JP2005276364A - 磁気記録媒体及びその製造法、並びにそれを用いた磁気記録再生装置 - Google Patents
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 303
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 204
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 76
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 44
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 29
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 114
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 15
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 6
- 229910000943 NiAl Inorganic materials 0.000 claims description 5
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical compound [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910020707 Co—Pt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910016583 MnAl Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004033 diameter control Methods 0.000 claims description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 claims 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 36
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 12
- 229910015366 Fe50Pt50 Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 7
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 6
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910021302 Co50Pt50 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910015368 Fe50Pd50 Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 5
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 4
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 3
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 3
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 3
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 3
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 3
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910019222 CoCrPt Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910007261 Si2N3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005335 FePt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005435 FeTaN Inorganic materials 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/657—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing inorganic, non-oxide compound of Si, N, P, B, H or C, e.g. in metal alloy or compound
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7369—Two or more non-magnetic underlayers, e.g. seed layers or barrier layers
- G11B5/737—Physical structure of underlayer, e.g. texture
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Abstract
【解決手段】基板上に下地層、磁気記録層および保護層を設けた磁気記録媒体の下地層として、Cu,Ni,Rh,Ptから選択される少なくとも一種からなる金属層とこの金属層の表面に酸素または炭素を堆積させた堆積層とを設け、この下地層上に磁気記録層を形成することにより、磁気記録層の磁性結晶粒子の粒径を微細化するとともに粒径の分散を低減させ、良好なSNR特性を有し、高密度記録に適した磁気記録媒体を得る。
【選択図】図1
Description
Claims (25)
- 基板と、
前記基板上に形成された下地層と、
前記下地層上に形成された磁気記録層と、
前記磁気記録層上に形成された保護層と
を具備し、前記下地層がCu,Ni,RhおよびPtから選択される少なくとも一種からなる結晶性の粒径制御下地層と、この粒径制御下地層の表面に形成された酸素および炭素から選択される少なくとも一種の元素の堆積層とを備えていて、かつ該堆積層が、平均の面密度で1×109個/m2(1×1013個/cm2)以上、1×1011個/m2(1×1015個/cm2)以下の酸素及び炭素から選ばれる少なくとも一種の元素を有していることを特徴とする磁気記録媒体。 - 前記粒径制御下地層が、平均結晶粒径50nm以上のCu,Ni,Rh,Ptから選択される少なくとも一種からなる粒径制御層結晶粒子を有していることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記粒径制御下地層が、(100)面を前記下地層の膜面の方向に向けるように配向したCu,NiおよびRhから選択される少なくとも一種からなる粒径制御層結晶粒子を有していることを特徴とする請求項1または2に記載の磁気記録媒体。
- 前記粒径制御下地層はCu,NiおよびRhから選択される少なくとも一種からなる粒径制御層結晶粒子を有し、前記磁気記録層は前記粒径制御層結晶粒子1個に対し複数個の磁性結晶粒子を平均の面密度1×108個/m2(1×1012個/cm2)以上、8×108個/m2(8×1012個/cm2)以下の範囲で有していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁気記録層が、膜面内で実質的に正方格子状に配列した磁性結晶粒子を有していることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。
- 前記粒径制御下地層が、(111)面を前記下地層の膜面の方向に向けるように配向したPtの粒径制御層結晶粒子を有していることを特徴とする請求項1または2に記載の磁気記録媒体。
- 前記粒径制御下地層はPtの粒径制御層結晶粒子を有し、前記磁気記録層は前記粒径制御層結晶粒子1個に対し複数個の磁性結晶粒子を平均の面密度1×108個/m2(1×1012個/cm2)以上、8×108個/m2(8×1012個/cm2)以下の範囲で有していることを特徴とする請求項1,2及び6のうちのいずれか1項に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁気記録層が、膜面内で実質的に六方格子状に配列した磁性結晶粒子を有していることを特徴とする請求項1,2,6及び7のうちのいずれか1項に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁気記録層は、磁性結晶粒子とこの磁性結晶粒子を取り囲む粒界領域とを備えたグラニュラ構造を有していることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁気記録層は、Co−Cr,Co−Pt,Fe−PtおよびFe−Pdから選ばれる少なくとも一種の合金からなる磁性結晶粒子を有していることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁気記録層と前記堆積層を備えた前記粒径制御下地層との間に、少なくとも一層の中間下地層を設けたことを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。
- 前記中間下地層のうち少なくとも一層は、非磁性結晶粒子と、この非磁性結晶粒子を取り囲む粒界領域とを備えたグラニュラ構造を有することを特徴とする請求項11に記載の磁気記録媒体。
- 前記グラニュラ構造を持つ中間下地層中の前記非磁性結晶粒子が、Pt,Pd,Ir,Ag,Cu,RuおよびRhのうち少なくとも一種の元素を有することを特徴とする請求項12に記載の磁気記録媒体。
- 前記粒径制御下地層と前記基板との間に、軟磁気特性を示す軟磁性下地層を設けたことを特徴とする請求項1〜13のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。
- 前記粒径制御下地層と前記軟磁性下地層との間に、NiAl,MnAl,MgO,NiO,TiN,SiおよびGeから選ばれる少なくとも一種を含む下地層を設けたことを特徴とする請求項14に記載の磁気記録媒体。
- 基板上にCu,Ni,RhおよびPtから選択される少なくとも一種からなる粒径制御下地層を形成する粒径制御下地層形成工程と、
前記粒径制御下地層の表面に酸素および炭素から選択される少なくとも一種の元素の堆積層を形成する元素堆積工程と、
前記堆積層が形成された前記粒径制御下地層を有する前記基板に磁気記録層を形成する磁気記録層形成工程と
を備えたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 前記元素堆積工程は、平均の面密度で1×109個/m2(1×1013個/cm2)以上、1×1011個/m2(1×1015/cm2)個以下の酸素、炭素のうちより選択される少なくとも一種の元素の堆積層を形成することを特徴とする請求項16に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記粒径制御下地層形成工程は、平均粒径50nm以上のCu,Ni,RhおよびPtから選択される少なくとも一種からなる粒径制御層結晶粒子を備えた粒径制御下地層を形成し、前記元素堆積工程は、この粒径制御下地層の表面に酸素および炭素から選択される少なくとも一種の元素の堆積層を形成することを特徴とする請求項16または17に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記粒径制御下地層形成工程は、Cu,NiおよびRhから選択される少なくとも一種からなる金属膜の粒径制御層結晶粒子が(100)面をこの金属膜の膜面の方向に配向した粒径制御下地層を形成することを特徴とする請求項16〜18のいずれか1項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記磁気記録層形成工程は、前記磁気記録層の膜面内で実質的に正方格子状に配列した磁性結晶粒子を有する磁気記録層を形成することを特徴とする請求項19に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記粒径制御下地層形成工程は、Ptの金属膜の粒径制御層結晶粒子が(111)面をこの金属膜の膜面の方向に配向した粒径制御下地層を形成することを特徴とする請求項16〜18のいずれか1項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記磁気記録層形成工程は、前記磁気記録層の膜面内で実質的に六方格子状に配列した磁性結晶粒子を有する磁気記録層を形成することを特徴とする請求項21に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記磁気記録層を形成する磁気記録層形成工程において、前記磁気記録層中の磁性結晶粒子を平均の面密度で1×108個/m2(1×1012個/cm2)以上、8×108個/m2(8×1012個/cm2)以下の範囲で形成することを特徴とする請求項16〜22のいずれか1項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 請求項1〜15のいずれか1項に記載の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を駆動する記録媒体駆動機構と、情報を前記磁気記録媒体に記録し再生する記録再生ヘッドと、前記記録再生ヘッド駆動するヘッド駆動機構と、記録信号および再生信号を処理する記録再生信号処理システムとを具備することを特徴とする磁気記録再生装置。
- 前記記録再生ヘッドとして単磁極ヘッドを有することを特徴とする請求項24に記載の磁気記録再生装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004090670A JP2005276364A (ja) | 2004-03-25 | 2004-03-25 | 磁気記録媒体及びその製造法、並びにそれを用いた磁気記録再生装置 |
US11/085,622 US7494725B2 (en) | 2004-03-25 | 2005-03-22 | Magnetic recording medium, method for manufacturing recording medium and magnetic recording apparatus |
SG200501807A SG115789A1 (en) | 2004-03-25 | 2005-03-23 | Magnetic recording medium, method for manufacturing recording medium and magnetic recording apparatus |
CNB200510059498XA CN1329887C (zh) | 2004-03-25 | 2005-03-25 | 磁记录媒体、记录媒体的制造方法和磁记录装置 |
US11/875,148 US20080260942A1 (en) | 2004-03-25 | 2007-10-19 | Magnetic recording medium, method for manufacturing recording medium and magnetic recordation apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004090670A JP2005276364A (ja) | 2004-03-25 | 2004-03-25 | 磁気記録媒体及びその製造法、並びにそれを用いた磁気記録再生装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010044981A Division JP4951075B2 (ja) | 2010-03-02 | 2010-03-02 | 磁気記録媒体及びその製造法、並びにそれを用いた磁気記録再生装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005276364A true JP2005276364A (ja) | 2005-10-06 |
Family
ID=34990297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004090670A Pending JP2005276364A (ja) | 2004-03-25 | 2004-03-25 | 磁気記録媒体及びその製造法、並びにそれを用いた磁気記録再生装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7494725B2 (ja) |
JP (1) | JP2005276364A (ja) |
CN (1) | CN1329887C (ja) |
SG (1) | SG115789A1 (ja) |
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2004
- 2004-03-25 JP JP2004090670A patent/JP2005276364A/ja active Pending
-
2005
- 2005-03-22 US US11/085,622 patent/US7494725B2/en active Active
- 2005-03-23 SG SG200501807A patent/SG115789A1/en unknown
- 2005-03-25 CN CNB200510059498XA patent/CN1329887C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-10-19 US US11/875,148 patent/US20080260942A1/en not_active Abandoned
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US11120829B2 (en) | 2017-03-10 | 2021-09-14 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium having tin containing seed layer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1329887C (zh) | 2007-08-01 |
SG115789A1 (en) | 2005-10-28 |
US7494725B2 (en) | 2009-02-24 |
US20050214592A1 (en) | 2005-09-29 |
CN1674106A (zh) | 2005-09-28 |
US20080260942A1 (en) | 2008-10-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060531 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080929 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090309 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091215 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100302 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100323 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20100618 |