JP3725132B2 - 垂直磁気記録媒体、及びこれを用いた磁気記録再生装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録技術を用いたハードディスク装置等に用いられる磁気記録媒体、その製造方法、及び磁気記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
コンピュータを中心に利用されている情報記録、再生を行う磁気記憶装置（ＨＤＤ）は、その大容量、安価性、データアクセスの速さ、データ保持の信頼性などの理由により、近年徐々に応用の幅を広げ、家庭用ビデオデッキ、オーディオ機器、車載ナビゲーションシステムなど様々な分野で利用されている。ＨＤＤの利用の幅が広がるにつれ、その記憶容量の高密度化の要求も増し、近年ＨＤＤの高密度化開発はますます激しさを増している。
【０００３】
現在、市販されている磁気記録再生装置には、面内磁気記録方式が利用されている。この方式では、情報を記録する磁気記録層を構成する磁性結晶粒子が、基板に対して平行方向にその磁化容易軸を持つ。ここで、磁化容易軸とは、磁化の方向が向きやすい軸のことであり、Ｃｏ系合金の場合、Ｃｏのｈｃｐ構造のｃ軸のことを指す。面内磁気記録媒体では、記録密度が高密度になるにつれ磁性層の記録ビットが小さくなりすぎ、その情報が熱的に消去されるいわゆる熱ゆらぎ効果によって、記録再生特性が悪化する可能性がある。さらに、高密度化につれ、記録ビット間の境界領域で発生する反磁界の影響により媒体から発生するノイズが増大する傾向がある。
【０００４】
これに対し、磁気記録層中の磁化容易軸が基板に対して、略垂直方向に配向したいわゆる垂直磁気記録方式は、高密度化の際にも記録ビット間の反磁界の影響が少なく、また高密度化においても静磁気的に安定である。このため、面内記録方式に変わる技術として、近年大きな注目を集めている。垂直磁気記録媒体は、一般に、基板と、磁気記録層を配向させるための配向制御下地層と、硬質磁性材料の磁気記録層と、磁気記録層の表面を保護する保護層から形成されている。さらに、基板と下地層との間に、記録時に磁気ヘッドから発生する磁束を集中させる役割を担う軟磁性裏打ち層を設けることも行われている。
【０００５】
垂直磁気記録媒体においても、記録密度の高密度化には、熱安定性を保ちながら低ノイズ化を実現する必要がある。高密度化のため、情報を記録する磁性結晶粒子を微細化するには様々な方法がある。一般には、記録層の磁性結晶粒子そのものの大きさを微細化する方法が用いられている。現在、広く用いられているＣｏＣｒ系磁性層を例にとると、ＴａやＢを添加し、あるいは適当な温度で熱して粒界に非磁性Ｃｒを偏析させ、磁性粒子の微細化を実現している。しかし、Ｃｒ偏析による磁性粒子の微細化には限界があった。また、垂直磁気記録媒体では、面内磁気記録媒体よりＣｒ偏析の程度が弱いため、磁性結晶粒子間の分離が不十分で、粒子間の磁気的相互作用が比較的大きいままとなっていた。これにより、記録ビット間の転移ノイズがうまく低減できないという問題が起こっていた。
【０００６】
この磁気的相互作用を低減させる方策として、記録層にＳｉＯ2やＺｒＯ2やＴｉＮといった酸化物や窒化物を添加し、磁性結晶粒子がこれらの添加物によって取り囲まれたグラニュラ構造を有する磁気記録層を形成する方法がある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
しかし、酸化物や窒化物は、一般に拡散速度が遅く、磁性結晶粒界への析出が十分ではない。このため、析出しきれない酸化物や窒化物の一部は、磁性結晶粒子と過飽和固溶体を形成し、そのため磁性結晶粒子の結晶性や配向性が乱れ、その結果、記録再生(Ｒ／Ｗ)特性における信号対ノイズ比(ＳＮＲ)が低化するという問題があった。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００１−７６３２９号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、磁性結晶粒子の結晶性や配向性を乱すことなく、磁性結晶粒子の粒径を微細化せしめ、良好なＳＮＲ特性を有し、高密度記録が可能な垂直磁気記録媒体及びこれを用いた磁気記録装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、第１に、基板と、該基板上に形成された下地層と、該下地層上に形成され、磁化容易軸が基板に対し垂直に配向し、磁性結晶粒子と、該磁性結晶粒子を取り囲む母材とを有する垂直磁気記録層とを具備し、前記母材は、Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｌ，Ｇａ，及びＩｎからなる群から選択される少なくとも１種の元素と、Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｓ，Ｓｅ，及びＴｅからなる群から選択される少なくとも１種の元素とを含有することを特徴とする垂直磁気記録媒体を提供する。
【００１１】
本発明は、第２に、下地層が形成された基板を用意し、該下地層上に、磁性結晶粒子材料と、Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｌ，Ｇａ，及びＩｎからなる群から選択される少なくとも１種の元素、及びＰ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｓ，Ｓｅ，及びＴｅからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む母材材料とを蒸着し、磁性結晶粒子、及び該磁性結晶粒子を取り囲む母材を有する垂直磁気記録層を形成する工程を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【００１２】
本発明は、第３に、上記垂直磁気記録媒体と記録再生ヘッドとを具備することを特徴とする磁気記録再生装置を提供する。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の垂直磁気記録媒体は、基板上に、下地層、及び磁化容易軸が基板に対し垂直に配向した垂直磁気記録層とを順に積層した多層構成を含み、垂直磁気記録層は、磁性結晶粒子と、この磁性結晶粒子を取り囲む母材とを有し、この母材は、Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｌ，Ｇａ，及びＩｎからなる群から選択される少なくとも１種の第１の成分元素と、Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｓ，Ｓｅ，及びＴｅからなる群から選択される少なくとも１種の第２の成分元素とを含有する。
【００１４】
本発明の磁気記録再生装置は、上述の垂直磁気記録媒体と記録再生ヘッドとを有する。
【００１５】
また、本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法は、磁性結晶粒子材料と、Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｌ，Ｇａ，及びＩｎからなる群から選択される少なくとも１種の第１の成分元素、及びＰ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｓ，Ｓｅ，及びＴｅからなる群から選択される少なくとも１種の第２の成分元素を含む母材材料とを蒸着に供し、磁性結晶粒子、及び磁性結晶粒子を取り囲む母材を有する垂直磁気記録層を、下地層が形成された基板上に形成する工程を含む。
【００１６】
ここでいう蒸着は、真空蒸着法等の化学的蒸着法及びスパッタ法等の物理的蒸着法を含む。
【００１７】
本発明に使用される第１の成分元素及び第２の成分元素は、各々、単体では低融点の元素であるけれども、第１の成分元素及び第２の成分元素を含む化合物は、その融点が単体の融点よりも高い。
【００１８】
本発明においては、磁性結晶粒子の分断及び微細化のための添加物として、このように、単体で低融点の元素で構成され、かつその化合物としての融点が単体の融点よりも高温である母材材料を使用し、蒸着を行うと、基板上に飛来して凝縮した化合物分子と、後続して飛来した蒸着粒子との衝突が起こる。この衝突の衝撃で、先に凝縮していた化合物分子が成分元素の原子状態に解離する現象が起こる。この化合物状態から原子状態への解離に伴って、化合物を形成するための原子間の結合エネルギーが開放され、このエネルギーによって、解離した各元素は局所的に高温に加熱された状態となる。各元素は単体では低融点であるため拡散速度が速く、さらに、このような熱エネルギーを与えられた状態となるため、非常に高速で拡散し、すぐに安定な場所に達して、化合物状態に再結合する。
【００１９】
従って、このような母材材料を磁性結晶粒子材料と同時に蒸着に供すると、高速で拡散して、磁性結晶粒子の粒界に十分析出する。このため、本発明によれば、磁性結晶粒子の分断及び微細化のための添加物として、所定の成分元素を組み合わせて使用することにより、磁性結晶粒子と過飽和固溶体を形成することなく微細化されたグラニュラ構造を形成することができる。
【００２０】
一方、従来のＳｉＯ2等の酸化物や、窒化物を用いた場合、一方の元素が室温で気体分子となる元素であり、解離した後、再蒸発する。このため、このような高速で拡散し、再結合する現象は現れない。
【００２１】
母材材料として好ましく用いられる化合物としては、例えばＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，及びＺｎＳｅが上げられる。これらの化合物は、融点が１０００℃以上と高いため、結合エネルギーが高く、上述の化合物の解離の際に高いエネルギーを放出するため、拡散がより高速になり得る。より好ましくは、ＩｎＰ，ＧａＡｓ，ＺｎＳｅ，ＺｎＳ，ＺｎＴｅである。これらの化合物は、特にスパッタ成膜用のターゲットの作製が比較的容易であるという利点を有する。
【００２２】
前記垂直磁気記録層中の添加量は、好ましくは合計２０モル％以下、より好ましくは０．１ないし２０モル％である。０．１モル％未満であるとＲ／Ｗ特性におけるＳＮＲの顕著な向上効果が現れない傾向があり、２０モル％を超えるとＲ／Ｗ特性における再生出力が低下する傾向がある。
【００２３】
磁性結晶粒子材料としては、例えばＣｏ−Ｐｔ系、Ｆｅ−Ｐｔ系、Ｆｅ−Ｐｄ系合金を好ましく使用し得る。これらの合金は、高い結晶磁気異方性エネルギーを有している。これらの合金系に、磁気特性を改善する目的で、必要に応じてＣｒやＣｕといった添加元素を加えることができる。
【００２４】
より好ましくは、ＣｏＣｒＰｔ，ＦｅＰｔＣｕ，ＦｅＣｏＰｄ，ＦｅＰｄ，ＦｅＣｏＰｔ，ＦｅＰｄＣｕ，ＦｅＰｔＰｄ，ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＮｄ，ＣｏＣｒＰｔＣｕ等があげられる。
【００２５】
垂直磁気記録層の下地層としては、例えばＲｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃｒ，ＮｉＡｌ，ＭｇＯ，Ｔｉ，ＣｏＣｒ，Ｉｒ，Ａｇ，Ｆｅを用いることができる。
【００２６】
上記下地層は、必要に応じて２以上の層の積層にすることができる。例えば基板側から、Ｔａ／Ｒｕ，Ｔａ／Ｔｉ／Ｒｕ，ＮｉＡｌ／Ｐｔ，ＮｉＡｌ／Ｃｒ／Ｐｔ，Ｔａ／Ｔｉ／ＣｏＣｒ，ＮｉＴａ／Ｒｕ，ＮｉＴａ／Ｔｉ／Ｒｕ，ＮｉＴａ／Ｔｉ／ＣｏＣｒ，ＮｉＮｂ／Ｒｕ，ＮｉＮｂ／Ｔｉ／Ｒｕ，ＮｉＮｂ／Ｔｉ／ＣｏＣｒ，ＮｉＡｌ／Ｐｄ，ＮｉＡｌ／Ｉｒ，ＮｉＡｌ／Ａｇ，ＮｉＡｌ／Ｃｒ／Ｐｄ，ＮｉＡｌ／Ｃｒ／Ｉｒ，ＮｉＡｌ／Ｃｒ／Ａｇ，ＮｉＡｌ／Ｆｅ／Ｐｔ，ＮｉＡｌ／Ｆｅ／Ｐｄ，ＮｉＡｌ／Ｆｅ／Ｉｒ，ＮｉＡｌ／Ｆｅ／Ａｇ，ＭｇＯ／Ｐｔ，ＭｇＯ／Ｐｄ，ＭｇＯ／Ａｇ，ＭｇＯ／Ｉｒ，ＭｇＯ／Ｃｒ／Ｐｔ，ＭｇＯ／Ｃｒ／Ｐｄ，ＭｇＯ／Ｃｒ／Ａｇ，ＭｇＯ／Ｃｒ／Ｉｒ，ＭｇＯ／Ｆｅ／Ｐｔ，ＭｇＯ／Ｆｅ／Ｐｄ，ＭｇＯ／Ｆｅ／Ｉｒ，ＭｇＯ／Ｆｅ／Ａｇ等の積層があげられる。
【００２７】
上記下地層と基板との間には、軟磁性層を設けることができる。
【００２８】
高透磁率な軟磁性層を設けることにより、軟磁性層上に垂直磁気記録層を有するいわゆる垂直二層媒体が構成される。この垂直二層媒体において、軟磁性層は、垂直磁磁気記録層を磁化するための磁気ヘッド例えば単磁極ヘッドからの記録磁界を、水平方向に通して、磁気ヘッド側へ還流させるという磁気ヘッドの機能の一部を担っており、磁界の記録層に急峻で充分な垂直磁界を印加させ、記録再生効率を向上させる役目を果たし得る。
【００２９】
このような軟磁性層として、例えばＣｏＺｒＮｂ，ＦｅＳｉＡｌ，ＦｅＴａＣ，ＣｏＴａＣ，ＮｉＦｅ，Ｆｅ，ＦｅＣｏＢ，ＦｅＣｏＮ，ＦｅＴａＮがあげられる。
【００３０】
また、軟磁性層と基板との間に、例えば面内硬磁性膜及び反強磁性膜等のバイアス付与層を設けることができる。軟磁性層は磁区を形成しやすく、この磁区からスパイク状のノイズが発生することから、バイアス付与層の半径方向の一方向に磁界を印加することにより、その上に形成された軟磁性層にバイアス磁界をかけて磁壁の発生を防ぐことができる。バイアス付与層を積層構造として異方性を細かく分散して大きな磁区を形成しにくくすることもできる。バイアス付与層材料としては、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｄ、ＣｏＳｍ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＯ、ＣｏＰｔＣｒＯ、ＣｏＰｔ−ＳｉＯ2、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2 、ＣｏＣｒＰｔＯ−ＳｉＯ2があげられる。
【００３１】
非磁性基板として、ガラス基板、Ａｌ系の合金基板あるいは表面が酸化したＳｉ単結晶基板，セラミックス，及びプラスチック等を使用することができる。さらに，それら非磁性基板表面にＮｉＰ合金などのメッキが施されている場合でも同様の効果が期待される。
【００３２】
磁気記録層上には、保護層を設けることができる。保護層としては、例えばＣ，ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ），ＳｉＮｘ，ＳｉＯｘ，ＣＮｘがあげられる。
【００３３】
スパッタリング法として、コンポジットターゲットを用いた単元のスパッタリング法及びそれぞれの物質のターゲットを用いた、多元同時スパッタリング法を用いることができる。
【００３４】
図１に、本発明の磁気記録再生装置の一例を一部分解した斜視図を示す。
【００３５】
本発明に係る情報を記録するための剛構成の磁気ディスク１２１はスピンドル１２２に装着されており、図示しないスピンドルモータによって一定回転数で回転駆動される。磁気ディスク１２１にアクセスして情報の記録を行う記録ヘッド及び情報の再生を行うためのＭＲヘッドを搭載したスライダー１２３は、薄板状の板ばねからなるサスペンション１２４の先端に取付けられている。サスペンション１２４は図示しない駆動コイルを保持するボビン部等を有するアーム１２５の一端側に接続されている。
【００３６】
アーム１２５の他端側には、リニアモータの一種であるボイスコイルモータ１２６が設けられている。ボイスコイルモータ１２６は、アーム１２５のボビン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルと、それを挟み込むように対向して配置された永久磁石および対向ヨークにより構成される磁気回路とから構成されている。
【００３７】
アーム１２５は、固定軸１２７の上下２カ所に設けられた図示しないボールベアリングによって保持され、ボイスコイルモータ１２６によって回転揺動駆動される。すなわち、磁気ディスク１２１上におけるスライダー１２３の位置は、ボイスコイルモータ１２６によって制御される。なお、図６中、１２８は蓋体を示している。
【００３８】
【実施例】
以下、実施例を示し、本発明をより具体的に説明する。
【００３９】
実施例１
２．５インチハードディスク形状の非磁性ガラス基板を用意した。
【００４０】
スパッタリング装置の真空チャンバー内を２×１０-5Ｐａ以下に排気した後、０．６７ＰａのＡｒ雰囲気中で、軟磁性層として、Ｃｏ84Ｚｒ6Ｎｂ10ターゲットを使用し、Ｃｏ８４Ｚｒ6Ｎｂ10軟磁性層を２００ｎｍ、第１の下地層として、Ｔａターゲットを使用し、Ｔａ層を８ｎｍ形成した。その後３ＰａのＡｒ雰囲気中で、第２の下地層として、Ｒｕターゲットを使用し、Ｒｕ層を１５ｎｍ積層した。
【００４１】
次に、磁性結晶粒子材料として、Ｃｏ−１０ａｔ％Ｃｒ−１４ａｔ％Ｐｔを用い、これに対し、母材材料として、ＩｎＰを０から３０モル％の範囲で添加したコンポジットターゲットを用い、磁気記録層を２０ｎｍ形成した。その後、０．６７ＰａのＡｒ雰囲気中で、保護層としてＣを７ｎｍ積層した。成膜後、保護層表面にディップ法によりパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）潤滑剤を１３Åの厚さに塗布し、各々磁気記録媒体を得た。各ターゲットへの投入電力は１０００Ｗとした。
【００４２】
さらに、母材材料として、各々ＡｌＡｓ、ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅと、比較としてＳｉＯ2とを使用する以外は、同様にして種々の磁気記録媒体を得た。
【００４３】
得られた垂直磁気記録媒体の一例を表す断面図を図２に示す。
【００４４】
図示するように、この垂直磁気記録媒体は、基板１１上に、軟磁性層１２第１の下地層１３，第２の下地層１４，垂直磁気記録層１５，及び保護層１６を順に積層した構成を有する。
【００４５】
各垂直磁気記録媒体について、スピンスタンドを用いてＲ／Ｗ特性を評価した。磁気ヘッドとして、記録トラック幅０．３μｍの単磁極ヘッドと、再生トラック幅０．２μｍのＭＲヘッドを組み合わせたものを用いた。
【００４６】
測定条件は、半径位置２０ｍｍと一定の位置で、ディスクを４２００ｒｐｍで回転させて行った。
【００４７】
媒体ＳＮＲとして微分回路を通した後の微分波形の信号ノイズ比（ＳＮＲｍ）の値を、記録分解能の指標として、微分波形の半値幅ｄＰＷ50を評価した。但し、Ｓは１１９ｋｆｃｉの孤立波形の一磁化反転におけるｐｐ値すなわち＋−それぞれ最高値の差を１／２にした値、Ｎｍは７１６ｋｆｃｉでのｒｍｓ(root mean square)値である。
【００４８】
下記表１に、各母材材料の化合物添加量が１０モル％の場合のＳＮＲｍ値及びｄＰＷ50値を示す。
【００４９】
また、図３に、母材材料の化合物がＩｎＰの場合について、添加量とＳＮＲｍ値の関係を表すグラフ図を示す。添加量が１モル％から２０モル％の場合、ＳＮＲｍが向上して、さらに好ましいことが分かった。ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても同様の傾向が見られた。
【００５０】
次に、添加量が１モル％のものと１０モル％のものについて、加速電圧４００ｋＶの透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて記録層部分の微細構造を観察した。その結果、１０モル％の場合には、磁性結晶粒子部分と結晶粒界部分が明確に観察され、磁性結晶粒子を母材が取り囲むグラニュラ構造が形成されていることが分かった。一方、１モル％の場合には、結晶粒界部分が必ずしも明確に観察できなかった。
【００５１】
添加量が１０モル％の場合について、平面ＴＥＭ像から見積もった平均結晶粒径の値を表１に示す。
【００５２】
【表１】
【００５３】
上記表１に示すように、ＳＮＲｍ値及びｄＰＷ50値は、ＳｉＯ2添加の場合と比較すると、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅのいずれかを添加した場合でも、ＳＮＲｍが勝っていることが分かった。
【００５４】
平面ＴＥＭ像による平均結晶粒径の値は、ＳｉＯ2添加の場合と比較すると、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅのいずれかを添加した場合でも、平均結晶粒径が減少していることが分かった。
【００５５】
また、母材材料の化合物の添加量が１０モル％の場合について、X線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いてＩｎとＰの結合状態を評価したところ、大部分のＩｎとＰは結合してＩｎＰ化合物を形成していることが分かった。ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅの場合にも同様に、大部分が化合物を形成していることが確認された。
【００５６】
次に、母材材料化合物がＩｎＰの場合について、第１の下地層をＴａ、Ｎｉ−４０ａｔ％Ｔａ、あるいはＮｉ−３０ａｔ％Ｎｂに置き換え、第２の下地層をＲｕ、Ｃｏ−３０ａｔ％Ｃｒ、あるいはＴｉに各々置き換えること以外は、同様にして、下記表２に示す種々の下地層の組合せを有する磁気記録媒体を作成し、評価した。
【００５７】
ＩｎＰの添加量１０モル％の場合についてのＳＮＲｍ値を下記表２に示す。
【００５８】
【表２】
【００５９】
上記表２から明らかなように、いずれの下地層を用いた場合も良好なＳＮＲｍ値が得られ、好ましいことが分かった。同様の傾向は、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても見られた。
【００６０】
実施例２
２．５インチハードディスク形状の非磁性ガラス基板を用意した。
【００６１】
スパッタリング装置の真空チャンバー内を２×１０-5Ｐａ以下に排気した後、０．６７ＰａのＡｒ雰囲気中で、第１の下地層として、Ｔａターゲットを使用し、Ｔａ層を５ｎｍ形成した。その後、第２の下地層として、８ＰａのＡｒ雰囲気中で、Ｒｕターゲットを使用し、Ｒｕ層を１５ｎｍ積層した。
【００６２】
次に、磁性結晶粒子材料として、Ｃｏ−１０ａｔ％Ｃｒ−１４ａｔ％Ｐｔターゲットを使用し、母材材料として、ＩｎＰターゲットを使用し、二元同時スパッタ法により、８ＰａのＡｒ雰囲気中で磁気記録層を１５ｎｍ形成した。このとき、母材材料の添加量を磁性結晶粒子材料に対し０ないし３０モル％の間で適宜変化させるために、各ターゲットの投入電力を制御した。その後、０．６７ＰａのＡｒ雰囲気中で保護層としてＣを７ｎｍ積層した。成膜後、保護層表面にディップ法によりＰＦＰＥ潤滑剤を１３Åの厚さに塗布し、各々磁気記録媒体を得た。各ターゲットへの投入電力は１０００Ｗとした。
【００６３】
さらに、母材材料として、各々ＡｌＡｓ、ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅと、比較としてＳｉＯ2とを使用する以外は、同様にして種々の垂直磁気記録媒体を得た。
【００６４】
得られた垂直磁気記録媒体の一例を表す断面図を図４に示す。
【００６５】
図示するように、この垂直磁気記録媒体は、基板２１上に、軟磁性層２２第１の下地層２３，第２の下地層２４，第３の下地層２５、垂直磁気記録層２６，及び保護層２７を順に積層した構成を有する。
【００６６】
作製した媒体について、実施例１と同様の方法でＲ／Ｗ特性を評価し、また平均粒径を求めた。添加量が１０モル％の場合のＳＮＲｍ値及び平均粒径を下記表３に示す。
【００６７】
【表３】
【００６８】
母材材料化合物がＳｉＯ2の場合と比較すると、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅのいずれかを添加した場合でも、ＳＮＲｍが勝っていることが分かった。
【００６９】
図５に、母材材料化合物がＩｎＰの場合について、添加量とＳＮＲｍ値の関係を示す。添加量が１モル％から２０モル％の範囲の場合、ＳＮＲｍが向上して、さらに好ましいことが分かった。ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂ、Ａｌ2Ｓ3、Ａｌ2Ｓｅ3、Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても同様の傾向が見られた。
【００７０】
次に、母材材料化合物がＩｎＰの場合について、第１の下地層をＴａ、Ｎｉ−４０ａｔ％Ｔａ、あるいはＮｉ−３０ａｔ％Ｎｂに置き換え、第２の下地層をＴｉ、あるいはＣｏ−３０ａｔ％Ｃｒに置き換え、第３の下地層をＲｕ、あるいはＰｔに各々置き換えること以外は、同様にして、下記表４に示す種々の下地層の組合せを有する磁気記録媒体を作成し、評価した。ＩｎＰの添加量１０モル％の場合についてのＳＮＲｍ値を表４に示す。
【００７１】
【表４】
【００７２】
いずれの下地層を用いた場合も良好なＳＮＲｍ値が得られ、好ましいことが分かった。同様の傾向は、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，及びＺｎＳｅを添加した場合においても見られた。
【００７３】
実施例３
２．５インチハードディスク形状の非磁性ガラス基板を用意した。
【００７４】
スパッタリング装置の真空チャンバー内を２×１０-5Ｐａ以下に排気した後、０．６７ＰａのＡｒ雰囲気中で、軟磁性層として、Ｃｏ84Ｚｒ6Ｎｂ10ターゲットを使用し、Ｃｏ８４Ｚｒ6Ｎｂ10軟磁性層を２００ｎｍ、第１の下地層として、Ｔａターゲットを使用し、Ｔａ層を５ｎｍ、第２の下地層として、Ｒｕターゲットを使用し、Ｒｕ層を１５ｎｍで順に積層した。
【００７５】
次に、磁性結晶粒子材料として、Ｃｏ−１０ａｔ％Ｃｒ−１４ａｔ％Ｐｔターゲットを使用し、母材材料として、ＩｎＰターゲットを使用し、二元同時スパッタ法により、８ＰａのＡｒ雰囲気中で磁気記録層を１０ｎｍ形成した。このとき、母材材料の添加量を磁性結晶粒子材料に対し０ないし３０モル％の間で適宜変化させるために、各ターゲットの投入電力を制御した。その後、０．６７ＰａのＡｒ雰囲気中で保護層としてＣを７ｎｍ積層した。成膜後、保護層表面にディップ法によりＰＦＰＥ潤滑剤を１３Åの厚さに塗布し、各々磁気記録媒体を得た。各ターゲットへの投入電力は１０００Ｗとした。
【００７６】
さらに、母材材料として、各々ＡｌＡｓ、ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅと、比較としてＳｉＯ2とを使用する以外は、同様にして種々の垂直磁気記録媒体を得た。
【００７７】
得られた垂直磁気記録媒体の一例を表す断面図を図７に示す。
【００７８】
図示するように、この垂直磁気記録媒体は、基板３１上に、第１の下地層３２，第２の下地層３３，垂直磁気記録層３４，及び保護層３５を順に積層した構成を有する。
【００７９】
得られた媒体について、磁気ヘッドとして、記録トラック幅０．３μｍのリングヘッドと、再生トラック幅０．２μｍのＭＲヘッドを組み合わせたものを用いること以外は、実施例１と同様の方法でＲ／Ｗ特性を評価し、その平均粒径を求めた。
【００８０】
添加量が１０モル％の場合のＳＮＲｍ値を下記表５に示す。
【００８１】
【表５】
【００８２】
母材材料化合物がＳｉＯ2の場合と比較すると、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅのいずれかを添加した場合でも、ＳＮＲｍが勝っていることが分かった。
【００８３】
図８に、母材材料化合物がＩｎＰの場合について、添加量とＳＮＲｍ値の関係を示す。添加量が１モル％から２０モル％の範囲の場合、ＳＮＲｍが向上して、さらに好ましいことが分かった。ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても同様の傾向が見られた。
【００８４】
次に、母材材料化合物がＩｎＰの場合について、第１の下地層をＴａ、Ｎｉ−４０ａｔ％Ｔａ、またはＮｉ−３０ａｔ％Ｎｂ、第２の下地層をＲｕ、Ｃｏ−３０ａｔ％Ｃｒ、またはＴｉに置き換える以外は、同様にして下記表６に示す種々の下地層の組合せを有する磁気記録媒体を作成し、評価した。ＩｎＰの添加量１０モル％の場合についてのＳＮＲｍ値を表６に示す。
【００８５】
【表６】
【００８６】
いずれの下地層を用いた場合も良好なＳＮＲｍ値が得られ、好ましいことが分かった。同様の傾向は、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても見られた。
【００８７】
実施例４
２．５インチハードディスク形状の非磁性ガラス基板を用意した。
【００８８】
スパッタリング装置の真空チャンバー内を２×１０-5Ｐａ以下に排気した後、０．６７ＰａのＡｒ雰囲気中で、第１の下地層としてＲｕターゲットを使用し、Ｒｕ層を１５ｎｍ積層した。
【００８９】
次に、磁性結晶粒子材料として、Ｃｏ−１０ａｔ％Ｃｒ−１４ａｔ％Ｐｔターゲットを使用し、母材材料として、ＩｎＰターゲットを使用し、二元同時スパッタ法により、８ＰａのＡｒ雰囲気中で磁気記録層を１０ｎｍ形成した。このとき、母材材料の添加量を磁性結晶粒子材料に対し０ないし３０モル％の間で適宜変化させるために、各ターゲットの投入電力を制御した。その後、０．６７ＰａのＡｒ雰囲気中で保護層としてＣを７ｎｍ積層した。成膜後、保護層表面にディップ法によりＰＦＰＥ潤滑剤を１３Åの厚さに塗布し、各々磁気記録媒体を得た。各ターゲットへの投入電力は１０００Ｗとした。
【００９０】
さらに、母材材料として、各々ＡｌＡｓ、ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅと、比較としてＳｉＯ2とを使用する以外は、同様にして種々の垂直磁気記録媒体を得た。
【００９１】
得られた垂直磁気記録媒体の一例を表す断面図を図７に示す。
【００９２】
図示するように、この垂直磁気記録媒体は、基板４１上に、下地層４２，垂直磁気記録層４３，及び保護層４４を順に積層した構成を有する。
【００９３】
得られた媒体について、磁気ヘッドとして、記録トラック幅０．３μｍのリングヘッドと、再生トラック幅０．２μｍのＭＲヘッドを組み合わせたものを用いること以外は、実施例３と同様の方法でＲ／Ｗ特性を評価し、その平均粒径を求めた。得られた結果を下記表７に示す。
【００９４】
【表７】
【００９５】
表７に示すように、ＳｉＯ2添加の場合と比較すると、ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂ、Ａｌ2Ｓ3、Ａｌ2Ｓｅ3、Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅのいずれかを添加した場合でも、ＳＮＲｍ、ｄＰＷ50ともに向上し、結晶粒径も微細化していることが分かった。
【００９６】
また、図９に、母材材料化合物がＩｎＰの場合について、添加量とＳＮＲｍ値の関係を示す。添加量が１モル％から２０モル％の範囲の場合、ＳＮＲｍが向上して、さらに好ましいことが分かった。ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂ、Ａｌ2Ｓ3、Ａｌ2Ｓｅ3、Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても同様の傾向が見られた。
【００９７】
次に、母材材料化合物がＩｎＰの場合について、下地層をＰｔ, Ｃｏ３０ａｔ％Ｃｒ、またはＴｉと置き換える以外は下記表８に示す種々の下地層を持つ磁気記録媒体を作成し、評価した。ＩｎＰの添加量１０モル％の場合についてのＳＮＲｍ値を下記表８に示す。
【００９８】
【表８】
【００９９】
いずれの下地層を用いた場合も良好なＳＮＲｍ値が得られ、好ましいことが分かった。同様の傾向は、ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂ、Ａｌ2Ｓ3、Ａｌ2Ｓｅ3、Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても見られた。
【０１００】
実施例５
第１の下地層として、Ｎｉ−５０ａｔ％Ａｌを８ｎｍ、第２の下地層として、Ｐｔを１５ｎｍを形成し、磁性結晶粒子としてＦｅ−４８ａｔ％Ｐｔ−２ａｔ％Ｃｕを使用し、母材材料の比較としてＳｉＯ2の代わりにＺｒＯ2を使用し、磁気記録層の厚さを１０ｎｍとし、磁気記録層の成膜中、基板温度が３００℃になるように赤外線ヒーターで基板を加熱する以外は、実施例２と同様にして、種々の母材材料を用いた磁気記録媒体を得た。
【０１０１】
作製した媒体について、実施例１と同様の方法でＲ／Ｗ特性を評価した。
【０１０２】
添加量が１０モル％の場合のＳＮＲｍ値を表９に示す。
【０１０３】
【表９】
【０１０４】
母材材料化合物がＺｒＯ2の場合と比較すると、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅのいずれかを添加した場合でも、ＳＮＲｍが勝っていることが分かった。
【０１０５】
図１０に、母材材料化合物がＧａＡｓの場合について、添加量とＳＮＲｍ値の関係を示す。添加量が１モル％から２０モル％の範囲の場合、ＳＮＲｍが向上して、さらに好ましいことが分かった。ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても同様の傾向が見られた。
【０１０６】
次に、母材材料化合物がＧａＡｓの場合について、第１の下地層をＮｉ−５０ａｔ％Ａｌ、またはＭｇＯに置き換え、第２の下地層をＰｔ、Ｃｒ、またはＰｄに置き換えること以外は同様にして、下記表１０に示す種々の下地層の組合せを有する磁気記録媒体を作成し、同様に評価した。ＧａＡｓの添加量１０モル％の場合についてのＳＮＲｍ値を表１０に示す。
【０１０７】
【表１０】
【０１０８】
いずれの下地層を用いた場合も良好なＳＮＲｍ値が得られ、好ましいことが分かった。同様の傾向は、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても見られた。
【０１０９】
実施例６
第１の下地層として、Ｎｉ−５０ａｔ％Ａｌを５ｎｍ、第２の下地層として、Ｃｒを２０ｎｍ、及び第３の下地層として、Ｐｔを１０ｎｍを形成し、磁性結晶粒子としてＦｅ−４８ａｔ％Ｐｔ−２ａｔ％Ｃｕを使用し、母材材料の比較としてＳｉＯ2の代わりにＺｒＯ2を使用し、磁気記録層の厚さを５ｎｍとし、磁気記録層の成膜中、基板温度が３００℃になるように赤外線ヒーターで基板を加熱する以外は、実施例１と同様にして、種々の母材材料を用いた磁気記録媒体を得た。
【０１１０】
作製した媒体について、実施例１と同様の方法でＲ／Ｗ特性を評価した。
【０１１１】
添加量が１０モル％の場合のＳＮＲｍ値を表１１に示す。
【０１１２】
【表１１】
【０１１３】
母材材料化合物がＺｒＯ2の場合と比較すると、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅのいずれかを添加した場合でも、ＳＮＲｍが勝っていることが分かった。
【０１１４】
図１１に、母材材料化合物がＧａＡｓである場合の、添加量とＳＮＲｍの関係を示す。添加量が１モル％から２０モル％の範囲の場合、ＳＮＲｍが向上して、さらに好ましいことが分かった。ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても同様の傾向が見られた。
【０１１５】
次に、母材材料化合物がＧａＡｓの場合について、第１の下地層をＮｉ−５０ａｔ％Ａｌ、またはＭｇＯに置き換え、第２の下地層をＣｒ、またはＦｅに置き換え、第３の下地層をＰｔ、またはＰｄに置き換えること以外は同様にして、下記表１２に示す種々の下地層の組合せを有する磁気記録媒体を作成し、同様に評価した。ＧａＡｓの添加量１０モル％の場合についてのＳＮＲｍ値を表１２に示す。
【０１１６】
【表１２】
【０１１７】
いずれの下地層を用いた場合も良好なＳＮＲｍ値が得られ、好ましいことが分かった。同様の傾向は、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても見られた。
【０１１８】
実施例７
第１の下地層として、Ｎｉ−５０ａｔ％Ａｌを５ｎｍ、第２の下地層として、Ｐｔを１５ｎｍ形成し、磁性結晶粒子としてＦｅ−４８ａｔ％Ｐｔ−２ａｔ％Ｃｕを使用し、母材材料の比較としてＳｉＯ2の代わりにＺｒＯ2を使用し、磁気記録層の厚さを５ｎｍとし、磁気記録層の成膜中、基板温度が３００℃になるように赤外線ヒーターで基板を加熱する以外は、実施例３と同様にして、種々の母材材料を用いた磁気記録媒体を得た。
【０１１９】
作製した媒体について、実施例３と同様の方法でＲ／Ｗ特性を評価した。
【０１２０】
添加量が１０モル％の場合のＳＮＲｍ値を表１３に示す。
【０１２１】
【表１３】
【０１２２】
ＺｒＯ2添加の場合と比較すると、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅのいずれかを添加した場合でも、ＳＮＲｍが勝っていることが分かった。
【０１２３】
図１２に、母材化合物がＧａＡｓの場合について、添加量とＳＮＲｍ値の関係を表すグラフ図を示す。
【０１２４】
添加量が１モル％から２０モル％の範囲の場合、ＳＮＲｍが向上して、さらに好ましいことが分かった。ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても同様の傾向が見られた。
【０１２５】
次に、母材材料化合物がＧａＡｓの場合について、第１の下地層をＮｉ−５０ａｔ％Ａｌ、またはＭｇＯ、第２の下地層をＰｔ,Ｃｒ,またはＰｄと置き換える以外は同様にして、下記表１４に示す種々の下地層の組合せを有する磁気記録媒体を作成し、同様に評価した。
【０１２６】
ＧａＡｓの添加量１０モル％の場合についてのＳＮＲｍ値を表１４に示す。
【０１２７】
【表１４】
【０１２８】
いずれの下地層を用いた場合も良好なＳＮＲｍ値が得られ、好ましいことが分かった。同様の傾向は、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても見られた。
【０１２９】
実施例８
下地層としてＰｔを１５ｎｍ形成し、磁性結晶粒子としてＦｅ−４８ａｔ％Ｐｔ−２ａｔ％Ｃｕを使用し、母材材料の比較としてＳｉＯ2の代わりにＺｒＯ2を使用し、磁気記録層の厚さを５ｎｍとし、磁気記録層の成膜中、基板温度が３００℃になるように赤外線ヒーターで基板を加熱する以外は、実施例４と同様にして、種々の母材材料を用いた磁気記録媒体を得た。
【０１３０】
作製した媒体について、実施例３と同様の方法でＲ／Ｗ特性を評価した。
【０１３１】
添加量が１０モル％の場合のＳＮＲｍ値を表１５に示す。
【０１３２】
【表１５】
【０１３３】
ＺｒＯ2添加の場合と比較すると、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅのいずれかを添加した場合でも、ＳＮＲｍが勝っていることが分かった。
【０１３４】
図１３に、母材化合物がＧａＡｓの場合について、添加量とＳＮＲｍ値の関係を表すグラフ図を示す。添加量が１モル％から２０モル％の範囲の場合、ＳＮＲｍが向上して、さらに好ましいことが分かった。ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても同様の傾向が見られた。
【０１３５】
次に、母材材料化合物がＧａＡｓの場合について、下地層をＮｉ−５０ａｔ％Ａｌ、ＭｇＯ、Ｃｒ、またはＰｄと置き換える以外は同様にして、下記表１６に示す種々の下地層を有する磁気記録媒体を作成し、同様に評価した。
【０１３６】
ＧａＡｓの添加量１０モル％の場合についてのＳＮＲｍ値を下記表１６に示す。
【０１３７】
【表１６】
【０１３８】
いずれの下地層を用いた場合も良好なＳＮＲｍ値が得られ、好ましいことが分かった。同様の傾向は、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても見られた。
【０１３９】
実施例９
磁性結晶粒子としてＦｅ−５ａｔ％Ｃｏ−５０ａｔ％Ｐｄを使用し、母材材料の比較としてＺｒＯ2の代わりにＴｉＮを使用する以外は、実施例５と同様にして、種々の母材材料を用いた磁気記録媒体を得た。
【０１４０】
作製した媒体について、実施例１と同様の方法でＲ／Ｗ特性を評価した。
【０１４１】
添加量が１０モル％の場合のＳＮＲｍ値を表１７に示す。
【０１４２】
【表１７】
【０１４３】
母材材料化合物がＴｉＮの場合と比較すると、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅのいずれかを添加した場合でも、ＳＮＲｍが勝っていることが分かった。
【０１４４】
図１４に、母材材料化合物がＺｎＳｅの場合について、添加量とＳＮＲｍ値の関係を示す。
【０１４５】
添加量が１モル％から２０モル％の範囲の場合、ＳＮＲｍが向上して、さらに好ましいことが分かった。ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅを添加した場合においても同様の傾向が見られた。
【０１４６】
次に、添加物がＺｎＳｅの場合について、第１の下地層及び第２の下地層を実施例５と同様にして置き換えて、下記表１８に示す種々の下地層の組合せを有する磁気記録媒体を作成し、同様に評価した。ＺｎＳｅの添加量１０モル％の場合についてのＳＮＲｍ値を表１８に示す。
【０１４７】
【表１８】
【０１４８】
いずれの下地層を用いた場合も良好なＳＮＲｍ値が得られ、好ましいことが分かった。同様の傾向は、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ、ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅを添加した場合においても見られた。
【０１４９】
実施例１０
磁性結晶粒子としてＦｅ−５ａｔ％Ｃｏ−５０ａｔ％Ｐｄを使用し、母材材料の比較としてＺｒＯ2の代わりにＴｉＮを使用する以外は、実施例６と同様にして、種々の母材材料を用いた磁気記録媒体を得た。
【０１５０】
作製した媒体について、実施例１と同様の方法でＲ／Ｗ特性を評価した。
【０１５１】
添加量が１０モル％の場合のＳＮＲｍ値を表１９に示す。
【０１５２】
【表１９】
【０１５３】
母材材料化合物がＴｉＮの場合と比較すると、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅのいずれかを添加した場合でも、ＳＮＲｍが勝っていることが分かった。
【０１５４】
図１５に、母材材料化合物がＺｎＳｅの場合について、添加量とＳＮＲｍ値の関係を示す。
【０１５５】
添加量が１モル％から２０モル％の範囲の場合、ＳＮＲｍが向上して、さらに好ましいことが分かった。ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅを添加した場合においても同様の傾向が見られた。
【０１５６】
次に、添加物がＺｎＳｅの場合について、第１の下地層、第２の下地層、及び第３の下地層を実施例６と同様にして置き換えて、下記表２０に示す種々の下地層の組合せを有する磁気記録媒体を作成し、同様に評価した。ＺｎＳｅの添加量１０モル％の場合についてのＳＮＲｍ値を表２０に示す。
【０１５７】
【表２０】
【０１５８】
いずれの下地層を用いた場合も良好なＳＮＲｍ値が得られ、好ましいことが分かった。同様の傾向は、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ、ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅを添加した場合においても見られた。
【０１５９】
実施例１１
基板としてディスク形状のＳｉ基板を使用し、第１の下地層としてＭｇＯを５ｎｍ、第２の下地層としてＰｄを１５ｎｍ形成し、及び磁性結晶粒子としてＦｅ−５０ａｔ％Ｐｄを使用し、母材材料の比較としてＺｒＯ2の代わりにＴｉＮを使用する以外は、実施例３と同様にして、種々の母材材料を用いた磁気記録媒体を得た。
【０１６０】
作製した媒体について、実施例３と同様の方法でＲ／Ｗ特性を評価した。
【０１６１】
添加量が１０モル％の場合のＳＮＲｍ値を表２１に示す。
【０１６２】
【表２１】
【０１６３】
母材材料化合物がＴｉＮの場合と比較すると、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅのいずれかを添加した場合でも、ＳＮＲｍが勝っていることが分かった。
【０１６４】
図１６に、母材材料化合物がＺｎＳｅの場合について、添加量とＳＮＲｍ値の関係を示す。
【０１６５】
添加量が１モル％から２０モル％の範囲の場合、ＳＮＲｍが向上して、さらに好ましいことが分かった。ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅを添加した場合においても同様の傾向が見られた。
【０１６６】
次に、添加物がＺｎＳｅの場合について、第１の下地層、及び第２の下地層を実施例７と同様にして置き換えて、下記表２２に示す種々の下地層の組合せを有する磁気記録媒体を作成し、同様に評価した。ＺｎＳｅの添加量１０モル％の場合についてのＳＮＲｍ値を表２２に示す。
【０１６７】
【表２２】
【０１６８】
いずれの下地層を用いた場合も良好なＳＮＲｍ値が得られ、好ましいことが分かった。同様の傾向は、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ、ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅを添加した場合においても見られた。
【０１６９】
実施例１２
基板としてディスク形状のＳｉ基板を使用し、第１の下地層としてＰｄを１０ｎｍ形成し、及び磁性結晶粒子としてＦｅ−５０ａｔ％Ｐｄを使用し、母材材料の比較としてＺｒＯ2の代わりにＴｉＮを使用する以外は、実施例３と同様にして、種々の母材材料を用いた磁気記録媒体を得た。
【０１７０】
作製した媒体について、実施例３と同様の方法でＲ／Ｗ特性を評価した。
【０１７１】
添加量が１０モル％の場合のＳＮＲｍ値を表２３に示す。
【０１７２】
【表２３】
【０１７３】
母材材料化合物がＴｉＮの場合と比較すると、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅのいずれかを添加した場合でも、ＳＮＲｍが勝っていることが分かった。
【０１７４】
図１７に、母材材料化合物がＺｎＳｅの場合について、添加量とＳＮＲｍ値の関係を示す。
【０１７５】
添加量が１モル％から２０モル％の範囲の場合、ＳＮＲｍが向上して、さらに好ましいことが分かった。ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅを添加した場合においても同様の傾向が見られた。
【０１７６】
次に、添加物がＺｎＳｅの場合について、下地層をＰｔ,Ｃｒ,Ｎｉ−５０ａｔ％Ａｌ、ＭｇＯに置き換えて、下記表２４に示す種々の下地層を有する磁気記録媒体を作成し、同様に評価した。ＺｎＳｅの添加量１０モル％の場合についてのＳＮＲｍ値を表２４に示す。
【０１７７】
【表２４】
【０１７８】
いずれの下地層を用いた場合も良好なＳＮＲｍ値が得られ、好ましいことが分かった。同様の傾向は、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ、ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅを添加した場合においても見られた。
【０１７９】
【発明の効果】
本発明によれば、磁性結晶粒子の結晶性や配向性を乱すことなく、その磁性結晶粒子の粒径が微細化され、良好なＳＮＲ特性を示す垂直磁気記録媒体が得られ、高密度記録が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の磁気記録再生装置の一例を一部分解した斜視図
【図２】 本発明の垂直磁気記録媒体の第１の例の構成を表す断面図
【図３】 実施例１のＩｎＰ添加量とＳＮＲｍ値の関係を示すグラフ図
【図４】 本発明の垂直磁気記録媒体の第２の例の構成を表す断面図
【図５】 実施例２のＩｎＰ添加量とＳＮＲｍ値の関係を示すグラフ図
【図６】 本発明の垂直磁気記録媒体の第３の例の構成を表す断面図
【図７】 本発明の垂直磁気記録媒体の第４の例の構成を表す断面図
【図８】 実施例３のＩｎＰ添加量とＳＮＲｍ値の関係を示すグラフ図
【図９】 実施例４のＩｎＰ添加量とＳＮＲｍ値の関係を示すグラフ図
【図１０】 実施例５のＧａＡｓ添加量とＳＮＲｍ値の関係を示すグラフ図
【図１１】 実施例６のＧａＡｓ添加量とＳＮＲｍ値の関係を示すグラフ図
【図１２】 実施例７のＧａＡｓ添加量とＳＮＲｍ値の関係を示すグラフ図
【図１３】 実施例８のＧａＡｓ添加量とＳＮＲｍ値の関係を示すグラフ図
【図１４】 実施例９のＺｎＳｅ添加量とＳＮＲｍ値の関係を示すグラフ図
【図１５】 実施例１０のＺｎＳｅ添加量とＳＮＲｍ値の関係を示すグラフ図
【図１６】 実施例１１のＺｎＳｅ添加量とＳＮＲｍ値の関係を示すグラフ図
【図１７】 実施例１２のＺｎＳｅ添加量とＳＮＲｍ値の関係を示すグラフ図
【符号の説明】
１１，２１，３１，４１…基板、１２，２２…軟磁性層、１３，１４，２３，２４，２５，３２，３３，４２…下地層、１５，２６，３４，４３…磁気記録層、１６，２７，３５，４４…保護層、１２１…磁気ディスク、１２２…スピンドル、１２３…スライダー、１２４…サスペンション、１２５…アーム、１２６…ボイスコイルモータ、１２７…固定軸
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録技術を用いたハードディスク装置等に用いられる磁気記録媒体、その製造方法、及び磁気記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
コンピュータを中心に利用されている情報記録、再生を行う磁気記憶装置（ＨＤＤ）は、その大容量、安価性、データアクセスの速さ、データ保持の信頼性などの理由により、近年徐々に応用の幅を広げ、家庭用ビデオデッキ、オーディオ機器、車載ナビゲーションシステムなど様々な分野で利用されている。ＨＤＤの利用の幅が広がるにつれ、その記憶容量の高密度化の要求も増し、近年ＨＤＤの高密度化開発はますます激しさを増している。
【０００３】
現在、市販されている磁気記録再生装置には、面内磁気記録方式が利用されている。この方式では、情報を記録する磁気記録層を構成する磁性結晶粒子が、基板に対して平行方向にその磁化容易軸を持つ。ここで、磁化容易軸とは、磁化の方向が向きやすい軸のことであり、Ｃｏ系合金の場合、Ｃｏのｈｃｐ構造のｃ軸のことを指す。面内磁気記録媒体では、記録密度が高密度になるにつれ磁性層の記録ビットが小さくなりすぎ、その情報が熱的に消去されるいわゆる熱ゆらぎ効果によって、記録再生特性が悪化する可能性がある。さらに、高密度化につれ、記録ビット間の境界領域で発生する反磁界の影響により媒体から発生するノイズが増大する傾向がある。
【０００４】
これに対し、磁気記録層中の磁化容易軸が基板に対して、略垂直方向に配向したいわゆる垂直磁気記録方式は、高密度化の際にも記録ビット間の反磁界の影響が少なく、また高密度化においても静磁気的に安定である。このため、面内記録方式に変わる技術として、近年大きな注目を集めている。垂直磁気記録媒体は、一般に、基板と、磁気記録層を配向させるための配向制御下地層と、硬質磁性材料の磁気記録層と、磁気記録層の表面を保護する保護層から形成されている。さらに、基板と下地層との間に、記録時に磁気ヘッドから発生する磁束を集中させる役割を担う軟磁性裏打ち層を設けることも行われている。
【０００５】
垂直磁気記録媒体においても、記録密度の高密度化には、熱安定性を保ちながら低ノイズ化を実現する必要がある。高密度化のため、情報を記録する磁性結晶粒子を微細化するには様々な方法がある。一般には、記録層の磁性結晶粒子そのものの大きさを微細化する方法が用いられている。現在、広く用いられているＣｏＣｒ系磁性層を例にとると、ＴａやＢを添加し、あるいは適当な温度で熱して粒界に非磁性Ｃｒを偏析させ、磁性粒子の微細化を実現している。しかし、Ｃｒ偏析による磁性粒子の微細化には限界があった。また、垂直磁気記録媒体では、面内磁気記録媒体よりＣｒ偏析の程度が弱いため、磁性結晶粒子間の分離が不十分で、粒子間の磁気的相互作用が比較的大きいままとなっていた。これにより、記録ビット間の転移ノイズがうまく低減できないという問題が起こっていた。
【０００６】
この磁気的相互作用を低減させる方策として、記録層にＳｉＯ2やＺｒＯ2やＴｉＮといった酸化物や窒化物を添加し、磁性結晶粒子がこれらの添加物によって取り囲まれたグラニュラ構造を有する磁気記録層を形成する方法がある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
しかし、酸化物や窒化物は、一般に拡散速度が遅く、磁性結晶粒界への析出が十分ではない。このため、析出しきれない酸化物や窒化物の一部は、磁性結晶粒子と過飽和固溶体を形成し、そのため磁性結晶粒子の結晶性や配向性が乱れ、その結果、記録再生(Ｒ／Ｗ)特性における信号対ノイズ比(ＳＮＲ)が低化するという問題があった。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００１−７６３２９号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、磁性結晶粒子の結晶性や配向性を乱すことなく、磁性結晶粒子の粒径を微細化せしめ、良好なＳＮＲ特性を有し、高密度記録が可能な垂直磁気記録媒体及びこれを用いた磁気記録装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、第１に、基板と、該基板上に形成された下地層と、該下地層上に形成され、磁化容易軸が基板に対し垂直に配向し、磁性結晶粒子と、該磁性結晶粒子を取り囲む母材とを有する垂直磁気記録層とを具備し、前記母材は、Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｌ，Ｇａ，及びＩｎからなる群から選択される少なくとも１種の元素と、Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｓ，Ｓｅ，及びＴｅからなる群から選択される少なくとも１種の元素とを含有することを特徴とする垂直磁気記録媒体を提供する。
【００１１】
本発明は、第２に、下地層が形成された基板を用意し、該下地層上に、磁性結晶粒子材料と、Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｌ，Ｇａ，及びＩｎからなる群から選択される少なくとも１種の元素、及びＰ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｓ，Ｓｅ，及びＴｅからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む母材材料とを蒸着し、磁性結晶粒子、及び該磁性結晶粒子を取り囲む母材を有する垂直磁気記録層を形成する工程を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【００１２】
本発明は、第３に、上記垂直磁気記録媒体と記録再生ヘッドとを具備することを特徴とする磁気記録再生装置を提供する。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の垂直磁気記録媒体は、基板上に、下地層、及び磁化容易軸が基板に対し垂直に配向した垂直磁気記録層とを順に積層した多層構成を含み、垂直磁気記録層は、磁性結晶粒子と、この磁性結晶粒子を取り囲む母材とを有し、この母材は、Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｌ，Ｇａ，及びＩｎからなる群から選択される少なくとも１種の第１の成分元素と、Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｓ，Ｓｅ，及びＴｅからなる群から選択される少なくとも１種の第２の成分元素とを含有する。
【００１４】
本発明の磁気記録再生装置は、上述の垂直磁気記録媒体と記録再生ヘッドとを有する。
【００１５】
また、本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法は、磁性結晶粒子材料と、Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｌ，Ｇａ，及びＩｎからなる群から選択される少なくとも１種の第１の成分元素、及びＰ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｓ，Ｓｅ，及びＴｅからなる群から選択される少なくとも１種の第２の成分元素を含む母材材料とを蒸着に供し、磁性結晶粒子、及び磁性結晶粒子を取り囲む母材を有する垂直磁気記録層を、下地層が形成された基板上に形成する工程を含む。
【００１６】
ここでいう蒸着は、真空蒸着法等の化学的蒸着法及びスパッタ法等の物理的蒸着法を含む。
【００１７】
本発明に使用される第１の成分元素及び第２の成分元素は、各々、単体では低融点の元素であるけれども、第１の成分元素及び第２の成分元素を含む化合物は、その融点が単体の融点よりも高い。
【００１８】
本発明においては、磁性結晶粒子の分断及び微細化のための添加物として、このように、単体で低融点の元素で構成され、かつその化合物としての融点が単体の融点よりも高温である母材材料を使用し、蒸着を行うと、基板上に飛来して凝縮した化合物分子と、後続して飛来した蒸着粒子との衝突が起こる。この衝突の衝撃で、先に凝縮していた化合物分子が成分元素の原子状態に解離する現象が起こる。この化合物状態から原子状態への解離に伴って、化合物を形成するための原子間の結合エネルギーが開放され、このエネルギーによって、解離した各元素は局所的に高温に加熱された状態となる。各元素は単体では低融点であるため拡散速度が速く、さらに、このような熱エネルギーを与えられた状態となるため、非常に高速で拡散し、すぐに安定な場所に達して、化合物状態に再結合する。
【００１９】
従って、このような母材材料を磁性結晶粒子材料と同時に蒸着に供すると、高速で拡散して、磁性結晶粒子の粒界に十分析出する。このため、本発明によれば、磁性結晶粒子の分断及び微細化のための添加物として、所定の成分元素を組み合わせて使用することにより、磁性結晶粒子と過飽和固溶体を形成することなく微細化されたグラニュラ構造を形成することができる。
【００２０】
一方、従来のＳｉＯ2等の酸化物や、窒化物を用いた場合、一方の元素が室温で気体分子となる元素であり、解離した後、再蒸発する。このため、このような高速で拡散し、再結合する現象は現れない。
【００２１】
母材材料として好ましく用いられる化合物としては、例えばＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，及びＺｎＳｅが上げられる。これらの化合物は、融点が１０００℃以上と高いため、結合エネルギーが高く、上述の化合物の解離の際に高いエネルギーを放出するため、拡散がより高速になり得る。より好ましくは、ＩｎＰ，ＧａＡｓ，ＺｎＳｅ，ＺｎＳ，ＺｎＴｅである。これらの化合物は、特にスパッタ成膜用のターゲットの作製が比較的容易であるという利点を有する。
【００２２】
前記垂直磁気記録層中の添加量は、好ましくは合計２０モル％以下、より好ましくは０．１ないし２０モル％である。０．１モル％未満であるとＲ／Ｗ特性におけるＳＮＲの顕著な向上効果が現れない傾向があり、２０モル％を超えるとＲ／Ｗ特性における再生出力が低下する傾向がある。
【００２３】
磁性結晶粒子材料としては、例えばＣｏ−Ｐｔ系、Ｆｅ−Ｐｔ系、Ｆｅ−Ｐｄ系合金を好ましく使用し得る。これらの合金は、高い結晶磁気異方性エネルギーを有している。これらの合金系に、磁気特性を改善する目的で、必要に応じてＣｒやＣｕといった添加元素を加えることができる。
【００２４】
より好ましくは、ＣｏＣｒＰｔ，ＦｅＰｔＣｕ，ＦｅＣｏＰｄ，ＦｅＰｄ，ＦｅＣｏＰｔ，ＦｅＰｄＣｕ，ＦｅＰｔＰｄ，ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＮｄ，ＣｏＣｒＰｔＣｕ等があげられる。
【００２５】
垂直磁気記録層の下地層としては、例えばＲｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃｒ，ＮｉＡｌ，ＭｇＯ，Ｔｉ，ＣｏＣｒ，Ｉｒ，Ａｇ，Ｆｅを用いることができる。
【００２６】
上記下地層は、必要に応じて２以上の層の積層にすることができる。例えば基板側から、Ｔａ／Ｒｕ，Ｔａ／Ｔｉ／Ｒｕ，ＮｉＡｌ／Ｐｔ，ＮｉＡｌ／Ｃｒ／Ｐｔ，Ｔａ／Ｔｉ／ＣｏＣｒ，ＮｉＴａ／Ｒｕ，ＮｉＴａ／Ｔｉ／Ｒｕ，ＮｉＴａ／Ｔｉ／ＣｏＣｒ，ＮｉＮｂ／Ｒｕ，ＮｉＮｂ／Ｔｉ／Ｒｕ，ＮｉＮｂ／Ｔｉ／ＣｏＣｒ，ＮｉＡｌ／Ｐｄ，ＮｉＡｌ／Ｉｒ，ＮｉＡｌ／Ａｇ，ＮｉＡｌ／Ｃｒ／Ｐｄ，ＮｉＡｌ／Ｃｒ／Ｉｒ，ＮｉＡｌ／Ｃｒ／Ａｇ，ＮｉＡｌ／Ｆｅ／Ｐｔ，ＮｉＡｌ／Ｆｅ／Ｐｄ，ＮｉＡｌ／Ｆｅ／Ｉｒ，ＮｉＡｌ／Ｆｅ／Ａｇ，ＭｇＯ／Ｐｔ，ＭｇＯ／Ｐｄ，ＭｇＯ／Ａｇ，ＭｇＯ／Ｉｒ，ＭｇＯ／Ｃｒ／Ｐｔ，ＭｇＯ／Ｃｒ／Ｐｄ，ＭｇＯ／Ｃｒ／Ａｇ，ＭｇＯ／Ｃｒ／Ｉｒ，ＭｇＯ／Ｆｅ／Ｐｔ，ＭｇＯ／Ｆｅ／Ｐｄ，ＭｇＯ／Ｆｅ／Ｉｒ，ＭｇＯ／Ｆｅ／Ａｇ等の積層があげられる。
【００２７】
上記下地層と基板との間には、軟磁性層を設けることができる。
【００２８】
高透磁率な軟磁性層を設けることにより、軟磁性層上に垂直磁気記録層を有するいわゆる垂直二層媒体が構成される。この垂直二層媒体において、軟磁性層は、垂直磁磁気記録層を磁化するための磁気ヘッド例えば単磁極ヘッドからの記録磁界を、水平方向に通して、磁気ヘッド側へ還流させるという磁気ヘッドの機能の一部を担っており、磁界の記録層に急峻で充分な垂直磁界を印加させ、記録再生効率を向上させる役目を果たし得る。
【００２９】
このような軟磁性層として、例えばＣｏＺｒＮｂ，ＦｅＳｉＡｌ，ＦｅＴａＣ，ＣｏＴａＣ，ＮｉＦｅ，Ｆｅ，ＦｅＣｏＢ，ＦｅＣｏＮ，ＦｅＴａＮがあげられる。
【００３０】
また、軟磁性層と基板との間に、例えば面内硬磁性膜及び反強磁性膜等のバイアス付与層を設けることができる。軟磁性層は磁区を形成しやすく、この磁区からスパイク状のノイズが発生することから、バイアス付与層の半径方向の一方向に磁界を印加することにより、その上に形成された軟磁性層にバイアス磁界をかけて磁壁の発生を防ぐことができる。バイアス付与層を積層構造として異方性を細かく分散して大きな磁区を形成しにくくすることもできる。バイアス付与層材料としては、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｄ、ＣｏＳｍ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＯ、ＣｏＰｔＣｒＯ、ＣｏＰｔ−ＳｉＯ2、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2 、ＣｏＣｒＰｔＯ−ＳｉＯ2があげられる。
【００３１】
非磁性基板として、ガラス基板、Ａｌ系の合金基板あるいは表面が酸化したＳｉ単結晶基板，セラミックス，及びプラスチック等を使用することができる。さらに，それら非磁性基板表面にＮｉＰ合金などのメッキが施されている場合でも同様の効果が期待される。
【００３２】
磁気記録層上には、保護層を設けることができる。保護層としては、例えばＣ，ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ），ＳｉＮｘ，ＳｉＯｘ，ＣＮｘがあげられる。
【００３３】
スパッタリング法として、コンポジットターゲットを用いた単元のスパッタリング法及びそれぞれの物質のターゲットを用いた、多元同時スパッタリング法を用いることができる。
【００３４】
図１に、本発明の磁気記録再生装置の一例を一部分解した斜視図を示す。
【００３５】
本発明に係る情報を記録するための剛構成の磁気ディスク１２１はスピンドル１２２に装着されており、図示しないスピンドルモータによって一定回転数で回転駆動される。磁気ディスク１２１にアクセスして情報の記録を行う記録ヘッド及び情報の再生を行うためのＭＲヘッドを搭載したスライダー１２３は、薄板状の板ばねからなるサスペンション１２４の先端に取付けられている。サスペンション１２４は図示しない駆動コイルを保持するボビン部等を有するアーム１２５の一端側に接続されている。
【００３６】
アーム１２５の他端側には、リニアモータの一種であるボイスコイルモータ１２６が設けられている。ボイスコイルモータ１２６は、アーム１２５のボビン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルと、それを挟み込むように対向して配置された永久磁石および対向ヨークにより構成される磁気回路とから構成されている。
【００３７】
アーム１２５は、固定軸１２７の上下２カ所に設けられた図示しないボールベアリングによって保持され、ボイスコイルモータ１２６によって回転揺動駆動される。すなわち、磁気ディスク１２１上におけるスライダー１２３の位置は、ボイスコイルモータ１２６によって制御される。なお、図６中、１２８は蓋体を示している。
【００３８】
【実施例】
以下、実施例を示し、本発明をより具体的に説明する。
【００３９】
実施例１
２．５インチハードディスク形状の非磁性ガラス基板を用意した。
【００４０】
スパッタリング装置の真空チャンバー内を２×１０-5Ｐａ以下に排気した後、０．６７ＰａのＡｒ雰囲気中で、軟磁性層として、Ｃｏ84Ｚｒ6Ｎｂ10ターゲットを使用し、Ｃｏ８４Ｚｒ6Ｎｂ10軟磁性層を２００ｎｍ、第１の下地層として、Ｔａターゲットを使用し、Ｔａ層を８ｎｍ形成した。その後３ＰａのＡｒ雰囲気中で、第２の下地層として、Ｒｕターゲットを使用し、Ｒｕ層を１５ｎｍ積層した。
【００４１】
次に、磁性結晶粒子材料として、Ｃｏ−１０ａｔ％Ｃｒ−１４ａｔ％Ｐｔを用い、これに対し、母材材料として、ＩｎＰを０から３０モル％の範囲で添加したコンポジットターゲットを用い、磁気記録層を２０ｎｍ形成した。その後、０．６７ＰａのＡｒ雰囲気中で、保護層としてＣを７ｎｍ積層した。成膜後、保護層表面にディップ法によりパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）潤滑剤を１３Åの厚さに塗布し、各々磁気記録媒体を得た。各ターゲットへの投入電力は１０００Ｗとした。
【００４２】
さらに、母材材料として、各々ＡｌＡｓ、ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅと、比較としてＳｉＯ2とを使用する以外は、同様にして種々の磁気記録媒体を得た。
【００４３】
得られた垂直磁気記録媒体の一例を表す断面図を図２に示す。
【００４４】
図示するように、この垂直磁気記録媒体は、基板１１上に、軟磁性層１２第１の下地層１３，第２の下地層１４，垂直磁気記録層１５，及び保護層１６を順に積層した構成を有する。
【００４５】
各垂直磁気記録媒体について、スピンスタンドを用いてＲ／Ｗ特性を評価した。磁気ヘッドとして、記録トラック幅０．３μｍの単磁極ヘッドと、再生トラック幅０．２μｍのＭＲヘッドを組み合わせたものを用いた。
【００４６】
測定条件は、半径位置２０ｍｍと一定の位置で、ディスクを４２００ｒｐｍで回転させて行った。
【００４７】
媒体ＳＮＲとして微分回路を通した後の微分波形の信号ノイズ比（ＳＮＲｍ）の値を、記録分解能の指標として、微分波形の半値幅ｄＰＷ50を評価した。但し、Ｓは１１９ｋｆｃｉの孤立波形の一磁化反転におけるｐｐ値すなわち＋−それぞれ最高値の差を１／２にした値、Ｎｍは７１６ｋｆｃｉでのｒｍｓ(root mean square)値である。
【００４８】
下記表１に、各母材材料の化合物添加量が１０モル％の場合のＳＮＲｍ値及びｄＰＷ50値を示す。
【００４９】
また、図３に、母材材料の化合物がＩｎＰの場合について、添加量とＳＮＲｍ値の関係を表すグラフ図を示す。添加量が１モル％から２０モル％の場合、ＳＮＲｍが向上して、さらに好ましいことが分かった。ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても同様の傾向が見られた。
【００５０】
次に、添加量が１モル％のものと１０モル％のものについて、加速電圧４００ｋＶの透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて記録層部分の微細構造を観察した。その結果、１０モル％の場合には、磁性結晶粒子部分と結晶粒界部分が明確に観察され、磁性結晶粒子を母材が取り囲むグラニュラ構造が形成されていることが分かった。一方、１モル％の場合には、結晶粒界部分が必ずしも明確に観察できなかった。
【００５１】
添加量が１０モル％の場合について、平面ＴＥＭ像から見積もった平均結晶粒径の値を表１に示す。
【００５２】
【表１】
上記表１に示すように、ＳＮＲｍ値及びｄＰＷ50値は、ＳｉＯ2添加の場合と比較すると、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅのいずれかを添加した場合でも、ＳＮＲｍが勝っていることが分かった。
【００５４】
平面ＴＥＭ像による平均結晶粒径の値は、ＳｉＯ2添加の場合と比較すると、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅのいずれかを添加した場合でも、平均結晶粒径が減少していることが分かった。
【００５５】
また、母材材料の化合物の添加量が１０モル％の場合について、X線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いてＩｎとＰの結合状態を評価したところ、大部分のＩｎとＰは結合してＩｎＰ化合物を形成していることが分かった。ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅの場合にも同様に、大部分が化合物を形成していることが確認された。
【００５６】
次に、母材材料化合物がＩｎＰの場合について、第１の下地層をＴａ、Ｎｉ−４０ａｔ％Ｔａ、あるいはＮｉ−３０ａｔ％Ｎｂに置き換え、第２の下地層をＲｕ、Ｃｏ−３０ａｔ％Ｃｒ、あるいはＴｉに各々置き換えること以外は、同様にして、下記表２に示す種々の下地層の組合せを有する磁気記録媒体を作成し、評価した。
【００５７】
ＩｎＰの添加量１０モル％の場合についてのＳＮＲｍ値を下記表２に示す。
【００５８】
【表２】
上記表２から明らかなように、いずれの下地層を用いた場合も良好なＳＮＲｍ値が得られ、好ましいことが分かった。同様の傾向は、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても見られた。
【００６０】
実施例２
２．５インチハードディスク形状の非磁性ガラス基板を用意した。
【００６１】
スパッタリング装置の真空チャンバー内を２×１０-5Ｐａ以下に排気した後、０．６７ＰａのＡｒ雰囲気中で、第１の下地層として、Ｔａターゲットを使用し、Ｔａ層を５ｎｍ形成した。その後、第２の下地層として、８ＰａのＡｒ雰囲気中で、Ｒｕターゲットを使用し、Ｒｕ層を１５ｎｍ積層した。
【００６２】
次に、磁性結晶粒子材料として、Ｃｏ−１０ａｔ％Ｃｒ−１４ａｔ％Ｐｔターゲットを使用し、母材材料として、ＩｎＰターゲットを使用し、二元同時スパッタ法により、８ＰａのＡｒ雰囲気中で磁気記録層を１５ｎｍ形成した。このとき、母材材料の添加量を磁性結晶粒子材料に対し０ないし３０モル％の間で適宜変化させるために、各ターゲットの投入電力を制御した。その後、０．６７ＰａのＡｒ雰囲気中で保護層としてＣを７ｎｍ積層した。成膜後、保護層表面にディップ法によりＰＦＰＥ潤滑剤を１３Åの厚さに塗布し、各々磁気記録媒体を得た。各ターゲットへの投入電力は１０００Ｗとした。
【００６３】
さらに、母材材料として、各々ＡｌＡｓ、ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅと、比較としてＳｉＯ2とを使用する以外は、同様にして種々の垂直磁気記録媒体を得た。
【００６４】
得られた垂直磁気記録媒体の一例を表す断面図を図４に示す。
【００６５】
図示するように、この垂直磁気記録媒体は、基板２１上に、軟磁性層２２第１の下地層２３，第２の下地層２４，第３の下地層２５、垂直磁気記録層２６，及び保護層２７を順に積層した構成を有する。
【００６６】
作製した媒体について、実施例１と同様の方法でＲ／Ｗ特性を評価し、また平均粒径を求めた。添加量が１０モル％の場合のＳＮＲｍ値及び平均粒径を下記表３に示す。
【００６７】
【表３】
母材材料化合物がＳｉＯ2の場合と比較すると、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅのいずれかを添加した場合でも、ＳＮＲｍが勝っていることが分かった。
【００６９】
図５に、母材材料化合物がＩｎＰの場合について、添加量とＳＮＲｍ値の関係を示す。添加量が１モル％から２０モル％の範囲の場合、ＳＮＲｍが向上して、さらに好ましいことが分かった。ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂ、Ａｌ2Ｓ3、Ａｌ2Ｓｅ3、Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても同様の傾向が見られた。
【００７０】
次に、母材材料化合物がＩｎＰの場合について、第１の下地層をＴａ、Ｎｉ−４０ａｔ％Ｔａ、あるいはＮｉ−３０ａｔ％Ｎｂに置き換え、第２の下地層をＴｉ、あるいはＣｏ−３０ａｔ％Ｃｒに置き換え、第３の下地層をＲｕ、あるいはＰｔに各々置き換えること以外は、同様にして、下記表４に示す種々の下地層の組合せを有する磁気記録媒体を作成し、評価した。ＩｎＰの添加量１０モル％の場合についてのＳＮＲｍ値を表４に示す。
【００７１】
【表４】
いずれの下地層を用いた場合も良好なＳＮＲｍ値が得られ、好ましいことが分かった。同様の傾向は、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，及びＺｎＳｅを添加した場合においても見られた。
【００７３】
実施例３
２．５インチハードディスク形状の非磁性ガラス基板を用意した。
【００７４】
スパッタリング装置の真空チャンバー内を２×１０-5Ｐａ以下に排気した後、０．６７ＰａのＡｒ雰囲気中で、軟磁性層として、Ｃｏ84Ｚｒ6Ｎｂ10ターゲットを使用し、Ｃｏ８４Ｚｒ6Ｎｂ10軟磁性層を２００ｎｍ、第１の下地層として、Ｔａターゲットを使用し、Ｔａ層を５ｎｍ、第２の下地層として、Ｒｕターゲットを使用し、Ｒｕ層を１５ｎｍで順に積層した。
【００７５】
次に、磁性結晶粒子材料として、Ｃｏ−１０ａｔ％Ｃｒ−１４ａｔ％Ｐｔターゲットを使用し、母材材料として、ＩｎＰターゲットを使用し、二元同時スパッタ法により、８ＰａのＡｒ雰囲気中で磁気記録層を１０ｎｍ形成した。このとき、母材材料の添加量を磁性結晶粒子材料に対し０ないし３０モル％の間で適宜変化させるために、各ターゲットの投入電力を制御した。その後、０．６７ＰａのＡｒ雰囲気中で保護層としてＣを７ｎｍ積層した。成膜後、保護層表面にディップ法によりＰＦＰＥ潤滑剤を１３Åの厚さに塗布し、各々磁気記録媒体を得た。各ターゲットへの投入電力は１０００Ｗとした。
【００７６】
さらに、母材材料として、各々ＡｌＡｓ、ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅと、比較としてＳｉＯ2とを使用する以外は、同様にして種々の垂直磁気記録媒体を得た。
【００７７】
得られた垂直磁気記録媒体の一例を表す断面図を図７に示す。
【００７８】
図示するように、この垂直磁気記録媒体は、基板３１上に、第１の下地層３２，第２の下地層３３，垂直磁気記録層３４，及び保護層３５を順に積層した構成を有する。
【００７９】
得られた媒体について、磁気ヘッドとして、記録トラック幅０．３μｍのリングヘッドと、再生トラック幅０．２μｍのＭＲヘッドを組み合わせたものを用いること以外は、実施例１と同様の方法でＲ／Ｗ特性を評価し、その平均粒径を求めた。
【００８０】
添加量が１０モル％の場合のＳＮＲｍ値を下記表５に示す。
【００８１】
【表５】
母材材料化合物がＳｉＯ2の場合と比較すると、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅのいずれかを添加した場合でも、ＳＮＲｍが勝っていることが分かった。
【００８３】
図８に、母材材料化合物がＩｎＰの場合について、添加量とＳＮＲｍ値の関係を示す。添加量が１モル％から２０モル％の範囲の場合、ＳＮＲｍが向上して、さらに好ましいことが分かった。ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても同様の傾向が見られた。
【００８４】
次に、母材材料化合物がＩｎＰの場合について、第１の下地層をＴａ、Ｎｉ−４０ａｔ％Ｔａ、またはＮｉ−３０ａｔ％Ｎｂ、第２の下地層をＲｕ、Ｃｏ−３０ａｔ％Ｃｒ、またはＴｉに置き換える以外は、同様にして下記表６に示す種々の下地層の組合せを有する磁気記録媒体を作成し、評価した。ＩｎＰの添加量１０モル％の場合についてのＳＮＲｍ値を表６に示す。
【００８５】
【表６】
いずれの下地層を用いた場合も良好なＳＮＲｍ値が得られ、好ましいことが分かった。同様の傾向は、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても見られた。
【００８７】
実施例４
２．５インチハードディスク形状の非磁性ガラス基板を用意した。
【００８８】
スパッタリング装置の真空チャンバー内を２×１０-5Ｐａ以下に排気した後、０．６７ＰａのＡｒ雰囲気中で、第１の下地層としてＲｕターゲットを使用し、Ｒｕ層を１５ｎｍ積層した。
【００８９】
次に、磁性結晶粒子材料として、Ｃｏ−１０ａｔ％Ｃｒ−１４ａｔ％Ｐｔターゲットを使用し、母材材料として、ＩｎＰターゲットを使用し、二元同時スパッタ法により、８ＰａのＡｒ雰囲気中で磁気記録層を１０ｎｍ形成した。このとき、母材材料の添加量を磁性結晶粒子材料に対し０ないし３０モル％の間で適宜変化させるために、各ターゲットの投入電力を制御した。その後、０．６７ＰａのＡｒ雰囲気中で保護層としてＣを７ｎｍ積層した。成膜後、保護層表面にディップ法によりＰＦＰＥ潤滑剤を１３Åの厚さに塗布し、各々磁気記録媒体を得た。各ターゲットへの投入電力は１０００Ｗとした。
【００９０】
さらに、母材材料として、各々ＡｌＡｓ、ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅと、比較としてＳｉＯ2とを使用する以外は、同様にして種々の垂直磁気記録媒体を得た。
【００９１】
得られた垂直磁気記録媒体の一例を表す断面図を図７に示す。
【００９２】
図示するように、この垂直磁気記録媒体は、基板４１上に、下地層４２，垂直磁気記録層４３，及び保護層４４を順に積層した構成を有する。
【００９３】
得られた媒体について、磁気ヘッドとして、記録トラック幅０．３μｍのリングヘッドと、再生トラック幅０．２μｍのＭＲヘッドを組み合わせたものを用いること以外は、実施例３と同様の方法でＲ／Ｗ特性を評価し、その平均粒径を求めた。得られた結果を下記表７に示す。
【００９４】
【表７】
表７に示すように、ＳｉＯ2添加の場合と比較すると、ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂ、Ａｌ2Ｓ3、Ａｌ2Ｓｅ3、Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅのいずれかを添加した場合でも、ＳＮＲｍ、ｄＰＷ50ともに向上し、結晶粒径も微細化していることが分かった。
【００９６】
また、図９に、母材材料化合物がＩｎＰの場合について、添加量とＳＮＲｍ値の関係を示す。添加量が１モル％から２０モル％の範囲の場合、ＳＮＲｍが向上して、さらに好ましいことが分かった。ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂ、Ａｌ2Ｓ3、Ａｌ2Ｓｅ3、Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても同様の傾向が見られた。
【００９７】
次に、母材材料化合物がＩｎＰの場合について、下地層をＰｔ, Ｃｏ３０ａｔ％Ｃｒ、またはＴｉと置き換える以外は下記表８に示す種々の下地層を持つ磁気記録媒体を作成し、評価した。ＩｎＰの添加量１０モル％の場合についてのＳＮＲｍ値を下記表８に示す。
【００９８】
【表８】
いずれの下地層を用いた場合も良好なＳＮＲｍ値が得られ、好ましいことが分かった。同様の傾向は、ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂ、Ａｌ2Ｓ3、Ａｌ2Ｓｅ3、Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても見られた。
【０１００】
実施例５
第１の下地層として、Ｎｉ−５０ａｔ％Ａｌを８ｎｍ、第２の下地層として、Ｐｔを１５ｎｍを形成し、磁性結晶粒子としてＦｅ−４８ａｔ％Ｐｔ−２ａｔ％Ｃｕを使用し、母材材料の比較としてＳｉＯ2の代わりにＺｒＯ2を使用し、磁気記録層の厚さを１０ｎｍとし、磁気記録層の成膜中、基板温度が３００℃になるように赤外線ヒーターで基板を加熱する以外は、実施例２と同様にして、種々の母材材料を用いた磁気記録媒体を得た。
【０１０１】
作製した媒体について、実施例１と同様の方法でＲ／Ｗ特性を評価した。
【０１０２】
添加量が１０モル％の場合のＳＮＲｍ値を表９に示す。
【０１０３】
【表９】
母材材料化合物がＺｒＯ2の場合と比較すると、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅのいずれかを添加した場合でも、ＳＮＲｍが勝っていることが分かった。
【０１０５】
図１０に、母材材料化合物がＧａＡｓの場合について、添加量とＳＮＲｍ値の関係を示す。添加量が１モル％から２０モル％の範囲の場合、ＳＮＲｍが向上して、さらに好ましいことが分かった。ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても同様の傾向が見られた。
【０１０６】
次に、母材材料化合物がＧａＡｓの場合について、第１の下地層をＮｉ−５０ａｔ％Ａｌ、またはＭｇＯに置き換え、第２の下地層をＰｔ、Ｃｒ、またはＰｄに置き換えること以外は同様にして、下記表１０に示す種々の下地層の組合せを有する磁気記録媒体を作成し、同様に評価した。ＧａＡｓの添加量１０モル％の場合についてのＳＮＲｍ値を表１０に示す。
【０１０７】
【表１０】
いずれの下地層を用いた場合も良好なＳＮＲｍ値が得られ、好ましいことが分かった。同様の傾向は、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても見られた。
【０１０９】
実施例６
第１の下地層として、Ｎｉ−５０ａｔ％Ａｌを５ｎｍ、第２の下地層として、Ｃｒを２０ｎｍ、及び第３の下地層として、Ｐｔを１０ｎｍを形成し、磁性結晶粒子としてＦｅ−４８ａｔ％Ｐｔ−２ａｔ％Ｃｕを使用し、母材材料の比較としてＳｉＯ2の代わりにＺｒＯ2を使用し、磁気記録層の厚さを５ｎｍとし、磁気記録層の成膜中、基板温度が３００℃になるように赤外線ヒーターで基板を加熱する以外は、実施例１と同様にして、種々の母材材料を用いた磁気記録媒体を得た。
【０１１０】
作製した媒体について、実施例１と同様の方法でＲ／Ｗ特性を評価した。
【０１１１】
添加量が１０モル％の場合のＳＮＲｍ値を表１１に示す。
【０１１２】
【表１１】
母材材料化合物がＺｒＯ2の場合と比較すると、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅのいずれかを添加した場合でも、ＳＮＲｍが勝っていることが分かった。
【０１１４】
図１１に、母材材料化合物がＧａＡｓである場合の、添加量とＳＮＲｍの関係を示す。添加量が１モル％から２０モル％の範囲の場合、ＳＮＲｍが向上して、さらに好ましいことが分かった。ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても同様の傾向が見られた。
【０１１５】
次に、母材材料化合物がＧａＡｓの場合について、第１の下地層をＮｉ−５０ａｔ％Ａｌ、またはＭｇＯに置き換え、第２の下地層をＣｒ、またはＦｅに置き換え、第３の下地層をＰｔ、またはＰｄに置き換えること以外は同様にして、下記表１２に示す種々の下地層の組合せを有する磁気記録媒体を作成し、同様に評価した。ＧａＡｓの添加量１０モル％の場合についてのＳＮＲｍ値を表１２に示す。
【０１１６】
【表１２】
いずれの下地層を用いた場合も良好なＳＮＲｍ値が得られ、好ましいことが分かった。同様の傾向は、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても見られた。
【０１１８】
実施例７
第１の下地層として、Ｎｉ−５０ａｔ％Ａｌを５ｎｍ、第２の下地層として、Ｐｔを１５ｎｍ形成し、磁性結晶粒子としてＦｅ−４８ａｔ％Ｐｔ−２ａｔ％Ｃｕを使用し、母材材料の比較としてＳｉＯ2の代わりにＺｒＯ2を使用し、磁気記録層の厚さを５ｎｍとし、磁気記録層の成膜中、基板温度が３００℃になるように赤外線ヒーターで基板を加熱する以外は、実施例３と同様にして、種々の母材材料を用いた磁気記録媒体を得た。
【０１１９】
作製した媒体について、実施例３と同様の方法でＲ／Ｗ特性を評価した。
【０１２０】
添加量が１０モル％の場合のＳＮＲｍ値を表１３に示す。
【０１２１】
【表１３】
ＺｒＯ2添加の場合と比較すると、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅのいずれかを添加した場合でも、ＳＮＲｍが勝っていることが分かった。
【０１２３】
図１２に、母材化合物がＧａＡｓの場合について、添加量とＳＮＲｍ値の関係を表すグラフ図を示す。
【０１２４】
添加量が１モル％から２０モル％の範囲の場合、ＳＮＲｍが向上して、さらに好ましいことが分かった。ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても同様の傾向が見られた。
【０１２５】
次に、母材材料化合物がＧａＡｓの場合について、第１の下地層をＮｉ−５０ａｔ％Ａｌ、またはＭｇＯ、第２の下地層をＰｔ,Ｃｒ,またはＰｄと置き換える以外は同様にして、下記表１４に示す種々の下地層の組合せを有する磁気記録媒体を作成し、同様に評価した。
【０１２６】
ＧａＡｓの添加量１０モル％の場合についてのＳＮＲｍ値を表１４に示す。
【０１２７】
【表１４】
いずれの下地層を用いた場合も良好なＳＮＲｍ値が得られ、好ましいことが分かった。同様の傾向は、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても見られた。
【０１２９】
実施例８
下地層としてＰｔを１５ｎｍ形成し、磁性結晶粒子としてＦｅ−４８ａｔ％Ｐｔ−２ａｔ％Ｃｕを使用し、母材材料の比較としてＳｉＯ2の代わりにＺｒＯ2を使用し、磁気記録層の厚さを５ｎｍとし、磁気記録層の成膜中、基板温度が３００℃になるように赤外線ヒーターで基板を加熱する以外は、実施例４と同様にして、種々の母材材料を用いた磁気記録媒体を得た。
【０１３０】
作製した媒体について、実施例３と同様の方法でＲ／Ｗ特性を評価した。
【０１３１】
添加量が１０モル％の場合のＳＮＲｍ値を表１５に示す。
【０１３２】
【表１５】
ＺｒＯ2添加の場合と比較すると、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅのいずれかを添加した場合でも、ＳＮＲｍが勝っていることが分かった。
【０１３４】
図１３に、母材化合物がＧａＡｓの場合について、添加量とＳＮＲｍ値の関係を表すグラフ図を示す。添加量が１モル％から２０モル％の範囲の場合、ＳＮＲｍが向上して、さらに好ましいことが分かった。ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても同様の傾向が見られた。
【０１３５】
次に、母材材料化合物がＧａＡｓの場合について、下地層をＮｉ−５０ａｔ％Ａｌ、ＭｇＯ、Ｃｒ、またはＰｄと置き換える以外は同様にして、下記表１６に示す種々の下地層を有する磁気記録媒体を作成し、同様に評価した。
【０１３６】
ＧａＡｓの添加量１０モル％の場合についてのＳＮＲｍ値を下記表１６に示す。
【０１３７】
【表１６】
いずれの下地層を用いた場合も良好なＳＮＲｍ値が得られ、好ましいことが分かった。同様の傾向は、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅを添加した場合においても見られた。
【０１３９】
実施例９
磁性結晶粒子としてＦｅ−５ａｔ％Ｃｏ−５０ａｔ％Ｐｄを使用し、母材材料の比較としてＺｒＯ2の代わりにＴｉＮを使用する以外は、実施例５と同様にして、種々の母材材料を用いた磁気記録媒体を得た。
【０１４０】
作製した媒体について、実施例１と同様の方法でＲ／Ｗ特性を評価した。
【０１４１】
添加量が１０モル％の場合のＳＮＲｍ値を表１７に示す。
【０１４２】
【表１７】
母材材料化合物がＴｉＮの場合と比較すると、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅのいずれかを添加した場合でも、ＳＮＲｍが勝っていることが分かった。
【０１４４】
図１４に、母材材料化合物がＺｎＳｅの場合について、添加量とＳＮＲｍ値の関係を示す。
【０１４５】
添加量が１モル％から２０モル％の範囲の場合、ＳＮＲｍが向上して、さらに好ましいことが分かった。ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅを添加した場合においても同様の傾向が見られた。
【０１４６】
次に、添加物がＺｎＳｅの場合について、第１の下地層及び第２の下地層を実施例５と同様にして置き換えて、下記表１８に示す種々の下地層の組合せを有する磁気記録媒体を作成し、同様に評価した。ＺｎＳｅの添加量１０モル％の場合についてのＳＮＲｍ値を表１８に示す。
【０１４７】
【表１８】
いずれの下地層を用いた場合も良好なＳＮＲｍ値が得られ、好ましいことが分かった。同様の傾向は、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ、ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅを添加した場合においても見られた。
【０１４９】
実施例１０
磁性結晶粒子としてＦｅ−５ａｔ％Ｃｏ−５０ａｔ％Ｐｄを使用し、母材材料の比較としてＺｒＯ2の代わりにＴｉＮを使用する以外は、実施例６と同様にして、種々の母材材料を用いた磁気記録媒体を得た。
【０１５０】
作製した媒体について、実施例１と同様の方法でＲ／Ｗ特性を評価した。
【０１５１】
添加量が１０モル％の場合のＳＮＲｍ値を表１９に示す。
【０１５２】
【表１９】
母材材料化合物がＴｉＮの場合と比較すると、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅのいずれかを添加した場合でも、ＳＮＲｍが勝っていることが分かった。
【０１５４】
図１５に、母材材料化合物がＺｎＳｅの場合について、添加量とＳＮＲｍ値の関係を示す。
【０１５５】
添加量が１モル％から２０モル％の範囲の場合、ＳＮＲｍが向上して、さらに好ましいことが分かった。ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅを添加した場合においても同様の傾向が見られた。
【０１５６】
次に、添加物がＺｎＳｅの場合について、第１の下地層、第２の下地層、及び第３の下地層を実施例６と同様にして置き換えて、下記表２０に示す種々の下地層の組合せを有する磁気記録媒体を作成し、同様に評価した。ＺｎＳｅの添加量１０モル％の場合についてのＳＮＲｍ値を表２０に示す。
【０１５７】
【表２０】
いずれの下地層を用いた場合も良好なＳＮＲｍ値が得られ、好ましいことが分かった。同様の傾向は、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ、ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅを添加した場合においても見られた。
【０１５９】
実施例１１
基板としてディスク形状のＳｉ基板を使用し、第１の下地層としてＭｇＯを５ｎｍ、第２の下地層としてＰｄを１５ｎｍ形成し、及び磁性結晶粒子としてＦｅ−５０ａｔ％Ｐｄを使用し、母材材料の比較としてＺｒＯ2の代わりにＴｉＮを使用する以外は、実施例３と同様にして、種々の母材材料を用いた磁気記録媒体を得た。
【０１６０】
作製した媒体について、実施例３と同様の方法でＲ／Ｗ特性を評価した。
【０１６１】
添加量が１０モル％の場合のＳＮＲｍ値を表２１に示す。
【０１６２】
【表２１】
母材材料化合物がＴｉＮの場合と比較すると、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅのいずれかを添加した場合でも、ＳＮＲｍが勝っていることが分かった。
【０１６４】
図１６に、母材材料化合物がＺｎＳｅの場合について、添加量とＳＮＲｍ値の関係を示す。
【０１６５】
添加量が１モル％から２０モル％の範囲の場合、ＳＮＲｍが向上して、さらに好ましいことが分かった。ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅを添加した場合においても同様の傾向が見られた。
【０１６６】
次に、添加物がＺｎＳｅの場合について、第１の下地層、及び第２の下地層を実施例７と同様にして置き換えて、下記表２２に示す種々の下地層の組合せを有する磁気記録媒体を作成し、同様に評価した。ＺｎＳｅの添加量１０モル％の場合についてのＳＮＲｍ値を表２２に示す。
【０１６７】
【表２２】
いずれの下地層を用いた場合も良好なＳＮＲｍ値が得られ、好ましいことが分かった。同様の傾向は、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ、ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅを添加した場合においても見られた。
【０１６９】
実施例１２
基板としてディスク形状のＳｉ基板を使用し、第１の下地層としてＰｄを１０ｎｍ形成し、及び磁性結晶粒子としてＦｅ−５０ａｔ％Ｐｄを使用し、母材材料の比較としてＺｒＯ2の代わりにＴｉＮを使用する以外は、実施例３と同様にして、種々の母材材料を用いた磁気記録媒体を得た。
【０１７０】
作製した媒体について、実施例３と同様の方法でＲ／Ｗ特性を評価した。
【０１７１】
添加量が１０モル％の場合のＳＮＲｍ値を表２３に示す。
【０１７２】
【表２３】
母材材料化合物がＴｉＮの場合と比較すると、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＺｎＳｅのいずれかを添加した場合でも、ＳＮＲｍが勝っていることが分かった。
【０１７４】
図１７に、母材材料化合物がＺｎＳｅの場合について、添加量とＳＮＲｍ値の関係を示す。
【０１７５】
添加量が１モル％から２０モル％の範囲の場合、ＳＮＲｍが向上して、さらに好ましいことが分かった。ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅを添加した場合においても同様の傾向が見られた。
【０１７６】
次に、添加物がＺｎＳｅの場合について、下地層をＰｔ,Ｃｒ,Ｎｉ−５０ａｔ％Ａｌ、ＭｇＯに置き換えて、下記表２４に示す種々の下地層を有する磁気記録媒体を作成し、同様に評価した。ＺｎＳｅの添加量１０モル％の場合についてのＳＮＲｍ値を表２４に示す。
【０１７７】
【表２４】
いずれの下地層を用いた場合も良好なＳＮＲｍ値が得られ、好ましいことが分かった。同様の傾向は、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ、ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅを添加した場合においても見られた。
【０１７９】
【発明の効果】
本発明によれば、磁性結晶粒子の結晶性や配向性を乱すことなく、その磁性結晶粒子の粒径が微細化され、良好なＳＮＲ特性を示す垂直磁気記録媒体が得られ、高密度記録が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の磁気記録再生装置の一例を一部分解した斜視図
【図２】 本発明の垂直磁気記録媒体の第１の例の構成を表す断面図
【図３】 実施例１のＩｎＰ添加量とＳＮＲｍ値の関係を示すグラフ図
【図４】 本発明の垂直磁気記録媒体の第２の例の構成を表す断面図
【図５】 実施例２のＩｎＰ添加量とＳＮＲｍ値の関係を示すグラフ図
【図６】 本発明の垂直磁気記録媒体の第３の例の構成を表す断面図
【図７】 本発明の垂直磁気記録媒体の第４の例の構成を表す断面図
【図８】 実施例３のＩｎＰ添加量とＳＮＲｍ値の関係を示すグラフ図
【図９】 実施例４のＩｎＰ添加量とＳＮＲｍ値の関係を示すグラフ図
【図１０】 実施例５のＧａＡｓ添加量とＳＮＲｍ値の関係を示すグラフ図
【図１１】 実施例６のＧａＡｓ添加量とＳＮＲｍ値の関係を示すグラフ図
【図１２】 実施例７のＧａＡｓ添加量とＳＮＲｍ値の関係を示すグラフ図
【図１３】 実施例８のＧａＡｓ添加量とＳＮＲｍ値の関係を示すグラフ図
【図１４】 実施例９のＺｎＳｅ添加量とＳＮＲｍ値の関係を示すグラフ図
【図１５】 実施例１０のＺｎＳｅ添加量とＳＮＲｍ値の関係を示すグラフ図
【図１６】 実施例１１のＺｎＳｅ添加量とＳＮＲｍ値の関係を示すグラフ図
【図１７】 実施例１２のＺｎＳｅ添加量とＳＮＲｍ値の関係を示すグラフ図
【符号の説明】
１１，２１，３１，４１…基板、１２，２２…軟磁性層、１３，１４，２３，２４，２５，３２，３３，４２…下地層、１５，２６，３４，４３…磁気記録層、１６，２７，３５，４４…保護層、１２１…磁気ディスク、１２２…スピンドル、１２３…スライダー、１２４…サスペンション、１２５…アーム、１２６…ボイスコイルモータ、１２７…固定軸
Claims (10)
- 基板と、該基板上に形成された下地層と、該下地層上に形成され、磁化容易軸が基板に対し垂直に配向し、磁性結晶粒子と、該磁性結晶粒子を取り囲む母材とを有する垂直磁気記録層とを具備し、前記母材は、Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｌ，Ｇａ，及びＩｎからなる群から選択される少なくとも１種の元素と、Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｓ，Ｓｅ，及びＴｅからなる群から選択される少なくとも１種の元素とを含有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。
- 前記母材は、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，及びＺｎＳｅから選択される少なくとも１種の化合物を含むことを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記垂直磁気記録層中の前記母材の物質量の割合が、２０モル％以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記磁性結晶粒子は、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｆｅ−Ｐｔ、及びＦｅ−Ｐｄからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
- 下地層が形成された基板を用意し、該下地層上に、磁性結晶粒子材料と、Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｌ，Ｇａ，及びＩｎからなる群から選択される少なくとも１種の元素、及びＰ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｓ，Ｓｅ，及びＴｅからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む母材材料とを蒸着し、磁性結晶粒子、及び該磁性結晶粒子を取り囲む母材を有する垂直磁気記録層を形成する工程を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 前記母材は、ＡｌＡｓ，ＡｌＰ，ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｓ3，Ａｌ2Ｓｅ3，Ａｌ2Ｔｅ3，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇａ2Ｓ3，ＩｎＰ，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，及びＺｎＳｅから選択される少なくとも１種の化合物であることを特徴とする請求項５に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 前記垂直磁気記録層に含まれる前記母材の物質量の割合が、２０モル％以下であることを特徴とする請求項５または６に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 前記磁性結晶粒子は、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｆｅ−Ｐｔ、及びＦｅ−Ｐｄからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含むことを特徴とする請求項５ないし７のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 請求項１から４のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体と記録再生ヘッドとを具備することを特徴とする磁気記録再生装置。
- 前記記録再生ヘッドは、単磁極記録ヘッドである請求項９に記載の磁気記録再生装置。
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