JPH097150A - 磁気記録媒体および磁気記憶装置 - Google Patents
磁気記録媒体および磁気記憶装置Info
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- JPH097150A JPH097150A JP15053395A JP15053395A JPH097150A JP H097150 A JPH097150 A JP H097150A JP 15053395 A JP15053395 A JP 15053395A JP 15053395 A JP15053395 A JP 15053395A JP H097150 A JPH097150 A JP H097150A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 保磁力を向上する。高密度記録でのノイズを
低減する。 【構成】 磁気記録媒体１０は、Ｎｉ−ＰメッキＡｌ合
金基板１１上にＣｒ制御膜１２，１２’を形成し、その
Ｃｒ制御膜１２，１２’上にＣｒＴｉ下地膜１３，１
３’を形成し、そのＣｒＴｉ下地膜１３，１３’上にＣ
ｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜１４，１４’を形成し、その
ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜１４，１４’上にＣ保護膜
１５，１５’を形成した積層構造である。前記ＣｒＴｉ
下地膜１３，１３’の組成は次の通りである。 （100−ｘ）at％Ｃｒ-ｘat％Ｔｉ （５≦ｘ≦35） また、前記ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜の組成は次の通
りである。 （100−ｘ−ｙ−ｚ）at％Ｃｏ-ｘat％Ｃｒ-ｙat％Ｐｔ-
ｚat％Ｔａ （ｘ＋ｙ＋ｚ≦35，14≦ｘ≦23，６≦ｙ≦20，１≦ｚ≦
８）
低減する。 【構成】 磁気記録媒体１０は、Ｎｉ−ＰメッキＡｌ合
金基板１１上にＣｒ制御膜１２，１２’を形成し、その
Ｃｒ制御膜１２，１２’上にＣｒＴｉ下地膜１３，１
３’を形成し、そのＣｒＴｉ下地膜１３，１３’上にＣ
ｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜１４，１４’を形成し、その
ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜１４，１４’上にＣ保護膜
１５，１５’を形成した積層構造である。前記ＣｒＴｉ
下地膜１３，１３’の組成は次の通りである。 （100−ｘ）at％Ｃｒ-ｘat％Ｔｉ （５≦ｘ≦35） また、前記ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜の組成は次の通
りである。 （100−ｘ−ｙ−ｚ）at％Ｃｏ-ｘat％Ｃｒ-ｙat％Ｐｔ-
ｚat％Ｔａ （ｘ＋ｙ＋ｚ≦35，14≦ｘ≦23，６≦ｙ≦20，１≦ｚ≦
８）
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体および磁
気記憶装置に関し、さらに詳しくは、保磁力の低減を防
止できる磁気記録媒体および保磁力の低減を防止でき且
つ１５０ｋＦＣＩ（Ｆlux Ｃhanges per Ｉnch）以上の
高密度記録での媒体ノイズが低い磁気記録媒体およびそ
れらの磁気記録媒体の特性を充分に活かすことのできる
磁気記憶装置に関する。
気記憶装置に関し、さらに詳しくは、保磁力の低減を防
止できる磁気記録媒体および保磁力の低減を防止でき且
つ１５０ｋＦＣＩ（Ｆlux Ｃhanges per Ｉnch）以上の
高密度記録での媒体ノイズが低い磁気記録媒体およびそ
れらの磁気記録媒体の特性を充分に活かすことのできる
磁気記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｔ．Ｉnaseらは、基板上にＣｒ下地膜を
形成し、このＣｒ下地膜上に91〜76at％Ｃｏ-７〜12at
％Ｃｒ-０〜10at％Ｐｔ-２at％Ｔａ 合金磁性膜を設け
た磁気記録憶媒体について検討している（Jpn.J.Apply.
Phys. vol.32（1993）,3823-3827）。また、Ｙ．Ｃheng
らは、基板上にＣｒ下地膜を形成し、このＣｒ下地膜上
に80at％Ｃｏ-10at％Ｃｒ-６at％Ｐｔ-４at％Ｔａ 合金
磁性膜を形成した磁気記録媒体について検討している
（J.Apply.Phys. 75(10)（1994）,6138-6140）。さら
に、Ｋ．Ｓinらは、基板上にＣｒ下地膜を形成し、この
Ｃｒ下地膜上に（100−ｘ）at％（74at％Ｃｏ-14at％Ｃ
ｒ-12at％Ｐｔ）-ｘat％Ｔａ合金磁性膜を形成した磁気
記録媒体について検討している（IEEE Trans.Magn. vo
l.30,No.6（1994）,4008-4010）。
形成し、このＣｒ下地膜上に91〜76at％Ｃｏ-７〜12at
％Ｃｒ-０〜10at％Ｐｔ-２at％Ｔａ 合金磁性膜を設け
た磁気記録憶媒体について検討している（Jpn.J.Apply.
Phys. vol.32（1993）,3823-3827）。また、Ｙ．Ｃheng
らは、基板上にＣｒ下地膜を形成し、このＣｒ下地膜上
に80at％Ｃｏ-10at％Ｃｒ-６at％Ｐｔ-４at％Ｔａ 合金
磁性膜を形成した磁気記録媒体について検討している
（J.Apply.Phys. 75(10)（1994）,6138-6140）。さら
に、Ｋ．Ｓinらは、基板上にＣｒ下地膜を形成し、この
Ｃｒ下地膜上に（100−ｘ）at％（74at％Ｃｏ-14at％Ｃ
ｒ-12at％Ｐｔ）-ｘat％Ｔａ合金磁性膜を形成した磁気
記録媒体について検討している（IEEE Trans.Magn. vo
l.30,No.6（1994）,4008-4010）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の磁気記録媒
体では、主たる元素であるＣｏに、Ｃｒ，Ｐｔ，Ｔａの
元素を多量に添加しているため、ｈｃｐ構造を有する磁
性膜のｃ軸長が大きくなっているにもかかわらず、Ｃｒ
下地膜を用いている。このため、Ｃｒ下地膜と合金磁性
膜の整合性が悪くなり、エピタキシャル成長ができなく
なり、保磁力が低減する問題点がある。また、上記従来
の磁気記録媒体では、Ｃｒの添加濃度が低く（全体に対
して14％未満である）、１５０ｋＦＣＩ以上の高密度記
録では媒体ノイズが大きい問題点がある。そこで、本発
明の第１の目的は、保磁力の低減を防止できるようにし
た磁気記録媒体を提供することにある。また、本発明の
第２の目的は、保磁力の低減を防止できると共に１５０
ｋＦＣＩ以上の高密度記録でのノイズが低い磁気記録媒
体を提供することにある。さらに、本発明の第３の目的
は、上記第１の目的または上記第２の目的にかかる磁気
記録媒体の特性を充分に活かすことのできる磁気記憶装
置を提供することにある。
体では、主たる元素であるＣｏに、Ｃｒ，Ｐｔ，Ｔａの
元素を多量に添加しているため、ｈｃｐ構造を有する磁
性膜のｃ軸長が大きくなっているにもかかわらず、Ｃｒ
下地膜を用いている。このため、Ｃｒ下地膜と合金磁性
膜の整合性が悪くなり、エピタキシャル成長ができなく
なり、保磁力が低減する問題点がある。また、上記従来
の磁気記録媒体では、Ｃｒの添加濃度が低く（全体に対
して14％未満である）、１５０ｋＦＣＩ以上の高密度記
録では媒体ノイズが大きい問題点がある。そこで、本発
明の第１の目的は、保磁力の低減を防止できるようにし
た磁気記録媒体を提供することにある。また、本発明の
第２の目的は、保磁力の低減を防止できると共に１５０
ｋＦＣＩ以上の高密度記録でのノイズが低い磁気記録媒
体を提供することにある。さらに、本発明の第３の目的
は、上記第１の目的または上記第２の目的にかかる磁気
記録媒体の特性を充分に活かすことのできる磁気記憶装
置を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】第１の観点では、本発明
は、基板上にＣｒＴｉ合金下地膜を形成し、そのＣｒＴ
ｉ合金下地膜上にＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜を形成し
たことを特徴とする磁気記録媒体を提供する。第２の観
点では、本発明は、基板上にＣｒ制御膜を形成し、その
Ｃｒ制御膜上にＣｒＴｉ合金下地膜を形成し、そのＣｒ
Ｔｉ合金下地膜上にＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜を形成
したことを特徴とする磁気記録媒体を提供する。第３の
観点では、本発明は、上記構成の磁気記録媒体におい
て、前記ＣｒＴｉ合金下地膜中のＴｉの添加濃度を35at
％より少なくしたことを特徴とする磁気記録媒体を提供
する。
は、基板上にＣｒＴｉ合金下地膜を形成し、そのＣｒＴ
ｉ合金下地膜上にＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜を形成し
たことを特徴とする磁気記録媒体を提供する。第２の観
点では、本発明は、基板上にＣｒ制御膜を形成し、その
Ｃｒ制御膜上にＣｒＴｉ合金下地膜を形成し、そのＣｒ
Ｔｉ合金下地膜上にＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜を形成
したことを特徴とする磁気記録媒体を提供する。第３の
観点では、本発明は、上記構成の磁気記録媒体におい
て、前記ＣｒＴｉ合金下地膜中のＴｉの添加濃度を35at
％より少なくしたことを特徴とする磁気記録媒体を提供
する。
【０００５】第４の観点では、本発明は、上記構成の磁
気記録媒体において、前記ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜
の組成中のＣｒの添加濃度を、12at％より多く，25at％
より少なくしたことを特徴とする磁気記録媒体を提供す
る。第５の観点では、本発明は、上記構成の磁気記録媒
体において、前記ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜の組成中
のＰｔの添加濃度を、４at％より多く，22at％より少な
くしたことを特徴とする磁気記録媒体を提供する。第６
の観点では、本発明は、上記構成の磁気記録媒体におい
て、前記ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜の組成中のＴａの
添加濃度を、０at％より多く，10at％より少なくしたこ
とを特徴とする磁気記録媒体を提供する。
気記録媒体において、前記ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜
の組成中のＣｒの添加濃度を、12at％より多く，25at％
より少なくしたことを特徴とする磁気記録媒体を提供す
る。第５の観点では、本発明は、上記構成の磁気記録媒
体において、前記ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜の組成中
のＰｔの添加濃度を、４at％より多く，22at％より少な
くしたことを特徴とする磁気記録媒体を提供する。第６
の観点では、本発明は、上記構成の磁気記録媒体におい
て、前記ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜の組成中のＴａの
添加濃度を、０at％より多く，10at％より少なくしたこ
とを特徴とする磁気記録媒体を提供する。
【０００６】第７の観点では、本発明は、基板上に、あ
るいは基板にＣｒ制御膜を形成した上に、ＣｒＴｉ合金
下地膜を形成し、そのＣｒＴｉ合金下地膜上にＣｏＣｒ
ＰｔＴａ合金磁性膜を形成し、前記ＣｒＴｉ合金下地膜
の組成を、 （100−ｘ）at％Ｃｒ-ｘat％Ｔｉ （５≦ｘ≦35） とし、且つ、前記ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜の組成
を、 （100−ｘ−ｙ−ｚ）at％Ｃｏ-ｘat％Ｃｒ-ｙat％Ｐｔ-
ｚat％Ｔａ （ｘ＋ｙ＋ｚ≦35，14≦ｘ≦23，６≦ｙ≦20，１≦ｚ≦
８） としたことを特徴とする磁気記録媒体を提供する。
るいは基板にＣｒ制御膜を形成した上に、ＣｒＴｉ合金
下地膜を形成し、そのＣｒＴｉ合金下地膜上にＣｏＣｒ
ＰｔＴａ合金磁性膜を形成し、前記ＣｒＴｉ合金下地膜
の組成を、 （100−ｘ）at％Ｃｒ-ｘat％Ｔｉ （５≦ｘ≦35） とし、且つ、前記ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜の組成
を、 （100−ｘ−ｙ−ｚ）at％Ｃｏ-ｘat％Ｃｒ-ｙat％Ｐｔ-
ｚat％Ｔａ （ｘ＋ｙ＋ｚ≦35，14≦ｘ≦23，６≦ｙ≦20，１≦ｚ≦
８） としたことを特徴とする磁気記録媒体を提供する。
【０００７】なお、上記構成において、ＣｏＣｒＰｔＴ
ａ合金磁性膜を多層構造としてもよい。この場合、各磁
性層間に非磁性中間層を設けることがより好ましい。ま
た、ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜の分割数は10以下とす
ることが好ましく、磁気ヘッドの書き込み能力を考慮す
ると５以下とすることがより好ましい。
ａ合金磁性膜を多層構造としてもよい。この場合、各磁
性層間に非磁性中間層を設けることがより好ましい。ま
た、ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜の分割数は10以下とす
ることが好ましく、磁気ヘッドの書き込み能力を考慮す
ると５以下とすることがより好ましい。
【０００８】第８の観点では、本発明は、上記第１の観
点から第７の観点にかかる磁気記録媒体と、その磁気記
録媒体から信号を再生するための巨大磁気抵抗効果を利
用した素子を有する磁気ヘッドとを備えたことを特徴と
する磁気記憶装置を提供する。
点から第７の観点にかかる磁気記録媒体と、その磁気記
録媒体から信号を再生するための巨大磁気抵抗効果を利
用した素子を有する磁気ヘッドとを備えたことを特徴と
する磁気記憶装置を提供する。
【０００９】
【作用】上記第１の観点による磁気記録媒体では、Ｃｒ
Ｔｉ下地膜に用いるようにした。純粋なＣｏのｃ軸長
（（001）面の面間隔）は4.046オングストロームである
が、Ｃｒ，Ｐｔ，Ｔａを添加した場合にはｃ軸長は大き
くなる。このため、Ｃｒ下地膜との格子の整合性が合わ
なくなり、ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜の結晶成長（配
向）の制御ができなくなる。ところが、ＣｒＴｉ下地膜
では、Ｃｒ下地膜より格子定数が大きくなるため、Ｃｏ
ＣｒＰｔＴａ合金磁性膜との格子の整合性が合うように
なり、ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜のエピタキシャル成
長が促進され、保磁力が向上する。
Ｔｉ下地膜に用いるようにした。純粋なＣｏのｃ軸長
（（001）面の面間隔）は4.046オングストロームである
が、Ｃｒ，Ｐｔ，Ｔａを添加した場合にはｃ軸長は大き
くなる。このため、Ｃｒ下地膜との格子の整合性が合わ
なくなり、ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜の結晶成長（配
向）の制御ができなくなる。ところが、ＣｒＴｉ下地膜
では、Ｃｒ下地膜より格子定数が大きくなるため、Ｃｏ
ＣｒＰｔＴａ合金磁性膜との格子の整合性が合うように
なり、ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜のエピタキシャル成
長が促進され、保磁力が向上する。
【００１０】上記第２の観点による磁気記録媒体では、
基板に直接にＣｒＴｉ下地膜を形成するのではなく、基
板にＣｒ制御膜を形成し、このＣｒ制御膜上にＣｒＴｉ
下地膜を形成するようにした。基板に直接にＣｒＴｉ下
地膜を形成すると、成膜条件によっては結晶配向性があ
まり好ましくない場合があるため、成膜条件が厳しくな
る。そこで、Ｃｒ制御膜を形成しておくと、成膜条件の
制限が緩和されるようになる。
基板に直接にＣｒＴｉ下地膜を形成するのではなく、基
板にＣｒ制御膜を形成し、このＣｒ制御膜上にＣｒＴｉ
下地膜を形成するようにした。基板に直接にＣｒＴｉ下
地膜を形成すると、成膜条件によっては結晶配向性があ
まり好ましくない場合があるため、成膜条件が厳しくな
る。そこで、Ｃｒ制御膜を形成しておくと、成膜条件の
制限が緩和されるようになる。
【００１１】上記第３の観点による磁気記録媒体では、
ＣｒＴｉ合金下地膜中のＴｉの添加濃度を35at％より少
なくした。後述する実施例により、少なくとも上記範囲
で保磁力の向上が確認された。
ＣｒＴｉ合金下地膜中のＴｉの添加濃度を35at％より少
なくした。後述する実施例により、少なくとも上記範囲
で保磁力の向上が確認された。
【００１２】上記第４の観点による磁気記録媒体では、
ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜の組成中のＣｒの添加濃度
を、12at％より多く，25at％より少なくした。Ｃｒを添
加すると、偏析によって磁性粒間の交換結合が弱まり、
媒体ノイズが低減する。後述する実施例により、少なく
とも上記範囲で媒体ノイズの低減が確認された。
ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜の組成中のＣｒの添加濃度
を、12at％より多く，25at％より少なくした。Ｃｒを添
加すると、偏析によって磁性粒間の交換結合が弱まり、
媒体ノイズが低減する。後述する実施例により、少なく
とも上記範囲で媒体ノイズの低減が確認された。
【００１３】上記第５の観点による磁気記録媒体では、
ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜の組成中のＰｔの添加濃度
を、４at％より多く，22at％より少なくした。Ｐｔを添
加すると、異方性エネルギーが増大して、保磁力が高く
なる。後述する実施例により、少なくとも上記範囲で保
磁力の向上が確認された。
ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜の組成中のＰｔの添加濃度
を、４at％より多く，22at％より少なくした。Ｐｔを添
加すると、異方性エネルギーが増大して、保磁力が高く
なる。後述する実施例により、少なくとも上記範囲で保
磁力の向上が確認された。
【００１４】上記第６の観点による磁気記録媒体では、
ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜の組成中のＴａの添加濃度
を、０at％より多く，10at％より少なくした。Ｔａを添
加すると、前述したＣｒの偏析を促進する作用があると
言われており、媒体ノイズがより低減する。後述する実
施例により、少なくとも上記範囲で媒体ノイズの低減が
確認された。
ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜の組成中のＴａの添加濃度
を、０at％より多く，10at％より少なくした。Ｔａを添
加すると、前述したＣｒの偏析を促進する作用があると
言われており、媒体ノイズがより低減する。後述する実
施例により、少なくとも上記範囲で媒体ノイズの低減が
確認された。
【００１５】上記第７の観点による磁気記録媒体では、
上記第１の観点から第６の観点にかかる構成を全て確実
に満足する構成とした。従って、後述する実施例によ
り、保磁力の向上および媒体ノイズの低減が確認され
た。
上記第１の観点から第６の観点にかかる構成を全て確実
に満足する構成とした。従って、後述する実施例によ
り、保磁力の向上および媒体ノイズの低減が確認され
た。
【００１６】上記第８の観点による磁気記憶装置では、
上記第１の観点から第７の観点にかかる磁気記録媒体
と、その磁気記録媒体から信号を再生するための巨大磁
気抵抗効果を利用した素子を有する磁気ヘッドとを備え
た。この組み合わせにより、高品位な再生出力が得ら
れ、１平方インチ当たり１ギガビット以上の超高記録密
度に対応する大容量磁気記憶装置を実現することができ
る。
上記第１の観点から第７の観点にかかる磁気記録媒体
と、その磁気記録媒体から信号を再生するための巨大磁
気抵抗効果を利用した素子を有する磁気ヘッドとを備え
た。この組み合わせにより、高品位な再生出力が得ら
れ、１平方インチ当たり１ギガビット以上の超高記録密
度に対応する大容量磁気記憶装置を実現することができ
る。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。な
お、これにより本発明が限定されるものではない。
お、これにより本発明が限定されるものではない。
【００１８】〔実施例１〕図１に、本発明の実施例１の
磁気記録媒体１０の断面図を示す。この磁気記録媒体１
０は、外径９５ｍｍφのＮｉ−ＰメッキＡｌ合金基板１
１上にＣｒ制御膜１２，１２’を形成し、そのＣｒ制御
膜１２，１２’上にＣｒＴｉ下地膜１３，１３’を形成
し、そのＣｒＴｉ下地膜１３，１３’上にＣｏＣｒＰｔ
Ｔａ合金磁性膜１４，１４’を形成し、そのＣｏＣｒＰ
ｔＴａ合金磁性膜１４，１４’上にＣ保護膜１５，１
５’を形成した積層構造である。前記ＣｒＴｉ下地膜１
３，１３’の組成は、 （100−ｘ）Ｃｒ-ｘat％Ｔｉ （ｘ＝５，10，15，20，25，30，35） の７種類とした。また、厚さは５０ｎｍとした。前記Ｃ
ｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜１４，１４’の組成は、 78at％Ｃｏ-14at％Ｃｒ-6at％Ｐｔ-2at％Ｔａ とした。また、厚さは１５ｎｍとした。
磁気記録媒体１０の断面図を示す。この磁気記録媒体１
０は、外径９５ｍｍφのＮｉ−ＰメッキＡｌ合金基板１
１上にＣｒ制御膜１２，１２’を形成し、そのＣｒ制御
膜１２，１２’上にＣｒＴｉ下地膜１３，１３’を形成
し、そのＣｒＴｉ下地膜１３，１３’上にＣｏＣｒＰｔ
Ｔａ合金磁性膜１４，１４’を形成し、そのＣｏＣｒＰ
ｔＴａ合金磁性膜１４，１４’上にＣ保護膜１５，１
５’を形成した積層構造である。前記ＣｒＴｉ下地膜１
３，１３’の組成は、 （100−ｘ）Ｃｒ-ｘat％Ｔｉ （ｘ＝５，10，15，20，25，30，35） の７種類とした。また、厚さは５０ｎｍとした。前記Ｃ
ｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜１４，１４’の組成は、 78at％Ｃｏ-14at％Ｃｒ-6at％Ｐｔ-2at％Ｔａ とした。また、厚さは１５ｎｍとした。
【００１９】上記磁気記録媒体１０は次のようにして作
製した。Ｎｉ−ＰメッキＡｌ合金基板１１に、ＲＦ３０
Ｗの投入電力で１０秒間基板エッチングを施した。次
に、基板温度３００℃，Ａｒガス圧力２．５ｍTorr，投
入電力密度５Ｗ／平方ｃｍの成膜条件でＤＣマグネトロ
ンスパッタリング法でＣｒ制御膜１２，１２’を形成し
た。次に、上記と同じ成膜条件でＣｒＴｉ下地膜１３，
１３’を形成した。次に、上記と同じ成膜条件でＣｏＣ
ｒＰｔＴａ合金磁性膜１４，１４’を形成した。最後
に、基板温度１５０℃，Ａｒガス圧力５ｍTorr，投入電
力密度を３Ｗ／平方ｃｍの成膜条件でＣ保護膜１５，１
５’を１０ｎｍ形成した。
製した。Ｎｉ−ＰメッキＡｌ合金基板１１に、ＲＦ３０
Ｗの投入電力で１０秒間基板エッチングを施した。次
に、基板温度３００℃，Ａｒガス圧力２．５ｍTorr，投
入電力密度５Ｗ／平方ｃｍの成膜条件でＤＣマグネトロ
ンスパッタリング法でＣｒ制御膜１２，１２’を形成し
た。次に、上記と同じ成膜条件でＣｒＴｉ下地膜１３，
１３’を形成した。次に、上記と同じ成膜条件でＣｏＣ
ｒＰｔＴａ合金磁性膜１４，１４’を形成した。最後
に、基板温度１５０℃，Ａｒガス圧力５ｍTorr，投入電
力密度を３Ｗ／平方ｃｍの成膜条件でＣ保護膜１５，１
５’を１０ｎｍ形成した。
【００２０】また、比較例として、前記ＣｒＴｉ下地膜
１３，１３’の代りに、Ｃｒ下地膜を形成したものを作
製した。
１３，１３’の代りに、Ｃｒ下地膜を形成したものを作
製した。
【００２１】なお、ＤＣマグネトロンスパッタリング法
に限らず、ＥＣＲスパッタリング法，イオンビームスパ
ッタリング法，真空蒸着法，プラズマＣＶＤ法，塗布
法，メッキ法等の手法を用いて磁気記録媒体１０を作製
してもよい。
に限らず、ＥＣＲスパッタリング法，イオンビームスパ
ッタリング法，真空蒸着法，プラズマＣＶＤ法，塗布
法，メッキ法等の手法を用いて磁気記録媒体１０を作製
してもよい。
【００２２】図２に、実施例１の７種類の磁気記録媒体
１０および比較例の保磁力特性を示す（白丸）。Ｔｉ添
加濃度＝０は比較例に相当する。Ｔｉ添加濃度＝５，1
0，15，20，25，30，35は、いずれもＴｉ添加濃度＝０
より保磁力が向上することが判った。なお、Ｔｉ添加濃
度を35at％より多くした場合に保磁力が低くなってくる
のは、ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜１４，１４’がスー
パーパラ磁性体になるか，非磁性体になる傾向が強まる
ためと考えられる。
１０および比較例の保磁力特性を示す（白丸）。Ｔｉ添
加濃度＝０は比較例に相当する。Ｔｉ添加濃度＝５，1
0，15，20，25，30，35は、いずれもＴｉ添加濃度＝０
より保磁力が向上することが判った。なお、Ｔｉ添加濃
度を35at％より多くした場合に保磁力が低くなってくる
のは、ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜１４，１４’がスー
パーパラ磁性体になるか，非磁性体になる傾向が強まる
ためと考えられる。
【００２３】〔実施例２〕実施例１のＣｏＣｒＰｔＴａ
合金磁性膜１４，１４’の組成を、 65at％Ｃｏ-14at％Ｃｒ-20at％Ｐｔ-1at％Ｔａ とした。それ以外は同じとした。また、比較例として、
前記ＣｒＴｉ下地膜１３，１３’の代りに、Ｃｒ下地膜
を形成したものを作製した。
合金磁性膜１４，１４’の組成を、 65at％Ｃｏ-14at％Ｃｒ-20at％Ｐｔ-1at％Ｔａ とした。それ以外は同じとした。また、比較例として、
前記ＣｒＴｉ下地膜１３，１３’の代りに、Ｃｒ下地膜
を形成したものを作製した。
【００２４】図２に、実施例２の７種類の磁気記録媒体
１０および比較例の保磁力特性を示す（黒丸）。Ｔｉ添
加濃度＝０は比較例に相当する。Ｔｉ添加濃度＝５，1
0，15，20，25，30，35は、いずれもＴｉ添加濃度＝０
より保磁力が向上することが判った。
１０および比較例の保磁力特性を示す（黒丸）。Ｔｉ添
加濃度＝０は比較例に相当する。Ｔｉ添加濃度＝５，1
0，15，20，25，30，35は、いずれもＴｉ添加濃度＝０
より保磁力が向上することが判った。
【００２５】また、実施例１ではＴｉ添加濃度＝10at％
のときに保磁力が最大となったが、実施例２ではＴｉ添
加濃度＝30at％のときに保磁力が最大となった。Ｐｔ添
加濃度を増やすと、ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜１４，
１４’のｃ軸長は大きくなり、より大きな格子定数を持
つＣｒＴｉ下地膜１３，１３’が必要となる。ＣｒＴｉ
下地膜１３，１３’の格子定数は、Ｔｉ添加濃度を増や
すと大きくなる。このため、Ｐｔ添加濃度を増やした実
施例２では、Ｔｉ添加濃度を増やしたところに保磁力の
最大が移ったものである。
のときに保磁力が最大となったが、実施例２ではＴｉ添
加濃度＝30at％のときに保磁力が最大となった。Ｐｔ添
加濃度を増やすと、ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜１４，
１４’のｃ軸長は大きくなり、より大きな格子定数を持
つＣｒＴｉ下地膜１３，１３’が必要となる。ＣｒＴｉ
下地膜１３，１３’の格子定数は、Ｔｉ添加濃度を増や
すと大きくなる。このため、Ｐｔ添加濃度を増やした実
施例２では、Ｔｉ添加濃度を増やしたところに保磁力の
最大が移ったものである。
【００２６】〔実施例３〕実施例１のＣｏＣｒＰｔＴａ
合金磁性膜１４，１４’の組成を、 （100−ｘ−ｙ−ｚ）at％Ｃｏ-ｘat％Ｃｒ-ｙat％Ｐｔ-
ｚat％Ｔａ ｘ＋ｙ＋ｚ≦35 ｘ＝14，19，21，23， ｙ＝11 ｚ＝１，２，４，６，８ とした。ＣｒＴｉ下地膜１３，１３’については、上記
ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜１４，１４’の各組成で保
磁力が最大となるＴｉ添加濃度とした。それ以外は同じ
とした。また、比較例として、ｘ＋ｙ＋ｚに制限を設け
ず、また、ｘ＝12，25とｚ＝０，10を加えたものを作製
した。
合金磁性膜１４，１４’の組成を、 （100−ｘ−ｙ−ｚ）at％Ｃｏ-ｘat％Ｃｒ-ｙat％Ｐｔ-
ｚat％Ｔａ ｘ＋ｙ＋ｚ≦35 ｘ＝14，19，21，23， ｙ＝11 ｚ＝１，２，４，６，８ とした。ＣｒＴｉ下地膜１３，１３’については、上記
ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜１４，１４’の各組成で保
磁力が最大となるＴｉ添加濃度とした。それ以外は同じ
とした。また、比較例として、ｘ＋ｙ＋ｚに制限を設け
ず、また、ｘ＝12，25とｚ＝０，10を加えたものを作製
した。
【００２７】図３に、実施例３の磁気記録媒体１０およ
び比較例の保磁力特性および規格化ノイズを示す。な
お、規格化ノイズとは、各組成における媒体ノイズを記
録密度５ｋＦＣＩの再生出力で除算した値を、ｘ＝23，
ｙ＝11，ｘ＝０とした比較例におけるこの値で除算した
値である。保磁力は、２ｋＯｅ以上が必要である（１平
方インチあたり１ギガビット以上の記録密度を得るた
め）。規格化ノイズは、１以下であることが必要であ
る。そこで、図３から、ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜の
組成中のＣｒの添加濃度を、12at％より多く，25at％よ
り少なくするとよいことが判る。また、Ｔａの添加濃度
を、０at％より多く，10at％より少なくするとよいこと
が判る。さらに、 ｘ＋ｙ＋ｚ≦35 14at％≦ｘ≦23at％ ｙ＝11 0.5at％≦ｚ≦８at％ とするのが、より好ましいことが判る。
び比較例の保磁力特性および規格化ノイズを示す。な
お、規格化ノイズとは、各組成における媒体ノイズを記
録密度５ｋＦＣＩの再生出力で除算した値を、ｘ＝23，
ｙ＝11，ｘ＝０とした比較例におけるこの値で除算した
値である。保磁力は、２ｋＯｅ以上が必要である（１平
方インチあたり１ギガビット以上の記録密度を得るた
め）。規格化ノイズは、１以下であることが必要であ
る。そこで、図３から、ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜の
組成中のＣｒの添加濃度を、12at％より多く，25at％よ
り少なくするとよいことが判る。また、Ｔａの添加濃度
を、０at％より多く，10at％より少なくするとよいこと
が判る。さらに、 ｘ＋ｙ＋ｚ≦35 14at％≦ｘ≦23at％ ｙ＝11 0.5at％≦ｚ≦８at％ とするのが、より好ましいことが判る。
【００２８】〔実施例４〕実施例１のＣｏＣｒＰｔＴａ
合金磁性膜１４，１４’の組成を、 （100−ｘ−ｙ−ｚ）at％Ｃｏ-ｘat％Ｃｒ-ｙat％Ｐｔ-
ｚat％Ｔａ ｘ＋ｙ＋ｚ≦35 ｘ＝14 ｙ＝６，11，15，20 ｚ＝１，２，４，６，８ とした。ＣｒＴｉ下地膜１３，１３’については、上記
ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜１４，１４’の各組成で保
磁力が最大となるＴｉ添加濃度とした。それ以外は同じ
とした。また、比較例として、ｘ＋ｙ＋ｚに制限を設け
ず、また、ｙ＝４，22とｚ＝０，10を加えたものを作製
した。
合金磁性膜１４，１４’の組成を、 （100−ｘ−ｙ−ｚ）at％Ｃｏ-ｘat％Ｃｒ-ｙat％Ｐｔ-
ｚat％Ｔａ ｘ＋ｙ＋ｚ≦35 ｘ＝14 ｙ＝６，11，15，20 ｚ＝１，２，４，６，８ とした。ＣｒＴｉ下地膜１３，１３’については、上記
ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜１４，１４’の各組成で保
磁力が最大となるＴｉ添加濃度とした。それ以外は同じ
とした。また、比較例として、ｘ＋ｙ＋ｚに制限を設け
ず、また、ｙ＝４，22とｚ＝０，10を加えたものを作製
した。
【００２９】図４に、実施例４の磁気記録媒体１０およ
び比較例の保磁力特性および規格化ノイズを示す。図４
から、ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜の組成中のＰｔの添
加濃度を、４at％より多く，22at％より少なくするとよ
いことが判る。また、Ｔａの添加濃度を、０at％より多
く，10at％より少なくするとよいことが判る。さらに、 ｘ＋ｙ＋ｚ≦35 ｘ＝14 ６at％≦ｙ≦23at％ 0.5at％≦ｚ≦８at％ とするのが、より好ましいことが判る。
び比較例の保磁力特性および規格化ノイズを示す。図４
から、ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜の組成中のＰｔの添
加濃度を、４at％より多く，22at％より少なくするとよ
いことが判る。また、Ｔａの添加濃度を、０at％より多
く，10at％より少なくするとよいことが判る。さらに、 ｘ＋ｙ＋ｚ≦35 ｘ＝14 ６at％≦ｙ≦23at％ 0.5at％≦ｚ≦８at％ とするのが、より好ましいことが判る。
【００３０】さらに、実施例１〜実施例４の一連の結果
から、ＣｒＴｉ合金下地膜１３，１３’の組成を、 （100−ｘ）at％Ｃｒ-ｘat％Ｔｉ （５≦ｘ≦35） とし、且つ、ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜１４，１４’
の組成を、 （100−ｘ−ｙ−ｚ）at％Ｃｏ-ｘat％Ｃｒ-ｙat％Ｐｔ-
ｚat％Ｔａ （ｘ＋ｙ＋ｚ≦35，14≦ｘ≦23，６≦ｙ≦20，0.5≦ｚ
≦８） とすれのが、最も好ましいことが判る。
から、ＣｒＴｉ合金下地膜１３，１３’の組成を、 （100−ｘ）at％Ｃｒ-ｘat％Ｔｉ （５≦ｘ≦35） とし、且つ、ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜１４，１４’
の組成を、 （100−ｘ−ｙ−ｚ）at％Ｃｏ-ｘat％Ｃｒ-ｙat％Ｐｔ-
ｚat％Ｔａ （ｘ＋ｙ＋ｚ≦35，14≦ｘ≦23，６≦ｙ≦20，0.5≦ｚ
≦８） とすれのが、最も好ましいことが判る。
【００３１】なお、Ｃｒ制御膜１２，１２’は、ＣｒＴ
ｉ下地膜１３，１３’の配向を制御する目的で設けてい
るが、設けなくても構わない。 〔実施例５〕実施例１〜実施例４では、ＣｏＣｒＰｔＴ
ａ合金磁性膜１４，１４’をそれぞれ１層としたが、そ
れを５層とし、層間にＣｒＴｉ合金非磁性中間層を設け
た積層構造の磁性膜とした。この実施例５の磁気記憶媒
体についても実施例１〜実施例４と同様の結果が得られ
た。
ｉ下地膜１３，１３’の配向を制御する目的で設けてい
るが、設けなくても構わない。 〔実施例５〕実施例１〜実施例４では、ＣｏＣｒＰｔＴ
ａ合金磁性膜１４，１４’をそれぞれ１層としたが、そ
れを５層とし、層間にＣｒＴｉ合金非磁性中間層を設け
た積層構造の磁性膜とした。この実施例５の磁気記憶媒
体についても実施例１〜実施例４と同様の結果が得られ
た。
【００３２】〔実施例６〕図５の（ａ）に、実施例６の
磁気記憶装置６０の上面図を示す。また、図５の（ｂ）
に、図５の（ａ）のＡＡ’断面図を示す。磁気記録媒体
１０は、実施例１〜実施例５の磁気記録媒体であり、デ
ィスク状であり、磁気記録媒体駆動部６２に連結する保
持具によって複数枚が保持されている。
磁気記憶装置６０の上面図を示す。また、図５の（ｂ）
に、図５の（ａ）のＡＡ’断面図を示す。磁気記録媒体
１０は、実施例１〜実施例５の磁気記録媒体であり、デ
ィスク状であり、磁気記録媒体駆動部６２に連結する保
持具によって複数枚が保持されている。
【００３３】各磁気記録媒体１０の両面に対向して、磁
気ヘッド６３が配置される。磁気ヘッド６３は、浮上高
さ０．０６μｍ以下で安定低浮上させ、さらに０．５μ
ｍ以下のヘッド位置決め精度で所望のトラックに磁気ヘ
ッド駆動部６５により位置決めされる。
気ヘッド６３が配置される。磁気ヘッド６３は、浮上高
さ０．０６μｍ以下で安定低浮上させ、さらに０．５μ
ｍ以下のヘッド位置決め精度で所望のトラックに磁気ヘ
ッド駆動部６５により位置決めされる。
【００３４】図６に、磁気ヘッド６３の要部を示す。こ
の磁気ヘッド６３において、再生用磁気ヘッド部は、Ｎ
ｉＦｅにＮｉＯ等を積層した巨大磁気抵抗効果を利用し
た素子５５と、電極となる導体層５６とからなるＧＭＲ
（Giant MagnetoResistive）ヘッドである。一方、記録
用磁気ヘッド部は、一対の記録磁極５１，５２と、それ
に鎖交するコイル５３と、前記記録磁極５１，５２の先
端が飽和するのを回避するために磁極５１の一部に設け
た１．２Ｔ以上の飽和磁束密度を有するＣｏＮｉＦｅ等
の磁性材料５４とからなる誘導型薄膜磁気ヘッドであ
る。前記磁極５２は、磁気シールド層５７と対で、再生
用磁気ヘッド部の磁気シールドも兼ねている。これらの
再生用磁気ヘッド部および記録用磁気ヘッド部は、磁気
ヘッドスライダ基体５８上に設けられている。このよう
な巨大磁気抵抗効果を利用した素子５５を備える磁気ヘ
ッド６３を用いることによって、磁気記録媒体１０は、
その性能が充分に活かされる。
の磁気ヘッド６３において、再生用磁気ヘッド部は、Ｎ
ｉＦｅにＮｉＯ等を積層した巨大磁気抵抗効果を利用し
た素子５５と、電極となる導体層５６とからなるＧＭＲ
（Giant MagnetoResistive）ヘッドである。一方、記録
用磁気ヘッド部は、一対の記録磁極５１，５２と、それ
に鎖交するコイル５３と、前記記録磁極５１，５２の先
端が飽和するのを回避するために磁極５１の一部に設け
た１．２Ｔ以上の飽和磁束密度を有するＣｏＮｉＦｅ等
の磁性材料５４とからなる誘導型薄膜磁気ヘッドであ
る。前記磁極５２は、磁気シールド層５７と対で、再生
用磁気ヘッド部の磁気シールドも兼ねている。これらの
再生用磁気ヘッド部および記録用磁気ヘッド部は、磁気
ヘッドスライダ基体５８上に設けられている。このよう
な巨大磁気抵抗効果を利用した素子５５を備える磁気ヘ
ッド６３を用いることによって、磁気記録媒体１０は、
その性能が充分に活かされる。
【００３５】図５に戻り、磁気ヘッド６３によって再生
した信号は、記録再生信号処理系６４によって波形処理
される。記録再生信号処理系６４は、増幅器，アナログ
等化器，ＡＤコンバータ，ディジタル等化器，最尤復号
器等で構成されている。巨大磁気抵抗効果を利用した素
子５５を用いた磁気ヘッド６３による再生波形では、磁
気ヘッド６３の特性により、正と負の大きさが非対称と
なったり，記録再生系の周波数特性の影響を受けたりし
て、記録した信号とは異なった信号に読み誤ることがあ
る。アナログ等化器は、再生波形を整えて、これを修復
する機能を有する。この修復された波形をＡＤコンバー
タを通してディジタル変換し、ディジタル等化器によっ
てさらに波形を整える。最後に、修復された信号を最尤
復号器によって最も確からしいデータに復調する。以上
の記録再生信号処理系６４によって、極めて低いエラー
レートで信号の記録再生が行われる。
した信号は、記録再生信号処理系６４によって波形処理
される。記録再生信号処理系６４は、増幅器，アナログ
等化器，ＡＤコンバータ，ディジタル等化器，最尤復号
器等で構成されている。巨大磁気抵抗効果を利用した素
子５５を用いた磁気ヘッド６３による再生波形では、磁
気ヘッド６３の特性により、正と負の大きさが非対称と
なったり，記録再生系の周波数特性の影響を受けたりし
て、記録した信号とは異なった信号に読み誤ることがあ
る。アナログ等化器は、再生波形を整えて、これを修復
する機能を有する。この修復された波形をＡＤコンバー
タを通してディジタル変換し、ディジタル等化器によっ
てさらに波形を整える。最後に、修復された信号を最尤
復号器によって最も確からしいデータに復調する。以上
の記録再生信号処理系６４によって、極めて低いエラー
レートで信号の記録再生が行われる。
【００３６】実施例６の磁気記憶装置６０によれば、１
平方インチ当たりの１ギガビット以上の記録密度を得る
ことができ、従来の磁気記憶装置に比べて３倍以上の高
密度記憶容量を実現できた。なお、記録再生信号処理系
６４から最尤復号器を取り除き、従来の波形弁別回路に
変えた場合でも、従来に比べて２倍以上の高密度記憶容
量を実現することができた。
平方インチ当たりの１ギガビット以上の記録密度を得る
ことができ、従来の磁気記憶装置に比べて３倍以上の高
密度記憶容量を実現できた。なお、記録再生信号処理系
６４から最尤復号器を取り除き、従来の波形弁別回路に
変えた場合でも、従来に比べて２倍以上の高密度記憶容
量を実現することができた。
【００３７】〔他の実施例〕本発明は、片面のみにＣｏ
ＣｒＰｔＴａ合金磁性膜を有する磁気記録媒体にも適用
できる。また、ドラム状，テープ状，カード状の磁気記
録媒体およびそれら磁気記録媒体を用いた磁気記憶装置
にも適用することが出来る。
ＣｒＰｔＴａ合金磁性膜を有する磁気記録媒体にも適用
できる。また、ドラム状，テープ状，カード状の磁気記
録媒体およびそれら磁気記録媒体を用いた磁気記憶装置
にも適用することが出来る。
【００３８】
【発明の効果】本発明の磁気記録媒体によれば、保磁力
を向上できる。また、１５０ｋＦＣＩ以上の高密度記録
での低ノイズ化を実現できる。また、本発明の磁気記憶
装置によれば、１平方インチ当たり１ギガビット以上の
超高記録密度を実現できる。
を向上できる。また、１５０ｋＦＣＩ以上の高密度記録
での低ノイズ化を実現できる。また、本発明の磁気記憶
装置によれば、１平方インチ当たり１ギガビット以上の
超高記録密度を実現できる。
【図１】本発明による磁気記録媒体の一実施例の模式的
断面図である。
断面図である。
【図２】ＣｒＴｉ下地層へのＴｉ添加濃度と保磁力の関
係を示す特性図である。
係を示す特性図である。
【図３】ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜へのＣｒ添加濃度
およびＴａ添加濃度と保磁力および規格化ノイズの関係
を示す特性図である。
およびＴａ添加濃度と保磁力および規格化ノイズの関係
を示す特性図である。
【図４】ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜へのＰｔ添加濃度
およびＴａ添加濃度と保磁力および規格化ノイズの関係
を示す特性図である。
およびＴａ添加濃度と保磁力および規格化ノイズの関係
を示す特性図である。
【図５】本発明による磁気記憶装置の一実施例の構造を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図６】巨大磁気抵抗効果を利用した再生用の素子を備
える磁気ヘッドの構造を示す模式図である。
える磁気ヘッドの構造を示す模式図である。
１０…磁気記録媒体、１１…Ｎｉ−ＰメッキＡｌ合金基
板、１２，１２’…Ｃｒ制御膜、１３，１３’…ＣｒＴ
ｉ下地膜、１４，１４’…ＣｏＣｒＰｔＴａ磁性膜、１
５，１５’…Ｃ保護膜、５５…巨大磁気抵抗効果素子、
５６…導体層、５７…磁気シールド層、６０…磁気記憶
装置、６２…磁気記録媒体駆動部、６３…磁気ヘッド、
６４…記録再生信号処理系、６５…磁気ヘッド駆動部。
板、１２，１２’…Ｃｒ制御膜、１３，１３’…ＣｒＴ
ｉ下地膜、１４，１４’…ＣｏＣｒＰｔＴａ磁性膜、１
５，１５’…Ｃ保護膜、５５…巨大磁気抵抗効果素子、
５６…導体層、５７…磁気シールド層、６０…磁気記憶
装置、６２…磁気記録媒体駆動部、６３…磁気ヘッド、
６４…記録再生信号処理系、６５…磁気ヘッド駆動部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 晃 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 二本 正昭 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 細江 譲 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 山中 一助 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 玉井 一郎 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 萬行 恵美 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上にＣｒＴｉ合金下地膜を形成し、
そのＣｒＴｉ合金下地膜上にＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性
膜を形成したことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 基板上にＣｒ制御膜を形成し、そのＣｒ
制御膜上にＣｒＴｉ合金下地膜を形成し、そのＣｒＴｉ
合金下地膜上にＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜を形成した
ことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の磁気記
録媒体において、前記ＣｒＴｉ合金下地膜中のＴｉの添
加濃度を35at％より少なくしたことを特徴とする磁気記
録媒体。 - 【請求項４】 請求項１から請求項３のいずれかに記載
の磁気記録媒体において、前記ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁
性膜の組成中のＣｒの添加濃度を、12at％より多く，25
at％より少なくしたことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項５】 請求項１から請求項４のいずれかに記載
の磁気記録媒体において、前記ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁
性膜の組成中のＰｔの添加濃度を、４at％より多く，22
at％より少なくしたことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項６】 請求項１から請求項５のいずれかに記載
の磁気記録媒体において、前記ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁
性膜の組成中のＴａの添加濃度を、０at％より多く，10
at％より少なくしたことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項７】 基板上に、あるいは基板にＣｒ制御膜を
形成した上に、ＣｒＴｉ合金下地膜を形成し、そのＣｒ
Ｔｉ合金下地膜上にＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜を形成
し、前記ＣｒＴｉ合金下地膜の組成を、 （100−ｘ）at％Ｃｒ-ｘat％Ｔｉ （５≦ｘ≦35） とし、且つ、前記ＣｏＣｒＰｔＴａ合金磁性膜の組成
を、 （100−ｘ−ｙ−ｚ）at％Ｃｏ-ｘat％Ｃｒ-ｙat％Ｐｔ-
ｚat％Ｔａ （ｘ＋ｙ＋ｚ≦35，14≦ｘ≦23，６≦ｙ≦20，１≦ｚ≦
８） としたことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項８】 請求項１から請求項７のいずれかに記載
の磁気記録媒体と、その磁気記録媒体から信号を再生す
るための巨大磁気抵抗効果を利用した素子を有する磁気
ヘッドとを備えたことを特徴とする磁気記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15053395A JPH097150A (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15053395A JPH097150A (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH097150A true JPH097150A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15498955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15053395A Pending JPH097150A (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH097150A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100319502B1 (ko) * | 1997-12-18 | 2002-02-19 | 가네꼬 히사시 | 수직자기기록매체및그제조공정 |
| US6740383B2 (en) | 1998-05-27 | 2004-05-25 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium possessing a ratio of Hc(perpendicular) to Hc(horizontal) that is not more than 0.22 and magnetic recording disk device |
-
1995
- 1995-06-16 JP JP15053395A patent/JPH097150A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100319502B1 (ko) * | 1997-12-18 | 2002-02-19 | 가네꼬 히사시 | 수직자기기록매체및그제조공정 |
| US6387483B1 (en) | 1997-12-18 | 2002-05-14 | Nec Corporation | Perpendicular magnetic recording medium and manufacturing process therefor |
| US6740383B2 (en) | 1998-05-27 | 2004-05-25 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium possessing a ratio of Hc(perpendicular) to Hc(horizontal) that is not more than 0.22 and magnetic recording disk device |
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