JP2541770C - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、水平記録用の薄膜コバルト合金磁気記録デイスク、より詳細に言え
ば、複数層に被着された下層を有し、被着磁気層の磁気的な性質を改良した磁気
記録デイスクに関する。 【０００２】 【従来の技術】 通常、水平磁気記録用の薄膜コバルト合金磁気記録デイスクは、ガラス基板か
、または燐ニツケル合金（ＮｉＰ）の表面被覆を有するアルミニウム−マグネシ
ウム合金（ＡｌＭｇ）の基板と、基板上にデポジツトされたクロム（Ｃｒ）、ま
たはクロム−バナジウム合金（ＣｒＶ）のような下層と、下層上に磁気層として
被着されたコバルト・ベースの合金スパツタ層と、磁気層上に形成され、スパツ
タ被着されたアモルフアス炭素の薄膜か、または水素化炭素の薄膜のような保護
被覆とを含んでいる。 【０００３】 コバルト合金磁気デイスクの保磁力（coercivity）、保磁力の直角度（square
ness）及び残留磁気の直角度（残留磁化対飽和磁化との比率）は下層の構造及び
組成により影響される。米国特許第４６１０９１１号及び同第４６３１２０２号
は、クロムの通常の単一の下層とコバルト−白金合金（Ｃｏｐｔ）の磁気層を有
する薄膜磁気デイスクを開示しており、デイスクの飽和保磁力に対するクロム下
層の影響を説明している。米国特許第４６５２４９９号は、同じ厚さのクロムの
下層よりも高い保磁力及び保磁力の直角度を与える単一のクロム−バナジウム合
金の下層を有するコバルト−白金−クロム合金（ＣｏＰｔＣｒ）の薄膜磁気デイ
スクを開示している。 【０００４】 良好なデイスクは保磁力、保磁力の直角度及び残留磁気の直角度の高い値を含 むのが好ましい磁気的性質に加えて、デイスク面全体に亙つて相対的に一定の磁
気的性質を示すものでなければならない。このような磁気的性質を持たないデイ
スクの場合、読み取り信号の振幅がデイスクの周辺において変化することがあり
、その結果、読み取り信号の望ましくない低周波変調（ＬＦＭ）が生じることが
１つの問題である。米国特許第４８３３０２０号において、信号の変調を減少さ
せるために２つの下層を有するコバルト合金のデイスクが開示されており、基板
側の第１の層はジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲル
マニウム（Ｇｅ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）が望ましく、そして、磁気層が被
着された第２の層はクロム（Ｃｒ）が望ましいことが記載されている。この米国
特許に記載されている他の実施例において、これら２つの下層はＣｒ／Ｃｒ構造
でも良いことが記載されており、この場合の各Ｃｒ層は、異なつた条件の下でス
パツタ被着されている。 【０００５】 他の刊行物は２層の下層を有するコバルト合金デイスクを記載しているが、Ｌ
ＦＭを減少する利点を記載していない。例えば、米国特許第４８２８９０５号は
、２層の下層を有するコバルト合金デイスクを開示しており、このデイスクにお
いて、基板上に形成された第１の層は相対的に薄い酸化クロム層、または酸化チ
タニウム層のような酸化物層であり、第２の層は遥かに薄いクロム層である。１
９９２年６月のＩＢＭテクニカル・デイスクロージヤ・ブレテイン第３５巻第１
Ａ号の２６５頁及び２６６頁において、クロム及び錫（Ｓｎ）の２層の下層を有
する増加された保磁力を持つコバルト−白金−クロム合金（ＣｏＰｔＣｒ）のデ
イスクが記載されており、このデイスクの第１の層はＣｒであり、第２の層はＳ
ｎであり、第２の層の上にＣｏＰｔＣｒ合金の薄膜が被着されている。 【０００６】 磁気的な性質を改善して低周波変調（ＬＦＭ）を減少させる下層を有するコバ
ルト合金の薄膜磁気記録デイスクを必要とすることは明らかである。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】 本発明の目的は磁気的な性質を改善してＬＦＭを減少させる下層を有するコバ ルト合金の磁気記録デイスクを提供することにある。 【０００８】 【課題を解決するための手段】 本発明の第１の実施例の磁気デイスクにおいて、複数層の下層は２層構造を有
し、第１の薄膜はクロム（Ｃｒ）であり、第２の薄膜はクロム−バナジウム合金
（ＣｒＶ）である。本発明の第２の実施例における磁気デイスクは、相対的に少
量の酸素原子を含むＣｒＶの第１の薄膜（基板に隣接した薄膜）と、相対的に多
量の酸素原子を含むＣｒＶの第２の薄膜とで作られた２層の下層を持つている。 【０００９】 【実施例】 図１を参照すると、本発明に従つた薄膜コバルト合金磁気デイスクの断面図が
示されている。このデイスクは、非電解処理で被着された燐ニツケル合金（Ｎｉ
Ｐ）の基板面薄膜１４を有するアルミニウム−マグネシウム合金（ＡｌＭｇ）の
デイスク基体１２を持つ基板１０と、基板１０の上に形成された複数層の下層２
０（図示の実施例においては２つの薄膜２２及び２４）と、磁気層３０の上に形
成された保護被覆４０とを含んでいる。保護被覆４０上には通常、液体潤滑剤の
層５０が添加されている。 【００１０】 本発明の第１の実施例において、複数層の下層２０は、第１の薄膜２２がＣｒ
であり、第２の薄膜２４がＣｒ80Ｖ20（クロム８０％とバナジウム２０％の合金
）である２層の下層を含んでいる。この２層構造はＣｒターゲツトからの第１の
スパツタ被着のＣｒ層と、第２の層と同じ合金組成を有するターゲツトからのス
パツタ被着のＣｒ80Ｖ20層とによつて形成されている。 【００１１】 ６００オングストロームのＣｒ／６００オングストロームのＣｒ80Ｖ20の２層
構造の下層と、３００オングストロームの厚さのＣｏ67Ｐｔ16Ｃｒ17の磁気層と
を有するデイスクに対する保磁力は、従来の１２００オングストロームのＣｒの
下層を持つ同様なデイスクの１２００エルステツドと比べて劇的に増加したこと
が示された。図２に示されたように、２つの薄膜の厚さの合計が一定であるこの ような２層の下層に対して、保磁力はＣｒ及びＣｒ80Ｖ20薄膜の厚さの比率につ
いて殆ど影響を受けない。また、図２においては、本発明のＣｒ層／ＣｒＶ層の
２層構造の下層を持つデイスクの保磁力は、上述の２層構造の下層中の２つの薄
膜の合計の厚さと同じ厚さのＣｒ80Ｖ20だけの下層を持つ同じデイスクの保磁力
に比べてより大きいことが示されている。ＣｒＶのスパツタ用ターゲツトはＣｒ
のスパツタ用ターゲツトよりも可成り高価なので、上述の発見は重要であり、そ
の結果、Ｃｒの第１の薄膜で形成されている下層の大きな部分を２層構造の下層
を使用することは、単一層構造のＣｒＶの下層を有するデイスクよりも少ないコ
ストにより、高い保磁力のデイスクを得ることができる。保磁力の直角度Ｓ＊は
、Ｃｒ／ＣｒＶの２層構造の下層で作られた種々のデイスクに対して０．８５乃
至０．９５の間で測定されたが、この値は磁気記録に対して明らかに受容できる
値である。 【００１２】 本発明の第２の実施例において、２層構造の下層は第１の薄膜（デイスクの基
板上薄膜）は相対的に酸素原子の少ないＣｒ80Ｖ20で作られ、第２の薄膜は酸素
原子の多く含むＣｒ80Ｖ20で作られている。酸素原子の少ない薄膜は、約０．０
５原子パーセント以下の酸素原子濃度を有する月並な「真空室処理（vacuum cas
t−ＶＣ）」のスパツタ用ターゲツトから基板上に先ずスパツタ処理される。酸
素原子を多く含む薄膜は、「粉体加圧処理（powder-pressed−ＰＰ）」を用いて
、０．０５乃至５原子パーセントの範囲の酸素原子濃度を有するＣｒＶのターゲ
ツトから酸素原子の少ない薄膜上にスパツタされて作られるのが望ましい。代案
として、酸素原子を多く含む薄膜は、クロム原子及びバナジウム原子がデイスク
の基板上に被着されたときにＣｒＶの薄膜が酸素原子で「ドープ」されるように
、酸素の存在の下でＣｒＶを反応スパツタ処理することにより作ることができる
。 【００１３】 下記のような５つのタイプの下層を有するコバルト合金デイスクの磁気的性質
を比較するために、インライン・パレツト型のスパツタ装置を使用して実験用の
デイスクが作られた。５つのタイプの下層は（１）ＰＰ処理による単一の層構造
のＣｒＶ下層と、（２）ＶＣ処理による単一の層構造のＣｒＶ下層と、（３）第 １薄膜として、ＰＰ処理によるＣｒＶ層及び第２薄膜として、ＶＣ処理によるＣ
ｒＶ層を含む２層構造の下層（ＰＰ／ＶＣ）と、（４）第１薄膜として、ＶＣ処
理によるＣｒＶ層及び第２薄膜として、ＰＰ処理によるＣｒＶ層の２層構造の下
層（ＶＣ／ＰＰ）と、（５）第１薄膜として、Ｃｒ及び第２薄膜として、ＰＰ処
理によるＣｒＶ層の２層構造の下層である。下記の表１及び表２は、上述の５つ
のタイプの下層を持つデイスクの磁気特性、保磁力Ｈc、保磁力の直角度Ｓ＊、
残留磁気の直角度Ｓ及びＬＦＭの測定結果を示す表である。都合により表１及び
表２は別々に分けられているが、表１の次に表２を連続させて元来一体の表とし
て見ることには注意を向けられたい。 【００１４】 【表１】 【００１５】 【表２】 【００１６】 上記の表１及び表２中のデータは、Ｃｒｖ（ＰＰ処理）だけの下層のデイスク
に比べて、Ｃｒ／ＣｒＶの下層及びＣｒＶ（ＶＣ処理）／ＣｒＶ（ＰＰ処理）の
組合わせの下層を持つデイスクの方がより高い保磁力及び保磁力の直角度Ｓ＊を
持つていることを示している。加えて、ＬＦＭは、ＣｒＶ（ＰＰ処理）の単一層
のデイスクに比べて、２層構造のいずれのデイスクも減少されている。ＬＦＭの
減少は、Ｃｒ、またはＣｒＶ（ＶＣ処理）の種層の核形成によつてＣｒ合金の結
晶方向が変化した結果である。低い変調方向を維持するために、ＣｒＶ（ＰＰ処
理）層が第１層上にエピタキシヤル成長される。 【００１７】 ＣｒＶ／ＣｒＶ２層構造の下層中の酸素の影響をより良く理解するために、ケ
イ素（Ｓｉ）基板上に形成され、下記の構造を有する薄膜構造がアウガー深さ濃
度プロフイール（Auger depth concentration profile）の対象とされて、２つ
のＣｒ80Ｖ20薄膜中に存在する酸素の量及び配分が決定された。 【００１８】 上述の構造は、５００ÅのＶＣ処理のＣｒ80Ｖ20／５００ÅのＰＰ処理のＣｒ 80 Ｖ20／２００Åの炭素を含む構造である。 【００１９】 この構造の測定結果は、ＶＣ処理による薄膜の中には酸素は検出されなかつた
が、他方、ＰＰ処理による薄膜は１．７原子パーセントの酸素が測定された。加
えて、アウガー式測定は、８つの別個のスパツタ時間の後に行なわれ、そして、
アウガー・サンプリング・ゾーンがＰＰ処理の薄膜の中心から移動し、ＶＣ処理
の薄膜の中心で検出されなくなつたときに、酸素のピーク値が減少したことが示
された。 【００２０】 上述した試料及び実験用のデイスクはＳｉ及びＡｌＭｇ／ＮｉＰの基板上に形
成されたけれども、本発明により改善されたデイスクは、特定の基板に依存せず
、ガラスなどの他の基板を使用しても同じように改善結果が得られることには注
意を払う必要がある。 【００２１】 上述の説明は複数層の下層と磁気層との構造だけに関連しており、他の公知の
デイスクの構造とか、デイスクの製造方法とかに言及していないが、薄膜コバル
ト合金磁気デイスクの製造において、例えば、実質的にアモルフアスの水素化炭
素薄膜を磁気層上にスパツタ被着されたような保護被覆４０（図１）を与えるこ
とは公知である。 【００２２】 【発明の効果】 本発明によれば、保磁力を著しく向上させ、しかも低周波変調を減少させた薄
膜コバルト合金の磁気記録デイスクが与えられる。
ば、複数層に被着された下層を有し、被着磁気層の磁気的な性質を改良した磁気
記録デイスクに関する。 【０００２】 【従来の技術】 通常、水平磁気記録用の薄膜コバルト合金磁気記録デイスクは、ガラス基板か
、または燐ニツケル合金（ＮｉＰ）の表面被覆を有するアルミニウム−マグネシ
ウム合金（ＡｌＭｇ）の基板と、基板上にデポジツトされたクロム（Ｃｒ）、ま
たはクロム−バナジウム合金（ＣｒＶ）のような下層と、下層上に磁気層として
被着されたコバルト・ベースの合金スパツタ層と、磁気層上に形成され、スパツ
タ被着されたアモルフアス炭素の薄膜か、または水素化炭素の薄膜のような保護
被覆とを含んでいる。 【０００３】 コバルト合金磁気デイスクの保磁力（coercivity）、保磁力の直角度（square
ness）及び残留磁気の直角度（残留磁化対飽和磁化との比率）は下層の構造及び
組成により影響される。米国特許第４６１０９１１号及び同第４６３１２０２号
は、クロムの通常の単一の下層とコバルト−白金合金（Ｃｏｐｔ）の磁気層を有
する薄膜磁気デイスクを開示しており、デイスクの飽和保磁力に対するクロム下
層の影響を説明している。米国特許第４６５２４９９号は、同じ厚さのクロムの
下層よりも高い保磁力及び保磁力の直角度を与える単一のクロム−バナジウム合
金の下層を有するコバルト−白金−クロム合金（ＣｏＰｔＣｒ）の薄膜磁気デイ
スクを開示している。 【０００４】 良好なデイスクは保磁力、保磁力の直角度及び残留磁気の直角度の高い値を含 むのが好ましい磁気的性質に加えて、デイスク面全体に亙つて相対的に一定の磁
気的性質を示すものでなければならない。このような磁気的性質を持たないデイ
スクの場合、読み取り信号の振幅がデイスクの周辺において変化することがあり
、その結果、読み取り信号の望ましくない低周波変調（ＬＦＭ）が生じることが
１つの問題である。米国特許第４８３３０２０号において、信号の変調を減少さ
せるために２つの下層を有するコバルト合金のデイスクが開示されており、基板
側の第１の層はジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲル
マニウム（Ｇｅ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）が望ましく、そして、磁気層が被
着された第２の層はクロム（Ｃｒ）が望ましいことが記載されている。この米国
特許に記載されている他の実施例において、これら２つの下層はＣｒ／Ｃｒ構造
でも良いことが記載されており、この場合の各Ｃｒ層は、異なつた条件の下でス
パツタ被着されている。 【０００５】 他の刊行物は２層の下層を有するコバルト合金デイスクを記載しているが、Ｌ
ＦＭを減少する利点を記載していない。例えば、米国特許第４８２８９０５号は
、２層の下層を有するコバルト合金デイスクを開示しており、このデイスクにお
いて、基板上に形成された第１の層は相対的に薄い酸化クロム層、または酸化チ
タニウム層のような酸化物層であり、第２の層は遥かに薄いクロム層である。１
９９２年６月のＩＢＭテクニカル・デイスクロージヤ・ブレテイン第３５巻第１
Ａ号の２６５頁及び２６６頁において、クロム及び錫（Ｓｎ）の２層の下層を有
する増加された保磁力を持つコバルト−白金−クロム合金（ＣｏＰｔＣｒ）のデ
イスクが記載されており、このデイスクの第１の層はＣｒであり、第２の層はＳ
ｎであり、第２の層の上にＣｏＰｔＣｒ合金の薄膜が被着されている。 【０００６】 磁気的な性質を改善して低周波変調（ＬＦＭ）を減少させる下層を有するコバ
ルト合金の薄膜磁気記録デイスクを必要とすることは明らかである。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】 本発明の目的は磁気的な性質を改善してＬＦＭを減少させる下層を有するコバ ルト合金の磁気記録デイスクを提供することにある。 【０００８】 【課題を解決するための手段】 本発明の第１の実施例の磁気デイスクにおいて、複数層の下層は２層構造を有
し、第１の薄膜はクロム（Ｃｒ）であり、第２の薄膜はクロム−バナジウム合金
（ＣｒＶ）である。本発明の第２の実施例における磁気デイスクは、相対的に少
量の酸素原子を含むＣｒＶの第１の薄膜（基板に隣接した薄膜）と、相対的に多
量の酸素原子を含むＣｒＶの第２の薄膜とで作られた２層の下層を持つている。 【０００９】 【実施例】 図１を参照すると、本発明に従つた薄膜コバルト合金磁気デイスクの断面図が
示されている。このデイスクは、非電解処理で被着された燐ニツケル合金（Ｎｉ
Ｐ）の基板面薄膜１４を有するアルミニウム−マグネシウム合金（ＡｌＭｇ）の
デイスク基体１２を持つ基板１０と、基板１０の上に形成された複数層の下層２
０（図示の実施例においては２つの薄膜２２及び２４）と、磁気層３０の上に形
成された保護被覆４０とを含んでいる。保護被覆４０上には通常、液体潤滑剤の
層５０が添加されている。 【００１０】 本発明の第１の実施例において、複数層の下層２０は、第１の薄膜２２がＣｒ
であり、第２の薄膜２４がＣｒ80Ｖ20（クロム８０％とバナジウム２０％の合金
）である２層の下層を含んでいる。この２層構造はＣｒターゲツトからの第１の
スパツタ被着のＣｒ層と、第２の層と同じ合金組成を有するターゲツトからのス
パツタ被着のＣｒ80Ｖ20層とによつて形成されている。 【００１１】 ６００オングストロームのＣｒ／６００オングストロームのＣｒ80Ｖ20の２層
構造の下層と、３００オングストロームの厚さのＣｏ67Ｐｔ16Ｃｒ17の磁気層と
を有するデイスクに対する保磁力は、従来の１２００オングストロームのＣｒの
下層を持つ同様なデイスクの１２００エルステツドと比べて劇的に増加したこと
が示された。図２に示されたように、２つの薄膜の厚さの合計が一定であるこの ような２層の下層に対して、保磁力はＣｒ及びＣｒ80Ｖ20薄膜の厚さの比率につ
いて殆ど影響を受けない。また、図２においては、本発明のＣｒ層／ＣｒＶ層の
２層構造の下層を持つデイスクの保磁力は、上述の２層構造の下層中の２つの薄
膜の合計の厚さと同じ厚さのＣｒ80Ｖ20だけの下層を持つ同じデイスクの保磁力
に比べてより大きいことが示されている。ＣｒＶのスパツタ用ターゲツトはＣｒ
のスパツタ用ターゲツトよりも可成り高価なので、上述の発見は重要であり、そ
の結果、Ｃｒの第１の薄膜で形成されている下層の大きな部分を２層構造の下層
を使用することは、単一層構造のＣｒＶの下層を有するデイスクよりも少ないコ
ストにより、高い保磁力のデイスクを得ることができる。保磁力の直角度Ｓ＊は
、Ｃｒ／ＣｒＶの２層構造の下層で作られた種々のデイスクに対して０．８５乃
至０．９５の間で測定されたが、この値は磁気記録に対して明らかに受容できる
値である。 【００１２】 本発明の第２の実施例において、２層構造の下層は第１の薄膜（デイスクの基
板上薄膜）は相対的に酸素原子の少ないＣｒ80Ｖ20で作られ、第２の薄膜は酸素
原子の多く含むＣｒ80Ｖ20で作られている。酸素原子の少ない薄膜は、約０．０
５原子パーセント以下の酸素原子濃度を有する月並な「真空室処理（vacuum cas
t−ＶＣ）」のスパツタ用ターゲツトから基板上に先ずスパツタ処理される。酸
素原子を多く含む薄膜は、「粉体加圧処理（powder-pressed−ＰＰ）」を用いて
、０．０５乃至５原子パーセントの範囲の酸素原子濃度を有するＣｒＶのターゲ
ツトから酸素原子の少ない薄膜上にスパツタされて作られるのが望ましい。代案
として、酸素原子を多く含む薄膜は、クロム原子及びバナジウム原子がデイスク
の基板上に被着されたときにＣｒＶの薄膜が酸素原子で「ドープ」されるように
、酸素の存在の下でＣｒＶを反応スパツタ処理することにより作ることができる
。 【００１３】 下記のような５つのタイプの下層を有するコバルト合金デイスクの磁気的性質
を比較するために、インライン・パレツト型のスパツタ装置を使用して実験用の
デイスクが作られた。５つのタイプの下層は（１）ＰＰ処理による単一の層構造
のＣｒＶ下層と、（２）ＶＣ処理による単一の層構造のＣｒＶ下層と、（３）第 １薄膜として、ＰＰ処理によるＣｒＶ層及び第２薄膜として、ＶＣ処理によるＣ
ｒＶ層を含む２層構造の下層（ＰＰ／ＶＣ）と、（４）第１薄膜として、ＶＣ処
理によるＣｒＶ層及び第２薄膜として、ＰＰ処理によるＣｒＶ層の２層構造の下
層（ＶＣ／ＰＰ）と、（５）第１薄膜として、Ｃｒ及び第２薄膜として、ＰＰ処
理によるＣｒＶ層の２層構造の下層である。下記の表１及び表２は、上述の５つ
のタイプの下層を持つデイスクの磁気特性、保磁力Ｈc、保磁力の直角度Ｓ＊、
残留磁気の直角度Ｓ及びＬＦＭの測定結果を示す表である。都合により表１及び
表２は別々に分けられているが、表１の次に表２を連続させて元来一体の表とし
て見ることには注意を向けられたい。 【００１４】 【表１】 【００１５】 【表２】 【００１６】 上記の表１及び表２中のデータは、Ｃｒｖ（ＰＰ処理）だけの下層のデイスク
に比べて、Ｃｒ／ＣｒＶの下層及びＣｒＶ（ＶＣ処理）／ＣｒＶ（ＰＰ処理）の
組合わせの下層を持つデイスクの方がより高い保磁力及び保磁力の直角度Ｓ＊を
持つていることを示している。加えて、ＬＦＭは、ＣｒＶ（ＰＰ処理）の単一層
のデイスクに比べて、２層構造のいずれのデイスクも減少されている。ＬＦＭの
減少は、Ｃｒ、またはＣｒＶ（ＶＣ処理）の種層の核形成によつてＣｒ合金の結
晶方向が変化した結果である。低い変調方向を維持するために、ＣｒＶ（ＰＰ処
理）層が第１層上にエピタキシヤル成長される。 【００１７】 ＣｒＶ／ＣｒＶ２層構造の下層中の酸素の影響をより良く理解するために、ケ
イ素（Ｓｉ）基板上に形成され、下記の構造を有する薄膜構造がアウガー深さ濃
度プロフイール（Auger depth concentration profile）の対象とされて、２つ
のＣｒ80Ｖ20薄膜中に存在する酸素の量及び配分が決定された。 【００１８】 上述の構造は、５００ÅのＶＣ処理のＣｒ80Ｖ20／５００ÅのＰＰ処理のＣｒ 80 Ｖ20／２００Åの炭素を含む構造である。 【００１９】 この構造の測定結果は、ＶＣ処理による薄膜の中には酸素は検出されなかつた
が、他方、ＰＰ処理による薄膜は１．７原子パーセントの酸素が測定された。加
えて、アウガー式測定は、８つの別個のスパツタ時間の後に行なわれ、そして、
アウガー・サンプリング・ゾーンがＰＰ処理の薄膜の中心から移動し、ＶＣ処理
の薄膜の中心で検出されなくなつたときに、酸素のピーク値が減少したことが示
された。 【００２０】 上述した試料及び実験用のデイスクはＳｉ及びＡｌＭｇ／ＮｉＰの基板上に形
成されたけれども、本発明により改善されたデイスクは、特定の基板に依存せず
、ガラスなどの他の基板を使用しても同じように改善結果が得られることには注
意を払う必要がある。 【００２１】 上述の説明は複数層の下層と磁気層との構造だけに関連しており、他の公知の
デイスクの構造とか、デイスクの製造方法とかに言及していないが、薄膜コバル
ト合金磁気デイスクの製造において、例えば、実質的にアモルフアスの水素化炭
素薄膜を磁気層上にスパツタ被着されたような保護被覆４０（図１）を与えるこ
とは公知である。 【００２２】 【発明の効果】 本発明によれば、保磁力を著しく向上させ、しかも低周波変調を減少させた薄
膜コバルト合金の磁気記録デイスクが与えられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明を適用した磁気記録デイスクの模式的な断面図である。
【図２】
２層構造の下層で構成された２つの薄膜に対して、厚さの関数としての保磁力
を示したグラフである。 【符号の説明】 １０ デイスクの基板 １２ デイスク基体 １４ 基板表薄膜 ２０ 下層 ２２ 第１の薄膜 ２４ 第２の薄膜 ３０ 磁気層 ４０ 保護被覆 ５０ 潤滑剤の層
を示したグラフである。 【符号の説明】 １０ デイスクの基板 １２ デイスク基体 １４ 基板表薄膜 ２０ 下層 ２２ 第１の薄膜 ２４ 第２の薄膜 ３０ 磁気層 ４０ 保護被覆 ５０ 潤滑剤の層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 水平磁気記録用の磁気記録媒体において、 基板と、 上記基板上に形成され、クロムから成る第１の非磁性薄膜と、該第１の非磁性
薄膜上に形成され、クロム−バナジウム合金から成る第２の非磁性薄膜とを含む
、下層と、 上記下層の第２の薄膜上に形成されたコバルト−白金−クロム合金から成る磁
性層とを含む、 磁気記録媒体。 【請求項２】 水平磁気記録用の磁気記録ディスクにおいて、 硬質の基板と、 上記基板上に形成され、酸素原子を殆ど含まないクロム−バナジウム合金から
成る第１の非磁性薄膜と、該第１の非磁性薄膜上に形成され、酸素原子を含むク
ロム−バナジウム合金から成る第２の非磁性薄膜とを含む、下層と、 上記下層の第２の薄膜上に形成されたコバルト−白金−クロム合金から成る磁
性層とを含む、 磁気記録ディスク。 【請求項３】 上記基板はケイ素である、 請求項１記載の磁気記録媒体。 【請求項４】 上記基板は該基板上に形成されたニッケル・アモルフアス面の薄膜を有するア
ルミニウム合金である、 請求項１記載の磁気記録媒体。 【請求項５】 上記磁性層上に形成された保護被覆を含む、 請求項１記載の磁気記録媒体。
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