JPS5930230A - 金属薄膜型磁気記録媒体 - Google Patents

金属薄膜型磁気記録媒体

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JPS5930230A
JPS5930230A JP57140248A JP14024882A JPS5930230A JP S5930230 A JPS5930230 A JP S5930230A JP 57140248 A JP57140248 A JP 57140248A JP 14024882 A JP14024882 A JP 14024882A JP S5930230 A JPS5930230 A JP S5930230A
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Kenji Yazawa
健児 矢沢
Kenichi Baba
馬場 賢一
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、金属薄膜型磁気記録媒体、特にその金属薄膜
磁性層が多層構造を有する金属薄膜型磁気記録媒体に係
る。
背景技術とその問題点 金属薄膜型磁気記録媒体におけるその金属薄膜磁性層は
、これにバインダーが混入されていないことから充填密
度の向上を図ることができ、高密度、記録に好適で脚光
を浴びるに至っている。
この種金属薄膜磁性層として、コバル)Co、或い−は
コパル) Co−ニッケルN1等の磁性金属を斜め蒸着
して形成するとき、これに高い抗磁力が得られる仁とが
知られている。しかしながらこの場合、蒸着方向を被蒸
着面に対して40°〜80°に傾ける必要があることか
ら蒸着効率が低く生産性に問題がある。
しかしながらこのような斜め蒸着によらずに高い抗磁力
を有する磁性層を形成することは容易ではなく、例えば
結晶磁気異方性が大きく高抗磁力が得られると期待され
るCoを単に蒸着してもその抗磁力は1000s (エ
ルステッド)以下であシ、磁気記録媒体としては不適当
である。
これに対し、本出願人は先に非磁性支持体上に不連続に
ビスマスBiを蒸着し、これの上に金属磁性層例えばC
oを蒸着することによって高抗磁力の磁性層を得ること
ができるようにした磁気記録媒体を提案した。
更に本出願人は、非磁性支持体の構成材料に依存するこ
となく高抗磁力の金属磁性層を形成することができるも
のとして、非磁性支持体上にシリコンStまたはStの
化合物の非晶質連続膜を形成し、これの上にBiを不連
続の島状に蒸着し、これの上に例えばCoの蒸着膜によ
る金属磁性層を構成するようにした磁気記録媒体を提供
した。
一方、磁気記録媒体においてその磁性層を複数積層する
多層構造の磁気記録媒体を構成することが考えられてい
る。とのような複数の磁性層の積層構造による磁気記録
媒体に上述した技術を採シ入れる場合、例えば第1図に
示すように非磁性支持体(1)上にBlを不連続の島状
に蒸着し、これの上にCo若しくはCo−Niの第1の
金属磁性層(3)を蒸着し、これの上に同様にBlの層
(4)を蒸着して、これを介してCo若しくはCo−N
1等よりなる第2の金属磁性層(5)を形成することが
考えられる。ところがこのような構成による場合、実際
上第2の磁性層(5)において高い抗磁力が得られない
。これは、この第2の磁性層(5)の下地層となるB1
層(4)が下層の金属磁性層(3)とのなじみがよいた
めにこの81’k H着するときこれが不連続な島状と
ならずに連続薄膜層として蒸着されてしまい、これの上
忙形成された第2の金属磁性層(5)に高い抗磁力が得
られなくなってしまうものと思われる。
これに比し、例えば第2図に示すように第1の金属磁性
層(3)上に81またはB1化合物の中間層(6)を被
着し、これの上にB1層(4)を蒸着したものにおいて
は、この別層(4)を確実に不連続な島状層上して形成
できるので、これの上に第2の金属磁性層(5)全蒸着
した場合、この第2の金属磁性層(5) においても高
い抗磁力を得ることができる。
また、或いは第3図に示すように、非磁性体(1)上に
SiまたはSi化合物よシなる下地層(7)を被着し、
これの上にB1層(2)を蒸着するようにしたものにお
いては、非磁性体(1)の材料の依存性を改善でき、こ
の支持体(1)として廉価な例えばプリエチレンテレフ
タレートフィルムを使用し得るという利点を有する。
しかしながらこれら第2図及び第3図に示す構成による
場合のように、第1及び第2の磁性層(3)及び(5)
間に、非磁性の中間層(6)が介在することは、磁気記
録媒体全体としての磁束密度Brを低下するという欠点
を招来する。
発明の目的 本発明においては、上述した諸問題を解消することがで
きるようにした金属薄膜型磁気記録媒体を提供するもの
である。
発明の概要 本発明においては、第4図に示すように非磁性支持体α
力上にsiまだはSi化合物の連続層α力を介して或い
は介することなく、例えば蒸着によって不連続な島状の
第1の非磁性金属層a1を被着し、これの上に連続層と
しての磁性金属層よりなる第1の磁性層0→を蒸着する
。そしてその表面を例えば酸化処理してこの表面に極く
薄くこの第1の磁性金属自体の化合物、例えば酸化物被
膜層α0を形成する。そしてこれの上に例えば蒸着によ
って不連続な島状の例えば第1の非磁性金属層と同一材
料よシなる第2の非磁性金属層(1すを被着形成し、こ
れの上に例えば第1の磁性層と同一の磁性金属Ω連続層
よシなる第2の磁性層αのを蒸着する。
第1及び第2の不連続な島状の非磁性金属層0及びα力
は、夫々Biを初めとしてその他Sb 、 Ttまたは
Ss I Cd # In e Sn * Te a 
Pb t Poまたはそれらの合金を用い得る。これら
の材料は、蒸着条件を選定することによシ非磁性支持体
0■上に不連続な島状の層として形成することができる
が、これらの金属元素中でも特にBlを用いた場合は、
これの上に磁性金属層04及びα力を蒸着したときにそ
の蒸着層の抗磁力Heが顕著に大きくすることができる
ことが認められた。しだがってこのような不連続島状の
非磁性金属層α→及びα力としては、BSを用いるとと
が望ましい。またこの非−磁性層α]及びa→の厚さは
、その平均膜厚が10〜100OX (Ittl/cm
2〜100μ、!i’ /cm” )、好ましくは10
0〜1000^に選ばれる。
尚、この非磁性層01及び0Qの蒸着における基板温度
すなわち非磁性支持体(1)の温度は、絶対温度におい
てこの非磁性材の金属すなわちB1の融点の2/3以上
、且つその融点以下で行うのが好ましい。
勿論この場合非磁性支持体(1)の耐熱性が考慮される
ことは言うまでもない。
まだ、第1及び第2の磁性、:a4及びα力は、co単
体或いはCo合金の例えばNiを40重量%以下含有し
たCo−Ni合金の蒸着膜によって形成することが好ま
しい。そしてとの膜厚は、100〜10001.好まし
くは250〜500Xに選ばれる。すなわち、これは、
この磁性層α→及び(1′f)の厚さは、これがあまシ
薄いと充分な磁束密度が得られなくなシ、また厚すぎる
と抗磁力He更に角型比が充分に得られなくなることを
認めたことによる。
また、第1の磁性層(14の表面に形成する化合物層a
→としては、第2の非磁性層θQとの”ぬれ”を低下し
得る材料であって、充分薄く形成し得ることから第1の
金属層04の表面自体を酸化させた酸化物層であること
が望まれる。まだこの酸化物層の、その厚さは、10〜
100Xに選定されることが望ましいが、その他窒化物
或いは炭化物の形成も考えられる。またこの化合物層α
→を磁性層04の酸化物層によって形成する場合は、磁
性層a4の蒸着膜にその蒸着真空層中に酸素ガスを導入
して直流、交流、若しくは高周波プラズマ中で酸化する
ことKよって形成し得るものであり、この酸化物層の厚
さは供給酸素ガスの分圧或いは印加電圧強度、電極形状
、電極間距離、電界印加時間等によって選定することが
できる。
非磁性支持体(1)としては、ポリエステル、ポリイミ
ド、ポリエチレンテレフタレート等の高分子フィルムを
初めとしてセラミック或いはガラス若しくは表面を酸化
した金属膜等を使用し得る。
実施例 実施例1 ポリイミド非磁性支持体(1)上に基板温度すなわち支
持体(1)の温度150℃でBiを不連続島状に平均厚
さ50Xに蒸着し、続いて2096Ni −Co磁性層
α4を300Xの厚さに順次蒸着し、その後真空層内に
02ガスを導入して槽内圧力を0.06Torrになし
て、直流1 kV 、 120mAの電圧電流で1分間
ボンバードし、磁性層αaの表面を酸化した。
次に同様に基板温度150℃でBiを同様に平均厚さ5
01に不連続島状に蒸着して第2の非磁性層σeを形成
し、これの上に同様K 20XNi−Coを300 X
の厚さに蒸着して@2の磁性層aηを形成し、同様に酸
素ガスの導入を行って内圧0.06Torrとし、直流
1 kV 、 120mAで1分間のボンバードを行っ
て磁性層α力の表面に酸化被膜を形成した。
このようにして得た磁気記録媒体の磁気特性は、抗磁力
Heが8600@l 、角型比R8が82.6、磁束密
度Brがl100OG (ガウス)であった。
尚、このようにして得た磁気記録媒体における磁性層表
面の化合物層の厚さは、約401であるとして算出され
た。この算出は02ガス中でボンバードによって形成さ
れる酸化層膜厚を調べるために、02ガス中ボンバード
によらずに順次50Xの厚さのBl 、 300Xの厚
さのNi−Co 、 50XのBr 、 300Xの2
0%N1−Co層を順次蒸着した膜において、その磁化
を撮動試料型磁束計(VSM)で測定し、更にボンバー
ドした膜の磁化も同様に測定し磁化の減少から酸化膜の
厚さの算出結果である。
比較例1 実施例1と同様に基板温度150℃において、ポリイミ
ドよシなる非磁性支持体(1)上に、Slを200X1
Bl @ 50X、 20%Ni−Coを300X、更
にそれの上にSiを200X、 Biを50X、20チ
Ni−Coを300Xの厚さに夫々順次蒸着して磁気記
録媒体を得た。このようにして得た磁気記録媒体の磁気
特性は、抗磁力Hcが8900e 、角型比Rsが81
.5であったが、磁束密度Brが7000Gとなった。
このように比較例1においては、実施例1に比してその
磁束密度が低下している。これは中間層の非磁性シリコ
ン層の存在に基づくものである。
発明の効果 本発明による磁気記録媒体によれば中間層に相当する層
を下層7の第1の磁性層04自体の表面を例えば酸化し
た酸化物層よシなる化合物層0りによって形成したこと
によって、この厚さを充分薄くすることができ、これに
伴って磁気記録媒体の全体の磁束密度の向上を図ること
ができる。また、このような中間層としての化合物層α
りを設けたことによってこれの上に形成する層0→を確
実に不連続な島状となし得、これによってこれの上に形
成する第2の金属磁性層α力の抗磁力を高めることがで
き、また第1及び第2の磁性層α→及びα力の抗磁力の
同等化が図られる。
尚、本発明は、上述したような第1及び第2の磁性層よ
シなる2つの磁性層が積層された構造となす場合に限ら
ず、少くとも第1及び第2の磁性層を有する三層以上の
多層構造の磁気記録媒体に適用して同様の効果を奏せし
め得ることは明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第3図は本発明の説明に供する磁気記録媒
体の路線的拡大断面図、第4図は本発明による。金属薄
膜型磁気記録媒体の一例の路線的拡大断面図である。 αつは非磁性支持体、α→及びα→は不連続島状の第1
及び第2の非磁性層、θ→及びCIカは第1及び第2の
金属磁性層、α→は第1の磁性層α◆の表面化合物層で
ある。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 非磁性支持体上に、不連続な島状の第1の非磁性金属層
    と、連続磁性金属層よシなる第1の磁性層と、該磁性金
    属の化合物層と、不連続な島状の第2の非磁性金属層と
    、連続磁性金属よシなる第2の磁性層とが順次被着され
    てなる金属薄膜型磁気記録媒体。
JP57140248A 1982-08-12 1982-08-12 金属薄膜型磁気記録媒体 Pending JPS5930230A (ja)

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