JP2001076329A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】平滑度のよいグラニュラ構造の磁性膜を備え、
磁気ヘッドとの摩擦が小さく耐久性に優れた磁気記録媒
体およびその製造方法を提供する。 【解決手段】非磁性基板１上に下地膜２を形成し、その
下地膜２上に、強磁性材料と電気抵抗が１０6 Ωｃｍ以
下の非磁性材料との混合物からなるターゲットを用いた
スパッタリング法で、あるいは、強磁性材料からなるタ
ーゲットと電気抵抗が１０6 Ωｃｍ以下の非磁性材料か
らなるターゲットを用いた二元スパッタリング法で、グ
ラニュラ構造の磁性膜３を成膜し、その上に保護膜４を
成膜して磁気記録媒体とする。
磁気ヘッドとの摩擦が小さく耐久性に優れた磁気記録媒
体およびその製造方法を提供する。 【解決手段】非磁性基板１上に下地膜２を形成し、その
下地膜２上に、強磁性材料と電気抵抗が１０6 Ωｃｍ以
下の非磁性材料との混合物からなるターゲットを用いた
スパッタリング法で、あるいは、強磁性材料からなるタ
ーゲットと電気抵抗が１０6 Ωｃｍ以下の非磁性材料か
らなるターゲットを用いた二元スパッタリング法で、グ
ラニュラ構造の磁性膜３を成膜し、その上に保護膜４を
成膜して磁気記録媒体とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、磁気ディスク装
置に用いられる磁気記録媒体およびその製造方法に関す
る。
置に用いられる磁気記録媒体およびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータなどの情報処理装置の外部
記憶装置として用いられる磁気ディスク装置に用いられ
る磁気記録媒体（以下、媒体とも略記する）は、アルミ
ニウム合金基板あるいはガラス基板上に磁性膜が設けら
れてなる。磁性膜の材料としては、Ｃｏを主成分とする
合金，例えばＣｏＣｒＰｔＴａ合金が多用され、記録密
度は約６Ｇｂ／ｉｎ2 のものが市販されており、さらに
記録密度の増大が要求されている。記録密度を増大する
ためには、媒体のノイズを低減することが重要であり、
Ｃｏを主成分とする合金の組成の改善あるいは媒体の層
構成の工夫，磁性膜中の強磁性体の結晶粒径の低減など
が行われている。しかしながら、従来のＣｏを主成分と
する合金からなるターゲットをスパッタして磁性膜を成
膜する方法では、媒体ノイズを現在の市場の要求レベル
まで低減することは困難な状況になっている。そこで、
媒体ノイズの低減に有効と考えられるグラニュラ構造の
磁性膜を備えた媒体の開発が進められている（例えば、
特開平７−３１１９２９号公報、特開平８−２５５３４
２号公報）。グラニュラ構造の磁性膜は非磁性材料のマ
トリックス中に強磁性体の粒子が分散した構造の，いわ
ゆるグラニュラ膜であり、強磁性体の粒子は非磁性材料
により囲まれ粒子が相互に直接接触しない構造となって
いる。そのために、強磁性体の粒子間の磁気的な相互作
用が弱くなり、媒体ノイズが低減される。このような媒
体は、例えば、特開平７−３１１９２９号公報に開示さ
れているような強磁性材料と非磁性材料との混合物から
なるターゲットをスパッタして磁性膜を成膜する方法で
作製される。
記憶装置として用いられる磁気ディスク装置に用いられ
る磁気記録媒体（以下、媒体とも略記する）は、アルミ
ニウム合金基板あるいはガラス基板上に磁性膜が設けら
れてなる。磁性膜の材料としては、Ｃｏを主成分とする
合金，例えばＣｏＣｒＰｔＴａ合金が多用され、記録密
度は約６Ｇｂ／ｉｎ2 のものが市販されており、さらに
記録密度の増大が要求されている。記録密度を増大する
ためには、媒体のノイズを低減することが重要であり、
Ｃｏを主成分とする合金の組成の改善あるいは媒体の層
構成の工夫，磁性膜中の強磁性体の結晶粒径の低減など
が行われている。しかしながら、従来のＣｏを主成分と
する合金からなるターゲットをスパッタして磁性膜を成
膜する方法では、媒体ノイズを現在の市場の要求レベル
まで低減することは困難な状況になっている。そこで、
媒体ノイズの低減に有効と考えられるグラニュラ構造の
磁性膜を備えた媒体の開発が進められている（例えば、
特開平７−３１１９２９号公報、特開平８−２５５３４
２号公報）。グラニュラ構造の磁性膜は非磁性材料のマ
トリックス中に強磁性体の粒子が分散した構造の，いわ
ゆるグラニュラ膜であり、強磁性体の粒子は非磁性材料
により囲まれ粒子が相互に直接接触しない構造となって
いる。そのために、強磁性体の粒子間の磁気的な相互作
用が弱くなり、媒体ノイズが低減される。このような媒
体は、例えば、特開平７−３１１９２９号公報に開示さ
れているような強磁性材料と非磁性材料との混合物から
なるターゲットをスパッタして磁性膜を成膜する方法で
作製される。
【０００３】媒体ノイズは磁性膜の非磁性材料の体積分
率を変えることにより制御できる。強磁性材料としては
Ｃｏを主成分とする合金であるＣｏＰｔなどが、非磁性
材料としてはＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，Ａｌ
Ｎなどが用いられる。
率を変えることにより制御できる。強磁性材料としては
Ｃｏを主成分とする合金であるＣｏＰｔなどが、非磁性
材料としてはＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，Ａｌ
Ｎなどが用いられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】非磁性材料として用い
られるＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＡｌＮなど
は電気抵抗が大きく絶縁体である。グラニュラ構造の磁
性膜は、例えば、ＣｏＰｔとＳｉＯ2 を混合しＨＩＰあ
るいはＣＩＰなどにより固めたターゲットを用いてスパ
ッタリング法で成膜される。ターゲットが電気導電性の
良いＣｏＰｔと電気導電性の悪いＳｉＯ2 からなるた
め、直流電源あるいはＲＦ電源を用いてスパッタした場
合、ＳｉＯ2 は粒状となって基板に到着付着していく。
そのため、グラニュラ構造の磁性膜の平滑度が悪くな
り、その上に保護膜を成膜し媒体とすると、磁気ディス
ク装置に使用したとき媒体と書き込み・再生用の磁気ヘ
ッドとの摩擦が増大し、媒体あるいは磁気ヘッドが損傷
するという問題が発生する。
られるＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＡｌＮなど
は電気抵抗が大きく絶縁体である。グラニュラ構造の磁
性膜は、例えば、ＣｏＰｔとＳｉＯ2 を混合しＨＩＰあ
るいはＣＩＰなどにより固めたターゲットを用いてスパ
ッタリング法で成膜される。ターゲットが電気導電性の
良いＣｏＰｔと電気導電性の悪いＳｉＯ2 からなるた
め、直流電源あるいはＲＦ電源を用いてスパッタした場
合、ＳｉＯ2 は粒状となって基板に到着付着していく。
そのため、グラニュラ構造の磁性膜の平滑度が悪くな
り、その上に保護膜を成膜し媒体とすると、磁気ディス
ク装置に使用したとき媒体と書き込み・再生用の磁気ヘ
ッドとの摩擦が増大し、媒体あるいは磁気ヘッドが損傷
するという問題が発生する。
【０００５】この発明は、上述の点に鑑みてなされたも
のであって、平滑度の良いグラニュラ構造の磁性膜を備
えた磁気ヘッドとの摩擦が少ない耐久性に優れた媒体お
よびその製造方法を提供することを目的とする。
のであって、平滑度の良いグラニュラ構造の磁性膜を備
えた磁気ヘッドとの摩擦が少ない耐久性に優れた媒体お
よびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、この発明
によれば、磁性膜が非磁性材料のマトリックスの中に強
磁性体の粒子を分散させたグラニュラ構造である磁気記
録媒体において、磁性膜中の非磁性材料の電気抵抗が比
抵抗１０6 Ωｃｍ以下である媒体とすることによって解
決される。
によれば、磁性膜が非磁性材料のマトリックスの中に強
磁性体の粒子を分散させたグラニュラ構造である磁気記
録媒体において、磁性膜中の非磁性材料の電気抵抗が比
抵抗１０6 Ωｃｍ以下である媒体とすることによって解
決される。
【０００７】磁性膜に用いる非磁性材料の電気抵抗を比
抵抗１０6 Ωｃｍ以下と小さくすることにより、スパッ
タリングに際して非磁性材料に電荷がたまることを防止
し、非磁性材料が粒状となって基板に付着することを避
けることができて、磁性膜を表面平滑に成膜することが
可能となり、その上に保護膜を成膜することにより、磁
気ヘッドとの摩擦が小さい耐久性に優れた磁気記録媒体
が得られる。
抵抗１０6 Ωｃｍ以下と小さくすることにより、スパッ
タリングに際して非磁性材料に電荷がたまることを防止
し、非磁性材料が粒状となって基板に付着することを避
けることができて、磁性膜を表面平滑に成膜することが
可能となり、その上に保護膜を成膜することにより、磁
気ヘッドとの摩擦が小さい耐久性に優れた磁気記録媒体
が得られる。
【０００８】電気抵抗が比抵抗１０6 Ωｃｍ以下と小さ
い非磁性材料としては、導電性酸化物または化合物半導
体が好適に用いられる。導電性酸化物としては、例えば
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ），Ｚｎ
Ｏ：Ａｌ（ＡｌをドープしたＺｎＯ）などが、また、化
合物半導体としてはＭｇあるいはＳｉをドープしたＧａ
Ｎ，ＡｌＮなどのが好適である。
い非磁性材料としては、導電性酸化物または化合物半導
体が好適に用いられる。導電性酸化物としては、例えば
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ），Ｚｎ
Ｏ：Ａｌ（ＡｌをドープしたＺｎＯ）などが、また、化
合物半導体としてはＭｇあるいはＳｉをドープしたＧａ
Ｎ，ＡｌＮなどのが好適である。
【０００９】このようなグラニュラ構造の磁性膜を備え
た磁気記録媒体は、磁性膜を強磁性材料と電気抵抗が比
抵抗１０6 Ωｃｍ以下の非磁性材料の混合物からなるタ
ーゲットを用いてスパッタリング法で成膜することによ
って作製される。
た磁気記録媒体は、磁性膜を強磁性材料と電気抵抗が比
抵抗１０6 Ωｃｍ以下の非磁性材料の混合物からなるタ
ーゲットを用いてスパッタリング法で成膜することによ
って作製される。
【００１０】または、磁性膜を強磁性材料からなるター
ゲットと電気抵抗が比抵抗１０6 Ωｃｍ以下の非磁性材
料からなるターゲットとを用いた２元スパッタリング法
で成膜することによっても作製できる。
ゲットと電気抵抗が比抵抗１０6 Ωｃｍ以下の非磁性材
料からなるターゲットとを用いた２元スパッタリング法
で成膜することによっても作製できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は、この発明に係わる媒体の
模式的断面図で、非磁性基板１上に下地膜２，グラニュ
ラ構造磁性膜３，保護膜４が順次形成された構成であ
る。
模式的断面図で、非磁性基板１上に下地膜２，グラニュ
ラ構造磁性膜３，保護膜４が順次形成された構成であ
る。
【００１２】基板としては、一般に用いられているＡｌ
合金基板，ガラス基板などが用いられる。
合金基板，ガラス基板などが用いられる。
【００１３】これらの基板表面上に、例えばＣｒからな
る下地膜をスパッタリング法で成膜する。
る下地膜をスパッタリング法で成膜する。
【００１４】この下地膜上に、強磁性材料（例えば、Ｃ
ｏＰｔ合金）と電気抵抗が比抵抗１０6 Ωｃｍ以下の非
磁性材料（例えば、ＩＴＯ，ＺｎＯ：Ａｌなどの導電性
酸化物、あるいはＳｉまたはＭｇなどをドープしたＡｌ
Ｎ，ＧａＮなどの化合物半導体）とを混合してなるター
ゲットを用いてスパッタリング法により、または、強磁
性材料からなるターゲットと非磁性材料からなるターゲ
ットとの二種類のターゲットを用いた二元スパッタリン
グ法により、磁性膜を成膜することによって非磁性材料
のマトリックスの中に強磁性体が分散したグラニュラ構
造の磁性膜を成膜することができる。スパッタ電源は、
直流電源またはＲＦ電源いずれでもよい。
ｏＰｔ合金）と電気抵抗が比抵抗１０6 Ωｃｍ以下の非
磁性材料（例えば、ＩＴＯ，ＺｎＯ：Ａｌなどの導電性
酸化物、あるいはＳｉまたはＭｇなどをドープしたＡｌ
Ｎ，ＧａＮなどの化合物半導体）とを混合してなるター
ゲットを用いてスパッタリング法により、または、強磁
性材料からなるターゲットと非磁性材料からなるターゲ
ットとの二種類のターゲットを用いた二元スパッタリン
グ法により、磁性膜を成膜することによって非磁性材料
のマトリックスの中に強磁性体が分散したグラニュラ構
造の磁性膜を成膜することができる。スパッタ電源は、
直流電源またはＲＦ電源いずれでもよい。
【００１５】このようにして成膜されたグラニュラ構造
の磁性膜上に、例えばカーボンからなる保護膜をスパッ
タリング法で成膜して媒体とする。
の磁性膜上に、例えばカーボンからなる保護膜をスパッ
タリング法で成膜して媒体とする。
【００１６】
【実施例】以下、この発明の具体的な実施例について説
明する。
明する。
【００１７】実施例１ 磁性材料としてＣｏＰｔ，非磁性材料としてＩＴＯを用
い、ＣｏＰｔ─２０％ＩＴＯの混合ターゲットを作製し
た。直径３．５インチのディスク状のガラス基板上に下
地膜としてＣｒをスパッタリング法で５０ｎｍの厚さに
成膜し、その上に、基板温度室温，スパッタガス圧力１
０ｍＴｏｒｒで、ＣｏＰｔ─２０％ＩＴＯの混合ターゲ
ットをＤＣ電源を用いてスパッタして膜厚３０ｎｍのグ
ラニュラ構造磁性膜を成膜した。光学顕微鏡，走査型電
子顕微鏡で磁性膜表面を観察したところ、表面に付着し
ているＩＴＯ粒子の個数は非磁性材料にＳｉＯ2 を用い
たときの粒子数の１／１００以下であった。
い、ＣｏＰｔ─２０％ＩＴＯの混合ターゲットを作製し
た。直径３．５インチのディスク状のガラス基板上に下
地膜としてＣｒをスパッタリング法で５０ｎｍの厚さに
成膜し、その上に、基板温度室温，スパッタガス圧力１
０ｍＴｏｒｒで、ＣｏＰｔ─２０％ＩＴＯの混合ターゲ
ットをＤＣ電源を用いてスパッタして膜厚３０ｎｍのグ
ラニュラ構造磁性膜を成膜した。光学顕微鏡，走査型電
子顕微鏡で磁性膜表面を観察したところ、表面に付着し
ているＩＴＯ粒子の個数は非磁性材料にＳｉＯ2 を用い
たときの粒子数の１／１００以下であった。
【００１８】このようにして成膜した磁性膜上にカーボ
ン保護膜をスパッタリング法で成膜して媒体とすること
により、磁気ヘッドとの摩擦の小さい耐久性に優れた媒
体が得られた。
ン保護膜をスパッタリング法で成膜して媒体とすること
により、磁気ヘッドとの摩擦の小さい耐久性に優れた媒
体が得られた。
【００１９】実施例２ 磁性材料としてＣｏＰｔ，非磁性材料としてＡｌドープ
ＺｎＯを用い、ＣｏＰｔ─２０％ＺｎＯ：Ａｌの混合タ
ーゲットを作製した。
ＺｎＯを用い、ＣｏＰｔ─２０％ＺｎＯ：Ａｌの混合タ
ーゲットを作製した。
【００２０】実施例１において、ＣｏＰｔ─２０％ＩＴ
Ｏの混合ターゲットをＣｏＰｔ─２０％ＺｎＯ：Ａｌの
混合ターゲットに変えたこと以外は実施例１と同様にし
て、膜厚３０ｎｍのグラニュラ構造磁性膜を成膜した。
光学顕微鏡，走査型電子顕微鏡で磁性膜表面を観察した
ところ、表面に付着しているＩＴＯ粒子の個数は非磁性
材料にＳｉＯ2 を用いたときの粒子数の１／１００以下
であった。
Ｏの混合ターゲットをＣｏＰｔ─２０％ＺｎＯ：Ａｌの
混合ターゲットに変えたこと以外は実施例１と同様にし
て、膜厚３０ｎｍのグラニュラ構造磁性膜を成膜した。
光学顕微鏡，走査型電子顕微鏡で磁性膜表面を観察した
ところ、表面に付着しているＩＴＯ粒子の個数は非磁性
材料にＳｉＯ2 を用いたときの粒子数の１／１００以下
であった。
【００２１】このようにして成膜した磁性膜上にカーボ
ン保護膜をスパッタリング法で成膜して媒体とすること
により、磁気ヘッドとの摩擦の小さい耐久性に優れた媒
体が得られた。
ン保護膜をスパッタリング法で成膜して媒体とすること
により、磁気ヘッドとの摩擦の小さい耐久性に優れた媒
体が得られた。
【００２２】実施例３ 実施例１において、ＣｏＰｔ─２０％ＩＴＯの混合ター
ゲットをＣｏＰｔ─５０％ＩＴＯの混合ターゲットに変
えたこと以外は実施例１と同様にして、膜厚３０ｎｍの
グラニュラ構造磁性膜を成膜した。光学顕微鏡，走査型
電子顕微鏡で磁性膜表面を観察したところ、表面に付着
しているＩＴＯ粒子の個数は非磁性材料にＳｉＯ2 を用
いたときの粒子数の１／１００以下であった。
ゲットをＣｏＰｔ─５０％ＩＴＯの混合ターゲットに変
えたこと以外は実施例１と同様にして、膜厚３０ｎｍの
グラニュラ構造磁性膜を成膜した。光学顕微鏡，走査型
電子顕微鏡で磁性膜表面を観察したところ、表面に付着
しているＩＴＯ粒子の個数は非磁性材料にＳｉＯ2 を用
いたときの粒子数の１／１００以下であった。
【００２３】このようにして成膜した磁性膜上にカーボ
ン保護膜をスパッタリング法で成膜して媒体とすること
により、磁気ヘッドとの摩擦の小さい耐久性に優れた媒
体が得られた。
ン保護膜をスパッタリング法で成膜して媒体とすること
により、磁気ヘッドとの摩擦の小さい耐久性に優れた媒
体が得られた。
【００２４】実施例４ 実施例３において、スパッタ電源をＤＣ電源からＲＦ電
源に変えたこと以外は実施例３と同様にして、膜厚３０
ｎｍのグラニュラ構造磁性膜を成膜した。光学顕微鏡，
走査型電子顕微鏡で磁性膜表面を観察したところ、表面
に付着しているＩＴＯ粒子の個数は非磁性材料にＳｉＯ
2 を用いたときの粒子数の１／１００以下であった。
このようにして成膜した磁性膜上にカーボン保護膜をス
パッタリング法で成膜して媒体とすることにより、磁気
ヘッドとの摩擦の小さい耐久性に優れた媒体が得られ
た。
源に変えたこと以外は実施例３と同様にして、膜厚３０
ｎｍのグラニュラ構造磁性膜を成膜した。光学顕微鏡，
走査型電子顕微鏡で磁性膜表面を観察したところ、表面
に付着しているＩＴＯ粒子の個数は非磁性材料にＳｉＯ
2 を用いたときの粒子数の１／１００以下であった。
このようにして成膜した磁性膜上にカーボン保護膜をス
パッタリング法で成膜して媒体とすることにより、磁気
ヘッドとの摩擦の小さい耐久性に優れた媒体が得られ
た。
【００２５】実施例５ 磁性材料としてＣｏＰｔ，非磁性材料としてＩＴＯを用
い、ＣｏＰｔターゲットとＩＴＯターゲットをそれぞれ
作製した。
い、ＣｏＰｔターゲットとＩＴＯターゲットをそれぞれ
作製した。
【００２６】実施例１において、ＣｏＰｔ─２０％ＩＴ
Ｏの混合ターゲットに代えてＣｏＰｔターゲットとＩＴ
Ｏターゲットの二ターゲットを用いたこと以外は実施例
１と同様にして、膜厚３０ｎｍのグラニュラ構造磁性膜
を成膜した。光学顕微鏡，走査型電子顕微鏡で磁性膜表
面を観察したところ、表面に付着しているＩＴＯ粒子の
個数は非磁性材料にＳｉＯ2 を用いたときの粒子数の１
／１００以下であった。
Ｏの混合ターゲットに代えてＣｏＰｔターゲットとＩＴ
Ｏターゲットの二ターゲットを用いたこと以外は実施例
１と同様にして、膜厚３０ｎｍのグラニュラ構造磁性膜
を成膜した。光学顕微鏡，走査型電子顕微鏡で磁性膜表
面を観察したところ、表面に付着しているＩＴＯ粒子の
個数は非磁性材料にＳｉＯ2 を用いたときの粒子数の１
／１００以下であった。
【００２７】このようにして成膜した磁性膜上にカーボ
ン保護膜をスパッタリング法で成膜して媒体とすること
により、磁気ヘッドとの摩擦の小さい耐久性に優れた媒
体が得られた。
ン保護膜をスパッタリング法で成膜して媒体とすること
により、磁気ヘッドとの摩擦の小さい耐久性に優れた媒
体が得られた。
【００２８】
【発明の効果】この発明によれば、磁性膜が非磁性材料
のマトリックス中に強磁性体の粒子を分散させたグラニ
ュラ構造である磁気記録媒体において、前記磁性膜中の
非磁性材料の電気抵抗が比抵抗１０6 Ωｃｍ以下である
媒体とすることにより、磁気ヘッドとの摩擦が低減され
た耐久性の優れた媒体を得ることができる。
のマトリックス中に強磁性体の粒子を分散させたグラニ
ュラ構造である磁気記録媒体において、前記磁性膜中の
非磁性材料の電気抵抗が比抵抗１０6 Ωｃｍ以下である
媒体とすることにより、磁気ヘッドとの摩擦が低減され
た耐久性の優れた媒体を得ることができる。
【図１】この発明に係わる媒体の一例の模式的断面図
１ 非磁性基板 ２ 下地膜 ３ グラニュラ構造磁性膜 ４ 保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｆ 41/18 Ｈ０１Ｆ 41/18 Ｆターム(参考） 4K029 AA09 AA24 BA03 BA24 BA35 BA45 BA47 BA49 BA50 BA58 BB02 CA05 DC04 5D006 AA02 BB01 BB07 BB09 CA01 DA03 EA03 FA02 5D112 AA05 BB01 BB06 FA04 FB02 5E049 AA04 AA09 AB10 AC00 BA06 GC02
Claims (7)
- 【請求項１】磁性膜が非磁性材料のマトリックス中に強
磁性体の粒子を分散させたグラニュラ構造である磁気記
録媒体において、前記磁性膜中の非磁性材料の電気抵抗
が比抵抗１０6 Ωｃｍ以下であることを特徴とする磁気
記録媒体。 - 【請求項２】非磁性材料が導電性酸化物であることを特
徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】導電性酸化物がＩＴＯまたはＡｌドープＺ
ｎＯであることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項４】非磁性材料が化合物半導体であることを特
徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】化合物半導体がＭｇあるいはＳｉをドープ
したＧａＮまたはＡｌＮであることを特徴とする請求項
４記載の磁気記録媒体。 - 【請求項６】磁性膜が非磁性材料のマトリックス中に強
磁性体の粒子を分散させたグラニュラ構造である磁気記
録媒体の製造方法において、磁性膜が強磁性材料と電気
抵抗が比抵抗１０6 Ωｃｍ以下の非磁性材料との混合物
からなるターゲットを用いたスパッタリング法で成膜さ
れることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項７】磁性膜が非磁性材料のマトリックス中に強
磁性体の粒子を分散させたグラニュラ構造である磁気記
録媒体の製造方法において、磁性膜が強磁性材料からな
るターゲットと電気抵抗が比抵抗１０6 Ωｃｍ以下の非
磁性材料からなるターゲットを用いた２元スパッタリン
グ法で成膜されることを特徴とする磁気記録媒体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25264699A JP2001076329A (ja) | 1999-09-07 | 1999-09-07 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25264699A JP2001076329A (ja) | 1999-09-07 | 1999-09-07 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001076329A true JP2001076329A (ja) | 2001-03-23 |
Family
ID=17240259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25264699A Pending JP2001076329A (ja) | 1999-09-07 | 1999-09-07 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001076329A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007013387A1 (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-01 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | スパッタリングターゲット、その製造方法及び透明導電膜 |
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