JP4126276B2 - 反強磁性結合された垂直磁気記録媒体 - Google Patents
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Description
本発明の目的は、高ビット密度の垂直磁気媒体の設計及び製造に付随する問題を解決すること、例えば媒体の熱安定性を低下させることなく高SMNRを達成する一方、高ビット密度の記録技術のあらゆる構造的及び機械的な観点を維持することである。更に、本発明の磁性媒体は、従来の製造技術、例えばスパッタリングによって製造できることが好ましい。
本発明の別の長所は信号対媒体雑音比(SMNR)及び熱安定性の高い改良された高面積記録密度の反強磁性結合(AFC)垂直磁気記録媒体であることである。
本発明の更に別の長所は、改良された高面積記録密度の垂直磁気記録媒体を製造する方法であることである。
本発明の更に別の長所は、信号対媒体雑音比(SMNR)及び熱安定性の高い改良された高面積記録密度の反強磁性結合(AFC)垂直磁気記録媒体を製造する方法である点である。
本発明の付加的な長所及びその他の特徴は、以下に説明され、また一部は、以下の説明から当業者には明らかになり、また本発明を実施することにより知られるだろう。本発明の長所は、とりわけ特許請求の範囲で指摘されるとおり明確に理解できる。
(a) 表面を有する非磁性基板と、
(b) 基板表面に形成された積層体とを含み、該積層体が、基板表面から積層する順に、
(b1) 磁気的に軟質の強磁性材料、又は非磁性スペーサ薄層により隔てられた複数の磁気的に軟質の強磁性材料層を含む下層と、
(b2) 少なくとも1層の非磁性中間層と、
(b3) 硬質強磁性材料を含む垂直異方性安定化層と、
(b4) 非磁性スペーサ層と、
(b5) 硬質強磁性材料を含む垂直異方性主記録層とを含み、
しかも、垂直異方性安定化層(b3)と、垂直異方性主記録層(b5)とが、非磁性スペーサ層(b4)の両側で反強磁性結合(AFC)され、その磁気モーメントが反平行に配向されることによって媒体のSMNR及び熱安定性が高められている。
(b6) 非磁性スペーサ層(b4)と主記録層(b5)及び/又は安定化層(b3)との間の少なくとも1つの界面に少なくとも1層の強磁性界面層を含み、該少なくとも1層の強磁性界面層(b6)が、非磁性スペーサ層(b4)と主記録層(b5)との間の界面に存在するか、又は該少なくとも1層の強磁性界面層(b6)が、非磁性スペーサ層(b4)と、主記録層(b5)及び安定化層(b3)各々との間の界面に存在している。
下層(b1)が、Ni,NiFe(パーマロイ),Co,CoZr,CoZrCr,CoZrNb,CoTaZr,CoFe,Fe,FeN,FeSiAl,FeSiAlN,FeTaC,FeAlN,FeTaN,CoFeZr,FeCoB,およびFeCoCから選択された少なくとも1つの軟質強磁性材料を含む約50〜約400nm(約500〜約4000Å)厚の層を含み、
少なくとも1層の中間層(b2)が、Pt,Pd,Ir,Re,Ru,Hfとそれらの合金とのうちから選択された少なくとも1つの非磁性材料、又はCr,Pt,Ta,Bの少なくとも1つを有する6方晶Co基非磁性合金の、約1〜約30nm(10〜300Å)厚の単数又は複数の層を含み、前記媒体が、更に
(c) 主記録層(b5)を覆う保護層と、
(d) 保護層(c)を覆う潤滑表層とを含んでいる。
(a) 表面を有する非磁性基板を得る段階と、
(b) 該基板表面に積層体を形成する段階とを含み、該段階は、基板表面上に複数層を積層するため、順次に以下の段階、すなわち、
(b1) 磁気的に軟質の強磁性材料、又は非磁性スペーサ薄層により隔てられた磁気的に軟質の複数材料層を含む下層を形成する段階と、
(b2) 少なくとも1層の非磁性中間層を形成する段階と、
(b3) 硬質強磁性材料を含む垂直異方性安定化層を形成する段階と、
(b4) 非磁性スペーサ層を形成する段階と、
(b5) 硬質強磁性材料を含む垂直異方性主記録層を形成する段階とを含み、
垂直異方性安定化層と垂直異方性主記録層とを、非磁性スペーサ層の両側で反強磁性結合(AFC)して、それらの磁気モーメントを反平行に配向して、それにより高いSMNR及び熱安定性を有する媒体を得る。
(b6) 非磁性スペーサ層と主記録層及び/又は安定化層との間の少なくとも1つの界面に少なくとも1層の強磁性界面層を形成する段階を含み、該段階(b6)は、次の選択肢のうちの1つを含んでいる。
(i) 非磁性スペーサ層と主記録層との界面に少なくとも1層の強磁性界面層を形成する段階、
(ii) 非磁性スペーサ層と安定化層との界面に少なくとも1層の強磁性界面層を形成する段階、
(iii) 非磁性スペーサ層と主記録層及び安定化層の各々との界面に少なくとも1層の強磁性界面層を形成する段階。
(b6) 段階(b5)で形成された主記録層と被覆接触する非磁性スペーサ層を形成する段階と、
(b7) 段階(b6)で形成された非磁性スペーサ層と被覆接触する垂直異方性主記録層を形成する段階とを含み、
段階(b6)に段階(b7)が続く順次の継起が1回以上行われ、段階(b)が更に、非磁性スペーサ層、主記録層、安定化層間の少なくとも1つの界面に少なくとも1層の強磁性界面層を形成する別の段階(b8)を含んでいる。
(i) CoCrと、Pt,Ta,B,Mo,Ru,Si,Ge,Nb,Fe,Ni,およびWから選択された少なくとも1つの元素を含むCoCrとのうちから選択された約0.3〜約30nm(約3〜約300Å)厚の強磁性合金層、
(ii) 約1〜約30nm(約10〜約300Å)厚の、(CoX/Pd又はPt)n又は(FeX/Pd又はPt)n又は(FeCoX/Pd又はPt)n多層磁気超格子構造体層。この場合、nは2〜約25の整数であり、Co基、Fe基、又はCoFe基の磁性合金の交番層の各々は、厚さ約0.15〜約1nm(約1.5〜約10Å)であり、Xは、Pt,Ta,B,Mo,Ru,Si,Ge,Nb,Ni,Cr,およびWから成る元素群から選択された1つ以上の元素であり、非磁性Pd又はPtの交番層の各々は約0.3〜約1.5nm(約3〜約15Å)厚である。
段階(b1)は、Ni,NiFe(パーマロイ),Co,CoZr,CoZrCr,CoZrNb,CoTaZr,CoFe,Fe,FeN,FeSiAl,FeSiAlN,FeTaC,FeAlN,FeTaN,CoFeZr,FeCoB,およびFeCoCから選択された少なくとも1つの軟質強磁性材料を含む約50〜約400nm(約500〜約4,000Å)厚の層を形成する段階を含み、
段階(b2)は、Pt,Pd,Ir,Re,Ru,Hf、およびそれらの合金のうちから選択された少なくとも1つの非磁性材料、又はCr,Pt,Ta,およびBのうちの少なくとも1つを有する6方晶Co基非磁性合金の、約1〜約30nm(約10〜約300Å)厚の単数又は複数の層を含む少なくとも1層の中間層を形成する段階を含み、前記方法が、更に
(c) 主記録層を覆う保護層を形成する段階と、
(d) 該保護層を覆う潤滑表層とを形成する段階とを含んでいる。
(a) 硬質強磁性材料を含む垂直方向に間隔をおいた1対の垂直磁気異方性層と、
(b) 垂直方向に間隔をおいた1対の層を反強磁性結合する手段とを含み、これにより1対の層の磁気モーメントが反平行に配向され、それによりSMNR及び熱安定性が高められた媒体が得られる。
本発明は、次の認識に基づいている。すなわち、熱安定性およびSMNRが改善された極めて高面積記録密度の垂直磁気記録媒体が、少なくとも1対の垂直方向に間隔をおいた磁気的に硬質な垂直強磁性複数層を有する多層構造体、すなわち下層の安定化層(すなわち記録ヘッドから遠い層)と上層の主記録層(すなわち記録ヘッドに近い層)とを含む多層構造体を得ることで信頼かつ制御可能に製作することができ、間隔をおいた前記層が、磁気結合構造体を間挿されることにより互いに反強磁性結合され、それにより垂直強磁性層対の磁気モーメントが反平行に配向される。
本発明の方法により、従来技術では達成不可能であった幾つかの利点が得られる。該利点には、とりわけ、垂直記録媒体製造に通常使用される合金組成で構成された、垂直方向に間隔を有する磁気的に硬質の垂直強磁性層対の、反平行に配向されたRKKY型の高い磁気結合(AFC)が含まれ、したがって熱安定性およびSMNRが高められる。前記利点には、また、極めて高い面積記録密度の熱安定的な垂直磁気記録媒体を、信頼性のあり、制御可能で費用効果よく形成できることが含まれ、しかも該媒体は、従来の製造技術及び設備で、例えばスパッタリングの技術及び装置で製造できる。
この式において、Mr及びtは、それぞれ両層の残留磁化及び厚さを表す。したがって、AFCを利用することにより、小さな(Mrt)全体を有する安定的な記録媒体設計が達成できる。
更に、このような反強磁性結合(AFC)された媒体は、主記録層と安定化層との間の反強磁性結合により安定性が改善された。図4を見ると、そこには、残留保磁力(Hr)の変化が、磁界印加の持続時間(t)の関数として、VSM測定値で示されている。
図4には、データが次式を利用して描かれている。
この式において、HAは有効異方性磁界、Tは温度、kBはボルツマン定数、f0は〜3.5×1010Hzの測定周波数である。有効エネルギー障壁(KV)effは、線形近似により、従来の媒体の磁気結晶粒の場合は78.9kBT、本発明によるAFC媒体の主記録層磁気結晶粒の場合は81.9kBTと決定された。AFC媒体の磁気結晶粒の場合に観察された有効エネルギー障壁の増大は、主記録層と安定化層間との反強磁性結合に起因する。前記のデータは、垂直方向に間隔をおいた1対の垂直異方性磁性層を互いに反強磁性結合させて、該層の各々の磁気モーメントを反平行に整合させることにより、高い熱安定性とSMNRとを達成する本発明の概念の有効性を示している。
図5に示した本発明の第1実施例である磁気記録媒体20は、垂直方向に間隔をおいた1対の磁気的に硬質の垂直強磁性層、すなわち下側の安定化層と上側の主記録層とをRKKY型反強磁性結合(AFC)させるための非磁性スペーサ層を含んでいる。より詳しく言えば、媒体20は、媒体を構成する積層体を支持する非磁性基板2を含み、該基板2は、Al,NiPめっきAl、Al−Mg合金、他のAl基合金、他の非磁性金属、他の非磁性合金、ガラス、セラミックス、ポリマー、ガラス−セラミックス、これらの複合材料及び/又は積層物から成る群から選択された非磁性材料で形成されている。基板2の厚さは決定的な重要性はもたないが、ハードディスクに使用する磁気記録媒体の場合、基板2は、必要な剛性を得るために十分な厚さを有していなければならない。
図6〜図8の各々に示された本発明の実施例の場合、結合構造体は、垂直方向に間隔をおいた安定化層6と主記録層5との間に介在する非磁性スペーサ層7と、非磁性スペーサ層7と主記録層5及び/又は安定化層6との間の少なくとも1つの界面に両層6,5間のRKKY型結合を更に強化するために設けられた少なくとも1層の強磁性界面層8とから実質的に構成されている。
好ましくは、磁気結合構造体層を含む本発明の媒体の図示の薄膜層の各々は、従来式の物理的気相成長法(PVD)(ここでは簡潔化のため説明しない)、例えばスパッタリングにより、もしくはスパッタリング、真空蒸着法等から選択されたPVDの組み合わせにより被着又は他の形式で形成される。
本明細書には、本発明の好適実施例、それも多様な例のうちの若干例のみが開示されているにすぎない。本発明は、種々の他の組み合わせや環境で使用可能であり、ここに表された発明概念の範囲内で種々の変化形及び/又は変更態様が可能である。
Claims (20)
- 高面積記録密度の、反強磁性結合された垂直磁気記録媒体(20〜60)において、該記録媒体が
(a) 表面を有する非磁性基板(2)と、
(b) 前記基板表面上に形成された積層体と
を含み、前記積層体が、前記基板表面上に順次に形成される、下層(3)と、少なくとも1層の非磁性中間層(4)と、垂直磁気異方性安定化層(6)と、非磁性スペーサ層(7)と、垂直磁気異方性主記録層(5)とを含み、
前記下層(3)は、軟質磁性である強磁性材料を含むか、又は非磁性離隔層により隔離された軟質磁性の複数の強磁性材料層を含み、
前記垂直磁気異方性安定化層(6)および前記垂直磁気異方性主記録層(5)は、
(CoX/Pd又はPt)n又は(FeX/Pd又はPt)n又は(FeCoX/Pd又はPt)n多層磁気超格子構造体層であって、nは、2〜25の整数であり、Xは、Pt,Ta,B,Mo,Ru,Si,Ge,Nb,Ni,Cr,およびWから成る群から選択された少なくとも1つの元素である多層磁気超格子構造体であり、
前記垂直磁気異方性安定化層(6)と、前記垂直磁気異方性主記録層(5)とが、前記非磁性スペーサ層(7)を介して反強磁性結合され、それらの磁気モーメントを反平行に配向させた、反強磁性結合された垂直磁気記録媒体。 - 前記非磁性スペーサ層(7)が、垂直磁気異方性安定化層(6)と垂直磁気異方性主記録層(5)との反強磁性結合を最大化するように選択された0.2〜1.5nmの厚さを有し、かつRu,Rh,Ir,Cr,Cu,Re,V,およびこれらの合金から成る群のうちから選択された材料を含んでいる請求項1に記載された反強磁性結合された垂直磁気記録媒体。
- 前記積層体(b)が、更に、前記非磁性スペーサ層(7)、前記垂直磁気異方性主記録層(5)、および前記垂直磁気異方性安定化層(6)の間の少なくとも1つの界面に少なくとも1層の強磁性界面層(8)を含む請求項1または請求項2に記載された反強磁性結合された垂直磁気記録媒体。
- 前記少なくとも1層の強磁性界面層(8)が、前記非磁性スペーサ層(7)と前記垂直磁気異方性主記録層(5)との界面に設けられている請求項3に記載された反強磁性結合された垂直磁気記録媒体。
- 前記少なくとも1層の強磁性界面層(8)が、前記非磁性スペーサ層(7)と前記垂直磁気異方性安定化層(6)との界面に設けられている請求項3に記載された反強磁性結合された垂直磁気記録媒体。
- 前記少なくとも1層の強磁性界面層(8)が、前記非磁性スペーサ層(7)と、前記垂直磁気異方性主記録層(5)及び前記垂直磁気異方性安定化層(6)の各々との界面に設けられている請求項3に記載された反強磁性結合された垂直磁気記録媒体。
- 前記少なくとも1層の強磁性界面層(8)が、飽和磁化の値がMs>300emu/ccを有する、1原子層から4nmまでの厚さの強磁性材料層を含む請求項3から請求項6までのいずれか1項に記載された反強磁性結合された垂直磁気記録媒体。
- 前記少なくとも1層の強磁性界面層(8)が、
Fe,
Co,
FeCo、および
これらの合金であってCr,Pt,Ta,B,Mo,Ru,Si,Ge,Nb,Ni,Cu,Ag,Au,およびWから選択された少なくとも1つの元素を含有する合金のうちから選択された元素又は合金の層を含み、
合金内のCo,Fe,又はCoFeの濃度が、一定か、又は前記非磁性スペーサ層(7)との界面近くでのより高い値から、前記垂直磁気異方性安定化層(6)又は前記垂直磁気異方性主記録層(5)との界面近くでのより低い値まで、前記少なくとも1層の強磁性界面層(8)の厚さの両側で異なっている請求項7に記載された反強磁性結合された垂直磁気記録媒体。 - 前記積層体が、更に、前記垂直磁気異方性主記録層(5)と前記非磁性スペーサ層(7)との間に、付加的な少なくとも1つの積層対を含み、該積層対が、垂直磁気異方性磁性層(5)と非磁性スペーサ層(7)とを含むことにより、前記積層体が交番に磁性層(5)と非磁性スペーサ層(7)とを含むようにされ、前記磁性層の磁気エネルギーおよび前記磁性層間の結合エネルギーが、前記媒体のデータ記憶中に隣接磁性層の磁気モーメントを反平行に整合させるように選択される請求項1または請求項2に記載された反強磁性結合された垂直磁気記録媒体。
- 前記非磁性スペーサ層(7)、前記垂直磁気異方性主記録層(5)、および前記垂直磁気異方性安定化層(6)の間の少なくとも1つの界面に、少なくとも1層の強磁性界面層(8)を更に含む請求項9に記載された反強磁性結合された垂直磁気記録媒体。
- 前記垂直磁気異方性安定化層(6)と前記垂直磁気異方性主記録層(5)とが、それぞれ、1〜30nm厚の、(CoX/Pd又はPt)n又は(FeX/Pd又はPt)n又は(FeCoX/Pd又はPt)n多層磁気超格子構造体層を含み、Co基、Fe基、又はCoFe基の磁性合金の交番層の各々は、0.15〜1nm厚であり、非磁性Pd又はPtの交番層の各々は、0.3〜1.5nm厚である請求項1から請求項10までのいずれか1項に記載された反強磁性結合された垂直磁気記録媒体。
- 前記非磁性基板(2)が、Al,NiPめっきAl、Al−Mg合金、他のAl基合金、他の非磁性金属、他の非磁性合金、ガラス、セラミックス、ポリマー、ガラス−セラミックス、それらの複合材料及び/又は積層物から成る群から選択された材料を含み、
前記下層(3)が、Ni,NiFe(パーマロイ),Co,CoZr,CoZrCr,CoZrNb,CoTaZr,CoFe,Fe,FeN,FeSiAl,FeSiAlN,FeTaC,FeAlN,FeTaN,CoFeZr,FeCoB,およびFeCoCのうちから選択された少なくとも1つの軟質強磁性材料を含む50〜400nm厚の層を含み、
前記少なくとも1層の非磁性中間層(4)が、Pt,Pd,Ir,Re,Ru,Hf、これらの合金から選択された少なくとも1つの非磁性材料、又はCr,Pt,Ta,Bの少なくとも1つを有する6方晶Co基非磁性合金の、1〜30nm厚の単数又は複数層を含む請求項1から請求項11までのいずれか1項に記載された反強磁性結合された垂直磁気記録媒体。 - (c) 前記垂直磁気異方性主記録層(5)上に設けられた保護層(PO)と、
(d) 前記保護層(PO)上に設けられた潤滑表層(LT)とを更に含む請求項1から請求項12までのいずれか1項に記載された反強磁性結合された垂直磁気記録媒体。 - 高面積記録密度の、反強磁性結合された垂直磁気記録媒体を製造する方法において、
(a) 表面を有する非磁性基板(2)を得る段階と、
(b) 前記基板表面を覆う積層体を形成する段階とを含み、
該形成段階が、前記基板表面に順次の被覆層を形成する、以下の順次に積層する段階、すなわち
(b1) 軟質磁性である強磁性材料を含むか、又は非磁性離隔層によって隔離された軟質磁性の複数材料層を含む下層(3)を形成する段階と、
(b2) 少なくとも1層の非磁性中間層(4)を形成する段階と、
(b3) 垂直磁気異方性安定化層(6)を形成する段階と、
(b4) 非磁性スペーサ層(7)を形成する段階と、
(b5) 垂直磁気異方性主記録層(5)を形成する段階とを含み、
前記垂直磁気異方性安定化層(6)および前記垂直磁気異方性主記録層(5)は、
(CoX/Pd又はPt)n又は(FeX/Pd又はPt)n又は(FeCoX/Pd又はPt)n多層磁気超格子構造体層であって、nは、2〜25の整数であり、Xは、Pt,Ta,B,Mo,Ru,Si,Ge,Nb,Ni,Cr,およびWから成る群から選択された少なくとも1つの元素である多層磁気超格子構造体であり、
前記垂直磁気異方性安定化層(6)と前記垂直磁気異方性主記録層(5)とを、前記非磁性スペーサ層(7)を介して反強磁性結合させることにより、それらの磁気モーメントを反平行に配向させる、垂直磁気記録媒体を製造する方法。 - 前記段階(b4)が、垂直磁気異方性安定化層(6)と垂直磁気異方性主記録層(5)との間の反強磁性結合を最大化するように選択された、0.2〜1.5nm厚の非磁性材料層を形成する段階を含み、該材料層が、Ru,Rh,Ir,Cr,Cu,Re,V、およびこれらの合金から成る群から選択される、請求項14に記載された方法。
- 前記方法が、更に
(b6) 前記非磁性スペーサ層(7)、前記垂直磁気異方性主記録層(5)、および前記垂直磁気異方性安定化層(6)の間の少なくとも1つの界面に、少なくとも1層の強磁性界面層(8)を形成する段階を含み、
前記段階(b6)が、
(i) 前記非磁性スペーサ層(7)と前記垂直磁気異方性主記録層(5)との界面に、前記少なくとも1層の強磁性界面層(8)を形成する段階、
(ii) 前記非磁性スペーサ層(7)と前記垂直磁気異方性安定化層(6)との界面に、前記少なくとも1層の強磁性界面層(8)を形成する段階、
(iii) 前記非磁性スペーサ層(7)と前記垂直磁気異方性主記録層(5)及び前記垂直磁気異方性安定化層(6)との各々との界面に、前記少なくとも1層の強磁性界面層(8)を形成する段階のうちの1つの段階を含む請求項14または請求項15に記載された垂直磁気記録媒体を製造する方法。 - 前記段階(b6)が、1原子層から4nmまでの厚さの、飽和磁化の値がMs>300emu/ccを有する強磁性材料層を形成する段階を含み、
前記材料層が、Fe,Co,FeCo、およびこれらの合金であってCr,Pt,Ta,B,Mo,Ru,Si,Ge,Nb,Ni,Cu,Ag,Au,およびWから選択された少なくとも1つの元素を含有する合金から選択された元素又は合金を含み、
前記合金のCo,Fe,又はCoFeの濃度が、一定であるか、又は前記非磁性スペーサ層(7)との界面近くでのより高い値から、前記垂直磁気異方性安定化層(6)又は前記垂直磁気異方性主記録層(5)との界面近くでのより低い値まで、前記少なくとも1層の強磁性界面層(8)の厚さの両側で異なっている請求項16に記載された垂直磁気記録媒体を製造する方法。 - 前記段階(b)が、
(b6) 前記段階(b5)で形成された垂直磁気異方性主記録層(5)と被覆接触する非磁性スペーサ層(7)を形成する段階と、
(b7) 前記段階(b6)で形成された前記非磁性スペーサ層(7)と被覆接触する垂直磁気異方性主記録層(5)を形成する段階との順次の段階を更に含み、
前記段階(b6)から前記段階(b7)への継起が1回以上実施され、
前記段階(b)は、更に、前記非磁性スペーサ層(7)、前記垂直磁気異方性主記録層(5)、および前記垂直磁気異方性安定化層(6)の間の少なくとも1つの界面に、少なくとも1層の強磁性界面層(8)を形成する段階(b8)含む請求項14または請求項15に記載された垂直磁気記録媒体を製造する方法。 - 前記(CoX/Pd又はPt)n又は(FeX/Pd又はPt)n又は(FeCoX/Pd又はPt)n多層磁性超格子構造体層が1〜30nm厚を有し、Co基、Fe基、又はCoFe基の磁性合金の交番層の各々が、0.15〜1nm厚であり、非磁性Pd又はPtの交番層の各々が、0.3〜1.5nm厚である請求項14から請求18までのいずれか1項に記載された垂直磁気記録媒体を製造する方法。
- 前記段階(a)が、Al,NiPめっきAl、Al−Mg合金、他のAl基合金、他の非磁性金属、他の非磁性合金、ガラス、セラミックス、ポリマー、ガラス−セラミックス、これらの複合材料及び/又は積層物から成る群から選択された材料を含む非磁性基板(2)を得る段階を含み、
前記段階(b1)が、Ni,NiFe(パーマロイ),Co,CoZr,CoZrCr,CoZrNb,CoTaZr,CoFe,Fe,FeN,FeSiAl,FeSiAlN,FeTaC,FeAlN,FeTaN,CoFeZr,FeCoB,およびFeCoCから選択された少なくとも1つの軟質強磁性材料を含む50〜400nm厚の層を含む下層(3)を形成する段階を含み、
前記段階(b2)が、Pt,Pd,Ir,Re,Ru,Hf、およびこれらの合金から選択された少なくとも1つの非磁性材料、又はCr,Pt,Ta,Bの少なくとも1つを有する6方晶Co基非磁性合金の、1〜30nm厚の単数又は複数の層を含む少なくとも1層の非磁性中間層(4)を形成する段階を含み、
前記方法が、更に
(c) 前記垂直磁気異方性主記録層(5)上に保護層(PO)を形成する段階と、
(d) 前記保護層を被覆する潤滑表層(LT)を形成する段階とを含む請求項14から請求項19までのいずれか1項に記載された垂直磁気記録媒体を製造する方法。
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