JP2001006162A - 磁気ディスク用基板の製造方法 - Google Patents
磁気ディスク用基板の製造方法Info
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- JP2001006162A JP2001006162A JP17799699A JP17799699A JP2001006162A JP 2001006162 A JP2001006162 A JP 2001006162A JP 17799699 A JP17799699 A JP 17799699A JP 17799699 A JP17799699 A JP 17799699A JP 2001006162 A JP2001006162 A JP 2001006162A
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- disk substrate
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気ヘッドのヘツドクラッシュの発生をなく
すと共にその浮上性にも優れた磁気ディスクを得ること
ができる、表面平滑性に優れた磁気ディスク用基板の製
造方法を提供する。 【解決手段】 磁気ディスク用基板を製造するにおい
て、二酸化珪素の水性分散液により二酸化珪素を砥粒と
してテクスチァ加工を行う磁気ディスク用基板の製造方
法。
すと共にその浮上性にも優れた磁気ディスクを得ること
ができる、表面平滑性に優れた磁気ディスク用基板の製
造方法を提供する。 【解決手段】 磁気ディスク用基板を製造するにおい
て、二酸化珪素の水性分散液により二酸化珪素を砥粒と
してテクスチァ加工を行う磁気ディスク用基板の製造方
法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク用基
板の製造方法に関し、更に詳しくは、磁気ヘッドのヘツ
ドクラッシュの発生をなくすと共にその浮上性にも優れ
た磁気ディスクを得ることができる、表面平滑性に優れ
た磁気ディスク用基板の製造方法に関する。
板の製造方法に関し、更に詳しくは、磁気ヘッドのヘツ
ドクラッシュの発生をなくすと共にその浮上性にも優れ
た磁気ディスクを得ることができる、表面平滑性に優れ
た磁気ディスク用基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータ等の情報処理技術の
発達に伴い、その外部記憶装置として磁気ディスク等の
磁気記録媒体が広く用いられており、例えば、その磁気
ディスクとしては、通常、アルミニウム系金属製基板の
表面にグラインディング加工を施し、次いで、アルマイ
ト処理やＮｉ−Ｐメッキ等のメッキ処理等の非磁性下地
処理を施した後、ポリッシィング加工、テクスチァ加工
を施し、更に、Ｃｒ等の非磁性下地層を形成した基板
に、Ｃｏ系合金等の磁性層を形成し、その上に炭素質の
保護層を形成したものが使用されている。
発達に伴い、その外部記憶装置として磁気ディスク等の
磁気記録媒体が広く用いられており、例えば、その磁気
ディスクとしては、通常、アルミニウム系金属製基板の
表面にグラインディング加工を施し、次いで、アルマイ
ト処理やＮｉ−Ｐメッキ等のメッキ処理等の非磁性下地
処理を施した後、ポリッシィング加工、テクスチァ加工
を施し、更に、Ｃｒ等の非磁性下地層を形成した基板
に、Ｃｏ系合金等の磁性層を形成し、その上に炭素質の
保護層を形成したものが使用されている。
【０００３】一方、磁気記録媒体の急速な大容量化及び
高密度化に伴って、例えば、磁気ディスクからの磁気ヘ
ッド浮上量は、近年では０．１０μｍ程度以下と益々小
さくなっており、微小の突起であっても情報の読み書き
の際に種々のエラーの原因となったり、時としてヘッド
が破壊されるヘッドクラッシュに到ることとなるため、
従来以上に表面平滑性の高い磁気ディスクが要求されつ
つあり、反面、磁気ヘッドの磁気ディスク表面への付着
をなくし円滑に浮上できる浮上性を付与すべく両者間の
接触抵抗を小さくすることも要求され、これらの要求に
対応できる磁気ディスク用基板の表面精度が求められて
いるのが現状である。
高密度化に伴って、例えば、磁気ディスクからの磁気ヘ
ッド浮上量は、近年では０．１０μｍ程度以下と益々小
さくなっており、微小の突起であっても情報の読み書き
の際に種々のエラーの原因となったり、時としてヘッド
が破壊されるヘッドクラッシュに到ることとなるため、
従来以上に表面平滑性の高い磁気ディスクが要求されつ
つあり、反面、磁気ヘッドの磁気ディスク表面への付着
をなくし円滑に浮上できる浮上性を付与すべく両者間の
接触抵抗を小さくすることも要求され、これらの要求に
対応できる磁気ディスク用基板の表面精度が求められて
いるのが現状である。
【０００４】そして、これらの要求に対する表面精度付
与手段としてのテクスチァ加工法において、アルミナ
系、ダイヤモンド系、炭化珪素系等の砥粒を担持させた
研磨テープをロールで押圧して磁気ディスク用基板表面
をテクスチァ加工する従来の方法に対して、粗い砥粒と
細かい砥粒とを用いて二段階でテクスチァ加工を施す方
法（例えば、特開平１−８６３２０号公報等参照。）、
及び、砥粒のスラリーを含浸させた研磨テープをロール
で押圧してテクスチァ加工を施す方法（例えば、特開平
３−１４７５１８号公報等参照。）等が提案されている
が、いずれの方法も、近年の大容量化及び高密度化にお
ける磁気ディスクの表面平滑性を満足させ得るには到っ
ていないのが現状である。
与手段としてのテクスチァ加工法において、アルミナ
系、ダイヤモンド系、炭化珪素系等の砥粒を担持させた
研磨テープをロールで押圧して磁気ディスク用基板表面
をテクスチァ加工する従来の方法に対して、粗い砥粒と
細かい砥粒とを用いて二段階でテクスチァ加工を施す方
法（例えば、特開平１−８６３２０号公報等参照。）、
及び、砥粒のスラリーを含浸させた研磨テープをロール
で押圧してテクスチァ加工を施す方法（例えば、特開平
３−１４７５１８号公報等参照。）等が提案されている
が、いずれの方法も、近年の大容量化及び高密度化にお
ける磁気ディスクの表面平滑性を満足させ得るには到っ
ていないのが現状である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、磁気ディス
ク用基板の前述の現状に鑑みてなされたもので、従っ
て、本発明は、磁気ヘッドのヘツドクラッシュの発生を
なくすと共にその浮上性にも優れた磁気ディスクを得る
ことができる、表面平滑性に優れた磁気ディスク用基板
の製造方法を提供することを目的とする。
ク用基板の前述の現状に鑑みてなされたもので、従っ
て、本発明は、磁気ヘッドのヘツドクラッシュの発生を
なくすと共にその浮上性にも優れた磁気ディスクを得る
ことができる、表面平滑性に優れた磁気ディスク用基板
の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記課題
を解決すべく鋭意検討した結果、磁気ディスク用基板を
製造するにおけるテクスチァ加工を二酸化珪素を砥粒と
して行うことにより、前記目的を達成できることを見出
し本発明を完成したもので、即ち、本発明は、磁気ディ
スク用基板を製造するにおいて、二酸化珪素の水性分散
液により二酸化珪素を砥粒としてテクスチァ加工を行う
磁気ディスク用基板の製造方法、を要旨とする。
を解決すべく鋭意検討した結果、磁気ディスク用基板を
製造するにおけるテクスチァ加工を二酸化珪素を砥粒と
して行うことにより、前記目的を達成できることを見出
し本発明を完成したもので、即ち、本発明は、磁気ディ
スク用基板を製造するにおいて、二酸化珪素の水性分散
液により二酸化珪素を砥粒としてテクスチァ加工を行う
磁気ディスク用基板の製造方法、を要旨とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明において、磁気ディスク用
基板としては、アルミニウム系、銅系、チタン系等の金
属、ガラス、カーボン、合成樹脂等の、この種基板とし
て公知のものが用いられ、中で、アルミニウム系金属製
のものが好ましく、具体的には、Ａｌ、又は、Ａｌと、
Ｍｇ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｂ
ｉ等との合金が挙げられ、又、板としての厚さは、通
常、０．５〜１．５ｍｍ程度である。
基板としては、アルミニウム系、銅系、チタン系等の金
属、ガラス、カーボン、合成樹脂等の、この種基板とし
て公知のものが用いられ、中で、アルミニウム系金属製
のものが好ましく、具体的には、Ａｌ、又は、Ａｌと、
Ｍｇ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｂ
ｉ等との合金が挙げられ、又、板としての厚さは、通
常、０．５〜１．５ｍｍ程度である。
【０００８】本発明において、例えば、前記アルミニウ
ム系金属製基板は、帯状の薄板をディスク基板形状に裁
断したブランク材を、その裁断角部を研削するチャンフ
ァリング工程、平滑研削するグラインディング工程、メ
ッキ等の非磁性下地処理工程、その表面を鏡面研磨する
ポリッシィング工程、及び、テクスチァ工程を経た後、
必要に応じて非磁性下地層形成工程を経て製造される。
尚、チャンファリング工程、グラインディング工程、非
磁性下地処理工程、及びテクスチァ工程等の後には、通
常、それら各工程で発生した応力歪みを除去するための
焼成（熱処理）工程が付加される。
ム系金属製基板は、帯状の薄板をディスク基板形状に裁
断したブランク材を、その裁断角部を研削するチャンフ
ァリング工程、平滑研削するグラインディング工程、メ
ッキ等の非磁性下地処理工程、その表面を鏡面研磨する
ポリッシィング工程、及び、テクスチァ工程を経た後、
必要に応じて非磁性下地層形成工程を経て製造される。
尚、チャンファリング工程、グラインディング工程、非
磁性下地処理工程、及びテクスチァ工程等の後には、通
常、それら各工程で発生した応力歪みを除去するための
焼成（熱処理）工程が付加される。
【０００９】ここで、グラインディング工程は、＃３０
００〜６０００程度の砥石により基板表面を研削加工す
ることによりなされる。
００〜６０００程度の砥石により基板表面を研削加工す
ることによりなされる。
【００１０】又、非磁性下地処理工程は、前記グライン
ディング加工後の基板面を、アルマイト処理、或いは、
Ｎｉ−Ｐ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐ合金等の無電解メッキ処
理等し、５〜２０μｍ程度の厚さの非磁性層を形成する
ことによりなされる。
ディング加工後の基板面を、アルマイト処理、或いは、
Ｎｉ−Ｐ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐ合金等の無電解メッキ処
理等し、５〜２０μｍ程度の厚さの非磁性層を形成する
ことによりなされる。
【００１１】又、ポリッシィング工程は、前記下地処理
後の基板面を、遊離砥粒を付着させてしみ込ませたポリ
ッシュパッドの間に基板を挟み込み界面活性剤水溶液等
の研磨液を補給しながら、通常、２〜５μｍ程度の厚さ
を研磨加工し、その平均表面粗さＲa が５０Å以下、好
ましくは３０Å以下となるように鏡面仕上げすることに
よりなされる。
後の基板面を、遊離砥粒を付着させてしみ込ませたポリ
ッシュパッドの間に基板を挟み込み界面活性剤水溶液等
の研磨液を補給しながら、通常、２〜５μｍ程度の厚さ
を研磨加工し、その平均表面粗さＲa が５０Å以下、好
ましくは３０Å以下となるように鏡面仕上げすることに
よりなされる。
【００１２】尚、その際の遊離砥粒としては、代表的に
は、例えば、フジミインコーポレーテッド社より、「ポ
リプラ７００」、及び「ポリプラ１０３」等の商品名で
市販されているアルミナ系スラリー、及び、ダイヤモン
ド系スラリー、炭化珪素系スラリー等が用いられ、又、
ポリッシュパッドとしては、代表的には、フジミインコ
ーポレーテッド社より、「Ｓｕｒｆｉｎ１００」、及び
「ＳｕｒｆｉｎＸＸＸ−５」等の商品名で市販されてい
るウレタンフォーム等が用いられる。
は、例えば、フジミインコーポレーテッド社より、「ポ
リプラ７００」、及び「ポリプラ１０３」等の商品名で
市販されているアルミナ系スラリー、及び、ダイヤモン
ド系スラリー、炭化珪素系スラリー等が用いられ、又、
ポリッシュパッドとしては、代表的には、フジミインコ
ーポレーテッド社より、「Ｓｕｒｆｉｎ１００」、及び
「ＳｕｒｆｉｎＸＸＸ−５」等の商品名で市販されてい
るウレタンフォーム等が用いられる。
【００１３】又、テクスチァ工程は、前記ポリッシィン
グ加工が施された基板面に、砥粒の分散液を含浸させた
研磨テープをロールで押圧して、平均表面粗さＲa が２
０Å以上、好ましくは３０〜３００Å、更に好ましくは
５０〜１５０Åの範囲、交差角度が好ましくは１０〜４
０度、更に好ましくは１０〜３０度の範囲となるような
刻条による粗面加工を施し、微細な凹凸を形成すること
によりなされる。
グ加工が施された基板面に、砥粒の分散液を含浸させた
研磨テープをロールで押圧して、平均表面粗さＲa が２
０Å以上、好ましくは３０〜３００Å、更に好ましくは
５０〜１５０Åの範囲、交差角度が好ましくは１０〜４
０度、更に好ましくは１０〜３０度の範囲となるような
刻条による粗面加工を施し、微細な凹凸を形成すること
によりなされる。
【００１４】本発明の磁気ディスク用基板の製造方法
は、このテクスチァ加工を、二酸化珪素の水性分散液に
より二酸化珪素を砥粒として行うことを必須とするもの
であり、従来用いられているアルミナ系、ダイヤモンド
系、炭化珪素系等の砥粒では本発明の目的を達成するこ
とができない。
は、このテクスチァ加工を、二酸化珪素の水性分散液に
より二酸化珪素を砥粒として行うことを必須とするもの
であり、従来用いられているアルミナ系、ダイヤモンド
系、炭化珪素系等の砥粒では本発明の目的を達成するこ
とができない。
【００１５】尚、本発明において、二酸化珪素の水性分
散液としては、二酸化珪素を単に水中に分散させたもの
でもよいが、コロイダルシリカが特に好ましく、又、二
酸化珪素の平均粒子径が０．０１〜０．１０μｍであ
り、その水性分散液の濃度を５〜５０重量％とするのが
好ましい。
散液としては、二酸化珪素を単に水中に分散させたもの
でもよいが、コロイダルシリカが特に好ましく、又、二
酸化珪素の平均粒子径が０．０１〜０．１０μｍであ
り、その水性分散液の濃度を５〜５０重量％とするのが
好ましい。
【００１６】又、前記二酸化珪素の水性分散液によりテ
クスチァ加工を施すにおいて、該水性分散液を研磨テー
プを用いてロール等で基板表面に押圧して研磨するテー
プ研磨法によるのが好ましく、その際のテープとしては
ポリウレタンフォーム製のものが好ましい。又、前記二
酸化珪素の水性分散液によるテクスチァ加工と共に、従
来の砥粒の分散液によるテクスチァ加工を併用すること
としてもよい。
クスチァ加工を施すにおいて、該水性分散液を研磨テー
プを用いてロール等で基板表面に押圧して研磨するテー
プ研磨法によるのが好ましく、その際のテープとしては
ポリウレタンフォーム製のものが好ましい。又、前記二
酸化珪素の水性分散液によるテクスチァ加工と共に、従
来の砥粒の分散液によるテクスチァ加工を併用すること
としてもよい。
【００１７】以上の工程を経た後、必要に応じて、例え
ば、Ｃｒ、Ｔｉ、又は、Ｓｉ、Ｖ、Ｃｕ等を含有するそ
れらの合金、或いはＮｉ等の金属により、５０〜２００
０Å程度の厚さの非磁性下地層を形成する非磁性下地層
形成工程に付される。
ば、Ｃｒ、Ｔｉ、又は、Ｓｉ、Ｖ、Ｃｕ等を含有するそ
れらの合金、或いはＮｉ等の金属により、５０〜２００
０Å程度の厚さの非磁性下地層を形成する非磁性下地層
形成工程に付される。
【００１８】本発明の製造方法により製造された磁気デ
ィスク用基板は、テクスチァ工程を経たその表面に、或
いは、その上に形成された非磁性下地層上に、磁性層が
形成され、更に、その上に保護層が形成され、磁気ディ
スクとされる。
ィスク用基板は、テクスチァ工程を経たその表面に、或
いは、その上に形成された非磁性下地層上に、磁性層が
形成され、更に、その上に保護層が形成され、磁気ディ
スクとされる。
【００１９】ここで、磁性層は、通常、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃ
ｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｘ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｘ、Ｃｏ−Ｗ
−Ｘ等のコバルト系合金を用い、スパッタリングやメッ
キ等の手段により、１００〜１０００Å程度の厚さで形
成される。尚、前記Ｘは、Ｌｉ、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｃａ、
Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｓ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐ
ｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、
Ｐｔ、Ａｕ等の１種又は２種以上の金属である。
ｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｘ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｘ、Ｃｏ−Ｗ
−Ｘ等のコバルト系合金を用い、スパッタリングやメッ
キ等の手段により、１００〜１０００Å程度の厚さで形
成される。尚、前記Ｘは、Ｌｉ、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｃａ、
Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｓ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐ
ｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、
Ｐｔ、Ａｕ等の１種又は２種以上の金属である。
【００２０】又、保護層は、通常、炭素、水素化カーボ
ン、窒素化カーボンや、炭化チタン、炭化珪素等の炭化
物、窒化珪素、窒化チタン等の窒化物、一酸化珪素、ア
ルミナ、酸化ジルコニウム等の酸化物等を用い、スパッ
タリング等の手段により、５０〜１０００Åの厚さで形
成される。
ン、窒素化カーボンや、炭化チタン、炭化珪素等の炭化
物、窒化珪素、窒化チタン等の窒化物、一酸化珪素、ア
ルミナ、酸化ジルコニウム等の酸化物等を用い、スパッ
タリング等の手段により、５０〜１０００Åの厚さで形
成される。
【００２１】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に具体的に説
明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。
明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。
【００２２】実施例１ アルミニウム合金製の３．５インチディスク用基板の表
面に無電解メッキ法により厚さ１５μｍのＮｉ−Ｐ合金
の非磁性層を形成し、該表面をポリッシィング加工し
て、平均表面粗さＲa を１５Å、平均うねりＷa を、波
長８０〜４５０μｍの範囲において１０Å、波長４５０
μｍ超過の範囲において４４Åとした磁気ディスク用基
板を、６００ｒｐｍで回転させながら、砥粒として平均
粒子径が０．０８μｍであり、濃度が８重量％のコロイ
ダルシリカを用い、該コロイダルシリカをポリウレタン
フォーム製研磨テープに含浸させ、該テープをロールで
押圧して、オシレーション９００回／分で１５秒間テク
スチァ加工した。テクスチァ加工後の基板は、平均表面
粗さＲa が１４Å、平均うねりＷa が波長８０〜４５０
μｍの範囲において７Å、波長４５０μｍ超過の範囲に
おいて２９Åとなり改良されたが、ポリッシィング加工
痕は残存していた。
面に無電解メッキ法により厚さ１５μｍのＮｉ−Ｐ合金
の非磁性層を形成し、該表面をポリッシィング加工し
て、平均表面粗さＲa を１５Å、平均うねりＷa を、波
長８０〜４５０μｍの範囲において１０Å、波長４５０
μｍ超過の範囲において４４Åとした磁気ディスク用基
板を、６００ｒｐｍで回転させながら、砥粒として平均
粒子径が０．０８μｍであり、濃度が８重量％のコロイ
ダルシリカを用い、該コロイダルシリカをポリウレタン
フォーム製研磨テープに含浸させ、該テープをロールで
押圧して、オシレーション９００回／分で１５秒間テク
スチァ加工した。テクスチァ加工後の基板は、平均表面
粗さＲa が１４Å、平均うねりＷa が波長８０〜４５０
μｍの範囲において７Å、波長４５０μｍ超過の範囲に
おいて２９Åとなり改良されたが、ポリッシィング加工
痕は残存していた。
【００２３】尚、ここで、平均表面粗さＲa は、ＪＩＳ
Ｂ０６０１に規定される算術平均粗さを、触針式表面
粗さ計（小坂研究所社製「ＥＴ３０ＨＫ」）を用いて、
測定長０．２５ｍｍ、針の曲率０．５μｍＲ、荷重３ｍ
ｇ、カットオフ値８０μとして測定したものであり、
又、平均うねりＷa は、同じくＪＩＳ Ｂ０６０１に規
定される算術平均粗さを、波長８０〜４５０μｍの範
囲、及び波長４５０μ超過の範囲の各々について、触針
式表面粗さ計（ｔｅｎｃｏｒ ｐｉｏ）を用いて、測定
長２ｍｍ、針の曲率２μｍＲ、荷重５ｍｇとして測定し
たものである。
Ｂ０６０１に規定される算術平均粗さを、触針式表面
粗さ計（小坂研究所社製「ＥＴ３０ＨＫ」）を用いて、
測定長０．２５ｍｍ、針の曲率０．５μｍＲ、荷重３ｍ
ｇ、カットオフ値８０μとして測定したものであり、
又、平均うねりＷa は、同じくＪＩＳ Ｂ０６０１に規
定される算術平均粗さを、波長８０〜４５０μｍの範
囲、及び波長４５０μ超過の範囲の各々について、触針
式表面粗さ計（ｔｅｎｃｏｒ ｐｉｏ）を用いて、測定
長２ｍｍ、針の曲率２μｍＲ、荷重５ｍｇとして測定し
たものである。
【００２４】実施例２ 実施例１と同様にしてポリッシィング加工した磁気ディ
スク用基板を、６００ｒｐｍで回転させながら、砥粒と
して平均粒子径が０．０８μｍであり、濃度が８重量％
のコロイダルシリカを用い、該コロイダルシリカをポリ
ウレタンフォーム製研磨テープに含浸させ、該テープを
ロールで押圧して、オシレーション９００回／分で１５
秒間テクスチァ加工した後、更に、平均粒子径が０．１
μｍであり、濃度が０．０８重量％のダイヤモンド系ス
ラリーを織布製研磨テープに含浸させ、該テープをロー
ルで押圧して、オシレーション９００回／分で１５秒間
テキスチァ加工した。テクスチァ加工後の基板は、平均
表面粗さＲa が１１Å、平均うねりＷa が波長８０〜４
５０μｍの範囲において７Å、波長４５０μｍ超過の範
囲において２９Åとなり改良されており、又、ポリッシ
ィング加工痕も消滅していた。
スク用基板を、６００ｒｐｍで回転させながら、砥粒と
して平均粒子径が０．０８μｍであり、濃度が８重量％
のコロイダルシリカを用い、該コロイダルシリカをポリ
ウレタンフォーム製研磨テープに含浸させ、該テープを
ロールで押圧して、オシレーション９００回／分で１５
秒間テクスチァ加工した後、更に、平均粒子径が０．１
μｍであり、濃度が０．０８重量％のダイヤモンド系ス
ラリーを織布製研磨テープに含浸させ、該テープをロー
ルで押圧して、オシレーション９００回／分で１５秒間
テキスチァ加工した。テクスチァ加工後の基板は、平均
表面粗さＲa が１１Å、平均うねりＷa が波長８０〜４
５０μｍの範囲において７Å、波長４５０μｍ超過の範
囲において２９Åとなり改良されており、又、ポリッシ
ィング加工痕も消滅していた。
【００２５】比較例１ 実施例１と同様にしてポリッシィング加工した磁気ディ
スク用基板を、６００ｒｐｍで回転させながら、砥粒と
して平均粒子径が０．１μｍであり、濃度が０．０８重
量％のダイヤモンド系スラリーを用い、該スラリーを織
布製研磨テープに含浸させ、該テープをロールで押圧し
て、オシレーション９００回／分でのテクスチァ加工を
１５秒間ずつ２回に分けて実施した。テクスチァ加工後
の基板は、平均表面粗さＲa が１５Å、平均うねりＷa
が波長８０〜４５０μｍの範囲において１０Å、波長４
５０μｍ超過の範囲において４４Åであり、又、ポリッ
シィング加工痕も残存していた。
スク用基板を、６００ｒｐｍで回転させながら、砥粒と
して平均粒子径が０．１μｍであり、濃度が０．０８重
量％のダイヤモンド系スラリーを用い、該スラリーを織
布製研磨テープに含浸させ、該テープをロールで押圧し
て、オシレーション９００回／分でのテクスチァ加工を
１５秒間ずつ２回に分けて実施した。テクスチァ加工後
の基板は、平均表面粗さＲa が１５Å、平均うねりＷa
が波長８０〜４５０μｍの範囲において１０Å、波長４
５０μｍ超過の範囲において４４Åであり、又、ポリッ
シィング加工痕も残存していた。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、磁気ヘッドのヘツドク
ラッシュの発生をなくすと共にその浮上性にも優れた磁
気ディスクを得ることができる、表面平滑性に優れた磁
気ディスク用基板の製造方法を提供することができる。
ラッシュの発生をなくすと共にその浮上性にも優れた磁
気ディスクを得ることができる、表面平滑性に優れた磁
気ディスク用基板の製造方法を提供することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3C058 AA05 AA07 AA09 CA04 CB10 DA02 DA17 5D112 AA02 AA24 BA06 GA02 GA09 GA13 GA14 GA30
Claims (5)
- 【請求項１】 磁気ディスク用基板を製造するにおい
て、二酸化珪素の水性分散液により二酸化珪素を砥粒と
してテクスチァ加工を行うことを特徴とする磁気ディス
ク用基板の製造方法。 - 【請求項２】 二酸化珪素の水性分散液がコロイダルシ
リカである請求項１に記載の磁気ディスク用基板の製造
方法。 - 【請求項３】 二酸化珪素の平均粒子径が０．０１〜
０．１０μｍであり、その水性分散液の濃度が５〜５０
重量％である請求項１又は２に記載の磁気ディスク用基
板の製造方法。 - 【請求項４】 基板がアルミニウム系金属製である請求
項１乃至３のいずれかに記載の磁気ディスク用基板の製
造方法。 - 【請求項５】 ポリウレタンフォーム製テープを用いて
テープ研磨によりテクスチァ加工を行う請求項１乃至４
のいずれかに記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17799699A JP2001006162A (ja) | 1999-06-24 | 1999-06-24 | 磁気ディスク用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17799699A JP2001006162A (ja) | 1999-06-24 | 1999-06-24 | 磁気ディスク用基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=16040731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17799699A Pending JP2001006162A (ja) | 1999-06-24 | 1999-06-24 | 磁気ディスク用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001006162A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2397068A (en) * | 2002-12-26 | 2004-07-14 | Kao Corp | Polishing composition |
| GB2398075A (en) * | 2003-02-05 | 2004-08-11 | Kao Corp | Polishing composition |
| WO2013099083A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | コニカミノルタ株式会社 | Ｈｄｄ用ガラス基板の製造方法 |
-
1999
- 1999-06-24 JP JP17799699A patent/JP2001006162A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2397068A (en) * | 2002-12-26 | 2004-07-14 | Kao Corp | Polishing composition |
| GB2397068B (en) * | 2002-12-26 | 2006-08-30 | Kao Corp | Polishing composition |
| US7303601B2 (en) | 2002-12-26 | 2007-12-04 | Kao Corporation | Polishing composition |
| GB2398075A (en) * | 2003-02-05 | 2004-08-11 | Kao Corp | Polishing composition |
| US6910952B2 (en) | 2003-02-05 | 2005-06-28 | Kao Corporation | Polishing composition |
| WO2013099083A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | コニカミノルタ株式会社 | Ｈｄｄ用ガラス基板の製造方法 |
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