JP2541770B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JP2541770B2 JP2541770B2 JP5296223A JP29622393A JP2541770B2 JP 2541770 B2 JP2541770 B2 JP 2541770B2 JP 5296223 A JP5296223 A JP 5296223A JP 29622393 A JP29622393 A JP 29622393A JP 2541770 B2 JP2541770 B2 JP 2541770B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、水平記録用の薄膜コバ
ルト合金磁気記録デイスク、より詳細に言えば、複数層
に被着された下層を有し、被着磁気層の磁気的な性質を
改良した磁気記録デイスクに関する。
ルト合金磁気記録デイスク、より詳細に言えば、複数層
に被着された下層を有し、被着磁気層の磁気的な性質を
改良した磁気記録デイスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、水平磁気記録用の薄膜コバルト合
金磁気記録デイスクは、ガラス基板か、または燐ニツケ
ル合金（ＮｉＰ）の表面被覆を有するアルミニウム−マ
グネシウム合金（ＡｌＭｇ）の基板と、基板上にデポジ
ツトされたクロム（Ｃｒ）、またはクロム−バナジウム
合金（ＣｒＶ）のような下層と、下層上に磁気層として
被着されたコバルト・ベースの合金スパツタ層と、磁気
層上に形成され、スパツタ被着されたアモルフアス炭素
の薄膜か、または水素化炭素の薄膜のような保護被覆と
を含んでいる。
金磁気記録デイスクは、ガラス基板か、または燐ニツケ
ル合金（ＮｉＰ）の表面被覆を有するアルミニウム−マ
グネシウム合金（ＡｌＭｇ）の基板と、基板上にデポジ
ツトされたクロム（Ｃｒ）、またはクロム−バナジウム
合金（ＣｒＶ）のような下層と、下層上に磁気層として
被着されたコバルト・ベースの合金スパツタ層と、磁気
層上に形成され、スパツタ被着されたアモルフアス炭素
の薄膜か、または水素化炭素の薄膜のような保護被覆と
を含んでいる。
【０００３】コバルト合金磁気デイスクの保磁力（coer
civity）、保磁力の直角度（squareness）及び残留磁気
の直角度（残留磁化対飽和磁化との比率）は下層の構造
及び組成により影響される。米国特許第４６１０９１１
号及び同第４６３１２０２号は、クロムの通常の単一の
下層とコバルト−白金合金（ＣｏＰｔ）の磁気層を有す
る薄膜磁気デイスクを開示しており、デイスクの飽和保
磁力に対するクロム下層の影響を説明している。米国特
許第４６５２４９９号は、同じ厚さのクロムの下層より
も高い保磁力及び保磁力の直角度を与える単一のクロム
−バナジウム合金の下層を有するコバルト−白金−クロ
ム合金（ＣｏＰｔＣｒ）の薄膜磁気デイスクを開示して
いる。
civity）、保磁力の直角度（squareness）及び残留磁気
の直角度（残留磁化対飽和磁化との比率）は下層の構造
及び組成により影響される。米国特許第４６１０９１１
号及び同第４６３１２０２号は、クロムの通常の単一の
下層とコバルト−白金合金（ＣｏＰｔ）の磁気層を有す
る薄膜磁気デイスクを開示しており、デイスクの飽和保
磁力に対するクロム下層の影響を説明している。米国特
許第４６５２４９９号は、同じ厚さのクロムの下層より
も高い保磁力及び保磁力の直角度を与える単一のクロム
−バナジウム合金の下層を有するコバルト−白金−クロ
ム合金（ＣｏＰｔＣｒ）の薄膜磁気デイスクを開示して
いる。
【０００４】良好なデイスクは保磁力、保磁力の直角度
及び残留磁気の直角度の高い値を含むのが好ましい磁気
的性質に加えて、デイスク面全体に亙つて相対的に一定
の磁気的性質を示すものでなければならない。このよう
な磁気的性質を持たないデイスクの場合、読み取り信号
の振幅がデイスクの周辺において変化することがあり、
その結果、読み取り信号の望ましくない低周波変調（Ｌ
ＦＭ）が生じることが１つの問題である。米国特許第４
８３３０２０号において、信号の変調を減少させるため
に２つの下層を有するコバルト合金のデイスクが開示さ
れており、基板側の第１の層はジルコニウム（Ｚｒ）、
チタン（Ｔｉ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇ
ｅ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）が望ましく、そして、
磁気層が被着された第２の層はクロム（Ｃｒ）が望まし
いことが記載されている。この米国特許に記載されてい
る他の実施例において、これら２つの下層はＣｒ／Ｃｒ
構造でも良いことが記載されており、この場合の各Ｃｒ
層は、異なつた条件の下でスパツタ被着されている。
及び残留磁気の直角度の高い値を含むのが好ましい磁気
的性質に加えて、デイスク面全体に亙つて相対的に一定
の磁気的性質を示すものでなければならない。このよう
な磁気的性質を持たないデイスクの場合、読み取り信号
の振幅がデイスクの周辺において変化することがあり、
その結果、読み取り信号の望ましくない低周波変調（Ｌ
ＦＭ）が生じることが１つの問題である。米国特許第４
８３３０２０号において、信号の変調を減少させるため
に２つの下層を有するコバルト合金のデイスクが開示さ
れており、基板側の第１の層はジルコニウム（Ｚｒ）、
チタン（Ｔｉ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇ
ｅ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）が望ましく、そして、
磁気層が被着された第２の層はクロム（Ｃｒ）が望まし
いことが記載されている。この米国特許に記載されてい
る他の実施例において、これら２つの下層はＣｒ／Ｃｒ
構造でも良いことが記載されており、この場合の各Ｃｒ
層は、異なつた条件の下でスパツタ被着されている。
【０００５】他の刊行物は２層の下層を有するコバルト
合金デイスクを記載しているが、ＬＦＭを減少する利点
を記載していない。例えば、米国特許第４８２８９０５
号は、２層の下層を有するコバルト合金デイスクを開示
しており、このデイスクにおいて、基板上に形成された
第１の層は相対的に薄い酸化クロム層、または酸化チタ
ニウム層のような酸化物層であり、第２の層は遥かに薄
いクロム層である。１９９２年６月のＩＢＭテクニカル
・デイスクロージヤ・ブレテイン第３５巻第１Ａ号の２
６５頁及び２６６頁において、クロム及び錫（Ｓｎ）の
２層の下層を有する増加された保磁力を持つコバルト−
白金−クロム合金（ＣｏＰｔＣｒ）のデイスクが記載さ
れており、このデイスクの第１の層はＣｒであり、第２
の層はＳｎであり、第２の層の上にＣｏＰｔＣｒ合金の
薄膜が被着されている。
合金デイスクを記載しているが、ＬＦＭを減少する利点
を記載していない。例えば、米国特許第４８２８９０５
号は、２層の下層を有するコバルト合金デイスクを開示
しており、このデイスクにおいて、基板上に形成された
第１の層は相対的に薄い酸化クロム層、または酸化チタ
ニウム層のような酸化物層であり、第２の層は遥かに薄
いクロム層である。１９９２年６月のＩＢＭテクニカル
・デイスクロージヤ・ブレテイン第３５巻第１Ａ号の２
６５頁及び２６６頁において、クロム及び錫（Ｓｎ）の
２層の下層を有する増加された保磁力を持つコバルト−
白金−クロム合金（ＣｏＰｔＣｒ）のデイスクが記載さ
れており、このデイスクの第１の層はＣｒであり、第２
の層はＳｎであり、第２の層の上にＣｏＰｔＣｒ合金の
薄膜が被着されている。
【０００６】磁気的な性質を改善して低周波変調（ＬＦ
Ｍ）を減少させる下層を有するコバルト合金の薄膜磁気
記録デイスクを必要とすることは明らかである。
Ｍ）を減少させる下層を有するコバルト合金の薄膜磁気
記録デイスクを必要とすることは明らかである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は磁気的
な性質を改善してＬＦＭを減少させる下層を有するコバ
ルト合金の磁気記録デイスクを提供することにある。
な性質を改善してＬＦＭを減少させる下層を有するコバ
ルト合金の磁気記録デイスクを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の実施例の
磁気デイスクにおいて、複数層の下層は２層構造を有
し、第１の薄膜はクロム（Ｃｒ）であり、第２の薄膜は
クロム−バナジウム合金（ＣｒＶ）である。本発明の第
２の実施例における磁気デイスクは、相対的に少量の酸
素原子を含むＣｒＶの第１の薄膜（基板に隣接した薄
膜）と、相対的に多量の酸素原子を含むＣｒＶの第２の
薄膜とで作られた２層の下層を持つている。
磁気デイスクにおいて、複数層の下層は２層構造を有
し、第１の薄膜はクロム（Ｃｒ）であり、第２の薄膜は
クロム−バナジウム合金（ＣｒＶ）である。本発明の第
２の実施例における磁気デイスクは、相対的に少量の酸
素原子を含むＣｒＶの第１の薄膜（基板に隣接した薄
膜）と、相対的に多量の酸素原子を含むＣｒＶの第２の
薄膜とで作られた２層の下層を持つている。
【０００９】
【実施例】図１を参照すると、本発明に従つた薄膜コバ
ルト合金磁気デイスクの断面図が示されている。このデ
イスクは、非電解処理で被着された燐ニツケル合金（Ｎ
ｉＰ）の基板面薄膜１４を有するアルミニウム−マグネ
シウム合金（ＡｌＭｇ）のデイスク基体１２を持つ基板
１０と、基板１０の上に形成された複数層の下層２０
（図示の実施例においては２つの薄膜２２及び２４）
と、磁気層３０の上に形成された保護被覆４０とを含ん
でいる。保護被覆４０上には通常、液体潤滑剤の層５０
が添加されている。
ルト合金磁気デイスクの断面図が示されている。このデ
イスクは、非電解処理で被着された燐ニツケル合金（Ｎ
ｉＰ）の基板面薄膜１４を有するアルミニウム−マグネ
シウム合金（ＡｌＭｇ）のデイスク基体１２を持つ基板
１０と、基板１０の上に形成された複数層の下層２０
（図示の実施例においては２つの薄膜２２及び２４）
と、磁気層３０の上に形成された保護被覆４０とを含ん
でいる。保護被覆４０上には通常、液体潤滑剤の層５０
が添加されている。
【００１０】本発明の第１の実施例において、複数層の
下層２０は、第１の薄膜２２がＣｒであり、第２の薄膜
２４がＣｒ80Ｖ20（クロム８０％とバナジウム２０％の
合金）である２層の下層を含んでいる。この２層構造は
Ｃｒターゲツトからの第１のスパツタ被着のＣｒ層と、
第２の層と同じ合金組成を有するターゲツトからのスパ
ツタ被着のＣｒ80Ｖ20層とによつて形成されている。
下層２０は、第１の薄膜２２がＣｒであり、第２の薄膜
２４がＣｒ80Ｖ20（クロム８０％とバナジウム２０％の
合金）である２層の下層を含んでいる。この２層構造は
Ｃｒターゲツトからの第１のスパツタ被着のＣｒ層と、
第２の層と同じ合金組成を有するターゲツトからのスパ
ツタ被着のＣｒ80Ｖ20層とによつて形成されている。
【００１１】６００オングストロームのＣｒ／６００オ
ングストロームのＣｒ80Ｖ20の２層構造の下層と、３０
０オングストロームの厚さのＣｏ67Ｐｔ16Ｃｒ17の磁気
層とを有するデイスクに対する保磁力は、従来の１２０
０オングストロームのＣｒの下層を持つ同様なデイスク
の１２００エルステツドと比べて劇的に増加したことが
示された。図２に示されたように、２つの薄膜の厚さの
合計が一定であるこのような２層の下層に対して、保磁
力はＣｒ及びＣｒ80Ｖ20薄膜の厚さの比率について殆ど
影響を受けない。また、図２においては、本発明のＣｒ
層／ＣｒＶ層の２層構造の下層を持つデイスクの保磁力
は、上述の２層構造の下層中の２つの薄膜の合計の厚さ
と同じ厚さのＣｒ80Ｖ20だけの下層を持つ同じデイスク
の保磁力に比べてより大きいことが示されている。Ｃｒ
Ｖのスパツタ用ターゲツトはＣｒのスパツタ用ターゲツ
トよりも可成り高価なので、上述の発見は重要であり、
その結果、Ｃｒの第１の薄膜で形成されている下層の大
きな部分を２層構造の下層を使用することは、単一層構
造のＣｒＶの下層を有するデイスクよりも少ないコスト
により、高い保磁力のデイスクを得ることができる。保
磁力の直角度Ｓ*は、Ｃｒ／ＣｒＶの２層構造の下層で
作られた種々のデイスクに対して０．８５乃至０．９５
の間で測定されたが、この値は磁気記録に対して明らか
に受容できる値である。
ングストロームのＣｒ80Ｖ20の２層構造の下層と、３０
０オングストロームの厚さのＣｏ67Ｐｔ16Ｃｒ17の磁気
層とを有するデイスクに対する保磁力は、従来の１２０
０オングストロームのＣｒの下層を持つ同様なデイスク
の１２００エルステツドと比べて劇的に増加したことが
示された。図２に示されたように、２つの薄膜の厚さの
合計が一定であるこのような２層の下層に対して、保磁
力はＣｒ及びＣｒ80Ｖ20薄膜の厚さの比率について殆ど
影響を受けない。また、図２においては、本発明のＣｒ
層／ＣｒＶ層の２層構造の下層を持つデイスクの保磁力
は、上述の２層構造の下層中の２つの薄膜の合計の厚さ
と同じ厚さのＣｒ80Ｖ20だけの下層を持つ同じデイスク
の保磁力に比べてより大きいことが示されている。Ｃｒ
Ｖのスパツタ用ターゲツトはＣｒのスパツタ用ターゲツ
トよりも可成り高価なので、上述の発見は重要であり、
その結果、Ｃｒの第１の薄膜で形成されている下層の大
きな部分を２層構造の下層を使用することは、単一層構
造のＣｒＶの下層を有するデイスクよりも少ないコスト
により、高い保磁力のデイスクを得ることができる。保
磁力の直角度Ｓ*は、Ｃｒ／ＣｒＶの２層構造の下層で
作られた種々のデイスクに対して０．８５乃至０．９５
の間で測定されたが、この値は磁気記録に対して明らか
に受容できる値である。
【００１２】本発明の第２の実施例において、２層構造
の下層は第１の薄膜（デイスクの基板上薄膜）は相対的
に酸素原子の少ないＣｒ80Ｖ20で作られ、第２の薄膜は
酸素原子の多く含むＣｒ80Ｖ20で作られている。酸素原
子の少ない薄膜は、約０．０５原子パーセント以下の酸
素原子濃度を有する月並な「真空室処理（vacuum cast
−ＶＣ）」のスパツタ用ターゲツトから基板上に先ずス
パツタ処理される。酸素原子を多く含む薄膜は、「粉体
加圧処理（powder-pressed−ＰＰ）」を用いて、０．０
５乃至５原子パーセントの範囲の酸素原子濃度を有する
ＣｒＶのターゲツトから酸素原子の少ない薄膜上にスパ
ツタされて作られるのが望ましい。代案として、酸素原
子を多く含む薄膜は、クロム原子及びバナジウム原子が
デイスクの基板上に被着されたときにＣｒＶの薄膜が酸
素原子で「ドープ」されるように、酸素の存在の下でＣ
ｒＶを反応スパツタ処理することにより作ることができ
る。
の下層は第１の薄膜（デイスクの基板上薄膜）は相対的
に酸素原子の少ないＣｒ80Ｖ20で作られ、第２の薄膜は
酸素原子の多く含むＣｒ80Ｖ20で作られている。酸素原
子の少ない薄膜は、約０．０５原子パーセント以下の酸
素原子濃度を有する月並な「真空室処理（vacuum cast
−ＶＣ）」のスパツタ用ターゲツトから基板上に先ずス
パツタ処理される。酸素原子を多く含む薄膜は、「粉体
加圧処理（powder-pressed−ＰＰ）」を用いて、０．０
５乃至５原子パーセントの範囲の酸素原子濃度を有する
ＣｒＶのターゲツトから酸素原子の少ない薄膜上にスパ
ツタされて作られるのが望ましい。代案として、酸素原
子を多く含む薄膜は、クロム原子及びバナジウム原子が
デイスクの基板上に被着されたときにＣｒＶの薄膜が酸
素原子で「ドープ」されるように、酸素の存在の下でＣ
ｒＶを反応スパツタ処理することにより作ることができ
る。
【００１３】下記のような５つのタイプの下層を有する
コバルト合金デイスクの磁気的性質を比較するために、
インライン・パレツト型のスパツタ装置を使用して実験
用のデイスクが作られた。５つのタイプの下層は（１）
ＰＰ処理による単一の層構造のＣｒＶ下層と、（２）Ｖ
Ｃ処理による単一の層構造のＣｒＶ下層と、（３）第１
薄膜として、ＰＰ処理によるＣｒＶ層及び第２薄膜とし
て、ＶＣ処理によるＣｒＶ層を含む２層構造の下層（Ｐ
Ｐ／ＶＣ）と、（４）第１薄膜として、ＶＣ処理による
ＣｒＶ層及び第２薄膜として、ＰＰ処理によるＣｒＶ層
の２層構造の下層（ＶＣ／ＰＰ）と、（５）第１薄膜と
して、Ｃｒ及び第２薄膜として、ＰＰ処理によるＣｒＶ
層の２層構造の下層である。下記の表１及び表２は、上
述の５つのタイプの下層を持つデイスクの磁気特性、保
磁力Ｈc、保磁力の直角度Ｓ*、残留磁気の直角度Ｓ及び
ＬＦＭの測定結果を示す表である。都合により表１及び
表２は別々に分けられているが、表１の次に表２を連続
させて元来一体の表として見ることには注意を向けられ
たい。
コバルト合金デイスクの磁気的性質を比較するために、
インライン・パレツト型のスパツタ装置を使用して実験
用のデイスクが作られた。５つのタイプの下層は（１）
ＰＰ処理による単一の層構造のＣｒＶ下層と、（２）Ｖ
Ｃ処理による単一の層構造のＣｒＶ下層と、（３）第１
薄膜として、ＰＰ処理によるＣｒＶ層及び第２薄膜とし
て、ＶＣ処理によるＣｒＶ層を含む２層構造の下層（Ｐ
Ｐ／ＶＣ）と、（４）第１薄膜として、ＶＣ処理による
ＣｒＶ層及び第２薄膜として、ＰＰ処理によるＣｒＶ層
の２層構造の下層（ＶＣ／ＰＰ）と、（５）第１薄膜と
して、Ｃｒ及び第２薄膜として、ＰＰ処理によるＣｒＶ
層の２層構造の下層である。下記の表１及び表２は、上
述の５つのタイプの下層を持つデイスクの磁気特性、保
磁力Ｈc、保磁力の直角度Ｓ*、残留磁気の直角度Ｓ及び
ＬＦＭの測定結果を示す表である。都合により表１及び
表２は別々に分けられているが、表１の次に表２を連続
させて元来一体の表として見ることには注意を向けられ
たい。
【００１４】
【表１】
【００１５】
【表２】
【００１６】上記の表１及び表２中のデータは、Ｃｒｖ
（ＰＰ処理）だけの下層のデイスクに比べて、Ｃｒ／Ｃ
ｒＶの下層及びＣｒＶ（ＶＣ処理）／ＣｒＶ（ＰＰ処
理）の組合わせの下層を持つデイスクの方がより高い保
磁力及び保磁力の直角度Ｓ*を持つていることを示して
いる。加えて、ＬＦＭは、ＣｒＶ（ＰＰ処理）の単一層
のデイスクに比べて、２層構造のいずれのデイスクも減
少されている。ＬＦＭの減少は、Ｃｒ、またはＣｒＶ
（ＶＣ処理）の種層の核形成によつてＣｒ合金の結晶方
向が変化した結果である。低い変調方向を維持するため
に、ＣｒＶ（ＰＰ処理）層が第１層上にエピタキシヤル
成長される。
（ＰＰ処理）だけの下層のデイスクに比べて、Ｃｒ／Ｃ
ｒＶの下層及びＣｒＶ（ＶＣ処理）／ＣｒＶ（ＰＰ処
理）の組合わせの下層を持つデイスクの方がより高い保
磁力及び保磁力の直角度Ｓ*を持つていることを示して
いる。加えて、ＬＦＭは、ＣｒＶ（ＰＰ処理）の単一層
のデイスクに比べて、２層構造のいずれのデイスクも減
少されている。ＬＦＭの減少は、Ｃｒ、またはＣｒＶ
（ＶＣ処理）の種層の核形成によつてＣｒ合金の結晶方
向が変化した結果である。低い変調方向を維持するため
に、ＣｒＶ（ＰＰ処理）層が第１層上にエピタキシヤル
成長される。
【００１７】ＣｒＶ／ＣｒＶ２層構造の下層中の酸素の
影響をより良く理解するために、ケイ素（Ｓｉ）基板上
に形成され、下記の構造を有する薄膜構造がアウガー深
さ濃度プロフイール（Auger depth concentration prof
ile）の対象とされて、２つのＣｒ80Ｖ20薄膜中に存在
する酸素の量及び配分が決定された。
影響をより良く理解するために、ケイ素（Ｓｉ）基板上
に形成され、下記の構造を有する薄膜構造がアウガー深
さ濃度プロフイール（Auger depth concentration prof
ile）の対象とされて、２つのＣｒ80Ｖ20薄膜中に存在
する酸素の量及び配分が決定された。
【００１８】上述の構造は、５００ÅのＶＣ処理のＣｒ
80Ｖ20／５００ÅのＰＰ処理のＣｒ80Ｖ20／２００Åの
炭素を含む構造である。
80Ｖ20／５００ÅのＰＰ処理のＣｒ80Ｖ20／２００Åの
炭素を含む構造である。
【００１９】この構造の測定結果は、ＶＣ処理による薄
膜の中には酸素は検出されなかつたが、他方、ＰＰ処理
による薄膜は１．７原子パーセントの酸素が測定され
た。加えて、アウガー式測定は、８つの別個のスパツタ
時間の後に行なわれ、そして、アウガー・サンプリング
・ゾーンがＰＰ処理の薄膜の中心から移動し、ＶＣ処理
の薄膜の中心で検出されなくなつたときに、酸素のピー
ク値が減少したことが示された。
膜の中には酸素は検出されなかつたが、他方、ＰＰ処理
による薄膜は１．７原子パーセントの酸素が測定され
た。加えて、アウガー式測定は、８つの別個のスパツタ
時間の後に行なわれ、そして、アウガー・サンプリング
・ゾーンがＰＰ処理の薄膜の中心から移動し、ＶＣ処理
の薄膜の中心で検出されなくなつたときに、酸素のピー
ク値が減少したことが示された。
【００２０】上述した試料及び実験用のデイスクはＳｉ
及びＡｌＭｇ／ＮｉＰの基板上に形成されたけれども、
本発明により改善されたデイスクは、特定の基板に依存
せず、ガラスなどの他の基板を使用しても同じように改
善結果が得られることには注意を払う必要がある。
及びＡｌＭｇ／ＮｉＰの基板上に形成されたけれども、
本発明により改善されたデイスクは、特定の基板に依存
せず、ガラスなどの他の基板を使用しても同じように改
善結果が得られることには注意を払う必要がある。
【００２１】上述の説明は複数層の下層と磁気層との構
造だけに関連しており、他の公知のデイスクの構造と
か、デイスクの製造方法とかに言及していないが、薄膜
コバルト合金磁気デイスクの製造において、例えば、実
質的にアモルフアスの水素化炭素薄膜を磁気層上にスパ
ツタ被着されたような保護被覆４０（図１）を与えるこ
とは公知である。
造だけに関連しており、他の公知のデイスクの構造と
か、デイスクの製造方法とかに言及していないが、薄膜
コバルト合金磁気デイスクの製造において、例えば、実
質的にアモルフアスの水素化炭素薄膜を磁気層上にスパ
ツタ被着されたような保護被覆４０（図１）を与えるこ
とは公知である。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、保磁力を著しく向上さ
せ、しかも低周波変調を減少させた薄膜コバルト合金の
磁気記録デイスクが与えられる。
せ、しかも低周波変調を減少させた薄膜コバルト合金の
磁気記録デイスクが与えられる。
【図１】本発明を適用した磁気記録デイスクの模式的な
断面図である。
断面図である。
【図２】２層構造の下層で構成された２つの薄膜に対し
て、厚さの関数としての保磁力を示したグラフである。
て、厚さの関数としての保磁力を示したグラフである。
１０ デイスクの基板 １２ デイスク基体 １４ 基板表薄膜 ２０ 下層 ２２ 第１の薄膜 ２４ 第２の薄膜 ３０ 磁気層 ４０ 保護被覆 ５０ 潤滑剤の層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クワング・コン・キム アメリカ合衆国 カリフォルニア州、サ ンノゼ、ウエストフィールド・アベニュ ー 2749 (72)発明者 トーマス・アール・シャツ アメリカ合衆国 カリフォルニア州、モ ーガン・ヒル、コーレ・エンリク 15400 (72)発明者 アンドリュー・チィウヤン・ティング アメリカ合衆国 カリフォルニア州、サ ンノゼ、グレン・イーリー・アベニュー 1218 (72)発明者 チクウァング・シー・ワング アメリカ合衆国 カリフォルニア州、サ ンノゼ、ウオッシュー・ドライブ 1186 (72)発明者 ポーウェン・ワング アメリカ合衆国 カリフォルニア州、サ ンノゼ、バレー・クウェイル・サークル 1227
Claims (8)
- 【請求項１】水平磁気記録用の磁気記録媒体において、 基板と、 上記基板上に形成され、クロム及びクロム・ベースの合
金を含むグループから選択された第１の非磁性薄膜と、
該第１の非磁性薄膜上に形成され、クロム・ベースの合
金を含む第２の非磁性薄膜とを含む下層と、 上記下層の第２の薄膜上に形成されたコバルト・ベース
の合金を含む磁性層とからなる磁気記録媒体。 - 【請求項２】水平記録用の磁気記録デイスクにおいて、 硬質の基板と、 上記基板上に形成され、クロム又はクロム・ベースの合
金のいずれかの第１の薄膜と、該第１の薄膜上に形成さ
れ、クロム・ベースの合金の薄膜の第２の薄膜とを含む
下層と、 上記第２の薄膜上に形成された磁気層とからなる磁気記
録デイスク。 - 【請求項３】上記基板はケイ素である請求項１記載の磁
気記録媒体、又は請求項２記載の磁気記録デイスク。 - 【請求項４】上記基板はガラスである請求項１記載の磁
気記録媒体、又は請求項２記載の磁気記録デイスク。 - 【請求項５】上記基板は該基板上に形成されたニツケル
・アモルフアス面の薄膜を有するアルミニウム合金を含
む請求項１記載の磁気記録媒体、又は請求項２記載の磁
気記録デイスク。 - 【請求項６】第１の薄膜はクロムであり、第２のフイル
ムはクロム−バナジウム合金である請求項１記載の磁気
記録媒体、又は請求項２記載の磁気記録デイスク。 - 【請求項７】第１の薄膜は酸素原子を殆ど含まないクロ
ム−バナジウム合金を含み、第２の薄膜は酸素原子を含
むクロム−バナジウム合金を含む請求項１記載の磁気記
録媒体、又は請求項２記載の磁気記録デイスク。 - 【請求項８】上記磁気層上に形成された保護被覆を含む
請求項１記載の磁気記録媒体、又は請求項２記載の磁気
記録デイスク。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US99560992A | 1992-12-22 | 1992-12-22 | |
| US995609 | 1997-12-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06215346A JPH06215346A (ja) | 1994-08-05 |
| JP2541770B2 true JP2541770B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=25542001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5296223A Expired - Lifetime JP2541770B2 (ja) | 1992-12-22 | 1993-11-26 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2541770B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2809049B2 (ja) * | 1993-07-01 | 1998-10-08 | 日本板硝子株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPH11339240A (ja) | 1998-05-27 | 1999-12-10 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体及び磁気ディスク装置 |
| JP4491844B2 (ja) * | 1998-07-24 | 2010-06-30 | 東ソー株式会社 | スパッタリングターゲット |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62293512A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-21 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS63187414A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-08-03 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 磁気記録媒体 |
| JPH04321919A (ja) * | 1991-04-22 | 1992-11-11 | Hitachi Ltd | 面内磁気記録媒体 |
-
1993
- 1993-11-26 JP JP5296223A patent/JP2541770B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS62293512A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-21 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 磁気記録媒体 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06215346A (ja) | 1994-08-05 |
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