JPH09306733A - 磁気抵抗効果膜 - Google Patents
磁気抵抗効果膜Info
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- JPH09306733A JPH09306733A JP8118642A JP11864296A JPH09306733A JP H09306733 A JPH09306733 A JP H09306733A JP 8118642 A JP8118642 A JP 8118642A JP 11864296 A JP11864296 A JP 11864296A JP H09306733 A JPH09306733 A JP H09306733A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁性相粒１１、非磁性相マトリックス１２又
は絶縁相マトリックス１３のそれぞれにおける結晶粒径
や形態を積極的に制御し得るグラニュラー膜の構成が提
示されておらず、多層構造の場合に比べて十分大きな磁
気抵抗効果を得ることが困難である場合が多い。 【解決手段】 下地膜２上に、非磁性相マトリックス１
２中に磁性相粒１１を含む薄膜３が積層された磁気抵抗
効果膜１０であって、下地膜２がＴｉまたはＡｌからな
り、非磁性相マトリックス１２がＴｉまたはＡｌからな
り、磁性相粒１１がＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうちの少なくと
も一種からなる磁気抵抗効果膜１０を形成する。
は絶縁相マトリックス１３のそれぞれにおける結晶粒径
や形態を積極的に制御し得るグラニュラー膜の構成が提
示されておらず、多層構造の場合に比べて十分大きな磁
気抵抗効果を得ることが困難である場合が多い。 【解決手段】 下地膜２上に、非磁性相マトリックス１
２中に磁性相粒１１を含む薄膜３が積層された磁気抵抗
効果膜１０であって、下地膜２がＴｉまたはＡｌからな
り、非磁性相マトリックス１２がＴｉまたはＡｌからな
り、磁性相粒１１がＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうちの少なくと
も一種からなる磁気抵抗効果膜１０を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気抵抗効果膜に関
し、より詳細には例えば磁気ヘッド等の磁気センサに用
いられ、超高密度磁気記録媒体に書き込まれた磁気情報
を高速で電気信号に変換することができる巨大磁気抵抗
効果を有する磁気抵抗効果膜に関する。
し、より詳細には例えば磁気ヘッド等の磁気センサに用
いられ、超高密度磁気記録媒体に書き込まれた磁気情報
を高速で電気信号に変換することができる巨大磁気抵抗
効果を有する磁気抵抗効果膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、新しい磁気材料として巨大磁気抵
抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistance）と記
す）効果を有する薄膜が注目されている。ここで磁気抵
抗効果とは、合金等からなる膜に磁場を作用させた場
合、磁場の強さにより前記膜の抵抗値が変化する現象を
いい、この現象を利用すれば外部磁場の変化を電圧の変
化として取り出せるため、コンピュータ用ハードディス
クの磁気ヘッド等の磁気センサとして利用されている。
抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistance）と記
す）効果を有する薄膜が注目されている。ここで磁気抵
抗効果とは、合金等からなる膜に磁場を作用させた場
合、磁場の強さにより前記膜の抵抗値が変化する現象を
いい、この現象を利用すれば外部磁場の変化を電圧の変
化として取り出せるため、コンピュータ用ハードディス
クの磁気ヘッド等の磁気センサとして利用されている。
【０００３】前記ＧＭＲ効果を有する磁気材料の形態と
しては、これまで、薄膜、薄帯、バルクの３種類が提唱
されているが、このうち、磁気デバイスに利用しようと
する場合は形態制御が容易であるという点で薄膜が実用
上有利である。
しては、これまで、薄膜、薄帯、バルクの３種類が提唱
されているが、このうち、磁気デバイスに利用しようと
する場合は形態制御が容易であるという点で薄膜が実用
上有利である。
【０００４】ＧＭＲ効果を有する前記薄膜の構造として
は、大きく分けて次の２つが挙げられる。一つは、磁性
／非磁性合金膜、あるいは磁性／絶縁体膜が交互に積層
された多層構造であり、もう一つは磁性相粒子が非磁性
相マトリックス又は絶縁相マトリックス中に略均一に分
散された多結晶体であるグラニュラー構造である。
は、大きく分けて次の２つが挙げられる。一つは、磁性
／非磁性合金膜、あるいは磁性／絶縁体膜が交互に積層
された多層構造であり、もう一つは磁性相粒子が非磁性
相マトリックス又は絶縁相マトリックス中に略均一に分
散された多結晶体であるグラニュラー構造である。
【０００５】磁性／非磁性合金膜からなる前記多層構造
の磁気抵抗効果膜や磁性相粒子が非磁性相マトリックス
中に分散された前記グラニュラー構造の磁気抵抗効果膜
においては、磁性−非磁性合金膜界面、又は磁性相−非
磁性相マトリックス界面におけるスピン依存散乱を利用
することにより前記ＧＭＲ効果が得られる。
の磁気抵抗効果膜や磁性相粒子が非磁性相マトリックス
中に分散された前記グラニュラー構造の磁気抵抗効果膜
においては、磁性−非磁性合金膜界面、又は磁性相−非
磁性相マトリックス界面におけるスピン依存散乱を利用
することにより前記ＧＭＲ効果が得られる。
【０００６】一方、磁性／絶縁体膜からなる多層構造の
磁気抵抗効果膜や磁性相粒子が絶縁相マトリックス中に
分散されたグラニュラー構造の磁気抵抗効果膜において
は、磁性−絶縁体膜界面、又は磁性相−絶縁性相マトリ
ックス界面での伝導電子のスピンに依存したトンネリン
グを利用することにより前記ＧＭＲ効果が得られる。
磁気抵抗効果膜や磁性相粒子が絶縁相マトリックス中に
分散されたグラニュラー構造の磁気抵抗効果膜において
は、磁性−絶縁体膜界面、又は磁性相−絶縁性相マトリ
ックス界面での伝導電子のスピンに依存したトンネリン
グを利用することにより前記ＧＭＲ効果が得られる。
【０００７】これら多層構造、グラニュラー構造の両者
とも研究が行われており、例えば前記多層構造の場合に
おいては、特開平７−２０１０２２号公報にて磁気ヘッ
ド等の磁気センサへの応用を目的とした材料が開示され
ている。前記多層構造の場合はその膜厚を制御すること
によって特性の制御が可能である。しかしながら、前記
多層構造の場合、繰り返しスパッタを行い、厚みが１〜
１０ｎｍの極薄い層を積層しなければならないためその
作製が容易ではなく、また優れた特性を得るには積層数
を増やす必要があるため成膜に時間がかかる等の問題が
ある。
とも研究が行われており、例えば前記多層構造の場合に
おいては、特開平７−２０１０２２号公報にて磁気ヘッ
ド等の磁気センサへの応用を目的とした材料が開示され
ている。前記多層構造の場合はその膜厚を制御すること
によって特性の制御が可能である。しかしながら、前記
多層構造の場合、繰り返しスパッタを行い、厚みが１〜
１０ｎｍの極薄い層を積層しなければならないためその
作製が容易ではなく、また優れた特性を得るには積層数
を増やす必要があるため成膜に時間がかかる等の問題が
ある。
【０００８】これに対し、前記グラニュラー構造の場合
は前記多層構造の場合に比べてその構造が３次元的に変
調されており、非常に複雑な構造ではあるが、繰り返し
スパッタする必要がない単層構造であるので製造が容易
である。このような観点から例えば特開平６−３２６３
７７号公報に記載されているような種々のグラニュラー
構造型の磁気抵抗効果膜（以下、グラニュラー膜と記
す）が開発されている。
は前記多層構造の場合に比べてその構造が３次元的に変
調されており、非常に複雑な構造ではあるが、繰り返し
スパッタする必要がない単層構造であるので製造が容易
である。このような観点から例えば特開平６−３２６３
７７号公報に記載されているような種々のグラニュラー
構造型の磁気抵抗効果膜（以下、グラニュラー膜と記
す）が開発されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】グラニュラー膜の磁気
抵抗効果は磁性相粒、非磁性相マトリックス又は絶縁相
マトリックスのそれぞれにおける結晶粒径や形態が制御
されて、最適な結晶粒径及び形態がとられた場合に最も
顕著となる。しかしながら、現在のところ最適の結晶粒
径及び形態が明らかにされておらず、多層構造の場合に
比べて十分大きな磁気抵抗効果を得ることが困難である
といった課題があった。
抵抗効果は磁性相粒、非磁性相マトリックス又は絶縁相
マトリックスのそれぞれにおける結晶粒径や形態が制御
されて、最適な結晶粒径及び形態がとられた場合に最も
顕著となる。しかしながら、現在のところ最適の結晶粒
径及び形態が明らかにされておらず、多層構造の場合に
比べて十分大きな磁気抵抗効果を得ることが困難である
といった課題があった。
【００１０】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
って、磁性相粒、非磁性相マトリックス又は絶縁相マト
リックスの結晶粒径及び形態を積極的に制御することが
可能であり、グラニュラー構造の場合であっても大きな
磁気抵抗効果を得ることが可能な磁気抵抗効果膜を提供
することを目的としている。
って、磁性相粒、非磁性相マトリックス又は絶縁相マト
リックスの結晶粒径及び形態を積極的に制御することが
可能であり、グラニュラー構造の場合であっても大きな
磁気抵抗効果を得ることが可能な磁気抵抗効果膜を提供
することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段及びその効果】図２
（ａ）、（ｂ）はグラニュラー構造の場合において磁気
抵抗効果が現われ得る構造を示した模式的断面図であ
る。
（ａ）、（ｂ）はグラニュラー構造の場合において磁気
抵抗効果が現われ得る構造を示した模式的断面図であ
る。
【００１２】（ａ）は磁性相粒が非磁性相マトリックス
中に略均一に分散しているグラニュラー膜を示してお
り、（ｂ）は磁性相粒が絶縁相マトリックス中に略均一
に分散しているグラニュラー膜を示している。
中に略均一に分散しているグラニュラー膜を示してお
り、（ｂ）は磁性相粒が絶縁相マトリックス中に略均一
に分散しているグラニュラー膜を示している。
【００１３】図中１１は磁性相粒を、１２は非磁性相マ
トリックスを、１３は絶縁相マトリックスをそれぞれ示
している。
トリックスを、１３は絶縁相マトリックスをそれぞれ示
している。
【００１４】図示されているように磁性相粒１１が絶縁
相マトリックス１３中に分散されている場合（ｂ）の方
が、磁性相粒１１が非磁性相マトリックス１２中に分散
されている場合（ａ）よりも磁性相粒１１の存在密度が
高密度となる。この傾向は、合金の組成にも依存するた
め一般的であるとは言いがたいが、磁性相粒１１が非磁
性相マトリックス１２中に分散されている場合（ａ）は
「析出」を利用してグラニュラー構造を形成するのに対
し、磁性相粒１１が絶縁相マトリックス１３中に分散さ
れている場合（ｂ）は「選択酸化」を利用するので、磁
性相の粒界部分に薄い酸化膜が形成され易く、結果的に
磁性相密度が高くなるためこのような傾向が現われると
考えられる。
相マトリックス１３中に分散されている場合（ｂ）の方
が、磁性相粒１１が非磁性相マトリックス１２中に分散
されている場合（ａ）よりも磁性相粒１１の存在密度が
高密度となる。この傾向は、合金の組成にも依存するた
め一般的であるとは言いがたいが、磁性相粒１１が非磁
性相マトリックス１２中に分散されている場合（ａ）は
「析出」を利用してグラニュラー構造を形成するのに対
し、磁性相粒１１が絶縁相マトリックス１３中に分散さ
れている場合（ｂ）は「選択酸化」を利用するので、磁
性相の粒界部分に薄い酸化膜が形成され易く、結果的に
磁性相密度が高くなるためこのような傾向が現われると
考えられる。
【００１５】図２において、電子のスピン依存散乱やト
ンネリングは磁性相粒１１と非磁性相マトリックス１２
との界面２０、又は磁性相粒１１と絶縁相マトリックス
１３との界面３０で生じる。
ンネリングは磁性相粒１１と非磁性相マトリックス１２
との界面２０、又は磁性相粒１１と絶縁相マトリックス
１３との界面３０で生じる。
【００１６】このため、界面２０（３０）の存在密度が
大きい程前記スピン依存散乱やトンネリングが頻繁に生
じ、大きな磁気抵抗効果を得ることができる。界面２０
（３０）の存在密度を大きくするには、磁性相粒１１の
結晶粒径を小さくすればよい。
大きい程前記スピン依存散乱やトンネリングが頻繁に生
じ、大きな磁気抵抗効果を得ることができる。界面２０
（３０）の存在密度を大きくするには、磁性相粒１１の
結晶粒径を小さくすればよい。
【００１７】グラニュラー膜の形成方法としてはスパッ
タ法が主流をなしているが、より大きな磁気抵抗効果を
得るために上記理論を基に磁性相粒１１を微細化するこ
とにポイントをおいた形成方法が開発されている。
タ法が主流をなしているが、より大きな磁気抵抗効果を
得るために上記理論を基に磁性相粒１１を微細化するこ
とにポイントをおいた形成方法が開発されている。
【００１８】前記方法では、まずガラス板を基板とし、
スパッタ法により合金膜（例えば、ＣｏＣｕ、ＣｏＡ
ｇ、ＦｅＡｕ等）を成膜する。この合金膜は、ａｓ ｄ
ｅｐｏｓｉｔｅｄ状態では、不完全ではあるものの過飽
和固溶体を形成している。次に前記合金膜に熱処理を施
すことにより、磁性相粒（例えばＣｏ相、Ｆｅ相）を微
細に析出させ、非磁性マトリックス中に微細な磁性相粒
が分散した構造とする。このようにしてＧＭＲ効果を有
するグラニュラー膜を形成する( Phys. Rev.Lett.,68[2
5](1992) John Q.Xiao et al, p.3749）。
スパッタ法により合金膜（例えば、ＣｏＣｕ、ＣｏＡ
ｇ、ＦｅＡｕ等）を成膜する。この合金膜は、ａｓ ｄ
ｅｐｏｓｉｔｅｄ状態では、不完全ではあるものの過飽
和固溶体を形成している。次に前記合金膜に熱処理を施
すことにより、磁性相粒（例えばＣｏ相、Ｆｅ相）を微
細に析出させ、非磁性マトリックス中に微細な磁性相粒
が分散した構造とする。このようにしてＧＭＲ効果を有
するグラニュラー膜を形成する( Phys. Rev.Lett.,68[2
5](1992) John Q.Xiao et al, p.3749）。
【００１９】しかしながら、上記方法によれば、前記合
金膜に熱処理を施した際に、ガラス基板を構成する元素
が前記合金膜へ拡散し、該拡散された元素により磁性相
粒の初期の核発生密度が低下する場合がある。また、前
記ガラス基板／磁性相界面のエネルギーが高いため、磁
性相粒が付着しにくくなり、初期の核発生密度が低下す
る場合がある。
金膜に熱処理を施した際に、ガラス基板を構成する元素
が前記合金膜へ拡散し、該拡散された元素により磁性相
粒の初期の核発生密度が低下する場合がある。また、前
記ガラス基板／磁性相界面のエネルギーが高いため、磁
性相粒が付着しにくくなり、初期の核発生密度が低下す
る場合がある。
【００２０】このため、上記方法によって形成されたグ
ラニュラー膜においても磁性相粒、非磁性相マトリック
ス又は絶縁相マトリックスの結晶粒径及び形態を積極的
に制御することはできず、十分大きな磁気抵抗効果を得
ることはできない。
ラニュラー膜においても磁性相粒、非磁性相マトリック
ス又は絶縁相マトリックスの結晶粒径及び形態を積極的
に制御することはできず、十分大きな磁気抵抗効果を得
ることはできない。
【００２１】発明者は上記知見に基づき本発明を完成す
るに至った。すなわち上記目的を達成するために本発明
に係る磁気抵抗効果膜（１）は、下地膜上に、非磁性相
マトリックス中に磁性相粒を含む薄膜が積層された磁気
抵抗効果膜であって、前記下地膜がＴｉまたはＡｌから
なり、前記非磁性相マトリックスがＴｉまたはＡｌのう
ち少なくとも一種からなり、前記磁性相粒がＦｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｏのうちの少なくとも一種からなることを特徴と
している。
るに至った。すなわち上記目的を達成するために本発明
に係る磁気抵抗効果膜（１）は、下地膜上に、非磁性相
マトリックス中に磁性相粒を含む薄膜が積層された磁気
抵抗効果膜であって、前記下地膜がＴｉまたはＡｌから
なり、前記非磁性相マトリックスがＴｉまたはＡｌのう
ち少なくとも一種からなり、前記磁性相粒がＦｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｏのうちの少なくとも一種からなることを特徴と
している。
【００２２】上記磁気抵抗効果膜（１）は、下地膜と非
磁性相マトリックス中に磁性相粒を含む薄膜との複層に
より構成された構造となっている。該構造は、まず基と
なる基板上に前記下地膜を堆積させ、その後前記下地膜
上に前記薄膜となる合金膜を堆積させた後、熱処理を施
すことにより形成される。すなわち前記合金膜は前記基
板上に直接堆積されるのではなく、前記下地膜上に堆積
される。よって、前記熱処理時に、基板からの元素が外
方へ拡散したとしても、前記基板から拡散した元素が前
記合金膜まで達することはほとんどなく、前記拡散した
元素により、磁性相粒の初期の核発生密度が極端に抑制
されることはない。従って、磁性相粒の均一な微細化及
び高密度化が促進され、大きな磁気抵抗効果を有する磁
気抵抗効果膜を得ることができる。
磁性相マトリックス中に磁性相粒を含む薄膜との複層に
より構成された構造となっている。該構造は、まず基と
なる基板上に前記下地膜を堆積させ、その後前記下地膜
上に前記薄膜となる合金膜を堆積させた後、熱処理を施
すことにより形成される。すなわち前記合金膜は前記基
板上に直接堆積されるのではなく、前記下地膜上に堆積
される。よって、前記熱処理時に、基板からの元素が外
方へ拡散したとしても、前記基板から拡散した元素が前
記合金膜まで達することはほとんどなく、前記拡散した
元素により、磁性相粒の初期の核発生密度が極端に抑制
されることはない。従って、磁性相粒の均一な微細化及
び高密度化が促進され、大きな磁気抵抗効果を有する磁
気抵抗効果膜を得ることができる。
【００２３】また、前記下地膜の構成元素と前記薄膜の
含有元素とを同一元素にした場合、すなわち下地膜の構
成元素にＴｉを用いた場合に前記薄膜の含有元素にもＴ
ｉを用い、また下地膜の構成元素にＡｌを用いた場合に
前記薄膜の含有元素にもＡｌを用いた場合には、上記熱
処理時に前記下地膜からの元素が外方へ拡散したとして
も、該拡散した元素が前記薄膜の含有元素と共通元素で
あることにより、磁性相粒の初期の核発生密度が抑制さ
れることはほとんどない。従って磁性相粒の均一な微細
化及び高密度化がより促進され、より大きな磁気抵抗効
果を有する磁気抵抗効果膜を得ることができる。
含有元素とを同一元素にした場合、すなわち下地膜の構
成元素にＴｉを用いた場合に前記薄膜の含有元素にもＴ
ｉを用い、また下地膜の構成元素にＡｌを用いた場合に
前記薄膜の含有元素にもＡｌを用いた場合には、上記熱
処理時に前記下地膜からの元素が外方へ拡散したとして
も、該拡散した元素が前記薄膜の含有元素と共通元素で
あることにより、磁性相粒の初期の核発生密度が抑制さ
れることはほとんどない。従って磁性相粒の均一な微細
化及び高密度化がより促進され、より大きな磁気抵抗効
果を有する磁気抵抗効果膜を得ることができる。
【００２４】また、本発明に係る磁気抵抗効果膜（２）
は、下地膜上に、絶縁相マトリックス中に磁性相粒を含
む薄膜が積層された磁気抵抗効果膜であって、前記下地
膜がＴｉまたはＡｌからなり、前記絶縁相マトリックス
がＴｉまたはＡｌの酸化物または窒化物のうちの少なく
とも一種からなり、前記磁性相粒がＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏの
うちの少なくとも一種からなることを特徴としている。
は、下地膜上に、絶縁相マトリックス中に磁性相粒を含
む薄膜が積層された磁気抵抗効果膜であって、前記下地
膜がＴｉまたはＡｌからなり、前記絶縁相マトリックス
がＴｉまたはＡｌの酸化物または窒化物のうちの少なく
とも一種からなり、前記磁性相粒がＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏの
うちの少なくとも一種からなることを特徴としている。
【００２５】上記磁気抵抗効果膜（２）によれば、前記
絶縁相マトリックスの構成元素としてＴｉやＡｌが用い
られており、ＴｉやＡｌは酸化や窒化によって容易にＴ
ｉＯ2 、ＴｉＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮといった絶縁体を
形成するため、前記絶縁相マトリックスを比較的容易に
形成することができる。
絶縁相マトリックスの構成元素としてＴｉやＡｌが用い
られており、ＴｉやＡｌは酸化や窒化によって容易にＴ
ｉＯ2 、ＴｉＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮといった絶縁体を
形成するため、前記絶縁相マトリックスを比較的容易に
形成することができる。
【００２６】また、磁性相粒が前記絶縁相マトリックス
中に分散した構造となっているため、前記磁性相粒がよ
り高密度に析出する。よって上記磁気抵抗効果膜（１）
と同様の効果が得られると共に、より大きな磁気抵抗効
果を得ることができる。
中に分散した構造となっているため、前記磁性相粒がよ
り高密度に析出する。よって上記磁気抵抗効果膜（１）
と同様の効果が得られると共に、より大きな磁気抵抗効
果を得ることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る磁気抵抗効果
膜の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は本実
施の形態に係る磁気抵抗効果膜１０を示した模式的断面
図であり、図中１は基板を示している。基板１は非磁性
かつ非導電性のものであればよく、その形成材料として
はガラスやセラミックス等が好ましい。基板１上にはＴ
ｉ又はＡｌからなる下地膜２が形成され、下地膜２上に
は薄膜３が形成されている。薄膜３は、図２（ａ）、
（ｂ）に示したように、非磁性相マトリックス１２又は
絶縁相マトリックス１３中に磁性相粒１１が分散されて
構成されており、前記非磁性相マトリックス１２はＴｉ
またはＡｌからなっており、絶縁相マトリックス１３は
ＴｉまたはＡｌの酸化物または窒化物のうちの少なくと
も一種からなっていて、磁性相粒１１はＦｅ、Ｎｉ、Ｃ
ｏのうちの少なくとも一種からなっている。これら下地
膜２及び薄膜３を含んで磁気抵抗効果膜１０が構成され
ている。
膜の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は本実
施の形態に係る磁気抵抗効果膜１０を示した模式的断面
図であり、図中１は基板を示している。基板１は非磁性
かつ非導電性のものであればよく、その形成材料として
はガラスやセラミックス等が好ましい。基板１上にはＴ
ｉ又はＡｌからなる下地膜２が形成され、下地膜２上に
は薄膜３が形成されている。薄膜３は、図２（ａ）、
（ｂ）に示したように、非磁性相マトリックス１２又は
絶縁相マトリックス１３中に磁性相粒１１が分散されて
構成されており、前記非磁性相マトリックス１２はＴｉ
またはＡｌからなっており、絶縁相マトリックス１３は
ＴｉまたはＡｌの酸化物または窒化物のうちの少なくと
も一種からなっていて、磁性相粒１１はＦｅ、Ｎｉ、Ｃ
ｏのうちの少なくとも一種からなっている。これら下地
膜２及び薄膜３を含んで磁気抵抗効果膜１０が構成され
ている。
【００２８】下地膜２にＴｉを用いた場合には薄膜３の
形成にも前記非磁性金属としてＴｉを用い、下地膜２に
Ａｌを用いた場合には薄膜３の形成にも前記非磁性金属
としてＡｌを用いるのが好ましい。また、下地膜２の好
ましい厚さは１ｎｍ〜１μｍの範囲である。下地膜２の
厚さが１μｍを越えると、下地膜２の構成元素であるＴ
ｉ又はＡｌの粒径が大きくなってしまい、後の薄膜３の
形成時に磁性相１１の核発生密度を所望のものにするこ
とが困難となる場合がある。
形成にも前記非磁性金属としてＴｉを用い、下地膜２に
Ａｌを用いた場合には薄膜３の形成にも前記非磁性金属
としてＡｌを用いるのが好ましい。また、下地膜２の好
ましい厚さは１ｎｍ〜１μｍの範囲である。下地膜２の
厚さが１μｍを越えると、下地膜２の構成元素であるＴ
ｉ又はＡｌの粒径が大きくなってしまい、後の薄膜３の
形成時に磁性相１１の核発生密度を所望のものにするこ
とが困難となる場合がある。
【００２９】下地膜２の成膜方法としては、ＤＣスパッ
タ法、ＲＦスパッタ法、真空蒸着法等が挙げられる。
タ法、ＲＦスパッタ法、真空蒸着法等が挙げられる。
【００３０】薄膜３となる合金膜にはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ
のうちの少なくとも一種の強磁性元素とＴｉ又はＡｌの
非磁性金属との合金膜、もしくはこの合金を酸化又は窒
化した合金膜を使用する。
のうちの少なくとも一種の強磁性元素とＴｉ又はＡｌの
非磁性金属との合金膜、もしくはこの合金を酸化又は窒
化した合金膜を使用する。
【００３１】薄膜３中における磁性相粒１１の割合は８
０〜９９％程度であるのが好ましい。また、磁性相粒１
１の粒径は１〜２００ｎｍの範囲内にあることが好まし
い。
０〜９９％程度であるのが好ましい。また、磁性相粒１
１の粒径は１〜２００ｎｍの範囲内にあることが好まし
い。
【００３２】薄膜３の成膜方法としては、例えばＴｉ又
はＡｌのチップを表面に有する、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏのう
ちの少なくとも一種からなるターゲットを用い、真空雰
囲気中でＤＣスパッタを行う同時スパッタ法等が挙げら
れる。あるいは、Ｔｉ又はＡｌの金属蒸着源とＦｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｏのうちの少なくとも一種の金属蒸着源とを同時
に使用して蒸着する同時蒸着法でもよい。
はＡｌのチップを表面に有する、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏのう
ちの少なくとも一種からなるターゲットを用い、真空雰
囲気中でＤＣスパッタを行う同時スパッタ法等が挙げら
れる。あるいは、Ｔｉ又はＡｌの金属蒸着源とＦｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｏのうちの少なくとも一種の金属蒸着源とを同時
に使用して蒸着する同時蒸着法でもよい。
【００３３】絶縁相マトリックスを有する薄膜３を成膜
する場合は、前記スパッタ時の雰囲気を酸素を含む雰囲
気とすることにより成膜する。
する場合は、前記スパッタ時の雰囲気を酸素を含む雰囲
気とすることにより成膜する。
【００３４】上記したように磁気抵抗効果膜１０が下地
膜２と非磁性相マトリックス１２中に磁性相粒１１を含
む薄膜３との複層により構成されたものである場合、ま
ず基となる基板１上に下地膜２を成膜し、その後下地膜
２上に薄膜３となる合金膜を成膜した後、熱処理を施す
ことにより形成する。すなわち前記合金膜は基板１上に
直接堆積されるのではなく、下地膜２上に堆積される。
よって、前記熱処理時に、基板１から下地膜２側へ拡散
したとしても、基板１から拡散した元素が前記合金膜ま
で達することはほとんどなく、前記拡散された元素によ
り、磁性相粒１１の初期の核発生密度が極端に抑制され
ることはない。従って、磁性相粒１１の均一な微細化及
び高密度化が促進され、大きな磁気抵抗効果を有する磁
気抵抗効果膜１０を得ることができる。
膜２と非磁性相マトリックス１２中に磁性相粒１１を含
む薄膜３との複層により構成されたものである場合、ま
ず基となる基板１上に下地膜２を成膜し、その後下地膜
２上に薄膜３となる合金膜を成膜した後、熱処理を施す
ことにより形成する。すなわち前記合金膜は基板１上に
直接堆積されるのではなく、下地膜２上に堆積される。
よって、前記熱処理時に、基板１から下地膜２側へ拡散
したとしても、基板１から拡散した元素が前記合金膜ま
で達することはほとんどなく、前記拡散された元素によ
り、磁性相粒１１の初期の核発生密度が極端に抑制され
ることはない。従って、磁性相粒１１の均一な微細化及
び高密度化が促進され、大きな磁気抵抗効果を有する磁
気抵抗効果膜１０を得ることができる。
【００３５】また、特に上記のようにＴｉやＡｌを下地
膜２に用いた場合には、下地膜２と薄膜３との界面エネ
ルギーが下地膜２を形成せずに基板１上に直接薄膜３を
形成した場合の基板１と薄膜３との界面エネルギーより
も低くなる傾向がある。これは、基板１と薄膜３との界
面が共有結合／金属結合となるのに対し、下地膜２と薄
膜３との界面には金属−金属結合が生じ易いためである
と考えられる。この結果、薄膜３が付着し易くなると共
に磁性相粒１１の均一な微細化及び高密度化が促進され
ると考えられる。
膜２に用いた場合には、下地膜２と薄膜３との界面エネ
ルギーが下地膜２を形成せずに基板１上に直接薄膜３を
形成した場合の基板１と薄膜３との界面エネルギーより
も低くなる傾向がある。これは、基板１と薄膜３との界
面が共有結合／金属結合となるのに対し、下地膜２と薄
膜３との界面には金属−金属結合が生じ易いためである
と考えられる。この結果、薄膜３が付着し易くなると共
に磁性相粒１１の均一な微細化及び高密度化が促進され
ると考えられる。
【００３６】また、下地膜２の構成元素と薄膜３の含有
元素とを同一元素にした場合、すなわち下地膜２の構成
元素にＴｉを用いた場合に薄膜３の含有元素にもＴｉを
用い、また下地膜２の構成元素にＡｌを用いた場合に薄
膜３の含有元素にもＡｌを用いた場合には、上記熱処理
時に下地膜２からの元素（Ｔｉ、Ａｌ）が薄膜３側へ拡
散したとしても、該拡散した元素が薄膜３の構成元素と
共通元素であることにより、磁性相粒１１の初期の核発
生密度が抑制されることはほとんどない。従って磁性相
粒１１の均一な微細化及び高密度化がより促進され、よ
り大きな磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果膜１０を得
ることができる。
元素とを同一元素にした場合、すなわち下地膜２の構成
元素にＴｉを用いた場合に薄膜３の含有元素にもＴｉを
用い、また下地膜２の構成元素にＡｌを用いた場合に薄
膜３の含有元素にもＡｌを用いた場合には、上記熱処理
時に下地膜２からの元素（Ｔｉ、Ａｌ）が薄膜３側へ拡
散したとしても、該拡散した元素が薄膜３の構成元素と
共通元素であることにより、磁性相粒１１の初期の核発
生密度が抑制されることはほとんどない。従って磁性相
粒１１の均一な微細化及び高密度化がより促進され、よ
り大きな磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果膜１０を得
ることができる。
【００３７】一方、磁気抵抗効果膜１０が下地膜２と絶
縁相マトリックス１３中に磁性相粒１１を含む薄膜３と
の複層により構成されたものである場合であっても、絶
縁相マトリックス１３の構成元素としてＴｉやＡｌを用
いており、ＴｉやＡｌは酸化や窒化によって容易にＴｉ
Ｏ2 、ＴｉＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮといった絶縁体を形
成するため、絶縁相マトリックス１３を比較的容易に形
成することができる。
縁相マトリックス１３中に磁性相粒１１を含む薄膜３と
の複層により構成されたものである場合であっても、絶
縁相マトリックス１３の構成元素としてＴｉやＡｌを用
いており、ＴｉやＡｌは酸化や窒化によって容易にＴｉ
Ｏ2 、ＴｉＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮといった絶縁体を形
成するため、絶縁相マトリックス１３を比較的容易に形
成することができる。
【００３８】また、磁性相粒１１がより高密度に析出し
ているため、より高い磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効
果膜１０を得ることができる。
ているため、より高い磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効
果膜１０を得ることができる。
【００３９】
【実施例及び比較例】本発明の実施例及び比較例に係る
磁気抵抗効果膜は、以下の条件により形成した。
磁気抵抗効果膜は、以下の条件により形成した。
【００４０】＜実施例＞ 基板１の形成材料 ：ガラス サイズ ：５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．３ｍｍ 下地膜２の形成材料 ：Ｔｉ又はＡｌ 厚さ ：５〜１００００ｎｍの範囲内の厚さ 薄膜３の構成 ：Ｍ−Ａｌ、Ｍ−Ａｌ−Ｏ、Ｍ−Ｔｉ、Ｍ−Ｔｉ− Ｏ（Ｍ＝Ｃｏ又はＦｅ又はＮｉ）のうちのいずれ か 薄膜３の蒸着源（合金元素）の組成 ：Ｍ：Ａｌ（Ｔｉ）＝８０：２０ 蒸着源径 ：６インチ 構成がＭ−Ａｌ（Ｔｉ）−Ｏである薄膜３の成膜時に導入した混合ガス ：Ａｒ＋１％Ｏ２ ガス分圧：０．３×１０−２〜４．５×１０-2Ｔｏｒｒ （４．０１×１０-1〜６．０１Ｐａ） スパッタ時の温度 ：室温 電力 ：約０．３ｗ／ｈ 時間 ：２００ｓ 図３は実施例に係る磁気抵抗効果膜を形成するための直
流スパッタ装置を示した模式的断面図であり、図中６１
は真空槽を示している。真空槽６１内の上部には直流電
源５０が接続されたターゲットホルダ６２、ターゲット
ホルダ８０が並列的に配置されており、ターゲットホル
ダ６２には下地膜２を形成するための金属ターゲット６
３が、ターゲットホルダ８０には薄膜３を形成するため
の合金ターゲット８１がそれぞれ固定されている。合金
ターゲット８１はＴｉ又はＡｌのチップ８１ａを有して
いる。また、ターゲットホルダ６２、ターゲットホルダ
８０内には冷却水が循環され、温度が制御されるように
なっている。
流スパッタ装置を示した模式的断面図であり、図中６１
は真空槽を示している。真空槽６１内の上部には直流電
源５０が接続されたターゲットホルダ６２、ターゲット
ホルダ８０が並列的に配置されており、ターゲットホル
ダ６２には下地膜２を形成するための金属ターゲット６
３が、ターゲットホルダ８０には薄膜３を形成するため
の合金ターゲット８１がそれぞれ固定されている。合金
ターゲット８１はＴｉ又はＡｌのチップ８１ａを有して
いる。また、ターゲットホルダ６２、ターゲットホルダ
８０内には冷却水が循環され、温度が制御されるように
なっている。
【００４１】真空槽６１内の下部にはステンレス等から
構成された基板保持台６６が配置されており、基板保持
台６６上面であって金属ターゲット６３の直下の位置に
は基板１が取り付けられている。基板保持台６６は回転
自在であり、図示した位置から１８０°回転させると基
板１が合金ターゲット８１の直下に位置することとな
る。基板保持台６６内には冷却水が循環され、温度が制
御されるようになっている。
構成された基板保持台６６が配置されており、基板保持
台６６上面であって金属ターゲット６３の直下の位置に
は基板１が取り付けられている。基板保持台６６は回転
自在であり、図示した位置から１８０°回転させると基
板１が合金ターゲット８１の直下に位置することとな
る。基板保持台６６内には冷却水が循環され、温度が制
御されるようになっている。
【００４２】真空槽６１の底部６１ａには配管６８が接
続され、配管６８の他端にはロータリーポンプやクライ
オポンプ等が組み合わされた排気ポンプ６９が接続され
ている。また、真空槽６１の側部６１ｂには配管７０、
７１が接続されており、配管７０からはバルブ７０ａを
介してＡｒ等のスパッタガスが、配管７１からはバルブ
７１ａを介して酸素や窒素等の反応ガスが導入されるよ
うになっている。
続され、配管６８の他端にはロータリーポンプやクライ
オポンプ等が組み合わされた排気ポンプ６９が接続され
ている。また、真空槽６１の側部６１ｂには配管７０、
７１が接続されており、配管７０からはバルブ７０ａを
介してＡｒ等のスパッタガスが、配管７１からはバルブ
７１ａを介して酸素や窒素等の反応ガスが導入されるよ
うになっている。
【００４３】このように構成された装置を用いて磁気抵
抗効果膜１０を形成するには、まず洗剤で洗浄した後乾
燥させた基板１を用意し、この基板１を基板保持台６６
上面であって金属ターゲット６３の直下の位置にセット
し、前記ロータリーポンプにより真空槽６１内のほとん
どの空気を排気し、次に前記クライオポンプにより排気
を行うことによりさらに真空度を高める。
抗効果膜１０を形成するには、まず洗剤で洗浄した後乾
燥させた基板１を用意し、この基板１を基板保持台６６
上面であって金属ターゲット６３の直下の位置にセット
し、前記ロータリーポンプにより真空槽６１内のほとん
どの空気を排気し、次に前記クライオポンプにより排気
を行うことによりさらに真空度を高める。
【００４４】次に、ターゲットホルダ６２に負のバイア
スをかけて帯電させ、配管７０からスパッタガスを導入
することにより金属ターゲット６３をスパッタリング
し、基板１上に下地膜２（図１）を形成する。
スをかけて帯電させ、配管７０からスパッタガスを導入
することにより金属ターゲット６３をスパッタリング
し、基板１上に下地膜２（図１）を形成する。
【００４５】次に、基板保持台６６を１８０°回転さ
せ、基板１が合金ターゲット８１の直下にくるようにし
た後、合金ターゲット８１を金属ターゲット６３と同じ
要領でスパッタリングし、基板１上に形成された下地膜
２上に合金膜を形成する。ここで、絶縁相マトリックス
１３中に磁性相粒１１を含む薄膜（図２（ｂ））となる
合金膜を成膜する場合は合金ターゲット８１のスパッタ
リング中に配管７１から反応ガスを適宜導入する。
せ、基板１が合金ターゲット８１の直下にくるようにし
た後、合金ターゲット８１を金属ターゲット６３と同じ
要領でスパッタリングし、基板１上に形成された下地膜
２上に合金膜を形成する。ここで、絶縁相マトリックス
１３中に磁性相粒１１を含む薄膜（図２（ｂ））となる
合金膜を成膜する場合は合金ターゲット８１のスパッタ
リング中に配管７１から反応ガスを適宜導入する。
【００４６】このようにして成膜された下地膜２及び前
記合金膜に熱処理を施し、前記合金膜中に磁性相粒１１
を析出させ、非磁性相マトリックス１２又は絶縁相マト
リックス中１３に磁性相粒１１が分散した薄膜３を形成
する。これら下地膜２と薄膜３とにより磁気抵抗効果膜
１０が構成されることになる。
記合金膜に熱処理を施し、前記合金膜中に磁性相粒１１
を析出させ、非磁性相マトリックス１２又は絶縁相マト
リックス中１３に磁性相粒１１が分散した薄膜３を形成
する。これら下地膜２と薄膜３とにより磁気抵抗効果膜
１０が構成されることになる。
【００４７】＜比較例＞下地膜２を形成しない他は実施
例の場合と同様の条件で磁気抵抗効果膜を形成した。す
なわち、比較例に係る磁気抵抗効果膜は実施例の場合の
構成から下地膜２を除いた構成となる。
例の場合と同様の条件で磁気抵抗効果膜を形成した。す
なわち、比較例に係る磁気抵抗効果膜は実施例の場合の
構成から下地膜２を除いた構成となる。
【００４８】このようにして形成された実施例及び比較
例に係る磁気抵抗効果膜について、それぞれの磁気抵抗
効果を直流４端子法で測定した結果を下記の表１〜６に
示す。比較例に係る磁気抵抗効果膜には表中の備考の欄
に＊印を付した。
例に係る磁気抵抗効果膜について、それぞれの磁気抵抗
効果を直流４端子法で測定した結果を下記の表１〜６に
示す。比較例に係る磁気抵抗効果膜には表中の備考の欄
に＊印を付した。
【００４９】磁気抵抗効果の大きさは、下記の数１式で
示した「磁気抵抗変化率（ｒ）」、すなわち磁場０のと
きの抵抗値Ｒ0 から特定の強さの磁場での抵抗値Ｒs を
差し引いた値（Ｒ0 −Ｒs ）をＲ0 で除し、これを百分
率で表わした値で示した。
示した「磁気抵抗変化率（ｒ）」、すなわち磁場０のと
きの抵抗値Ｒ0 から特定の強さの磁場での抵抗値Ｒs を
差し引いた値（Ｒ0 −Ｒs ）をＲ0 で除し、これを百分
率で表わした値で示した。
【００５０】
【数１】磁気抵抗変化率（ｒ）［％］＝（Ｒ0 −Ｒs ）
×１００／Ｒ0 実施例及び比較例では、外部磁場を２ｋＯｅ印加し、上
記数１式に基づいて磁気抵抗変化率（ｒ）を計算した。
この値が１％以上のものを良好な磁気抵抗特性が得られ
たものとして評価の欄に○印を付し、１％未満のものを
所望の特性が得られなかったものとして評価の欄に×印
を付した。
×１００／Ｒ0 実施例及び比較例では、外部磁場を２ｋＯｅ印加し、上
記数１式に基づいて磁気抵抗変化率（ｒ）を計算した。
この値が１％以上のものを良好な磁気抵抗特性が得られ
たものとして評価の欄に○印を付し、１％未満のものを
所望の特性が得られなかったものとして評価の欄に×印
を付した。
【００５１】
【表１】
【００５２】
【表２】
【００５３】
【表３】
【００５４】
【表４】
【００５５】
【表５】
【００５６】
【表６】
【００５７】表１〜６から明らかなように、磁性相粒１
１の平均粒径が微細なほど、ほぼ磁気抵抗変化率（ｒ）
を大きくすることができた。また、下地膜２が形成され
た実施例に係る磁気抵抗効果膜１０の場合は下地膜２が
形成されていない比較例に係る磁気抵抗効果膜の場合
（試料No.1、18、35、52、69、86、103、120、137、154、171、188)
よりも、磁性相粒１１の平均粒径を極端に小さくするこ
とができ、磁気抵抗変化率（ｒ）を大幅に増大させるこ
とができた。
１の平均粒径が微細なほど、ほぼ磁気抵抗変化率（ｒ）
を大きくすることができた。また、下地膜２が形成され
た実施例に係る磁気抵抗効果膜１０の場合は下地膜２が
形成されていない比較例に係る磁気抵抗効果膜の場合
（試料No.1、18、35、52、69、86、103、120、137、154、171、188)
よりも、磁性相粒１１の平均粒径を極端に小さくするこ
とができ、磁気抵抗変化率（ｒ）を大幅に増大させるこ
とができた。
【００５８】また、全体的に下地膜２の膜厚が１００ｎ
ｍ前後である場合に磁気抵抗変化率（ｒ）が最大値とな
っており、下地膜２の膜厚には最適値が存在し、該最適
値より薄すぎても厚すぎても磁気抵抗変化率（ｒ）は小
さくなると言える。
ｍ前後である場合に磁気抵抗変化率（ｒ）が最大値とな
っており、下地膜２の膜厚には最適値が存在し、該最適
値より薄すぎても厚すぎても磁気抵抗変化率（ｒ）は小
さくなると言える。
【００５９】また、非磁性相マトリックス１２を構成す
る非磁性金属（Ｔｉ又はＡｌ）と下地膜２を構成する金
属（Ｔｉ又はＡｌ）とが同一である場合（試料No.10 〜
17、36〜43、78〜85、104 〜111 、146 〜153 、172 〜
179 ）は、同一でない場合（試料No.2〜 9、44〜51、70
〜77、112 〜119 、138 〜145 、180 〜187 ）よりも磁
気抵抗変化率（ｒ）を相対的に大きくすることができ
た。該結果は絶縁相マトリックス１３を有する磁気抵抗
効果膜の場合も同様であった。
る非磁性金属（Ｔｉ又はＡｌ）と下地膜２を構成する金
属（Ｔｉ又はＡｌ）とが同一である場合（試料No.10 〜
17、36〜43、78〜85、104 〜111 、146 〜153 、172 〜
179 ）は、同一でない場合（試料No.2〜 9、44〜51、70
〜77、112 〜119 、138 〜145 、180 〜187 ）よりも磁
気抵抗変化率（ｒ）を相対的に大きくすることができ
た。該結果は絶縁相マトリックス１３を有する磁気抵抗
効果膜の場合も同様であった。
【００６０】さらに、磁性相粒１１が非磁性相マトリッ
クス１２中に分散している場合（試料No.1〜17、35〜5
1、69〜85、103 〜119 、137 〜153 、171 〜187 ）
と、磁性相粒１１が絶縁相マトリックス１３中に分散さ
れている場合（試料No.18 〜34、52〜68、86〜102 、12
0 〜136 、154 〜170 、188 〜204 ）とでは、後者の場
合の方が磁気抵抗変化率（ｒ）を相対的に大きくするこ
とができた。
クス１２中に分散している場合（試料No.1〜17、35〜5
1、69〜85、103 〜119 、137 〜153 、171 〜187 ）
と、磁性相粒１１が絶縁相マトリックス１３中に分散さ
れている場合（試料No.18 〜34、52〜68、86〜102 、12
0 〜136 、154 〜170 、188 〜204 ）とでは、後者の場
合の方が磁気抵抗変化率（ｒ）を相対的に大きくするこ
とができた。
【図１】本発明の実施の形態に係る磁気抵抗効果膜を示
した模式的断面図である。
した模式的断面図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）はグラニュラー構造の場合にお
いて磁気抵抗効果が現われ得る構造を示した模式的断面
図である。
いて磁気抵抗効果が現われ得る構造を示した模式的断面
図である。
【図３】実施例に係る磁気抵抗効果膜を形成するために
用いた直流スパッタ装置を示した模式的断面図である。
用いた直流スパッタ装置を示した模式的断面図である。
２ 下地膜 ３ 薄膜 １０ 磁気抵抗効果膜 １１ 磁性相粒 １２ 非磁性相マトリックス １３ 絶縁相マトリックス
Claims (2)
- 【請求項１】 下地膜上に、非磁性相マトリックス中に
磁性相粒を含む薄膜が積層された磁気抵抗効果膜であっ
て、前記下地膜がＴｉまたはＡｌからなり、前記非磁性
相マトリックスがＴｉまたはＡｌのうちの少なくとも一
種からなり、前記磁性相粒がＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうちの
少なくとも一種からなることを特徴とする磁気抵抗効果
膜。 - 【請求項２】 下地膜上に、絶縁相マトリックス中に磁
性相粒を含む薄膜が積層された磁気抵抗効果膜であっ
て、前記下地膜がＴｉまたはＡｌからなり、前記絶縁相
マトリックスがＴｉまたはＡｌの酸化物または窒化物の
うちの少なくとも一種からなり、前記磁性相粒がＦｅ、
Ｎｉ、Ｃｏのうちの少なくとも一種からなることを特徴
とする磁気抵抗効果膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8118642A JPH09306733A (ja) | 1996-05-14 | 1996-05-14 | 磁気抵抗効果膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8118642A JPH09306733A (ja) | 1996-05-14 | 1996-05-14 | 磁気抵抗効果膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09306733A true JPH09306733A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=14741607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8118642A Pending JPH09306733A (ja) | 1996-05-14 | 1996-05-14 | 磁気抵抗効果膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09306733A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000004592A1 (en) * | 1998-07-20 | 2000-01-27 | Motorola, Inc. | Fabricating an mtj with low areal resistance |
| JP2006351563A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Daido Steel Co Ltd | 薄膜磁気センサ |
| KR100733781B1 (ko) * | 2005-04-30 | 2007-07-02 | 고려대학교 산학협력단 | ＴｉｘＡｌ１－ｘ（０＜Ｘ＜１）을 하지층 또는 상지층으로사용한 다층 구조를 지닌 소자 |
| US7583480B2 (en) | 2003-12-24 | 2009-09-01 | Tdk Corporation | Magnetoresistance effect element with nano-junction between free and pinned layers |
| JP2009290225A (ja) * | 2009-07-24 | 2009-12-10 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子，および磁気抵抗効果素子の製造方法 |
| US8199443B2 (en) | 2007-03-27 | 2012-06-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magneto-resistance effect element, magnetic head, magnetic recording device and magnetic memory |
| US8331062B2 (en) | 2006-09-28 | 2012-12-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magneto-resistance effect element, magnetic head, magnetic recording/reproducing device and magnetic memory |
-
1996
- 1996-05-14 JP JP8118642A patent/JPH09306733A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000004592A1 (en) * | 1998-07-20 | 2000-01-27 | Motorola, Inc. | Fabricating an mtj with low areal resistance |
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| JP2006351563A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Daido Steel Co Ltd | 薄膜磁気センサ |
| US8331062B2 (en) | 2006-09-28 | 2012-12-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magneto-resistance effect element, magnetic head, magnetic recording/reproducing device and magnetic memory |
| US8199443B2 (en) | 2007-03-27 | 2012-06-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magneto-resistance effect element, magnetic head, magnetic recording device and magnetic memory |
| JP2009290225A (ja) * | 2009-07-24 | 2009-12-10 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子，および磁気抵抗効果素子の製造方法 |
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