JP2559941B2 - 磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記録装置 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記録装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体及びその製
造方法並びに磁気記録装置に関する。
造方法並びに磁気記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、より高度なコンピュータ利用が進
むにつれ、コンビュータシステムにおいて取り扱うデー
タ量が飛躍的に増大し、かつ高速にデータの交換を行う
必要性が高まっている。これらを解決する外部記憶装置
として、最近実用化されてきたのが、固定型磁気記録装
置である。
むにつれ、コンビュータシステムにおいて取り扱うデー
タ量が飛躍的に増大し、かつ高速にデータの交換を行う
必要性が高まっている。これらを解決する外部記憶装置
として、最近実用化されてきたのが、固定型磁気記録装
置である。
【０００３】固定型磁気記録装置では、回転するディス
ク状の磁気記録媒体の記録面上を信号変換ヘッドが飛行
し、読み書きを行う。この飛行する高度をできるだけ低
くすることによって、より高密度のデータを記録するこ
とができる。この微少な高度を安定的に保つために、静
止時にはディスク表面にヘッドが接触しているコンタク
ト・スタート・ストップ（CSS）法が用いられている。
この方法の採用は、記録密度の向上に大いに貢献したけ
れども、同時にさまざまな問題も新たに生じさせた。そ
の一つが、静止時にヘッドとディスクが強力な吸着現象
（スティクション）を起こすことである。
ク状の磁気記録媒体の記録面上を信号変換ヘッドが飛行
し、読み書きを行う。この飛行する高度をできるだけ低
くすることによって、より高密度のデータを記録するこ
とができる。この微少な高度を安定的に保つために、静
止時にはディスク表面にヘッドが接触しているコンタク
ト・スタート・ストップ（CSS）法が用いられている。
この方法の採用は、記録密度の向上に大いに貢献したけ
れども、同時にさまざまな問題も新たに生じさせた。そ
の一つが、静止時にヘッドとディスクが強力な吸着現象
（スティクション）を起こすことである。
【０００４】この問題を解決するため、従来は、ディス
ク基板表面に研磨粒子によって機械的に凹凸をつけるテ
クスチャリングという方法を採用していた。この基板表
面の粗さが、磁性層等を付着して完成したディスクの表
面の粗さに反映されるので、静止摩擦係数したがって吸
着力が減少する。しかし、この方法では、ディスク表面
の起伏が不均一になりやすい。したがって、大きなでっ
ぱりがヘッドクラッシュを引き起こしたり、深い溝から
汚染物質が浸入し磁性層と化学反応を起こすことなどが
問題となっている。また、基板上の膜形成工程の前にテ
クスチャリングのための工程を経なければならず、しか
もその工程は大がかりな装置を必要とするため、コスト
を引き上げる要因となっている。
ク基板表面に研磨粒子によって機械的に凹凸をつけるテ
クスチャリングという方法を採用していた。この基板表
面の粗さが、磁性層等を付着して完成したディスクの表
面の粗さに反映されるので、静止摩擦係数したがって吸
着力が減少する。しかし、この方法では、ディスク表面
の起伏が不均一になりやすい。したがって、大きなでっ
ぱりがヘッドクラッシュを引き起こしたり、深い溝から
汚染物質が浸入し磁性層と化学反応を起こすことなどが
問題となっている。また、基板上の膜形成工程の前にテ
クスチャリングのための工程を経なければならず、しか
もその工程は大がかりな装置を必要とするため、コスト
を引き上げる要因となっている。
【０００５】この解決策の一方法として、ディスク基板
にＳｉＯ2等の無機化合物又はＣｕ等の金属単元素の粒
をスパッタ法又は蒸着法で付着することによって起伏の
ある下地層を形成し、その上に磁性層を設けることが、
特開平1-46223号公報で提案されている。しかしなが
ら、この方法には、下地層の基板からの剥離及び磁気特
性の劣化並びに十分な表面粗さが得られず実用に適さな
いという問題があった。
にＳｉＯ2等の無機化合物又はＣｕ等の金属単元素の粒
をスパッタ法又は蒸着法で付着することによって起伏の
ある下地層を形成し、その上に磁性層を設けることが、
特開平1-46223号公報で提案されている。しかしなが
ら、この方法には、下地層の基板からの剥離及び磁気特
性の劣化並びに十分な表面粗さが得られず実用に適さな
いという問題があった。
【０００６】また、特開昭61-240429号公報で開示され
ているように、低融点金属の下地層により、磁性層の磁
気特性を向上させる試みもなされていた。そこで開示さ
れている低融点金属は、In, Sn, Bi, Ga, GaInである。
しかしながら、この試みは、基板上への金属の付着を機
械的テクスチャリングの代替として積極的に利用したも
のではない。また、磁性層の磁気特性が著しく劣化する
という問題があった。この公報で開示されている媒体の
保持力は、600 Oeという極めて低い値である。
ているように、低融点金属の下地層により、磁性層の磁
気特性を向上させる試みもなされていた。そこで開示さ
れている低融点金属は、In, Sn, Bi, Ga, GaInである。
しかしながら、この試みは、基板上への金属の付着を機
械的テクスチャリングの代替として積極的に利用したも
のではない。また、磁性層の磁気特性が著しく劣化する
という問題があった。この公報で開示されている媒体の
保持力は、600 Oeという極めて低い値である。
【０００７】特開平3-189922号公報では、低融点金属下
地層の付着を機械的テクスチャリングの代替として用い
ている。そこで開示されている方法は、基板上に一時的
液体金属を付着させる工程と、前記一時的液体金属層上
に磁性層を付着させながら前記一時的液体金属層を液体
状態に保つことによって一時的液体金属と磁性層を反応
させる工程からなる。主として議論されている下地層の
物質は純金属（Ga）である。しかしながら、実施例とし
て示されている媒体の保磁力の最大値は約1800Oeである
ものの、角型比は約0.6にとどまる。したがって、磁気
特性の点で改善の余地があると言える。さらに、媒体表
面の粗さの点でもより一層の向上が望まれる。後で、こ
の方法だと本発明と同程度の表面粗さを得るために下地
層を厚くしなければならないことに触れる。
地層の付着を機械的テクスチャリングの代替として用い
ている。そこで開示されている方法は、基板上に一時的
液体金属を付着させる工程と、前記一時的液体金属層上
に磁性層を付着させながら前記一時的液体金属層を液体
状態に保つことによって一時的液体金属と磁性層を反応
させる工程からなる。主として議論されている下地層の
物質は純金属（Ga）である。しかしながら、実施例とし
て示されている媒体の保磁力の最大値は約1800Oeである
ものの、角型比は約0.6にとどまる。したがって、磁気
特性の点で改善の余地があると言える。さらに、媒体表
面の粗さの点でもより一層の向上が望まれる。後で、こ
の方法だと本発明と同程度の表面粗さを得るために下地
層を厚くしなければならないことに触れる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主な目的は、
実用に適した磁気記録媒体を安価なコストで提供するこ
とにある。
実用に適した磁気記録媒体を安価なコストで提供するこ
とにある。
【０００９】本発明の他の目的は、磁気記録装置におい
て磁気記録媒体と信号変換ヘッドの吸着現象の発生を抑
制することにある。
て磁気記録媒体と信号変換ヘッドの吸着現象の発生を抑
制することにある。
【００１０】本発明の他の目的は、基板上に付着された
金属粒からなる起伏のある下地層を持つ磁気記録媒体の
磁気特性を向上させることにある。
金属粒からなる起伏のある下地層を持つ磁気記録媒体の
磁気特性を向上させることにある。
【００１１】本発明の他の目的は、基板上に付着された
金属粒からなる下地層の起伏を、同下地層を厚くするこ
となしに急峻にすることにある。
金属粒からなる下地層の起伏を、同下地層を厚くするこ
となしに急峻にすることにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】発明者たちは、媒体表面
の粗さを制御する手段として、特開平3-189922号公報の
方法でも利用されている、物質の結露に着目した。真空
中において物質の蒸気又はプラズマがその物質の融点近
く又はそれ以上の温度の基板に触れると、物質は細かい
液滴となって表面に付着する。この液滴の大きさは、付
着した物質の量に比例して大きくなる。したがって、液
滴の大きさを制御することにより、基板上に最適の大き
さの粒からなる下地層を付着することができる。その上
に磁性層及び保護層を形成すると、表面粗さが制御され
た媒体が得られる。
の粗さを制御する手段として、特開平3-189922号公報の
方法でも利用されている、物質の結露に着目した。真空
中において物質の蒸気又はプラズマがその物質の融点近
く又はそれ以上の温度の基板に触れると、物質は細かい
液滴となって表面に付着する。この液滴の大きさは、付
着した物質の量に比例して大きくなる。したがって、液
滴の大きさを制御することにより、基板上に最適の大き
さの粒からなる下地層を付着することができる。その上
に磁性層及び保護層を形成すると、表面粗さが制御され
た媒体が得られる。
【００１３】ここで鍵となるのは、下地層に用いる物質
の選択である。実用上、融点はなるべく高いものの方
が、媒体の使用時に融け出すことがなく安定している。
また、工程上はなるべく融点の低いものの方が、コスト
がかからない。これらを考え合わせると、融点は100〜3
50℃程度のものが最適であることを見いだした。この融
点を単体の金属で実現するものとしてはIn, Li, Sn, Bi
などがある。しかし、単体の金属からなる下地層の上に
結晶配向制御層のCr層や磁性層を付着させると、良好な
磁気特性を得ることができない。これは、下地層の金属
とその上に付着されるCrや磁性体との反応性が大きいこ
とが原因であると考えられる。そこで本発明では、前記
融点の温度範囲を満足する合金を用いると、上に付着さ
れる層との反応を著しく抑制することができ、磁性層の
磁気特性を劣化させることなく、実用に適した良好な磁
気特性が得られることを見いだした。また、合金の表面
張力が単体金属のそれに比べて変化することに起因し
て、従来は実現できなかった急な起伏を得ることができ
た。実際のCSSテストでもヘッド・クラッシュがほとん
どなく、優れたヘッド・メディア・インターフェース特
性を示した。これにより、従来は十分な媒体表面の粗さ
を得るために、付着させる金属の量を多くし、下地層の
平均的な厚さを増やさなければならなかったところ、本
発明によれば、下地層の平均的な厚さが薄くても、十分
な粗さを得ることができる。さらに、合金系では組成を
変化させて融点や表面張力を変化させることができるた
め、基板の材質や製造環境に応じた最適の条件を見いだ
すことができる。
の選択である。実用上、融点はなるべく高いものの方
が、媒体の使用時に融け出すことがなく安定している。
また、工程上はなるべく融点の低いものの方が、コスト
がかからない。これらを考え合わせると、融点は100〜3
50℃程度のものが最適であることを見いだした。この融
点を単体の金属で実現するものとしてはIn, Li, Sn, Bi
などがある。しかし、単体の金属からなる下地層の上に
結晶配向制御層のCr層や磁性層を付着させると、良好な
磁気特性を得ることができない。これは、下地層の金属
とその上に付着されるCrや磁性体との反応性が大きいこ
とが原因であると考えられる。そこで本発明では、前記
融点の温度範囲を満足する合金を用いると、上に付着さ
れる層との反応を著しく抑制することができ、磁性層の
磁気特性を劣化させることなく、実用に適した良好な磁
気特性が得られることを見いだした。また、合金の表面
張力が単体金属のそれに比べて変化することに起因し
て、従来は実現できなかった急な起伏を得ることができ
た。実際のCSSテストでもヘッド・クラッシュがほとん
どなく、優れたヘッド・メディア・インターフェース特
性を示した。これにより、従来は十分な媒体表面の粗さ
を得るために、付着させる金属の量を多くし、下地層の
平均的な厚さを増やさなければならなかったところ、本
発明によれば、下地層の平均的な厚さが薄くても、十分
な粗さを得ることができる。さらに、合金系では組成を
変化させて融点や表面張力を変化させることができるた
め、基板の材質や製造環境に応じた最適の条件を見いだ
すことができる。
【００１４】下地層に用いる合金は、前記融点の要請及
び無害であること等の実用性を考慮して、Zn系、Mg系、
Al系、In系、Sn系が好ましい。前記融点及び表面張力の
要請を満たす組成は、一般式でＺｎ100-xＭx（ただし、
ＭはＩｎ，Ｓｎ，Ｂｉ，Ｌｉの群から選ばれた少なくと
も一種の元素）、Ｍｇ100-yＬy（ただし、ＬはＰｂ，Ｉ
ｎ，Ｓｎの群から選ばれた少なくとも一種の元素）、Ａ
ｌaＧａ100-a、ＡｌbＳｎ100-b、Ｂｉ100-cＮc（ただ
し、ＮはＰｂ，Ｉｎ，Ｓｎの群から選ばれた少なくとも
一種の元素）、Ｔ100-dＡd（ただし、ＴはＩｎ，Ｓｎの
群から選ばれた少なくとも一種の元素、ＡはＰｂ，Ｓｎ
の群から選ばれた少なくとも一種の元素で、ＴとＡとは
異なる元素からなる。）で表され、ｘ，ｙ，ａ，ｂ，
ｃ，ｄがそれぞれ、原子パーセントで70≦ｘ≦99、70≦
ｙ≦99、10≦ａ≦35、1≦ｂ≦5、1≦ｃ≦99、10≦ｄ≦6
0を満足する。
び無害であること等の実用性を考慮して、Zn系、Mg系、
Al系、In系、Sn系が好ましい。前記融点及び表面張力の
要請を満たす組成は、一般式でＺｎ100-xＭx（ただし、
ＭはＩｎ，Ｓｎ，Ｂｉ，Ｌｉの群から選ばれた少なくと
も一種の元素）、Ｍｇ100-yＬy（ただし、ＬはＰｂ，Ｉ
ｎ，Ｓｎの群から選ばれた少なくとも一種の元素）、Ａ
ｌaＧａ100-a、ＡｌbＳｎ100-b、Ｂｉ100-cＮc（ただ
し、ＮはＰｂ，Ｉｎ，Ｓｎの群から選ばれた少なくとも
一種の元素）、Ｔ100-dＡd（ただし、ＴはＩｎ，Ｓｎの
群から選ばれた少なくとも一種の元素、ＡはＰｂ，Ｓｎ
の群から選ばれた少なくとも一種の元素で、ＴとＡとは
異なる元素からなる。）で表され、ｘ，ｙ，ａ，ｂ，
ｃ，ｄがそれぞれ、原子パーセントで70≦ｘ≦99、70≦
ｙ≦99、10≦ａ≦35、1≦ｂ≦5、1≦ｃ≦99、10≦ｄ≦6
0を満足する。
【００１５】より好ましい範囲は、80≦ｘ≦98、80≦ｙ
≦94、30≦ｃ≦85、20≦ｄ≦55である。これは、これら
の範囲では、凝固したときにできる相の結晶形態が合金
結晶組成の場合と同じである可能性が高いからである。
さらに好ましい組成比は、合金共晶組成を含む±10原子
パーセントの範囲である。（例えば、ＩｎＺｎでは、合
金共晶組成でのＩｎの割合は95原子パーセントである。
したがって、ＩｎＺｎで最も好ましい組成は、Ｉｎの原
子パーセントが85以上95以下の範囲である。）これは、
これらの範囲では、合金組成原子同士の結合が容易に起
こり、合金層とその上に形成される他の層との反応を小
さくすることができるからである。
≦94、30≦ｃ≦85、20≦ｄ≦55である。これは、これら
の範囲では、凝固したときにできる相の結晶形態が合金
結晶組成の場合と同じである可能性が高いからである。
さらに好ましい組成比は、合金共晶組成を含む±10原子
パーセントの範囲である。（例えば、ＩｎＺｎでは、合
金共晶組成でのＩｎの割合は95原子パーセントである。
したがって、ＩｎＺｎで最も好ましい組成は、Ｉｎの原
子パーセントが85以上95以下の範囲である。）これは、
これらの範囲では、合金組成原子同士の結合が容易に起
こり、合金層とその上に形成される他の層との反応を小
さくすることができるからである。
【００１６】これら合金の液滴を、蒸着法又はスパッタ
法を用いて基板上に付着させることによって、下地層を
形成する。本発明で用いる合金は融点が低いので、基板
温度を常温以上に保てば、基板表面に液滴が生じる。し
かし、好ましい温度には上限がある。磁気記録媒体の磁
気特性を良好なものとするためには、下地層形成工程に
おいて、基板は、付着させる合金の融点プラス50℃以下
の温度に保持する必要がある。さらに、最も良好な磁気
特性を得るためには、基板の温度を、付着させる合金の
融点マイナス20℃の近傍に加熱する必要がある。
法を用いて基板上に付着させることによって、下地層を
形成する。本発明で用いる合金は融点が低いので、基板
温度を常温以上に保てば、基板表面に液滴が生じる。し
かし、好ましい温度には上限がある。磁気記録媒体の磁
気特性を良好なものとするためには、下地層形成工程に
おいて、基板は、付着させる合金の融点プラス50℃以下
の温度に保持する必要がある。さらに、最も良好な磁気
特性を得るためには、基板の温度を、付着させる合金の
融点マイナス20℃の近傍に加熱する必要がある。
【００１７】以上のようにして合金下地層を形成するこ
とによって、大規模なテクスチャリング装置を使うこと
なしに、基板表面を十分粗くすることが可能となる。し
たがって、従来の方法に比べて、大幅に磁気記録媒体作
製コストを下げることができる。
とによって、大規模なテクスチャリング装置を使うこと
なしに、基板表面を十分粗くすることが可能となる。し
たがって、従来の方法に比べて、大幅に磁気記録媒体作
製コストを下げることができる。
【００１８】最後に、本発明の磁気記録装置は、少なく
とも一枚の磁気ディスクと、前記磁気ディスクを回転さ
せる手段と、回転中の前記磁気ディスクの記録面上を飛
行してデータを書き込み又はデータを読み出すための信
号変換ヘッドと、前記信号変換ヘッドを前記磁気ディス
クの記録面上の所望のトラックへ位置づける手段と、前
記磁気ディスク、前記磁気ディスク回転手段、前記信号
変換ヘッド、及び前記信号変換ヘッド位置づけ手段を収
納するハウジングを具備し、前記磁気ディスクは、基板
上に融点約100℃以上約350℃以下の合金の粒からなる起
伏のある下地層と磁性層とを順次形成してなることを特
徴とする。
とも一枚の磁気ディスクと、前記磁気ディスクを回転さ
せる手段と、回転中の前記磁気ディスクの記録面上を飛
行してデータを書き込み又はデータを読み出すための信
号変換ヘッドと、前記信号変換ヘッドを前記磁気ディス
クの記録面上の所望のトラックへ位置づける手段と、前
記磁気ディスク、前記磁気ディスク回転手段、前記信号
変換ヘッド、及び前記信号変換ヘッド位置づけ手段を収
納するハウジングを具備し、前記磁気ディスクは、基板
上に融点約100℃以上約350℃以下の合金の粒からなる起
伏のある下地層と磁性層とを順次形成してなることを特
徴とする。
【００１９】
【実施例】図１は、本発明による磁気ディスクの断面図
であり、図において、1はガラス又はAl-Mg/Ni-P基板、2
は合金下地層、3は磁性層、4はカーボン、硬質セラミッ
クスなどの表面保護層である。この他に、2と3の間に磁
性層の特性を向上させる、Crなどの金属薄膜を挿入する
場合もある。図で示されるように下地層2の合金粒は不
連続に分布することが多いが、連続している場合もあ
る。以下に、実施例により本発明の製造方法を具体的に
説明するが、本発明はこれに限定されない。
であり、図において、1はガラス又はAl-Mg/Ni-P基板、2
は合金下地層、3は磁性層、4はカーボン、硬質セラミッ
クスなどの表面保護層である。この他に、2と3の間に磁
性層の特性を向上させる、Crなどの金属薄膜を挿入する
場合もある。図で示されるように下地層2の合金粒は不
連続に分布することが多いが、連続している場合もあ
る。以下に、実施例により本発明の製造方法を具体的に
説明するが、本発明はこれに限定されない。
【００２０】以下の説明で登場する合金の組成は原子パ
ーセントで表したものである。また、以下では起伏のあ
る合金下地層の厚さを示す数値が登場するが、その数値
は、仮にその合金を一様な厚さで付着させたならば形成
されるだろう層の厚さを表しており、これはその起伏の
ある合金下地層の平均的な厚さにほぼ相当する。
ーセントで表したものである。また、以下では起伏のあ
る合金下地層の厚さを示す数値が登場するが、その数値
は、仮にその合金を一様な厚さで付着させたならば形成
されるだろう層の厚さを表しており、これはその起伏の
ある合金下地層の平均的な厚さにほぼ相当する。
【００２１】まず、合金層を蒸着法で作製する方法を説
明する。ガラス基板を高真空蒸着装置にセットし、蒸着
源として、予め共晶点の組成（組成比95:5、融点143.5
℃）で作製したIn-Znの合金をTaボート上に数百mg置
く。高真空（5x10-7Torr以下）に引いた後、基板を180
℃に加熱する。温度が安定したところで、ボートに電流
を流し、厚さ500オングストロームの合金膜を基板表面
に付着させる。こうして作成した合金層を持つ基板をRF
スパッタ装置に入れ、基板を常温に保って通常の方法に
より、合金層の上に磁性層と保護層を作製した。
明する。ガラス基板を高真空蒸着装置にセットし、蒸着
源として、予め共晶点の組成（組成比95:5、融点143.5
℃）で作製したIn-Znの合金をTaボート上に数百mg置
く。高真空（5x10-7Torr以下）に引いた後、基板を180
℃に加熱する。温度が安定したところで、ボートに電流
を流し、厚さ500オングストロームの合金膜を基板表面
に付着させる。こうして作成した合金層を持つ基板をRF
スパッタ装置に入れ、基板を常温に保って通常の方法に
より、合金層の上に磁性層と保護層を作製した。
【００２２】他の実施例として、合金層をスパッタ装置
で作製する方法を説明する。ガラス基板をRFスパッタ装
置にセットし、6x10-7Torr以下の高真空にした後、基板
温度を100℃に加熱する。純度99.99999％の純粋Arガス
を装置内に導入し、0.5ｍTorrのガス圧にする。予め共
晶点の組成（In：52%、Sn：48%、融点117℃）で作製し
たInSn合金ターゲットと基板との間に高周波電圧（50
W）を印加し高周波プラズマを発生させ基板上に厚さ約1
50オングストロームのInSn合金の膜を作製する。合金層
形成後に基板を同スパッタ装置内の磁性体ターゲット上
に移動させ、連続して、磁性層、保護層を基板温度100
℃のままで作成する。この方法によると、真空を破るこ
となく連続して下地層、磁性層及び保護層を作成するこ
とが可能であるため、真空を破るときに起こる酸化を防
止する事ができる。そのため、前記の蒸着装置を用いた
場合より、得られた磁気記録媒体の磁気特性が向上し
た。例えばInSn合金の場合、保磁力が1400 Oeから1800
Oeに向上した。
で作製する方法を説明する。ガラス基板をRFスパッタ装
置にセットし、6x10-7Torr以下の高真空にした後、基板
温度を100℃に加熱する。純度99.99999％の純粋Arガス
を装置内に導入し、0.5ｍTorrのガス圧にする。予め共
晶点の組成（In：52%、Sn：48%、融点117℃）で作製し
たInSn合金ターゲットと基板との間に高周波電圧（50
W）を印加し高周波プラズマを発生させ基板上に厚さ約1
50オングストロームのInSn合金の膜を作製する。合金層
形成後に基板を同スパッタ装置内の磁性体ターゲット上
に移動させ、連続して、磁性層、保護層を基板温度100
℃のままで作成する。この方法によると、真空を破るこ
となく連続して下地層、磁性層及び保護層を作成するこ
とが可能であるため、真空を破るときに起こる酸化を防
止する事ができる。そのため、前記の蒸着装置を用いた
場合より、得られた磁気記録媒体の磁気特性が向上し
た。例えばInSn合金の場合、保磁力が1400 Oeから1800
Oeに向上した。
【００２３】次に、図２と図３を参照して、本発明の媒
体の磁気特性を説明する。図２は、本発明の媒体のヒス
テリシス・カーブを示す。媒体は、ガラス基板上に、ガ
ラス/In95Zn5（膜厚t=500オングストローム）/Cr（t=10
00オングストローム）/Co62Ni30Cr8（t=500オングスト
ローム）/C（t=200オングストローム）の順に層を付着
させて作製した。ガラス基板上のすべての層の形成にRF
スパッタ法を用い、基板温度を150℃に保った。図３
は、下地層なしの磁気記録媒体のヒステリシス・カーブ
を示す。媒体は、図２のものと同じ条件で、ガラス基板
上に、ガラス/Cr（膜厚t=1000オングストローム）/Co62
Ni30Cr8（t=500オングストローム）/C（t=200オングス
トローム）の順に層を付着させて作製した。図から明ら
かなように、保磁力Hcは粒状のIn-Zn膜を付着すること
により900 Oeから1500 Oeに増大し、良好な角型依存性
を示している。これは、高密度記録に適した磁気特性で
ある。
体の磁気特性を説明する。図２は、本発明の媒体のヒス
テリシス・カーブを示す。媒体は、ガラス基板上に、ガ
ラス/In95Zn5（膜厚t=500オングストローム）/Cr（t=10
00オングストローム）/Co62Ni30Cr8（t=500オングスト
ローム）/C（t=200オングストローム）の順に層を付着
させて作製した。ガラス基板上のすべての層の形成にRF
スパッタ法を用い、基板温度を150℃に保った。図３
は、下地層なしの磁気記録媒体のヒステリシス・カーブ
を示す。媒体は、図２のものと同じ条件で、ガラス基板
上に、ガラス/Cr（膜厚t=1000オングストローム）/Co62
Ni30Cr8（t=500オングストローム）/C（t=200オングス
トローム）の順に層を付着させて作製した。図から明ら
かなように、保磁力Hcは粒状のIn-Zn膜を付着すること
により900 Oeから1500 Oeに増大し、良好な角型依存性
を示している。これは、高密度記録に適した磁気特性で
ある。
【００２４】比較のために、条件を図３の媒体の場合と
同じにしてInZn膜の代わりにIn単体金属膜を用いて媒体
を作製したところ、得られた保磁力の最大値は1000 Oe
であった。これは、下地層のInがCr層と反応をおこし、
媒体全体の磁気特性を劣化させているためである。
同じにしてInZn膜の代わりにIn単体金属膜を用いて媒体
を作製したところ、得られた保磁力の最大値は1000 Oe
であった。これは、下地層のInがCr層と反応をおこし、
媒体全体の磁気特性を劣化させているためである。
【００２５】図４は、ガラス/Sn85Zn15（t=0〜600オン
グストローム）/Co77Pt11Cr12（t=500オングストロー
ム）/C（t=200オングストローム）積層膜の保磁力の下
地層膜厚依存性を示す。Sn85Zn15の融点は198℃であ
る。ここでは、すべての層の形成にRFスパッタ法を用
い、基板温度を200℃に保った。この図から、下地層の
厚さが増すにしたがって保磁力が向上し、約150オング
ストロームでほぼ飽和することがわかる。また、この図
には、合金としてIn52Sn48（融点117℃）, Bi47.3In
52.7（融点109.5℃）, Al2.2Sn97.8（融点228.3℃）, M
g9Sn91（融点200℃）を選び、それぞれについてガラス
基板上に膜厚150オングストロームの層を形成し、合金
層の上にCo77Pt11Cr12（t=500オングストローム）を積
層したときの媒体の保磁力を同時に示している。何れの
媒体の場合も、そのすべての層の形成にはRFスパッタ法
を用い、かつ基板温度は付着させる合金の融点と等しい
温度に保った。
グストローム）/Co77Pt11Cr12（t=500オングストロー
ム）/C（t=200オングストローム）積層膜の保磁力の下
地層膜厚依存性を示す。Sn85Zn15の融点は198℃であ
る。ここでは、すべての層の形成にRFスパッタ法を用
い、基板温度を200℃に保った。この図から、下地層の
厚さが増すにしたがって保磁力が向上し、約150オング
ストロームでほぼ飽和することがわかる。また、この図
には、合金としてIn52Sn48（融点117℃）, Bi47.3In
52.7（融点109.5℃）, Al2.2Sn97.8（融点228.3℃）, M
g9Sn91（融点200℃）を選び、それぞれについてガラス
基板上に膜厚150オングストロームの層を形成し、合金
層の上にCo77Pt11Cr12（t=500オングストローム）を積
層したときの媒体の保磁力を同時に示している。何れの
媒体の場合も、そのすべての層の形成にはRFスパッタ法
を用い、かつ基板温度は付着させる合金の融点と等しい
温度に保った。
【００２６】図５は、ガラス基板上にIn52Sn48（t=150
オングストローム）を下地層としてCo77Pt11Cr層（t=50
0オングストローム）とカーボン層（t=200オングストロ
ーム）を形成した媒体とガラス基板上に下地層なしでCo
77Pt11Cr12層（t=500オングストローム）とカーボン層
（t=200オングストローム）を形成した媒体のそれぞれ
について、保磁力及び角型比の基板温度依存性を示す。
何れの層の形成にもRFスパッタ法を用いた。また、各媒
体の膜形成工程を通じて基板温度を一定に保った。この
図から、下地層ありの場合、基板を、In52Sn48の融点
（117℃）プラス50℃を超える温度に加熱すると、磁気
特性が低下することがわかる。さらに、図から、In52Sn
48の融点よりやや低い温度（この図では100℃）が磁気
特性を最も向上させる基板温度であることがわかる。最
高の保磁力約2300 Oeが得られたとき、角型比も約0.9と
非常に高い値を示す。どちらの値も、特開平3-189922に
開示された実施例の数値を大きく上回っている。これ
ら、図４や図５に示される傾向は、本発明の他の合金系
についても同様であり、下地層の膜厚約150オングスト
ローム以上、基板温度が付着させる合金の融点よりやや
低めの条件が最も磁性層の特性を向上させる。
オングストローム）を下地層としてCo77Pt11Cr層（t=50
0オングストローム）とカーボン層（t=200オングストロ
ーム）を形成した媒体とガラス基板上に下地層なしでCo
77Pt11Cr12層（t=500オングストローム）とカーボン層
（t=200オングストローム）を形成した媒体のそれぞれ
について、保磁力及び角型比の基板温度依存性を示す。
何れの層の形成にもRFスパッタ法を用いた。また、各媒
体の膜形成工程を通じて基板温度を一定に保った。この
図から、下地層ありの場合、基板を、In52Sn48の融点
（117℃）プラス50℃を超える温度に加熱すると、磁気
特性が低下することがわかる。さらに、図から、In52Sn
48の融点よりやや低い温度（この図では100℃）が磁気
特性を最も向上させる基板温度であることがわかる。最
高の保磁力約2300 Oeが得られたとき、角型比も約0.9と
非常に高い値を示す。どちらの値も、特開平3-189922に
開示された実施例の数値を大きく上回っている。これ
ら、図４や図５に示される傾向は、本発明の他の合金系
についても同様であり、下地層の膜厚約150オングスト
ローム以上、基板温度が付着させる合金の融点よりやや
低めの条件が最も磁性層の特性を向上させる。
【００２７】図６は、ガラス基板を180℃に加熱してIn
95Zn5合金膜（t=150オングストローム）を形成した後
で、室温において走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）を用
いて行った表面の観察結果を示す。図７は、同じ条件で
作製したIn膜（t=150オングストローム）の室温におけ
るＳＴＭを使った観察結果を示す。図６と図７のスケー
ルは同じである。InZn膜の場合は、In膜に比べて、起伏
が急峻になっていることがわかる。このことは、他の合
金系でも明確に見られる。例えばIn52Sn48を用いた場
合、液滴の高さがテクスチャリングとして最もふさわし
い約150オングストロームになるためには、液滴の直径
は、約400オングストロームであるのに対し、純粋なIn
を用いた場合約800オングストローム必要となる。
95Zn5合金膜（t=150オングストローム）を形成した後
で、室温において走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）を用
いて行った表面の観察結果を示す。図７は、同じ条件で
作製したIn膜（t=150オングストローム）の室温におけ
るＳＴＭを使った観察結果を示す。図６と図７のスケー
ルは同じである。InZn膜の場合は、In膜に比べて、起伏
が急峻になっていることがわかる。このことは、他の合
金系でも明確に見られる。例えばIn52Sn48を用いた場
合、液滴の高さがテクスチャリングとして最もふさわし
い約150オングストロームになるためには、液滴の直径
は、約400オングストロームであるのに対し、純粋なIn
を用いた場合約800オングストローム必要となる。
【００２８】機械的テクスチャリングを用いた場合、基
板表面の一つのでっぱりのスケールは、高さ及び平面的
広がりのどちらについてもミクロン（10000オングスト
ローム）のオーダーである。したがって、図６及び図７
のスケールでは、機械的テクスチャリングを施した基板
表面を図示できないことに注意されたい。
板表面の一つのでっぱりのスケールは、高さ及び平面的
広がりのどちらについてもミクロン（10000オングスト
ローム）のオーダーである。したがって、図６及び図７
のスケールでは、機械的テクスチャリングを施した基板
表面を図示できないことに注意されたい。
【００２９】次に、Al-Mg合金基材の表面にNi-Pメッキ
膜を成膜し鏡面加工した通常のハードディスク基板を用
い、RFスパッタ法で、基板を100℃に保ちながら、In52S
n48（t=150オングストローム）/Cr（t=1000オングスト
ローム）/Co77Ni11Pt12（t=500オングストローム）/C
（t=200オングストローム）の順に積層したディスクを
作製した。このディスク表面に潤滑剤を20オングストロ
ーム塗布した後、通常のMIGヘッドをディスク表面に接
触させ、60℃、湿度60％RHの環境下で、100rpmの摺動速
度で動摩擦係数を測定した。実施例のディスクの動摩擦
係数は、0.2〜0.3と低く、従来のNi-P膜上にテクスチャ
リングを施した市販ディスクを用いて同様の測定を行っ
た値（0.3〜0.4）と比べて同等以下であった。このよう
に、本発明による磁気ディスクでは、動摩擦係数を従来
のテクスチャリングを施すことなしに小さくすることが
できる。
膜を成膜し鏡面加工した通常のハードディスク基板を用
い、RFスパッタ法で、基板を100℃に保ちながら、In52S
n48（t=150オングストローム）/Cr（t=1000オングスト
ローム）/Co77Ni11Pt12（t=500オングストローム）/C
（t=200オングストローム）の順に積層したディスクを
作製した。このディスク表面に潤滑剤を20オングストロ
ーム塗布した後、通常のMIGヘッドをディスク表面に接
触させ、60℃、湿度60％RHの環境下で、100rpmの摺動速
度で動摩擦係数を測定した。実施例のディスクの動摩擦
係数は、0.2〜0.3と低く、従来のNi-P膜上にテクスチャ
リングを施した市販ディスクを用いて同様の測定を行っ
た値（0.3〜0.4）と比べて同等以下であった。このよう
に、本発明による磁気ディスクでは、動摩擦係数を従来
のテクスチャリングを施すことなしに小さくすることが
できる。
【００３０】また、前述の下地層にIn52Sn48を用いたデ
ィスクと条件を同じにして下地層にInを用いたディスク
を作製し、両者について、ディスクを断続的に起動・停
止させるCSSテスト（コンタクト・スタート・ストップ
・テスト）を行った。結果、Inを用いたものは、約1000
回でヘッドが吸着現象をおこし、再起動が不可能な状態
となったのに対し、InSnでは、100000回でも吸着は起こ
らなかった。
ィスクと条件を同じにして下地層にInを用いたディスク
を作製し、両者について、ディスクを断続的に起動・停
止させるCSSテスト（コンタクト・スタート・ストップ
・テスト）を行った。結果、Inを用いたものは、約1000
回でヘッドが吸着現象をおこし、再起動が不可能な状態
となったのに対し、InSnでは、100000回でも吸着は起こ
らなかった。
【００３１】以上、二元系の合金について磁気記録媒体
及びその製造方法の実施例を示したが、必要に応じて、
特許請求の範囲に示した元素の組み合わせで、三元系に
しても同様の効果が得られることは、明らかである。な
ぜなら、融点及び表面張力に関し、三元系の合金の性質
は二元系合金と単体金属のそれぞれの性質が融合したも
のとなるからである。同じ様に、四元以上の合金につい
ても、二元系の場合と変わらぬ効果が得られることは明
らかである。
及びその製造方法の実施例を示したが、必要に応じて、
特許請求の範囲に示した元素の組み合わせで、三元系に
しても同様の効果が得られることは、明らかである。な
ぜなら、融点及び表面張力に関し、三元系の合金の性質
は二元系合金と単体金属のそれぞれの性質が融合したも
のとなるからである。同じ様に、四元以上の合金につい
ても、二元系の場合と変わらぬ効果が得られることは明
らかである。
【００３２】最後に、磁気記録装置の実施例を、図８を
参照して説明する。磁気記録装置１１は、ハウジング１
２とハウジング１２の下部に取付けられる制御のための
電子回路を搭載したカード１３とを有する。ハウジング
１２は、基台１４とカバー１５からなる。ハウジング１
２内には、基台１４に支持されたスピン・モータ１６
と、このスピン・モータ１６により回転される二枚の磁
気ディスク１７と、この磁気ディスク１７の記録面にデ
ータを書き込み又はデータを読み出す図示しない信号変
換ヘッドを取付けて磁気ディスク１７の各記録面に対面
する四つのスライダ１８と、これらスライダ１８を一端
にそれぞれ取付けた四つのサスペンション２０と、これ
らサスペンション２０の他端が取付けられ、図示しない
信号変換ヘッドを磁気ディスク１７上の所望のトラック
の一つに位置づけるための、基台１４に回動可能に支持
されたアクチュエータ１９と、が収納される。磁気ディ
スク１７は、融点約100℃以上約350℃以下の合金粒を基
板に付着してなる起伏のある下地層を持つ。
参照して説明する。磁気記録装置１１は、ハウジング１
２とハウジング１２の下部に取付けられる制御のための
電子回路を搭載したカード１３とを有する。ハウジング
１２は、基台１４とカバー１５からなる。ハウジング１
２内には、基台１４に支持されたスピン・モータ１６
と、このスピン・モータ１６により回転される二枚の磁
気ディスク１７と、この磁気ディスク１７の記録面にデ
ータを書き込み又はデータを読み出す図示しない信号変
換ヘッドを取付けて磁気ディスク１７の各記録面に対面
する四つのスライダ１８と、これらスライダ１８を一端
にそれぞれ取付けた四つのサスペンション２０と、これ
らサスペンション２０の他端が取付けられ、図示しない
信号変換ヘッドを磁気ディスク１７上の所望のトラック
の一つに位置づけるための、基台１４に回動可能に支持
されたアクチュエータ１９と、が収納される。磁気ディ
スク１７は、融点約100℃以上約350℃以下の合金粒を基
板に付着してなる起伏のある下地層を持つ。
【００３３】基台１４とカバー１５は密封可能であり、
外部とハウジング１２内とは、図示しないブリーザ・フ
ィルタを通じて連絡していて、ハウジング１２内外に気
圧差が生じないようにしている。信号変換ヘッドを介し
て磁気ディスク１７にデータを書き込み又は読み取るこ
とを制御する電子回路、アクチュエータの動きを制御す
る電子回路や、磁気ディスク１７を回転するスピン・モ
ータを制御する電子回路は、熱の発生、外部との接続、
スペース等の関係上、カード１３上に搭載する。
外部とハウジング１２内とは、図示しないブリーザ・フ
ィルタを通じて連絡していて、ハウジング１２内外に気
圧差が生じないようにしている。信号変換ヘッドを介し
て磁気ディスク１７にデータを書き込み又は読み取るこ
とを制御する電子回路、アクチュエータの動きを制御す
る電子回路や、磁気ディスク１７を回転するスピン・モ
ータを制御する電子回路は、熱の発生、外部との接続、
スペース等の関係上、カード１３上に搭載する。
【００３４】前述のCCSテストの結果が示すように、図
７の磁気記録装置では、磁気ディスク１７と信号変換ヘ
ッド（図示せず）の間での吸着現象の発生が抑制され
る。
７の磁気記録装置では、磁気ディスク１７と信号変換ヘ
ッド（図示せず）の間での吸着現象の発生が抑制され
る。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、実用に適した磁気記録
媒体を安価なコストで提供することができる。また、磁
気記録装置において磁気記録媒体と信号変換ヘッドの吸
着現象の発生を抑制することができる。
媒体を安価なコストで提供することができる。また、磁
気記録装置において磁気記録媒体と信号変換ヘッドの吸
着現象の発生を抑制することができる。
【図１】本発明の磁気記録媒体の断面図である。
【図２】In95Zn5を下地層に持つ磁気記録媒体のヒステ
リシス・カーブを示すグラフである。
リシス・カーブを示すグラフである。
【図３】下地層なしの磁気記録媒体のヒステリシス・カ
ーブを示すグラフである。
ーブを示すグラフである。
【図４】本発明の磁気記録媒体の、合金下地層の膜厚と
保磁力の関係を示すグラフである。
保磁力の関係を示すグラフである。
【図５】In52Sn48を下地層に持つ媒体と下地層なしの媒
体それぞれの、保磁力及び角型比の基板温度依存性を示
すグラフである。
体それぞれの、保磁力及び角型比の基板温度依存性を示
すグラフである。
【図６】ＳＴＭを使って作成した、ガラス基板に付着さ
せたInZn膜の起伏を示す図である。
せたInZn膜の起伏を示す図である。
【図７】ＳＴＭを使って作成した、ガラス基板に付着さ
せたIn膜の起伏を示す図である。
せたIn膜の起伏を示す図である。
【図８】本発明の磁気記録装置の展開斜視図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高山 新司 東京都千代田区三番町５−19 日本ア イ・ビー・エム株式会社 東京基礎研究 所内 (56)参考文献 特開 昭60−231911（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−182010（ＪＰ，Ａ)
Claims (14)
- 【請求項１】基板上に合金粒からなる起伏のある下地層
と磁性層とを順次形成してなる磁気記録媒体において、 前記合金の組成は、原子パーセントで、一般式Ｚｎ
100-xＭxで表され、ＭはＩｎ，Ｓｎ，Ｂｉ，Ｌｉの群か
ら選ばれた少なくとも一種の元素で、70≦ｘ≦99を満足
することを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】基板上に合金粒からなる起伏のある下地層
と磁性層とを順次形成してなる磁気記録媒体において、 前記合金の組成は、原子パーセントで、一般式Ｍｇ
100-yＬyで表され、ＬはＰｂ，Ｉｎ，Ｓｎの群から選ば
れた少なくとも一種の元素で、70≦ｙ≦99を満足するこ
とを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】基板上に合金粒からなる起伏のある下地層
と磁性層とを順次形成してなる磁気記録媒体において、 前記合金の組成は、原子パーセントで、一般式ＡｌaＧ
ａ100-a（ただし、10≦ａ≦35）又は ＡｌbＳｎ
100-b（ただし、1≦ｂ≦5）を満足することを特徴とす
る磁気記録媒体。 - 【請求項４】基板上に合金粒からなる起伏のある下地層
と磁性層とを順次形成してなる磁気記録媒体において、 前記合金の組成は、原子パーセントで、一般式Ｔ100-d
Ａdで表され、ＴはＩｎ，Ｓｎの群から選ばれた少なく
とも一種の元素で、ＡはＰｂ，Ｓｎの群から選ばれた少
なくとも一種の元素で、ＴとＡとは異なる元素からな
り、10≦ｄ≦60を満足することを特徴とする磁気記録媒
体。 - 【請求項５】基板上に合金粒からなる起伏のある下地層
と磁性層とを順次形成する磁気記録媒体の製造方法にお
いて、 前記合金の組成は、原子パーセントで、一般式Ｚｎ
100-xＭxで表され、ＭはＩｎ，Ｓｎ，Ｂｉ，Ｌｉの群か
ら選ばれた少なくとも一種の元素で、70≦ｘ≦99を満足
し、 前記下地層の形成工程において、前記基板の温度
を前記合金の液滴が形成可能な温度に保って、蒸着法又
はスパッタ法を用いることを特徴とする磁気記録媒体の
製造方法。 - 【請求項６】基板上に合金粒からなる起伏のある下地層
と磁性層とを順次形成する磁気記録媒体の製造方法にお
いて、 前記合金の組成は、原子パーセントで、一般式Ｍｇ
100-yＬyで表され、ＬはＰｂ，Ｉｎ，Ｓｎの群から選ば
れた少なくとも一種の元素で、70≦ｙ≦99を満足し、 前記下地層の形成工程において、前記基板の温度を前記
合金の液滴が形成可能な温度に保って、蒸着法又はスパ
ッタ法を用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項７】基板上に合金粒からなる起伏のある下地層
と磁性層とを順次形成する磁気記録媒体の製造方法にお
いて、 前記合金の組成は、原子パーセントで、一般式ＡｌaＧ
ａ100-a（ただし、10≦ａ≦35）又は ＡｌbＳｎ
100-b（ただし、1≦ｂ≦5）を満足し、 前記下地層の形成工程において、前記基板の温度を前記
合金の液滴が形成可能な温度に保って、蒸着法又はスパ
ッタ法を用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項８】基板上に合金粒からなる起伏のある下地層
と磁性層とを順次形成する磁気記録媒体の製造方法にお
いて、 前記合金の組成は、原子パーセントで、一般式Ｔ100-d
Ａdで表され、ＴはＩｎ，Ｓｎの群から選ばれた少なく
とも一種の元素で、ＡはＰｂ，Ｓｎの群から選ばれた少
なくとも一種の元素で、ＴとＡとは異なる元素からな
り、10≦ｄ≦60を満足し、 前記下地層の形成工程において、前記基板の温度を前記
合金の液滴が形成可能な温度に保って、蒸着法又はスパ
ッタ法を用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項９】前記下地層の形成工程において、前記基板
の温度を前記合金の融点プラス50℃以下の温度に保持す
ることを特徴とする請求項６、７、８、９または１０に
記載の方法。 - 【請求項１０】前記下地層の形成工程において、前記基
板の温度を前記合金の融点マイナス20℃の近傍に保持す
ることを特徴とする請求項７、８、９または１０に記載
の方法。 - 【請求項１１】少なくとも一枚の磁気ディスクと、 前記磁気ディスクを回転させる手段と、 回転中の前記磁気ディスクの記録面上を飛行してデータ
を書き込み又はデータを読み出すための信号変換ヘッド
と、 前記信号変換ヘッドを前記磁気ディスクの記録面上の所
望のトラックへ位置づける手段と、 前記磁気ディスク、前記磁気ディスク回転手段、前記信
号変換ヘッド、及び前記信号変換ヘッド位置づけ手段を
収納するハウジングとを具備し、 前記磁気ディスクは、基板上に合金粒からなる起伏のあ
る下地層と磁性層とを順次形成してなり、前記合金の組
成は、原子パーセントで、一般式Ｚｎ100-xＭxで表さ
れ、ＭはＩｎ，Ｓｎ，Ｂｉ，Ｌｉの群から選ばれた少な
くとも一種の元素で、70≦ｘ≦99を満足することを特徴
とする磁気記録装置。 - 【請求項１２】少なくとも一枚の磁気ディスクと、 前記磁気ディスクを回転させる手段と、 回転中の前記磁気ディスクの記録面上を飛行してデータ
を書き込み又はデータを読み出すための信号変換ヘッド
と、 前記信号変換ヘッドを前記磁気ディスクの記録面上の所
望のトラックへ位置づける手段と、 前記磁気ディスク、前記磁気ディスク回転手段、前記信
号変換ヘッド、及び前記信号変換ヘッド位置づけ手段を
収納するハウジングとを具備し、 前記磁気ディスクは、基板上に合金粒からなる起伏のあ
る下地層と磁性層とを順次形成してなり、 前記合金の組成は、原子パーセントで、一般式Ｍｇ
100-yＬyで表され、ＬはＰｂ，Ｉｎ，Ｓｎの群から選ば
れた少なくとも一種の元素で、70≦ｙ≦99を満足するこ
とを特徴とする磁気記録装置。 - 【請求項１３】少なくとも一枚の磁気ディスクと、 前記磁気ディスクを回転させる手段と、 回転中の前記磁気ディスクの記録面上を飛行してデータ
を書き込み又はデータを読み出すための信号変換ヘッド
と、 前記信号変換ヘッドを前記磁気ディスクの記録面上の所
望のトラックへ位置づける手段と、 前記磁気ディスク、前記磁気ディスク回転手段、前記信
号変換ヘッド、及び前記信号変換ヘッド位置づけ手段を
収納するハウジングとを具備し、 前記磁気ディスクは、基板上に合金粒からなる起伏のあ
る下地層と磁性層とを順次形成してなり、 前記合金の組成は、原子パーセントで、一般式ＡｌaＧ
ａ100-a（ただし、10≦ａ≦35）又は ＡｌbＳｎ
100-b（ただし、1≦ｂ≦5）を満足することを特徴とす
る磁気記録装置。 - 【請求項１４】少なくとも一枚の磁気ディスクと、 前記磁気ディスクを回転させる手段と、 回転中の前記磁気ディスクの記録面上を飛行してデータ
を書き込み又はデータを読み出すための信号変換ヘッド
と、 前記信号変換ヘッドを前記磁気ディスクの記録面上の所
望のトラックへ位置づける手段と、 前記磁気ディスク、前記磁気ディスク回転手段、前記信
号変換ヘッド、及び前記信号変換ヘッド位置づけ手段を
収納するハウジングとを具備し、 前記磁気ディスクは、基板上に合金粒からなる起伏のあ
る下地層と磁性層とを順次形成してなり、 前記合金の組成は、原子パーセントで、一般式Ｔ100-d
Ａdで表され、ＴはＩｎ，Ｓｎの群から選ばれた少なく
とも一種の元素で、ＡはＰｂ，Ｓｎの群から選ばれた少
なくとも一種の元素で、ＴとＡとは異なる元素からな
り、10≦ｄ≦60を満足することを特徴とする磁気記録装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5596792A JP2559941B2 (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記録装置 |
| US08/023,413 US5413835A (en) | 1992-03-16 | 1993-02-26 | Magnetic recording medium having an underlayer of low melting point metal alloy in the form of spherically shaped structures |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5596792A JP2559941B2 (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05282648A JPH05282648A (ja) | 1993-10-29 |
| JP2559941B2 true JP2559941B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=13013846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5596792A Expired - Fee Related JP2559941B2 (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記録装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5413835A (ja) |
| JP (1) | JP2559941B2 (ja) |
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| US5705287A (en) * | 1994-09-20 | 1998-01-06 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording disk with metal nitride texturing layer |
| JPH08102163A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体及び磁気ディスク装置 |
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| US5843561A (en) * | 1994-12-22 | 1998-12-01 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium and method for manufacturing the same |
| JPH08221734A (ja) * | 1995-02-20 | 1996-08-30 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体及び磁気記録装置 |
| JP3669457B2 (ja) * | 1996-03-19 | 2005-07-06 | 富士通株式会社 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US6210764B1 (en) | 1996-08-29 | 2001-04-03 | Cryovac, Inc. | Film with substrate layer containing antiblocking agent |
| KR100438802B1 (ko) * | 1996-12-17 | 2004-08-31 | 삼성전자주식회사 | 양자디스크및그제조방법 |
| JPH117622A (ja) * | 1997-04-25 | 1999-01-12 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体用基板、磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法 |
| US6214434B1 (en) * | 1997-09-02 | 2001-04-10 | Seagate Technology Llc | Isolated single-domain high-density magnetic recording media and method of manufacturing the media |
| JP2003016636A (ja) | 2001-04-27 | 2003-01-17 | Sharp Corp | 磁気記録媒体およびそれを用いた磁気記録装置 |
| JP2004152466A (ja) | 2002-10-07 | 2004-05-27 | Sharp Corp | 磁気記録媒体およびそれを用いた磁気記録装置 |
| JP2007062108A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Kobe Steel Ltd | 光情報記録媒体用の記録層およびスパッタリングターゲット、並びに光情報記録媒体 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS5930230A (ja) * | 1982-08-12 | 1984-02-17 | Sony Corp | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
| JPS60182012A (ja) * | 1984-02-28 | 1985-09-17 | Sony Corp | 薄膜磁気記録媒体 |
| JPS60231911A (ja) * | 1984-04-27 | 1985-11-18 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS63249926A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-17 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
| EP0421120B1 (en) * | 1989-10-05 | 1996-10-30 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetic storage medium and method for the manufacture thereof |
-
1992
- 1992-03-16 JP JP5596792A patent/JP2559941B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-02-26 US US08/023,413 patent/US5413835A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05282648A (ja) | 1993-10-29 |
| US5413835A (en) | 1995-05-09 |
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