JP2008108395A - 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1と、該基板1上に形成された密着層2と、該密着層2上に形成された、非磁性体を含む軟磁性裏打ち層3と、該軟磁性裏打ち層3上に形成された非磁性下地層4と、該非磁性下地層4上に形成された磁気記録層とを備え、該磁気記録層は、第一の強磁性層5と、該第一の強磁性層5上に形成された第二の強磁性層9とからなり、第一の強磁性層5上の少なくとも一部に非金属膜8が形成されている垂直磁気記録媒体である。
【選択図】図1
Description
現在、実用化されている垂直磁気記録媒体の磁気記録層には、粒界相により分離された数nm以下の強磁性結晶粒集合体(以下、グラニュラー構造と略記する。)が用いられている。
そこで非特許文献1、2に記載されているように、グラニュラー構造をもつ磁気記録層の上下いずれかに、別途強磁性連続膜を形成し、この連続膜を経由した交換相互作用を導入するという方法が提案されている(Coupled Granular Continuous:以下CGC構造と略記する。)。
これら上記の非磁性層を強磁性層間に挿入することによる製造上の問題点は、現在に至るまで解決されていない。
(構成1)基板上に少なくとも磁気記録層を備える垂直磁気記録媒体であって、前記磁気記録層は、第一の強磁性層と、該第一の強磁性層上に形成された第二の強磁性層とからなり、前記第一の強磁性層上の少なくとも一部に非金属膜が形成されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
(構成2)前記第一の強磁性層上の非金属膜は、膜面内で不連続な膜構造であることを特徴とする構成1記載の垂直磁気記録媒体。
(構成3)前記第一の強磁性層上の非金属膜が酸素を含むことを特徴とする構成1又は2記載の垂直磁気記録媒体。
(構成4)前記第一の強磁性層と前記第二の強磁性層は、その少なくとも一方が、強磁性結晶粒と非金属からなる結晶粒界相とを有していることを特徴とする構成1乃至3の何れか一に記載の垂直磁気記録媒体。
(構成5)基板上に少なくとも磁気記録層を備える垂直磁気記録媒体の製造方法であって、前記磁気記録層は、第一の強磁性層と、該第一の強磁性層上に形成された第二の強磁性層とからなり、該磁気記録層を形成する工程は、前記第一の強磁性層上の少なくとも一部に非金属膜を形成する工程を含み、該非金属膜を形成する工程は、気体への曝露によって行われることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
(構成6)前記非金属膜の形成工程が、前記第一の強磁性層又は第二の強磁性層の形成工程に用いる真空容器内で行われることを特徴とする構成5記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
図1は、本発明に係る第1の実施の形態であるCGC構造を持つ垂直磁気記録媒体の断面構造を模式的に示した図である。まず本図を用いて初めに本発明の原理について説明する。
垂直磁気記録媒体では、低ノイズ、高S/N比と熱安定性の両立を目指し、グラニュラー構造をもつ記録層上に強磁性連続膜を積層したCGC構造、またグラニュラー構造を持つ記録層に、異なる保磁力、磁気異方性を有する複数の強磁性体を積層して用いるECC構造等の検討がすでに報告されている。これらの構造では、複数の強磁性体間の交換結合を制御するために、非磁性体の中間層が用いられている。しかしながら、非磁性中間層を形成するためには、別途成膜工程を追加することが必要である。図2には、従来用いられているCGC構造の垂直磁気記録媒体の断面図を模式的に示した。本発明の構造では、この非磁性中間層10(図2参照)が省略されていることが大きな特徴である。
前記非金属膜の膜厚、構造は、上記プロセス時間、プロセス条件を変化させることにより制御可能である。
本発明による磁気記録媒体の製造方法の大きな利点は、前記非金属膜の形成工程が、第一又は第二の強磁性層の形成工程と同一の真空容器、それらの真空容器間の基板搬送時に実施可能であることである。したがって、従来の非磁性中間層形成工程を削減することができ、スループットの向上が可能である。
図4(d)は、次いで第二の強磁性層9を形成し、磁気記録層の形成が完了した状態である。この後に行われる後工程については、従来公知の技術により実現可能であるのでここでは説明を省略する。
図5は、本発明に係る第2の実施の形態であるECC構造を持つ垂直磁気記録媒体の断面構造を模式的に示した図である。図5の断面図を詳細に説明する。1は基板、2はCr、Tiおよびそれらの合金等の非磁性体密着層(金属層)、3は軟磁性裏打ち層であり、CoTaZr、CoTaNb、FeCoB、FeAlSi、NiFe合金、CoFe合金などの強磁性金属膜、FeMn、IrMnなどの反強磁性金属膜およびRu、Ir、Os、Cr、Cuなどの非磁性金属膜等の多層膜からなる。4は非磁性下地層である。なお、基板1、密着層2、軟磁性裏打ち層3、非磁性下地層4に用いられる材料、積層構造は、後述する磁気記録層の特性を損なわない限りにおいて適宜変更しても差し支えない。
この後に行われる後工程については、従来公知の技術により実現可能であるのでここでは説明を省略する。
(実施例1)
次のようにして、図1に示すようなCGC構造を持つ垂直磁気記録ディスクを製造した。
アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円盤状に成型し、ガラスディスクを作成した。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性ガラス基板1を得た。ディスク直径は65mmである。このガラス基板1の主表面の表面粗さをAFM(原子間力顕微鏡)で測定したところ、Rmaxが4.8nm、Raが0.42nmという平滑な表面形状であった。なお、Rmax及びRaは、日本工業規格(JIS)に従う。
密着層2は、CrTiを膜厚10nmに形成した。軟磁性裏打ち層3は、膜厚20nmのCoFeとTaZrの合金膜と、膜厚0.65nmのRu膜と、膜厚20nmのCoFeとTaZrの合金膜との多層膜とした。また、非磁性下地層4は、Ruを膜厚25nmに形成した。
次に、TiO2を含有するCoCrPtからなる硬磁性体のターゲットを用いて、膜厚12nmのhcp結晶構造からなる第一の強磁性層5を形成した。該強磁性層5を形成するためのターゲットの組成は、Co:65.5at%、Cr:10.9at%、Pt:14.6at%、TiO2:9mol%である。なお、強磁性層5は、総ガス圧4Pa、酸素分圧0.5%のアルゴン(Ar)と酸素の混合雰囲気中で成膜した。
次に、第二の強磁性層9の形成を行った。第二の強磁性層は、NiCoを膜厚2nmに形成した。
以上の製造工程により、本実施例の垂直磁気記録ディスクが得られた。得られた垂直磁気記録ディスクの表面粗さをAFMで測定したところ、Rmaxが4.53nm、Raが0.40nmという平滑な表面形状であった。
R/Wアナライザーと、記録側がSPT素子、再生側がGMR素子を備える垂直磁気記録方式用磁気ヘッドとを用いて測定した。このとき、磁気ヘッドの浮上量は10nmであった。
S/N比及びオーバーライト特性(O/W)の測定方法は以下のとおりである。
最高記録密度(1F)を960kfciとして、S/N比は、S/N(1T/1T)とS/N(10T/1T)の測定を行った。S/N(1T/1T)は、24F記録密度(40kfci)で垂直磁気記録媒体上にキャリア信号記録した後に、DC周波数領域から1Fの1.2倍の周波数領域までの媒体ノイズをスペクトロアナライザーを用いて観測し算出した。また、S/N(10T/1T)は、2F記録密度(480kfci)で垂直磁気記録媒体上にキャリア信号記録した後に、DC周波数領域から1Fの1.2倍の周波数領域までの媒体ノイズをスペクトロアナライザーを用いて観測し算出した。さらに、オーバーライト特性は、24F(40kfci)記録密度で垂直磁気記録媒体上にキャリア信号記録した後に、1F記録密度(960kfci)でキャリアを上書きし、元々の24F(40kfci)記録密度のキャリア再生出力と、1F上書き後の12Fキャリアの残存再生出力を測定して求めた。
以上の結果から、本発明によれば、磁気特性、電磁変換特性の良好な媒体が得られ、特に高S/N比を持つ垂直磁気記録媒体が得られることが分かる。
次のようにして、図5に示すようなECC構造を持つ垂直磁気記録ディスクを製造した。
まず、実施例1と同様のガラス基板1を作製し、得られたガラス基板1上に、実施例1と同様にして、密着層2、軟磁性裏打ち層3、非磁性下地層4を順次成膜した。
次に、TiO2を含有するCoCrPtからなる硬磁性体のターゲットを用いて、膜厚12nmのhcp結晶構造からなる第一の強磁性層5を形成した。該強磁性層5を形成するためのターゲットの組成は、Co:65.5at%、Cr:10.9at%、Pt:14.6at%、TiO2:9mol%である。なお、強磁性層5は、総ガス圧4Pa、酸素分圧0.5%のアルゴン(Ar)と酸素の混合雰囲気で成膜した。
次いで、Ar流量480sccm、ガス圧5Pa、DC電力100W、酸素分圧1%のアルゴン(Ar)と酸素プラズマ中に5秒間曝露することによって、上記第一の強磁性層5上に非金属膜8を形成した。
以上の製造工程により、本実施例の垂直磁気記録ディスクが得られた。得られた垂直磁気記録ディスクの表面粗さをAFMで測定したところ、Rmaxが4.53nm、Raが0.40nmという平滑な表面形状であった。
また、本実施例の垂直磁気記録ディスクの電磁変換特性を実施例1と同様に測定した結果、S/N(1T/1T)は8.9dB、S/N(10T/1T)は25.3dB、オーバーライト特性(O/W)は45.3dBであった。
以上の結果から、本実施例においても磁気特性、電磁変換特性の良好な媒体が得られ、特に高S/N比を持つECC構造の垂直磁気記録媒体が得られることが分かる。
2 密着層
3 軟磁性裏打ち層
4 非磁性下地層
5 第一の強磁性層
6,11 非金属粒界相
7,12 強磁性結晶粒
8 非金属膜
9 第二の強磁性層
10,13 非磁性中間層
14 膜
Claims (6)
- 基板上に少なくとも磁気記録層を備える垂直磁気記録媒体であって、前記磁気記録層は、第一の強磁性層と、該第一の強磁性層上に形成された第二の強磁性層とからなり、前記第一の強磁性層上の少なくとも一部に非金属膜が形成されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
- 前記第一の強磁性層上の非金属膜は、膜面内で不連続な膜構造であることを特徴とする請求項1記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記第一の強磁性層上の非金属膜が酸素を含むことを特徴とする請求項1又は2記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記第一の強磁性層と前記第二の強磁性層は、その少なくとも一方が、強磁性結晶粒と非金属からなる結晶粒界相とを有していることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一に記載の垂直磁気記録媒体。
- 基板上に少なくとも磁気記録層を備える垂直磁気記録媒体の製造方法であって、前記磁気記録層は、第一の強磁性層と、該第一の強磁性層上に形成された第二の強磁性層とからなり、該磁気記録層を形成する工程は、前記第一の強磁性層上の少なくとも一部に非金属膜を形成する工程を含み、該非金属膜を形成する工程は、気体への曝露によって行われることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 前記非金属膜の形成工程が、前記第一の強磁性層又は第二の強磁性層の形成工程に用いる真空容器内で行われることを特徴とする請求項5記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
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