JP2006120270A - 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】垂直磁気記録媒体のグラニュラー記録層において磁性粒子と非磁性粒界を適切に分離し、磁性粒子の磁気異方性を損なうことなく粒子間の磁気的相互作用を低減し、媒体ノイズを低減する。
【解決手段】CoとPtとCrとを含む合金結晶粒子と、SiとOとを含む非磁性粒界を含み、記録層中のSi原子数に対するO原子数の比率が2.5以上5以下、記録層中のSi原子含有率が3〜6原子%、O原子含有率が12〜20原子%である垂直磁気記録媒体を用いる。また、記録層の形成時、基板中心に対し同心円状に並ぶ気体導入口より酸素を含むプロセスガスを導入することにより、記録層の媒体面内の任意の点における垂直保磁力の分布を、平均値の±10%以下とする。
【選択図】図5
【解決手段】CoとPtとCrとを含む合金結晶粒子と、SiとOとを含む非磁性粒界を含み、記録層中のSi原子数に対するO原子数の比率が2.5以上5以下、記録層中のSi原子含有率が3〜6原子%、O原子含有率が12〜20原子%である垂直磁気記録媒体を用いる。また、記録層の形成時、基板中心に対し同心円状に並ぶ気体導入口より酸素を含むプロセスガスを導入することにより、記録層の媒体面内の任意の点における垂直保磁力の分布を、平均値の±10%以下とする。
【選択図】図5
Description
本発明は、垂直磁気記録技術に適用される磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
磁気記録装置の大容量化のため、面記録密度を高める技術として、垂直磁気記録方式が注目されている。垂直磁気記録方式は、記録媒体の磁化を媒体面に垂直に、かつ隣り合う記録ビット内の磁化が互いに反平行になるように記録ビットを形成する方式である。垂直磁気記録方式では、磁化遷移領域での反磁界が小さいため面内磁気記録方式に比べて急峻な磁化遷移領域が形成され、高密度で磁化が安定する。したがって、面内磁気記録方式と比較して、同じ記録分解能を得るために膜厚を大きくして磁性粒子体積を大きくすることができ、記録された磁化の経時的な減衰、すなわち熱減磁を抑制できる。さらに単磁極ヘッドと、垂直記録層と軟磁性下地層を備えた垂直磁気記録媒体との組み合わせにおいて、高い記録磁界が得られ、垂直記録層に磁気異方性の高い材料を選択することが可能となり、熱減磁をさらに抑制することができる。
垂直磁気記録媒体の記録層材料として、現在CoCr基合金結晶質膜が主流となっている。hcp構造を有するCoCr結晶のc軸が媒体面に垂直になるように結晶配向を制御することにより、記録層の磁化容易軸を媒体面に垂直に保つことができる。ここでCoCr基合金結晶粒子のサイズを小さく、かつばらつきを低減し、各粒子間の磁気的相互作用を低減することによって媒体ノイズを低減し、記録密度を向上することが可能となる。このような記録層構造を制御する一方式として、強磁性粒子の周囲を酸化物などの非磁性物質で取り囲んだ、一般にグラニュラー膜と呼ばれる記録層が提案されている。グラニュラー記録層において、非磁性の粒界相が磁性粒子を分離し、磁性粒子間の相互作用を低減し、磁化遷移領域でのノイズを低減することができる。特開2003−178413号公報には、CoとPtを含む強磁性合金と体積密度が15%から40%の酸化物からなる記録層を有する垂直磁気記録媒体が開示されている。
本発明の目的は、垂直磁気記録媒体のグラニュラー記録層において磁性粒子と非磁性粒界を適切に分離し、磁性粒子の磁気異方性を損なうことなく粒子間の磁気的相互作用を低減し、媒体ノイズを低減することである。
前記目的を達成することのできる本発明の垂直磁気記録媒体は、円盤状の非磁性基体上に非磁性の粒径制御層と、強磁性体を含む記録層と、保護層とが順次積層されており、記録層は少なくともCoとPtとCrとを含む合金結晶粒子と、少なくともSiとOとを含む非磁性粒界とを含み、記録層中のSi原子数に対するO原子数の比率が2.5以上5以下であり、さらに記録層中のSi原子含有率が3原子%乃至6原子%、O原子含有率が12原子%乃至20原子%であり、媒体面に対し垂直方向の保磁力が平均値の±10%以内に分布していることを特徴とする。
また、本発明による垂直磁気記録媒体の製造方法は、円盤状の非磁性基体の上に非磁性の粒径制御層を形成するステップと、粒径制御層の上に少なくともCo,Pt,Cr,Si,Oを含む記録層を形成するステップと、記録層の上に保護層を形成するステップとを有し、記録層を形成するステップでは、非磁性基体の表面の酸素分圧がほぼ均一になるようにして、非磁性基体が配置されたチャンバー内に酸素を含むプロセスガスを導入することを特徴とする。例えば、基板中心に対し同心円状に並ぶ気体導入口より酸素を含むプロセスガスを導入する。その結果、本発明の垂直磁気記録媒体において、記録層の媒体面内の任意の点における垂直保磁力の分布を、平均値の±10%以下とすることができる。
本発明によれば、SiO2およびCr酸化物がCoとPtを主体とする強磁性粒子の周囲に偏析して、磁性粒子間の相互作用を好ましい範囲に制御することが可能となる。その結果、高いSNRを有する優れた垂直磁気記録媒体が得られる。
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。
図1は、本発明による垂直磁気記録媒体の構造例を説明する断面概略図である。ただし、図1に示される垂直磁気記録媒体は本発明を例示したものであり、本発明をこれらの構成を有するものに限定するものではない。本発明の垂直磁気記録媒体1は、円盤状の非磁性基板11上にプリコート層12、軟磁性下地層13、粒径制御層14、グラニュラー記録層15を順次スパッタ法で形成し、保護層16を化学気相成長法(CVD法)で形成した。媒体を成膜装置から搬出した後、液体潤滑層17を塗布した。基板11としては2.5インチガラス基板を用いたが、一般的に磁気記録媒体に用いられるNiPメッキをほどこしたAl合金や、プラスチック基板などを用いてもよい。
プリコート層12は基板と薄膜の密着性を強化することを目的として設けられる。ここでは膜厚30nmのNiTa合金薄膜を用いた。軟磁性下地層13は、特に垂直磁気記録に用いる単磁極ヘッドとの組み合わせにおいて、記録時に印加される磁界の垂直成分を強くすることを目的として設けられる。軟磁性下地層13の材料としては飽和磁化と比透磁率が高い材料が望ましく、このような機能を発揮できる慣用の軟磁性材料を用いることができる。また、軟磁性下地層13において、磁気特性と浮遊磁界耐性の観点から、複数の軟磁性材料層の間に非磁性層を付与して、強磁性結合、または反強磁性結合を有する多層構造にしてもよい。本実施例では、軟磁性下地層13は膜厚50nmのCoTaZr層、膜厚0.6nmのRu層、膜厚50nmのCoTaZr層を順次形成した、反強磁性結合を有する多層膜とした。
粒径制御層14は、軟磁性下地層13とグラニュラー記録層15との間に生じる磁気的結合を低減するとともに、グラニュラー記録層15の強磁性粒子の結晶配向性を制御してグラニュラー記録層15の垂直磁気異方性を制御し、さらにグラニュラー記録層15の強磁性粒子と非磁性粒界の分離を促進し、強磁性粒子間の磁気的相互作用を好適にするために設けられる。粒径制御層14の材料としては、非磁性であり、非晶質もしくは六方稠密構造(hcp構造)や面心立方構造(fcc構造)の金属、または合金を用いることができる。粒径制御層14は単層でもよいが、上記の効果を好適に得るために、異なる結晶構造を有する多層構造としてもよい。本実施例では、粒径制御層14は膜厚1nmのTaと膜厚20nmのRuを順次形成した多層構造とした。
グラニュラー記録層15は、強磁性を有する結晶粒とそれを取り巻く非磁性粒界から構成される。強磁性結晶粒は少なくともCoとPtを含む合金が望ましい。また、CoPt合金にCrやTa,Bなどを添加することも、磁気特性や結晶配向性を制御し、低ノイズ特性を得るために好適である。非磁性粒界を形成する材料として、酸化物や窒化物が好適であり、さらに物理化学的に安定であることが望ましい。以上を鑑み、本実施例においてグラニュラー記録層15は、Co,Pt,Crを主成分とする強磁性粒子とSi酸化物を主成分とする非磁性粒界からなる構造とし、スパッタ法により膜厚14nmのグラニュラー記録層15を形成した。
保護層16は、例えばカーボンやSiを主体とする薄膜をスパッタ法やCVD法で形成できる。本実施例においては、化学気相成長法(CVD法)によって膜厚4nmのカーボン保護層16を形成した。また液体潤滑剤層17は、従来の磁気記録媒体と同様の材料、形成法を用いることができる。本実施例では、膜厚1nmのパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を引き上げ法によって形成した。
図2は、本実施例の垂直記録媒体を作製した成膜装置の概略構成図である。ロードチャンバー21、成膜チャンバー22〜29、アンロードチャンバー31にはそれぞれ排気ポンプが接続されており、各チャンバー内の残留圧力を10−4Pa以下に維持している。各チャンバーの間に開閉扉を有するロードロック30が設けられており、製造工程中、各チャンバーで独立して圧力を制御できる。成膜チャンバー22〜28にはスパッタリング装置が、チャンバー29にはCVD装置がそれぞれ備わっており、前記垂直磁気記録媒体の各層を順次形成できる。また、成膜装置には基板11を支持し、各チャンバー間を自在に移動できる基板搬送手段(図示せず)が備わっている。
図3に、保護層16までの製造手順を示す。はじめにロードチャンバー21の圧力を大気圧にして基板11をロードチャンバー21に搬入し、ロードチャンバー21内の圧力を10−3Pa以下にする。次にロードロック30の扉を開いて基板搬送手段により基板11をプロセスチャンバー22に移動し、ロードロック30の扉を閉じる。次にチャンバー22内の排気バルブの開口度を調整して排気量を調整し、Arガスをチャンバー22内に導入して、NiTaプリコート層12をスパッタ法により形成する。NiTa層12の形成後、Arガスの導入を停止し排気バルブを開放して、ロードロック30の扉を開いて基板11をチャンバー23に移動する。上記の工程と同様の手順によって基板11をチャンバー23〜29まで順次移動し、成膜を行う。C保護層16を形成し、基板11をアンロードチャンバー31に移動した後、アンロードチャンバー31の圧力を大気圧にして、各層が形成された基板11を搬出する。なお、図3のフローチャートにおいて、基板11の搬送工程および、グラニュラー記録層15以外の層の形成時の詳細な工程を省略している。
本実施例の垂直磁気記録媒体のグラニュラー記録層15は以下のように作製した。CoCrPt合金とSiO2とを含有する複合型ターゲットを用い、圧力が4Paから5PaのArと酸素の混合雰囲気中で、成膜速度が毎秒0.7nm乃至毎秒2.0nmの範囲でDCスパッタ法を用いて成膜した。スパッタ法としては、RFスパッタ法を選択することもできる。ここで記録層15を形成する前に基板の加熱は行わず、基板温度を室温から70度という比較的低い状態で記録層15の成膜を行った。
記録層15の形成時、基板表面付近における酸素分圧が媒体面全体において均一になるように、図4に示すような配管41をターゲット44と基板43の間に設置した。配管41の基板43に対向する側に、基板中心に対し同心円状に気体噴出口42を設け、Arと酸素の混合気体を気体噴出口42から噴出しながら記録層15を形成した。グラニュラー記録層15中の原子含有量は、ターゲット組成のみならず、スパッタ時の投入電力、ガス圧力、基板−ターゲット間距離などによっても変化するため、X線電子分光法(XPS法)を利用した組成分析を行い、特性と組成の関係を調査した。媒体ノイズSNRdについて、記録ヘッド幅170nm、再生ヘッド幅125nmの複合型単磁極ヘッドを用いて、一般的な記録再生特性評価テスタを用いて評価した。
表1にターゲット組成および成膜条件を変えて作製した垂直磁気記録媒体の記録層における、膜厚中心付近でのCo,Pt,Cr,Si,Oの各原子の原子比率と、線記録密度100kFCIで記録したときの出力と800kFCIで記録したときの媒体ノイズとの比率で算出したSNRd(Signal to Noise Ratio of disk)を示す。
図5に、Si原子含有量およびO原子含有量を変化させたときのSNRdの分布を示す。図5の斜線部の範囲においてSNRdが22dB以上となり、この範囲において面密度7.75ギガビット毎平方ミリメートルを実現できる。さらにSi原子含有量が4原子%乃至5原子%、O原子含有量が14原子%乃至18原子%の範囲において、より好適な23dB以上のSNRdが得られた。XPSプロファイルにおいてCr酸化物の形成が確認されており、上記の範囲において非磁性粒界にSiO2およびCr酸化物が好適に形成され、強磁性粒子間の交換相互作用を好適に制御できた。O含有量のSi含有量に対する比O/Siが2.5よりも小さい場合、O含有量が12原子%よりも小さい場合、あるいはSi含有量が3原子%よりも小さい場合には、非磁性粒界の形成が不十分であり、強磁性粒間の相互作用を有効に低下できないため、SNRdが悪化している。一方O/Siが5よりも大きい場合、強磁性粒子中のCoが酸化されて強磁性粒子が微細化して垂直磁気異方性が失われ、SNRdが悪化したものと考えられる。また、Si含有量が6原子%よりも多い場合、またはO含有量が20原子%よりも多い場合には、相対的に強磁性粒子が小さくなり、磁気異方性が低くなってSNRdが悪化したものと考えられる。なお、実施例1−1乃至実施例1−12において、透過型電子顕微鏡の媒体表面の格子像より求めた非磁性粒界の体積含有量は17体積%〜29体積%であった。
図6に本発明の製造方法を用いて作製した垂直磁気記録媒体の媒体面の各点における媒体面に対し垂直方向の保磁力を示す。保磁力はカー効果測定装置を用いて測定した。ここで図6の横軸は図8に示す角度座標であり、半径15mm、30mmにおいて測定した結果を示している。本発明の製造方法との比較例として、図9に示すようにチャンバー28の上方にプロセスガス導入口92を設け、チャンバー上方からプロセスガスを導入して記録層を形成した垂直磁気記録媒体の垂直方向の保磁力の面内分布を図7に示す。図7に示すように、比較例において角度0度における保磁力が著しく小さくなった。これはスパッタガスの導入口に近い角度0度において、過剰の酸素が取り込まれ、強磁性粒子の垂直磁気異方性が小さくなったためと考えられる。一方、図6に示すように、本発明の製造方法で作製した垂直磁気記録媒体は、図4のガス導入管41を用いたことにより媒体中に酸素がほぼ均等に取り込まれ、保磁力の分布が小さくなった。
表2に本発明の垂直磁気記録媒体と、比較例の垂直磁気記録媒体の垂直方向の保磁力の最大値、最小値、平均値およびSNRdを示す。比較例において、媒体面内に取り込まれた酸素量の変動が大きいため、SNRdが低くなっているのに対し、本実施例では高いSNRdが得られた。表2に示す実施例の保磁力分布は平均値に対し最大値、最小値がそれぞれ+10%、−10%であったが、これは本実施例でもっとも保磁力の分布が大きい例であり、保磁力の分布を、平均値の±10%以内にすることにより、面密度7.75ギガビット毎平方ミリメートルを実現可能なSNRdが得られることを明らかにした。
1…垂直磁気記録媒体、11…非磁性基板、12…プリコート、13…軟磁性下地層、14…粒径制御層、15…グラニュラー記録層、16…保護層、17…液体潤滑層、21…ロードチャンバー、22〜29…成膜チャンバー、30…ロードロック、31…アンロードチャンバー、41…ガス導入管、42…ガス導入口、43…基板、44…ターゲット、92…気体導入口
Claims (5)
- 非磁性基体上に少なくとも非磁性の粒径制御層と、強磁性体を含む記録層と、保護層とが順次積層されおり、
前記記録層はCo,Pt,Cr,Si,Oを含み、該記録層中のSi原子数に対するO原子数の比率が2.5以上5以下であり、該記録層中のSi原子含有率が3原子%乃至6原子%、O原子含有率が12原子%乃至20原子%であり、媒体面に対し垂直方向の保磁力が平均値の±10%以内に分布していることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 請求項1記載の垂直磁気記録媒体において、前記粒径制御層の下方に軟磁性下地層を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。
- 円盤状の非磁性基体の上に非磁性の粒径制御層を形成するステップと、
前記粒径制御層の上に少なくともCo,Pt,Cr,Si,Oを含む記録層を形成するステップと、
前記記録層の上に保護層を形成するステップとを有し、
前記記録層を形成するステップでは、前記非磁性基体の表面の酸素分圧がほぼ均一になるようにして、前記非磁性基体が配置されたチャンバー内に酸素を含むプロセスガスを導入することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 請求項3記載の垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記チャンバー内に前記非磁性基体の中心に対し同心円状に配列したプロセスガス導入口を備え、前記導入口からプロセスガスを導入することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 請求項3記載の垂直磁気記録媒体の製造方法において、CoCrPtとSiO2とを含有する複合型ターゲットを用いたスパッタ法によって前記記録層を形成し、形成された記録層中のSi原子数に対するO原子数の比率が2.5以上5以下、Si原子含有率が3原子%乃至6原子%、O原子含有率が12原子%乃至20原子%となるようにスパッタ条件を調整することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
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JPWO2008105095A1 (ja) * | 2007-02-28 | 2010-06-03 | 昭和電工株式会社 | 垂直磁気記録媒体および磁気記録装置 |
JP2009001861A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Mitsubishi Materials Corp | 比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット |
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