JP2002222518A - 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置 - Google Patents
磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高保磁力を発現可能であって、かつ良好なＳ
／Ｎ比を有する磁気記録媒体、およびその製造方法、並
びに磁気記録装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 非磁性基板と、該非磁性基板上に直接ま
たは間接的に形成された核生成層と、金属下地層と、磁
気情報を記録するための強磁性金属層とを備える磁気記
録媒体において、前記核生成層が、少なくともＮｂを含
む合金、あるいはＶ、Ｍｏ、Ｗから選ばれる少なくとも
１種以上元素を含む合金からなる構成とした。さらに、
前記核生成層が、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕから選ばれる
少なくとも１種以上の元素と合金化されてなることが好
ましい。
／Ｎ比を有する磁気記録媒体、およびその製造方法、並
びに磁気記録装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 非磁性基板と、該非磁性基板上に直接ま
たは間接的に形成された核生成層と、金属下地層と、磁
気情報を記録するための強磁性金属層とを備える磁気記
録媒体において、前記核生成層が、少なくともＮｂを含
む合金、あるいはＶ、Ｍｏ、Ｗから選ばれる少なくとも
１種以上元素を含む合金からなる構成とした。さらに、
前記核生成層が、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕから選ばれる
少なくとも１種以上の元素と合金化されてなることが好
ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体、そ
の製造方法および磁気記録装置に係り、より詳細には、
優れた特性を有するシード層を備えることによりＳ／Ｎ
比などの記録再生特性の向上を実現した磁気記録媒体、
その製造法と、この磁気記録媒体を備えた磁気記録装置
に関するもので、本発明に係る磁気記録媒体は、ハード
ディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テー
プなどに好適に用いられる。
の製造方法および磁気記録装置に係り、より詳細には、
優れた特性を有するシード層を備えることによりＳ／Ｎ
比などの記録再生特性の向上を実現した磁気記録媒体、
その製造法と、この磁気記録媒体を備えた磁気記録装置
に関するもので、本発明に係る磁気記録媒体は、ハード
ディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テー
プなどに好適に用いられる。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録媒体は、高密度で大容量
な記録媒体としてハードディスク装置等で多用されてい
るが、更なる高密度化を図るためにその記録再生特性の
向上が求められている。図１０と図１１は、磁気記録媒
体の一例であるハードディスクを示す概略図である。図
１０は、円盤型の磁気記録媒体の斜視図であり、図１１
は図１０に示すＡ−Ａ線に沿う断面構造図である。図１
０に示す磁気記録媒体９０は、円盤型の非磁性体からな
る基板９２と、この基板９２上に形成されたシード層９
３と、金属下地層９４と強磁性金属層９５と保護層９６
とを備えて構成されている。
な記録媒体としてハードディスク装置等で多用されてい
るが、更なる高密度化を図るためにその記録再生特性の
向上が求められている。図１０と図１１は、磁気記録媒
体の一例であるハードディスクを示す概略図である。図
１０は、円盤型の磁気記録媒体の斜視図であり、図１１
は図１０に示すＡ−Ａ線に沿う断面構造図である。図１
０に示す磁気記録媒体９０は、円盤型の非磁性体からな
る基板９２と、この基板９２上に形成されたシード層９
３と、金属下地層９４と強磁性金属層９５と保護層９６
とを備えて構成されている。
【０００３】この例の磁気記録媒体９０では、例えばガ
ラスからなる非磁性の基板９２の表面上にＮｉ−Ａｌ等
からなるシード層９３を設けてなるものが用いられてい
る。そして、この基板９２上には、例えばＣｒやＣｒ合
金からなる金属下地層９４，ＣｏＣｒＴａＰｔあるいは
ＣｏＣｒＰｔＢからなる磁性膜の強磁性金属層９５、カ
ーボンなどからなる保護層９６が順次積層されている。
典型的な各層の厚さは、シード層９３が２５ｎｍ〜１０
０ｎｍ、金属下地層（Ｃｒ）９４が１０ｎｍ〜３０ｎ
ｍ、強磁性金属層（Ｃｏ基強磁性合金）９５が１５ｎｍ
〜５０ｎｍ、保護層９６が３ｎｍ〜４０ｎｍである。
尚、保護層９６上には、図示されないが、パーフルオロ
ポリエーテルなどのフッ素系の潤滑剤などが被覆される
こともある。
ラスからなる非磁性の基板９２の表面上にＮｉ−Ａｌ等
からなるシード層９３を設けてなるものが用いられてい
る。そして、この基板９２上には、例えばＣｒやＣｒ合
金からなる金属下地層９４，ＣｏＣｒＴａＰｔあるいは
ＣｏＣｒＰｔＢからなる磁性膜の強磁性金属層９５、カ
ーボンなどからなる保護層９６が順次積層されている。
典型的な各層の厚さは、シード層９３が２５ｎｍ〜１０
０ｎｍ、金属下地層（Ｃｒ）９４が１０ｎｍ〜３０ｎ
ｍ、強磁性金属層（Ｃｏ基強磁性合金）９５が１５ｎｍ
〜５０ｎｍ、保護層９６が３ｎｍ〜４０ｎｍである。
尚、保護層９６上には、図示されないが、パーフルオロ
ポリエーテルなどのフッ素系の潤滑剤などが被覆される
こともある。
【０００４】上記のようにガラス基板９２を用いた磁気
記録媒体においては、その金属下地層９４や強磁性金属
層９５の結晶配向が、ＮｉＰ−Ａｌ基板上に成膜された
金属下地層や強磁性金属層とは大きく異なるものであ
る。具体的には、ＮｉＰ−Ａｌ基板上に高温で成膜され
たＣｒあるいはＣｒ合金の金属下地層は通常（１００）
配向となり、この配向面上に形成されたＣｏ基強磁性合
金からなる強磁性金属層はｃ軸が基板面内方向と平行に
なる（１１０）配向となるが、この磁気記録媒体と同様
の条件でガラス基板上に金属下地層、強磁性金属層を成
膜すると上記ＮｉＰ−Ａｌ基板に成膜したものとは異な
る結晶配向を示すものとなり、結果として記録再生特性
に劣るものとなる。このために、上記ガラス基板９１を
用いた磁気記録媒体においては、結晶配向と結晶粒径を
制御するためのシード層９３が設けられている。
記録媒体においては、その金属下地層９４や強磁性金属
層９５の結晶配向が、ＮｉＰ−Ａｌ基板上に成膜された
金属下地層や強磁性金属層とは大きく異なるものであ
る。具体的には、ＮｉＰ−Ａｌ基板上に高温で成膜され
たＣｒあるいはＣｒ合金の金属下地層は通常（１００）
配向となり、この配向面上に形成されたＣｏ基強磁性合
金からなる強磁性金属層はｃ軸が基板面内方向と平行に
なる（１１０）配向となるが、この磁気記録媒体と同様
の条件でガラス基板上に金属下地層、強磁性金属層を成
膜すると上記ＮｉＰ−Ａｌ基板に成膜したものとは異な
る結晶配向を示すものとなり、結果として記録再生特性
に劣るものとなる。このために、上記ガラス基板９１を
用いた磁気記録媒体においては、結晶配向と結晶粒径を
制御するためのシード層９３が設けられている。
【０００５】上記磁気記録媒体は、金属下地層９４と基
板９２との間に、ＮｉＡｌシード層９３を有する材料の
層を設けることにより、記録層である強磁性金属層９５
の結晶粒を微細化して磁気記録媒体の低ノイズ化を図る
ものである。このような構成の磁気記録媒体によれば、
Ｃｏ基強磁性合金からなる強磁性金属層において、ｈｃ
ｐ構造のｃ軸が基板９２とほぼ平行となるように配向さ
せることができるとされている。（「The Control and
Characterization of the Crystallographic Texture o
f Longitudinal Thin Film Recording Media」,IEEE Tr
ans. Magnetic.32(5), 1996, 3632）
板９２との間に、ＮｉＡｌシード層９３を有する材料の
層を設けることにより、記録層である強磁性金属層９５
の結晶粒を微細化して磁気記録媒体の低ノイズ化を図る
ものである。このような構成の磁気記録媒体によれば、
Ｃｏ基強磁性合金からなる強磁性金属層において、ｈｃ
ｐ構造のｃ軸が基板９２とほぼ平行となるように配向さ
せることができるとされている。（「The Control and
Characterization of the Crystallographic Texture o
f Longitudinal Thin Film Recording Media」,IEEE Tr
ans. Magnetic.32(5), 1996, 3632）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の磁気記録媒
体は、シード層９３が設けられていない磁気記録媒体と
比較して大幅な記録再生特性の向上を実現したが、依然
として磁気記録媒体の高記録密度化にはノイズ特性の向
上が不可欠であり、媒体ノイズを低減するためには、強
磁性金属層９５の結晶粒を微細化することが必要であ
る。しかしながら、上記磁気記録媒体のようにＮｉＡｌ
をシード層９３として用いる場合には、図９のグラフに
示すようにＮｉＡｌシード層９３の膜厚を大きくしなけ
れば高保磁力が得られない。尚、図９は、ＮｉＡｌシー
ド層９３の膜厚に対する磁気記録媒体の保磁力を示すグ
ラフである。これは、ＮｉＡｌのシード層９３の配向面
の均一性が必ずしも良好ではないために、金属下地層９
４における配向面が不均一になり、高保磁力を発現しう
る配向面を有する結晶粒の成長が阻害されるためである
と考えられる。このように高保磁力を得るために大きな
膜厚を必要とするＮｉＡｌシード層９３では、その上に
形成される金属下地層９４の結晶粒が大きくなるため
に、強磁性金属層９５の結晶粒を微細化することができ
ず、この点における低ノイズ化を達成できていなかっ
た。
体は、シード層９３が設けられていない磁気記録媒体と
比較して大幅な記録再生特性の向上を実現したが、依然
として磁気記録媒体の高記録密度化にはノイズ特性の向
上が不可欠であり、媒体ノイズを低減するためには、強
磁性金属層９５の結晶粒を微細化することが必要であ
る。しかしながら、上記磁気記録媒体のようにＮｉＡｌ
をシード層９３として用いる場合には、図９のグラフに
示すようにＮｉＡｌシード層９３の膜厚を大きくしなけ
れば高保磁力が得られない。尚、図９は、ＮｉＡｌシー
ド層９３の膜厚に対する磁気記録媒体の保磁力を示すグ
ラフである。これは、ＮｉＡｌのシード層９３の配向面
の均一性が必ずしも良好ではないために、金属下地層９
４における配向面が不均一になり、高保磁力を発現しう
る配向面を有する結晶粒の成長が阻害されるためである
と考えられる。このように高保磁力を得るために大きな
膜厚を必要とするＮｉＡｌシード層９３では、その上に
形成される金属下地層９４の結晶粒が大きくなるため
に、強磁性金属層９５の結晶粒を微細化することができ
ず、この点における低ノイズ化を達成できていなかっ
た。
【０００７】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であって、薄いシード層厚でも高保磁力を発現可能であ
って、かつ良好なＳ／Ｎ比を有する磁気記録媒体、およ
びその製造方法、並びに磁気記録装置を提供することを
目的とする。
であって、薄いシード層厚でも高保磁力を発現可能であ
って、かつ良好なＳ／Ｎ比を有する磁気記録媒体、およ
びその製造方法、並びに磁気記録装置を提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は以下の構成を採用した。本発明に係る磁
気記録媒体は、非磁性基板と、該非磁性基板上に直接ま
たは間接的に形成された核生成層と、金属下地層と、磁
気情報を記録するための強磁性金属層とを備える磁気記
録媒体において、前記核生成層が、少なくともＮｂを含
む合金からなることを特徴とする。
めに、本発明は以下の構成を採用した。本発明に係る磁
気記録媒体は、非磁性基板と、該非磁性基板上に直接ま
たは間接的に形成された核生成層と、金属下地層と、磁
気情報を記録するための強磁性金属層とを備える磁気記
録媒体において、前記核生成層が、少なくともＮｂを含
む合金からなることを特徴とする。
【０００９】本発明に係る磁気記録媒体は、前記核生成
層のＮｂ含有量が２０at％以上８０at％以下であること
が好ましい。本発明に係る磁気記録媒体は、前記核生成
層のＮｂ含有量が３０at％以上５０at％以下であること
が好ましい。
層のＮｂ含有量が２０at％以上８０at％以下であること
が好ましい。本発明に係る磁気記録媒体は、前記核生成
層のＮｂ含有量が３０at％以上５０at％以下であること
が好ましい。
【００１０】次に、本発明に係る磁気記録媒体は、非磁
性基板と、該非磁性基板上に直接または間接的に形成さ
れた核生成層と、金属下地層と、磁気情報を記録するた
めの強磁性金属層とを備える磁気記録媒体において、前
記核生成層が、少なくともＶ、Ｍｏ、Ｗから選ばれる１
種以上の元素を含む合金からなることを特徴とする。
性基板と、該非磁性基板上に直接または間接的に形成さ
れた核生成層と、金属下地層と、磁気情報を記録するた
めの強磁性金属層とを備える磁気記録媒体において、前
記核生成層が、少なくともＶ、Ｍｏ、Ｗから選ばれる１
種以上の元素を含む合金からなることを特徴とする。
【００１１】本発明に係る磁気記録媒体は、前記核生成
層に含まれるＶ、Ｍｏ、Ｗの含有量がそれぞれ２０at％
以上８０at％以下であることが好ましい。本発明に係る
磁気記録媒体は、前記核生成層に含まれるＶ、Ｍｏ、Ｗ
の含有量がそれぞれ３０at％以上５０at％以下であるこ
とが好ましい。
層に含まれるＶ、Ｍｏ、Ｗの含有量がそれぞれ２０at％
以上８０at％以下であることが好ましい。本発明に係る
磁気記録媒体は、前記核生成層に含まれるＶ、Ｍｏ、Ｗ
の含有量がそれぞれ３０at％以上５０at％以下であるこ
とが好ましい。
【００１２】次に、本発明に係る磁気記録媒体は、前記
核生成層が、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕから選ばれる１種
以上の材料を含むことを特徴とする。
核生成層が、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕから選ばれる１種
以上の材料を含むことを特徴とする。
【００１３】次に、本発明に係る磁気記録媒体は、前記
核生成層の膜厚が、２．５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であ
ることを特徴とする。
核生成層の膜厚が、２．５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であ
ることを特徴とする。
【００１４】次に、本発明に係る磁気記録媒体の製造方
法は、非磁性基板上に、少なくとも核生成層と、金属下
地層と、強磁性金属層を成膜法により積層形成する磁気
記録媒体の製造方法において、前記核生成層が、少なく
ともＮｂを含む合金を成膜してなる層であり、該核生成
層の少なくとも表面に酸素および／または窒素を、物理
的に吸着させる工程を含むことを特徴とする。
法は、非磁性基板上に、少なくとも核生成層と、金属下
地層と、強磁性金属層を成膜法により積層形成する磁気
記録媒体の製造方法において、前記核生成層が、少なく
ともＮｂを含む合金を成膜してなる層であり、該核生成
層の少なくとも表面に酸素および／または窒素を、物理
的に吸着させる工程を含むことを特徴とする。
【００１５】次に、本発明に係る磁気記録媒体は、非磁
性基板上に、少なくとも核生成層と、金属下地層と、強
磁性金属層を成膜法により積層形成する磁気記録媒体の
製造方法において、前記核生成層が、少なくともＶ、Ｍ
ｏ、Ｗから選ばれる１種以上の元素を含む合金を成膜し
てなる層であり、該核生成層の少なくとも表面に酸素お
よび／または窒素を、物理的に吸着させる工程を含むこ
とを特徴とする。
性基板上に、少なくとも核生成層と、金属下地層と、強
磁性金属層を成膜法により積層形成する磁気記録媒体の
製造方法において、前記核生成層が、少なくともＶ、Ｍ
ｏ、Ｗから選ばれる１種以上の元素を含む合金を成膜し
てなる層であり、該核生成層の少なくとも表面に酸素お
よび／または窒素を、物理的に吸着させる工程を含むこ
とを特徴とする。
【００１６】次に、本発明に係る磁気記録媒体の製造方
法は、前記核生成層の成膜に用いるガスが、Ａｒまたは
それ以外の希ガスに、酸素または窒素を混合してなる混
合ガスであることを特徴とする。
法は、前記核生成層の成膜に用いるガスが、Ａｒまたは
それ以外の希ガスに、酸素または窒素を混合してなる混
合ガスであることを特徴とする。
【００１７】次に、本発明に係る磁気記録媒体の製造方
法は、前記核生成層の少なくとも表面に酸素および／ま
たは窒素を、物理的に吸着させる工程が、酸素および／
または窒素を含む雰囲気に、前記核生成層表面を曝露す
る工程であることを特徴とする。
法は、前記核生成層の少なくとも表面に酸素および／ま
たは窒素を、物理的に吸着させる工程が、酸素および／
または窒素を含む雰囲気に、前記核生成層表面を曝露す
る工程であることを特徴とする。
【００１８】次に、本発明に係る磁気記録媒体の製造方
法は、前記核生成層表面の酸素暴露量を、２５ラングミ
ュア以上とすることを特徴とする。
法は、前記核生成層表面の酸素暴露量を、２５ラングミ
ュア以上とすることを特徴とする。
【００１９】次に、本発明に係る磁気記録媒体の製造方
法は、前記核生成層、金属下地層、強磁性金属層のうち
少なくとも１層以上を、到達真空度３×１０-9Ｔｏｒｒ
（＝２．４×１０-7Ｐａ）以下の成膜室において、不純
物濃度が１ｐｐｂ以下の成膜用ガスを用いて成膜するこ
とを特徴とする。
法は、前記核生成層、金属下地層、強磁性金属層のうち
少なくとも１層以上を、到達真空度３×１０-9Ｔｏｒｒ
（＝２．４×１０-7Ｐａ）以下の成膜室において、不純
物濃度が１ｐｐｂ以下の成膜用ガスを用いて成膜するこ
とを特徴とする。
【００２０】次に、本発明に係る磁気記録装置は、先に
記載の磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を駆動するため
の駆動部と、磁気情報の記録再生を行うための磁気ヘッ
ドとを備え、移動する前記磁気記録媒体に対して前記磁
気ヘッドにより磁気情報の記録再生を行うことを特徴と
する。
記載の磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を駆動するため
の駆動部と、磁気情報の記録再生を行うための磁気ヘッ
ドとを備え、移動する前記磁気記録媒体に対して前記磁
気ヘッドにより磁気情報の記録再生を行うことを特徴と
する。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は、本発明に係る磁気記録媒
体をコンピュータのハードディスクに適用した一実施形
態の断面構造を模式的に示すもので、この図において磁
気記録媒体は、円盤状の非磁性体からなる基板１上に、
シード層（核生成層）２、金属下地層３、強磁性金属層
４、保護層５を順次積層してなる構造とされている。そ
して、シード層２と金属下地層３との界面６には酸素が
物理的に吸着されて構成されている。
を参照して説明する。図１は、本発明に係る磁気記録媒
体をコンピュータのハードディスクに適用した一実施形
態の断面構造を模式的に示すもので、この図において磁
気記録媒体は、円盤状の非磁性体からなる基板１上に、
シード層（核生成層）２、金属下地層３、強磁性金属層
４、保護層５を順次積層してなる構造とされている。そ
して、シード層２と金属下地層３との界面６には酸素が
物理的に吸着されて構成されている。
【００２２】尚、図１に示す本実施形態の磁気記録媒体
の積層構造は、本発明に係る磁気記録媒体の基本的な構
造であるので、基板１と保護層５との間に他の中間層を
必要に応じて設けた構成としても、金属下地層３を２層
以上の複数の層からなる構成としても良い。また、保護
層５上にフッ素系の潤滑剤からなる潤滑層を設けても良
いのはもちろんである。
の積層構造は、本発明に係る磁気記録媒体の基本的な構
造であるので、基板１と保護層５との間に他の中間層を
必要に応じて設けた構成としても、金属下地層３を２層
以上の複数の層からなる構成としても良い。また、保護
層５上にフッ素系の潤滑剤からなる潤滑層を設けても良
いのはもちろんである。
【００２３】以下、本発明に係る磁気記録媒体をさらに
詳細に説明する。 （基板）本発明に係る基板１としては、例えば、アルミ
ニウムとその合金或いは酸化物、チタンとその合金或い
は酸化物、またはシリコン、ガラス、カーボン、セラミ
ック、プラスチック、樹脂およびそれらを複合体化した
ものを用いることができる。または、上記に挙げた基板
の表面に、異種材質の非磁性層をスパッタ法、蒸着法、
メッキ法等の成膜法により表面コーティング処理を行っ
たものを例示することができる。基板１表面に非磁性層
を設ける場合には、高温で磁化せず、導電性を有し、機
械加工などが施しやすい反面、適度な表面硬度を有して
いることが好ましい。このような条件を満たす非磁性層
の材料としては、特にメッキ法により作製されたＮｉ−
Ｐ膜を挙げることができる。特に、極めて平滑な表面形
状を低コストで得られ、高温プロセスが可能なガラス基
板を本発明に係る磁気記録媒体に好適なものとして挙げ
ることができる。
詳細に説明する。 （基板）本発明に係る基板１としては、例えば、アルミ
ニウムとその合金或いは酸化物、チタンとその合金或い
は酸化物、またはシリコン、ガラス、カーボン、セラミ
ック、プラスチック、樹脂およびそれらを複合体化した
ものを用いることができる。または、上記に挙げた基板
の表面に、異種材質の非磁性層をスパッタ法、蒸着法、
メッキ法等の成膜法により表面コーティング処理を行っ
たものを例示することができる。基板１表面に非磁性層
を設ける場合には、高温で磁化せず、導電性を有し、機
械加工などが施しやすい反面、適度な表面硬度を有して
いることが好ましい。このような条件を満たす非磁性層
の材料としては、特にメッキ法により作製されたＮｉ−
Ｐ膜を挙げることができる。特に、極めて平滑な表面形
状を低コストで得られ、高温プロセスが可能なガラス基
板を本発明に係る磁気記録媒体に好適なものとして挙げ
ることができる。
【００２４】基板１の形状としては、磁気ディスク用途
の場合、ドーナツ円盤状のものが使われる。後述する強
磁性金属層等を設けた基板、すなわち磁気記録媒体は、
磁気記録および再生時、円盤の中心を軸として、例えば
３６００ｒｐｍ〜１５０００ｒｐｍの速度で回転させて
使用する。このとき、磁気記録媒体の表面又は裏面の上
空を磁気ヘッドが０．１μｍ程度の高さ、あるいは数１
０ｎｍの高さを持って浮上走行する。また、さらに低浮
上量の数ｎｍ程度の高さで浮上走行する磁気ヘッドの開
発もなされている。従って、基板１としては表面又は裏
面の平坦性、表裏両面の平行性、基板円周方向のうね
り、および表裏面の粗さが適切に制御されたものが望ま
しい。
の場合、ドーナツ円盤状のものが使われる。後述する強
磁性金属層等を設けた基板、すなわち磁気記録媒体は、
磁気記録および再生時、円盤の中心を軸として、例えば
３６００ｒｐｍ〜１５０００ｒｐｍの速度で回転させて
使用する。このとき、磁気記録媒体の表面又は裏面の上
空を磁気ヘッドが０．１μｍ程度の高さ、あるいは数１
０ｎｍの高さを持って浮上走行する。また、さらに低浮
上量の数ｎｍ程度の高さで浮上走行する磁気ヘッドの開
発もなされている。従って、基板１としては表面又は裏
面の平坦性、表裏両面の平行性、基板円周方向のうね
り、および表裏面の粗さが適切に制御されたものが望ま
しい。
【００２５】（シード層（核生成層））本発明に係るシ
ード層２は、金属下地層３や強磁性金属層４の結晶配向
および結晶粒径を制御するために設けられている層であ
る。特に、基板１としてガラス基板などＮｉＰ−Ａｌ基
板以外の基板を用いる場合には、磁気記録媒体の記録再
生特性を向上させる上で重要な構成要素である。本発明
に係る核生成層であるシード層２としては、少なくとも
Ｎｂを含む合金、または少なくともＶ、Ｍｏ、Ｗから選
ばれる１種以上の材料を含む合金を材料として用いるこ
とができる。具体的には、特に限定されるものではない
が、Ｎｂ、Ｖ、Ｗ、Ｍｏ、ＮｉＮｂ、ＮｉＮｂＢ、Ｎｉ
ＮｂＧｅ、ＣｏＭｏＣｕ、ＢＣｏ、ＣｏＨｆ、ＣｏＳｉ
Ｍｏ、ＮｉＷ、ＮｉＷＢ、ＮｉＷ、ＮｉＷＳｉ、Ｎｉ
Ｖ、ＮｉＶＢ等の材料を挙げることができる。
ード層２は、金属下地層３や強磁性金属層４の結晶配向
および結晶粒径を制御するために設けられている層であ
る。特に、基板１としてガラス基板などＮｉＰ−Ａｌ基
板以外の基板を用いる場合には、磁気記録媒体の記録再
生特性を向上させる上で重要な構成要素である。本発明
に係る核生成層であるシード層２としては、少なくとも
Ｎｂを含む合金、または少なくともＶ、Ｍｏ、Ｗから選
ばれる１種以上の材料を含む合金を材料として用いるこ
とができる。具体的には、特に限定されるものではない
が、Ｎｂ、Ｖ、Ｗ、Ｍｏ、ＮｉＮｂ、ＮｉＮｂＢ、Ｎｉ
ＮｂＧｅ、ＣｏＭｏＣｕ、ＢＣｏ、ＣｏＨｆ、ＣｏＳｉ
Ｍｏ、ＮｉＷ、ＮｉＷＢ、ＮｉＷ、ＮｉＷＳｉ、Ｎｉ
Ｖ、ＮｉＶＢ等の材料を挙げることができる。
【００２６】上記Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗと他の金属元素を
合金化して用いる場合には、いずれの元素もその含有量
は２０at％〜８０at％とすることが好ましい。それぞれ
の含有量が上記範囲を越えると、シード層２上に形成さ
れる金属下地層３との格子整合性が悪化することによる
保磁力の低下や、強磁性金属層４の結晶粒の肥大化によ
り磁気記録媒体の記録再生特性が劣化するためである。
また、上記元素の含有量は、３０at％〜５０at％とする
ことがより好ましい。このような構成とするならば、金
属下地層３との格子整合性を最適なものとすることがで
きるので、高保磁力の磁気記録媒体を得ることができ
る。
合金化して用いる場合には、いずれの元素もその含有量
は２０at％〜８０at％とすることが好ましい。それぞれ
の含有量が上記範囲を越えると、シード層２上に形成さ
れる金属下地層３との格子整合性が悪化することによる
保磁力の低下や、強磁性金属層４の結晶粒の肥大化によ
り磁気記録媒体の記録再生特性が劣化するためである。
また、上記元素の含有量は、３０at％〜５０at％とする
ことがより好ましい。このような構成とするならば、金
属下地層３との格子整合性を最適なものとすることがで
きるので、高保磁力の磁気記録媒体を得ることができ
る。
【００２７】あるいは、上記に挙げた材料と、Ｎｉ、Ｃ
ｏ、Ｆｅ、Ｃｕから選ばれる少なくとも１種以上の材料
を合金化した材料を用いることができる。例えば、Ｎｉ
Ｎｂ、ＮｉＷ、ＮｉＶ、ＮｉＭｏ、ＣｏＮｂ、ＣｏＷ、
ＣｏＶ、ＣｏＭｏ、ＦｅＮｂ、ＦｅＷ、ＦｅＶ、ＦｅＭ
ｏ、ＦｅＣｕ、ＣｕＮｂ等の合金を用いることができ
る。このように、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕのうち少なく
とも１種以上を含む構成とするならば、アモルファスな
いし微結晶の金属を容易に作成でき、この金属膜をシー
ド層として用いる場合、シード層の上に成膜された下地
層および磁性層の結晶粒径を微細化することができる。
ｏ、Ｆｅ、Ｃｕから選ばれる少なくとも１種以上の材料
を合金化した材料を用いることができる。例えば、Ｎｉ
Ｎｂ、ＮｉＷ、ＮｉＶ、ＮｉＭｏ、ＣｏＮｂ、ＣｏＷ、
ＣｏＶ、ＣｏＭｏ、ＦｅＮｂ、ＦｅＷ、ＦｅＶ、ＦｅＭ
ｏ、ＦｅＣｕ、ＣｕＮｂ等の合金を用いることができ
る。このように、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕのうち少なく
とも１種以上を含む構成とするならば、アモルファスな
いし微結晶の金属を容易に作成でき、この金属膜をシー
ド層として用いる場合、シード層の上に成膜された下地
層および磁性層の結晶粒径を微細化することができる。
【００２８】本発明に係るシード層２として複数の金属
元素を合金化した材料を用いる場合には、より好適な材
料を選択するために合金化される金属元素の酸素との親
和力を基準とすることができる。具体的には、組み合わ
せる金属元素どうしの酸化物標準生成自由エネルギーの
差が７０ｋｃａｌ／ｍｏｌＯ2より小さくなるように元
素を選択することが好ましい。より具体的な例を図２を
参照して説明する。図２は、複数の元素についての酸化
物標準生成自由エネルギーの温度特性を示す図である。
この図に示すように、例えば、一方の元素としてＮｂを
選択するならば、他方の合金としてＮｉ、Ｗ、Ｖ、Ｃｏ
などを選択すればよい。
元素を合金化した材料を用いる場合には、より好適な材
料を選択するために合金化される金属元素の酸素との親
和力を基準とすることができる。具体的には、組み合わ
せる金属元素どうしの酸化物標準生成自由エネルギーの
差が７０ｋｃａｌ／ｍｏｌＯ2より小さくなるように元
素を選択することが好ましい。より具体的な例を図２を
参照して説明する。図２は、複数の元素についての酸化
物標準生成自由エネルギーの温度特性を示す図である。
この図に示すように、例えば、一方の元素としてＮｂを
選択するならば、他方の合金としてＮｉ、Ｗ、Ｖ、Ｃｏ
などを選択すればよい。
【００２９】あるいはまた、上記に挙げた材料に、その
特性を損ねない範囲でＣｒ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｂ、Ｔ
ｉ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｈｆ、Ｐｒ、Ａｇ、Ｓｍ、Ｃ等の元素
を０．３at％〜１０at％程度添加しても良い。このよう
な構成とするならば、シード層の上に形成される金属下
地層３および強磁性金属層４の結晶粒径の微細化を促進
することができる。
特性を損ねない範囲でＣｒ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｂ、Ｔ
ｉ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｈｆ、Ｐｒ、Ａｇ、Ｓｍ、Ｃ等の元素
を０．３at％〜１０at％程度添加しても良い。このよう
な構成とするならば、シード層の上に形成される金属下
地層３および強磁性金属層４の結晶粒径の微細化を促進
することができる。
【００３０】シード層２の膜厚は、２．５ｎｍ以上５０
０ｎｍ以下とすることが好ましい。膜厚が２．５ｎｍ未
満であると磁気記録媒体の保磁力が不足するので、高密
度記録には不適である。また、膜厚が５００ｎｍを越え
ると、シード層２の結晶粒径が大きくなりすぎるために
所望の記録再生特性が得られなくなることと、成膜時間
が極めて長くなることから実用的ではない。
０ｎｍ以下とすることが好ましい。膜厚が２．５ｎｍ未
満であると磁気記録媒体の保磁力が不足するので、高密
度記録には不適である。また、膜厚が５００ｎｍを越え
ると、シード層２の結晶粒径が大きくなりすぎるために
所望の記録再生特性が得られなくなることと、成膜時間
が極めて長くなることから実用的ではない。
【００３１】図１に示す本実施形態の磁気記録媒体にお
いては、シード層２と金属下地層３との界面６におい
て、シード層２の表面に酸素が物理的に吸着されて構成
されている。これは、シード層２を成膜した後、酸素を
含む雰囲気にシード層２の表面を曝すことにより形成さ
れたもので、シード層２上に形成される金属下地層３の
結晶粒径を小さくするとともに、金属下地層３の結晶粒
径のばらつきを抑える効果を奏するものである。この結
果、金属下地層３上に形成される強磁性金属層４の結晶
粒を微細化して媒体ノイズを低減することができる。ま
た、上記と同様の効果が得られる構成として、成膜用の
ガスに酸素または窒素を添加してシード層２を形成して
も良い。あるいはまた、シード層２の表面に窒素または
空気を物理的に吸着させた構成とすることもできる。あ
るいはまた、シード層に酸化物または窒化物を添加する
こともできる。
いては、シード層２と金属下地層３との界面６におい
て、シード層２の表面に酸素が物理的に吸着されて構成
されている。これは、シード層２を成膜した後、酸素を
含む雰囲気にシード層２の表面を曝すことにより形成さ
れたもので、シード層２上に形成される金属下地層３の
結晶粒径を小さくするとともに、金属下地層３の結晶粒
径のばらつきを抑える効果を奏するものである。この結
果、金属下地層３上に形成される強磁性金属層４の結晶
粒を微細化して媒体ノイズを低減することができる。ま
た、上記と同様の効果が得られる構成として、成膜用の
ガスに酸素または窒素を添加してシード層２を形成して
も良い。あるいはまた、シード層２の表面に窒素または
空気を物理的に吸着させた構成とすることもできる。あ
るいはまた、シード層に酸化物または窒化物を添加する
こともできる。
【００３２】（金属下地層）本実施形態の磁気記録媒体
の金属下地層３としては、ＣｒまたはＣｒ合金を用いる
ことが好ましい。Ｃｒ合金を用いる場合には、例えば、
Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｎｂ、Ｔａ等との組み合わ
せを適用することができる。金属下地層２としてＣｒあ
るいはＣｒ合金を用いることにより、金属下地層３上に
形成される強磁性金属層４に対して偏析作用を起こさせ
ることができる。これにより、強磁性金属層４の結晶粒
間の磁気的な相互作用を抑えて規格化保磁力を高めるこ
とができる。また、金属下地層３上の強磁性金属層４の
磁化容易軸（ｃ軸）が基板面内方向を取るようにするこ
とができる、すなわち、基板面内方向の保磁力を高める
方向に強磁性金属層４の結晶成長を促すものである。
の金属下地層３としては、ＣｒまたはＣｒ合金を用いる
ことが好ましい。Ｃｒ合金を用いる場合には、例えば、
Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｎｂ、Ｔａ等との組み合わ
せを適用することができる。金属下地層２としてＣｒあ
るいはＣｒ合金を用いることにより、金属下地層３上に
形成される強磁性金属層４に対して偏析作用を起こさせ
ることができる。これにより、強磁性金属層４の結晶粒
間の磁気的な相互作用を抑えて規格化保磁力を高めるこ
とができる。また、金属下地層３上の強磁性金属層４の
磁化容易軸（ｃ軸）が基板面内方向を取るようにするこ
とができる、すなわち、基板面内方向の保磁力を高める
方向に強磁性金属層４の結晶成長を促すものである。
【００３３】（強磁性金属層）本発明で用いられる強磁
性金属層４は、ｈｃｐ構造を有する強磁性金属からなる
層である。強磁性金属層４を構成する材料としては、Ｃ
ｏを主成分とするＣｏ基強磁性合金を用いることが好ま
しい。その具体的な材料としては、例えばＣｏＣｒＮ
ｉ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＴａ、
ＣｏＣｒＰｔＴａ等を挙げることができる。また、これ
らの合金にＢ、Ｎ、Ｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｓｉ
等から選ばれる１種または２種以上の元素を添加した合
金を用いることもできる。本発明では、従来の成膜条件
より超清浄な雰囲気下（すなわち超清浄プロセス）にお
いて、シード層２、金属下地層３、および強磁性金属層
４を成膜することにより、次の２つの特徴が得られる。 （１）強磁性金属層の飽和磁化Ｍｓと異方性磁界Ｈｋ
grainが、４πＭｓ／Ｈｋg rain≦１という関係にある材
料にある媒体では、強磁性金属層の結晶粒径に依存せ
ず、高い規格化保磁力（Ｈｃ／Ｈｋgrain）が安定して
得られる。 （２）上記（１）の特徴において、強磁性金属層を構成
する個々の結晶粒子の粒径が１０ｎｍ以下の領域にある
媒体では、媒体のＳ／Ｎ比を向上させることができると
ともに、媒体の表面粗さも低減することができる。尚、
上記の規格化保磁力とは、磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ
を、異方性磁界Ｈｋ grainで割った値であり、磁性結晶
粒の磁気的孤立性が高まる度合いを表すものであ
る。（"Magnetization Reversal Mechanism Eva1uated
by Rotational Hysteresis Loss Ana1ysis for the Thi
n Film Media"Migaku Takahashi，T.Shimatsu, M.Sueka
ne，M.Miyamura，K.Yamaguchi and H.Yamasaki: IEEE T
RANSACTI0NS0N MAGUNETICS，V0L.28，1992，pp.3285）
性金属層４は、ｈｃｐ構造を有する強磁性金属からなる
層である。強磁性金属層４を構成する材料としては、Ｃ
ｏを主成分とするＣｏ基強磁性合金を用いることが好ま
しい。その具体的な材料としては、例えばＣｏＣｒＮ
ｉ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＴａ、
ＣｏＣｒＰｔＴａ等を挙げることができる。また、これ
らの合金にＢ、Ｎ、Ｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｓｉ
等から選ばれる１種または２種以上の元素を添加した合
金を用いることもできる。本発明では、従来の成膜条件
より超清浄な雰囲気下（すなわち超清浄プロセス）にお
いて、シード層２、金属下地層３、および強磁性金属層
４を成膜することにより、次の２つの特徴が得られる。 （１）強磁性金属層の飽和磁化Ｍｓと異方性磁界Ｈｋ
grainが、４πＭｓ／Ｈｋg rain≦１という関係にある材
料にある媒体では、強磁性金属層の結晶粒径に依存せ
ず、高い規格化保磁力（Ｈｃ／Ｈｋgrain）が安定して
得られる。 （２）上記（１）の特徴において、強磁性金属層を構成
する個々の結晶粒子の粒径が１０ｎｍ以下の領域にある
媒体では、媒体のＳ／Ｎ比を向上させることができると
ともに、媒体の表面粗さも低減することができる。尚、
上記の規格化保磁力とは、磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ
を、異方性磁界Ｈｋ grainで割った値であり、磁性結晶
粒の磁気的孤立性が高まる度合いを表すものであ
る。（"Magnetization Reversal Mechanism Eva1uated
by Rotational Hysteresis Loss Ana1ysis for the Thi
n Film Media"Migaku Takahashi，T.Shimatsu, M.Sueka
ne，M.Miyamura，K.Yamaguchi and H.Yamasaki: IEEE T
RANSACTI0NS0N MAGUNETICS，V0L.28，1992，pp.3285）
【００３４】以下に、上記のような構成の磁気記録媒体
をスパッタ法により製造する場合について説明する。 （スパッタ法）本発明に係る磁気記録媒体を製造する方
法の一例であるスパッタ法として、例えば、基板がター
ゲットの前を移動しながら薄膜が形成される搬送型スパ
ッタ法と、基板をターゲットの前に固定して薄膜が形成
される静止型スパッタ法を例示することができる。前者
の搬送型スパッタ法は、量産性が高いため低コストな磁
気記録媒体の製造に有利であり、後者の静止型スパッタ
法は、基板に対するスパッタ粒子の入射角度が安定なた
めに記録再生特性に優れる磁気記録媒体の製造が可能と
される。本発明に係る磁気記録媒体を製造する際には、
搬送型あるいは静止型のいずれかに限定されるものでは
ない。
をスパッタ法により製造する場合について説明する。 （スパッタ法）本発明に係る磁気記録媒体を製造する方
法の一例であるスパッタ法として、例えば、基板がター
ゲットの前を移動しながら薄膜が形成される搬送型スパ
ッタ法と、基板をターゲットの前に固定して薄膜が形成
される静止型スパッタ法を例示することができる。前者
の搬送型スパッタ法は、量産性が高いため低コストな磁
気記録媒体の製造に有利であり、後者の静止型スパッタ
法は、基板に対するスパッタ粒子の入射角度が安定なた
めに記録再生特性に優れる磁気記録媒体の製造が可能と
される。本発明に係る磁気記録媒体を製造する際には、
搬送型あるいは静止型のいずれかに限定されるものでは
ない。
【００３５】（シード層表面への酸素および／または窒
素の物理的な吸着）本発明に係る磁気記録媒体の製造方
法においては、シード層の少なくとも表面に酸素および
／または窒素を物理的に吸着させる処理を行うことが好
ましい。この処理について以下に詳細に説明する。
素の物理的な吸着）本発明に係る磁気記録媒体の製造方
法においては、シード層の少なくとも表面に酸素および
／または窒素を物理的に吸着させる処理を行うことが好
ましい。この処理について以下に詳細に説明する。
【００３６】シード層の表面のみに酸素および／または
窒素を物理的に吸着させる場合には、シード層を成膜
後、酸素および／または窒素を含む雰囲気にシード層の
表面を曝露することで表面に所定量の酸素や窒素を吸着
させることができる。この曝露処理では、酸素や窒素の
分圧、および曝露時間によりシード層表面への吸着量を
制御することが可能である。先に記載の材料をシード層
として用いる場合には２５Ｌ（ラングミュア：Langmui
r）以上とすることが好ましい。ここで、１Ｌとは、１
×１０-6Ｔｏｒｒで１秒間曝露するか、１×１０-7Ｔｏ
ｒｒで１０秒間曝露することを意味し、２５Ｌとは１×
１０-6Ｔｏｒｒで２５秒間曝露するか、１×１０-7Ｔｏ
ｒｒで２５０秒間曝露することを意味する。尚、実際の
製造における酸素や窒素の分圧、曝露時間は、シード層
を構成する材料の酸素との親和力に応じて適宜最適な圧
力や時間に設定すればよい。また、酸素や窒素を希ガス
で希釈化してもよい。
窒素を物理的に吸着させる場合には、シード層を成膜
後、酸素および／または窒素を含む雰囲気にシード層の
表面を曝露することで表面に所定量の酸素や窒素を吸着
させることができる。この曝露処理では、酸素や窒素の
分圧、および曝露時間によりシード層表面への吸着量を
制御することが可能である。先に記載の材料をシード層
として用いる場合には２５Ｌ（ラングミュア：Langmui
r）以上とすることが好ましい。ここで、１Ｌとは、１
×１０-6Ｔｏｒｒで１秒間曝露するか、１×１０-7Ｔｏ
ｒｒで１０秒間曝露することを意味し、２５Ｌとは１×
１０-6Ｔｏｒｒで２５秒間曝露するか、１×１０-7Ｔｏ
ｒｒで２５０秒間曝露することを意味する。尚、実際の
製造における酸素や窒素の分圧、曝露時間は、シード層
を構成する材料の酸素との親和力に応じて適宜最適な圧
力や時間に設定すればよい。また、酸素や窒素を希ガス
で希釈化してもよい。
【００３７】あるいは、シード層の成膜に用いるガスと
して、Ａｒまたはこれ以外の希ガスに、酸素および／ま
たは窒素を添加して成膜することにより、シード層の表
面に酸素や窒素からなるガス成分を物理的に吸着させる
ことができる。この方法では、シード層内部に酸素や窒
素が取り込まれるために、過剰な酸素、窒素添加を行う
とシード層を構成する材料によっては結晶性の低下や、
酸化物、窒化物の生成が起こる場合がある。したがっ
て、酸素や窒素の添加量は、Ａｒまたは希ガスとの混合
ガスにおける流量比で０．２以下とすることが好まし
い。
して、Ａｒまたはこれ以外の希ガスに、酸素および／ま
たは窒素を添加して成膜することにより、シード層の表
面に酸素や窒素からなるガス成分を物理的に吸着させる
ことができる。この方法では、シード層内部に酸素や窒
素が取り込まれるために、過剰な酸素、窒素添加を行う
とシード層を構成する材料によっては結晶性の低下や、
酸化物、窒化物の生成が起こる場合がある。したがっ
て、酸素や窒素の添加量は、Ａｒまたは希ガスとの混合
ガスにおける流量比で０．２以下とすることが好まし
い。
【００３８】（シード層、金属下地層、強磁性金属層を
形成する際の成膜室の到達真空度）従来、成膜室の到達
真空度は、記録層である強磁性金属層の材料によって
は、保磁力の値を左右する成膜因子の１つとして位置づ
けられている。特に、強磁性金属層の中にＴａを含む、
Ｃｏ基の磁性材料では、上記の到達真空度が低い場合
（例えば、１０-6〜１０-7Ｔｏｒｒ台の場合）には影響
が大きいと考えられてきた。よって本発明では到達真空
度３×１０-9Ｔｏｒｒ以下の高真空において成膜する超
清浄プロセスにより、シード層、金属下地層、強磁性金
属層を成膜することが好ましい。このような超清浄プロ
セスによって、上記各層を成膜するならば、シード層あ
るいは金属下地層を極めて薄くした場合であっても高い
保磁力が得られるとともに、シード層、金属下地層の薄
膜化によって強磁性金属層の結晶粒が微細化されて、磁
気記録媒体の記録再生特性を向上させることができる。
形成する際の成膜室の到達真空度）従来、成膜室の到達
真空度は、記録層である強磁性金属層の材料によって
は、保磁力の値を左右する成膜因子の１つとして位置づ
けられている。特に、強磁性金属層の中にＴａを含む、
Ｃｏ基の磁性材料では、上記の到達真空度が低い場合
（例えば、１０-6〜１０-7Ｔｏｒｒ台の場合）には影響
が大きいと考えられてきた。よって本発明では到達真空
度３×１０-9Ｔｏｒｒ以下の高真空において成膜する超
清浄プロセスにより、シード層、金属下地層、強磁性金
属層を成膜することが好ましい。このような超清浄プロ
セスによって、上記各層を成膜するならば、シード層あ
るいは金属下地層を極めて薄くした場合であっても高い
保磁力が得られるとともに、シード層、金属下地層の薄
膜化によって強磁性金属層の結晶粒が微細化されて、磁
気記録媒体の記録再生特性を向上させることができる。
【００３９】また、本発明における成膜におけるＡｒガ
スの不純物としては、例えば、Ｈ2Ｏ、Ｏ2、ＣＯ2、
Ｈ2、Ｎ2、ＣxＨy、Ｈ、Ｃ、Ｏ、ＣＯ等が挙げられる。
特に、膜中に取り込まれる酸素量に影響する不純物は、
Ｈ2Ｏ、Ｏ2、ＣＯ2、Ｏ、ＣＯと推定される。従って、
本発明の不純物濃度は、成膜に用いるＡｒガス中に含ま
れているＨ2Ｏ、Ｏ2、ＣＯ2、Ｏ、ＣＯの和で表すこと
とする。つまり、Ａｒガスの不純物が１ｐｐｂ以下とい
う場合は、これらＨ2Ｏ、Ｏ2、ＣＯ2、Ｏ、ＣＯの和が
１ｐｐｂ以下であるということである。
スの不純物としては、例えば、Ｈ2Ｏ、Ｏ2、ＣＯ2、
Ｈ2、Ｎ2、ＣxＨy、Ｈ、Ｃ、Ｏ、ＣＯ等が挙げられる。
特に、膜中に取り込まれる酸素量に影響する不純物は、
Ｈ2Ｏ、Ｏ2、ＣＯ2、Ｏ、ＣＯと推定される。従って、
本発明の不純物濃度は、成膜に用いるＡｒガス中に含ま
れているＨ2Ｏ、Ｏ2、ＣＯ2、Ｏ、ＣＯの和で表すこと
とする。つまり、Ａｒガスの不純物が１ｐｐｂ以下とい
う場合は、これらＨ2Ｏ、Ｏ2、ＣＯ2、Ｏ、ＣＯの和が
１ｐｐｂ以下であるということである。
【００４０】ただし、本発明に係る磁気記録媒体の構成
において上記超清浄プロセスは必須とされるものではな
く、目的とする磁気記録媒体の特性に応じて選択すれば
よい。成膜室の到達真空度を１０-7Ｔｏｒｒ台とする従
来のプロセスを用いた場合でも、本発明によれば、記録
再生特性に優れる磁気記録媒体を得ることができる。
において上記超清浄プロセスは必須とされるものではな
く、目的とする磁気記録媒体の特性に応じて選択すれば
よい。成膜室の到達真空度を１０-7Ｔｏｒｒ台とする従
来のプロセスを用いた場合でも、本発明によれば、記録
再生特性に優れる磁気記録媒体を得ることができる。
【００４１】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を詳細に説明す
るが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
るが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
【００４２】（実施例１）本例では、図１に示すよう
に、シード層２および金属下地層３、強磁性金属層４を
備える構成の磁気記録媒体を作製した。成膜法としては
直流マグネトロンスパッタ法を用い、成膜室の到達真空
度を１０-7Ｔｏｒｒ台、プロセスガス中の不純物濃度を
１ｐｐｍ以下とする従来のプロセスを用いて成膜を行っ
た。その際、基板温度は ２５０℃とし、基板加熱後Ａ
ｒ流量１００ｓｃｃｍとしてシード層２を成膜した。続
いて、酸素曝露量を０Ｌ〜２５００Ｌ（ラングミュア）
まで変化させてシード層２表面を酸素雰囲気下に曝露
し、その後、Ａｒ流量１００ｓｃｃｍとして金属下地
層、強磁性金属層、保護層の順に成膜した。
に、シード層２および金属下地層３、強磁性金属層４を
備える構成の磁気記録媒体を作製した。成膜法としては
直流マグネトロンスパッタ法を用い、成膜室の到達真空
度を１０-7Ｔｏｒｒ台、プロセスガス中の不純物濃度を
１ｐｐｍ以下とする従来のプロセスを用いて成膜を行っ
た。その際、基板温度は ２５０℃とし、基板加熱後Ａ
ｒ流量１００ｓｃｃｍとしてシード層２を成膜した。続
いて、酸素曝露量を０Ｌ〜２５００Ｌ（ラングミュア）
まで変化させてシード層２表面を酸素雰囲気下に曝露
し、その後、Ａｒ流量１００ｓｃｃｍとして金属下地
層、強磁性金属層、保護層の順に成膜した。
【００４３】本実施例では、基板として表面粗さ０．３
ｎｍ未満のディスク状のガラス基板を用い、シード層用
のターゲットとしてＮｉ−４０at％Ｎｂターゲットを用
い、金属下地層用ターゲットとしてＣｒ−１０at％Ｍｏ
ターゲットを用い、強磁性金属層４用ターゲットとして
Ｃｏ−２４at％Ｃｒ−８at％Ｐｔ−４at％Ｂターゲット
を用い、保護層用ターゲットとしてカーボンターゲット
を用いた。尚、本実施例では上記各層の成膜法として直
流マグネトロンスパッタ法を用いたが、ＲＦスパッタ
法、レーザ蒸着法、イオンビーム成膜などの他の成膜法
を実施しても良いのはもちろんである。以下の表１は本
実施例に係る磁気記録媒体の作製条件である。
ｎｍ未満のディスク状のガラス基板を用い、シード層用
のターゲットとしてＮｉ−４０at％Ｎｂターゲットを用
い、金属下地層用ターゲットとしてＣｒ−１０at％Ｍｏ
ターゲットを用い、強磁性金属層４用ターゲットとして
Ｃｏ−２４at％Ｃｒ−８at％Ｐｔ−４at％Ｂターゲット
を用い、保護層用ターゲットとしてカーボンターゲット
を用いた。尚、本実施例では上記各層の成膜法として直
流マグネトロンスパッタ法を用いたが、ＲＦスパッタ
法、レーザ蒸着法、イオンビーム成膜などの他の成膜法
を実施しても良いのはもちろんである。以下の表１は本
実施例に係る磁気記録媒体の作製条件である。
【００４４】
【表１】
【００４５】（比較例）次に、比較のために膜厚２５ｎ
ｍのシード層２をＮｉ−５０at％Ａｌターゲットを用い
て成膜し、シード層表面の酸素曝露を行わない条件で磁
気記録媒体を作製した。尚、シード層の構成と酸素曝露
の条件以外は上記実施例１と同様とした。
ｍのシード層２をＮｉ−５０at％Ａｌターゲットを用い
て成膜し、シード層表面の酸素曝露を行わない条件で磁
気記録媒体を作製した。尚、シード層の構成と酸素曝露
の条件以外は上記実施例１と同様とした。
【００４６】上記実施例１および比較例にて作製された
磁気記録媒体の保磁力を、ＶＳＭ（振動試料型磁力計：
理研電子社製ＢＨＶ−３５）を用いて測定した。また、
上記磁気記録媒体の記録再生特性を、再生素子として巨
大磁気抵抗素子を備えた磁気ヘッドを用いて測定した。
尚、記録再生特性の測定は、線記録密度４２０ｋＦＣＩ
（トラック密度が４０ＫＴＰＩとした場合、記録密度１
６．８Ｇｂ／ｉｎ2に相当する）にて行った。測定結果
を図３および図４に示す。図３は、上記実施例１および
比較例の磁気特性を示すグラフであり、横軸は酸素曝露
量（Ｌ：ラングミュア）を示し、縦軸は保磁力（Ｏｅ）
を示している。また、図４は、上記実施例１および比較
例の記録再生特性を示すグラフであり、横軸は酸素曝露
量（Ｌ）を示し、縦軸はＳ／Ｎ比（ｄＢ）および媒体ノ
イズ（μＶ）を示している。そして、図４上側の曲線は
実施例１の磁気記録媒体のＳ／Ｎ比の酸素曝露量依存性
を示し、図４下側の曲線は実施例１の磁気記録媒体の媒
体ノイズの酸素曝露量依存性を示している。これらの図
に示すように、シード層２としてＮｉ−４０at％Ｎｂを
用いた実施例１の磁気記録媒体は、保磁力、Ｓ／Ｎ比と
も、シード層２としてＮｉＡｌを用いた比較例の磁気記
録媒体よりも優れていることが確認された。また、シー
ド層２の表面に酸素を物理的に吸着させるならば、高い
保磁力と優れたＳ／Ｎ比を有する磁気記録媒体が得られ
ることが確認された。
磁気記録媒体の保磁力を、ＶＳＭ（振動試料型磁力計：
理研電子社製ＢＨＶ−３５）を用いて測定した。また、
上記磁気記録媒体の記録再生特性を、再生素子として巨
大磁気抵抗素子を備えた磁気ヘッドを用いて測定した。
尚、記録再生特性の測定は、線記録密度４２０ｋＦＣＩ
（トラック密度が４０ＫＴＰＩとした場合、記録密度１
６．８Ｇｂ／ｉｎ2に相当する）にて行った。測定結果
を図３および図４に示す。図３は、上記実施例１および
比較例の磁気特性を示すグラフであり、横軸は酸素曝露
量（Ｌ：ラングミュア）を示し、縦軸は保磁力（Ｏｅ）
を示している。また、図４は、上記実施例１および比較
例の記録再生特性を示すグラフであり、横軸は酸素曝露
量（Ｌ）を示し、縦軸はＳ／Ｎ比（ｄＢ）および媒体ノ
イズ（μＶ）を示している。そして、図４上側の曲線は
実施例１の磁気記録媒体のＳ／Ｎ比の酸素曝露量依存性
を示し、図４下側の曲線は実施例１の磁気記録媒体の媒
体ノイズの酸素曝露量依存性を示している。これらの図
に示すように、シード層２としてＮｉ−４０at％Ｎｂを
用いた実施例１の磁気記録媒体は、保磁力、Ｓ／Ｎ比と
も、シード層２としてＮｉＡｌを用いた比較例の磁気記
録媒体よりも優れていることが確認された。また、シー
ド層２の表面に酸素を物理的に吸着させるならば、高い
保磁力と優れたＳ／Ｎ比を有する磁気記録媒体が得られ
ることが確認された。
【００４７】（実施例２）次に、シード層２の成膜用に
Ｎｉ−４０at％Ｎｂターゲットを用い、このシード層２
の成膜用ガスとしてＡｒに酸素を混合した混合ガスを用
いて成膜した磁気記録媒体を作製した。本例において
は、シード層２の膜厚は２５ｎｍとし、混合ガスの酸素
流量を０ｓｃｃｍ〜１０ｓｃｃｍの範囲で変化させた。
シード層２表面の酸素曝露は行わず、上記以外の金属下
地層３、強磁性金属層４などの成膜条件は上記実施例１
と同様とした。表２に本例の磁気記録媒体の成膜条件を
示す。
Ｎｉ−４０at％Ｎｂターゲットを用い、このシード層２
の成膜用ガスとしてＡｒに酸素を混合した混合ガスを用
いて成膜した磁気記録媒体を作製した。本例において
は、シード層２の膜厚は２５ｎｍとし、混合ガスの酸素
流量を０ｓｃｃｍ〜１０ｓｃｃｍの範囲で変化させた。
シード層２表面の酸素曝露は行わず、上記以外の金属下
地層３、強磁性金属層４などの成膜条件は上記実施例１
と同様とした。表２に本例の磁気記録媒体の成膜条件を
示す。
【００４８】
【表２】
【００４９】本実施例で作製された磁気記録媒体につい
て、上記実施例１と同様の方法で磁気特性および記録再
生特性を測定した。測定結果を図５および図６に示す。
図５は、上記実施例２および比較例の磁気特性を示すグ
ラフであり、横軸は酸素流量（ｓｃｃｍ）を示し、縦軸
は保磁力（Ｏｅ）を示している。また、図６は、上記実
施例２および比較例の記録再生特性を示すグラフであ
り、横軸は酸素流量（ｓｃｃｍ）を示し、縦軸はＳ／Ｎ
比（ｄＢ）および媒体ノイズ（μＶ）を示している。そ
して、図６上側の曲線は実施例２の磁気記録媒体のＳ／
Ｎ比の酸素流量依存性を示し、図６下側の曲線は実施例
２の磁気記録媒体の媒体ノイズの酸素流量依存性を示し
ている。これらの図に示すように、成膜ガスへ 酸素を
添加すると媒体ノイズが低減し、その結果、Ｓ／Ｎ比が
向上することが確認された。これは、成膜用ガスへの酸
素添加によりシード層の結晶粒の微細化が促進され、そ
の結果金属下地層および強磁性金属層の結晶粒が微細化
されたためであると考えられる。
て、上記実施例１と同様の方法で磁気特性および記録再
生特性を測定した。測定結果を図５および図６に示す。
図５は、上記実施例２および比較例の磁気特性を示すグ
ラフであり、横軸は酸素流量（ｓｃｃｍ）を示し、縦軸
は保磁力（Ｏｅ）を示している。また、図６は、上記実
施例２および比較例の記録再生特性を示すグラフであ
り、横軸は酸素流量（ｓｃｃｍ）を示し、縦軸はＳ／Ｎ
比（ｄＢ）および媒体ノイズ（μＶ）を示している。そ
して、図６上側の曲線は実施例２の磁気記録媒体のＳ／
Ｎ比の酸素流量依存性を示し、図６下側の曲線は実施例
２の磁気記録媒体の媒体ノイズの酸素流量依存性を示し
ている。これらの図に示すように、成膜ガスへ 酸素を
添加すると媒体ノイズが低減し、その結果、Ｓ／Ｎ比が
向上することが確認された。これは、成膜用ガスへの酸
素添加によりシード層の結晶粒の微細化が促進され、そ
の結果金属下地層および強磁性金属層の結晶粒が微細化
されたためであると考えられる。
【００５０】以上の実施例１および実施例２において
は、表１、表２に示すように、成膜プロセスとして成膜
室の到達真空度を１０-7Ｔｏｒｒ台とし、Ａｒガスの不
純物濃度を１ｐｐｍ程度とした従来の成膜プロセスを用
いてシード層２、金属下地層３、強磁性金属層４を成膜
したが、先に記載の通り優れた記録再生特性を有する磁
気記録媒体が得られており、到達真空度が比較的低い成
膜室においても優れた特性を有する磁気記録媒体が製造
可能であることが確認された。
は、表１、表２に示すように、成膜プロセスとして成膜
室の到達真空度を１０-7Ｔｏｒｒ台とし、Ａｒガスの不
純物濃度を１ｐｐｍ程度とした従来の成膜プロセスを用
いてシード層２、金属下地層３、強磁性金属層４を成膜
したが、先に記載の通り優れた記録再生特性を有する磁
気記録媒体が得られており、到達真空度が比較的低い成
膜室においても優れた特性を有する磁気記録媒体が製造
可能であることが確認された。
【００５１】（磁気記録装置）次に、本発明に係る磁気
記録装置を図面を参照して以下に説明する。図７は、本
発明に係る磁気記録装置であるハードディスク装置の一
例を示す側断面図であり、図８は、図７に示す磁気記録
層の平断面図である。図７および図８において、５０は
磁気ヘッド、７０はハードディスク装置、７１は筐体、
７２は磁気記録媒体、７３はスペーサ、７９はスイング
アーム、７８はサスペンションである。本実施形態に係
るハードディスク装置７０は、先に記載の本発明の磁気
記録媒体を搭載している。
記録装置を図面を参照して以下に説明する。図７は、本
発明に係る磁気記録装置であるハードディスク装置の一
例を示す側断面図であり、図８は、図７に示す磁気記録
層の平断面図である。図７および図８において、５０は
磁気ヘッド、７０はハードディスク装置、７１は筐体、
７２は磁気記録媒体、７３はスペーサ、７９はスイング
アーム、７８はサスペンションである。本実施形態に係
るハードディスク装置７０は、先に記載の本発明の磁気
記録媒体を搭載している。
【００５２】ハードディスク装置７０は、円盤状の磁気
記録媒体７２や、磁気ヘッド５０などを収納する内部空
間を備えた直方体形状の筐体７１が外形を成しており、
この筐体７１の内部には複数枚の磁気記録媒体７２がス
ペーサ７３と交互にスピンドル７４に挿通されて設けら
れている。また、筐体７１にはスピンドル７４の軸受け
（図示せず）が設けられ、筐体７１の外部にはスピンド
ル７４を回転させるためのモータ７５が配設されてい
る。この構成により、全ての磁気記録媒体７２は、スペ
ーサ７３によって磁気ヘッド５０が入るための間隔を空
けて複数枚重ねた状態で、スピンドル７４の周回りに回
転自在とされている。
記録媒体７２や、磁気ヘッド５０などを収納する内部空
間を備えた直方体形状の筐体７１が外形を成しており、
この筐体７１の内部には複数枚の磁気記録媒体７２がス
ペーサ７３と交互にスピンドル７４に挿通されて設けら
れている。また、筐体７１にはスピンドル７４の軸受け
（図示せず）が設けられ、筐体７１の外部にはスピンド
ル７４を回転させるためのモータ７５が配設されてい
る。この構成により、全ての磁気記録媒体７２は、スペ
ーサ７３によって磁気ヘッド５０が入るための間隔を空
けて複数枚重ねた状態で、スピンドル７４の周回りに回
転自在とされている。
【００５３】筐体７１の内部であって磁気記録媒体７２
の側方位置には、軸受け７６によってスピンドル７４と
平行に支持されたロータリ・アクチュエータと呼ばれる
回転軸７７が配置されている。この回転軸７７には複数
個のスイングアーム７９が各磁気記録媒体７２の間の空
間に延出するように取り付けられている。各スイングア
ーム７９の先端には、その上下位置にある各磁気記録媒
体７２の表面と傾斜して向かう方向に固定された、細長
い三角板状のサスペンション７８を介して磁気ヘッド５
０が取り付けられている。この磁気ヘッド５０は、図示
されていないが、磁気記録媒体７２に対して情報を書き
込むための記録素子と、磁気記録媒体７２から情報を読
み出すための再生素子を備えるものである。
の側方位置には、軸受け７６によってスピンドル７４と
平行に支持されたロータリ・アクチュエータと呼ばれる
回転軸７７が配置されている。この回転軸７７には複数
個のスイングアーム７９が各磁気記録媒体７２の間の空
間に延出するように取り付けられている。各スイングア
ーム７９の先端には、その上下位置にある各磁気記録媒
体７２の表面と傾斜して向かう方向に固定された、細長
い三角板状のサスペンション７８を介して磁気ヘッド５
０が取り付けられている。この磁気ヘッド５０は、図示
されていないが、磁気記録媒体７２に対して情報を書き
込むための記録素子と、磁気記録媒体７２から情報を読
み出すための再生素子を備えるものである。
【００５４】そして、磁気記録媒体７２は、先に記載の
ように、非磁性基板とこの基板上に形成されたシード層
（核生成層）と、金属下地層と、強磁性金属層を備える
ものであり、シード層が、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗから選ば
れる１種以上の元素を含む構成である。従って、係る磁
気記録媒体は先述の通り、高い保磁力と優れたＳ／Ｎ比
を有するものである。
ように、非磁性基板とこの基板上に形成されたシード層
（核生成層）と、金属下地層と、強磁性金属層を備える
ものであり、シード層が、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗから選ば
れる１種以上の元素を含む構成である。従って、係る磁
気記録媒体は先述の通り、高い保磁力と優れたＳ／Ｎ比
を有するものである。
【００５５】上記構成によれば、磁気記録媒体７２を回
転させ、磁気ヘッド５０をスイングアーム７９の移動に
より磁気記録媒体７２の半径方向に移動させることがで
きるので、磁気ヘッド５０は磁気記録媒体７２上の任意
の位置に移動可能となっている。上述した構成のハード
ディスク装置７０では、磁気記録媒体７２を回転させる
とともに、スイングアーム７９を移動させて磁気ヘッド
５０を磁気記録媒体７２を構成している強磁性金属層に
磁気ヘッド５０が発生した磁界を作用させることにより
磁気記録媒体７２に所望の磁気情報を書き込むことがで
きる。また、スイングアーム７９を移動させて磁気ヘッ
ド５０を磁気記録媒体７２上の任意の位置に移動させ、
磁気記録媒体７２を構成している強磁性金属層からの漏
れ磁界を磁気ヘッドの再生素子で検出することにより磁
気情報を読み出すことができる。
転させ、磁気ヘッド５０をスイングアーム７９の移動に
より磁気記録媒体７２の半径方向に移動させることがで
きるので、磁気ヘッド５０は磁気記録媒体７２上の任意
の位置に移動可能となっている。上述した構成のハード
ディスク装置７０では、磁気記録媒体７２を回転させる
とともに、スイングアーム７９を移動させて磁気ヘッド
５０を磁気記録媒体７２を構成している強磁性金属層に
磁気ヘッド５０が発生した磁界を作用させることにより
磁気記録媒体７２に所望の磁気情報を書き込むことがで
きる。また、スイングアーム７９を移動させて磁気ヘッ
ド５０を磁気記録媒体７２上の任意の位置に移動させ、
磁気記録媒体７２を構成している強磁性金属層からの漏
れ磁界を磁気ヘッドの再生素子で検出することにより磁
気情報を読み出すことができる。
【００５６】このように磁気情報の読み出しと書き込み
を行う場合において、磁気記録媒体７２が、先に説明し
た如く高い保磁力と優れた記録再生特性を有しているな
らば、高記録密度での磁気情報の記録再生を安定して行
うことができるハードディスク装置７０を提供すること
ができる。
を行う場合において、磁気記録媒体７２が、先に説明し
た如く高い保磁力と優れた記録再生特性を有しているな
らば、高記録密度での磁気情報の記録再生を安定して行
うことができるハードディスク装置７０を提供すること
ができる。
【００５７】尚、図６、７を基に先に説明したハードデ
ィスク装置７０は、磁気記録装置の一例を示すものであ
るので、磁気記録装置に搭載する磁気記録媒体の枚数
は、１枚以上の任意の枚数で良く、搭載する磁気ヘッド
の数も１個以上であれば任意の数設けてもよい。また、
スイングアーム７７の形状や駆動方式も図面に示すもの
に限らず、リニア駆動方式、その他の方式でも良いのは
もちろんである。
ィスク装置７０は、磁気記録装置の一例を示すものであ
るので、磁気記録装置に搭載する磁気記録媒体の枚数
は、１枚以上の任意の枚数で良く、搭載する磁気ヘッド
の数も１個以上であれば任意の数設けてもよい。また、
スイングアーム７７の形状や駆動方式も図面に示すもの
に限らず、リニア駆動方式、その他の方式でも良いのは
もちろんである。
【００５８】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、該非磁性基板上に直接または間接的に形成され
た核生成層と、金属下地層と、磁気情報を記録するため
の強磁性金属層とを備える磁気記録媒体において、核生
成層を、少なくともＮｂを含む合金、あるいは、Ｖ、Ｍ
ｏ、Ｗから選ばれる少なくとも１種以上の元素を含む合
金からなるものとすることにより、高い保磁力と優れた
Ｓ／Ｎ比を備える磁気記録媒体を提供することができ
る。
よれば、該非磁性基板上に直接または間接的に形成され
た核生成層と、金属下地層と、磁気情報を記録するため
の強磁性金属層とを備える磁気記録媒体において、核生
成層を、少なくともＮｂを含む合金、あるいは、Ｖ、Ｍ
ｏ、Ｗから選ばれる少なくとも１種以上の元素を含む合
金からなるものとすることにより、高い保磁力と優れた
Ｓ／Ｎ比を備える磁気記録媒体を提供することができ
る。
【００５９】次に、本発明によれば、非磁性基板上に、
少なくとも核生成層と、金属下地層と、強磁性金属層を
成膜法により積層形成する磁気記録媒体の製造方法にお
いて、前記核生成層が、少なくともＮｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ
から選ばれる１種以上の元素を含む合金を成膜してなる
層であり、該核生成層の少なくとも表面に酸素および／
または窒素を、物理的に吸着させる工程を含む構成とし
たので、前記核生成層上に形成される金属下地層の結晶
粒を微細化、均一化することができる。これにより、金
属下地層上に形成される記録層である強磁性金属層の結
晶粒を微細化、均一化することができるので、Ｓ／Ｎ比
に優れる磁気記録媒体を安定して製造する方法を提供す
ることができる。
少なくとも核生成層と、金属下地層と、強磁性金属層を
成膜法により積層形成する磁気記録媒体の製造方法にお
いて、前記核生成層が、少なくともＮｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ
から選ばれる１種以上の元素を含む合金を成膜してなる
層であり、該核生成層の少なくとも表面に酸素および／
または窒素を、物理的に吸着させる工程を含む構成とし
たので、前記核生成層上に形成される金属下地層の結晶
粒を微細化、均一化することができる。これにより、金
属下地層上に形成される記録層である強磁性金属層の結
晶粒を微細化、均一化することができるので、Ｓ／Ｎ比
に優れる磁気記録媒体を安定して製造する方法を提供す
ることができる。
【００６０】次に、先の優れた磁気特性を有する磁気記
録媒体を備えた磁気記録装置であるならば、Ｓ／Ｎ比が
高く、記録再生特性に優れた磁気記録装置を提供するこ
とができる。
録媒体を備えた磁気記録装置であるならば、Ｓ／Ｎ比が
高く、記録再生特性に優れた磁気記録装置を提供するこ
とができる。
【図１】 図１は、本発明の一実施の形態である磁気記
録媒体の断面構造を模式的に示す図である。
録媒体の断面構造を模式的に示す図である。
【図２】 図２は、酸化物標準生成自由エネルギーの温
度特性を示す図である。
度特性を示す図である。
【図３】 図３は、本発明の実施例１の磁気特性を示す
図である。
図である。
【図４】 図４は、本発明の実施例１の記録再生特性を
示す図である。
示す図である。
【図５】 図５は、本発明の実施例２の磁気特性を示す
図である。
図である。
【図６】 図６は、本発明の実施例２の記録再生特性を
示す図である。
示す図である。
【図７】 図７は、本発明に係る磁気記録装置の一例を
示す側断面図である。
示す側断面図である。
【図８】 図８は、図７に示す磁気記録装置の平断面図
である。
である。
【図９】 図９は、磁気記録媒体の一例である従来のハ
ードディスクの磁気特性を示す図である。
ードディスクの磁気特性を示す図である。
【図１０】 図１０は、磁気記録媒体の一例である従来
のハードディスクを示す斜視図である。
のハードディスクを示す斜視図である。
【図１１】 図１１は、磁気記録媒体の一例である従来
のハードディスクの断面構造を模式的に示す図である。
のハードディスクの断面構造を模式的に示す図である。
１ （非磁性）基板 ２ シード層（核生成層） ３ 金属下地層 ４ 強磁性金属層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 000005968 三菱化学株式会社 東京都千代田区丸の内二丁目５番２号 (74)上記３名の代理人 100086379 弁理士 高柴 忠夫 （外１名） (72)発明者 ダビッド ジャヤプラウィラ 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉05 東北大 学大学院工学研究科電子工学専攻内 (72)発明者 三上 正樹 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉05 東北大 学大学院工学研究科電子工学専攻内 (72)発明者 高橋 研 宮城県仙台市太白区人来田２丁目20−２ Ｆターム(参考） 4K029 AA09 BA21 BB02 BC06 BD11 CA05 DC04 EA01 EA03 5D006 CA01 CA05 CA06 EA03 FA09 5D112 AA03 AA11 BD01 FA04 FB20
Claims (15)
- 【請求項１】 非磁性基板と、該非磁性基板上に直接ま
たは間接的に形成された核生成層と、金属下地層と、磁
気情報を記録するための強磁性金属層とを備える磁気記
録媒体において、 前記核生成層が、少なくともＮｂを含む合金からなるこ
とを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記核生成層のＮｂ含有量が、２０at％
以上８０at％以下であることを特徴とする請求項１に記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記核生成層のＮｂ含有量が、３０at％
以上５０at％以下であることを特徴とする請求項２に記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 非磁性基板と、該非磁性基板上に直接ま
たは間接的に形成された核生成層と、金属下地層と、磁
気情報を記録するための強磁性金属層とを備える磁気記
録媒体において、 前記核生成層が、少なくともＶ、Ｍｏ、Ｗから選ばれる
１種以上の元素を含む合金からなることを特徴とする磁
気記録媒体。 - 【請求項５】 前記核生成層に含まれるＶ、Ｍｏ、Ｗの
含有量が、それぞれ２０at％以上８０at％以下であるこ
とを特徴とする請求項４に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項６】 前記核生成層に含まれるＶ、Ｍｏ、Ｗの
含有量が、それぞれ３０at％以上５０at％以下であるこ
とを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項７】 前記核生成層が、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃ
ｕから選ばれる１種以上の元素を含むことを特徴とする
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項８】 前記核生成層の膜厚が、２．５ｎｍ以上
５００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし
７のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項９】 非磁性基板上に、少なくとも核生成層
と、金属下地層と、強磁性金属層を成膜法により積層形
成する磁気記録媒体の製造方法において、 前記核生成層が、少なくともＮｂを含む合金を成膜して
なる層であり、 該核生成層の少なくとも表面に酸素および／または窒素
を、物理的に吸着させる工程を含むことを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１０】 非磁性基板上に、少なくとも核生成層
と、金属下地層と、強磁性金属層を成膜法により積層形
成する磁気記録媒体の製造方法において、 前記核生成層が、少なくともＶ、Ｍｏ、Ｗから選ばれる
１種以上の元素を含む合金を成膜してなる層であり、 該核生成層の少なくとも表面に酸素および／または窒素
を、物理的に吸着させる工程を含むことを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１１】 前記核生成層の成膜に用いるガスが、
Ａｒまたはそれ以外の希ガスに、酸素または窒素を混合
してなる混合ガスであることを特徴とする請求項９また
は１０に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１２】 前記核生成層の少なくとも表面に酸素
および／または窒素を、物理的に吸着させる工程が、 酸素および／または窒素を含む雰囲気に、前記核生成層
表面を曝露する工程であることを特徴とする請求項９な
いし１１のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項１３】 前記核生成層表面の酸素暴露量を、２
５ラングミュア以上とすることを特徴とする請求項１２
に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１４】 前記核生成層、金属下地層、強磁性金
属層のうち少なくとも１層以上を、到達真空度３×１０
-9Ｔｏｒｒ以下の成膜室において、不純物濃度が１ｐｐ
ｂ以下の成膜用ガスを用いて成膜することを特徴とする
請求項９ないし１３のいずれか１項に記載の磁気記録媒
体の製造方法。 - 【請求項１５】 請求項１ないし８のいずれか１項に記
載の磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を駆動するための
駆動部と、磁気情報の記録再生を行うための磁気ヘッド
とを備え、移動する前記磁気記録媒体に対して前記磁気
ヘッドにより磁気情報の記録再生を行うことを特徴とす
る磁気記録装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001017112A JP3666853B2 (ja) | 2001-01-25 | 2001-01-25 | 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置 |
| US10/052,357 US20020146594A1 (en) | 2001-01-25 | 2002-01-23 | Magnetic recording medium and production method thereof and magenetic recording device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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