JPH04117611A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH04117611A JPH04117611A JP23871690A JP23871690A JPH04117611A JP H04117611 A JPH04117611 A JP H04117611A JP 23871690 A JP23871690 A JP 23871690A JP 23871690 A JP23871690 A JP 23871690A JP H04117611 A JPH04117611 A JP H04117611A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔＠東上の利用分野〕
この発明は非磁性基材上にＣｒａｆｔ膜、Ｃｏ合金薄膜
を順次積層して形成されＴこ磁気記録５体に関するもの
である。
を順次積層して形成されＴこ磁気記録５体に関するもの
である。
従来、磁気記録媒体としては、非磁性基材上に酸化鉄な
どの針状粒子を樹脂バインダー中に分散させ塗布しγこ
塗布型磁気記録ご体が主流であつγこ。
どの針状粒子を樹脂バインダー中に分散させ塗布しγこ
塗布型磁気記録ご体が主流であつγこ。
しかし、近年の情報の筒留度記録化の東京から。
湿式メツキ、真空蒸着、スパッタリング等の薄膜形成法
をこより形成されγこ強磁性薄膜層を磁気記録層とする
磁気記録媒体が開発されており、なかでもスパッタリン
グ法により作製される磁気記録媒体が高密度記録特性な
らびに量産性蚤こ優れるもので、今後の磁気記録媒体の
主流になるものと考えられている。
をこより形成されγこ強磁性薄膜層を磁気記録層とする
磁気記録媒体が開発されており、なかでもスパッタリン
グ法により作製される磁気記録媒体が高密度記録特性な
らびに量産性蚤こ優れるもので、今後の磁気記録媒体の
主流になるものと考えられている。
ところで、このスパッタリング法により作製される磁気
記録媒体ｃ以下、メタルスパッタ霧体と称す）は、一般
にＮ１−Ｐ下地硬化層を設け１こＭ−Ｍｇ基板上にＣｒ
薄膜、 Ｃｏ合金薄膜、保護膜を順次形成することによ
り得られる。
記録媒体ｃ以下、メタルスパッタ霧体と称す）は、一般
にＮ１−Ｐ下地硬化層を設け１こＭ−Ｍｇ基板上にＣｒ
薄膜、 Ｃｏ合金薄膜、保護膜を順次形成することによ
り得られる。
ローディングチャンバー、基板加熱チャンバーＣｒカソ
ードｂ ｃｏ合金カソード及び保護膜材カソードを備え
Ｔこスパッタリングチャンバー並びにアンローディング
チャンバーから構成されるインライン型スパッタリング
装置により製造されるが。
ードｂ ｃｏ合金カソード及び保護膜材カソードを備え
Ｔこスパッタリングチャンバー並びにアンローディング
チャンバーから構成されるインライン型スパッタリング
装置により製造されるが。
Ｃｒ傅膜層ｈ ｃｏ合金薄膜層及び保鰻膜層を形成する
方法としては、基板が各ターゲットのｉｌｌを通過しな
がら成膜される通過型と基板がターゲットの前に靜とし
て成膜される静止対向型とがあるが。
方法としては、基板が各ターゲットのｉｌｌを通過しな
がら成膜される通過型と基板がターゲットの前に靜とし
て成膜される静止対向型とがあるが。
いずれの方式においても、メタルスパッタ裏体を製造す
る際の手順は同じである。
る際の手順は同じである。
ところで、このメタルスパッタ媒体は磁気特性に優れる
もので、高密度記録時での再生出力も高いが。
もので、高密度記録時での再生出力も高いが。
媒体ノイズも大きいということが知られている０例えば
、刊行物（Ｊ、Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙａ−６３１８）、１
５Ｊａｍｕａｒ）’ １９８６ ｐ５５７〜ｐ５６
３ ）において、メタルスパッタ媒体の媒体ノイズが８
− Ｆｅ、Ｏ，塗布渡体やＧｏ−Ｃｒ垂直媒体のものと
比べ大きいということが報告されている。この大きな厘
体ノイズは記録され１こビットの磁化遷移領域に発生す
るジグザグ磁壁の不規則性から生じており、この媒体ノ
イズを低減させるためには、たとえば、刊行物（Ｊ。
、刊行物（Ｊ、Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙａ−６３１８）、１
５Ｊａｍｕａｒ）’ １９８６ ｐ５５７〜ｐ５６
３ ）において、メタルスパッタ媒体の媒体ノイズが８
− Ｆｅ、Ｏ，塗布渡体やＧｏ−Ｃｒ垂直媒体のものと
比べ大きいということが報告されている。この大きな厘
体ノイズは記録され１こビットの磁化遷移領域に発生す
るジグザグ磁壁の不規則性から生じており、この媒体ノ
イズを低減させるためには、たとえば、刊行物（Ｊ。
Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、６３１８）、 １５ Ａｐｒｉｌ
１９８８ｐ３２４８〜ｐ３２５３目こおいて報告さ
れているように、結晶層の結晶粒間に働＜ ｉ、ｍｔｅ
ｒ ｇｒａｉｎ ｅｘｃｈａｎｇｅｃｏｕｐｌｉｎｇ
を低減させればよく、具体的には、たとえば、刊行
物（Ｉｎｔｅｒｍａｇ ９０ Ｃｏｎｆｅｒｅｍｃｅ予
稿集ＢＰ−０１）に報告されているように、スパッタガ
ス圧を高め、スパッタ原子の持つモビリティ−を減少さ
せ、結晶粒間の１ｓｏｌａｔｉｏｎを高めてやればよい
。ところで、００合金薄膜はＣｒ薄膜上にエピタキシャ
ル成長をするものでｍ ００合金薄膜の結晶性を制御す
る１こめにはＣｒ！Ｎ−膜の結晶性を制御してやる必要
がある０上ｅＬ１こスパッタ原子の持つモビリティ−を
下げ、結晶性を制御する方法としてはスパッタ圧力を高
める０基板温度を下げる。成膜パワーを下げる等の方法
があるが、基板温度を下げると磁気特性（特に保磁力）
が劣化するγこめ、高密度記録時での再生出力が低下す
る問題が生じ、また、成膜パワーを下げると、成膜時間
がかかる１こめ量産性の点からはふされしくないＯ 〔発明が解決りようとする課題〕 従来の磁気記録媒体は、媒体ノイズ低減のγこめに、Ｃ
ｒＡ！膜およびＧｏ合合金膜膜形成時スパッタガス圧を
高めろ等によるスパッタ原子の持つモビリティ−を減少
させることが有効であるが、それにも限界があり、より
一層の５体ノイズ低減には新しい手法が必要であった。
１９８８ｐ３２４８〜ｐ３２５３目こおいて報告さ
れているように、結晶層の結晶粒間に働＜ ｉ、ｍｔｅ
ｒ ｇｒａｉｎ ｅｘｃｈａｎｇｅｃｏｕｐｌｉｎｇ
を低減させればよく、具体的には、たとえば、刊行
物（Ｉｎｔｅｒｍａｇ ９０ Ｃｏｎｆｅｒｅｍｃｅ予
稿集ＢＰ−０１）に報告されているように、スパッタガ
ス圧を高め、スパッタ原子の持つモビリティ−を減少さ
せ、結晶粒間の１ｓｏｌａｔｉｏｎを高めてやればよい
。ところで、００合金薄膜はＣｒ薄膜上にエピタキシャ
ル成長をするものでｍ ００合金薄膜の結晶性を制御す
る１こめにはＣｒ！Ｎ−膜の結晶性を制御してやる必要
がある０上ｅＬ１こスパッタ原子の持つモビリティ−を
下げ、結晶性を制御する方法としてはスパッタ圧力を高
める０基板温度を下げる。成膜パワーを下げる等の方法
があるが、基板温度を下げると磁気特性（特に保磁力）
が劣化するγこめ、高密度記録時での再生出力が低下す
る問題が生じ、また、成膜パワーを下げると、成膜時間
がかかる１こめ量産性の点からはふされしくないＯ 〔発明が解決りようとする課題〕 従来の磁気記録媒体は、媒体ノイズ低減のγこめに、Ｃ
ｒＡ！膜およびＧｏ合合金膜膜形成時スパッタガス圧を
高めろ等によるスパッタ原子の持つモビリティ−を減少
させることが有効であるが、それにも限界があり、より
一層の５体ノイズ低減には新しい手法が必要であった。
この発明はメタルスパッタ媒体における媒体ノイズを低
減し、高密度記録に適した磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。
減し、高密度記録に適した磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。
〔課題を解決する１こめの手段〕
この発明に係る磁気記録媒体はｈ Ｃｒ薄膜が３層以上
の層として形成されたものである。
の層として形成されたものである。
この発明における磁気記録媒体は、Ｃｒ＃ｇＫを３層以
上の層として形成しているため、同一〇ｒ薄膜厚を得る
１こめには一層尚りを形成する際の成膜パワーを下げる
ことができ、そのためスパッタされに原子のモビリティ
−が小さくなりｈ Ｃｒ薄膜上にエピタキシャル成長す
る００合金薄膜の結晶性も改善され、媒体ノイズが低減
する。
上の層として形成しているため、同一〇ｒ薄膜厚を得る
１こめには一層尚りを形成する際の成膜パワーを下げる
ことができ、そのためスパッタされに原子のモビリティ
−が小さくなりｈ Ｃｒ薄膜上にエピタキシャル成長す
る００合金薄膜の結晶性も改善され、媒体ノイズが低減
する。
以下、この発明の一実施例を因について説明する。図面
はこの発明の磁気記録媒体の断面を示すもので、（１）
はＡＪ −Ｍｇ基板、（２）はＮｌ −Ｐ下地硬化層、
（３ａ）〜（３ｃ）はＣｒ薄膜、（４）はＣｏ合金
薄膜、（５）は保護膜である。
はこの発明の磁気記録媒体の断面を示すもので、（１）
はＡＪ −Ｍｇ基板、（２）はＮｌ −Ｐ下地硬化層、
（３ａ）〜（３ｃ）はＣｒ薄膜、（４）はＣｏ合金
薄膜、（５）は保護膜である。
次に具体例を挙げて説明する。
〈実施例１〉
非磁性基板としてＮ１−Ｐ下地硬化層；２）が設けられ
γこＭ−Ｍｇ基板１１）にテクスチャー加工を施し１こ
ものを用い、 Ｃｏ合金１４）としてＣ６１１！、６Ｎ
ｉ ｌ ｏＣｙ ？ ６ ａ を媚の組成のＣｏＮｉ
ｃｒを、保護膜１５）材としてはカーボンを用いた。ま
ず、基板を２００℃に加熱り、１層当りのＣｒｆＨｍを
５０ＯＡとし、４層形成し１合計のＣｒ薄膜の膜厚を２
００ＯＡとしγこ０なお＆ ”ｒ薄膜を形成する際の成
膜パワーとしては５００Ｗであつ１こ。
γこＭ−Ｍｇ基板１１）にテクスチャー加工を施し１こ
ものを用い、 Ｃｏ合金１４）としてＣ６１１！、６Ｎ
ｉ ｌ ｏＣｙ ？ ６ ａ を媚の組成のＣｏＮｉ
ｃｒを、保護膜１５）材としてはカーボンを用いた。ま
ず、基板を２００℃に加熱り、１層当りのＣｒｆＨｍを
５０ＯＡとし、４層形成し１合計のＣｒ薄膜の膜厚を２
００ＯＡとしγこ０なお＆ ”ｒ薄膜を形成する際の成
膜パワーとしては５００Ｗであつ１こ。
第４＃目のＣ，薄膜を形成した後、連続してｃ、Ｎ１Ｃ
ｒＰＩＩＩ［、カーボン＊ｇを形成しり。なお＆ Ｃ０
ＮＩ Ｃｒ薄膜は５００Ａ、カーボン薄膜は４００Ａと
し、スパッタガス圧でＩＯｍ−ｒｏｒｒとした。
ｒＰＩＩＩ［、カーボン＊ｇを形成しり。なお＆ Ｃ０
ＮＩ Ｃｒ薄膜は５００Ａ、カーボン薄膜は４００Ａと
し、スパッタガス圧でＩＯｍ−ｒｏｒｒとした。
〈実施例２〉
１層当りのＣｒｆｌＨｌの膜厚を６６７Ａとし、３層形
成し１；以外は全て実施例１と同一条件で成膜を行い磁
気記録媒体を形成した。なお、Ｃｒｆｌｌ膜を形成する
際の成膜パワーは６６７Ｗであつ１こ。
成し１；以外は全て実施例１と同一条件で成膜を行い磁
気記録媒体を形成した。なお、Ｃｒｆｌｌ膜を形成する
際の成膜パワーは６６７Ｗであつ１こ。
く比較例１〉
ＩＮ／Ｊ４りのＣｒ薄膜の膜厚を１００ＯＡとし、２層
形成した以外は全て実施例１と同一条件で成膜を行い磁
気記録媒体を形成しγこ。なおｈ Ｃｒ薄膜を形成する
際の成膜パワーは１００ＯＷであつ１こ０く比較例２〉 Ｃｒ薄膜を２００ＯＡとして一層形成した以外は全て実
施例１と同一条件で成膜を行い磁気記録媒体を形成した
。なお、Ｃｒ薄膜を形成する際の成膜パワーは２０００
Ｗであつｆユ。
形成した以外は全て実施例１と同一条件で成膜を行い磁
気記録媒体を形成しγこ。なおｈ Ｃｒ薄膜を形成する
際の成膜パワーは１００ＯＷであつ１こ０く比較例２〉 Ｃｒ薄膜を２００ＯＡとして一層形成した以外は全て実
施例１と同一条件で成膜を行い磁気記録媒体を形成した
。なお、Ｃｒ薄膜を形成する際の成膜パワーは２０００
Ｗであつｆユ。
実施例１，２及び比較例１，２にて得られたメタルスパ
ッタ媒体の磁気特性及び電磁変換特性を測定しγこ。磁
気特性測定には試料振動型磁力計（ＶＳＭ）を用い、電
磁変換特性測定には薄膜磁気ヘッドを用い、相対速度１
２．１ ｍ／ ｓｅｅ 、 配備周波数８Ｍ）（ｚ
、ノイズ帯域２０ＭＨｚにて行つγこ〇磁気特性及び電
磁変換特性測定結果を表に示す。
ッタ媒体の磁気特性及び電磁変換特性を測定しγこ。磁
気特性測定には試料振動型磁力計（ＶＳＭ）を用い、電
磁変換特性測定には薄膜磁気ヘッドを用い、相対速度１
２．１ ｍ／ ｓｅｅ 、 配備周波数８Ｍ）（ｚ
、ノイズ帯域２０ＭＨｚにて行つγこ〇磁気特性及び電
磁変換特性測定結果を表に示す。
保磁力ｓ Ｂｒ・δ（残留磁束密度Ｘ膜厚）、再生出力
。
。
媒体ノイズは、実施例１．実施例２．比較例１゜比較例
２の順を二太き（なっており、つまりｓＣｒ薄膜の積層
数が少ないものほど、保磁力ｓ”ｒ・δ、再生出力、媒
体ノイズは大きくなる傾向にあるが、Ｃｒ薄膜の積層数
が１と２とでは大差はない。−ズ媒体Ｓ／Ｎ比では、逆
（こＣｒＮ膜の積層数を増すに付い向上し、しかも、３
層以上の積層数で向上の度合が大きい。これは、Ｃｒ１
ｔ膜の積層αを増すに伴い、再生出力は減少するものの
、８体ノイズがより一層低減するγこめであり２この発
明の磁気記の媒体が媒体ノイズが小さく、高密度記録時
において高いＳ／Ｎ比を有することが明らかである。
２の順を二太き（なっており、つまりｓＣｒ薄膜の積層
数が少ないものほど、保磁力ｓ”ｒ・δ、再生出力、媒
体ノイズは大きくなる傾向にあるが、Ｃｒ薄膜の積層数
が１と２とでは大差はない。−ズ媒体Ｓ／Ｎ比では、逆
（こＣｒＮ膜の積層数を増すに付い向上し、しかも、３
層以上の積層数で向上の度合が大きい。これは、Ｃｒ１
ｔ膜の積層αを増すに伴い、再生出力は減少するものの
、８体ノイズがより一層低減するγこめであり２この発
明の磁気記の媒体が媒体ノイズが小さく、高密度記録時
において高いＳ／Ｎ比を有することが明らかである。
なお、上記実施例においては非磁性基材としてＮ１−Ｐ
下地硬化層を設はテクスチャー加工を施しｒ： ＡＪｊ
−Ｍｇ基板、Ｃｏ合金薄膜としてＣ０１ｚ６Ｎｉ ｇａ
ｃｙｙ６ａｔ４のＣｏＮｉＣｒ薄膜を形成し１こ場合に
ついて説明し１こが、これに限らず、ガラスあるいはセ
ラミックス等の他の基板、まＴ： ＣｏＣｒＴａ、Ｃ，
ＮｉＴ、 、 ｃｏｃ、ｖＣＱＮｉ Ｚｆ等の他のＣｏ
合金薄膜番こ適用しても同様の効果を奏する０ま１こ、
基材加熱温度、スパッタガス圧等スパッタ条件も上記実
施例に限定されるものではない。
下地硬化層を設はテクスチャー加工を施しｒ： ＡＪｊ
−Ｍｇ基板、Ｃｏ合金薄膜としてＣ０１ｚ６Ｎｉ ｇａ
ｃｙｙ６ａｔ４のＣｏＮｉＣｒ薄膜を形成し１こ場合に
ついて説明し１こが、これに限らず、ガラスあるいはセ
ラミックス等の他の基板、まＴ： ＣｏＣｒＴａ、Ｃ，
ＮｉＴ、 、 ｃｏｃ、ｖＣＱＮｉ Ｚｆ等の他のＣｏ
合金薄膜番こ適用しても同様の効果を奏する０ま１こ、
基材加熱温度、スパッタガス圧等スパッタ条件も上記実
施例に限定されるものではない。
まγこ、上記実施例１こおいて、Ｃｒ薄膜の積層数とし
ては、３および４について説明し１こが、５層以上でも
同様な効果は得られるが、スパッタ装置が大きくなる、
Ｃｒカソードの数が増える等、装置の価格等が高くなる
γこめ、３〜４層が適当である。
ては、３および４について説明し１こが、５層以上でも
同様な効果は得られるが、スパッタ装置が大きくなる、
Ｃｒカソードの数が増える等、装置の価格等が高くなる
γこめ、３〜４層が適当である。
〔発明の効果］
以上のようにこの発明ζこよれば、Ｃｒ１ｌｌ膜を３層
以上の層として形成するようにしγこので、１層嶋りを
形成する際の成膜パワーを下げることができ。
以上の層として形成するようにしγこので、１層嶋りを
形成する際の成膜パワーを下げることができ。
Ｃｒ薄膜の結晶性を制御でき、Ｃｒ薄膜上にエピタキシ
ャル成長するＣｏ合金薄膜の結晶性を制御できるγこめ
、媒体ノイズが低減し、高いＳ／Ｎ比を有する磁気記録
媒体が得られる効果がある。
ャル成長するＣｏ合金薄膜の結晶性を制御できるγこめ
、媒体ノイズが低減し、高いＳ／Ｎ比を有する磁気記録
媒体が得られる効果がある。
図はこの発明の一実施例による磁気記録媒体を示す断面
図である。 図において、【ｌ）はｆｉ−ｅ −Ｍｇ基板、（２）は
Ｎ１−Ｐ下地硬化層、（３ａ ） 〜（３ｃ ）はＣｒ
薄膜、（４）はＣｏ合金薄膜。 （５）は保護膜である。
図である。 図において、【ｌ）はｆｉ−ｅ −Ｍｇ基板、（２）は
Ｎ１−Ｐ下地硬化層、（３ａ ） 〜（３ｃ ）はＣｒ
薄膜、（４）はＣｏ合金薄膜。 （５）は保護膜である。
Claims (1)
- 非磁性基材上に、Ｃｒ薄膜およびＣｏ合金薄膜が順に形
成されてなる磁気記録媒体において、上記Ｃｒ薄膜が３
層以上の層として形成されていることを特徴とする磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23871690A JPH04117611A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23871690A JPH04117611A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04117611A true JPH04117611A (ja) | 1992-04-17 |
Family
ID=17034208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23871690A Pending JPH04117611A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04117611A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6740383B2 (en) | 1998-05-27 | 2004-05-25 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium possessing a ratio of Hc(perpendicular) to Hc(horizontal) that is not more than 0.22 and magnetic recording disk device |
-
1990
- 1990-09-05 JP JP23871690A patent/JPH04117611A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6740383B2 (en) | 1998-05-27 | 2004-05-25 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium possessing a ratio of Hc(perpendicular) to Hc(horizontal) that is not more than 0.22 and magnetic recording disk device |
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