JP2001006162A - 磁気ディスク用基板の製造方法 - Google Patents
磁気ディスク用基板の製造方法Info
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- JP2001006162A JP2001006162A JP17799699A JP17799699A JP2001006162A JP 2001006162 A JP2001006162 A JP 2001006162A JP 17799699 A JP17799699 A JP 17799699A JP 17799699 A JP17799699 A JP 17799699A JP 2001006162 A JP2001006162 A JP 2001006162A
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気ヘッドのヘツドクラッシュの発生をなく
すと共にその浮上性にも優れた磁気ディスクを得ること
ができる、表面平滑性に優れた磁気ディスク用基板の製
造方法を提供する。 【解決手段】 磁気ディスク用基板を製造するにおい
て、二酸化珪素の水性分散液により二酸化珪素を砥粒と
してテクスチァ加工を行う磁気ディスク用基板の製造方
法。
すと共にその浮上性にも優れた磁気ディスクを得ること
ができる、表面平滑性に優れた磁気ディスク用基板の製
造方法を提供する。 【解決手段】 磁気ディスク用基板を製造するにおい
て、二酸化珪素の水性分散液により二酸化珪素を砥粒と
してテクスチァ加工を行う磁気ディスク用基板の製造方
法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク用基
板の製造方法に関し、更に詳しくは、磁気ヘッドのヘツ
ドクラッシュの発生をなくすと共にその浮上性にも優れ
た磁気ディスクを得ることができる、表面平滑性に優れ
た磁気ディスク用基板の製造方法に関する。
板の製造方法に関し、更に詳しくは、磁気ヘッドのヘツ
ドクラッシュの発生をなくすと共にその浮上性にも優れ
た磁気ディスクを得ることができる、表面平滑性に優れ
た磁気ディスク用基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、コンピュータ等の情報処理技術の
発達に伴い、その外部記憶装置として磁気ディスク等の
磁気記録媒体が広く用いられており、例えば、その磁気
ディスクとしては、通常、アルミニウム系金属製基板の
表面にグラインディング加工を施し、次いで、アルマイ
ト処理やNi−Pメッキ等のメッキ処理等の非磁性下地
処理を施した後、ポリッシィング加工、テクスチァ加工
を施し、更に、Cr等の非磁性下地層を形成した基板
に、Co系合金等の磁性層を形成し、その上に炭素質の
保護層を形成したものが使用されている。
発達に伴い、その外部記憶装置として磁気ディスク等の
磁気記録媒体が広く用いられており、例えば、その磁気
ディスクとしては、通常、アルミニウム系金属製基板の
表面にグラインディング加工を施し、次いで、アルマイ
ト処理やNi−Pメッキ等のメッキ処理等の非磁性下地
処理を施した後、ポリッシィング加工、テクスチァ加工
を施し、更に、Cr等の非磁性下地層を形成した基板
に、Co系合金等の磁性層を形成し、その上に炭素質の
保護層を形成したものが使用されている。
【0003】一方、磁気記録媒体の急速な大容量化及び
高密度化に伴って、例えば、磁気ディスクからの磁気ヘ
ッド浮上量は、近年では0.10μm程度以下と益々小
さくなっており、微小の突起であっても情報の読み書き
の際に種々のエラーの原因となったり、時としてヘッド
が破壊されるヘッドクラッシュに到ることとなるため、
従来以上に表面平滑性の高い磁気ディスクが要求されつ
つあり、反面、磁気ヘッドの磁気ディスク表面への付着
をなくし円滑に浮上できる浮上性を付与すべく両者間の
接触抵抗を小さくすることも要求され、これらの要求に
対応できる磁気ディスク用基板の表面精度が求められて
いるのが現状である。
高密度化に伴って、例えば、磁気ディスクからの磁気ヘ
ッド浮上量は、近年では0.10μm程度以下と益々小
さくなっており、微小の突起であっても情報の読み書き
の際に種々のエラーの原因となったり、時としてヘッド
が破壊されるヘッドクラッシュに到ることとなるため、
従来以上に表面平滑性の高い磁気ディスクが要求されつ
つあり、反面、磁気ヘッドの磁気ディスク表面への付着
をなくし円滑に浮上できる浮上性を付与すべく両者間の
接触抵抗を小さくすることも要求され、これらの要求に
対応できる磁気ディスク用基板の表面精度が求められて
いるのが現状である。
【0004】そして、これらの要求に対する表面精度付
与手段としてのテクスチァ加工法において、アルミナ
系、ダイヤモンド系、炭化珪素系等の砥粒を担持させた
研磨テープをロールで押圧して磁気ディスク用基板表面
をテクスチァ加工する従来の方法に対して、粗い砥粒と
細かい砥粒とを用いて二段階でテクスチァ加工を施す方
法(例えば、特開平1−86320号公報等参照。)、
及び、砥粒のスラリーを含浸させた研磨テープをロール
で押圧してテクスチァ加工を施す方法(例えば、特開平
3−147518号公報等参照。)等が提案されている
が、いずれの方法も、近年の大容量化及び高密度化にお
ける磁気ディスクの表面平滑性を満足させ得るには到っ
ていないのが現状である。
与手段としてのテクスチァ加工法において、アルミナ
系、ダイヤモンド系、炭化珪素系等の砥粒を担持させた
研磨テープをロールで押圧して磁気ディスク用基板表面
をテクスチァ加工する従来の方法に対して、粗い砥粒と
細かい砥粒とを用いて二段階でテクスチァ加工を施す方
法(例えば、特開平1−86320号公報等参照。)、
及び、砥粒のスラリーを含浸させた研磨テープをロール
で押圧してテクスチァ加工を施す方法(例えば、特開平
3−147518号公報等参照。)等が提案されている
が、いずれの方法も、近年の大容量化及び高密度化にお
ける磁気ディスクの表面平滑性を満足させ得るには到っ
ていないのが現状である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、磁気ディス
ク用基板の前述の現状に鑑みてなされたもので、従っ
て、本発明は、磁気ヘッドのヘツドクラッシュの発生を
なくすと共にその浮上性にも優れた磁気ディスクを得る
ことができる、表面平滑性に優れた磁気ディスク用基板
の製造方法を提供することを目的とする。
ク用基板の前述の現状に鑑みてなされたもので、従っ
て、本発明は、磁気ヘッドのヘツドクラッシュの発生を
なくすと共にその浮上性にも優れた磁気ディスクを得る
ことができる、表面平滑性に優れた磁気ディスク用基板
の製造方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記課題
を解決すべく鋭意検討した結果、磁気ディスク用基板を
製造するにおけるテクスチァ加工を二酸化珪素を砥粒と
して行うことにより、前記目的を達成できることを見出
し本発明を完成したもので、即ち、本発明は、磁気ディ
スク用基板を製造するにおいて、二酸化珪素の水性分散
液により二酸化珪素を砥粒としてテクスチァ加工を行う
磁気ディスク用基板の製造方法、を要旨とする。
を解決すべく鋭意検討した結果、磁気ディスク用基板を
製造するにおけるテクスチァ加工を二酸化珪素を砥粒と
して行うことにより、前記目的を達成できることを見出
し本発明を完成したもので、即ち、本発明は、磁気ディ
スク用基板を製造するにおいて、二酸化珪素の水性分散
液により二酸化珪素を砥粒としてテクスチァ加工を行う
磁気ディスク用基板の製造方法、を要旨とする。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明において、磁気ディスク用
基板としては、アルミニウム系、銅系、チタン系等の金
属、ガラス、カーボン、合成樹脂等の、この種基板とし
て公知のものが用いられ、中で、アルミニウム系金属製
のものが好ましく、具体的には、Al、又は、Alと、
Mg、Si、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Pb、B
i等との合金が挙げられ、又、板としての厚さは、通
常、0.5〜1.5mm程度である。
基板としては、アルミニウム系、銅系、チタン系等の金
属、ガラス、カーボン、合成樹脂等の、この種基板とし
て公知のものが用いられ、中で、アルミニウム系金属製
のものが好ましく、具体的には、Al、又は、Alと、
Mg、Si、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Pb、B
i等との合金が挙げられ、又、板としての厚さは、通
常、0.5〜1.5mm程度である。
【0008】本発明において、例えば、前記アルミニウ
ム系金属製基板は、帯状の薄板をディスク基板形状に裁
断したブランク材を、その裁断角部を研削するチャンフ
ァリング工程、平滑研削するグラインディング工程、メ
ッキ等の非磁性下地処理工程、その表面を鏡面研磨する
ポリッシィング工程、及び、テクスチァ工程を経た後、
必要に応じて非磁性下地層形成工程を経て製造される。
尚、チャンファリング工程、グラインディング工程、非
磁性下地処理工程、及びテクスチァ工程等の後には、通
常、それら各工程で発生した応力歪みを除去するための
焼成(熱処理)工程が付加される。
ム系金属製基板は、帯状の薄板をディスク基板形状に裁
断したブランク材を、その裁断角部を研削するチャンフ
ァリング工程、平滑研削するグラインディング工程、メ
ッキ等の非磁性下地処理工程、その表面を鏡面研磨する
ポリッシィング工程、及び、テクスチァ工程を経た後、
必要に応じて非磁性下地層形成工程を経て製造される。
尚、チャンファリング工程、グラインディング工程、非
磁性下地処理工程、及びテクスチァ工程等の後には、通
常、それら各工程で発生した応力歪みを除去するための
焼成(熱処理)工程が付加される。
【0009】ここで、グラインディング工程は、#30
00〜6000程度の砥石により基板表面を研削加工す
ることによりなされる。
00〜6000程度の砥石により基板表面を研削加工す
ることによりなされる。
【0010】又、非磁性下地処理工程は、前記グライン
ディング加工後の基板面を、アルマイト処理、或いは、
Ni−P合金、Ni−Cu−P合金等の無電解メッキ処
理等し、5〜20μm程度の厚さの非磁性層を形成する
ことによりなされる。
ディング加工後の基板面を、アルマイト処理、或いは、
Ni−P合金、Ni−Cu−P合金等の無電解メッキ処
理等し、5〜20μm程度の厚さの非磁性層を形成する
ことによりなされる。
【0011】又、ポリッシィング工程は、前記下地処理
後の基板面を、遊離砥粒を付着させてしみ込ませたポリ
ッシュパッドの間に基板を挟み込み界面活性剤水溶液等
の研磨液を補給しながら、通常、2〜5μm程度の厚さ
を研磨加工し、その平均表面粗さRa が50Å以下、好
ましくは30Å以下となるように鏡面仕上げすることに
よりなされる。
後の基板面を、遊離砥粒を付着させてしみ込ませたポリ
ッシュパッドの間に基板を挟み込み界面活性剤水溶液等
の研磨液を補給しながら、通常、2〜5μm程度の厚さ
を研磨加工し、その平均表面粗さRa が50Å以下、好
ましくは30Å以下となるように鏡面仕上げすることに
よりなされる。
【0012】尚、その際の遊離砥粒としては、代表的に
は、例えば、フジミインコーポレーテッド社より、「ポ
リプラ700」、及び「ポリプラ103」等の商品名で
市販されているアルミナ系スラリー、及び、ダイヤモン
ド系スラリー、炭化珪素系スラリー等が用いられ、又、
ポリッシュパッドとしては、代表的には、フジミインコ
ーポレーテッド社より、「Surfin100」、及び
「SurfinXXX−5」等の商品名で市販されてい
るウレタンフォーム等が用いられる。
は、例えば、フジミインコーポレーテッド社より、「ポ
リプラ700」、及び「ポリプラ103」等の商品名で
市販されているアルミナ系スラリー、及び、ダイヤモン
ド系スラリー、炭化珪素系スラリー等が用いられ、又、
ポリッシュパッドとしては、代表的には、フジミインコ
ーポレーテッド社より、「Surfin100」、及び
「SurfinXXX−5」等の商品名で市販されてい
るウレタンフォーム等が用いられる。
【0013】又、テクスチァ工程は、前記ポリッシィン
グ加工が施された基板面に、砥粒の分散液を含浸させた
研磨テープをロールで押圧して、平均表面粗さRa が2
0Å以上、好ましくは30〜300Å、更に好ましくは
50〜150Åの範囲、交差角度が好ましくは10〜4
0度、更に好ましくは10〜30度の範囲となるような
刻条による粗面加工を施し、微細な凹凸を形成すること
によりなされる。
グ加工が施された基板面に、砥粒の分散液を含浸させた
研磨テープをロールで押圧して、平均表面粗さRa が2
0Å以上、好ましくは30〜300Å、更に好ましくは
50〜150Åの範囲、交差角度が好ましくは10〜4
0度、更に好ましくは10〜30度の範囲となるような
刻条による粗面加工を施し、微細な凹凸を形成すること
によりなされる。
【0014】本発明の磁気ディスク用基板の製造方法
は、このテクスチァ加工を、二酸化珪素の水性分散液に
より二酸化珪素を砥粒として行うことを必須とするもの
であり、従来用いられているアルミナ系、ダイヤモンド
系、炭化珪素系等の砥粒では本発明の目的を達成するこ
とができない。
は、このテクスチァ加工を、二酸化珪素の水性分散液に
より二酸化珪素を砥粒として行うことを必須とするもの
であり、従来用いられているアルミナ系、ダイヤモンド
系、炭化珪素系等の砥粒では本発明の目的を達成するこ
とができない。
【0015】尚、本発明において、二酸化珪素の水性分
散液としては、二酸化珪素を単に水中に分散させたもの
でもよいが、コロイダルシリカが特に好ましく、又、二
酸化珪素の平均粒子径が0.01〜0.10μmであ
り、その水性分散液の濃度を5〜50重量%とするのが
好ましい。
散液としては、二酸化珪素を単に水中に分散させたもの
でもよいが、コロイダルシリカが特に好ましく、又、二
酸化珪素の平均粒子径が0.01〜0.10μmであ
り、その水性分散液の濃度を5〜50重量%とするのが
好ましい。
【0016】又、前記二酸化珪素の水性分散液によりテ
クスチァ加工を施すにおいて、該水性分散液を研磨テー
プを用いてロール等で基板表面に押圧して研磨するテー
プ研磨法によるのが好ましく、その際のテープとしては
ポリウレタンフォーム製のものが好ましい。又、前記二
酸化珪素の水性分散液によるテクスチァ加工と共に、従
来の砥粒の分散液によるテクスチァ加工を併用すること
としてもよい。
クスチァ加工を施すにおいて、該水性分散液を研磨テー
プを用いてロール等で基板表面に押圧して研磨するテー
プ研磨法によるのが好ましく、その際のテープとしては
ポリウレタンフォーム製のものが好ましい。又、前記二
酸化珪素の水性分散液によるテクスチァ加工と共に、従
来の砥粒の分散液によるテクスチァ加工を併用すること
としてもよい。
【0017】以上の工程を経た後、必要に応じて、例え
ば、Cr、Ti、又は、Si、V、Cu等を含有するそ
れらの合金、或いはNi等の金属により、50〜200
0Å程度の厚さの非磁性下地層を形成する非磁性下地層
形成工程に付される。
ば、Cr、Ti、又は、Si、V、Cu等を含有するそ
れらの合金、或いはNi等の金属により、50〜200
0Å程度の厚さの非磁性下地層を形成する非磁性下地層
形成工程に付される。
【0018】本発明の製造方法により製造された磁気デ
ィスク用基板は、テクスチァ工程を経たその表面に、或
いは、その上に形成された非磁性下地層上に、磁性層が
形成され、更に、その上に保護層が形成され、磁気ディ
スクとされる。
ィスク用基板は、テクスチァ工程を経たその表面に、或
いは、その上に形成された非磁性下地層上に、磁性層が
形成され、更に、その上に保護層が形成され、磁気ディ
スクとされる。
【0019】ここで、磁性層は、通常、Co−Cr、C
o−Ni、Co−Cr−X、Co−Ni−X、Co−W
−X等のコバルト系合金を用い、スパッタリングやメッ
キ等の手段により、100〜1000Å程度の厚さで形
成される。尚、前記Xは、Li、B、Si、P、Ca、
Ti、V、Cr、Ni、As、Y、Zr、Nb、Mo、
Ru、Rh、Ag、Sb、La、Ce、Pr、Nd、P
m、Sm、Eu、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、
Pt、Au等の1種又は2種以上の金属である。
o−Ni、Co−Cr−X、Co−Ni−X、Co−W
−X等のコバルト系合金を用い、スパッタリングやメッ
キ等の手段により、100〜1000Å程度の厚さで形
成される。尚、前記Xは、Li、B、Si、P、Ca、
Ti、V、Cr、Ni、As、Y、Zr、Nb、Mo、
Ru、Rh、Ag、Sb、La、Ce、Pr、Nd、P
m、Sm、Eu、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、
Pt、Au等の1種又は2種以上の金属である。
【0020】又、保護層は、通常、炭素、水素化カーボ
ン、窒素化カーボンや、炭化チタン、炭化珪素等の炭化
物、窒化珪素、窒化チタン等の窒化物、一酸化珪素、ア
ルミナ、酸化ジルコニウム等の酸化物等を用い、スパッ
タリング等の手段により、50〜1000Åの厚さで形
成される。
ン、窒素化カーボンや、炭化チタン、炭化珪素等の炭化
物、窒化珪素、窒化チタン等の窒化物、一酸化珪素、ア
ルミナ、酸化ジルコニウム等の酸化物等を用い、スパッ
タリング等の手段により、50〜1000Åの厚さで形
成される。
【0021】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に具体的に説
明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。
明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。
【0022】実施例1 アルミニウム合金製の3.5インチディスク用基板の表
面に無電解メッキ法により厚さ15μmのNi−P合金
の非磁性層を形成し、該表面をポリッシィング加工し
て、平均表面粗さRa を15Å、平均うねりWa を、波
長80〜450μmの範囲において10Å、波長450
μm超過の範囲において44Åとした磁気ディスク用基
板を、600rpmで回転させながら、砥粒として平均
粒子径が0.08μmであり、濃度が8重量%のコロイ
ダルシリカを用い、該コロイダルシリカをポリウレタン
フォーム製研磨テープに含浸させ、該テープをロールで
押圧して、オシレーション900回/分で15秒間テク
スチァ加工した。テクスチァ加工後の基板は、平均表面
粗さRa が14Å、平均うねりWa が波長80〜450
μmの範囲において7Å、波長450μm超過の範囲に
おいて29Åとなり改良されたが、ポリッシィング加工
痕は残存していた。
面に無電解メッキ法により厚さ15μmのNi−P合金
の非磁性層を形成し、該表面をポリッシィング加工し
て、平均表面粗さRa を15Å、平均うねりWa を、波
長80〜450μmの範囲において10Å、波長450
μm超過の範囲において44Åとした磁気ディスク用基
板を、600rpmで回転させながら、砥粒として平均
粒子径が0.08μmであり、濃度が8重量%のコロイ
ダルシリカを用い、該コロイダルシリカをポリウレタン
フォーム製研磨テープに含浸させ、該テープをロールで
押圧して、オシレーション900回/分で15秒間テク
スチァ加工した。テクスチァ加工後の基板は、平均表面
粗さRa が14Å、平均うねりWa が波長80〜450
μmの範囲において7Å、波長450μm超過の範囲に
おいて29Åとなり改良されたが、ポリッシィング加工
痕は残存していた。
【0023】尚、ここで、平均表面粗さRa は、JIS
B0601に規定される算術平均粗さを、触針式表面
粗さ計(小坂研究所社製「ET30HK」)を用いて、
測定長0.25mm、針の曲率0.5μmR、荷重3m
g、カットオフ値80μとして測定したものであり、
又、平均うねりWa は、同じくJIS B0601に規
定される算術平均粗さを、波長80〜450μmの範
囲、及び波長450μ超過の範囲の各々について、触針
式表面粗さ計(tencor pio)を用いて、測定
長2mm、針の曲率2μmR、荷重5mgとして測定し
たものである。
B0601に規定される算術平均粗さを、触針式表面
粗さ計(小坂研究所社製「ET30HK」)を用いて、
測定長0.25mm、針の曲率0.5μmR、荷重3m
g、カットオフ値80μとして測定したものであり、
又、平均うねりWa は、同じくJIS B0601に規
定される算術平均粗さを、波長80〜450μmの範
囲、及び波長450μ超過の範囲の各々について、触針
式表面粗さ計(tencor pio)を用いて、測定
長2mm、針の曲率2μmR、荷重5mgとして測定し
たものである。
【0024】実施例2 実施例1と同様にしてポリッシィング加工した磁気ディ
スク用基板を、600rpmで回転させながら、砥粒と
して平均粒子径が0.08μmであり、濃度が8重量%
のコロイダルシリカを用い、該コロイダルシリカをポリ
ウレタンフォーム製研磨テープに含浸させ、該テープを
ロールで押圧して、オシレーション900回/分で15
秒間テクスチァ加工した後、更に、平均粒子径が0.1
μmであり、濃度が0.08重量%のダイヤモンド系ス
ラリーを織布製研磨テープに含浸させ、該テープをロー
ルで押圧して、オシレーション900回/分で15秒間
テキスチァ加工した。テクスチァ加工後の基板は、平均
表面粗さRa が11Å、平均うねりWa が波長80〜4
50μmの範囲において7Å、波長450μm超過の範
囲において29Åとなり改良されており、又、ポリッシ
ィング加工痕も消滅していた。
スク用基板を、600rpmで回転させながら、砥粒と
して平均粒子径が0.08μmであり、濃度が8重量%
のコロイダルシリカを用い、該コロイダルシリカをポリ
ウレタンフォーム製研磨テープに含浸させ、該テープを
ロールで押圧して、オシレーション900回/分で15
秒間テクスチァ加工した後、更に、平均粒子径が0.1
μmであり、濃度が0.08重量%のダイヤモンド系ス
ラリーを織布製研磨テープに含浸させ、該テープをロー
ルで押圧して、オシレーション900回/分で15秒間
テキスチァ加工した。テクスチァ加工後の基板は、平均
表面粗さRa が11Å、平均うねりWa が波長80〜4
50μmの範囲において7Å、波長450μm超過の範
囲において29Åとなり改良されており、又、ポリッシ
ィング加工痕も消滅していた。
【0025】比較例1 実施例1と同様にしてポリッシィング加工した磁気ディ
スク用基板を、600rpmで回転させながら、砥粒と
して平均粒子径が0.1μmであり、濃度が0.08重
量%のダイヤモンド系スラリーを用い、該スラリーを織
布製研磨テープに含浸させ、該テープをロールで押圧し
て、オシレーション900回/分でのテクスチァ加工を
15秒間ずつ2回に分けて実施した。テクスチァ加工後
の基板は、平均表面粗さRa が15Å、平均うねりWa
が波長80〜450μmの範囲において10Å、波長4
50μm超過の範囲において44Åであり、又、ポリッ
シィング加工痕も残存していた。
スク用基板を、600rpmで回転させながら、砥粒と
して平均粒子径が0.1μmであり、濃度が0.08重
量%のダイヤモンド系スラリーを用い、該スラリーを織
布製研磨テープに含浸させ、該テープをロールで押圧し
て、オシレーション900回/分でのテクスチァ加工を
15秒間ずつ2回に分けて実施した。テクスチァ加工後
の基板は、平均表面粗さRa が15Å、平均うねりWa
が波長80〜450μmの範囲において10Å、波長4
50μm超過の範囲において44Åであり、又、ポリッ
シィング加工痕も残存していた。
【0026】
【発明の効果】本発明によれば、磁気ヘッドのヘツドク
ラッシュの発生をなくすと共にその浮上性にも優れた磁
気ディスクを得ることができる、表面平滑性に優れた磁
気ディスク用基板の製造方法を提供することができる。
ラッシュの発生をなくすと共にその浮上性にも優れた磁
気ディスクを得ることができる、表面平滑性に優れた磁
気ディスク用基板の製造方法を提供することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3C058 AA05 AA07 AA09 CA04 CB10 DA02 DA17 5D112 AA02 AA24 BA06 GA02 GA09 GA13 GA14 GA30
Claims (5)
- 【請求項1】 磁気ディスク用基板を製造するにおい
て、二酸化珪素の水性分散液により二酸化珪素を砥粒と
してテクスチァ加工を行うことを特徴とする磁気ディス
ク用基板の製造方法。 - 【請求項2】 二酸化珪素の水性分散液がコロイダルシ
リカである請求項1に記載の磁気ディスク用基板の製造
方法。 - 【請求項3】 二酸化珪素の平均粒子径が0.01〜
0.10μmであり、その水性分散液の濃度が5〜50
重量%である請求項1又は2に記載の磁気ディスク用基
板の製造方法。 - 【請求項4】 基板がアルミニウム系金属製である請求
項1乃至3のいずれかに記載の磁気ディスク用基板の製
造方法。 - 【請求項5】 ポリウレタンフォーム製テープを用いて
テープ研磨によりテクスチァ加工を行う請求項1乃至4
のいずれかに記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
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JP17799699A JP2001006162A (ja) | 1999-06-24 | 1999-06-24 | 磁気ディスク用基板の製造方法 |
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Family Applications (1)
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WO2013099083A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | コニカミノルタ株式会社 | Hdd用ガラス基板の製造方法 |
-
1999
- 1999-06-24 JP JP17799699A patent/JP2001006162A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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GB2397068B (en) * | 2002-12-26 | 2006-08-30 | Kao Corp | Polishing composition |
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GB2398075A (en) * | 2003-02-05 | 2004-08-11 | Kao Corp | Polishing composition |
US6910952B2 (en) | 2003-02-05 | 2005-06-28 | Kao Corporation | Polishing composition |
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