KR20030095218A - 수직 자기 기록 매체, 그 제조 방법 및 자기 기억 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고밀도 기록 가능한 수직 자기 기록 매체, 그 제조 방법 및 자기 기억 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
수직 자기 기록 매체(10)는 기판(11) 상에 연자성 보강층(12), 비자성 중간층(13), 경질 자성 미립자(17)를 배열하여 형성한 기록층(14), 보호층(15) 및 윤활층(16)을 이 순서로 적층한 구성으로 되어 있다. 경질 자성 미립자(17)는 평균 입자 지름이 2 nm 이상 10 nm 이하, 입자 지름의 표준 편차가 상기 평균 입자 지름의 10% 이하, 입자의 평균 간극이 0.2 이상 5 nm 이하이며, 기록층(14)의 자화 용이축이 기판면에 대하여 수직으로 되어 있다.
Description
본 발명은 수직 자기 기록 매체, 그 제조 방법 및 그 수직 자기 기록 매체를탑재한 자기 기억 장치에 관한 것으로써, 특히 고밀도 기록에 알맞는 수직 자기 기록 매체, 그 제조 방법 및 그 수직 자기 기록 매체를 탑재한 자기 기억 장치에 관한 것이다.
최근에, 자기 기억 장치의 대용량화 및 소형화가 급속히 진행함에 따라, 예컨대, 면내(面內) 자기 기록 방식의 자기 디스크 장치에서는 기록 밀도가 연율 100%의 신장을 나타내고 있다.
한편, 수직 자기 기록 방식은 인접하는 기록한 자화 영역이 서로 반발하지 않기 때문에 반자장의 영향이 적고, 면내 기록 방식보다 한층 더 고밀도 기록이 가능하기 때문에, 최근 다시 주목받고 있다.
수직 자기 기록 매체의 기록 밀도를 향상하기 위해서는 신호 출력을 확보하는 동시에, 기록층의 매체 노이즈를 저감해야 한다. 그러기 위해서는, 기록층에 이용되는 경질 자성 금속 박막의 결정 입자 지름을 미세화 또한 균일화해야 한다. 종래의 기록층에는 CoCr계 합금의 박막이 이용되고 있다. CoCr계 합금에 V나 Nb 등을 첨가하여, 입자 지름을 미세화하는 수법이 취해지고 있다. 그러나, 미세화와 함께 결정 입자 지름 분포를 억제해야 하기 때문에, 더욱 고밀도 기록에 알맞는 기록층을 제조하는 것은 곤란하다.
기록층에 있어서 미세하고 또한 균일한 입자 지름의 경질 자성 미립자를 비교적 용이하게 얻는 수법으로서, Sun 기술진의 Science 제287권 제17호(2000) pp.1989 및 특허 공개 2000-54012호 공보에 개시되어 있는 화학적인 수법이 주목받고 있다. 본 공보 등에 따르면, 화학적으로 합성된 나노급 경질 자성 미립자가 분자간력으로 자기 배열하기 때문에, 이 수법은 규칙 바르게 경질 자성 미립자를 배열시킬 수 있다. 이와 같이 미립자가 배열된 기록층에서는 입자간 교환 상호 작용 및 정자기적 상호 작용이 저감되어, 매체 노이즈는 감소한다. 그러나, 이들의 상호 작용이 감소하기 때문에, 기록한 자화의 열적 안정성이 악화된다.
이러한 열적 안정성을 향상시키기 위해서는 높은 자기 이방성 에너지를 갖는 재료를 이용할 필요가 있다. 이러한 재료로서 FePt, CoFe, FePd 등의 규칙 합금이 검토되고 있다.
이 FePt 등의 미립자는 이러한 수법으로 화학적으로 합성하여 얻어진 상태에서는 자기 이방성 에너지 및 보자력이 낮아, 그대로는 기록 재생에 이용할 수 없다. 그래서, FePt 등을 규칙 합금화하여 자기 이방성 에너지를 높이기 위해서, 600℃ 정도의 온도로 열처리가 행해지고 있다. 또한, 이러한 열처리는 미립자의 산화를 방지하는 관점에서 진공의 환경에서 실시된다.
그러나, 단순히 이러한 열처리를 하더라도 경질 자성 미립자의 자기적 배향은 3차원에서 랜덤하게 되어 있다. 따라서, 수직 기록 방식으로 고밀도 기록을 행하려고 해도 충분한 재생 출력을 얻을 수 없기 때문에, 고밀도 기록을 행할 수 없는 문제가 생긴다.
또한, 수직 자기 기록 매체에 이용되고 있는 연자성 보강층은 비정질 혹은 미세 결정으로 이루어지는 다결정의 퍼몰로이(permalloy) 등이 이용되고 있지만, 고온에서의 열처리에 의해 보자력 및 자기 왜곡이 증가하고, 연자성 보강층의 연자성의 고주파 특성이 열화하기 때문에, 고밀도 기록을 행할 수 없는 문제가 생긴다.
또한, 이러한 고온의 열처리에서는 수직 자기 기록 매체의 기판에 이용되고 있는 유리 기판이나 알루미늄 기판은 연화되어, 평탄도가 악화된다. 고밀도 기록을 행하기 위해서는 기록 재생 헤드를 수직 자기 기록 매체에 수십 nm에 근접시켜야 하며, 이러한 평탄도가 악화된 수직 자기 기록 매체에서는 헤드 충돌(head crash) 등의 장해가 생겨 고밀도 기록을 행할 수 없는 문제가 생긴다.
따라서, 본 발명은 이러한 문제점들을 해결하기 위하여 고밀도 기록이 가능한 수직 자기 기록 매체, 그 제조 방법 및 그 수직 자기 기록 매체를 탑재한 자기 기억 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 본 실시예의 수직 자기 기록 매체의 구성을 도시하는 단면도.
도 2는 본 실시예의 수직 자기 기록 매체의 제조 공정도.
도 3은 스핀 코터(spin coater)의 개략 구성도.
도 4는 딥 코터(dip coater)의 개략 구성도.
도 5는 상전도(常電導) 자석을 이용한 자장 내의 열처리 장치의 구성을 도시하는 단면도.
도 6은 초전도 자석을 이용한 자장 내의 열처리 장치의 구성을 도시하는 단면도.
도 7은 수직 보자력과 열처리 온도의 관계를 도시한 도시도.
도 8은 경질 자성 미립자를 구성하는 FePt의 c축의 격자 상수와 열처리 온도의 관계를 도시한 도시도.
도 9는 제5 실시예의 수직 자기 기록 매체의 수직 보자력과 N2가스 분위기 압력의 관계를 도시한 도시도.
도 10은 제6 실시예 및 제7 실시예의 수직 자기 기록 매체의 X선 회절 패턴을 도시한 도시도.
도 11은 자기 기억 장치의 일 실시예의 주요부를 도시하는 단면도.
도 12는 도 11에 도시하는 자기 기억 장치의 일 실시예의 주요부를 도시하는 평면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10: 수직 자기 기록 매체
11: 기판
12: 연자성 보강층
13: 비자성 중간층
14: 기록층
15: 보호층
16: 윤활층
17: 경질 자성 미립자
50, 60: 자장 내의 열처리 장치
120: 자기 기억 장치
청구항 1에 기재한 바와 같이, 기판의 상측에 경질 자성 미립자를 배열하여 형성한 기록층을 갖는 수직 자기 기록 매체로서, 상기 경질 자성 미립자의 입자 지름의 평균이 2 nm 이상 10 nm 이하, 상기 입자 지름의 표준 편차가 상기 입자 지름의 평균의 10% 이하, 상기 경질 자성 미립자간의 평균 간극이 0.2 nm 이상 5 nm 이하이며, 상기 기록층의 자화 용이축이 상기 기판의 면에 대하여 수직이다.
청구항 1에 기재한 발명에 따르면, 경질 자성 미립자의 입자 지름이 미소하며, 입자 지름의 분산이 억제되어, 경질 자성 미립자간의 평균 간극이 일정한 범위로 억제되어 있다. 따라서, 경질 자성 미립자간의 교환 상호 작용 및 정자기적 상호 작용이 억제되어, 매체 노이즈가 저감된다. 또한, 기록층의 자화 용이축이 기판면에 대하여 수직인 것, 즉, 기록층이 수직 자기 이방성을 가짐으로써 수직 자기기록에 의해 충분한 재생 출력을 얻을 수 있다. 따라서, 고밀도 기록이 가능해진다.
또, 「상기 기록층의 자화 용이축이 상기 기판의 면에 대하여 수직이다.」란, 개개의 경질 자성 미립자의 자화 용이축이 이 수직 방향을 중심으로 하여 각도 분포하고 있다는 것이다. 이 각도 분포는 기판면 즉 기록층의 막면에 대하여 수직 방향의 보자력(HC1)(이하 「수직 보자력」이라고 함)과, 기판면에 평행 방향의 보자력(HC2)(이하 「면내 보자력」이라고 함)의 비 HC2/HC1에 의해 나타낸다. HC2/HC1은 바람직하게는 30% 이하, 더욱 바람직하게는 10% 이하이다. 이러한 범위에서는 기록 후의 잔류 자화 상태의 자화 천이 영역의 폭이 협소해져, 고밀도 기록에 알맞는 수직 자기 기록 매체를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 2에 기재되는 바와 같이, 청구항 1에 기재한 수직 자기 기록 매체에 있어서 상기 경질 자성 미립자는 Fe, Co, Ni, Pt 및 Pd으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 2 종류 이상의 원소를 포함한다.
청구항 2에 기재한 발명에 따르면, 기록층을 형성하는 경질 자성 미립자에 예컨대, FePt, CoPd 등의 합금이 이용된다. 이러한 합금은 강자성을 나타내고, 자기 이방성 에너지가 높고, 자화 용이축이 기판에 수직 방향으로 향하고 있는 것에 의해 수직 보자력이 보다 높아진다. 따라서, 고기록 밀도에서도 자화 천이 영역이 협소한 기록 비트가 형성되어, 충분한 재생 출력을 얻을 수 있다. 또한, 이러한 합금은 예컨대, 자장 내의 열처리에 의해 원자 배열의 규칙화와 함께 보자력이 증가하고, 또한 경질 자성 미립자의 자화 용이축을 기판면에 대하여 수직으로 향하게 할 수 있다. 또, Co, Fe 또는 Ni만으로 이루어지는 일원계(一元系)의 경질 자성 미립자는 강자성을 나타낸다. 그러나, 자기 이방성 에너지가 충분하지 않기 때문에 고밀도 기록에는 적당하지 않다.
청구항 3에 기재되는 바와 같이, 기판의 상측에 경질 자성 미립자를 배열하여 형성한 기록층을 갖는 수직 자기 기록 매체의 제조 방법으로서, 상기 기록층에 수직 방향으로 자장을 인가하면서, 상기 기록층을 가스 분위기 중에서 가열하는 자장 내의 열처리 공정을 포함하고, 상기 자장 내의 열처리 공정은 상기 기록층의 자화 용이축을 상기 기판면에 대하여 수직 방향으로 한다.
청구항 3에 기재한 발명에 따르면, 기록층에 수직 방향으로 자장을 인가하여 상기 기록층을 가스 분위기 중에서 가열함으로써 경질 자성 미립자를 구성하는 합금의 원자 배열의 규칙화와 함께 자화 용이축을 기판의 면에 대하여 수직 방향으로 할 수 있다. 따라서, 수직 보자력이 증가하여 고밀도 기록을 행할 수 있다.
또한, 청구항 4에 기재되는 바와 같이, 청구항 3에 기재한 수직 자기 기록 매체의 제조 방법에 있어서, 상기 자장 내의 열처리 공정은 상기 가스 분위기 압력이 높을수록 보다 저온에서 열처리한다.
청구항 4에 기재한 발명에 따르면, 동일한 열처리 온도에서는 자장 내의 열처리 공정의 가스 분위기 압력이 높을수록 수직 보자력이 높아진다. 따라서, 가스 분위기 압력을 높게 함으로써 보다 낮은 열처리 온도에서 원하는 수직 보자력의 수직 자기 기록 매체를 얻을 수 있고, 기판의 평탄도 및 연자성 보강층의 고주파 특성의 악화를 방지할 수 있다.
청구항 5에 기재되는 바와 같이, 청구항 1 또는 2에 기재한 수직 자기 기록 매체를 갖춘 자기 기억 장치이다.
청구항 5에 기재한 발명에 따르면, 수직 자기 기록 매체가 저매체 노이즈 및 수직 자기 이방성을 나타내기 때문에 고밀도 기록이 가능한 자기 기억 장치를 제공할 수 있다.
이하, 도면에 기초하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
도 1은 본 실시예의 수직 자기 기록 매체의 단면도이다. 도 1을 참조하는 데에, 수직 자기 기록 매체(10)는 기판(11) 상에 연자성 보강층(12), 비자성 중간층(13), 경질 자성 미립자(17)로 이루어지는 기록층(14), 보호층(15) 및 윤활층(16)을 이 순서대로 적층한 구성으로 되어 있다.
기판(11)은 예컨대, 결정화 유리 기판, 강화 유리 기판, 알루미늄 기판, Si 웨이퍼, 플라스틱 기판, PET 필름 등을 이용할 수 있다. 바람직하게는, 내열성의 관점에서 결정화 유리 기판, Si 웨이퍼 등을 이용할 수 있다.
연자성 보강층(12)은 예컨대, 두께가 100 nm 내지 2 ㎛이며, Fe, Co, Ni, Al, Si, Ta, Ti, Zr, Hf, V, Nb, C 및 B로 이루어지는 군으로부터 선택된 것 중 적어도 1종류의 원소를 포함하는 비정질 혹은 미세 결정의 합금, 또는 이들 합금의 적층막 등의 포화 자속 밀도(Bs)가 높은 연자성 재료에 의해 구성된다. 예컨대, FeAlSi, FeTaC, NiFeNb(Bs=0.7 T), CoCrNb(Bs=1.2 T) 등이 이용된다. 연자성 보강층(12)은 도금법, 스퍼터법, 증착법, CVD법(화학 기상 성장법) 등에 의해 형성된다. 연자성 보강층(12)은 단자극 헤드에 의해 기록하는 경우에 단자극의 헤드로부터의 모든 자속을 흡수하기 위한 것으로, 포화 기록하기 위해서는 포화 자속 밀도(Bs)와 막 두께의 곱의 값이 큰 쪽이 바람직하다. 또한, 연자성 보강층(12)은 연자성의 고주파 특성, 예컨대, 고주파 투자율이 높은 쪽이 바람직하다. 고전송 속도에서의 기록이 가능해진다. 또, 링형 헤드에 의해 기록하는 경우는 연자성 보강층(12)을 설치하지 않더라도 좋다.
비자성 중간층(13)은 예컨대, 두께가 1 nm 내지 50 nm이며, Ti, C, Pt, TiCr, CoCr, SiO2, MgO, Al2O3등의 비자성 재료에 의해 구성된다. 또한, 비자성 중간층(13)은 이들 합금을 이용한 적층막이어도 좋다. 비자성 중간층(13)은 스퍼터법, 증착법, CVD법 등에 의해 형성된다. 비자성 중간층(13)은 연자성 보강층(12)과 기록층의 정자기적 상호 작용을 차단하기 위해 설치되어 있다.
기록층(14)은 배열된 구형의 경질 자성 미립자(17)와, 그 경질 자성 미립자(17) 사이를 메우도록 하여 배열을 고정한다, 예컨대, 비결정질 카본으로 구성되어 있다. 기록층(14)은 예컨대, 두께가 3 nm 내지 50 nm로 설정된다. 또한, 기록층(14)은 경질 자성 미립자(17)의 층이 막 두께방향으로 수개의 층으로 적층되어 있어도 좋고, 단층이어도 좋다.
경질 자성 미립자(17)는 예컨대, FePt, FePd, CoPt 또는 CoPd 등의 합금이 이용되고 있다. 이들 합금은 자기 이방성 에너지가 높아, 보다 높은 수직 보자력을 얻을 수 있다. 예컨대, Fe100-XPtX, Fe100-XPdX, Co100-XPtX, 및 Co100-XPdX는 바람직하게는X=20 at%∼60 at%, 더욱 바람직하게는 X=35 at%∼55 at%의 범위에서 선택된다. 이러한 범위의 조성에서는 보다 자기 이방성 에너지가 높아, 보다 높은 수직 보자력을 얻을 수 있다.
또한, 이들 합금에 제3 원소로서 예컨대 N, B, C 또는 P 등이 첨가되어 있어도 좋다. 또한 자기 이방성 에너지를 높여, 보다 높은 수직 보자력을 얻을 수 있다.
경질 자성 미립자(17)의 평균 입자 지름은 2 nm 이상 10 nm 이하의 범위로 설정된다. 평균 입자 지름이 10 nm을 넘으면 경질 자성 미립자(17) 사이의 비자성인 간극 부분의 체적이 커져, 매체 노이즈가 증가한다. 평균 입자 지름이 2 nm 미만이 되면 경질 자성 미립자(17)는 실온에서 초상 자성이 되기 쉬워, 강자성을 유지할 수 없다.
또, 경질 자성 미립자(17)의 입자 지름의 표준 편차는 평균 입자 지름의 10% 이하의 범위로 설정된다. 평균 입자 지름의 10%를 넘으면 경질 자성 미립자(17)의 정자기적 상호 작용의 분포가 커져, 매체 노이즈가 증가한다.
또한, 경질 자성 미립자(17) 사이의 평균 간극, 즉, 인접하는 경질 자성 미립자(17) 사이의 간극의 평균치는 0.2 이상 5 nm 이하의 범위로 설정된다. 평균 간극이 5 nm을 넘으면 경질 자성 미립자(17) 사이의 비자성인 간극 부분의 체적이 커져, 매체 노이즈가 증가하거나, 또는 재생 출력이 저하한다. 평균 간극이 O.2 nm 미만이면 경질 자성 미립자(17) 사이의 교환 상호 작용이 증가하여, 매체 노이즈가 증가한다.
기록층(14)의 자화 용이축은 기판면에 대하여 수직 방향을 향하고 있다. 즉, 개개의 경질 자성 미립자(17)의 자화 용이축이 이 수직 방향을 중심으로 하여 각도 분포하고 있다. 이 각도 분포는 수직 보자력(HC1)과 면내 보자력(HC2)의 비 HC2/HC1에 의해 나타낸다. HC2/HC1는 바람직하게는 30% 이하, 더욱 바람직하게는 10% 이하이다. 이러한 범위에서는 기록 후의 잔류 자화 상태의 자화 천이 영역의 폭이 협소해져, 고밀도 기록에 알맞는 수직 자기 기록 매체를 얻을 수 있다.
보호층(15)은 예컨대, 두께가 0.5 nm 내지 15 nm이며, 카본, 수소화 카본, 질화 카본 등에 의해 구성된다. 보호층(15)은 스퍼터법, CVD법 등에 의해 형성된다.
또한 게다가, 윤활층(16)이 두께가 0.5 nm 내지 5 nm이며, 예컨대, 퍼플루오르 폴리에테르(perfluoro polyether)가 주쇄(main chain)인 윤활제 등에 의해 구성된다. 윤활층(16)은 딥법 등에 의해 형성된다.
이하, 도 2를 참조하여 본 실시예의 수직 자기 기록 매체(10)의 제조 방법에 관해서 설명한다. 도 2는 수직 자기 기록 매체(10)의 제조 공정을 도시한 도면이다.
도 2를 참조하는 데에, 수직 자기 기록 매체(10)의 제조 공정은 미립자 헥산 용액을 조제하는 공정(단계 101∼단계 103)과, 미립자 헥산 용액을 도포하기 위한 기판(21)을 준비하는 공정(단계 104, 단계 105)과, 미립자 헥산 용액을 도포하여 기록층(14)을 형성하여 자장 내의 열처리하는 공정(단계 106∼단계 109)에 의해 이루어져 있다.
우선, 미립자 헥산 용액을 조제하는 공정(단계 101∼단계 103)에 있어서는, 금속 전구체 용액의 형성(단계 101), 미립자의 생성(단계 102), 미립자의 정제(단계 103)를 이 순서로 행한다.
[금속 전구체 용액의 형성(단계 101)]
Pt 착체, 예컨대, 0.5m mol의 아세틸아세토나토 백금 Pt(C5H7O2)2와, 환원제, 예컨대, 1.5m mol의 1,2-헥사데칸디올을 용매인 20 cm3의 디옥틸에테르에 N2분위기 중 100℃에서 용해한다.
여기에, Fe 착체, 예컨대, 1m mol의 펜타카르보닐철 Fe(CO)5와, 안정제, 예컨대, 0.5m mol의 올레인산 및 0.5m mol의 올레아민을 가한다. 이것이 금속 전구체 용액이다. 그리고, 이들을 환류, 교반하면서 297℃까지 가열한다. 또, Pt 착체와 Fe 착체의 양의 비에 의해 생성하는 FePt의 미립자의 조성을 제어할 수 있다.
[미립자의 생성(단계 102)]
다음에, 상기 금속 전구체 용액을 297℃에서 30분간 교반하여, 미립자를 성장시킨다. 이에 따라, Fe50Pt50의 입자 지름 6 nm, 평균 간극 4 nm인 미립자가 생성된다. 미립자는 상기 안정제에 의해서 표면이 덮어져 안정적으로 되어, 공기중에서도 취급할 수 있다.
또, 미립자의 평균 간극은 안정제의 종류에 의해 제어할 수 있다. 예컨대,헥산산과 헥실아민을 이용하면 미립자의 평균 간극을 1 nm로 할 수 있다. 또한, 이 미립자는 후술하는 자장 내의 열처리에 의해 강자성을 갖는 경질 미립자가 되지만, 이 단계에서는 강자성을 갖고 있지 않다.
[미립자의 정제(단계 103)]
다음에, 미립자에 부착되어 있는 합성 부산물이나 미반응의 시약을 제거한다. 에탄올을 가하여 미립자를 침전시켜, 원심 분리기에 의해 상층액을 제거한다. 또한 헥산에 재분산시켜 에탄올을 가하고, 미립자를 침전시켜, 원심 분리기에 의해 상층액을 제거하고 재정제한다.
다음에, 도 2를 참조하는 데에, 미립자 헥산 용액을 도포하기 위한 기판(21)을 준비하는 공정에서는 기판(11) 상에의 연자성 보강층의 성막(단계 104), 비자성 중간층(13)의 성막(단계 105)을 이 순서로 행한다.
[연자성 보강층의 성막(단계 104)]
예컨대, 2.5 인치의 Si 기판의 표면을 열산화시켜 SiO2를 형성한 기판(11) 상에 전술한 연자성 보강층(12)의 성막(101)을 도금법, 스퍼터법, 증착법 등에 의해 행한다.
[비자성 중간층(13)의 성막(단계 105)]
연자성 보강층(12) 상에 전술한 비자성 중간층(13)의 성막(102)을 도금법, 스퍼터법, 증착법, CVD법 등에 의해 행한다.
다음에, 도 2를 참조하는 데에, 미립자 헥산 용액을 도포하여 기록층을 형성하여 자장 내의 열처리하는 공정(단계 106∼단계 109)에 있어서는, 비자성 중간층 (13)까지 성막한 기판(21) 상의 미립자 헥산 용액의 도포(단계 106)와, 다음에 미립자를 규칙화하여 강자성 및 수직 자기 이방성을 생기게 하기 위한 자장 내의 열처리(단계 107)와, 기록층(14) 상에의 보호층(15)의 성막(단계 108)과, 보호층(15) 상에의 윤활층(16)의 도포(단계 109)를 이 순서로 행한다.
[미립자 헥산 용액의 도포(단계 106)]
미립자를 헥산에 재분산시킨 농도가 5 mg/cm3의 헥산 용액 약1.3 cm3을 비자성 중간층(13)까지 적층한 기판(21)에 예컨대, 스핀 코터에 의해 도포한다. 도 3은 스핀 코터(30)의 개략 구성을 도시한 도면이다. 도 3을 참조하는 데에, 스핀 코터(30)는 미립자를 분산시킨 헥산 용액을 적하하는 공급기(31)와 기판(21)을 회전시키는 스핀들(32)로 이루어진다. 우선, 비자성 중간층(13)까지 형성된 기판(21)을 스핀들(32)에 부착하여, 스핀들(32)을 예컨대, 도 3에 도시하는 화살표 방향으로 저속으로 회전시킨다. 소정의 양이 적하한 후, 화살표 방향으로 고속으로 회전하여 헥산 용액을 기판(21) 전면에 확산시킨다. 이 고속 회전의 속도 또는 헥산 용액의 농도를 조제함으로써 미립자의 층수를 제어할 수 있다.
또한, 스핀 코터에 의한 방법으로 바꿔, 딥법에 의해 기판(21)의 양면에 동시에 미립자를 분산시킨 헥산 용액을 도포할 수 있다. 도 4는 딥 코터의 개략 구성을 도시한 도면이다. 도 4를 참조하는 데에, 상기 소정의 농도로 조정된 헥산 용액을 가득 채운 튜브(41)에 기판(21)을 일정 시간 침지한 후, 기판(21)을 도 4에 도시하는 화살표 Z의 방향으로 일정 속도로 끌어올린다. 이 속도 또는 헥산 용액의 농도를 조제함으로써 미립자의 층수를 제어할 수 있다.
다음에, 헥산 용액을 도포한 기판(22)을 약 5분간 건조시킨다. FePt의 미립자는 자기 조직화하여 다층 테라스형 초격자 구조를 취한다. 이상으로부터, 미립자를 배열한 기록층(14)이 비자성 중간층(13) 상에 형성된다. 또, 이 단계에서는 미립자는 실온에서 강자성을 갖고 있지 않기 때문에 기록층(14)은 강자성을 갖고 있지 않다.
[자장 내의 열처리(단계 107)]
다음에, 자장 내에서 열처리를 행한다. 우선, 후술하는 자장 내의 열처리 장치의 챔버 내에 기록층(14)을 형성한 기판(22)을 배치하여, 챔버내를 예컨대, 약10-5Pa 정도까지 배기하여, 후술하는 기체로 소정의 분위기 압력으로 한다. 자장을 인가하면서 소정의 열처리 온도까지 승온시킨 후에, 일정 시간 동안 열처리를 행하여 온도를 떨어 뜨린다.
도 5는 자장 내의 열처리 장치의 일례를 도시한 도면이다. 도 5는 상전도 자석을 이용한 자장 내의 열처리 장치(50)의 구성을 도시하는 단면도이다.
도 5를 참조하는 데에, 자장 내의 열처리 장치(50)는 다른 자극을 가져 대향하는 상전도 자석(52)과, 그 내측에 2개의 대향하는 히터(51)와, 또한 그 내측에 기록층(14)을 형성한 기판(22)을 배치하는 지그(도시하지 않음)와, 기판(22)을 둘러싸는 챔버(53)를 포함하는 구성으로 되어 있다. 히터(51)는 예컨대, 세라믹히터(PBN 히터(열분해 질화붕소 히터)) 또는 램프 히터 등이 이용된다. 또한, 상전도 자석(52)은 직류 자장을 인가하기 위한 것으로, 기판(22) 전면에 균일힌 자장이 인가되도록 되어 있다.
기판(22)을 지그에 배치하여 상전도 자석(52)에 의해 직류 자장을 기판(22)에 대하여 수직 방향, 예컨대 도 5에 도시하는 화살표 H의 방향으로 인가하고, 동시에 히터(51)에 의해 기판(22)을 가열한다.
또한, 자장 내의 열처리 장치는 상전도 자석(52)으로 바꿔 초전도 자석을 이용한 장치라도 좋다. 도 6은 초전도 자석을 이용한 자장 내의 열처리 장치(60)의 구성을 도시하는 단면도이다.
도 6을 참조하는 데에, 자장 내의 열처리 장치(60)는 원통형의 초전도 자석(63)과, 초전도 자석(63)의 중앙 개구부에 배치된 히터(62)와, 그 히터(62)의 내부에 기판(22)을 배치하기 위한 웨이퍼형 지그(도시하지 않음)와, 기판(22)을 둘러싸는 챔버(61)를 포함하는 구성으로 되어 있다. 히터(62)는 자장 내의 열처리 장치(50)의 히터(51)와 같은 것이 이용된다. 기판(22)을 지그에 배치하여 초전도 자석(63)에 의해 직류 자장을 기판(22)에 대하여 수직 방향, 예컨대 도 6에 도시하는 화살표 H의 방향으로 인가하면서 히터(62)에 의해 기판(22)을 가열한다.
자장의 크기는 790 kA/m(10 kOe)∼7900 kA/m(100 kOe)의 범위로 설정된다. 790 kA/m(10 kOe) 미만에서는 경질 자성 미립자(17)의 수직 배향성이 충분하게 촉진하지 않고, 7900 kA/m보다 크면 초전도 자석(63) 등이 규모가 커져 실용적이지 않다.
열처리의 온도는 200℃ 내지 600℃의 범위로 설정된다. 600℃를 넘으면 높은 보자력은 얻을 수 있지만, 결정화 유리 기판 등의 기판이 연화되어 평탄도가 악화한다. 또한, 200℃보다 낮으면 경질 자성 미립자(17)가 충분한 보자력을 얻을 수 없다. 열처리의 온도는 바람직하게는 300℃ 내지 500℃의 범위로 설정된다. 이 온도 범위에서는 기판 재료에 강화 유리를 이용할 수 있어, 연자성 보강층의 자기 특성의 열화를 방지할 수 있다.
열처리의 가스 분위기의 기체는 N2, He, Ne, Ar, Kr, Xe 및 H2로 이루어지는 군으로부터 적어도 1종류의 기체가 선택된다. 불활성 또는 환원성을 갖는 기체에 의해 경질 자성 미립자(17) 및 자성 보강층(12)의 산화를 방지할 수 있다. 가스 분위기의 기체는 바람직하게는 N2가 선택된다. N2는 FePt 등의 경질 자성 미립자(17)를 구성하는 합금과 침입형 합금을 형성하고, Ar 등과 비교하여 높은 수직 보자력을 달성할 수 있기 때문에, 열처리 온도를 낮게 할 수 있다.
또한, 열처리의 가스 분위기의 압력은 1 Pa 내지 10+6Pa의 범위로 설정된다. 동일한 열처리 온도에서는 압력이 클수록 기록층(14)의 보자력이 증가한다. 1 Pa보다 낮으면 보자력이 증가하지 않는다. 보다 바람직하게는 10+3Pa 내지 10+6Pa의 범위로 설정된다.
열처리 시간, 즉 전술한 자장을 인가하면서 전술한 열처리 온도로 유지하는 시간은 10분 내지 120분으로 설정된다. 열처리 시간이 길수록 보자력이 증가하지만, 생산 효율의 관점에서 30분이 바람직하다.
[보호층(15)의 성막(단계 108)]
다음에, 기록층(14)의 위에 보호층(15)의 성막을 행한다. 보호층(15)에는 카본, 수소화 카본, 질화 카본 등이 이용된다. 예컨대 H2가스 분압이 조정된 Ar 가스와 H2가스의 혼합 분위기에서 카본을 스퍼터링함으로써 전술한 막 두께의 수소화 카본으로 이루어지는 보호층(15)을 형성한다.
[윤활층(16)의 도포(단계 109)]
다음에, 보호층(15)의 위에 윤활층(16)의 도포를 행한다. 윤활층(16)에는 예컨대, 퍼플루오르 폴리에테르가 주쇄인 윤활제가 이용된다. 예컨대, Ausimont사에서 제조한 Fomblin AM3001 용액을 이용하여 딥법에 의해 전술한 막 두께의 윤활층을 도포한다.
이상으로부터, 도 1에 도시하는 수직 자기 기록 매체(10)가 형성된다.
이하, 본 발명에 의한 실시예 1∼7 및 본 발명에 의하지 않는 비교예를 설명한다.
(실시예 1)
본 실시예의 수직 자기 기록 매체는 도 1에 도시한 바와 같이 Si 웨이퍼의 표면을 열산화하여 SiO2를 형성한 기판(11) 상에 두께 200 nm의 미세 결정 FeAlSi으로 이루어지는 연자성 보강층(12)과, 두께 10 nm의 Al2O3으로 이루어지는 비자성 중간층(13)과, Fe50Pt50의 경질 자성 미립자에 의해 형성된 기록층(14)과, 두께 4 nm의 수소화 카본으로 이루어지는 보호층(16)과, 두께 1.0 nm의 Fomblin AM3001으로 이루어지는 윤활층으로 구성되어 있다.
기록층(14)을 형성한 후의 자장 내의 열처리는 감압 N2분위기(N2가스압 1.5×104pa)에서 자장 3950 kA/m(50 kOe)을 인가하여, 30분간 행하였다. 열처리는 3개의 온도 조건, 즉 460℃, 480℃, 530℃ 에서 행하였다.
기록층은 Fe50Pt50의 경질 자성 미립자(17)로 이루어진다. 경질 자성 미립자(17)의 평균 입자 지름은 6.0 nm, 입자 지름의 표준 편차는 평균 입자 지름에 대하여 8%, 평균 간극은 4.0 nm이었다. 또, 측정은 HRTEM(고분해능 투과형 전자 현미경)을 이용하여 기록층(14)의 상을 촬영하였다. 그 사진(사진 상에서 200만배)을 이용하여 100개의 경질 자성 미립자(17)에 관해서 개개의 경질 자성 미립자(17)의 이미지의 면적을 측정하여, 그 이미지가 원이라고 가정하여 직경을 구하여, 평균 입자 지름 및 입자 지름의 표준 편차를 구하였다. 경질 자성 미립자(17)의 평균 간극은 100개의 경질 자성 미립자(17)간의 간극을 측정하였다.
(실시예 2)
본 실시예의 수직 자기 기록 매체는 실시예 1과 같이 구성되어 있다.
기록층(14)을 형성한 후의 자장 내의 열처리는 감압 Ar 분위기(Ar 가스압 1.5×104pa)에서 자장 3950 kA/m(50 kOe)을 인가하여 30분간 행하였다. 열처리는 4개의 온도 조건, 즉 460℃, 480℃, 530℃, 560℃ 에서 행하였다.
(실시예 3)
본 실시예의 수직 자기 기록 매체는 실시예 1과 같이 구성되어 있다.
기록층(14)을 형성한 후에 자장 내의 열처리는 가압 N2분위기(N2가스 압력 2.5×105pa)에서 자장 3950 kA/m(50 kOe)을 인가하여 30분간 행하였다. 열처리는 3개의 온도 조건, 즉 360℃, 400℃ 에서 행하였다.
(실시예 4)
본 실시예의 수직 자기 기록 매체는 실시예 1과 같이 구성되어 있다.
기록층(14)을 형성한 후의 자장 내의 열처리는 가압 Ar 분위기(Ar 가스 압력 2.5×105pa)에서 자장 3950 kA/m(50 kOe)을 인가하여 30분간 행하였다. 열처리는 3개의 온도 조건, 즉 360℃, 400℃, 430℃ 에서 행하였다.
(비교예 1)
본 발명에 의하지 않는 비교예의 수직 자기 기록 매체는 실시예 1과 같이 구성되어 있다.
기록층을 형성한 후의 자장 내의 열처리는 진공중(진공도 2×10-4Pa)에서 자장 3950 kA/m(50 kOe)을 인가하여 30분간 행하였다. 열처리는 2개의 온도 조건, 즉 530℃, 580℃ 에서 행하였다.
도 7은 수직 보자력과 열처리 온도의 관계를 도시한 도면이다. 도 7을 참조하는 데에, 실시예 1 내지 실시예 4의 수직 자기 기록 매체는 열처리 온도를 높게 하면 수직 보자력(HC1)이 증가하고 있다는 것을 알 수 있다. 예컨대, 실시예 3의 열처리 온도가 400℃인 경우는 수직 보자력(HC1)이 514 kA/m이다. 또한 ,이 경우 면내 방향의 보자력(HC2)은 130 kA/m이기 때문에 HC2/HC1=25%가 되어, 자화 용이축이 기판에 대하여 수직으로 되어 있다는 것을 알 수 있다.
한편, 비교예 1의 수직 자기 기록 매체는 580℃의 열처리 온도에서도 수직 보자력이 증가하지 않는다는 것을 알 수 있다.
또한, 실시예 1과 실시예 3, 또는 실시예 2와 실시예 4를 비교하면, 동일한 가스 분위기의 기체에서는 가스 분위기의 압력이 높을수록 보다 낮은 열처리 온도에서 동일한 수직 보자력을 얻을 수 있다는 것을 알 수 있다.
또한, 실시예 1과 실시예 2, 또는 실시예 3과 실시예 4를 비교하면, 동일한 분위기 압력에서는 Ar 가스 분위기보다 N2가스 분위기쪽이 보다 낮은 열처리 온도에서 동일한 수직 보자력을 얻을 수 있다는 것을 알 수 있다.
도 8은 경질 자성 미립자를 구성하는 FePt의 c축의 격자 상수와 열처리 온도의 관계를 도시한 도면이다. 도 8을 참조하는 데에, 열처리 온도를 높게 하면 c축의 격자 상수가 작아지고 있다. FePt는 일반적으로 규칙화에 따라 c축의 격자 상수가 작아지기 때문에, 열처리 온도를 높게 하면 규칙화가 촉진된다는 것을 알 수 있다. 특히, 실시예 1과 실시예 3, 또는 실시예 2와 실시예 4를 비교하면, 동일한 분위기 압력에서 Ar 가스 분위기보다 N2가스 분위기로 열처리한 쪽이 c축의 격자 상수가 작아지고 있기 때문에 보다 규칙화가 촉진하고 있다는 것을 알 수 있다. 또, 격자 상수는 X선 회절계법에 의해 구하였다.
(실시예 5)
본 실시예의 수직 자기 기록 매체는 실시예 1과 같이 구성되어 있다.
기록층(14)을 형성한 후에 자장 내의 열처리를 N2분위기에서 자장 3950 kA/m(50 kOe)을 인가하여, 530℃에서 30분간 행하였다. N2가스 압력을 3조건으로서, 각각 5 Pa, 1.5×102Pa, 1.5×104Pa로 하였다.
(비교예 2)
본 발명에 의하지 않는 비교예의 수직 자기 기록 매체는 실시예 1과 같이 구성되어 있다.
기록층(14)을 형성한 후의 자장 내의 열처리를 N2가스 압력을 2×10-4pa로 한 외에는 실시예 5와 동일하게 하였다.
도 9는 실시예 5 및 비교예 2의 수직 자기 기록 매체의 수직 보자력과 N2분위기 가스 압력과의 관계를 도시한 도면이다. 도 9를 참조하는 데에, 비교예 2에 대하여 실시예 5는 N2분위기 가스 압력이 높을수록 수직 보자력이 높아진다는 것을 알 수 있다. 특히 약1 Pa 이상으로 수직 보자력이 증가하고 있다는 것을 알 수 있다.
(실시예 6)
본 실시예의 수직 자기 기록 매체는 실시예 1과 같이 구성되어 있다.
기록층(14)을 형성한 후에 자장 내의 열처리는 감압 N2분위기(N2가스 압력 1.5×104pa)에서 자장 3950 kA/m(50 kOe)을 인가하여 30분간 행하였다. 열처리는 460℃의 온도에서 행하였다.
(실시예 7)
본 실시예의 수직 자기 기록 매체는 실시예 1과 같이 구성되어 있다.
기록층(14)을 형성한 후의 자장 내의 열처리는 가압 N2분위기(N2가스 압력 2.5×105Pa)에서 자장 3950 kA/m(50 kOe)을 인가하여 30분간 행하였다. 열처리 온도를 460℃로 하였다.
도 10은 실시예 6 및 실시예 7의 수직 자기 기록 매체의 X선 회절 패턴을 도시한 도면이다. 도 10을 참조하는 데에, 실시예 6 및 실시예 7 모두 FePt 규칙 합금의 면심 정방 격자를 나타내는 피크가 확인되고, FePt 규칙 합금의 규칙화를 확인할 수 있다. 특히, 실시예 6보다 실시예 7, 즉, 열처리의 압력이 높은 쪽이 FePt 합금을 나타내는 피크가 예리하고, 보다 규칙화가 촉진되어 있다는 것을 알 수 있다.
다음에, 본 발명이 이루어지는 자기 기억 장치의 하나의 실시예를 도 11 및도 12와 함께 설명한다. 도 11은 자기 기억 장치의 하나의 실시예의 주요부를 도시하는 단면도이다. 도 12는 자기 기억 장치의 하나의 실시예의 주요부를 도시하는 평면도이다.
도 11 및 도 12에 도시한 바와 같이 자기 기억 장치(120)는 대략 하우징(123)으로 이루어진다. 하우징(123) 내에는 모터(124), 허브(125), 복수의 수직 자기 기록 매체(126), 복수의 기록 재생 헤드(127), 복수의 서스펜션(128), 복수의 아암(129) 및 액츄에이터 장치(121)가 설치되어 있다. 수직 자기 기록 매체(126)는 모터(124)에 의해 회전되는 허브(125)에 부착되어 있다. 기록 재생 헤드(127)는 MR 소자(자기 저항 효과형 소자), GMR 소자(거대 자기 저항 효과형 소자), 또는 TMR 소자(터널 자기 효과형)의 재생 헤드와 박막 헤드의 기록 헤드의 복합형 헤드로 이루어진다. 기록 헤드는 단자극 헤드라도 좋고, 링형 헤드라도 좋다. 각 기록 재생 헤드(127)는 대응하는 아암(129)의 선단에 서스펜션(128)을 통해 부착되어 있다. 아암(129)은 액츄에이터 장치(121)에 의해 구동된다. 이 자기 기억 장치의 기본 구성 자체는 공지되어 있으며, 그 상세한 설명은 본 명세서에서는 생략한다.
자기 기억 장치(120)의 본 실시예는 수직 자기 기록 매체(126)에 특징이 있다. 수직 자기 기록 매체(126)는 예컨대, 도 1의 적층 구성을 갖는 실시 형태 및 실시예 1∼7 등의 수직 자기 기록 매체이다. 물론 수직 자기 기록 매체(126)의 매수는 3장에 한정되지 않고, 1장, 2장 또는 4장 이상이어도 좋다.
자기 기억 장치(120)의 기본 구성은 도 11 및 도 12에 도시하는 것에 한정되는 것이 아니다. 본 발명에서 이용하는 수직 자기 기록 매체(126)는 자기 디스크에 한정되지 않는다.
이상 본 발명의 바람직한 실시예에 관해서 상술했지만, 본 발명은 이러한 특정한 실시 형태 및 실시예에 한정되는 것이 아니라, 특허청구의 범위에 기재된 범위 내에서 여러 가지의 변형·변경이 가능하다.
또, 전술한 본 발명에 의한 실시 형태 및 실시예에서는 수직 자기 기록 매체가 연자성 보강층(12) 및 비자성 중간층(13)을 갖는 경우에 관해서 설명했지만, 이들은 필수적인 것이 아니다. 예컨대, 기록 헤드 방식, 예컨대 단자극 헤드 방식에 맞춰 연자성 보강층(12)은 설치된다. 또한, 연자성 보강층(12) 및 비자성 중간층(13)을 갖지 않는 구성이어도 실시예 1 내지 실시예 7에 관한 도 8 내지 도 11에 도시되는 특성은 같아진다는 것을 확인할 수 있었다.
또, 본 발명은 이하의 부기에 나타내는 구성에 의해 실시할 수 있다.
(부기 1) 기판의 상측에 경질 자성 미립자를 배열하여 형성한 기록층을 갖는 수직 자기 기록 매체로서, 상기 경질 자성 미립자의 입자 지름의 평균이 2 nm 이상 10 nm 이하, 상기 입자 지름의 표준 편차가 상기 입자 지름의 평균의 10% 이하, 상기 경질 자성 미립자간의 평균 간극이 0.2 nm 이상 5 nm 이하이며, 상기 기록층의 자화 용이축이 상기 기판의 면에 대하여 수직인 것을 특징으로 하는 수직 자기 기록 매체.
(부기 2) 상기 경질 자성 미립자는 Fe, Co, Ni, Pt 및 Pd으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 두 가지 이상의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 부기1에 기재한 수직 자기 기록 매체.
(부기 3) 상기 기판과 기록층 사이에 Fe, Co, Ni, A1, Si, Ta, Ti, Zr, Hf, V, Nb, C 및 B로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종류의 원소를 포함하는 연자성 보강층을 더욱 갖는 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 부기 3 중 어느 한 항에 기재한 수직 자기 기록 매체.
(부기 4) 기판의 상측에 경질 자성 미립자를 배열하여 형성한 기록층을 갖는 수직 자기 기록 매체의 제조 방법으로서, 상기 기록층에 수직 방향으로 자장을 인가하면서 상기 기록층을 가스 분위기 중에서 가열하는 자장 내의 열처리 공정을 포함하고, 상기 자장 내의 열처리 공정은 상기 기록층의 자화 용이축을 상기 기판의 면에 대하여 수직 방향으로 하는 것을 특징으로 하는 수직 자기 기록 매체의 제조 방법.
(부기 5) 상기 자장 내의 열처리 공정은 상기 가스 분위기 압력이 높을수록 보다 저온에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 부기 4에 기재한 수직 자기 기록 매체의 제조 방법.
(부기 6) 상기 자장 내의 열처리 공정은 상기 자장의 크기를 790 kA/m 내지 3950 kA/m의 범위로 하고, 상기 가스 분위기의 압력을 10+3Pa 내지 10+6Pa의 범위로 하고, 온도를 200℃ 이상 600℃ 미만의 범위로 하는 것을 특징으로 하는 부기 4 또는 부기 5에 기재한 수직 자기 기록 매체의 제조 방법.
(부기 7) 상기 가스 분위기의 기체는 N2, He, Ne, Ar, Kr, Xe 및 H2로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종류의 기체인 것을 특징으로 하는 부기 4 내지 부기 6 중 어느 한 항에 기재한 수직 자기 기록 매체의 제조 방법.
(부기 8) 부기 1 내지 부기 3 중 어느 한 항에 기재한 수직 자기 기록 매체를 갖춘 자기 기억 장치.
부기 3에 기재한 발명에 따르면, 이러한 합금의 연자성 보강층을 가짐으로써 단자극 헤드의 헤드 자계가 기록층의 면내 방향으로 넓어지지 않고, 기록층에 수직으로 인가되어 자화 천이 영역이 협소한 기록 비트가 형성된다.
부기 6에 기재한 발명에 따르면, 이들의 범위에서는 또 보다 낮은 열처리 온도로 원하는 수직 보자력의 수직 자기 기록 매체를 얻을 수 있어, 기판의 평탄도 및 연자성 보강층의 고주파 특성의 악화를 방지할 수 있다.
부기 7에 기재한 발명에 따르면, 열처리 공정에서 가스 분위기의 기체는 경질 자성 미립자의 산화를 방지하는 기체가 이용된다. 산화에 의한 보자력의 저하를 방지할 수 있다. 또, 상기 가스 분위기의 기체에는 바람직하게는 N2가 이용된다. 보다 낮은 열처리 온도로 원하는 수직 보자력을 얻을 수 있다.
이상 전술한 바로부터 분명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 기판의 평탄도 및 연자성 보강층의 연자기 특성을 악화시키는 일없이, 경질 자성 입자에 수직 자기 배향성을 부여하여, 고밀도 기록 가능한 수직 자기 기록 매체 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
Claims (5)
- 기판의 상측에 경질 자성 미립자를 배열하여 형성한 기록층을 갖는 수직 자기 기록 매체로서,상기 경질 자성 미립자의 입자 지름의 평균이 2 nm 이상 10 nm 이하, 상기 입자 지름의 표준 편차가 상기 입자 지름의 평균의 10% 이하, 상기 경질 자성 미립자간 평균 간극이 0.2 nm 이상 5 nm 이하이며,상기 기록층의 자화 용이축이 상기 기판의 면에 대하여 수직인 것을 특징으로 하는 수직 자기 기록 매체.
- 제1항에 있어서, 상기 경질 자성 미립자는 Fe, Co, Ni, Pt 및 Pd로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 두 가지 이상의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 자기 기록 매체.
- 기판의 상측에 경질 자성 미립자를 배열하여 형성한 기록층을 갖는 수직 자기 기록 매체의 제조 방법으로서,상기 기록층에 수직 방향으로 자장을 인가하면서, 상기 기록층을 가스 분위기 내에서 가열하는 자장 내의 열처리 공정을 포함하고,상기 자장 내의 열처리 공정은 상기 기록층의 자화 용이축을 상기 기판의 면에 대하여 수직 방향으로 하는 것을 특징으로 하는 수직 자기 기록 매체의 제조 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 자장 내의 열처리 공정은 상기 가스 분위기 압력이 높을수록 보다 저온으로 열처리하는 것을 특징으로 하는 수직 자기 기록 매체의 제조 방법.
- 제1항 또는 제2항에 따른 수직 자기 기록 매체를 갖춘 자기 기억 장치.
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Legal Events
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| J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20090217 Effective date: 20100319 Free format text: TRIAL NUMBER: 2009101001359; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20090217 Effective date: 20100319 |
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| S901 | Examination by remand of revocation | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| S601 | Decision to reject again after remand of revocation |