JPH05766B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH05766B2 JPH05766B2 JP62046945A JP4694587A JPH05766B2 JP H05766 B2 JPH05766 B2 JP H05766B2 JP 62046945 A JP62046945 A JP 62046945A JP 4694587 A JP4694587 A JP 4694587A JP H05766 B2 JPH05766 B2 JP H05766B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- copt
- magnetic
- cobalt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 69
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 14
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims description 10
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 10
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 6
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- AVMBSRQXOWNFTR-UHFFFAOYSA-N cobalt platinum Chemical compound [Pt][Co][Pt] AVMBSRQXOWNFTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 23
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- AXTNPHLCOKUMDY-UHFFFAOYSA-N chromium cobalt Chemical compound [Co][Cr][Co] AXTNPHLCOKUMDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229910002070 thin film alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910020707 Co—Pt Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- NVIVJPRCKQTWLY-UHFFFAOYSA-N cobalt nickel Chemical compound [Co][Ni][Co] NVIVJPRCKQTWLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OQCGPOBCYAOYSD-UHFFFAOYSA-N cobalt palladium Chemical compound [Co].[Co].[Co].[Pd].[Pd] OQCGPOBCYAOYSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- DTJAVSFDAWLDHQ-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Co].[Pt] Chemical compound [Cr].[Co].[Pt] DTJAVSFDAWLDHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 1
- JPNWDVUTVSTKMV-UHFFFAOYSA-N cobalt tungsten Chemical compound [Co].[W] JPNWDVUTVSTKMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/676—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having magnetic layers separated by a nonmagnetic layer, e.g. antiferromagnetic layer, Cu layer or coupling layer
- G11B5/678—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having magnetic layers separated by a nonmagnetic layer, e.g. antiferromagnetic layer, Cu layer or coupling layer having three or more magnetic layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
- Y10S428/9265—Special properties
- Y10S428/928—Magnetic property
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12806—Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ 産業上の利用分野
この発明は薄膜金属合金磁気記録媒体に関する
ものであり、詳細にいえば、垂直磁気記録用の多
層薄膜垂直磁気記録媒体であつて、コバルトおよ
びプラチナを含む合金が層の各々における磁気フ
イルムを形成している媒体に関するものである。
ものであり、詳細にいえば、垂直磁気記録用の多
層薄膜垂直磁気記録媒体であつて、コバルトおよ
びプラチナを含む合金が層の各々における磁気フ
イルムを形成している媒体に関するものである。
Ｂ 従来技術
水平磁気記録に使うことができる公知のコバル
ト・ベースの合金には、コバルト・ニツケル
（CoNi）、ゴバルト・レニウム（CoRe）、コバル
ト・パラジウム（CoPd）およびコバルト・プラ
チナ（CoPt）が含まれる。このような媒体にお
いては、コバルト合金の六方詰込構造（HCP）
の結晶構造が基板上、または中間のアンダレイヤ
に形成されるので、コバルト合金薄膜のＣ軸、す
なわち〔002〕軸は薄膜の面にあるか、あるいは
薄膜の面に成分を有しているかのいずれかであ
る。
ト・ベースの合金には、コバルト・ニツケル
（CoNi）、ゴバルト・レニウム（CoRe）、コバル
ト・パラジウム（CoPd）およびコバルト・プラ
チナ（CoPt）が含まれる。このような媒体にお
いては、コバルト合金の六方詰込構造（HCP）
の結晶構造が基板上、または中間のアンダレイヤ
に形成されるので、コバルト合金薄膜のＣ軸、す
なわち〔002〕軸は薄膜の面にあるか、あるいは
薄膜の面に成分を有しているかのいずれかであ
る。
水平記録用のCoPt薄膜の場合、水平飽和保磁
力（Hc）がプラチナの配合によつて決定される
ものであり、最大Hcがプラチナ約20原子パーセ
ント（at.％）のところで生じることが判明した。
Ｊ・Ａ・アボーフ他（J.A.Aboat etal）「Co−Pt
薄膜の磁気特性および構造（Magnetic
Propetries and Structure of Co−pt Thin
File）」、IEEE磁気学会報、MAG−19、1514
（1984年）およびＭ・キタダ他（M.Kitada et
al）「スパツタCo−Pt薄膜の磁気特性」、日本応
用物理学会報、54(12)、1983年12月、PP.7089−
7094を参照されたい。コバルト・プラチナ薄膜の
水平飽和保磁力（Coercivity）その他の特性が、
オフアー他（Opfer et al）の「薄膜メモリ・デ
イスクの開発（Thin−Film Memory Disc
Development）」、ヒユーレツト・パツカード・
ジヤーナル（Hewlette−packard Journal）、
1985年11月、pp.4−10という記事で報告されてい
る。
力（Hc）がプラチナの配合によつて決定される
ものであり、最大Hcがプラチナ約20原子パーセ
ント（at.％）のところで生じることが判明した。
Ｊ・Ａ・アボーフ他（J.A.Aboat etal）「Co−Pt
薄膜の磁気特性および構造（Magnetic
Propetries and Structure of Co−pt Thin
File）」、IEEE磁気学会報、MAG−19、1514
（1984年）およびＭ・キタダ他（M.Kitada et
al）「スパツタCo−Pt薄膜の磁気特性」、日本応
用物理学会報、54(12)、1983年12月、PP.7089−
7094を参照されたい。コバルト・プラチナ薄膜の
水平飽和保磁力（Coercivity）その他の特性が、
オフアー他（Opfer et al）の「薄膜メモリ・デ
イスクの開発（Thin−Film Memory Disc
Development）」、ヒユーレツト・パツカード・
ジヤーナル（Hewlette−packard Journal）、
1985年11月、pp.4−10という記事で報告されてい
る。
水平記録用のある種の型式のデイスクにおける
CoPt磁気薄膜の飽和保磁力を改善するために、
クロム（Cr）またはクロム合金のアンダレイヤ
を基板とCoPt磁気層の間に形成することができ
る。CoPt薄膜デイスクにCrのアンダレイヤを使
うことは、上述のオフアー他の文献、およびヨー
ロツパ特許出願第145157号に記載されている。
CoPtを始めとするさまざまな型式の磁気層のア
ンダレイヤとしてクロム・コバルト（CrCo）合
金を使うことは、ヨーロツパ特許出願第140513号
で示唆されている。
CoPt磁気薄膜の飽和保磁力を改善するために、
クロム（Cr）またはクロム合金のアンダレイヤ
を基板とCoPt磁気層の間に形成することができ
る。CoPt薄膜デイスクにCrのアンダレイヤを使
うことは、上述のオフアー他の文献、およびヨー
ロツパ特許出願第145157号に記載されている。
CoPtを始めとするさまざまな型式の磁気層のア
ンダレイヤとしてクロム・コバルト（CrCo）合
金を使うことは、ヨーロツパ特許出願第140513号
で示唆されている。
薄膜水平記録媒体と対照的に、垂直磁気記録用
の薄膜合金は典型的な場合、垂直磁気異方性を有
し且つ結晶構造が規則的な単一の磁気層である。
垂直記録用の従来の材料はコバルト・クロム
（CoCr）合金で、これは基板上、または基板に堆
積された中間核生成（nucleating）層上にスパツ
タ堆積され、Ｃ軸が基板に対してほぼ垂直に配合
されたHCP結晶構造を有する薄膜を形成する。
さまざまな基板、チタン（Ti）核生成
（nucleating）層、および単層のCoCr垂直磁気薄
膜で形成された薄膜合金垂直記録媒体の磁気特性
が、コバヤシ他（Kobayashi et al）の「剛性デ
イスク上の高密度垂直磁気記録（High Density
Perpendicular Magnetic Recording on Rigid
Disks）」富士通科学技術報、Vol.19、No.１（1983
年３月）、pp.99−126に記載されている。英国特
許願第2125069号は垂直記録用の薄膜デイスクを
記載しているが、これはプラチナが１乃至5at.％
である単層のコバルト・クロム・プラチナ
（CoCrPt）を使うものである。
の薄膜合金は典型的な場合、垂直磁気異方性を有
し且つ結晶構造が規則的な単一の磁気層である。
垂直記録用の従来の材料はコバルト・クロム
（CoCr）合金で、これは基板上、または基板に堆
積された中間核生成（nucleating）層上にスパツ
タ堆積され、Ｃ軸が基板に対してほぼ垂直に配合
されたHCP結晶構造を有する薄膜を形成する。
さまざまな基板、チタン（Ti）核生成
（nucleating）層、および単層のCoCr垂直磁気薄
膜で形成された薄膜合金垂直記録媒体の磁気特性
が、コバヤシ他（Kobayashi et al）の「剛性デ
イスク上の高密度垂直磁気記録（High Density
Perpendicular Magnetic Recording on Rigid
Disks）」富士通科学技術報、Vol.19、No.１（1983
年３月）、pp.99−126に記載されている。英国特
許願第2125069号は垂直記録用の薄膜デイスクを
記載しているが、これはプラチナが１乃至5at.％
である単層のコバルト・クロム・プラチナ
（CoCrPt）を使うものである。
Ｃ 発明が解決しようとする問題点
この発明の目的は、単一薄膜として使用した場
合に垂直飽和保磁力が磁気記録媒体として機能す
るには不十分の合金を使用して実用可能な垂直磁
気記録媒体を得ることにあある。
合に垂直飽和保磁力が磁気記録媒体として機能す
るには不十分の合金を使用して実用可能な垂直磁
気記録媒体を得ることにあある。
Ｄ 問題点を解決するための手段
この発明による垂直磁気記録媒体は、多層磁気
薄膜構造が適当な基板上に形成される。多層構造
の各層は、実質的に六方詰込構造（HCP）であ
るチタン（Ti）またはコバルトとタングステン
との金属間化合物（Co3CW）の核生成薄膜、お
よびHCP構造のプラチナPtおよびコバルト
（Co）の合金から成る磁気薄膜を含んでいる。層
の各々の磁気薄膜は垂直磁気異方性を確実に有す
るように所定の厚さよりも薄く、なつている。単
一の層の垂直飽和保磁力（perpendicular
coercivity）は垂直記録に適切な媒体をもたらす
のに不十分なものであるが、Ｃ軸が薄膜面に垂直
に配向されている磁気薄膜を各層が含んでいる多
層薄膜構造は、十分な飽和保磁力その他の磁気特
性を有する媒体をもたらす。
薄膜構造が適当な基板上に形成される。多層構造
の各層は、実質的に六方詰込構造（HCP）であ
るチタン（Ti）またはコバルトとタングステン
との金属間化合物（Co3CW）の核生成薄膜、お
よびHCP構造のプラチナPtおよびコバルト
（Co）の合金から成る磁気薄膜を含んでいる。層
の各々の磁気薄膜は垂直磁気異方性を確実に有す
るように所定の厚さよりも薄く、なつている。単
一の層の垂直飽和保磁力（perpendicular
coercivity）は垂直記録に適切な媒体をもたらす
のに不十分なものであるが、Ｃ軸が薄膜面に垂直
に配向されている磁気薄膜を各層が含んでいる多
層薄膜構造は、十分な飽和保磁力その他の磁気特
性を有する媒体をもたらす。
一実施例において、多層構造は少なくとも３つ
の層を有しており、各層は厚さ150オングストロ
ームの金属間コバルト・タングステン化合物
Co3Wの核生成（nucleating）薄膜と厚さ250オン
グストロームのCoPt磁気薄膜とを含んでいる。
の層を有しており、各層は厚さ150オングストロ
ームの金属間コバルト・タングステン化合物
Co3Wの核生成（nucleating）薄膜と厚さ250オン
グストロームのCoPt磁気薄膜とを含んでいる。
Ｅ 実施例
水平記録用のコバルト・プラチナCoPtの薄膜
は典型的な場合、基板とCoPt磁気層との間に形
成された核生成アンダレヤ上に堆積される。この
ような磁気薄膜構造において、核生成層はCoPt
磁気層のHCP結晶成長を高め、これはＣ軸の成
分が薄膜の面内にあるCoPt薄膜をもたらす。こ
のようなCoPtフイルムの水平飽和保磁力は堆積
温度、アンダレイヤの種類およびCoPt薄膜の厚
さの関数である。第２図のグラフはプラチナが
10at.％のCoPt薄膜（Co90Pt10）の水平飽和保磁
力の間の一般的な関係をCoPt薄膜の厚さの関数
として現したものである。第２図に示したデータ
は薄膜デイスクに関するものであり、このデイス
クにおいて、基板は単結晶半導体グレードのシリ
コンであり、アンダレイヤはコバルトが20at.％
で、厚さが3700オングストロームのクロム・コバ
ルト（Cr80Co20）の薄膜である。Cr80Co20アンダ
レイヤとCo90Pt10磁気層の堆積は、２×10-3トー
ルTorrのアルゴン圧力および約145乃至155℃の
基板温度でDCマグネトロ・スパツタ堆積によつ
て行なわれる。このようなデイスクのＸ線回析の
分析は、CoPt薄膜の１１０面およびCrCoアンダ
レイヤの２００面に対応した反射ピークを示し、
これによつてこのようなデイスクにおけるHCP
のCoPt薄膜のＣ軸の強い面内配向が確認される。
この発明による多層垂直記録媒体の開発過程の一
部として、先ず、厚さ250オングストロームの
Co90Pt10薄膜を、シリコン基板上の厚さ150オン
グストロームのチタンTi薄膜上に形成すること
によつて単層構造が作り出された。薄膜は160℃
の基板堆積温度および２×10-3トールのアルゴン
圧力下でのDCマグネトロン・スパツタリングに
よつて形成された。この薄膜のＸ線回析の分析を
第３図に示す。２〓＝37.9゜にあるピークはTiフ
イルムの００２面からの反射に対応し、２〓＝
43.6゜にあるピークはCoPtフイルムの００２面か
らの反射に対応している。それ故、第３図は厚さ
250オングストロームのCoPt薄膜を、HCPのTi
薄膜上に形成した場合、HCPのCoPt薄膜のＣ軸
の好ましい配向が薄膜の面に対して垂直であるこ
とを確認するものである。第３図で測定した薄膜
および低い基板堆積温度で形成されたその他２つ
の同一の薄膜の水平飽和保磁力を、第４図に示
す。第４図に示す水平飽和保磁力のきわめて低い
値は、Ti薄膜と厚さ250オングストロームの
Co90Pt10磁気薄膜からなるＣ軸の垂直な好ましい
配向構造の垂直磁気異方性を確認するものであ
る。堆積温度が増加すると（第４図）、面内飽和
保磁力は増加する。すなわち、垂直磁気異方性が
減少する。Si／1500ÅTi／250ÅのCo90Pt10とい
う構造のＭ−Ｈループの測定は、約200乃至3000e
の垂直飽和保磁力を示す。それ故、Ti核生成薄
膜は垂直Ｃ軸配向（第３図）と、薄い（約250オ
ングストローム以下の）Co90Pt10薄膜における垂
直磁気異方性を維持できる。
は典型的な場合、基板とCoPt磁気層との間に形
成された核生成アンダレヤ上に堆積される。この
ような磁気薄膜構造において、核生成層はCoPt
磁気層のHCP結晶成長を高め、これはＣ軸の成
分が薄膜の面内にあるCoPt薄膜をもたらす。こ
のようなCoPtフイルムの水平飽和保磁力は堆積
温度、アンダレイヤの種類およびCoPt薄膜の厚
さの関数である。第２図のグラフはプラチナが
10at.％のCoPt薄膜（Co90Pt10）の水平飽和保磁
力の間の一般的な関係をCoPt薄膜の厚さの関数
として現したものである。第２図に示したデータ
は薄膜デイスクに関するものであり、このデイス
クにおいて、基板は単結晶半導体グレードのシリ
コンであり、アンダレイヤはコバルトが20at.％
で、厚さが3700オングストロームのクロム・コバ
ルト（Cr80Co20）の薄膜である。Cr80Co20アンダ
レイヤとCo90Pt10磁気層の堆積は、２×10-3トー
ルTorrのアルゴン圧力および約145乃至155℃の
基板温度でDCマグネトロ・スパツタ堆積によつ
て行なわれる。このようなデイスクのＸ線回析の
分析は、CoPt薄膜の１１０面およびCrCoアンダ
レイヤの２００面に対応した反射ピークを示し、
これによつてこのようなデイスクにおけるHCP
のCoPt薄膜のＣ軸の強い面内配向が確認される。
この発明による多層垂直記録媒体の開発過程の一
部として、先ず、厚さ250オングストロームの
Co90Pt10薄膜を、シリコン基板上の厚さ150オン
グストロームのチタンTi薄膜上に形成すること
によつて単層構造が作り出された。薄膜は160℃
の基板堆積温度および２×10-3トールのアルゴン
圧力下でのDCマグネトロン・スパツタリングに
よつて形成された。この薄膜のＸ線回析の分析を
第３図に示す。２〓＝37.9゜にあるピークはTiフ
イルムの００２面からの反射に対応し、２〓＝
43.6゜にあるピークはCoPtフイルムの００２面か
らの反射に対応している。それ故、第３図は厚さ
250オングストロームのCoPt薄膜を、HCPのTi
薄膜上に形成した場合、HCPのCoPt薄膜のＣ軸
の好ましい配向が薄膜の面に対して垂直であるこ
とを確認するものである。第３図で測定した薄膜
および低い基板堆積温度で形成されたその他２つ
の同一の薄膜の水平飽和保磁力を、第４図に示
す。第４図に示す水平飽和保磁力のきわめて低い
値は、Ti薄膜と厚さ250オングストロームの
Co90Pt10磁気薄膜からなるＣ軸の垂直な好ましい
配向構造の垂直磁気異方性を確認するものであ
る。堆積温度が増加すると（第４図）、面内飽和
保磁力は増加する。すなわち、垂直磁気異方性が
減少する。Si／1500ÅTi／250ÅのCo90Pt10とい
う構造のＭ−Ｈループの測定は、約200乃至3000e
の垂直飽和保磁力を示す。それ故、Ti核生成薄
膜は垂直Ｃ軸配向（第３図）と、薄い（約250オ
ングストローム以下の）Co90Pt10薄膜における垂
直磁気異方性を維持できる。
厚さ250オングストロームのCoPt薄膜はまた、
コバルトおよびタングステンの金属間化合物
Co3Wを含む他のHCP核生成薄膜上にスパツタ堆
積された。垂直記録媒体用の核生成薄膜として
Co3Wを使うことは、1985年10月28日に出願さ
れ、本願と同じ譲受人に譲渡された米国特許第
4657824号に記載されている。
コバルトおよびタングステンの金属間化合物
Co3Wを含む他のHCP核生成薄膜上にスパツタ堆
積された。垂直記録媒体用の核生成薄膜として
Co3Wを使うことは、1985年10月28日に出願さ
れ、本願と同じ譲受人に譲渡された米国特許第
4657824号に記載されている。
HCP核生成薄膜上に形成されたCoPt薄膜の場
合に、CoPt薄膜の厚さが約250オングストローム
より大きくなると、HCP CoPt薄膜のＣ軸の好
ましい配向が薄膜面に垂直ではなくなることが判
明した。CoPt薄膜の厚さが増加し、かつ面内に
Ｃ軸の成分が発生すると、薄膜は水平磁気異方性
を有するようになる。しかしながら、HCP薄膜
上に形成されるCoPt薄膜の厚さが約250オングス
トローム未満に維持されると、このような単一薄
膜の垂直飽和保磁力が記録媒体として機能するに
不十分なものであつても、Ｃ軸の好ましい配向は
面に垂直となる。
合に、CoPt薄膜の厚さが約250オングストローム
より大きくなると、HCP CoPt薄膜のＣ軸の好
ましい配向が薄膜面に垂直ではなくなることが判
明した。CoPt薄膜の厚さが増加し、かつ面内に
Ｃ軸の成分が発生すると、薄膜は水平磁気異方性
を有するようになる。しかしながら、HCP薄膜
上に形成されるCoPt薄膜の厚さが約250オングス
トローム未満に維持されると、このような単一薄
膜の垂直飽和保磁力が記録媒体として機能するに
不十分なものであつても、Ｃ軸の好ましい配向は
面に垂直となる。
この発明に従つて、構造内の各層が厚さ150オ
ングストロームのCo3W薄膜と厚さ250オングス
トロームのCo90Pt10薄膜とを含む積層すなわち多
層磁気薄膜構造が形成された。この多層薄膜構造
において、垂直飽和保磁力は、単一層におけるも
のよりも実質的に大きくなる。この発明による３
層構造の断面図を、第１図に示す。第５図は第１
図に示す３層構造のＢ−Ｈループを示す。垂直飽
和保磁力は700エルステツドOeであり、これは単
一のHCP核生成フイルム上に形成された単一の
CoPt薄膜の飽和保磁力、たとえば厚さ150オング
ストロームのTi薄膜上に形成された厚さ250オン
グストロームのCo90Pt10薄膜の200乃至3000eより
もかなり高いものである。
ングストロームのCo3W薄膜と厚さ250オングス
トロームのCo90Pt10薄膜とを含む積層すなわち多
層磁気薄膜構造が形成された。この多層薄膜構造
において、垂直飽和保磁力は、単一層におけるも
のよりも実質的に大きくなる。この発明による３
層構造の断面図を、第１図に示す。第５図は第１
図に示す３層構造のＢ−Ｈループを示す。垂直飽
和保磁力は700エルステツドOeであり、これは単
一のHCP核生成フイルム上に形成された単一の
CoPt薄膜の飽和保磁力、たとえば厚さ150オング
ストロームのTi薄膜上に形成された厚さ250オン
グストロームのCo90Pt10薄膜の200乃至3000eより
もかなり高いものである。
それ故CoPt薄膜と配向性が高いHCP核生成薄
膜とが交互に堆積された積層すなわち多層構造
は、垂直磁気記録に適する媒体をもたらす。積層
構造の層の数、各層の厚さおよび堆積温度を変更
し、垂直記録性能を最適化することができる。
膜とが交互に堆積された積層すなわち多層構造
は、垂直磁気記録に適する媒体をもたらす。積層
構造の層の数、各層の厚さおよび堆積温度を変更
し、垂直記録性能を最適化することができる。
たとえば、この構造の垂直および面内飽和保磁
力を、核生成薄膜とCoPt薄膜の厚さを換えるこ
とによつて調整可能である。
力を、核生成薄膜とCoPt薄膜の厚さを換えるこ
とによつて調整可能である。
可撓性デイスク用などの媒体の同一側面に磁極
ヘツドを使用することが望ましい垂直記録媒体の
用途においては、基板と多層フイルム構造との間
のアンダレイヤが磁束のリターン・パスを媒体中
にもたらすことが必要である。このための従来の
アンダレイヤはニツケル−鉄（NiFe）の層であ
る。
ヘツドを使用することが望ましい垂直記録媒体の
用途においては、基板と多層フイルム構造との間
のアンダレイヤが磁束のリターン・パスを媒体中
にもたらすことが必要である。このための従来の
アンダレイヤはニツケル−鉄（NiFe）の層であ
る。
上述したところおよび図面は垂直記録媒体の一
部を形成するこの発明の構造のみに関するもので
あつて、媒体の従来公知の部分および媒体製造方
法に関するものではない。たとえば、薄膜合金デ
イスクを製造する場合、スパツタされたカーボン
薄膜などの保護膜を、磁気薄膜上に設けるか、あ
るいは場合によつては、スパツタされたチタン薄
膜どの接着層を保護膜と磁気薄膜の間に設けるこ
とが知られている。この発明において、接着層と
保護膜とは多層薄膜構造の最上層上に形成され
る。
部を形成するこの発明の構造のみに関するもので
あつて、媒体の従来公知の部分および媒体製造方
法に関するものではない。たとえば、薄膜合金デ
イスクを製造する場合、スパツタされたカーボン
薄膜などの保護膜を、磁気薄膜上に設けるか、あ
るいは場合によつては、スパツタされたチタン薄
膜どの接着層を保護膜と磁気薄膜の間に設けるこ
とが知られている。この発明において、接着層と
保護膜とは多層薄膜構造の最上層上に形成され
る。
Ｆ 発明の効果
この発明によればば、単一薄膜として使用した
場合に垂直飽和保磁力が磁気記録媒体として機能
するには不十分の合金を使用して実用可能な垂直
磁気記録媒体を得ることができる。
場合に垂直飽和保磁力が磁気記録媒体として機能
するには不十分の合金を使用して実用可能な垂直
磁気記録媒体を得ることができる。
第１図は、この発明による実施例に使用される
三層薄膜構造を示す断面図である。第２図は、
CrCo核生成薄膜上のCoPt薄膜の水平飽和保磁力
を、CoPtフイルムの厚さの関数として示したグ
ラフである。第３図は、厚さ150オングストロー
ムのTi核生成薄膜上に形成された厚さ250オング
ストロームのCoPt薄膜に対するＸ線回折曲線を
示すグラフである。第４図は、厚さ150オングス
トロームのTi核生成薄膜上の厚さ250オングスト
ロームのCoPtフイルムの水平（面内）飽和保磁
力を、基板堆積温度の関数として示したグラフで
ある。第５図は、第１図に示した３層薄膜構造の
Ｂ−Ｈを示すグラフである。
三層薄膜構造を示す断面図である。第２図は、
CrCo核生成薄膜上のCoPt薄膜の水平飽和保磁力
を、CoPtフイルムの厚さの関数として示したグ
ラフである。第３図は、厚さ150オングストロー
ムのTi核生成薄膜上に形成された厚さ250オング
ストロームのCoPt薄膜に対するＸ線回折曲線を
示すグラフである。第４図は、厚さ150オングス
トロームのTi核生成薄膜上の厚さ250オングスト
ロームのCoPtフイルムの水平（面内）飽和保磁
力を、基板堆積温度の関数として示したグラフで
ある。第５図は、第１図に示した３層薄膜構造の
Ｂ−Ｈを示すグラフである。
Claims (1)
- １ 基板上に、チタンまたはCo3Wで表される金
属間化合物のいずれか一方からなる核生成薄膜
と、白金およびコバルトの合金からなり垂直磁気
異方性を有す稠密六方構造の結晶構造を有する磁
気薄膜とを，交互に２層以上積層してなる垂直磁
気記録媒体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US857206 | 1986-04-29 | ||
| US06/857,206 US4749628A (en) | 1986-04-29 | 1986-04-29 | Multilayered vertical magnetic recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62257616A JPS62257616A (ja) | 1987-11-10 |
| JPH05766B2 true JPH05766B2 (ja) | 1993-01-06 |
Family
ID=25325449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62046945A Granted JPS62257616A (ja) | 1986-04-29 | 1987-03-03 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4749628A (ja) |
| EP (1) | EP0243860B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62257616A (ja) |
| CA (1) | CA1269895A (ja) |
| DE (1) | DE3780347T2 (ja) |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5063120A (en) * | 1988-02-25 | 1991-11-05 | International Business Machines Corporation | Thin film magentic media |
| US4902583A (en) * | 1989-03-06 | 1990-02-20 | Brucker Charles F | Thick deposited cobalt platinum magnetic film and method of fabrication thereof |
| US5051288A (en) * | 1989-03-16 | 1991-09-24 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetic recording disk comprising alternating layers of a CoNi or CoPt alloy and a non-magnetic spacer layer |
| JP2763165B2 (ja) * | 1989-07-10 | 1998-06-11 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US5021300A (en) * | 1989-09-05 | 1991-06-04 | Raytheon Company | Solder back contact |
| JPH03165315A (ja) * | 1989-11-24 | 1991-07-17 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US5106703A (en) * | 1989-11-27 | 1992-04-21 | Carcia Peter F | Platinum/cobalt multilayer film for magneto-optical recording |
| JPH05342553A (ja) * | 1992-06-05 | 1993-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US5587235A (en) * | 1993-02-19 | 1996-12-24 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic recording apparatus |
| US5792564A (en) * | 1993-03-10 | 1998-08-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Perpendicular recording medium and magnetic recording apparatus |
| JP2912154B2 (ja) * | 1994-03-24 | 1999-06-28 | シャープ株式会社 | 磁気光学記録媒体およびその製造方法 |
| JPH08147665A (ja) * | 1994-11-11 | 1996-06-07 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体及びこれを用いた磁気記憶装置 |
| US5759681A (en) * | 1995-02-03 | 1998-06-02 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic recording system using the same |
| US5750270A (en) * | 1995-02-07 | 1998-05-12 | Conner Peripherals, Inc. | Multi-layer magnetic recording media |
| US5772857A (en) * | 1995-11-21 | 1998-06-30 | Seagate Technology, Inc. | Method of manufacturing CoCrTa/CoCrTaPt bi-layer magnetic thin films |
| US5968679A (en) * | 1995-11-28 | 1999-10-19 | Hoya Corporation | Magnetic recording medium and method of manufacturing the same |
| JP3805018B2 (ja) * | 1996-04-26 | 2006-08-02 | 富士通株式会社 | 磁気記録媒体及び磁気ディスク装置 |
| US6077586A (en) * | 1997-07-15 | 2000-06-20 | International Business Machines Corporation | Laminated thin film disk for longitudinal recording |
| US6022832A (en) | 1997-09-23 | 2000-02-08 | American Superconductor Corporation | Low vacuum vapor process for producing superconductor articles with epitaxial layers |
| US6027564A (en) * | 1997-09-23 | 2000-02-22 | American Superconductor Corporation | Low vacuum vapor process for producing epitaxial layers |
| US6458223B1 (en) | 1997-10-01 | 2002-10-01 | American Superconductor Corporation | Alloy materials |
| US6428635B1 (en) | 1997-10-01 | 2002-08-06 | American Superconductor Corporation | Substrates for superconductors |
| US6143388A (en) * | 1997-11-24 | 2000-11-07 | International Business Machines Corporation | Thin film disk with onset layer |
| US6475311B1 (en) | 1999-03-31 | 2002-11-05 | American Superconductor Corporation | Alloy materials |
| JP3220116B2 (ja) * | 1999-07-06 | 2001-10-22 | 株式会社日立製作所 | 垂直磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
| US6881503B2 (en) * | 2002-06-28 | 2005-04-19 | Seagate Technology Llc | Perpendicular magnetic recording media with laminated magnetic layer structure |
| JP2005302109A (ja) * | 2004-04-09 | 2005-10-27 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 多層膜垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| US20080144213A1 (en) * | 2006-12-15 | 2008-06-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording medium with laminated magnetic layers separated by a ferromagnetic interlayer for intergranular exchange-coupling enhancement |
| US7587020B2 (en) * | 2007-04-25 | 2009-09-08 | International Business Machines Corporation | High performance, low power, dynamically latched up/down counter |
| DE102007023604A1 (de) | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Mennenga, Heyo, Dr.-Ing. | Vorrichtung zum Reinigen und Massieren des Rückens |
| KR102451098B1 (ko) | 2015-09-23 | 2022-10-05 | 삼성전자주식회사 | 자기 메모리 장치 및 이의 제조 방법 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54145505A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS59142739A (ja) * | 1983-02-03 | 1984-08-16 | Seiko Epson Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS6246946A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-28 | ヘミ−・リンツ・アクチエンゲゼルシヤフト | 水溶性のナフタリンスルホン酸―ホルムアルデヒド縮合生成物の塩を無機結合剤の混和剤として使用する方法 |
| JPS62128019A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-10 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3350180A (en) * | 1967-10-31 | Magnetic device with alternating lami- na of magnetic material and non-mag- netic metal on a substrate | ||
| FR1438563A (fr) * | 1965-04-02 | 1966-05-13 | Bull General Electric | Perfectionnements aux lames ou couches ferromagnétiques couplées |
| US3479156A (en) * | 1966-10-20 | 1969-11-18 | Burton Silverplating Co | Multilayer magnetic coating |
| FR1511664A (fr) * | 1966-12-23 | 1968-02-02 | Commissariat Energie Atomique | Couches minces à fort champ coercitif |
| US3516076A (en) * | 1967-03-29 | 1970-06-02 | Siemens Ag | Memory element employing stacked magnetic layers |
| US3595630A (en) * | 1969-03-10 | 1971-07-27 | Thin Film Inc | Magnetic storage medium |
| US4277809A (en) * | 1979-09-26 | 1981-07-07 | Memorex Corporation | Apparatus for recording magnetic impulses perpendicular to the surface of a recording medium |
| JPS57149706A (en) * | 1981-03-12 | 1982-09-16 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
| US4438066A (en) * | 1981-06-30 | 1984-03-20 | International Business Machines Corporation | Zero to low magnetostriction, high coercivity, polycrystalline, Co-Pt magnetic recording media |
| NL8202596A (nl) * | 1982-06-28 | 1984-01-16 | Philips Nv | Magnetisch registratiemedium. |
| JPS5930230A (ja) * | 1982-08-12 | 1984-02-17 | Sony Corp | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
| JPS59151335A (ja) * | 1982-12-23 | 1984-08-29 | Toshiba Corp | 磁気デイスク基体 |
| JPH061729B2 (ja) * | 1983-01-17 | 1994-01-05 | 株式会社日立製作所 | 磁性体膜およびそれを用いた磁気ヘッド |
| JPS59177726A (ja) * | 1983-03-28 | 1984-10-08 | Toshiba Corp | 垂直磁気デイスク記録媒体 |
| EP0140513A1 (en) * | 1983-08-24 | 1985-05-08 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetic recording structures |
| JP2539349B2 (ja) * | 1983-10-14 | 1996-10-02 | 株式会社日立製作所 | 垂直磁気記録媒体 |
| US4610911A (en) * | 1983-11-03 | 1986-09-09 | Hewlett-Packard Company | Thin film magnetic recording media |
| US4587176A (en) * | 1985-01-14 | 1986-05-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Layered coherent structures for magnetic recording |
| US4632883A (en) * | 1985-04-22 | 1986-12-30 | International Business Machines Corporation | Vertical recording medium with improved perpendicular magnetic anisotropy due to influence of beta-tantalum underlayer |
| US4677032A (en) * | 1985-09-23 | 1987-06-30 | International Business Machines Corporation | Vertical magnetic recording media with multilayered magnetic film structure |
| US4657824A (en) * | 1985-10-28 | 1987-04-14 | International Business Machines Corporation | Vertical magnetic recording medium with an intermetallic compound nucleating layer |
-
1986
- 1986-04-29 US US06/857,206 patent/US4749628A/en not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-03-03 JP JP62046945A patent/JPS62257616A/ja active Granted
- 1987-03-13 CA CA000532016A patent/CA1269895A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-04-22 EP EP87105875A patent/EP0243860B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-04-22 DE DE8787105875T patent/DE3780347T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54145505A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS59142739A (ja) * | 1983-02-03 | 1984-08-16 | Seiko Epson Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS6246946A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-28 | ヘミ−・リンツ・アクチエンゲゼルシヤフト | 水溶性のナフタリンスルホン酸―ホルムアルデヒド縮合生成物の塩を無機結合剤の混和剤として使用する方法 |
| JPS62128019A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-10 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3780347D1 (de) | 1992-08-20 |
| CA1269895A (en) | 1990-06-05 |
| EP0243860B1 (en) | 1992-07-15 |
| EP0243860A3 (en) | 1989-10-11 |
| DE3780347T2 (de) | 1993-03-04 |
| JPS62257616A (ja) | 1987-11-10 |
| US4749628A (en) | 1988-06-07 |
| EP0243860A2 (en) | 1987-11-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05766B2 (ja) | ||
| US4652499A (en) | Magnetic recording medium with a chromium alloy underlayer and a cobalt-based magnetic layer | |
| US4789598A (en) | Thin film medium for horizontal magnetic recording having an improved cobalt-based alloy magnetic layer | |
| US6594100B2 (en) | Method for recording magnetic transitions on recording layer having antiferromagnetically coupled ferromagnetic films | |
| EP1305796B1 (en) | Laminated magnetic recording media | |
| US7235314B2 (en) | Inter layers for perpendicular recording media | |
| US6567236B1 (en) | Antiferromagnetically coupled thin films for magnetic recording | |
| US6383668B1 (en) | Magnetic recording media with antiferromagnetically coupled host layer for the magnetic recording layer | |
| EP1309969B1 (en) | Antiferromagnetically coupled magnetic recording media | |
| US5180640A (en) | Magnetic recording medium comprising a magnetic alloy layer of cobalt nickel, platinum and chromium formed directly on a nickel alloy amorphous underlayer | |
| JPH0414411B2 (ja) | ||
| JP2000113441A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| US7976964B2 (en) | Disk drive with laminated magnetic thin films with sublayers for magnetic recording | |
| JPH07118417B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2539349B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| US6872478B2 (en) | Magnetic thin film media with a pre-seed layer of CrTiAl | |
| US7419730B2 (en) | Magnetic recording disk with antiferromagnetically coupled master layer including copper | |
| JP3222141B2 (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
| US6835476B2 (en) | Antiferromagnetically coupled magnetic recording media with CoCrFe alloy first ferromagnetic film | |
| JPH09265619A (ja) | 磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記憶装置 | |
| JP2559984B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2000123345A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気ディスク装置 | |
| Kong et al. | [Fe-Co/Si]/sub n/multilayers with high saturation magnetization for backlayer of perpendicular magnetic recording media |