KR100823010B1 - 자기 기록 매체 및 자기 기억 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 잔류 자화의 열 안정성을 확보하면서 양호한 오버라이트(덮어쓰기) 특성을 가지며, 고기록 밀도화를 도모할 수 있는 자기 기록 매체 및 이 자기 기록 매체를 구비한 자기 기억 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
기판(11)과, 기판(11)상에 기록층(13)이 형성되고, 기록층(13)이 하지층(12)측으로부터 제1 자성층(14), 비자성 결합층(15), 제2 자성층(16), 제3 자성층(17), 비자성 분단층(18) 및 제4 자성층(19)이 순서대로 적층된 구성으로 이루어진다. 기록층(13)은 제1 자성층(14)과 제2 자성층(16)은 비자성 결합층(15)을 통해 반강자성적으로 교환 결합하고 있다. 또한, 제2 자성층(16)과 제3 자성층(17)은 강자성적으로 교환 결합하고 있다. 비자성 분단층(18)은 제3 자성층(17)과 제4 자성층(19)의 교환 결합을 절단하고 있다. 제3 자성층(17)은 제2 자성층(16)보다 이방성 자계가 작으면서, 포화 자화가 크게 설정된다.

Description

자기 기록 매체 및 자기 기억 장치{MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND MAGNETIC STORAGE UNIT}
도 1은 종래의 자기 기록 매체의 기록층의 단면도.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 제1 예의 자기 기록 매체의 단면도.
도 3은 제1 실시 형태에 따른 제2 예의 자기 기록 매체의 단면도.
도 4는 실시예 및 비교예의 자기 기록 매체의 특성도.
도 5는 실시예 및 비교예의 오버라이트(덮어쓰기) 특성과 tBr의 관계도.
도 6은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 자기 기억 장치의 주요부 평면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10, 30, 53 : 자기 기록 매체
11 : 기판
12 : 하지층
13 : 기록층
14 : 제1 자성층
15 : 비자성 결합층
16 : 제2 자성층
17 : 제3 자성층
18 : 비자성 분단층
19 : 제4 자성층
20 : 보호막
31 : 시드층
32 : 비자성 중간층
50 : 자기 기억 장치
본 발명은 고밀도 기록에 적합한 자기 기록 매체 및 자기 기억 장치에 관한 것으로, 특히 기록층이 복수의 자성층으로 이루어지는 자기 기록 매체 및 자기 기억 장치에 관한 것이다.
자기 기록 매체는, 최근 고밀도 기록화가 급속히 진행되고, 연율 100%의 신장을 보이고 있다. 현재 주류인 면 내 기록 방식으로는 면 기록 밀도의 한계가 250 Gb/in2으로 예상되어 있다. 면 내 기록 방식의 자기 기록 매체에서는 고밀도 기록에서의 신호 대 잡음비(SN 비)를 확보하기 위해 매체 노이즈의 저감을 도모하고 있다. 매체 노이즈의 저감을 위해 자화 영역을 형성하는 자성 입자의 크기를 저감하고, 자화 영역끼리의 경계, 즉 자화 천이 영역의 지그재그 저감 등을 하고 있다. 그러나, 자성 입자를 미소화하면 그 체적이 감소하기 때문에 열 요동에 의해 잔류 자화가 감소한다고 하는 잔류 자화의 열 안정성의 문제가 발생하게 된다.
고기록 밀도를 달성하기 위해서 매체 노이즈의 저감과 잔류 자화의 열 안정성의 양립을 목적으로 하는 자기 기록 매체가 제안되고 있다(예컨대, 특허 문헌 1 참조). 도 1에 도시하는 자기 기록 매체(100)는 기록층(101)이 도시되지 않는 기판측으로부터 제1 자성층(103) 및 제2 자성층(105)이 비자성 결합층(104)을 통해 반강자성적으로 교환 결합하여 이루어지는 교환 결합층(102), 스페이서층(106) 및 제3 자성층(108)이 퇴적된 구조를 갖는다. 자기 기록 매체(100)는 교환 결합층(102)을 구비함으로써, 잔류 자화의 열 안정성을 높이고 있다.
[특허 문헌 1] 미국 특허 출원 공개 제2002/0098390호(도 7)
그런데, 도 1에 도시하는 자기 기록 매체(100)는 기록시에 제3 자성층(108)의 지면 위쪽에 위치하는 기록 헤드(도시 생략)로부터의 기록 자계에 의해 정보가 기록된다. 제2 자성층(105)은 제3 자성층(108)보다 기록 헤드의 자극으로부터 떨어져 있기 때문에 인가되는 기록 자계 강도가 상대적으로 약해진다. 또한, 제2 자성층(105)과 제3 자성층(108)은 교환 결합을 하고 있지 않기 때문에 교환 결합 자계가 제3 자성층(108)으로부터 제2 자성층(105)에 작용하지 않는다. 이 때문에, 제2 자성층(105)의 자화 반전이 잘 되지 않게 되고, 피기록 성능, 예컨대 오버라이트 특성이 열화된다고 하는 문제가 있다. 오버라이트 특성이 열화되면, SN 비의 열화가 발생하고, 더 나아가서는 고기록 밀도화가 곤란하게 된다.
이에 대하여 제2 자성층(105)의 이방성 자계를 저하시킴으로써 오버라이트 특성을 향상시키는 것이 가능하다. 그러나, 이방성 자계의 저하에 의해 잔류 자화의 열 안정성이 저하되어 버린다.
그래서, 본 발명은 상기한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 잔류 자화의 열 안정성을 확보하면서 양호한 오버라이트 특성을 가지며, 고기록 밀도화를 도모할 수 있는 자기 기록 매체 및 이 자기 기록 매체를 구비한 자기 기억 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 관점에 의하면, 기판과, 이 기판상에 하지층, 제1 자성층, 비자성 결합층, 제2 자성층, 제3 자성층, 비자성 분단층 및 제4 자성층을 이 순서대로 적층하여 이루어지고, 상기 제1 자성층과 제2 자성층은 반강자성적으로 교환 결합하는 동시에, 상기 제2 자성층과 제3 자성층은 강자성적으로 교환 결합하며, 상기 제3 자성층은 제2 자성층보다 이방성 자계가 작으면서, 포화 자화가 큰 자기 기록 매체가 제공된다.
본 발명에 의하면, 제2 자성층의 기록 소자측(기판과는 반대측)에 제2 자성층보다 이방성 자계가 작으면서, 포화 자화가 큰 제3 자성층을 설치하고 있다. 제3 자성층은 제2 자성층보다 이방성 자계가 작기 때문에 보다 작은 기록 자계에 의해 제3 자성층의 자화가 반전한다. 제3 자성층의 자화 반전에 의해 제3 자성층과 강자성으로 교환 결합하는 제2 자성층의 자화에는 교환 결합 자계가 제3 자성층과 평행하게 인가된다. 이에 따라, 제2 자성층에는 기록 자계에 추가로 교환 결합 자계가 동일한 방향에 인가되기 때문에 제2 자성층의 자화가 반전하기 쉬워진다. 이 때문 에, 본 발명의 자기 기록 매체는 제3 자성층이 없는 경우보다 피기록 성능, 예컨대 오버라이트 특성이 향상된다. 본 발명의 자기 기록 매체는, 또한, 제2 자성층에 반강자성적으로 교환 결합하는 제1 자성층을 더 설치해 놓기 때문에 잔류 자화의 열 안정성이 확보된다. 따라서, 자기 기록 매체의 고기록 밀도화를 도모할 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 의하면, 상기한 자기 기록 매체와, 상기 자기 기록 매체에 대하여 정보를 기록 및 판독을 행하는 기록 재생 수단을 포함한 자기 기억 장치가 제공된다.
본 발명에 의하면, 잔류 자화의 열 안정성을 확보하면서 양호한 오버라이트 특성을 갖는 자기 기록 매체를 구비하고 있기 때문에 고밀도 기록화가 가능한 자기 기억 장치를 제공할 수 있다.
이하 도면을 참조하면서 실시 형태를 설명한다.
(제1 실시 형태)
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 제1 예의 자기 기록 매체의 단면도이다. 또한, 도면 중의 화살표는 외부로부터 자계가 인가되지 않는 상태에서의 잔류 자화의 방향의 일례를 도시하고 있다. 이것은 뒤의 도 3에서도 마찬가지이다.
도 2를 참조하면, 제1 예의 자기 기록 매체(10)는, 기판(11)과, 기판(11)상에 하지층(12), 기록층(13), 보호막(20) 및 윤활층(21)이 순서대로 적층되고, 기록층(13)이 하지층(12)측으로부터 제1 자성층(14), 비자성 결합층(15), 제2 자성층(16), 제3 자성층(17), 비자성 분단층(18) 및 제4 자성층(19)이 순서대로 적층된 구성으로 이루어진다.
기판(11)은 특별히 제한은 없고, 유리 기판, NiP 도금 알루미늄 합금 기판, 실리콘 기판, 플라스틱 기판, 세라믹스 기판, 탄소 기판 등을 이용할 수 있다.
또한, 기판(11)의 표면에 기록 방향[자기 기록 매체(10)가 자기 디스크인 경우에는 둘레 방향에 상당한다]에 따른 다수의 홈으로 이루어지는 텍스쳐(예컨대, 기계적 텍스쳐)가 형성되더라도 좋다. 이러한 텍스쳐에 의해 기록층(13)의 각 자성층(14, 16, 17, 19)의 결정 배향성, 특히 c축(자화 용이축)을 기록 방향으로 배향시킬 수 있다. 그 결과, 자기 기록 매체(10)의 자기 특성이 향상되고, 또한, 기록 재생 특성, 예컨대 재생 출력이나 분해능이 향상된다.
하지층(12)은 Cr 또는 체심 입방(bcc) 결정 구조를 갖는 Cr-M1 합금으로부터 선택된다. 여기서, M1이 Mo, W, V, B 및 Mo로 이루어지는 군 중 적어도 1종이다. 하지층(12)은 Cr-M1 합금을 이용함으로써, 그 위의 기록층(13)과의 격자 정합성을 향상시킴으로써, 기록층(13)의 각 자성층의 결정성 및 결정 배향성을 높일 수 있다. 또한, 하지층(12)은 Cr 또는 Cr-M1 합금으로 이루어지는 층을 복수개 적층하더라도 좋다. 이와 같이 적층함으로써 하지층(12) 중의 결정 입자의 비대화를 억제하고, 또한, 기록층(13)의 결정 입자의 비대화를 억제할 수 있다.
또한, 하지층(12)의 막 두께는 특별히 한정되지 않지만, 자성층(16)의 면 내 배향성을 충분히 향상시키는 점에서 3 ㎚ 이상으로 설정되는 것이 바람직하고, 또한, 자성층(16)의 자성 입자가 과도하게 비대화되는 것을 방지하기 위해서 30 ㎚ 이하의 범위로 설정되는 것이 바람직하다.
기록층(13)은 전술한 바와 같이, 하지층(12)측으로부터 제1 자성층(14), 비 자성 결합층(15), 제2 자성층(16), 제3 자성층(17), 비자성 분단층(18) 및 제4 자성층(19)이 순서대로 적층된 구성으로 이루어진다. 제1 자성층(14)과 제2 자성층(16)은 비자성 결합층(15)을 통해 반강자성적으로 교환 결합하고 있다. 즉, 제1 자성층(14)의 자화와 제2 자성층(16)의 자화는 외부로부터 자계를 인가하지 않는 상태에서는 반 평행으로 되어 있다. 또한, 제2 자성층(16)과 제3 자성층(17)은 강자성적으로 교환 결합하고 있다. 즉 제2 자성층(16)의 자화와 제3 자성층(17)의 자화는 외부로부터 자계를 인가하지 않는 상태에서는 평행으로 되어 있다.
제1 내지 제4 자성층(14, 16, 17, 19)은 각각 CoCr, CoPt 및 CoCr-X1 합금으로 이루어지는 군 중 어느 하나의 강자성 재료로 이루어지고, X1은 B, Cu, Mn, Mo, Nb, Pt, Ta, W 및 Zr로 이루어지는 군 중 적어도 1종이다. 또한, 제1 내지 제4 자성층(14, 16, 17, 19)의 강자성 재료는 조밀 충진 육방정(hcp) 결정 구조를 갖는다.
제1 자성층(14)은 CoCr 및 CoCr-X2 합금으로 이루어지는 군 중 어느 하나의 강자성 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 여기서, X2는 B, Cu, Mn, Mo, Nb, Ta, W 및 Zr로 이루어지는 군 중 적어도 1종이다. 제1 자성층(14)은 이와 같이 Pt를 포함하지 않기 때문에 이방성 자계가 비교적 낮아지는 것으로, 오버라이트 특성으로의 악영향을 방지할 수 있다. 제1 자성층(14)으로서 적합한 강자성 재료는 CoCr, CoCrB, CoCrTa, CoCrMn, CoCrZr을 들 수 있다.
또한, 제1 자성층(14)의 막 두께는 0.5 ㎚ 내지 20 ㎚의 범위로 설정된다. 제1 자성층(14)은 후술하는 바와 같이 제2 자성층(16)과 반강자성적으로 교환 결합 하고, 제2 자성층(16)[및 제3 자성층(17)]에 기록된 기록 데이터의 비트에 상당하는 자화 영역의 자화(잔류 자화)의 열적 안정성을 높여 기록 매체로서의 장기간 신뢰성을 높이는 역할을 한다.
비자성 결합층(15)은 예컨대 Ru, Rh, Ir, Ru계 합금, Rh계 합금, Ir계 합금 등으로부터 선택된다. 비자성 결합층(15)은 Ru는 hcp 결정 구조를 갖기 때문에 제1 자성층(14) 및 제2 자성층(16)과 격자 정합성이 양호한 점에서 Ru 또는 Ru계 합금인 것이 바람직하다. Ru계 합금으로서는 Ru-M2(M2는 Co, Cr, Fe, Ni 및 Mn으로 이루어지는 군 중 1종을 포함한다)를 들 수 있다. 또한, 비자성 결합층(15)의 막 두께는 0.4 ㎚ 내지 1.0 ㎚의 범위로 설정된다. 이 범위에 비자성 결합층(15)의 막 두께를 설정함으로써, 비자성 결합층(15)을 통해 제1 자성층(14)과 제2 자성층(16)이 반강자성적으로 교환 결합한다.
제2 자성층(16)은 CoPt, CoCrPt 및 CoCrPt-X3 합금으로 이루어지는 군 중 어느 하나에 강자성 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 여기서, X3이 B, Cu, Mo, Nb, Ta, W 및 Zr로 이루어지는 군 중 적어도 1종이다. 제2 자성층(16)으로서 적합한 강자성 재료는 CoCrPt, CoCrPtB, CoCrPtTa, CoCrPtBCu, CoCrPtBTa, CoCrPtBZr을 들 수 있다. 또한, 제2 자성층(16)의 막 두께는 0.5 ㎚ 내지 20 ㎚의 범위로 설정된다. 제2 자성층(16)은 기록 데이터의 비트에 상당하는 자화 영역이 형성되고, 정보를 기억하는 기능을 갖는다.
제3 자성층(17)은 CoCr 및 CoCr-X1 합금으로 이루어지는 군 중 어느 하나의 강자성 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 여기서, X1은 B, Cu, Mn, Mo, Nb, Pt, Ta, W 및 Zr로 이루어지는 군 중 적어도 1종이다. 제3 자성층(17)으로서 적합한 강자성 재료는 CoCr, CoCrB, CoCrTa, CoCrPt, CoCrPtB를 들 수 있다. 또한, 제3 자성층(17)의 막 두께는 0.5 ㎚ 내지 5 ㎚의 범위로 설정되는 것이 바람직하고, 특히 1.0 ㎚ 내지 2.0 ㎚의 범위로 설정되는 것이 바람직하다. 제3 자성층(17)의 막 두께가 0.5 ㎚를 절단하면 제2 자성층(16)에 대한 체적비가 너무 낮기 때문에 제3 자성층(17)의 낮은 자기 이방성 자계에 기인하는 오버라이트 특성의 개선 효과가 충분히 발휘되지 않고, 5 ㎚를 초과하면 제2 자성층(16)에 대하여 체적비가 너무 크기 때문에 기록층(13)의 정적인 보자력을 저하시키게 된다.
또한, 제3 자성층(17)은 후술하는 바와 같이, 기록시에 제2 자성층(16)의 자화보다 작은 기록 자계에 의해 반전하여 제3 자성층(16)의 자화가 반전을 용이화하는 교환 결합 자계를 인가한다.
비자성 분단층(18)은 그 재료는 특별히 한정되지 않지만, 제3 자성층(17) 및 제4 자성층(19)의 격자 정합성이 양호한 점에서 Ru, Cu, Cr, Rh, Ir, Ru계 합금, Rh계 합금 및 Ir계 합금으로 이루어지는 군 중 어느 하나에 비자성 재료로부터 선택되는 것이 바람직하다. Ru계 합금으로서는 Ru에 Co, Cr, Fe, Ni 및 Mn으로 이루어지는 군 중 적어도 1종 선택되는 비자성 재료가 바람직하다.
또한, 비자성 분단층(18)은 그 막 두께가 제3 자성층(17)과 제4 자성층(19)이 대략 교환 결합을 하지 않는 정도로 설정된다. 구체적으로는 비자성 분단층(18)의 막 두께가 1.0 ㎚ 내지 3 ㎚로 설정된다. 비자성 분단층(18)의 막 두께가 1.0 ㎚를 절단하면 반강자성적인 교환 결합이 작용하기 쉬워 지고, 3 ㎚를 초과하면 제 3 자성층(17)이 기록 소자로부터 떨어지기 때문에 잘 기록되지 않게 되며, 오버라이트 특성이 저하된다. 또한, 비자성 분단층(18)은 제2 자성층(16) 및 제3 자성층(17)의 결정 입자의 성장을 멈추게 하여 입자 지름의 비대화를 억제하는 동시에, 결정 입자의 입자 지름 분포 폭이 증대하는 것을 방지한다. 그 결과, 자기 기록 매체(10)의 SN 비가 향상한다.
제4 자성층(19)은 전술한 제2 자성층(16)과 같은 강자성 재료로부터 선택된다. 또한, 제4 자성층(19)의 막 두께는 0.5 ㎚ 내지 20 ㎚의 범위로 설정된다. 제4 자성층(19)은 기록 데이터의 비트에 상당하는 자화 영역이 형성되고, 정보를 기억하는 기능을 갖는다.
다음에, 기록층(13)의 각 층의 관계를 이하에 설명한다. 또한, 제1 자성층(14) 내지 제4 자성층(19)의 이방성 자계를 각각 Hk1, Hk2, Hk3, Hk4로 한다. 또한, 제1 자성층(14) 내지 제4 자성층(19)의 포화 자화를 각각 Ms1, Ms2, Ms3, Ms4로 한다.
제3 자성층(17)은 제2 자성층(16)보다 이방성 자계가 작으면서, 포화 자화가 크게 설정된다. 즉, 제2 자성층(16) 및 제3 자성층(17)은,
Hk3 ＜ Hk2, 또한, Ms3 > Ms2 … (1)
의 관계를 만족하도록 강자성 재료가 선택된다. 이에 따라, 오버라이트 특성 등의 피기록 성능이 향상된다. 이 작용은 이하와 같다.
제3 자성층(17)은 제2 자성층(16)보다 이방성 자계가 작기 때문에 기록시에, 제3 자성층(17)의 자화는 기록 소자로부터의 기록 자계에 의해 제2 자성층(16)보다 작은 강도의 기록 자계로, 기록 자계의 방향으로 반전한다. 이 제3 자성층(17)의 자화의 반전에 의해 제2 자성층(16)의 자화에는 기록 자계와 더불어, 제2 자성층(16)의 자화를 반전시키는 방향의 교환 결합 자계가 인가되기 때문에 제2 자성층(16)의 자화가 반전하기 쉬워진다. 또한, 제3자성층(17)은 제2 자성층(16)보다 포화 자화가 크기 때문에(Ms3 > Ms2), 교환 결합 에너지가 크고, 이 때문에 제2 자성층(16)에 작용하는 교환 결합 자계가 커진다. 그 결과, 제2 자성층(16)은 반전하기 더 쉬워진다.
제2 자성층(16) 및 제3 자성층(17)의 강자성 재료가 CoCrpt 또는 CoCrpt-X3 합금으로 이루어지는 경우에는 원자 농도로 각 원소의 함유량을 나타내면 제3 자성층(17)이 제2 자성층(16)보다 Pt 함유량이 적고, 또한, Co 함유량이 많이 설정되는 것이 바람직하다. 이와 같이 설정함으로써, 상기한 Hk3 ＜ Hk2, 또한, Ms3 > Ms2의 관계를 만족할 수 있다. 이방성 자계가 Pt 함유량에 의해 제어 가능하다. 예컨대 Pt 함유량을 줄임으로써 이방성 자계를 저감할 수 있다. 또한, 포화 자화가 Co 함유량에 의해 제어 가능하다. 예컨대 Co 함유량을 늘림으로써, 포화 자화를 증가할 수 있다. 또한, 제3 자성층은 Pt를 포함하지 않는 조성의 강자성 재료로부터 구성하더라도 좋다.
또한, 제2 자성층(16) 및 제3 자성층(17)은 오버라이트 특성이 현저히 향상하는 점으로, Hk3 + 2000(Oe) ≤ Hk2 …(2)의 관계를 만족하는 것이 바람직하고, 특히 Hk3 + 5000(Oe) ≤ Hk2 …(3)의 관계를 만족하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 식 (2) 및 식 (3) 중의 Hk2 및 Hk3의 단위는 Oe이다.
또한, 제2 자성층(16) 및 제3 자성층(17)은 제3 자성층(17)의 이방성 에너지를 충분히 확보할 수 있는 점에서, Ms3 > Ms2 + 200 emu/cm3 …(4)의 관계를 만족하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 식 (4) 중의 Ms2 및 Ms3의 단위는 emu/cm3이다. 또한, 제2 자성층(16) 및 제3 자성층(17)은 상기 식의 이방성 자계의 관계[(2) 또는 (3)]와, 포화 자화의 관계[(4)]를 동시에 만족하는 것이 특히 바람직한 것은 물론이다.
또한, 제2 자성층(16) 및 제3 자성층(17)에 있어서, 상기한 바람직한 이방성 자계 또는 포화 자화의 차는 그 차를 확보할 수 있는 경우에 적용되는 것은 물론이다.
또한, 제2 자성층(16)과 제4 자성층(19)은 동일한 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 전술한 바와 같이 제2 자성층(16) 및 제4 자성층(19)은 기록 데이터의 각 비트를 기록하는 기능을 갖는다. 이 때문에 제2 자성층(16)과 제4 자성층(19)을 동일한 재료로 함으로써 양 층(16, 19)을 대략 동일한 자기 특성으로 설정하고, 자화 천이 폭이나 비트 길이를 대략 동일하게 설정할 수 있다.
또한, 제4 자성층(19)은 제2 자성층(16)보다 이방성 자계가 큰 강자성 재료로 구성하더라도 좋다. 제4 자성층(19)은 다른 자성층과 교환 결합하지 않기 때문에 이방성 자계의 보다 큰 강자성 재료로 구성함으로써, 잔류 자화의 열적 안정성을 높일 수 있다. 또한, 제4 자성층(19)은 제2 자성층(16)보다 기록 소자측에 있다. 이 때문에, 인가되는 기록 자계의 강도가 제2 자성층(16)보다 커지기 때문에, 오버라이트 특성의 악화를 억제할 수 있다.
제1 자성층(14) 및 제2 자성층(16)은 Hk1 ≤ Hk2의 관계를 만족하는 것이 바람직하다. 제1 자성층(14)은 제2 자성층(16)과 동등하거나 그 보다 이방성 자계의 작은 강자성 재료로 구성함으로써, 제1 자성층(14)의 자화의 반전이 용이하게 되고, 외부로부터 자계가 인가되지 않는 상태에서 제2 자성층(16)의 자화에 대하여 반 평행한 자화를 확실하게 형성할 수 있는 점에서 바람직하다.
또한, 이방성 자계는 강자성 재료로 고유의 물성값이다. 이방성 자계는 자기 토크계나 2축 방향의 자화를 검출 가능한 진동 시료형 자력계에 의해 측정 가능하다.
또한, 전술한 기록층(13)의 구성으로부터 제1 자성층(14) 내지 제4 자성층(19)의 잔류 자화를 각각 Br1, Br2, Br3, Br4, 막 두께를 각각 t1, t2, t3, t4로 하면 기록층(13)의 막 두께 잔류 자속 밀도의 곱은 외부로부터 자계를 인가하지 않는 상태로, 제1 자성층(14)만이 다른 자성층과 잔류 자화의 방향이 반대 방향이기 때문에 Br4×t4 + Br3×t3 + Br2×t2 - Br1×t1로 나타난다. 재생 출력은 기록 밀도가 비교적 낮은 영역에서 기록층(13)의 잔류 자화막 두께 곱과 비례한다. 따라서, Br1 내지 Br4 및 t1 내지 t4를 설정함으로써, 자기 기억 장치에 적합한 재생 출력을 얻을 수 있도록 기록층(13)의 막 두께 잔류 자속 밀도의 곱을 설정한다. 기록층(13)에서 제1 자성층(14)을 설치함으로써, 제1 자성층(14) 내지 제4 자성층(19) 전체의 막 두께를 증가할 수 있기 때문에 기록층(13) 전체의 잔류 자화의 열 안정성을 높일 수 있다.
보호막(20)은 예컨대 막 두께가 0.5 ㎚ 내지 15 ㎚이며, 비결정성 탄소, 수소화탄소, 질화탄소 및 산화알루미늄 등으로부터 선택되는 재료에 의해 구성된다. 또한, 보호막(20)은 그 재료에 특별히 제한은 없다.
윤활층(21)은 예컨대 막 두께가 0.5 ㎚ 내지 5 ㎚의 퍼플루오르폴리에테르가 주쇄의 윤활제 등에 의해 구성된다. 윤활제로서는, 예컨대 말단기가 히드록실기나 피페로닐기 등으로 이루어지는 퍼플루오르폴리에테르를 이용할 수 있다. 또한, 윤활층(21)은 보호막(20)의 재료에 따라 설치하더라도 좋고, 설치하지 않더라도 좋다.
다음에, 도 2를 참조하면서, 제1 예의 자기 기록 매체의 제조 방법을 설명한다.
최초에, 기판(11)의 표면을 세정·건조 후, 기판(11)을 가열 처리한다. 기판(11)의 가열 처리는 진공 분위기에서 히터 등에 의해 기판을 소정의 온도, 예컨대 150℃로 가열한다. 또한, 가열 처리 전에 기판 표면에 텍스쳐 처리하더라도 좋다. 텍스쳐 처리로서는 기판(11)이 원반형인 경우, 둘레 방향을 따라 다수의 홈을 형성하는 기계적 텍스쳐 처리를 들 수 있다. 이러한 텍스쳐를 형성함으로써, 기록층(13)의 c축을 둘레 방향에 배향시킬 수 있다.
계속해서, 스퍼터 장치, 예컨대 DC(직류) 마그네트론 스퍼터 장치나 RF(교류) 스퍼터 장치를 이용하여 전술한 재료로 이루어지는 스퍼터 타깃을 사용하여, 하지층(12), 기록층(13)의 각 층(14 내지 19)을 순서대로 형성한다. 구체적으로는 DC 마그네트론법에 의해 각 층을 형성하는 성막실이 연속하여 배치된 스퍼터 장치 를 이용하여, 성막실 내에 Ar 가스를 공급하고, 예컨대 압력 0.67 Pa, 소정의 투입 전력을 공급하여 성막한다. 또한, 스퍼터 장치는 성막 전에 미리 10-7 Pa까지 배기하고, 그 후 Ar 가스 등의 분위기 가스를 공급하는 것이 바람직하다.
계속해서, 기록층(13)상에 스퍼터법, CVD(화학 기상 성장)법, FCA(Filtered Cathodic Arc)법 등을 이용하여 보호막(20)을 형성한다. 또한, 전술한 하지층(12)을 형성하는 공정으로부터 보호막(20)을 형성하는 공정까지는 공정간에는 진공 또는 불활성 가스 분위기에 유지하는 것이 바람직하다. 이에 따라 성막된 각층의 표면의 청정성을 유지할 수 있다.
계속해서, 보호막(20) 표면에 윤활층(21)을 형성한다. 윤활층(21)은 침지법, 스핀코트법 등을 이용하여 윤활제를 용매로 희석한 희석 용액을 도포한다. 이상에 의해 본 실시 형태에 따른 자기 기록 매체(10)가 형성된다.
이상 설명한 바와 같이, 제1 예의 자기 기록 매체(10)는 기록층(13)을 구성하는 제2 자성층(16)의 기록 소자측(기판과는 반대측)에 제2 자성층(16)보다 이방성 자계가 작으면서, 또한, 포화 자화가 큰 제3 자성층(17)을 설치하고 있다. 제3 자성층(17)은 제2 자성층(16)보다 이방성 자계가 작기 때문에 제2 자성층(16)을 단독으로 자화 반전시키는 것보다 작은 기록 자계에 의해 제3 자성층(17)의 자화가 반전한다. 제3 자성층(17)의 자화 반전에 의해 제3 자성층(17)과 강자성적으로 교환 결합하는 제2 자성층(16)의 자화에는 교환 결합 자계가 제3 자성층과 평행하게 인가된다. 이에 따라 제2 자성층(16)에는 기록 자계에 추가로 교환 결합 자계가 동 일한 방향으로 인가되기 때문에 제2 자성층(16)의 자화가 반전하기 쉬워진다. 이 때문에 제3 자성층(17)이 없는 경우보다 피기록 성능, 예컨대 오버라이트 특성이 양호해진다. 이것과 동시에 제2 자성층(16) 및 그것에 교환 결합하는 제1 자성층을 설치하여 놓기 때문에 열 안정성이 확보된다. 따라서, 제1 예의 자기 기록 매체(10)의 고기록 밀도화를 도모할 수 있다.
도 3은 제1 실시 형태에 따른 제2 예의 자기 기록 매체의 단면도이다. 도면 중, 앞에 설명한 부분에 대응하는 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고, 설명을 생략한다.
도 3을 참조하면 제2 예의 자기 기록 매체(30)는 기판(11)과, 기판(11) 상에 시드층(31), 하지층(12), 비자성 중간층(32), 기록층(13), 보호막(20) 및 윤활층(21)이 순서대로 적층된 구성으로 이루어진다.
시드층(31)은 비결정성 상태의 비자성 합금 재료로 이루어진다. 시드층(31)은 하지층(12)의 결정 입자의 입자 지름 미세화가 특히 우수한 점에서 CoW, CrTi, NiP 및 이들의 합금을 주성분으로 하는 3원계 이상의 합금 등으로부터 선택되는 것이 바람직하다. 또한, 시드층(31)의 막 두께는 5 ㎚ 내지 100 ㎚의 범위로 설정되는 것이 바람직하다. 시드층(31)은 비결정성 상태를 위해 그 표면이 결정학적으로 균일하기 때문에 기판(11)의 표면에 하지층(12)을 직접 형성하는 경우보다도 하지층(12)에 결정학적인 이방성을 부여하는 것을 방지할 수 있다. 이 때문에 하지층(12)이 그 자체의 결정 구조를 형성하기 쉬어지고, 결정성 및 결정 배향성이 향상한다. 또한, 하지층(12)상에 에피텍셜 성장하는 비자성 중간층(32) 및 기록 층(13)의 결정성 및 결정 배향성이 향상된다. 이에 따라, 기록층(13)의 각 자성층(13, 15, 16, 18)[이하, 특별히 거절하지 않는 한, 단순히 기록층(13)으로 전달한다]의 자성 입자의 c축의 면 내 배향성 및 면 내 보자력이 향상되고, 그 결과 기록 재생 특성이 향상된다.
또한, 시드층(31)은 비결정성 상태를 위해 하지층(12)의 결정 입자를 미세화하고, 또한, 결정 입자의 입자 지름 분산을 협소화할 수 있다. 이들은 비자성 중간층(32)을 통해 기록층(13)의 입자 지름 미세화 및 입자 지름 분산의 협소화를 초래하고, SN 비를 향상시킨다. 또한, 시드층(31)의 표면에 둘레 방향을 따라 텍스쳐가 형성되더라도 좋다. 또한, 이 경우에는 기판(11)의 표면의 텍스쳐를 생략 가능하다.
비자성 중간층(32)은 hcp 결정 구조를 갖는 Co-M3 합금으로 이루어지는 것(여기서, M3은 Cr, Ta, Mo, Mn, Re 및 Ru로 이루어지는 군 중 1종이다)을 들 수 있다. 비자성 중간층(32)은 기록층(13)의 c축 면 내 배향성을 한층 더 향상시킨다. 즉, 비자성 중간층(32)은 하지층(12)이 갖는 면 내 배향성 향상의 효과를 상승적으로 높여 기록층(13)의 c축의 면 내 배향성을 한층 더 향상시킨다.
또한, 기판(11) 또는 시드층(31)에 텍스쳐를 형성한 경우는 텍스쳐의 효과와 하지층(12) 및 비자성 중간층(32)의 효과가 더불어 텍스쳐의 형성 방향, 즉 기록 방향으로의 기록층(13)의 c축의 배향성이 매우 양호해진다. 비자성 중간층(32)의 막 두께는 0.5 ㎚ 내지 10 ㎚로 설정되는 것이 바람직하다.
이상 설명한 바와 같이, 제2 예의 자기 기록 매체(30)는 시드층(31) 및 비자 성 중간층(32)에 의해 기록층(13)의 c축 면 내 배향성 및 면 내 보자력을 높이고, 이것과 동시에 기록층(13)의 입자 지름 미세화 및 입자 지름 분산의 협소화를 초래하며, SN 비를 향상시킨다.
[실시예]
본 발명의 제1 실시 형태에 따른 실시예와, 본 발명에 의하지 않는 비교예에 따른 자기 기록 매체를 제작하였다.
도 4는 실시예 및 비교예의 자기 기록 매체의 특성도이다. 도 4에는 오버라이트 특성 외에 기록층의 각 자성층의 막 두께 및 기록층 전체의 막 두께 잔류 자속 밀도의 곱 tBr 및 보자력을 더불어 도시하고 있다.
실시예의 자기 기록 매체는 이하와 같이 하여 제작하였다. 최초에 원반형의 유리 기판 표면에 둘레 방향에 텍스쳐를 형성하였다. 또한, 유리 기판을 세정·건조 후, DC 마그네트론 스퍼터 장치를 이용하여 자기 기록 매체의 각 층을 이하와 같이 하여 형성하였다. 유리 기판을 진공중에서 200℃로 가열 후, 아르곤 가스 분위기하, 하지층으로서 Cr 합금막(7 ㎚), 기록층의 제1 자성층으로서 CoCr막, 비자성 결합층으로서 Ru막(0.7 ㎚), 제2 자성층으로서 CoCrPt13B막, 제3 자성층으로서 CoCrPt5B막, 비자성 분단층으로서 Ru막(1.3 ㎚), 제4 자성층으로서 CoCrPt13B막, 보호막으로서 탄소막(4 ㎚)을 이 순서대로 형성하였다. 또한, 침지법에 의해 보호막의 표면에 퍼플루오르폴리에테르의 윤활층(1.5 ㎚)을 형성하였다. 이상에 의해 실시예의 자기 디스크를 제작하였다. 또한, 제2 자성층과 제4 자성층의 조성은 동일 하게 하였다. 상기 괄호 내의 수치는 막 두께, 조성의 수치는 Pt 함유량을 원자 농도(%)로 나타내고 있다.
제1 자성층 내지 제4 자성층의 이방성 자계(Oe) 및 포화 자화(emu/cm3)는 이하와 같다.
제1 자성층 : 50 Oe, 600 emu/cm3
제2 자성층 : 9400 Oe, 260 emu/cm3
제3 자성층 : 4400 Oe, 480 emu/cm3
제4 자성층 : 9400 Oe, 260 emu/cm3
또한, 제1 자성층 내지 제4 자성층까지의 이방성 자계(Oe) 및 포화 자화(emu/cm3)는 이하와 같이 하여 얻었다. 제1 자성층 내지 제4 자성층을 하지층상에 단층으로 각각 퇴적한 구성의 샘플을 실시예의 자기 기록 매체와 같은 조건으로 제작하고, 이방성 자계를 자기 토크계, 포화 자화를 진동 시료형 자력계에 의해 측정하여 요구하였다.
여기서, 도 4에 도시하는 바와 같이, 실시예의 샘플 번호 1 내지 6은 막 두께 잔류 자속 밀도의 곱 tBr을 다르게 한 것으로, 구체적으로는 제2 자성층 및 제4 자성층의 CoCrPt13B막의 막 두께를 다르게 한 것이다.
한편, 비교예의 자기 기록 매체는 제3 자성층으로서 CoCrPt5B 막을 형성하지 않은 것 이외에는 실시예와 마찬가지로 하여 제작한 것이다. 실시예의 샘플 번호 7 내지 9는 막 두께 잔류 자속 밀도의 곱 tBr을 다르게 한 것으로, 구체적으로는 제2 자성층 및 제4 자성층의 막 두께를 다르게 한 것이다.
도 5는 실시예 및 비교예의 오버라이트 특성과 tBr의 관계도이며, 도 4에 도시하는 오버라이트 특성과 tBr을 그래프에 도시한 것이다.
도 5를 도 4와 함께 참조하면, 실시예는 비교예보다 동일한 막 두께 잔류 자속 밀도의 곱 tBr로, 오버라이트 특성이 약 5 dB 양호하게 되어 있다. 이 때문에, 제3 자성층을 제2 자성층과 비자성 분단층(18) 사이에 설치함으로써 오버라이트 특성을 대폭 개선할 수 있는 것을 알 수 있다.
또한, 막 두께 잔류 자속 밀도의 곱 tBr은 자기 기록 매체를 자기 기억 장치에 탑재하는 경우의 요구 특성이다. 이 때문에, 막 두께 잔류 자속 밀도의 곱 tBr에 기초하여 오버라이트 특성을 비교하는 것은 매우 유효하다. 또한, 오버라이트 특성은 시판되고 있는 스핀 스탠드를 이용하고, 복합형(기록 소자와 재생 소자를 구비한다)의 자기 헤드에 의해 측정을 행하며, 90 kFCI의 선기록 밀도로 기록·재생하고, 또한, 360 kFCI의 선기록 밀도로 기록하며, 최초에 기록한 90 kFCI의 신호의 잔류 레벨을 측정하여 오버라이트 특성을 구하였다.
(제2 실시 형태)
본 발명의 실시 형태는 제2 실시 형태에 따른 자기 기록 매체를 구비한 자기 기억 장치에 관한 것이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 자기 기억 장치의 주요부를 도시하는 도면이다. 도 6을 참조하면 자기 기억 장치(50)는 대략 하우징(51)으로 이루어 진다. 하우징(51) 내에는 스핀들(도시 생략)에 의해 구동되는 허브(52), 허브(52)에 고정되어 회전되는 자기 기록 매체(53), 액추에이터 유닛(54), 액추에이터 유닛(54)에 부착되어 자기 기록 매체(53)의 반경 방향으로 이동되는 아암(55) 및 서스펜션(56), 서스펜션(56)에 지지된 자기 헤드(58)가 설치되어 있다. 자기 헤드(58)는 MR 소자(자기 저항 효과형 소자), GMR 소자(거대 자기 저항 효과형 소자), 또는 TMR 소자(터널 자기 효과형) 등의 재생 헤드와 유도형 기록 헤드의 복합형 헤드로 이루어진다. 이 자기 기억 장치(50)의 기본 구성 자체는 주지되어 있고, 그 상세한 설명은 본 명세서에서는 생략한다.
자기 기록 매체(53)는, 예컨대 제1 실시 형태에 따른 제1 예 또는 제2 예의 자기 기록 매체이다. 자기 기록 매체(53)는 오버라이트 특성 등의 피기록 성능이 양호하다. 따라서, 본 실시 형태에 따른 자기 기억 장치(50)는 고기록 밀도화를 도모하는 것이 가능하다.
또한, 자기 기억 장치(50)의 기본 구성은 도 6에 도시하는 것에 한정되는 것이 아니며, 자기 기록 매체는 2장 이상이라도 좋고, 자기 헤드(58)는 전술한 구성에 한정되지 않고 공지의 자기 헤드를 이용할 수 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 관해서 설명하였지만, 본 발명은 이 실시 형태에 한정되는 것이 아니라, 특허청구의 범위에 기재된 본 발명의 범위 내에서 여러 가지의 변형 및 변경이 가능하다.
예컨대, 상기 제2 실시 형태에서는 자기 기록 매체는 자기 디스크를 예로서 설명하였지만, 자기 테이프라도 좋다. 자기 테이프에는 원반형 기판 대신에 테이프 형 기판, 예컨대 테이프형 PET, PEN, 폴리이미드 등의 플라스틱 필름을 이용한다.
또한, 이상의 설명에 관해서 이하의 부기를 개시한다.
(부기 1)
기판과, 상기 기판상에 하지층, 제1 자성층, 비자성 결합층, 제2 자성층, 제3 자성층, 비자성 분단층 및 제4 자성층을 이 순서대로 적층하여 이루어지고,
상기 제1 자성층과 제2 자성층은 반강자성적으로 교환 결합하는 동시에, 상기 제2 자성층과 제3 자성층은 강자성적으로 교환 결합하며,
상기 제3 자성층은 제2 자성층보다 이방성 자계가 작으면서, 포화 자화가 큰 자기 기록 매체.
(부기 2)
상기 제4 자성층은 제2 자성층과 동등하거나 그 보다 큰 이방성 자계를 갖는 것을 특징으로 하는 부기 1 기재의 자기 기록 매체.
(부기 3)
상기 제2 자성층 및 제3 자성층은 제2 자성층의 이방성 자계를 Hk2, 제3 자성층의 이방성 자계를 Hk3으로 하면, Hk3 + 2000(Oe) ≤ Hk2의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 부기 1 또는 2 기재의 자기 기록 매체.
(부기 4)
상기 제2 자성층 및 제3 자성층은 제2 자성층의 포화 자화를 Ms2, 제3 자성층의 포화 자화를 Ms3으로 하면 Ms3 > Ms2 + 200(emu/cm3)의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 3 중 어느 한 항 기재의 자기 기록 매체.
(부기 5)
제1 내지 제4 자성층은 각각 CoCr, CoPt 및 CoCr-X1 합금으로 이루어지는 군 중 어느 하나의 강자성 재료로 이루어지고, X1은 B, Cu, Mn, Mo, Nb, Pt, Ta, W 및 Zr로 이루어지는 군 중 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 4 중 어느 한 항 기재의 자기 기록 매체.
(부기 6)
상기 제2 자성층 및 제4 자성층은 CoPt, CoCrPt 및 CoCrPt-X3 합금으로 이루어지고, X3이 B, Mo, Nb, Ta, W 및 Cu로 이루어지는 군 중 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 4 중 어느 한 항 기재의 자기 기록 매체.
(부기 7)
상기 제2 자성층 및 제4 자성층은 동일한 조성의 강자성 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 6 중 어느 한 항 기재의 자기 기록 매체.
(부기 8)
상기 제3 자성층은 CoCr 및 CoCr-X1 합금으로 이루어지는 군 중 어느 하나의 강자성 재료로 이루어지고, X1은 B, Mo, Nb, Ta, W, Cu 및 Pt으로 이루어지는 군 중 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 4 중 어느 한 항 기재의 자기 기록 매체.
(부기 9)
상기 제3 자성층은 그 막 두께가 0.5 ㎚ 내지 5 ㎚의 범위로 설정되는 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 4 중 어느 한 항 기재의 자기 기록 매체.
(부기 10)
상기 제2 자성층 및 제3 자성층은 CoCrPt 또는 CoCrPt-X3 합금으로 이루어지고, X3이 B, Mo, Nb, Ta, W 및 Cu로 이루어지는 군 중 적어도 1종이며,
상기 제3 자성층은 제2 자성층보다 원자 농도로 Pt 함유량이 적으면서, Co 함유량이 많은 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 4 중 어느 한 항 기재의 자기 기록 매체.
(부기 11)
상기 비자성 결합층은 Ru, Rh, Ir, Ru계 합금, Rh계 합금 및 Ir계 합금으로 이루어지는 군 중 어느 하나의 재료로 이루어지고, 그 막 두께가 0.4 ㎚ 내지 1.0 ㎚의 범위로 설정되는 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 10 중 어느 한 항 기재의 자기 기록 매체.
(부기 12)
상기 비자성 분단층은 비자성 합금으로 이루어지고, 그 막 두께가 1.0 ㎚ 내지 3 ㎚의 범위로 설정되는 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 11 중 어느 한 항 기재의 자기 기록 매체.
(부기 13)
상기 하지층은 Cr 또는 bcc 결정 구조를 갖는 Cr-X3 합금으로부터 선택되고, X3이 Mo, W, V, B 및 Mo로 이루어지는 군 중 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 12 중 어느 한 항 기재의 자기 기록 매체.
(부기 14)
상기 기판과 하지층 사이에 시드층을 더 구비하고,
상기 시드층은 비결정질 상태의 비자성 합금 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 13 중 어느 한 항 기재의 자기 기록 매체.
(부기 15)
상기 하지층과 제1 자성층 사이에 비자성 중간층을 더 포함하고,
상기 비자성 중간층은 조밀 충진 육방정 결정 구조를 갖는 Co-M3으로 이루어지며, M3이 Cr, Ta, Mo, Mn, Re 및 Ru로 이루어지는 군 중 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 14 중 어느 한 항 기재의 자기 기록 매체.
(부기 16)
부기 1 내지 15 중 어느 한 항 기재의 자기 기록 매체와,
상기 자기 기록 매체에 대하여 정보를 기록 및 판독을 행하는 기록 재생 수단을 포함한 자기 기억 장치.
본 발명에 의하면, 잔류 자화의 열 안정성을 확보하면서 양호한 오버라이트 특성을 가지며, 고기록 밀도화를 도모할 수 있는 자기 기록 매체 및 이 자기 기록 매체를 포함한 자기 기억 장치를 제공할 수 있다.

Claims (9)

  1. 기판과, 상기 기판상에 하지층, 제1 자성층, 비자성 결합층, 제2 자성층, 제3 자성층, 비자성 분단층 및 제4 자성층을 이 순서대로 적층하여 이루어지고,
    상기 제1 자성층과 제2 자성층은 반강자성적으로 교환 결합하고, 상기 제2 자성층과 제3 자성층은 강자성적으로 교환 결합하며,
    상기 제3 자성층은 제2 자성층보다 이방성 자계가 작으면서, 포화 자화가 큰 것인,
    자기 기록 매체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제4 자성층은, 제2 자성층과 동등하거나 그 보다 큰 이방성 자계를 포함하는 것인, 자기 기록 매체.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 자성층 및 제3 자성층은, 제2 자성층의 이방성 자계를 Hk2, 제3 자성층의 이방성 자계를 Hk3으로 하면 Hk3 + 2000(Oe) ≤ Hk2의 관계를 만족하는 것인, 자기 기록 매체.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 자성층 및 제3 자성층은, 제2 자성층의 포화 자화를 Ms2, 제3 자성층의 포화 자화를 Ms3으로 하면, Ms3 > Ms2 + 200(emu/cm3)의 관계를 만족하는 것인, 자기 기록 매체.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 자성층 및 제4 자성층은, 동일한 조성의 강자성 재료로 이루어지는 것인, 자기 기록 매체.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제3 자성층은, 그 막 두께가 0.5 ㎚ 내지 5 ㎚의 범위로 설정되는 것인, 자기 기록 매체.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 자성층 및 제3 자성층은, CoCrPt 또는 CoCrPt-X3 합금으로 이루어지고, X3이 B, Mo, Nb, Ta, W 및 Cu로 이루어지는 군 중 적어도 1종이며,
    상기 제3 자성층은, 제2 자성층보다 원자 농도로 Pt 함유량이 적으면서, Co 함유량이 많은 것인, 자기 기록 매체.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 비자성 분단층은, 비자성 합금으로 이루어지고, 그 막 두께가 1.0 ㎚ 내지 3 ㎚의 범위로 설정되는 것인, 자기 기록 매체.
  9. 제1항 또는 제2항에 기재된 자기 기록 매체와;
    상기 자기 기록 매체에 대하여 정보를 기록 및 판독을 행하는 기록 재생 수단
    을 포함하는 자기 기억 장치.
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