JPH0997417A

JPH0997417A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH0997417A
Application number: JP25335595A
Authority: JP
Inventors: Yuzo Yamamoto; 裕三山本
Original assignee: Kao Corp
Current assignee: Kao Corp
Priority date: 1995-09-29
Filing date: 1995-09-29
Publication date: 1997-04-08

Abstract

(57)【要約】【課題】磁気特性、例えば保磁力に優れ、高密度記録
に対応でき、且つ特にＣＳＳ耐久性に優れるハードディ
スク等の磁気記録媒体を提供する。【解決手段】非金属性基板と、該基板上に設けられた
０．０１〜１μｍ厚さの無電解Ｎｉ系めっき膜と、この
無電解Ｎｉ系めっき膜上に設けられた磁性膜とを具備
し、無電解Ｎｉ系めっき膜がテクスチャー処理された磁
気記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータ等の外部
記憶装置に使用される磁気ディスク等の磁気記録媒体に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
コンピュータの外部記憶装置に用いられている磁気ディ
スクは、情報量の増大により、その大容量化／高記録密
度化が要請されている。ところで、一般に、線記録密度
と磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ、残留磁束密度Ｂｒ、磁性
膜厚ｔの間には次式の関係がある。線記録密度∝Ｈｃ／Ｂｒ×ｔ従って、記録密度を高める為には、保磁力Ｈｃを高める
ことが必要となる。このＨｃが高い磁性膜を有する磁気
記録媒体は、例えば蒸着やスパッタなどの乾式めっき手
段で作製されている。

【０００３】例えば、特開平４−１５９２９０号公報に
示される如く、所定の温度に加熱したカーボン製の基板
に負のバイアス電圧を印加しつつ、スパッタにより前記
基板にＣｏ系合金磁性膜を設ける技術が提案されてい
る。しかしながら、この技術では、Ｈｃはせいぜい１６
００Ｏｅ程度であり、１８００Ｏｅ以上のＨｃが要請さ
れている今日では満足できない。

【０００４】又、特開平４−２２１４１８号公報に示さ
れる如く、磁性膜を構成する材料として、ＣｏＣｒＰ
ｔ，ＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔ
Ｂ，ＣｏＮｉＣｒＰｔ等のＣｏＰｔ系合金を用いること
が提案されている。しかしながら、この技術は、高価な
貴金属Ｐｔの組成比率を高くせざるを得ず、コストが高
く付く。

【０００５】又、特開昭６２−２３４２３２号公報の実
施例中には、表面粗さＲａ（中心線平均粗さ）が２００
ｎｍ程度のカーボン基板上にＰｄ活性化処理した後、厚
さが２０μｍ程度の無電解ＮｉＰめっき膜を設け、この
上に電気めっきによりＣｏＮｉＰ磁性膜を設けた磁気記
録媒体が開示されている。

【０００６】ところで、本発明者たちも、カーボン基板
上に厚さが２０μｍ程度の無電解ＮｉＰめっき膜を設
け、この上にスパッタリングによりＣｏＣｒ系磁性膜を
設けた磁気記録媒体を試作した。しかしながら、この磁
気記録媒体は、めっき膜の耐久性に乏しく、又、特性も
満足できるものではなかった。

【０００７】一方、カーボン基板は、従来汎用されてい
たアルミニウム合金製基板に比べて耐熱性が非常に良好
であり、加えて耐腐性や耐候性が良好であるため、ディ
スク基板として非常に有用なものであるが、表面プロフ
ィールによって最終製品である磁気ディスクの記録・再
生特性に大きな差が生じることが判明している。この問
題に対して、従来アルミニウム合金基板において行なわ
れていたテクスチャー処理をカーボン基板に施すことが
検討されたが、アルミニウム合金基板とカーボン基板の
性質が異なるため、単にテクスチャー処理を施しても十
分な再生特性、消去特性が得られないのが現状であっ
た。

【０００８】また、カーボン基板は脆性材料であるた
め、研磨テープによるテクスチャー処理を施すと、脆性
破壊を伴う大きなスクラッチ（引っ掻き）傷が発生する
ことがあり、エラーの原因となることが多い。このた
め、カーボン基板にテクスチャー処理を施す方法では、
ディスク表面の突起密度を十分に形成できず、ＣＳＳ耐
久性、特にヘッドとのスティクションを抑えることが難
しかった。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記問題
点を解決すべく鋭意検討した結果、下地膜である無電解
ＮｉＰめっき膜が厚すぎて、ＮｉＰめっき膜の応力歪み
が大きくなり、これによって膜が剥離し易くなっている
ことがわかった。更に、無電解ＮｉＰめっき膜の厚さを
種々変えた実験を行った。すなわち、厚さが２０μｍ、
１０μｍ、５μｍ、０．５μｍ、０．３μｍ、０．１μ
ｍ等の無電解ＮｉＰめっき膜をカーボン基板上に成膜し
た。この結果、従来の無電解ＮｉＰめっき膜の厚さより
も一桁以上薄い厚さにすると、めっき直後のみならず、
磁性膜が成膜される温度、例えば２６０℃程度に加熱し
た後でも、無電解ＮｉＰめっき膜の密着性が優れたもの
となることが判明した。

【００１０】次に、無電解ＮｉＰめっき膜をこのように
薄くすると、保磁力Ｈｃが向上しないのではないかとの
懸念があったが、予想に反してＨｃも満足できるもので
あった。又、無電解ＮｉＰめっき膜を０．５μｍ程度に
薄くすると、成膜に要する時間が格段に短くなるので、
製造能率が向上し、製造コストも低下する。

【００１１】このような知見を基にして本発明が達成さ
れたものであり、本発明の目的は、磁気特性、例えば保
磁力に優れ、高密度記録に対応でき、かつ、耐久性に優
れる磁気記録媒体を提供することである。更に、テクス
チャー処理をカーボン基板等の非金属性基板表面に直接
施すのではなく、無電解Ｎｉ系めっき膜を形成した後に
行なうことにより、ＣＳＳ耐久性が格段に向上すること
が見出された。

【００１２】すなわち本発明は、非金属性基板と、当該
基板上に設けられた０．０１〜１μｍ厚さの無電解Ｎｉ
系めっき膜と、この無電解Ｎｉ系めっき膜上に設けられ
た磁性膜とを具備し、前記無電解Ｎｉ系めっき膜がテク
スチャー処理されていることを特徴とする磁気記録媒体
を提供するものである。

【００１３】尚、無電解Ｎｉ系めっき膜の下に、例えば
２０〜２００ｎｍ厚さのカーバイド形成金属膜、および
／または、例えば２０〜２００ｎｍ厚さのインジウムス
ズオキサイド（ＩＴＯ）膜を設けておくことが好まし
い。又、無電解Ｎｉ系めっき膜を設ける前に表面にＰｄ
を介在させておくことが好ましい。

【００１４】本発明に用いられる非金属性基板として
は、例えば、カーボン（特公昭６３−４６００４号公
報、特開平３−１１００５号公報など）、強化ガラス、
結晶化ガラス、セラミックス、樹脂、あるいは前記材料
の複合材料が挙げられる。中でも、カーボン、特にガラ
ス状カーボンは、本発明の効果が最もよく発現するので
好ましい。また、耐熱性、スパッタによって磁性層など
を設ける際の加熱によるガス発生が少ないことからも本
発明には最も好ましい。又、非金属性基板の表面粗さ
（中心線平均粗さ）Ｒａは０．２〜２ｎｍであることが
好ましい。非金属性基板の表面を、その表面粗さＲａが
２ｎｍ以下にするには、各種の手段を採用することが出
来る。中心線平均粗さＲａを２ｎｍ以下にする理由は、
次の通りである。すなわち、高記録密度記録を考慮した
場合、再生出力の点から磁気記録媒体と磁気ヘッドとの
間隔（浮上量）が小さい、すなわちスペーシングロスが
少ない方が有利である。このためには磁気ディスク基板
表面は平滑であることが望ましい。めっき密着性の点で
はＲａが大きいほど有利であるが、上記ヘッドとの浮上
特性の点かはら本発明ではＲａは２ｎｍ以下が望まし
い。また、研磨工程上、又、効率上の観点からはＲａ≧
０．２ｎｍである。

【００１５】本発明では、このような表面プロフィール
の非金属性基板上に、カーバイド形成金属膜やＩＴＯ膜
を設けることができる。ここで、「カーバイド形成金
属」とは、熱或いは物理吸着、化学吸着によりカーバイ
ド（炭化物）を形成し得る金属の意である。カーバイド
形成金属としては、Ｓｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｚｒ，
Ｙ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖの中から選ばれる金属又はこれらの１
種以上を含む合金が挙げられる。特にＣｒ，Ｔｉが好ま
しい。また、カーバイド形成金属を含む合金としては、
アルミニウムとカーバイド形成金属の合金（以下「Ａｌ
−Ｍ合金」と略記することもある）が好ましい。具体的
には、下記の表１に示す合金が挙げられる。

【００１６】

【表１】

【００１７】更に、Ａｌ（５％）−Ｓｉ（５％）−Ｃｒ
系合金、Ａｌ（５％）−Ｓｉ（３％）−Ｍｏ系合金、Ａ
ｌ（５％）−Ｓｉ（３％）−Ｗ系合金等の三元以上の系
のＡｌ−Ｍ合金も挙げられる。更に、これらの合金の酸
化物も用いることができる。合金の酸化は一部でも全部
であってもよい。上記の合金のうちで特に好ましいの
は、表面形状の制御及び当該合金層とこれが接する層と
の密着性との観点からＡｌ−Ｓｉ系合金及びＡｌ−Ｃｒ
系合金である。

【００１８】このようなカーバイド形成金属膜、例えば
Ｔｉ膜や、或いはＩＴＯ膜を設けておくことによって薄
いＮｉ系めっき膜の密着性が向上する。Ｔｉ膜等のカー
バイド形成金属膜やＩＴＯ膜は、スパッタリング（ＤＣ
マグネトロンスパッタリング、ＲＦマグネトロンスパッ
タリング等）等の乾式めっき手段により設けられる。カ
ーバイド形成金属膜或いはＩＴＯ膜の厚さは、それぞれ
約２０〜２００ｎｍであることが好ましい。

【００１９】本発明においては、非金属性基板、あるい
は上記カーバイド形成金属膜やＩＴＯ膜上に無電解Ｎｉ
系めっき膜が設けられる。尚、無電解めっき処理により
Ｎｉ系めっき膜が設けられるが、その膜厚が０．０１〜
１μｍ（好ましくは０．０５〜０．５μｍ）になった段
階で非金属性基板を無電解Ｎｉ系めっき浴から引き上げ
る。すなわち、無電解Ｎｉ系めっき膜が１μｍよりは厚
く形成されないようにする。

【００２０】この程度の厚さの無電解Ｎｉ系めっき膜と
することにより、無電解Ｎｉ系めっき膜が剥離し難く、
かつ、形成される磁性膜の保磁力を高くすることが可能
になる。すなわち、無電解Ｎｉ系めっき膜を設けなかっ
た場合には磁性膜の高保磁力が期待できず、無電解Ｎｉ
系めっき膜厚が２０μｍ程度の場合には磁性膜が剥離し
易いのである。

【００２１】無電解Ｎｉ系めっき膜としては、無電解Ｎ
ｉＰめっき膜、無電解ＮｉＰＣｕめっき膜、無電解Ｎｉ
Ｂめっき膜等が挙げられるが、特に好ましくは無電解Ｎ
ｉＰめっき膜である。

【００２２】本発明の基板は、無電解Ｎｉ系めっき膜表
面がテクスチャー処理されていることを特徴とするもの
である。テクスチャー方法としては、限定されないが、
例えばテープテクスチャー、スラリーテクスチャー、ス
パッタテクスチャー、パウダービームテクスチャー等が
挙げられる。

【００２３】テープテクスチャーでは、基板を回転させ
た状態で、この基板に研磨テープをローラで押し付けて
粗面化したり、或いは接触させた研磨テープを基板の半
径方向に揺動させてクロス状に粗面化を行なうのが一般
的である。テープテクスチャーの際の諸条件は限定され
ないが、例えば研磨テープの押し付け圧は１〜４ｋｇ／
ｃｍ²、好ましくは２〜３ｋｇ／ｃｍ²である。また、
研磨テープの送り速度は１００〜６００ｍｍ／ｍｉｎ、
好ましくは３００〜５００ｍｍ／ｍｉｎであり、研磨テ
ープの揺動速度は０〜７００往復／分、好ましくは２０
０〜５００往復／分である。また、基板の回転速度は２
０〜３００ｒｐｍ、好ましくは４０〜１００ｒｐｍであ
る。また、研磨テープの接触時間は２〜６０秒、好まし
くは２〜２０秒である。

【００２４】研磨テープとしては、炭化ケイ素、アルミ
ナ、ダイヤモンド、ジルコニア、酸化セリウム、シリカ
等の研磨粒子が有機バインダーによりベースフィルム上
に付着させたものが使用される。研磨粒子の粒径は＃３
０００〜８０００、好ましくは＃４０００〜７０００で
ある。このようなテープテクスチャー処理を施すことに
より、無電解Ｎｉめっき膜表面に同心円状の条痕を付
し、条痕が円周方向に配向した粗面を得ることができ
る。

【００２５】また、無電解Ｎｉめっき膜表面に適用する
テクスチャー方法としてスラリーテクスチャーを採用す
ることができる。ここで、スラリーテクスチャーとは、
研磨粒子を含むスラリー（通常分散媒は水）を無電解Ｎ
ｉめっき膜表面表面に外的負荷の存在下に接触させる方
法であり、表面仕上げ等の研磨分野で公知の方法が何れ
も使用できる。研磨粒子としては、公知の砥粒が使用で
きるが、特にダイヤモンド粒子が好ましく、その平均粒
子径は、０．５〜６．０μｍ、好ましくは１．０〜４．
０のものである。また、表面研磨用のスラリー液として
市販されているものを使用してもよい。

【００２６】スラリーテクスチャーの条件は、無電解Ｎ
ｉめっき膜の材質や磁気記録媒体の用途等を考慮して適
宜決めれば良く、また、例えば特開平３−２４８３２８
号公報に記載の方法或いは装置を用いて行なうことがで
きる。

【００２７】また、スラリーテクスチャーは、通常のテ
ープテクスチャー装置を用いて、研磨テープの代わりに
テープ状に加工されたバフテープを用い、またクーラン
ト液の代わりにダイヤモンド粒子を含むスラリーを用
い、スラリー液を供給しつつバフとディスクを接触させ
て両者を回転させることにより行なうこともできる。

【００２８】また、スパッタテクスチャーとは、Ｔｉ、
Ａｌ等の金属或いはこれらの合金をスパッタリングによ
り表面に堆積させることにより凹凸を有する薄膜を形成
する方法である。スパッタリングの条件は限定されない
が、前記のカーバイド形成金属あるいはその合金を用い
ることが好ましい。

【００２９】また、本発明では、非金属性基板の無電解
Ｎｉめっき膜の表面に微粒子を噴射してテクスチャー処
理を施し、テクスチャー処理後の基板の表面粗さを、中
心線平均粗さＲａで５〜３０Å（好ましくは５〜２０
Å）、最大高さＲｐで２０〜２００Å（好ましくは２０
〜１００Å）とすることもできる。被加工物の表面に微
粒子を噴射して加工する方法は、パウダービーム加工方
法（パウダービームテクスチャー）と呼ばれ、平均粒径
数ミクロン以下の微粒子を、気体と共に噴射して、被加
工物の表面に衝突させる加工方法である。この方法で、
被加工物の表面に微小な凹凸を形成したり、あるいは被
加工物を削ることで形状を変えることができる。

【００３０】また、更に非金属性基板の無電解Ｎｉめっ
き膜の表面のテクスチャー方法としてはレーザービーム
をめっき膜表面に照射して凹凸を形成するレーザービー
ムテクスチャーを採用することができる。

【００３１】テクスチャー後の無電解Ｎｉめっき膜表面
（スパッタテクスチャーの場合はスパッタ膜表面）のＲ
ａ（中心線平均粗さ）は、５〜１００Å、好ましくは５
〜３０Å、且つＲｐ（中心線最大高さ）が１０〜５００
Å、好ましくは２０〜２００Åとなることが望ましい。
Ｒｐが５００Åを超えるとヘッドの浮上量低下が困難と
なりスペーシングロスが生じて記録密度向上の点で好ま
しくない。

【００３２】本発明では、上記のようなテクスチャー処
理が施された無電解Ｎｉ系めっき膜上に、必要に応じて
Ｃｒ等の下地膜がスパッタリング等の乾式めっき手段で
設けられる。尚、このＣｒ等の下地膜の厚さは２０〜２
００ｎｍ程度である。

【００３３】この上に磁性膜、特に金属薄膜型の磁性膜
が、例えば真空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプ
レーティング等の乾式めっき手段で設けられる。磁性膜
を構成する材料としては、例えばＣｏＣｒ，ＣｏＣｒ
Ｘ，ＣｏＣｒＰｔＸ，ＣｏＳｍ，ＣｏＳｍＸ，ＣｏＮｉ
Ｘ，ＣｏＷＸ等で表されるＣｏを主成分とするＣｏ系の
磁性合金が挙げられる。尚、ここでＸとしては、Ｔａ，
Ｐｔ，Ａｕ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｗ，Ｌａ，Ｃｅ，
Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｌｉ，Ｓｉ，Ｂ，Ｃ
ａ，Ａｓ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ａｇ，
Ｓｂ，Ｈｆよりなる群から選ばれる１種又は２種以上の
元素が挙げられる（ただしＸは組成式中の他の元素と重
複しない）。磁性膜の膜厚は通常２０〜５０ｎｍ程度で
ある。

【００３４】この金属薄膜型磁性膜の上には保護膜がス
パッタリング等の乾式めっき手段で設けられる。保護膜
の材料としては、耐摩耗性の点から硬度の高いものが望
ましい。例えば、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎ
ｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ等の金属の酸化物、窒化物、炭化物
などがある。又、カーボン、あるいはボロンナイトライ
ド等も挙げられる。中でも、カーボンやボロンナイトラ
イドは好ましいものである。尚、保護膜の厚さは５〜２
５ｎｍ程度である。

【００３５】そして、上記のような工程を経て作製され
た磁気記録媒体は、磁性膜を構成する磁性金属にＰｔを
用いなくても１８００Ｏｅを越える高保磁力となる。し
かも、１μｍ以下の厚さの無電解Ｎｉ系めっき膜は、２
０μｍ厚さの無電解Ｎｉ系めっき膜を設ける場合に比べ
て短時間で形成でき、製造コストが低減する。かつ、無
電解Ｎｉ系めっき膜の厚さが薄いので密着性が向上し、
磁性膜の耐久性が向上する。

【００３６】

【実施例】以下実施例にて本発明を説明するが、本発明
はこれらの実施例に限定されるものではない。

【００３７】〔実施例１〕＜磁気ディスクの製造＞（ａ）基板の調製密度１．５ｇ／ｃｍ³、ビッカース硬度６５０の特性の
ガラス状カーボンを用いて１．８インチ径のカーボン基
板１を作製した。このカーボン基板１は、精密研磨によ
り、表面粗さＲａが１０Åに仕上げられている。尚、表
面粗さＲａは、触針式表面粗さ計により測定した。

【００３８】（ｂ）無電解ＮｉＰめっき膜を形成精密研磨後のカーボン基板１に対してＡｒガス圧４ｍＴ
ｏｒｒ、基板温度２６０℃、基板バイアス電圧−３００
Ｖのスパッタ条件で厚さ１００ｎｍのＴｉ膜（めっき下
地層）２を設け、次いで無電解ＮｉＰめっき処理を施
し、０．２μｍ厚さの無電解ＮｉＰめっき膜３を設け
た。尚、無電解ＮｉＰめっき膜３の成膜は次のようにし
て行われた。先ず、アルカリ洗浄液に５０℃で５分間、
過マンガン酸塩含有マイクロエッチング液に６０℃で１
０分間、中和液に５０℃で３分間、表面調整液（Ｐｄ吸
着促進剤）に５０℃で３分間、アルカリ性キャタリスト
液（有機Ｐｄ溶液）に５０℃で４分間、還元液に２５℃
で４分間順次浸漬した。この後、ｐＨ４．４に調整され
た無電解ＮｉＰめっき浴に８５℃で５分間浸漬する。こ
れにより、Ｐ含有量が１２ｗｔ％の無電解ＮｉＰめっき
膜が形成された。

【００３９】（ｃ）テープテクスチャー処理無電解ＮｉＰめっき膜３を成膜した後、精密洗浄を行
い、乾燥させた。両面テープテクスチャー装置により下
記の条件で無電解ＮｉＰめっき膜３に対してテープテク
スチャー処理を行った。テクスチャー後の表面粗さ（Ｒ
ａ及びＲｐ）を表１に示す。・テープ；日本ミクロコーティング社製＃６０００フラ
ットタイプ・テープ送り速度；３００〜５００ｍｍ／分・加工圧力；１．５ｋｇ／ｃｍ² ・テープ揺動；２００〜５００往復／分、揺動幅１ｍｍ・ローラゴム硬度；６０度・ワーク回転数；４０〜５０ｒｐｍ・加工時間；５〜２０秒（ｄ）下地膜、磁性膜、保護膜及び潤滑剤膜の形成次いで、テクスチャー後のめっき膜３上にＣｒ膜４を形
成し、ついで該Ｃｒ膜上に、Ａｒガス圧４ｍＴｏｒｒ、
基板加熱温度２６０℃、基板バイアス電圧−３００Ｖの
スパッタ条件にて、厚さ４０ｎｍのＣｏＣｒ₁₂Ｔａ₂磁
性膜５、厚さ１５ｎｍのダイヤモンドライクカーボン膜
６を成膜した。更に潤滑剤（ＦｏｍｂｌｉｍＺ−０
３、モンテカチーニ社製）を乾燥後の厚さが２０Åとな
るように前記ダイヤモンドライクカーボン膜６上に塗布
し潤滑剤層７を形成して、図１に示す構造の磁気ディス
クを得た。

【００４０】＜特性評価＞得られた磁気ディスクについ
て、以下の特性評価を行なった。その結果を表３に示
す。

【００４１】（ｉ）Ｒａ（中心線平均粗さ）及びＲｐ
（中心線最大高さ）テクスチャー後のめっき膜表面のＲａ、Ｒｐを測定し
た。Ｒａ、Ｒｐは、触針式粗さ計（ＴＥＮＣＯＲＰ
２）により、下記の条件で測定した。触針径：０．６μｍ（針曲率半径）触針押し付け圧力：７ｍｇ測定長：２５０μｍ×８ヶ所トレース速度：２．５μｍ／秒カットオフ：１．２５μｍ（ローパスフィルタ）（ii）ＧＨＴＰｒｏｑｕｉｐ社製ＭＧ１５０Ｔ装置を用い、５０％ス
ライダヘッドを用いて行った。１．５μインチの浮上高
さの通過率が８０％以上のものをＡ、通過率が５０超〜
８０％未満のものをＢ、通過率が３０超〜５０％以下の
ものをＣ、通過率が３０％以下のものをＤで表示した。
(iii）ＭＣＦ（エラー特性）エラー特性は、Ｐｒｏｑｕｉｐ社製ＭＧ１５０Ｔ装置を
用い、７０％スライダヘッドを使用し、記録密度５１Ｋ
ＦＣＩの条件で評価した。スライスレベルは６０％と
し、１６ビット未満のミッシングエラーの個数をカウン
トし、以下のように評価した。Ｓ：評価ディスクの５０％以上がエラー個数が０〜１５
個である。Ａ：評価ディスクの５０％以上がエラー個数が１６〜３
５個である。Ｂ：評価ディスクの５０％以上がエラー個数が３６〜６
０個である。Ｃ：評価ディスクの５０％以上がエラー個数が６１個以
上である。（vi）保磁力振動試料型磁力計（ＶＳＭ）を用いて最終的に得られた
磁気ディスクの保磁力を測定した。

【００４２】〔実施例２〕実施例１において、めっき下
地層（Ｔｉ膜）２をＩＴＯ膜にし、ＮｉＰめっき膜の厚
さを０．５μｍとした以外は実施例１と同様にして磁気
ディスクを得た。ＩＴＯ膜は、トータルガス圧４ｍＴｏ
ｒｒ（Ａｒ：Ｏ₂＝５：１）、基板加熱温度２６０℃の
スパッタ条件にて形成し、ＩＴＯ膜の厚さは１００ｎｍ
とした。

【００４３】〔実施例３〕実施例１において、めっき下
地層（Ｔｉ膜）２をＣｒ膜とし、磁性膜５をＣｏＣｒＰ
ｔ₆Ｂ₆とし、ＮｉＰめっき膜の厚さを０．５μｍとし、
更に無電解ＮｉＰめっき膜３に対するテクスチャー処理
をスラリーテクスチャーにより行った以外は実施例１と
同様にして磁気ディスクを得た。Ｃｒ膜は、トータルガ
ス圧４ｍＴｏｒｒ（Ａｒ：Ｏ₂＝５：１）、基板加熱温
度２６０℃のスパッタ条件にて形成し、Ｃｒ膜の厚さは
１００ｎｍとした。また、スラリーテクスチャーの条件
は以下の通りである。・装置；ストラスバーク社（米国、カリフォルニア州、
サンホセ在）製、テクスチャーマシン・パッド；ＳＰＤＮＯ．２５０１ＢＢＷ（昭和ポリ
ッシング社製）・スラリー；ＳＰＬＤ−４０００ＷＳ−４６（昭和
電工社製）・スラリーの供給量；１０秒毎に１秒（１枚加工当り約
２．５ｃｃ）。

【００４４】〔実施例４〕実施例１において、めっき下
地層（Ｔｉ膜）２をＴｉ−Ａｌ（９５／５、重量％）膜
とし、ＮｉＰめっき膜の厚さを１．０μｍとした以外は
実施例３と同様にして磁気ディスクを得た。Ｔｉ−Ａｌ
膜は、トータルガス圧４ｍＴｏｒｒ（Ａｒ：Ｏ₂＝５：
１）、基板加熱温度２６０℃のスパッタ条件にて形成
し、Ｔｉ−Ａｌ膜の厚さは１００ｎｍとした。

【００４５】〔比較例１〕実施例１において、めっき下
地層（Ｔｉ膜）２及び無電解ＮｉＰめっき膜３を形成せ
ずに、ディスク表面をテープテクスチャーする以外は実
施例１に準じて磁気ディスクを得、実施例１と同様の試
験を行なった。その結果を表１に示す。ここで、テープ
テクスチャーは、日本ミクロコーテング社製＃６０００
の研磨テープを用い、加工圧１．５ｋｇ／ｃｍ²、テー
プ振動３００往復／分、ワーク回転数５０ｒｐｍ、加工
時間２０秒の条件とした。

【００４６】〔比較例２〕実施例１において、めっき下
地層（Ｔｉ膜）２及び無電解ＮｉＰめっき膜３を形成せ
ずに、ディスク表面をスラリーテクスチャーする以外は
実施例３に準じて磁気ディスクを得、実施例１と同様の
試験を行なった。その結果を表１に示す。

【００４７】

【表１】

【００４８】

【発明の効果】本発明のディスク基板ように、無電解Ｎ
ｉ系めっき膜を形成した後にテクスチャー処理すること
により、脆性モードを封じ込めながら、即ちエラー誘発
を抑制しながら効果的に充分な数の突起形成が達成され
るため、ＣＳＳ耐久性（耐スティクション性）が大幅に
改善される。また、ＮｉＰめっきに機械的テクスチャー
を施すことにより、保持力も向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１で得れられた本発明の磁気記録媒体の
概略図

【符号の説明】

１カーボン基板２Ｔｉ膜（めっき下地層）３無電解ＮｉＰめっき膜４下地Ｃｒ膜５磁性膜６ダイヤモンドライクカーボン膜７潤滑剤層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非金属性基板と、当該基板上に設けられ
た０．０１〜１μｍ厚さの無電解Ｎｉ系めっき膜と、こ
の無電解Ｎｉ系めっき膜上に設けられた磁性膜とを具備
し、前記無電解Ｎｉ系めっき膜がテクスチャー処理され
ていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】非金属性基板上で、無電解Ｎｉ系めっき
膜の下に設けられたカーバイド形成金属膜を具備するこ
とを特徴とする請求項１の磁気記録媒体。
【請求項３】カーバイド形成金属膜がＣｒ，Ｔｉ又は
Ａｌ−Ｍ（Ｍはカーバイド形成金属）で表される合金よ
り選ばれるものからなることを特徴とする請求項１又は
２記載の磁気記録媒体。
【請求項４】非金属性基板上で、無電解ＮｉＰめっき
膜の下に設けられたインジウムスズオキサイド膜を具備
することを特徴とする請求項１〜３の何れか１項記載の
磁気記録媒体。
【請求項５】非金属性基板の表面粗さＲａが０．２〜
２ｎｍであることを特徴とする請求項１〜４の何れか１
項記載の磁気記録媒体。
【請求項６】無電解Ｎｉ系めっき膜が無電解ＮｉＰめ
っき膜である請求項１〜５の何れか１項記載の磁気記録
媒体。