JP2856258B2 - 薄膜磁気ディスク - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、情報処理システムの外部記憶装置として
用いられる固定磁気ディスク装置に搭載される薄膜磁気
ディスクに関する。

〔従来の技術〕

従来、薄膜磁気ディスク（以下単にディスクとも称す
る）の非磁性基板としては表面にアルマイト処理を施し
たAl板またはAl合金板（以下単にAl板とも称する），表
面にNi−Ｐ合金無電解めっきを施したAl板，ガラス板，
セラミック板などが用いられているが、大部分はNi−Ｐ
合金無電解めっきを施したAl板（以下、単にNi−Ｐ基板
とも称する）が用いられている。

ディスクは、通常、このようなNi−Ｐ基板上に、スパ
ッタ法により、磁性を高めるための非磁性金属（例えば
Cr）からなる下地層，強磁性金属（例えばCo−Ni−Cr合
金）からなる磁性層，磁性層を外部環境から保護しかつ
ディスク表面の潤滑性能を高めるための材料（例えばａ
−Ｃ）からなる保護潤滑層を順次成膜して作製される。
一般的には潤滑性能をさらに高めるために保護潤滑層の
上に液体潤滑層が設けられている。

近年、固定磁気ディスク装置の小型化，薄型化に伴
い、それに搭載されるディスクも5.25インチディスクか
ら3.25インチディスク,2.5インチディスクへと小型化が
進められ、使用されるディスク状非磁性基板は小径とな
り、また、板厚も薄くなってきている。第１表に各型の
ディスクに用いられる非磁性基板のAl板の寸法の一例を
示す。

また、固定磁気ディスク装置の小型化と同時に記憶容
量の大容量化も進められ、ディスクの高記録密度化が要
求され、これに対処するために、上述のディスク製造工
程におけるスパッタ成膜時の非磁性基板の加熱温度を高
めて磁気特性を向上させることが行われてきた。基板加
熱温度は以前の100℃〜150℃から200℃〜250℃にまで高
められてきている。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、スパッタ成膜時の基板加熱温度の高温化に
伴い、Ni−Ｐ基板の変形の度合が大きくなり、平坦度を
所要の許容範囲内に保つことができなくなり、得られる
ディスクの平坦度が悪化して磁気ヘッドの浮上走行が乱
され、安定した低浮上走行が得られなくなるという問題
が生じてきた。しかも、Ni−Ｐ基板の板厚はますます薄
くなる傾向にあり、板厚が薄くなるほど変形は著しくな
るので大きな問題となる。

この発明は、上述の問題点を解消して、Ni−Ｐ基板の
変形を抑制し、磁気ヘッドの安定した低浮上走行が得ら
れる平坦度の良い薄膜磁気ディスクを提供することを課
題とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明は、上述の課題を解決するため、ディスク状
Al板またはAl合金板の対向する両主面にNi−Ｐ合金層が
形成されてなる非磁性基板の両主面にそれぞれ少なくと
も磁性層および保護層がこの順に成膜積層されてなる薄
膜磁気ディスクにおいて、前記Al板またはAl合金板の板
厚は1.27mm以下であって、当該Al板またはAl合金板の一
主面に形成されているNi−Ｐ合金層の膜厚とこれに対向
する他の主面に形成されているNi−Ｐ合金層の膜厚との
差が当該1.27mm以下のAl板またはAl合金板の板厚の0.03
5％以下であることを特徴特徴としている。

〔作用〕 ディスクの平坦度の変化は、研究の結果、Al板の一面
（Ａ面とする）とこれの対向面（Ｂ面とする）とにそれ
ぞれ形成されているNi−Ｐ合金層の膜厚差に起因するこ
とが判った。このような膜厚差はAl板の両面に形成され
たNi−Ｐ合金層表面を鏡面研磨するときに両面間で生じ
る研磨のばらつきにより生じるものである。このような
膜厚差があると、スパッタ工程で加熱され熱履歴を受け
たときに、Al板のそれぞれの面が受けるストレスに差が
生じ、その結果、Al板，従ってNi−Ｐ基板の平坦度が変
化し、これを支持体とするディスクの平坦度が損なわれ
ることになる。

経験上、ディスクの平坦度が10μｍを超えると、磁気
ヘッドの安定した低浮上走行（浮上量0.15μｍ以下）が
難しく、ヘッドクラッシュが発生するようになるが、Ni
−Ｐ基板のA,B面のNi−Ｐ合金層の膜厚差をAl板の板厚
の0.035％以下に抑えることにより、ディスクの平坦度
を10μｍ以下とすることが可能となる。

〔実施例〕

第１図は、この発明の一実施例のディスクの模式的部
分断面図で、Al板11の一面にNi−Ｐ合金層12が形成され
てなるNi−Ｐ基板１上に、Cr層2,磁性層3,保護層4,潤滑
層５を順次積層した構成を示す。

実施例１ 外径95mm,内径25mm,板厚1.27mmのAl板の両面に無電解
めっき法で膜厚13μｍのNi−Ｐ合金層を形成し、このNi
−Ｐ合金層表面を膜厚が11μｍとなるように鏡面研磨し
てNi−Ｐ基板とする。このとき、Al板の一面（Ａ面）と
その対向面（Ｂ面）とのNi−Ｐ合金層の研磨量を変えて
Ni−Ｐ合金層のA,B面膜厚差およびAl板厚に対するA,B面
膜厚差の比率（A,B面膜厚差／板厚）×100（％）とが第
２表に示すようにそれぞれ異なるNi−Ｐ基板を作製し
た。

これらの基板上に、スパッタ法で、基板加熱温度を20
0℃として、Cr層（膜厚1500Å）,Co合金磁性層（膜厚45
0Å）,C保護層（膜厚400Å）を順次成膜積層し、さらに
その上に液体潤滑剤を塗布して潤滑層を形成して、ディ
スクを作製した。

実施例２ 実施例１におけるAl板の板厚を0.8mmに変え、かつ、N
i−Ｐ合金層のA,B面膜厚差および（A,B面膜厚差／板
厚）×100（％）を第３表に示すように変えたこと以外
は実施例１と同様にしてディスクを作製した。

このようにして得られた各ディスクの平坦度を調べ
た。その結果、Ni−Ｐ合金層の（A,B面膜厚差／板厚）
×100（％）とディスクの平坦度との間には第２図の線
図に示す関係が得られた。第２図において、実線はAl板
厚1.27mmのディスク（実施例１）に関するものであり、
点線はAl板厚0.8mmのディスク（実施例２）に関するも
のである。第２図より、ディスク平坦度を10μｍ以下に
抑えるためには（A,B面膜厚差／板厚）×100（％）を0.
035％以下とすることが必要であることが判る。

〔発明の効果〕

この発明によれば、非磁性基板を構成するAl板または
Al合金板の両面に形成されたNi−Ｐ合金層の膜厚差と板
厚との比率を0.035％以下とする。

このような非磁性基板を用いて得られる薄膜磁気ディ
スクは平坦度が10μｍ以下と良好であり、磁気ヘッドの
安定した低浮上走行（浮上量0.15μｍ以下）による高密
度記録及び非磁性基板の板厚を薄くしての小型化に対応
することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例の薄膜磁気ディスクの模式
的部分断面図、第２図はNi−Ｐ合金層の（A,B面膜厚差
／板厚）×100（％）と薄膜磁気ディスクの平坦度との
関係を示す線図である。 １……Ni−Ｐ基板、２……Cr層、３……磁性層、４……
保護層、５……潤滑層、11……Al合金板、12……Ni−Ｐ
合金層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−142708（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−224918（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−144209（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ディスク状Al板またはAl合金板の対向する
   両主面にNi−Ｐ合金層が形成されてなる非磁性基板の両
   主面にそれぞれ少なくとも磁性層および保護層がこの順
   に成膜積層されてなる薄膜磁気ディスクにおいて、前記
   Al板またはAl合金板の板厚は1.27mm以下であって、当該
   Al板またはAl合金板の一主面に形成されているNi−Ｐ合
   金層の膜厚とこれに対向する他の主面に形成されている
   Ni−Ｐ合金層の膜厚との差が当該1.27mm以下のAl板また
   はAl合金板の板厚の0.035％以下であることを特徴とす
   る薄膜磁気ディスク。