JP2004171756A

JP2004171756A - 磁気ディスク基板のテクスチャ加工方法

Info

Publication number: JP2004171756A
Application number: JP2003387949A
Authority: JP
Inventors: Andrew Homola; ホモラアンドリュー
Original assignee: Komag Inc
Current assignee: WD Media LLC
Priority date: 2002-11-18
Filing date: 2003-11-18
Publication date: 2004-06-17
Also published as: US20040096705A1; US6972135B2; MY137879A; DE10349317A1; US20050142990A1

Abstract

【課題】スクラッチの幅及び深さのばらつきを減じた磁気ディスク基板のテクスチャ加工を提供する。
【解決手段】磁気ディスクの基板をテクスチャ加工するための方法であって、ナノサイズの（例えば２０ｎｍ以下の直径の）ダイヤモンド粒子を使用して基板を研磨する。それから、基板上に磁性層を蒸着させる。たとえテクスチャ加工が極めて滑らか（例えば２．２ÅＲａ未満）であっても、ディスクは良好なＨｃ、ＭｒＴオリエンテーション比、ＳＮＲ、及び、ＰＷ５０を呈する。
【選択図】図３

Description

本発明は、磁気ディスク基板をテクスチャ加工するための方法と、かかる方法によって得られる基板とに関する。また本発明は、磁気データ記憶媒体を製造するための方法と、かかる方法によって得られる媒体とに関する。

磁気ディスク（例えば図１におけるディスク１）の製造に際しては、（ａ）基板を研磨して、（ｂ）基板をテクスチャ加工して、（ｃ）スパッタリングやその他の真空蒸着技術などによって、基板上に一組の層を蒸着する。基板は、代表的には、アルミニウム合金２から構成されていて、これにニッケル−リン（"ＮＩＰ"）の合金３を無電解メッキしてコーティングしている。この層は、１又は複数のシード層及び／又は下地層４（例えばＣｒやＣｒ合金の下地層）と、１又は複数の磁性層５（例えばＣｏ合金の層）と、１又は複数の保護オーバーコート６（例えば１又は複数の炭素の保護オーバーコート層）とを備えている。テクスチャ加工は、代表的には、約０．０５〜０．５μｍの直径の多結晶又は単結晶のダイヤモンド粒子を使用して形成された、円周方向（又は略円周方向）のスクラッチを備えている。テクスチャ加工は、代表的にはいくつかの機能を果たし、それらには、読み書きヘッドを磁気ディスク上にて容易に浮上させることが含まれる。しかしながら、もっと重要なことは、テクスチャ加工によってディスクの磁気特性が異方性になることである。例えば、磁性層の飽和保磁力Ｈｅは、円周方向では放射方向に比べて高くなる。また、残留磁気Ｍｒも、円周方向では放射方向に比べて高くなる。

磁気ディスクの製造においては、ディスクがどんどん滑らかになっていく傾向があった。その理由は、磁性層により近接させて読み書きヘッドを浮上させることが必要だからである。今日のディスクは、約３〜５ÅのＲａを有することが、原子間力顕微鏡（"ＡＦＭ"）によって測定されている（Ｒａは表面粗さの周知の基準である。）。残念ながら、ディスクがより滑らかになって、Ｒａが５Åを下回ると、ディスクの磁気異方性は低下する。さらに、例えば信号対雑音比（"ＳＮＲ"）やパルス幅ＰＷ５０などの、ディスクのその他の磁気特性も劣化する。

従来技術によるダイヤモンドのテクスチャ加工では、テクスチャ加工のスラリーのダイヤモンド粒子は非常にばらついたサイズを有していた。このために、結果としてのテクスチャ加工のスクラッチは非常にばらついたサイズを有していた（すなわち幅及び深さがばらついていた。）。このことは、さらに、（ａ）例えばテクスチャ加工のスクラッチが深すぎる箇所において、読み書きヘッドと磁性層との間の有効浮上高さが増加することなどに起因する、磁気的な欠陥や、（ｂ）深いスクラッチのためにディスクに保護膜を作ることが難しくなることに起因する、信頼性の問題を生じさせていた。さらに、テクスチャ加工のスラリー中に過大な粒子が存在すると、過剰に深いスクラッチに隣接して過剰に高い隆起が形成されるため、劣悪な滑空特性をもたらしていた。

本発明による方法にあっては、“ナノサイズ”の粒子を使用して基板のテクスチャ加工を行なう。粒子は、代表的にはダイヤモンドであって、代表的には約２０ｎｍ未満の直径を有している。ひとつの実施形態においては、粒子の直径は約１０ｎｍ未満である。粒子の直径は、代表的には１ｎｍよりも大きくて、ひとつの実施形態では約２ｎｍよりも大きい。ひとつの実施形態においては、３〜８ｎｍである（本願における「直径」の用語は粒子が球形であることを要求する意図ではない。）。粒子は、代表的には単結晶である。ひとつの実施形態においては、かかる粒子を使用して、５０ライン／μｍを越える密度であるようなスクラッチラインを形成する。

テクスチャ加工の後には、基板上に１又は複数の層を蒸着するが、それらには磁性合金層（例えばＣｏやＦｅベースの合金層）が含まれており、それにより磁気データ記憶媒体が形成される。
発明者らは、“ナノサイズの粒子”（例えばナノサイズのダイヤモンド粒子）を使用して磁気ディスクのテクスチャ加工を行なうことによって、磁気異方性や、ＳＮＲ、及びＰＷ５０などの磁気特性を犠牲にせずに、極めて滑らかなテクスチャ加工を形成することができることを見い出した。
ひとつの実施形態においては、スラリーは（例えば３〜８ｎｍなどの）略均一な粒子サイズを有する。これによって、スラリーで形成されたテクスチャ加工のラインは均一な幅と深さとを有するようになる。このことが重要である理由は、（例えば上述した磁気的欠陥や不動態化の問題点を回避すべく）溝の形成を避けると共に、（例えば滑空高さの問題点を回避すべく）高い隆起が形成されることを避けることが望ましいためである。さらに、ナノサイズのダイヤモンド粒子は、大きくて低い周期のテクスチャ加工ラインを減少させる。また、スクラッチのサイズとスクラッチラインの密度とは、磁性層の粒状サイズを制御する助けになる（小さい均一な粒状サイズの磁性層を形成することが望ましい。）。
ひとつの実施形態においては、ナノサイズの粒子は、例えば水性スラリーなどの液体の中にあるような、自由に移動する研磨粒子である。別の実施形態においては、ナノサイズの粒子は、研磨布その他の構造に結合されているような、固定された研磨粒子である。

［実施例１］
図２Ａ及び図２Ｂは、基板１２のテクスチャ加工を行なうための装置１１を示している（装置１１それ自体は新規なものではない。）。図２Ａ及び図２Ｂにおいて、基板１２はモータ（図示せず）によって回転して、代表的にはナイロンであるシート材料１３が基板１２に押付けられる（シート１３は供給リール１４から送り出されて、ローラ１５のまわりを経由して、巻取リール１６に巻取られる（矢印Ｂ参照）。）。ローラ１５は、例えば１〜１０ポンドの力で、シート１３を基板１２に対して押付ける。ひとつの実施形態では、この力の大きさは２．５〜５ポンドである。シート１３と基板１２との間に、ナノサイズのダイヤモンド粒子からなるスラリー（後述）を導入する。同時に、シート１３とローラ１５とを矢印Ａの方向に往復運動させる（変形例としては、シート１３とローラ１５とに代えて、基板１２を往復させても良い。）。ダイヤモンド粒子が形成するテクスチャ加工のスクラッチは、不規則ではなく、基板１２の略円周方向になる。シート１３とローラ１５とが矢印Ａの方向へ運動するために、得られるテクスチャ加工はクロスハッチを呈する（従って、テクスチャ加工のラインは、互いに０〜２０度の角度で交差して、ひとつの実施形態では２〜６度で交差するが、これらの値は単なる例示に過ぎない。）。ひとつの実施形態においては、装置１０はカリフォルニアのＥＤＣ社から入手可能である、モデルＮｏ．１８００である。スラリーの流速は代表的には０．１〜１ｍｌ／秒である。上述した装置及びパラメータは単なる例示である。他のタイプのテクスチャ加工装置及びパラメータを使用しても良い。

ひとつの実施形態では、スラリーは、商業的な冷却剤又は潤滑剤と、０．４〜１グラム／リットルのダイヤモンド粒子とから構成されていて、例えば約０．４グラム／リットルのダイヤモンド粒子を含む。前述の如く、ダイヤモンド粒子の直径は２〜８ｎｍである。
前述の如く、テクスチャ加工されたマークのサイズと間隔とは、少なくともある程度、ダイヤモンド粒子のサイズに依存する。サイズが２ｎｍ以上の粒子を使用ことによって、後に形成される磁性層の最小粒状サイズを一定にすることが確保される（粒状サイズが過剰に小さいと、それらの磁化状態が熱的に不安定になる。しかしながら、他の実施形態においては、サイズが２ｎｍ未満のダイヤモンド粒子を使用することもできる。）。

［本発明で使用されるナノサイズのダイヤモンド粒子のタイプの説明］
ひとつの実施形態では、Ｖｅｒｅｓｃｈａｇｉｎらの米国特許第５，８６１，３４９号に開示されている方法によって、粒子を形成することができて、同文献をここで参照して引用する。そうした粒子は、マサチューセッツ州のサマヴィルにある Ultradiamond Technologies, Inc. から入手することができる（例えば製品番号ＵＤ９０）。あるいは、粒子は独国のマインツにある PlasmaChem 社から入手できるタイプのものでも良い。これらは、代表的には、高温度及び高圧の爆発によって形成されている。ひとつの実施形態においては、ダイヤモンド粒子は、約９０％以上のダイヤモンドと、残余の灰分及び／又は酸化炭素とから構成されている。

［本発明を使用してテクスチャ加工された基板を備えてなる磁気ディスクの製造］
テクスチャ加工を行なった後には、１又は複数の下地層と、磁性層と、保護オーバーコート層をディスクに付着させる。ひとつの実施形態においては、下地層と磁性層とは、Ｂｅｒｔｅｒｏらの米国特許出願第１０／０７５，１２３号に開示されているものであるか、または、Ｂｅｒｔｅｒｏらの米国特許第６，１５０，０１５号に開示されているものであって、これらの両文献をここに参照して引用する。オーバーコート層については、Ｌａｉｒｓｏｎらの米国特許出願第０９／６０４，４９０号や、独国特許公報ＤＥ１０１３０９４２Ａ１号に開示されていて、これらの文献をここに参照して引用する。しかしながら、Ｂｅｒｔｅｒｏやｌａｉｒｓｏｎが開示している特定の工程は単なる例示であって、他の工程を使用しても良い。例えば、他のディスク製造工程においては、１又は複数の（例えばＣｏやＦｅベースの磁性層などの）強磁性層を（例えばスパッタリングなどの）真空蒸着工程によって蒸着しても良い。また、ディスクの製造工程においては、その他のタイプの層を基板に蒸着させても良い。

［ナノサイズのダイヤモンド粒子でテクスチャ加工した基板を使用した磁気ディスクの特性］
ナノサイズのダイヤモンド粒子を使用して製造された磁気ディスクは、いくつかの驚異的でユニークな特性を呈する。前述の如く、従来技術にあっては、直径０．０５〜０．５μｍのダイヤモンド粒子を使用して、基板にテクスチャ加工を行なっていた。図３は、そうした粒子を使用して製造された基板から構成されてなるディスクについての、ＭｒＴオリエンテーション比（ＭｒＴＯＲ）の関係を示した図である（ＭｒＴは、残留磁気と磁性層の厚みとの積に等しい。）。曲線２２は、従来技術のダイヤモンド粒子を使用して製造されたディスクのＭｒＴＯＲを示しており、曲線２４は、ナノサイズのダイヤモンド粒子を使用して製造されたディスクについてのＭｒＴＯＲを示している（後者の事例では、直径が３〜８ｎｍで平均５ｎｍであるダイヤモンド粒子を使用している。）。図示の如く、従来技術のテクスチャ加工の粒子を使用した場合には（曲線２２）、Ｒａが約２．２Åを下回ったときにＭｒＴＯＲが急激に低下している。従って、そうした粒子を使用していた当業者は、ＭｒＴＯＲを劣化させずにＲａを２．２Å未満にすることはできないと信じていた。しかしながら、曲線２４に示されているように、ナノサイズのダイヤモンド粒子を使用した場合には、たとえＲａを１．４〜１．５Åにしたときであっても、ＭｒＴＯＲを高い値（例えば約１．６）に維持することができるということを発明者らは発見した。これは重要かつ驚異的な発見である。
また、図３によれば、従来技術のダイヤモンド粒子でテクスチャ加工された磁気ディスクにおいては、Ｒａが２．２Åを下回ると、ＳＮＲが急激に低下することが示されている（曲線２６参照）。驚いたことに、ナノサイズのダイヤモンド粒子を使用して基板をテクスチャ加工した場合には、Ｒａが１．４〜１．５Åであっても、ＳＮＲが約０．４５ｄＢと高い値に維持されている（曲線２８参照）。ここでも、そうした結果はまったく予想されていなかった。
図４Ａ、図４Ｂ、及び図４Ｃは、従来技術によるテクスチャ加工のダイヤモンド粒子を示したＳＥＭ写真であって、それぞれの倍率は６０，０００倍、３００，０００倍、及び５００，０００倍になっており、一方、図５Ａ及び図５Ｂは、本発明による方法のテクスチャ加工にて使用されるナノサイズのダイヤモンド粒子を示したＳＥＭ写真であって、それぞれの倍率は６０，０００倍と、５００，０００倍になっている。写真に示されているように、従来技術の粒子は、ナノサイズの粒子に比べて大きい。さらに、従来技術の粒子には著しいサイズの変動が見られると共に、従来技術の粒子には多数のギザギザで不規則な切子面が見られる。これが原因となって、スクラッチの特性を大きく変動させて不都合にしている。

前述の如く、図５Ａ及び図５Ｂは、本発明による磁気ディスクのテクスチャ加工にて使用されるナノサイズのダイヤモンド粒子を示したＳＥＭ写真である。写真に示されているように、粒子は小さくて、概略同じサイズを有している。前述の如く、粒子が小さいサイズで均一であると、小さくて均一なスクラッチのマークを形成することができる。
図６Ａと図６Ａ−１とは、従来技術のダイヤモンド粒子を使用してテクスチャ加工された第１の基板と第２の基板とを示したＡＦＭ写真である。図６Ｂと図６Ｂ−１とは、それぞれ図６Ａと図６Ａ−１との基板のＡＦＭ走査による横断面を示している。図７Ａと図７Ｂとは、ナノサイズのダイヤモンド粒子を使用してテクスチャ加工された基板について、ＡＦＭ写真と走査横断面とそれぞれを示している。以下の表１は、図６Ａ、図６Ａ−１、及び図７の基板について、表面仕上げに関する様々なパラメータを示している。
［表１］
基板ＡＦＭＲａ平均面から平均面から
頂点までの距離谷底までの距離
図６Ａ ,図６Ｂ３．９１６．８３２．０
図６Ａ−１,図６Ｂ−１２．８１４．９２３．９
図７１．６８．２１３．２

（距離の単位はÅ）

表１からわかるように、図７Ａ及び図７Ｂの基板のスクラッチラインは、図６Ａ、図６Ｂ、図６Ａ−１、及び図６Ｂ−１のスクラッチラインに比べて、より浅くて、より規則的になっている。前述したように、このことによってもたらされる利点は、（ａ）磁性層に対する読み書きヘッドの有効浮上高さを減少させることができ、（ｂ）磁気的な欠陥の原因となる深い溝が少ないかあるいは存在せず、（ｃ）図７Ａ及び図７Ｂの基板は皮膜保護することが容易であり、（ｄ）読み書きヘッドが衝突する隆起が少ないかあるいは存在せず、（ｅ）図７Ａ及び図７Ｂのテクスチャ加工の溝によれば容易に磁性体の粒状サイズを小さく形成することができる、ということである。
ひとつの実施形態においては、本発明の方法によって形成されたテクスチャ加工のスクラッチラインの密度は、５０本／μｍを越え、１５０本／μｍ以下である。ひとつの実施形態では、スクラッチの密度は、約５０〜１２０本／μｍの範囲内の、例えば約８０本／μｍである（代表的には、スクラッチの最小密度は粒子直径に反比例し、スクラッチの最大密度は粒子直径の１／１０に反比例する。）。

［産業上の利用分野］
磁気ディスクは、例えば図８のディスクドライブ３０などのディスクドライブ装置に組込まれる。図８を参照すると、ディスク３２はスピンドル３３に取付けられていて、このスピンドルはモータ３４によって回転する。一対の読み書きヘッド３５ａ及び３５ｂは、サスペンション３６ａ及び３６ｂによって保持され、これらのサスペンションはアクチュータ３８に取付けられていて、ヘッド３５ａ及び３５ｂをディスク３４の様々なトラック上へと移動させる。使用中には、ヘッド３５ａ及び３５ｂはディスク３２上にて“浮上”して、ディスク３２からデータを読み出したり、データを書込んだりするために用いられる（本実施形態では、ディスク３２の両面をテクスチャ加工して、ディスク３２の両面に磁気ディスクの製造に使用される様々な層を形成したけれども、他の実施形態においては、片面だけをテクスチャ加工して、ディスク３２の片面だけにかかる層を蒸着しても良いことを理解されたい。）。
本発明について、特定の実施形態に関連させて説明したけれども、発明の精神及び範囲から逸脱せずに、態様や細部を変更することが可能であることを当業者は認識するだろう。例えば、上述した技術を使用して、異なったタイプの基板のテクスチャ加工を行なうことができる。従って、基板は、ニッケル−リンをコーティングされたアルミニウム合金のディスクであっても良い。しかしながら、ＮｉＰとアルミニウム合金以外の材料（例えばガラス又はガラスセラミックの基板）を使用することもでき、円板以外の形状の基板を（例えば円板形以外の媒体のために）使用することもできる。また、異なったタイプのテクスチャ加工の装置や、異なったパラメータを使用することもできる。異なったサイズの粒子（例えば０．５〜２０ｎｍのサイズ）を使用することもできる。
本発明による方法は、長さ方向磁化で記録するディスクの製造に使用することができるだけでなく、垂直磁化で用いるディスクにも適用することができる（前述の如く、スクラッチのサイズを制御することによって、磁性層の粒状サイズを制御し、または影響を与えることができる。これは、長さ方向磁化の記録にも、垂直磁化の記録にも、いずれにも有用である。）。また、本発明の方法は、等方性の媒体を形成するためにも使用することができる。テクスチャ加工の粒子は代表的にはダイヤモンドであるけれども、他の硬質材料を使用しても良い。従って、そうしたすべての変更事項は本発明に含まれる。

図１は、従来技術による磁気ディスクを模式的に示した横断面図である。図２Ａは、磁気ディスク基板をテクスチャ加工するための装置を模式的に示した平面図である。図２Ｂは、磁気ディスク基板をテクスチャ加工するための装置を模式的に示した側面図である。図３は、在来のダイヤモンド粒子とナノサイズのダイヤモンド粒子とでそれぞれテクスチャ加工された基板から構成されるディスクについて、ＭｒＴＯＲ（ＭｒＴオリエンテーション比）と表面粗さＲａとの関係を示した図である。また図３は、在来のダイヤモンド粒子とナノサイズのダイヤモンド粒子とでそれぞれテクスチャ加工された基板から構成されるディスクについて、ＳＮＲと表面粗さＲａとの関係を示している。図４Ａは、従来技術によるテクスチャ加工のダイヤモンド粒子を示したＳＥＭ写真である。図４Ｂは、従来技術によるテクスチャ加工のダイヤモンド粒子を示したＳＥＭ写真である。図４Ｃは、従来技術によるテクスチャ加工のダイヤモンド粒子を示したＳＥＭ写真である。図５Ａは、本発明による方法にて使用されるナノサイズのダイヤモンド粒子を示したＳＥＭ写真である。図５Ｂは、本発明による方法にて使用されるナノサイズのダイヤモンド粒子を示したＳＥＭ写真である。図６Ａは、従来技術のテクスチャ加工のダイヤモンド粒子を使用してテクスチャ加工された第１の基板を示したＡＦＭ写真である。図６Ｂは、図６Ａの基板のＡＦＭ走査による横断面を示している。図６Ａ−１は、従来技術のテクスチャ加工のダイヤモンド粒子を使用してテクスチャ加工された第２の基板を示したＡＦＭ写真である。図６Ｂ−１は、図６Ａ−１の基板のＡＦＭ走査による横断面を示している。図７Ａは、ナノサイズのテクスチャ加工のダイヤモンド粒子を使用してテクスチャ加工された基板を示したＡＦＭ写真である。図７Ｂは、図７Ａの基板のＡＦＭ走査による横断面を示している。図８は、本発明の方法を使用して作られたディスクから構成されてなる磁気ディスクドライブを示した図である。

Claims

磁気データ記憶媒体の製造方法であって、この方法が、
基板にスクラッチを形成すべく、前記基板に研磨粒子を押付けて、前記基板のテクスチャ加工を行なう段階であって、前記研磨粒子は２０ｎｍ以下の直径を有しているような上記段階と、
前記基板に磁性層を形成する段階と、
を備えていることを特徴とする方法。
前記基板と前記磁性層との間に１又は複数の中間層を形成することを特徴とする請求項１記載の方法。
前記研磨粒子は２ｎｍ以上の直径を有していることを特徴とする請求項１記載の方法。
前記スクラッチによって、前記磁性層が異方性の磁気特性を呈することを特徴とする請求項１記載の方法。
前記粒子はダイヤモンドから構成されていることを特徴とする請求項１記載の方法。
前記磁性層が表面に形成されてなる前記基板をディスクドライブ装置に取付ける段階をさらに備えていることを特徴とする請求項１記載の方法。
磁気データ記憶媒体の基板をテクスチャ加工するための方法であって、この方法が、
テクスチャ加工のラインを形成すべく、約２０ｎｍ以下のサイズを有する粒子を使用して、前記基板を研磨する段階、
を備えていることを特徴とする方法。
データ記憶媒体の製造方法であって、この方法が、
基板にスクラッチを形成すべく、前記基板にナノサイズの研磨粒子を押付けて、前記基板のテクスチャ加工を行なう段階と、
前記基板に磁性層を形成する段階と、
を備えていることを特徴とする方法。
前記基板と前記磁性層との間に１又は複数の中間層を形成することを特徴とする請求項８記載の方法。
磁気ディスクの基板をテクスチャ加工するための方法であって、ナノサイズのダイヤモンド粒子を使用して、前記基板を研磨する段階を備えていることを特徴とする方法。
磁気データ記憶媒体であって、この媒体が、
ナノサイズの研磨粒子を使用してテクスチャ加工された基板と、
前記基板上に形成されてなる磁性層と、
を備えていることを特徴とする媒体。
前記基板と前記磁性層との間に１又は複数の中間層を形成されて備えていることを特徴とする請求項１１記載の媒体。
請求項１１記載の磁気記憶媒体を備えていることを特徴とするディスクドライブ装置。
磁気データ記憶媒体であって、この媒体が、
約２０ｎｍ以下の粒子サイズを有するような研磨粒子を使用してテクスチャ加工されてなる基板と、
前記基板上に形成されてなる磁性層と、
を備えていることを特徴とする媒体。
前記基板と前記磁性層との間に１又は複数の中間層を形成されて備えていることを特徴とする請求項１４記載の媒体。
請求項１４記載の媒体を備えていることを特徴とするディスクドライブ装置。
ナノサイズの研磨粒子を使用してテクスチャ加工されたことを特徴とする磁気データ記憶媒体の基板。
約２０ｎｍ未満のサイズを有するような研磨粒子を使用してテクスチャ加工されていることを特徴とする磁気データ記憶媒体の基板。
磁気データ記憶媒体の製造方法であって、この方法が、
粒子を使用して基板をテクスチャ加工する段階と、
前記基板上に磁性層を蒸着させる段階であって、前記粒子は十分に小さくて、結果的に得られたテクスチャ加工が、前記基板のＲａが１．９Å未満のとき、前記磁性層に約１．４以上のＭｒＴＯＲを提供するような段階と、
を備えていることを特徴とする方法。
前記基板の前記Ｒａは０．５Åを越える値であって、前記磁性層のＭｒＴＯＲは２．２未満の値であることを特徴とする請求項１９記載の方法。
前記基板と前記磁性層との間に１又は複数の中間層を形成することを特徴とする請求項１９記載の方法。
磁気データ記憶媒体の製造方法であって、この方法が、
粒子を使用して基板をテクスチャ加工する段階であって、前記基板のＲａが１．９Å未満になるようにする上記段階と、
前記基板上に磁性層を蒸着させる段階であって、前記粒子は十分に小さくて、結果的に得られたテクスチャ加工が、前記基板がテクスチャ加工されていない場合に比べて、前記磁性層に少なくとも１．５ｄＢ大きなＳＮＲを提供するような段階と、
を備えていることを特徴とする方法。
基板がテクスチャ加工されていない場合に比べて、ＳＮＲが１．５〜６ｄＢ大きいことを特徴とする請求項２２記載の方法。
磁気データ記憶媒体の製造方法であって、この方法が、粒子を使用して基板をテクスチャ加工する段階であって、前記基板のＲａが１．９Å未満になるようにする上記段階と、
前記基板上に磁性層を蒸着させる段階であって、前記粒子は十分に小さくて、結果的に得られたテクスチャ加工が、Ｒａが２Åを越える値とした場合の値に比べて、実質的に下回ることの無いような前記基板のＳＮＲを提供する段階と、
を備えていることを特徴とする方法。
磁性層のＳＮＲの値は、Ｒａが２Åを越えるとした場合の値に比べて、３ｄＢを越えることがないことを特徴とする請求項２４記載の方法。
データ記録媒体であって、この媒体が、
粒子を使用してテクスチャ加工された基板と、
前記基板上に蒸着された磁性層であって、前記粒子は十分に小さくて、結果的に得られたテクスチャ加工が、前記基板のＲａが１．９Å未満のとき、前記磁性層に約１．４以上のＭｒＴＯＲを提供するような上記磁性層と、
を備えていることを特徴とする媒体。
磁気データ記憶媒体であって、この媒体が、
粒子を使用してテクスチャ加工された基板であって、前記基板のＲａが１．９Å未満であるような上記基板と、
前記基板上に蒸着された磁性層であって、前記粒子は十分に小さくて、結果的に得られたテクスチャ加工が、前記基板がテクスチャ加工されていない場合に比べて、前記磁性層に少なくとも１．５ｄＢ大きなＳＮＲを提供するような上記磁性層と、
を備えていることを特徴とする媒体。
磁気データ記憶媒体であって、この媒体が、
粒子を使用してテクスチャ加工された基板であって、前記基板のＲａが１．９Å未満であるような上記基板と、
前記基板上に蒸着された磁性層であって、前記粒子は十分に小さくて、結果的に得られたテクスチャ加工が、Ｒａが２Åを越える値とした場合の値に比べて、実質的に下回ることの無いような前記基板のＳＮＲを提供している上記磁性層と、
を備えていることを特徴とする媒体。