JP2001101656A - 磁気ディスク用ガラス基板のテクスチャー形成方法および磁気ディスク用ガラス基板 - Google Patents
磁気ディスク用ガラス基板のテクスチャー形成方法および磁気ディスク用ガラス基板Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】機械的テクスチャー法によりディスク状ガラス
基板の表面に直接にテクスチャーラインを形成する方法
および磁気異方性が得られる磁気ディスク用ガラス基板
の提供。 【解決手段】ディスク状ガラス基板表面に、ガラスより
硬度の高い砥粒と酸化セリウム砥粒とからなる遊離砥粒
スラリーとテープを用いて機械的テクスチャー加工を行
う。
基板の表面に直接にテクスチャーラインを形成する方法
および磁気異方性が得られる磁気ディスク用ガラス基板
の提供。 【解決手段】ディスク状ガラス基板表面に、ガラスより
硬度の高い砥粒と酸化セリウム砥粒とからなる遊離砥粒
スラリーとテープを用いて機械的テクスチャー加工を行
う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク用ガ
ラス基板のテクスチャー形成方法および磁気ディスク用
ガラス基板に関する。
ラス基板のテクスチャー形成方法および磁気ディスク用
ガラス基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスクドライブに使用される磁
気ディスクは、基板上に非磁性層、磁性層、保護層、潤
滑層を形成することにより製造されている。基板は、ア
ルミニウム系合金またはハードディスクの高速・高密度
化に対応するため低粗度で高ヤング率のガラスが一般的
に使用されている。また、磁気ヘッドが磁気ディスクと
接触したときの摩擦を小さくして吸着を防ぐために、磁
気ディスクの表面にテクスチャーと称する微細な凹凸が
形成される。この凹凸形成のため、表面自身にテクスチ
ャーが形成された基板が用いられる。
気ディスクは、基板上に非磁性層、磁性層、保護層、潤
滑層を形成することにより製造されている。基板は、ア
ルミニウム系合金またはハードディスクの高速・高密度
化に対応するため低粗度で高ヤング率のガラスが一般的
に使用されている。また、磁気ヘッドが磁気ディスクと
接触したときの摩擦を小さくして吸着を防ぐために、磁
気ディスクの表面にテクスチャーと称する微細な凹凸が
形成される。この凹凸形成のため、表面自身にテクスチ
ャーが形成された基板が用いられる。
【０００３】基板表面のテクスチャーの形成方法は、研
磨砥粒等を用いて物理的にライン状のテクスチャーを形
成する機械的テクスチャー法、エッチングや熱処理等に
より方向性のない凹凸を形成する化学的テクスチャー
法、レーザー光などを照射して凹凸を形成するレーザー
テクスチャー法等があり、それらを一つまたは複数組み
合わせて使用されている。
磨砥粒等を用いて物理的にライン状のテクスチャーを形
成する機械的テクスチャー法、エッチングや熱処理等に
より方向性のない凹凸を形成する化学的テクスチャー
法、レーザー光などを照射して凹凸を形成するレーザー
テクスチャー法等があり、それらを一つまたは複数組み
合わせて使用されている。
【０００４】機械的テクスチャー法は、アルミナやダイ
ヤモンド等の一種類の研磨砥粒を用いた遊離砥粒スラリ
ーとテープ、または固定砥粒テープと潤滑剤を使用して
基板の表面を加工しテクスチャーを形成するのが一般的
である。形成されたライン状のテクスチャーは摩擦等を
軽減するメカニカル特性の改善だけでなく、その上に設
けた磁性層の磁化軸をテクスチャーラインの方向に向け
て磁化の配向を作り出す効果が知られている。一般的
に、アルミニウムまたはアルミニウム合金製基板（以下
アルミニウム基板という）上に硬質層として設けたＮｉ
Ｐ層に機械的テクスチャーを行ってテクスチャーライン
を形成し、その後にスパッタリング法により磁性層を形
成して、該テクスチャーライン方向への磁気異方性を持
つ磁気ディスクを得ることができる。
ヤモンド等の一種類の研磨砥粒を用いた遊離砥粒スラリ
ーとテープ、または固定砥粒テープと潤滑剤を使用して
基板の表面を加工しテクスチャーを形成するのが一般的
である。形成されたライン状のテクスチャーは摩擦等を
軽減するメカニカル特性の改善だけでなく、その上に設
けた磁性層の磁化軸をテクスチャーラインの方向に向け
て磁化の配向を作り出す効果が知られている。一般的
に、アルミニウムまたはアルミニウム合金製基板（以下
アルミニウム基板という）上に硬質層として設けたＮｉ
Ｐ層に機械的テクスチャーを行ってテクスチャーライン
を形成し、その後にスパッタリング法により磁性層を形
成して、該テクスチャーライン方向への磁気異方性を持
つ磁気ディスクを得ることができる。
【０００５】ガラス基板を用いて異方性媒体を製造する
場合にも、ガラス基板上にメッキまたはスパッタリング
により非磁性のＮｉＰ等の金属層を形成し、その後に機
械的テクスチャーを行う方法が提案されている。
場合にも、ガラス基板上にメッキまたはスパッタリング
により非磁性のＮｉＰ等の金属層を形成し、その後に機
械的テクスチャーを行う方法が提案されている。
【０００６】しかし、ガラス基板を用いて磁気異方性を
もつ磁気ディスクを製造する場合、機械的テクスチャー
法により実用的なテクスチャーラインをガラス基板上に
直接形成することは困難であった。すなわち、アルミニ
ウム基板上に設けたＮｉＰ層の場合と同じ機械的テクス
チャー法では、十分な密度でテクスチャーラインを形成
できない、ガラス基板表面に不連続なクラックやキズが
発生する、等の問題が生じ、実用的なテクスチャーライ
ンを形成することは難しく、磁気ディスクとしての特性
を得るために必要なテクスチャーラインが得られない。
また、一般的なガラス研磨に使用される酸化セリウムや
コロイダルシリカ等を用いて機械的テクスチャーを行う
と、鏡面は得られても磁気ディスクとして必要な形状お
よび密度のテクスチャーラインは得られなかった。
もつ磁気ディスクを製造する場合、機械的テクスチャー
法により実用的なテクスチャーラインをガラス基板上に
直接形成することは困難であった。すなわち、アルミニ
ウム基板上に設けたＮｉＰ層の場合と同じ機械的テクス
チャー法では、十分な密度でテクスチャーラインを形成
できない、ガラス基板表面に不連続なクラックやキズが
発生する、等の問題が生じ、実用的なテクスチャーライ
ンを形成することは難しく、磁気ディスクとしての特性
を得るために必要なテクスチャーラインが得られない。
また、一般的なガラス研磨に使用される酸化セリウムや
コロイダルシリカ等を用いて機械的テクスチャーを行う
と、鏡面は得られても磁気ディスクとして必要な形状お
よび密度のテクスチャーラインは得られなかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、機械
的テクスチャー法によりガラス基板の表面に直接にテク
スチャーラインを形成する方法および該方法により得ら
れる磁気ディスク用ガラス基板を提供することにある。
的テクスチャー法によりガラス基板の表面に直接にテク
スチャーラインを形成する方法および該方法により得ら
れる磁気ディスク用ガラス基板を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決しようとするものであり、ディスク状ガラス基板表
面に、ガラスより硬度の高い砥粒と酸化セリウム砥粒と
からなる遊離砥粒スラリーおよびテープを用いて機械的
テクスチャー加工を行い、テクスチャーを形成すること
を特徴とする磁気ディスク用ガラス基板のテクスチャー
形成方法を提供する。
解決しようとするものであり、ディスク状ガラス基板表
面に、ガラスより硬度の高い砥粒と酸化セリウム砥粒と
からなる遊離砥粒スラリーおよびテープを用いて機械的
テクスチャー加工を行い、テクスチャーを形成すること
を特徴とする磁気ディスク用ガラス基板のテクスチャー
形成方法を提供する。
【０００９】本発明において、上記のガラスより硬度が
高い砥粒として多結晶ダイヤモンド砥粒や単結晶ダイヤ
モンド砥粒等のダイヤモンド砥粒を使用できる。密度の
高いテクスチャーラインを得るためには多結晶ダイヤモ
ンド砥粒が好ましい。ここでガラスより硬度の高いと
は、例えば対象とするガラス基板よりモース硬度が高い
ことを意味する。特に、上記の多結晶ダイヤモンド砥粒
の平均粒径が１．０μｍ以下、酸化セリウムの平均粒径
が１．０μｍ以下であることが好ましい。
高い砥粒として多結晶ダイヤモンド砥粒や単結晶ダイヤ
モンド砥粒等のダイヤモンド砥粒を使用できる。密度の
高いテクスチャーラインを得るためには多結晶ダイヤモ
ンド砥粒が好ましい。ここでガラスより硬度の高いと
は、例えば対象とするガラス基板よりモース硬度が高い
ことを意味する。特に、上記の多結晶ダイヤモンド砥粒
の平均粒径が１．０μｍ以下、酸化セリウムの平均粒径
が１．０μｍ以下であることが好ましい。
【００１０】また、本発明は、ディスク状ガラス基板表
面に上記のテクスチャー形成方法により形成されたテク
スチャーが、表面粗さ（Ｒa）２０オングストローム以
下、ディスク状ガラス基板の半径方向のライン密度１０
本／μｍ以上のテクスチャーラインからなることを特徴
とする磁気ディスク用ガラス基板を提供する。
面に上記のテクスチャー形成方法により形成されたテク
スチャーが、表面粗さ（Ｒa）２０オングストローム以
下、ディスク状ガラス基板の半径方向のライン密度１０
本／μｍ以上のテクスチャーラインからなることを特徴
とする磁気ディスク用ガラス基板を提供する。
【００１１】ここでテクスチャーラインのライン密度は
ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）測定のデータから求めてい
る。本発明においてディスク状ガラス基板上のテクスチ
ャーラインを構成する凹部と、この凹部と半径方向に隣
接する２つの凸部との垂直距離（深さ）の少くとも一つ
が７オングストローム以上であり、かつ垂直距離が７オ
ングストローム以上である凸部と前記凹部を結ぶ直線の
半径方向に対する傾きの絶対値が０．０５以上であると
き、該凹部から構成されるテクスチャーラインの本数を
求め、それからテクスチャーライン密度（本／μｍ）を
得ている。
ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）測定のデータから求めてい
る。本発明においてディスク状ガラス基板上のテクスチ
ャーラインを構成する凹部と、この凹部と半径方向に隣
接する２つの凸部との垂直距離（深さ）の少くとも一つ
が７オングストローム以上であり、かつ垂直距離が７オ
ングストローム以上である凸部と前記凹部を結ぶ直線の
半径方向に対する傾きの絶対値が０．０５以上であると
き、該凹部から構成されるテクスチャーラインの本数を
求め、それからテクスチャーライン密度（本／μｍ）を
得ている。
【００１２】テクスチャーライン方向への磁化をより大
きくするためには、上記のように定義されたテクスチャ
ーラインの密度が１０本／μｍ以上、特に２０本／μｍ
以上が望ましい。また、ハードディスクのヘッドの浮上
量は高記録密度化に対応してますます小さくなってきて
いるので、磁気ディスクの表面粗さ（Ｒa）は２０オン
グストローム以下、望ましくは１０オングストローム以
下であることが求められる。ここでの表面粗さは、前記
のテクスチャーのライン密度と同様、ＡＦＭを用いて測
定したデータから、数値計算を行うことにより求めてい
る。
きくするためには、上記のように定義されたテクスチャ
ーラインの密度が１０本／μｍ以上、特に２０本／μｍ
以上が望ましい。また、ハードディスクのヘッドの浮上
量は高記録密度化に対応してますます小さくなってきて
いるので、磁気ディスクの表面粗さ（Ｒa）は２０オン
グストローム以下、望ましくは１０オングストローム以
下であることが求められる。ここでの表面粗さは、前記
のテクスチャーのライン密度と同様、ＡＦＭを用いて測
定したデータから、数値計算を行うことにより求めてい
る。
【００１３】ディスク状ガラス基板表面に、ダイヤモン
ドなど硬度の高い研磨砥粒のスラリーとテープを用いて
機械的テクスチャー加工を行うと、ほとんど加工が行わ
れないか、ライン状の凸部および凹部からなるテクスチ
ャーラインはあまり形成されずに、多くの不連続なクラ
ックが発生し、磁気ディスク用としては不適切なガラス
基板表面しか得られない。また、一般的なガラスの研磨
砥粒である酸化セリウムのスラリーとテープを用いて加
工を行うと、得られた表面粗さが非常に小さく、磁化の
配向に必要な形状と密度をもったテクスチャーラインは
形成できない。
ドなど硬度の高い研磨砥粒のスラリーとテープを用いて
機械的テクスチャー加工を行うと、ほとんど加工が行わ
れないか、ライン状の凸部および凹部からなるテクスチ
ャーラインはあまり形成されずに、多くの不連続なクラ
ックが発生し、磁気ディスク用としては不適切なガラス
基板表面しか得られない。また、一般的なガラスの研磨
砥粒である酸化セリウムのスラリーとテープを用いて加
工を行うと、得られた表面粗さが非常に小さく、磁化の
配向に必要な形状と密度をもったテクスチャーラインは
形成できない。
【００１４】本発明は、対象となるガラスより硬度の高
い研磨砥粒と酸化セリウム砥粒と水とからなる遊離砥粒
スラリーとテープを用いて、ガラス基板表面に機械的テ
クスチャー加工を行うことで、上記の表面粗さと密度を
持つテクスチャーラインを形成する方法を提供できる。
多結晶ダイヤモンド砥粒の平均粒径を１．０μｍより大
きくすると、テクスチャーライン密度は１０本／μｍよ
り小さくなり、有用なテクスチャーラインを得ることは
できにくくなる。また、酸化セリウム砥粒の平均粒径を
１．０μｍより大きくすると、表面粗さ（Ｒa）２０オ
ングストローム以下で、傷の少ないものができにくくな
る。
い研磨砥粒と酸化セリウム砥粒と水とからなる遊離砥粒
スラリーとテープを用いて、ガラス基板表面に機械的テ
クスチャー加工を行うことで、上記の表面粗さと密度を
持つテクスチャーラインを形成する方法を提供できる。
多結晶ダイヤモンド砥粒の平均粒径を１．０μｍより大
きくすると、テクスチャーライン密度は１０本／μｍよ
り小さくなり、有用なテクスチャーラインを得ることは
できにくくなる。また、酸化セリウム砥粒の平均粒径を
１．０μｍより大きくすると、表面粗さ（Ｒa）２０オ
ングストローム以下で、傷の少ないものができにくくな
る。
【００１５】本発明におけるディスク状ガラス基板とし
ては、例えばソーダライムシリカガラス、ホウケイ酸ガ
ラス、ソーダアルミノシリケートガラスなどからなる基
板やそれらの物理強化または化学強化した基板が使用で
きる。また無アルカリガラス、石英ガラスなど磁気ディ
スク用基板として適切なものも使用できる。
ては、例えばソーダライムシリカガラス、ホウケイ酸ガ
ラス、ソーダアルミノシリケートガラスなどからなる基
板やそれらの物理強化または化学強化した基板が使用で
きる。また無アルカリガラス、石英ガラスなど磁気ディ
スク用基板として適切なものも使用できる。
【００１６】また本発明で使用するテープは、テクスチ
ャー形成用のテープであり、例えば不織布テープ、植毛
テープ、微細繊維織物テープ、スウェードテープ等、磁
気ディスクのテクスチャー加工に使用できる材料を使用
できる。
ャー形成用のテープであり、例えば不織布テープ、植毛
テープ、微細繊維織物テープ、スウェードテープ等、磁
気ディスクのテクスチャー加工に使用できる材料を使用
できる。
【００１７】
【実施例】（実施例１）直径６５ｍｍの化学強化したデ
ィスク状ガラス基板面を直接、ポリエチレン製微細繊維
織物テープと、平均粒径０．２μｍの多結晶ダイヤモン
ド砥粒および平均粒径０．３μｍの酸化セリウム砥粒を
含有する遊離砥粒スラリーを用い、テクスチャーマシン
にてテクスチャーマシン加工を行った。使用した遊離砥
粒スラリーは、遊離砥粒スラリー全体に対して多結晶ダ
イヤモンドを０．０３重量％、酸化セリウム砥粒を５重
量％の割合で含有するものであった。
ィスク状ガラス基板面を直接、ポリエチレン製微細繊維
織物テープと、平均粒径０．２μｍの多結晶ダイヤモン
ド砥粒および平均粒径０．３μｍの酸化セリウム砥粒を
含有する遊離砥粒スラリーを用い、テクスチャーマシン
にてテクスチャーマシン加工を行った。使用した遊離砥
粒スラリーは、遊離砥粒スラリー全体に対して多結晶ダ
イヤモンドを０．０３重量％、酸化セリウム砥粒を５重
量％の割合で含有するものであった。
【００１８】ガラス基板は円の中心を軸に回転してお
り、ローラーにより上記テープをガラス基板両側から均
等に押しつけ、上記遊離砥粒スラリーを上記テープとガ
ラス基板の接触部周辺に滴下することにより機械的テク
スチャー加工を行った。テクスチャーラインとして望ま
しい交差角を持たせるために、ローラーまたはガラス基
板を、ガラス基板の回転面に平行で回転方向と異なる方
向にオシレーション（円または往復運動）させた。
り、ローラーにより上記テープをガラス基板両側から均
等に押しつけ、上記遊離砥粒スラリーを上記テープとガ
ラス基板の接触部周辺に滴下することにより機械的テク
スチャー加工を行った。テクスチャーラインとして望ま
しい交差角を持たせるために、ローラーまたはガラス基
板を、ガラス基板の回転面に平行で回転方向と異なる方
向にオシレーション（円または往復運動）させた。
【００１９】本例でのテクスチャー加工条件は、ガラス
基板回転数１３０ｒｐｍ、加工時間６０秒、遊離砥粒ス
ラリー流量１８ｇ／６０秒／面で、オシレーションを行
った。図１に本例のテクスチャー加工を行ったガラス基
板表面のＡＦＭ像を示す。Ｒ aは６オングストローム、
ディスク状ガラス基板の半径方向のテクスチャーライン
密度は２５本／μｍであり、多結晶ダイヤモンド砥粒と
酸化セリウム砥粒からなる遊離砥粒スラリーを使用した
場合、有効なテクスチャーラインを持つガラス基板表面
が得られた。本例でのテクスチャーライン密度は、前記
の定義にしたがってＡＦＭの測定データから求めてい
る。
基板回転数１３０ｒｐｍ、加工時間６０秒、遊離砥粒ス
ラリー流量１８ｇ／６０秒／面で、オシレーションを行
った。図１に本例のテクスチャー加工を行ったガラス基
板表面のＡＦＭ像を示す。Ｒ aは６オングストローム、
ディスク状ガラス基板の半径方向のテクスチャーライン
密度は２５本／μｍであり、多結晶ダイヤモンド砥粒と
酸化セリウム砥粒からなる遊離砥粒スラリーを使用した
場合、有効なテクスチャーラインを持つガラス基板表面
が得られた。本例でのテクスチャーライン密度は、前記
の定義にしたがってＡＦＭの測定データから求めてい
る。
【００２０】（比較例１）平均粒径０．３μｍの酸化セ
リウム砥粒のみの遊離砥粒スラリーを用い、実施例１と
同条件でディスク状ガラス基板表面にテクスチャー加工
を行った。図２に本例のテクスチャー加工を行ったガラ
ス基板表面のＡＦＭ像を示す。Ｒaは５オングストロー
ムであるが、所望のテクスチャーライン密度を持つ有用
なテクスチャーラインは得られていない。
リウム砥粒のみの遊離砥粒スラリーを用い、実施例１と
同条件でディスク状ガラス基板表面にテクスチャー加工
を行った。図２に本例のテクスチャー加工を行ったガラ
ス基板表面のＡＦＭ像を示す。Ｒaは５オングストロー
ムであるが、所望のテクスチャーライン密度を持つ有用
なテクスチャーラインは得られていない。
【００２１】（比較例２）平均粒径０．２μｍの多結晶
ダイヤモンドのみの遊離砥粒スラリーを用い、実施例１
と同条件でディスク状ガラス基板表面にテクスチャー加
工を行った。図３に本例のテクスチャー加工を行ったガ
ラス基板表面のＡＦＭ像を示す。Ｒaは２オングストロ
ーム、半径方向のテクスチャーライン密度は０本／μｍ
であり、有用なテクスチャーラインは得られていない。
また参考として、図４に実施例１で使用した、テクスチ
ャー加工前のディスク状ガラス基板表面のＡＦＭ像を示
す。Ｒaは３オングストロームである。
ダイヤモンドのみの遊離砥粒スラリーを用い、実施例１
と同条件でディスク状ガラス基板表面にテクスチャー加
工を行った。図３に本例のテクスチャー加工を行ったガ
ラス基板表面のＡＦＭ像を示す。Ｒaは２オングストロ
ーム、半径方向のテクスチャーライン密度は０本／μｍ
であり、有用なテクスチャーラインは得られていない。
また参考として、図４に実施例１で使用した、テクスチ
ャー加工前のディスク状ガラス基板表面のＡＦＭ像を示
す。Ｒaは３オングストロームである。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、磁気ディスク用ディス
ク状ガラス基板表面に直接テクスチャーラインを形成す
ることができ、ガラス基板上に金属層を設けることなく
磁気ディスクに有用なテクスチャーラインが形成された
ガラス基板を得ることができる。また本発明によれば、
磁気異方性が得られる磁気ディスク用ガラス基板を得る
ことができる。
ク状ガラス基板表面に直接テクスチャーラインを形成す
ることができ、ガラス基板上に金属層を設けることなく
磁気ディスクに有用なテクスチャーラインが形成された
ガラス基板を得ることができる。また本発明によれば、
磁気異方性が得られる磁気ディスク用ガラス基板を得る
ことができる。
【図１】本発明のディスク状ガラス基板表面のラインテ
クスチャーを示すＡＦＭ像を示す図。
クスチャーを示すＡＦＭ像を示す図。
【図２】酸化セリウム砥粒のみによりテクスチャー加工
を行ったディスク状ガラス基板表面（比較例１）のＡＦ
Ｍ像を示す図。
を行ったディスク状ガラス基板表面（比較例１）のＡＦ
Ｍ像を示す図。
【図３】多結晶ダイヤモンドのみによりテクスチャー加
工を行ったディスク状ガラス基板表面（比較例２）のＡ
ＦＭ像を示す図。
工を行ったディスク状ガラス基板表面（比較例２）のＡ
ＦＭ像を示す図。
【図４】テクスチャー加工を行う前のディスク状ガラス
基板表面のＡＦＭ像を示す図。
基板表面のＡＦＭ像を示す図。
フロントページの続き (72)発明者 平本 誠 山形県米沢市八幡原４丁目2837番地９ 旭 コマグ株式会社米沢工場内 (72)発明者 岸 政洋 山形県米沢市八幡原４丁目2837番地９ 旭 コマグ株式会社米沢工場内 Ｆターム(参考） 4G059 AA08 AC01 5D112 AA02 BA03 BA09 GA09 GA13 GA14
Claims (4)
- 【請求項１】ディスク状ガラス基板表面に、ガラスより
硬度の高い砥粒と酸化セリウム砥粒とからなる遊離砥粒
スラリーおよびテープを用いて機械的テクスチャー加工
を行い、テクスチャーを形成することを特徴とする磁気
ディスク用ガラス基板のテクスチャー形成方法。 - 【請求項２】ガラスより硬度が高い砥粒が、多結晶ダイ
ヤモンド砥粒である請求項１記載のテクスチャー形成方
法。 - 【請求項３】多結晶ダイヤモンド砥粒の平均粒径が１．
０μｍ以下、酸化セリウム砥粒の平均粒径が１．０μｍ
以下である請求項２記載のテクスチャー形成方法。 - 【請求項４】ディスク状ガラス基板表面に請求項１、２
または３記載のテクスチャー形成方法により形成された
テクスチャーが、表面粗さ（Ｒa）２０オングストロー
ム以下、ディスク状ガラス基板の半径方向のライン密度
１０本／μｍ以上のテクスチャーラインからなることを
特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27923799A JP2001101656A (ja) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | 磁気ディスク用ガラス基板のテクスチャー形成方法および磁気ディスク用ガラス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27923799A JP2001101656A (ja) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | 磁気ディスク用ガラス基板のテクスチャー形成方法および磁気ディスク用ガラス基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001101656A true JP2001101656A (ja) | 2001-04-13 |
Family
ID=17608360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27923799A Pending JP2001101656A (ja) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | 磁気ディスク用ガラス基板のテクスチャー形成方法および磁気ディスク用ガラス基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001101656A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004259417A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Nihon Micro Coating Co Ltd | 磁気ハードディスク基板及びその製造方法 |
| US6849164B2 (en) | 2001-05-11 | 2005-02-01 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium and method of manufacturing the same |
| JP2005317181A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-11-10 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスク |
-
1999
- 1999-09-30 JP JP27923799A patent/JP2001101656A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6849164B2 (en) | 2001-05-11 | 2005-02-01 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium and method of manufacturing the same |
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| JP2005317181A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-11-10 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスク |
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