有相の
直径は、等面積の真円体換算値で表わす。本発明による
熱処理が行なわれた基板は、一般の方法によって磁気デ
ィスクが形成される。すなわち、鏡面加工され、熱処理
された基板は、その上に、Ｎｉ−Ｐ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−
Ｐ合金等の非磁性金属を無電解メッキ処理等によって約
５〜２０μｍ厚に積層し、更に、ポリッシュ加工を施し
たものにテクスチャ加工を施すのが一般的である。ポリ
ッシュ加工は例えば、表面に遊離砥粒を付着してしみ込
ませたポリッシュパッドの間に基板をはさみこみ、界面
活性剤水溶液等の研磨液を補給しながらポリッシュ加工
を行ない、通常２〜５μｍ程度ポリッシュしてその表面
を平均表面粗さＲａが５０オングストローム以下、望ま
しくは３０オングストローム以下に鏡面仕上げする。遊
離砥粒としては、代表的には、アルミナ系スラリーのポ
リプラ７００やポリプラ１０３（共に（株）フジミイン
コーポレーテッドの登録商標）、ダイヤモンド系スラリ
ー、ＳｉＣ系スラリー等が用いられる。ポリッシュパッ
ドとしては、代表的には、Ｓｕｒｆｉｎ１００やＳｕｒ
ｆｉｎＸＸＸ−５（共に（株）フジミインコーポレーテ
ッドの登録商標）等の発泡ウレタン等が用いられる。
直径は、等面積の真円体換算値で表わす。本発明による
熱処理が行なわれた基板は、一般の方法によって磁気デ
ィスクが形成される。すなわち、鏡面加工され、熱処理
された基板は、その上に、Ｎｉ−Ｐ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−
Ｐ合金等の非磁性金属を無電解メッキ処理等によって約
５〜２０μｍ厚に積層し、更に、ポリッシュ加工を施し
たものにテクスチャ加工を施すのが一般的である。ポリ
ッシュ加工は例えば、表面に遊離砥粒を付着してしみ込
ませたポリッシュパッドの間に基板をはさみこみ、界面
活性剤水溶液等の研磨液を補給しながらポリッシュ加工
を行ない、通常２〜５μｍ程度ポリッシュしてその表面
を平均表面粗さＲａが５０オングストローム以下、望ま
しくは３０オングストローム以下に鏡面仕上げする。遊
離砥粒としては、代表的には、アルミナ系スラリーのポ
リプラ７００やポリプラ１０３（共に（株）フジミイン
コーポレーテッドの登録商標）、ダイヤモンド系スラリ
ー、ＳｉＣ系スラリー等が用いられる。ポリッシュパッ
ドとしては、代表的には、Ｓｕｒｆｉｎ１００やＳｕｒ
ｆｉｎＸＸＸ−５（共に（株）フジミインコーポレーテ
ッドの登録商標）等の発泡ウレタン等が用いられる。
【００１９】また、テクスチャ加工としては例えば、２
５００〜６０００＃程度のアルミナ砥粒を担持した研磨
テープを用いるテープ研削又は、遊離砥粒を用いるスラ
リー研削により、上記ポリッシュ加工を施した基板面
に、平均表面粗さＲａが２０オングストローム以上、好
ましくは３０〜３００オングストローム、さらに好まし
くは５０〜１５０オングストロームに形成された条痕の
交差する角度が好ましくは１０〜４０°、更に好ましく
は１０〜３０°の範囲の微細な溝もしくは凹凸を精度よ
く形成するものであり、基板表面にクロスパターンの条
痕を形成することは、吸着特性が改善されるという点で
好ましい。さらに基板表面の異常突起を除去するため
に、遊離砥粒を用いるスラリー研削による第２段テクス
チャを施してもよい。このテクスチャ加工により、磁気
ヘッドと磁気記録媒体の吸着が防止でき、且つＣＳＳ特
性が改善され、さらに磁気異方性が良好となる。
５００〜６０００＃程度のアルミナ砥粒を担持した研磨
テープを用いるテープ研削又は、遊離砥粒を用いるスラ
リー研削により、上記ポリッシュ加工を施した基板面
に、平均表面粗さＲａが２０オングストローム以上、好
ましくは３０〜３００オングストローム、さらに好まし
くは５０〜１５０オングストロームに形成された条痕の
交差する角度が好ましくは１０〜４０°、更に好ましく
は１０〜３０°の範囲の微細な溝もしくは凹凸を精度よ
く形成するものであり、基板表面にクロスパターンの条
痕を形成することは、吸着特性が改善されるという点で
好ましい。さらに基板表面の異常突起を除去するため
に、遊離砥粒を用いるスラリー研削による第２段テクス
チャを施してもよい。このテクスチャ加工により、磁気
ヘッドと磁気記録媒体の吸着が防止でき、且つＣＳＳ特
性が改善され、さらに磁気異方性が良好となる。
【００２０】テクスチャ加工された基板は、下地層が形
成される。基板上に形成する下地層は、従来公知の非磁
性下地層で良く、例えば、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｎｉ等で形成す
ることができる。なお、下地層のＣｒ又はＴｉは、通
常、これらの結晶性を損なわない範囲において、例え
ば、数原子％の範囲でＳｉ，Ｖ，Ｃｕ等を含有する合金
であっても良い。本発明においては、特に、Ｃｒ系の下
地層が好適である。下地層の膜厚は、通常５０〜２００
０オングストロームの範囲である。
成される。基板上に形成する下地層は、従来公知の非磁
性下地層で良く、例えば、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｎｉ等で形成す
ることができる。なお、下地層のＣｒ又はＴｉは、通
常、これらの結晶性を損なわない範囲において、例え
ば、数原子％の範囲でＳｉ，Ｖ，Ｃｕ等を含有する合金
であっても良い。本発明においては、特に、Ｃｒ系の下
地層が好適である。下地層の膜厚は、通常５０〜２００
０オングストロームの範囲である。
【００２１】上記基板の下地層上に形成される磁性層
は、一般に、Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｘ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｘ，Ｃｏ−Ｗ−Ｘ等で表わされるコバ
ルト系合金薄膜層である。ここでＸとしては、Ｌｉ，Ｓ
ｉ，Ｐ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ａｓ，Ｙ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ａｇ，Ｓｂ，Ｈｆ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｌａ，Ｃｅ，
Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ及びＢよりなる群より選
ばれた１種又は２種以上の元素が用いられる。
は、一般に、Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｘ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｘ，Ｃｏ−Ｗ−Ｘ等で表わされるコバ
ルト系合金薄膜層である。ここでＸとしては、Ｌｉ，Ｓ
ｉ，Ｐ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ａｓ，Ｙ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ａｇ，Ｓｂ，Ｈｆ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｌａ，Ｃｅ，
Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ及びＢよりなる群より選
ばれた１種又は２種以上の元素が用いられる。
【００２２】磁性層は、通常、スパッタリング等の手段
によって、基板の下地層上に被着形成される。この磁性
層の膜厚は、通常１００〜１０００オングストロームの
範囲が好ましい。保護層は、炭素膜、水素化カーボン
膜、窒素化カーボン膜、ＴｉＣ、ＳｉＣ等の炭化膜、Ｓ
ｉＮ、ＴｉＮ等の窒化膜、ＳｉＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ
等の酸化物膜等によって構成され、通常、スパッタ法に
より形成される。保護層としては、炭素膜、水素化カー
ボン膜及び窒素化カーボン膜が特に好ましい。
によって、基板の下地層上に被着形成される。この磁性
層の膜厚は、通常１００〜１０００オングストロームの
範囲が好ましい。保護層は、炭素膜、水素化カーボン
膜、窒素化カーボン膜、ＴｉＣ、ＳｉＣ等の炭化膜、Ｓ
ｉＮ、ＴｉＮ等の窒化膜、ＳｉＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ
等の酸化物膜等によって構成され、通常、スパッタ法に
より形成される。保護層としては、炭素膜、水素化カー
ボン膜及び窒素化カーボン膜が特に好ましい。
【００２３】水素化カーボン膜は、水素と炭素を含有す
る膜であればよく、特に限定されるものではなく、例え
ばカーボンターゲットを用いて、スパッタガス（通常
は、アルゴンなどの不活性ガスを用いる。）と水素ガス
を含むプラズマ中でスパッタリングする方法により形成
することができる。スパッタ雰囲気中の水素の含有量
は、通常、２〜２０体積％である。
る膜であればよく、特に限定されるものではなく、例え
ばカーボンターゲットを用いて、スパッタガス（通常
は、アルゴンなどの不活性ガスを用いる。）と水素ガス
を含むプラズマ中でスパッタリングする方法により形成
することができる。スパッタ雰囲気中の水素の含有量
は、通常、２〜２０体積％である。
【００２４】窒化化カーボン膜は、窒素と炭素を含有す
る膜であればよく、特に限定されるものではなく、例え
ばカーボンターゲットを用いて、スパッタガスと窒素ガ
ス、一酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス、アンモニアガス
などの窒素含有ガスあるいは空気などの窒素ガス含有ガ
スを含むプラズマ中でスパッタリングすることにより形
成することができる。例えば、空気を用いた場合、スパ
ッタ雰囲気中の空気の含有量は、通常、２〜２０体積％
である。
る膜であればよく、特に限定されるものではなく、例え
ばカーボンターゲットを用いて、スパッタガスと窒素ガ
ス、一酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス、アンモニアガス
などの窒素含有ガスあるいは空気などの窒素ガス含有ガ
スを含むプラズマ中でスパッタリングすることにより形
成することができる。例えば、空気を用いた場合、スパ
ッタ雰囲気中の空気の含有量は、通常、２〜２０体積％
である。
【００２５】また、例えば、スパッタガス中に水素ガス
及び窒素（含有）ガスを同時に混入させることにより、
水素化と窒素化をしたカーボン膜を形成することもでき
る。保護層の厚さは、通常、約５０〜１０００オングス
トローム、好ましくは約１００〜６００オングストロー
ムの範囲である。
及び窒素（含有）ガスを同時に混入させることにより、
水素化と窒素化をしたカーボン膜を形成することもでき
る。保護層の厚さは、通常、約５０〜１０００オングス
トローム、好ましくは約１００〜６００オングストロー
ムの範囲である。
【００２６】
【表１】表−１
【図１】磁気ディスク基板の製造工程を示すフローチャ
ート図。
ート図。
【図２】エッチング量とＳｉＯ2 発生量の関係を示すグ
ラフ。
ラフ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ２３Ｃ 18/22 Ｃ２３Ｃ 18/22 Ｃ２３Ｆ 1/00 Ｃ２３Ｆ 1/00 Ｚ
Claims (5)
- 【請求項１】 アルミニウム系金属製の磁気ディスク用
基板において、該基板の表面に露出し、直径が１μｍ以
上であるＳｉＯ2 高含有相粒子の数を１個／ｍｍ2 以下
としたことを特徴とする磁気ディスク用基板。 - 【請求項２】 ＳｉＯ2 高含有相粒子の数を０．１個／
ｍｍ2 以下とした請求項１記載の磁気ディスク用基板。 - 【請求項３】 アルミニウム系金属製の基板を最終研削
加工する前に、該基板を磁性層の成膜温度以上の温度で
熱処理することにより、基板の表面に露出し、直径が１
μｍ以上であるＳｉＯ2 高含有相粒子の数を１個／ｍｍ
2 以下とすることを特徴とする磁気ディスク用基板の製
造方法。 - 【請求項４】 アルミニウム系金属製の基板をメッキ処
理する前にエッチング処理することにより、基板の表面
に露出し、直径が１μｍ以上であるＳｉＯ2高含有相粒
子の数を１個／ｍｍ2 以下とすることを特徴とする磁気
ディスク基板の製造方法。 - 【請求項５】 エッチング処理量が７ｍｇ／３．５イン
チ基板換算以下である請求項４記載の磁気ディスク用基
板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32185098A JPH11296844A (ja) | 1998-02-16 | 1998-11-12 | 磁気ディスク用基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-32665 | 1998-02-16 | ||
| JP3266598 | 1998-02-16 | ||
| JP32185098A JPH11296844A (ja) | 1998-02-16 | 1998-11-12 | 磁気ディスク用基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11296844A true JPH11296844A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=26371245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32185098A Pending JPH11296844A (ja) | 1998-02-16 | 1998-11-12 | 磁気ディスク用基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11296844A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001295060A (ja) * | 2000-04-12 | 2001-10-26 | Media Kenkyusho:Kk | アルミニウム基板の表面改質方法 |
| JP2003027249A (ja) * | 2001-05-10 | 2003-01-29 | Ebara Corp | 無電解めっき方法及び装置、並びに基板処理方法及び装置 |
| JP2007134022A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-05-31 | Funai Electric Co Ltd | ディスクローディング装置 |
-
1998
- 1998-11-12 JP JP32185098A patent/JPH11296844A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001295060A (ja) * | 2000-04-12 | 2001-10-26 | Media Kenkyusho:Kk | アルミニウム基板の表面改質方法 |
| JP2003027249A (ja) * | 2001-05-10 | 2003-01-29 | Ebara Corp | 無電解めっき方法及び装置、並びに基板処理方法及び装置 |
| JP2007134022A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-05-31 | Funai Electric Co Ltd | ディスクローディング装置 |
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