JPH0798835A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0798835A JPH0798835A JP26572793A JP26572793A JPH0798835A JP H0798835 A JPH0798835 A JP H0798835A JP 26572793 A JP26572793 A JP 26572793A JP 26572793 A JP26572793 A JP 26572793A JP H0798835 A JPH0798835 A JP H0798835A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- recording medium
- magnetic recording
- target
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 保磁力の向上が図れ、高密度磁気記録に適し
た、変調ノイズの小さい、耐久性に優れた、それでい
て、保護膜を必要としない磁気記録媒体を提供する。 【構成】 非磁性基板６と、この非磁性基板６上に形成
された非磁性絶縁体及び強磁性体から構成される複合磁
性層とからなる磁性記録媒体であって、表面抵抗値を１
×１０５Ω以上とし、ヘンケルプロットをほぼ直線とし
た。
た、変調ノイズの小さい、耐久性に優れた、それでい
て、保護膜を必要としない磁気記録媒体を提供する。 【構成】 非磁性基板６と、この非磁性基板６上に形成
された非磁性絶縁体及び強磁性体から構成される複合磁
性層とからなる磁性記録媒体であって、表面抵抗値を１
×１０５Ω以上とし、ヘンケルプロットをほぼ直線とし
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスクや磁気テ
ープ等の磁気記録媒体に係わり、特に高密度磁気記録に
好適な磁気記録媒体に関するものである。
ープ等の磁気記録媒体に係わり、特に高密度磁気記録に
好適な磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、実用に供されている磁気ディスク
等の磁気記録媒体には、２種類ある。１つは、強磁性微
粒子を有機樹脂からなるバインダー中に分散させ、これ
を基板（又はベ−ス）上に塗布して得られる塗布型磁気
記録媒体（以下、塗布型媒体とも言う）であり、他は、
強磁性金属薄膜を基板（又はベ−ス）上に成膜して得ら
れる薄膜磁気記録媒体（以下、薄膜媒体とも言う）であ
る。塗布型媒体は、優れた耐久性と低変調ノイズという
長所を有するが、高密度磁気記録が困難であるという欠
点がある。一方、薄膜媒体は、高密度磁気記録には適す
るが、耐久性に問題があり、また、連続膜であることに
起因する高変調ノイズも解決すべき問題である。
等の磁気記録媒体には、２種類ある。１つは、強磁性微
粒子を有機樹脂からなるバインダー中に分散させ、これ
を基板（又はベ−ス）上に塗布して得られる塗布型磁気
記録媒体（以下、塗布型媒体とも言う）であり、他は、
強磁性金属薄膜を基板（又はベ−ス）上に成膜して得ら
れる薄膜磁気記録媒体（以下、薄膜媒体とも言う）であ
る。塗布型媒体は、優れた耐久性と低変調ノイズという
長所を有するが、高密度磁気記録が困難であるという欠
点がある。一方、薄膜媒体は、高密度磁気記録には適す
るが、耐久性に問題があり、また、連続膜であることに
起因する高変調ノイズも解決すべき問題である。
【０００３】そこで、塗布型媒体と薄膜媒体の両者の長
所を生かし、さらに保護膜が不要な磁気記録媒体とし
て、Ｓ．Ｈ．Ｌｉｏｕ等によって提案されたのが、Ｇｒ
ａ−ｎｕｌａｒ Ｍｅｔａｌ Ｆｉｌｍ（以下、グラニ
ュラ薄膜ともいう）である（Ｓ．Ｈ．Ｌｉｏｕ ａｎｄ
Ｃ．Ｌ．Ｃｈｉｅｎ：Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ． Ｌｅ
ｔｔ．５２（６），８ Ｆｅｂ．１９８８、Ｙ．Ｋａｎ
ａｉ ａｎｄ Ｓ．Ｈ．Ｃｈａｒａｐ：Ｊ．Ａｐｐｌ．
Ｐｙｈｓ．６９（８），１５ Ａｐｒ．１９９１）。
Ｓ．Ｈ．Ｌｉｏｕ等は、ＦｅとＳｉＯ2 からなる複合タ
−ゲットを用いたＲＦマグネトロンスパッタ法によっ
て、非晶質ＳｉＯ2 母材中に埋め込まれた微細な磁気粒
子であるＦｅからなる、室温での保磁力１１２５Ｏｅを
有するグラニュラ薄膜を得ている。
所を生かし、さらに保護膜が不要な磁気記録媒体とし
て、Ｓ．Ｈ．Ｌｉｏｕ等によって提案されたのが、Ｇｒ
ａ−ｎｕｌａｒ Ｍｅｔａｌ Ｆｉｌｍ（以下、グラニ
ュラ薄膜ともいう）である（Ｓ．Ｈ．Ｌｉｏｕ ａｎｄ
Ｃ．Ｌ．Ｃｈｉｅｎ：Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ． Ｌｅ
ｔｔ．５２（６），８ Ｆｅｂ．１９８８、Ｙ．Ｋａｎ
ａｉ ａｎｄ Ｓ．Ｈ．Ｃｈａｒａｐ：Ｊ．Ａｐｐｌ．
Ｐｙｈｓ．６９（８），１５ Ａｐｒ．１９９１）。
Ｓ．Ｈ．Ｌｉｏｕ等は、ＦｅとＳｉＯ2 からなる複合タ
−ゲットを用いたＲＦマグネトロンスパッタ法によっ
て、非晶質ＳｉＯ2 母材中に埋め込まれた微細な磁気粒
子であるＦｅからなる、室温での保磁力１１２５Ｏｅを
有するグラニュラ薄膜を得ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このグラニ
ュラ薄膜を、磁気記録媒体として使用するとき、母材が
硬質の非晶質ＳｉＯ2 であることより、磁気記録再生の
際に摺接する磁気ヘッドから磁気記録媒体を保護するた
めの保護膜を必要としないことから、必然的に磁気ヘッ
ド−媒体間のスペーシングも小さくする事が可能と考え
られ、また、微細なＦｅ間の磁気的相互作用も無いと考
えられ、変調ノイズの小さい高磁気記録密度を有する磁
気記録媒体として、さらなる高特性が期待されている。
しかしながら、上述のように高磁気記録密度化のために
不可欠な高い保磁力を有する媒体が得られていないのが
現状である。
ュラ薄膜を、磁気記録媒体として使用するとき、母材が
硬質の非晶質ＳｉＯ2 であることより、磁気記録再生の
際に摺接する磁気ヘッドから磁気記録媒体を保護するた
めの保護膜を必要としないことから、必然的に磁気ヘッ
ド−媒体間のスペーシングも小さくする事が可能と考え
られ、また、微細なＦｅ間の磁気的相互作用も無いと考
えられ、変調ノイズの小さい高磁気記録密度を有する磁
気記録媒体として、さらなる高特性が期待されている。
しかしながら、上述のように高磁気記録密度化のために
不可欠な高い保磁力を有する媒体が得られていないのが
現状である。
【０００５】そこで、本発明は上記の点に着目してなさ
れたものであり、保磁力の向上を出来るようにし、それ
により、高密度磁気記録に適した、変調ノイズの小さ
い、耐久性に優れた、それでいて、保護膜を必要としな
い磁気記録媒体を提供する事を目的とするものである。
れたものであり、保磁力の向上を出来るようにし、それ
により、高密度磁気記録に適した、変調ノイズの小さ
い、耐久性に優れた、それでいて、保護膜を必要としな
い磁気記録媒体を提供する事を目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体
は、非磁性基板と、この非磁性基板上に形成された非磁
性絶縁体及び強磁性体から構成される複合磁性層とから
なる磁気記録媒体であって、表面抵抗値を１×１０5 Ω
・ｃｍ以上としヘンケルプロットをほぼ直線としたこと
により、上述の目的を達成するものである。
は、非磁性基板と、この非磁性基板上に形成された非磁
性絶縁体及び強磁性体から構成される複合磁性層とから
なる磁気記録媒体であって、表面抵抗値を１×１０5 Ω
・ｃｍ以上としヘンケルプロットをほぼ直線としたこと
により、上述の目的を達成するものである。
【０００７】また、本発明の磁気記録媒体の製造方法
は、請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法であっ
て、前記絶縁体及び前記強磁性体からなる複合タ−ゲッ
トに高周波電力を印加し、前記非磁性基板に高周波バイ
アス電力を印加するスパッタリング法により前記複合磁
性層を前記非磁性基板上に形成する工程と、前記非磁性
基板上に形成した前記複合磁性層を真空中で熱処理する
工程とを有した事により、上述の目的を達成するもので
ある。
は、請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法であっ
て、前記絶縁体及び前記強磁性体からなる複合タ−ゲッ
トに高周波電力を印加し、前記非磁性基板に高周波バイ
アス電力を印加するスパッタリング法により前記複合磁
性層を前記非磁性基板上に形成する工程と、前記非磁性
基板上に形成した前記複合磁性層を真空中で熱処理する
工程とを有した事により、上述の目的を達成するもので
ある。
【０００８】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の一実施例
を説明する。まず、本発明の磁気記録媒体の一実施例を
製造するときに使用される高周波バイアススパッタリン
グ装置の概要を説明する。図１は、本発明の磁気記録媒
体の一実施例を製造するときに使用される高周波バイア
ススパッタリング装置の要部の概要を示す断面構成図で
ある。
を説明する。まず、本発明の磁気記録媒体の一実施例を
製造するときに使用される高周波バイアススパッタリン
グ装置の概要を説明する。図１は、本発明の磁気記録媒
体の一実施例を製造するときに使用される高周波バイア
ススパッタリング装置の要部の概要を示す断面構成図で
ある。
【０００９】高周波バイアススパッタリング装置１の真
空槽１０は、ここには図示しない真空排気系によって内
部を真空にされる。真空槽には、ここには図示しないＡ
ｒガス導入口よりＡｒガスを導入する事ができる。真空
槽１０は、電気的には接地されている。真空槽１０の内
部には、ここには図示しない真空槽１０とは電気的に絶
縁されて固定保持されている電極に取り付けられた直径
６インチのタ−ゲット４が配置されている。タ−ゲット
４の材質は、磁気記録媒体の母材を構成する絶縁体であ
り、このタ−ゲット４上には、所定の形状のチップ５が
所定の枚数配置されており、チップ５の材質は磁気記録
媒体内の磁気微粒子となる磁性体である。電極には、電
流導入端子３を通して、電源周波数１３．５６ＭＨｚの
高周波電源２が接続されており、高周波電源２は、ここ
には図示しないマッチングボックスを介して、接地され
ている。
空槽１０は、ここには図示しない真空排気系によって内
部を真空にされる。真空槽には、ここには図示しないＡ
ｒガス導入口よりＡｒガスを導入する事ができる。真空
槽１０は、電気的には接地されている。真空槽１０の内
部には、ここには図示しない真空槽１０とは電気的に絶
縁されて固定保持されている電極に取り付けられた直径
６インチのタ−ゲット４が配置されている。タ−ゲット
４の材質は、磁気記録媒体の母材を構成する絶縁体であ
り、このタ−ゲット４上には、所定の形状のチップ５が
所定の枚数配置されており、チップ５の材質は磁気記録
媒体内の磁気微粒子となる磁性体である。電極には、電
流導入端子３を通して、電源周波数１３．５６ＭＨｚの
高周波電源２が接続されており、高周波電源２は、ここ
には図示しないマッチングボックスを介して、接地され
ている。
【００１０】一方、真空層１０内には、タ−ゲット４に
向かい合って真空槽１０とは電気的に絶縁されて固定保
持されている電極７が配置されている。電極７のタ−ゲ
ット４側には磁気記録媒体を形成するための非磁性基板
６を取り付ける事が出来る様になっている（電極７は基
板ホルダ−を兼ねる）。電極７には、電流導入端子８を
通して、電源周波数１３．５６ＭＨｚのバイアス用高周
波電源９が接続されており、このバイアス用高周波電源
９は、ここには図示しないマッチングボックスを介し
て、接地されている。
向かい合って真空槽１０とは電気的に絶縁されて固定保
持されている電極７が配置されている。電極７のタ−ゲ
ット４側には磁気記録媒体を形成するための非磁性基板
６を取り付ける事が出来る様になっている（電極７は基
板ホルダ−を兼ねる）。電極７には、電流導入端子８を
通して、電源周波数１３．５６ＭＨｚのバイアス用高周
波電源９が接続されており、このバイアス用高周波電源
９は、ここには図示しないマッチングボックスを介し
て、接地されている。
【００１１】この高周波バイアススパッタリング装置１
によれば、高周波電源２より供給される電力によりチッ
プ５及びタ−ゲット４がスパッタされ、非磁性基板６に
印加されるバイアス用高周波電源９からの電力により、
非磁性基板６上でエッチングされながら成膜する構造に
なっている。
によれば、高周波電源２より供給される電力によりチッ
プ５及びタ−ゲット４がスパッタされ、非磁性基板６に
印加されるバイアス用高周波電源９からの電力により、
非磁性基板６上でエッチングされながら成膜する構造に
なっている。
【００１２】次に以下、実施例及び比較例を説明する。 ＜実施例１＞非磁性基板６として、直径３．５インチの
ソ−ダガラス基板を使用した。タ−ゲット４には、直径
６インチのＳｉＯ2 を使用した。チップ５には、Ｆｅ
（サイズは、５×５×１ｍｍである）を使用した。ま
ず、非磁性基板６を、高周波バイアススパッタリング装
置１の基板ホルダ−（電極７であり、このときの表面積
は４９０ｃｍ2 であった）の所定の位置にセットし、タ
−ゲット４の表面積に対して、２０％の面積比率になる
ように、所定枚数のチップ５をタ−ゲット上に配置し、
真空排気を行った。到達真空度は、１×１０-4Ｐａであ
った。
ソ−ダガラス基板を使用した。タ−ゲット４には、直径
６インチのＳｉＯ2 を使用した。チップ５には、Ｆｅ
（サイズは、５×５×１ｍｍである）を使用した。ま
ず、非磁性基板６を、高周波バイアススパッタリング装
置１の基板ホルダ−（電極７であり、このときの表面積
は４９０ｃｍ2 であった）の所定の位置にセットし、タ
−ゲット４の表面積に対して、２０％の面積比率になる
ように、所定枚数のチップ５をタ−ゲット上に配置し、
真空排気を行った。到達真空度は、１×１０-4Ｐａであ
った。
【００１３】次に、Ａｒガス圧力を２Ｐａ、基板加熱温
度を３００℃、タ−ゲット−基板間距離を５０ｍｍ、ス
パッタリング電力（高周波電源２からの電力）を３００
Ｗとするスパッタ条件で、グラニュラ薄膜を１０００オ
ングストロ−ム成膜した。この時、非磁性基板６に印加
したバイアス高周波電力（バイアス高周波電源９からの
電力）は、４０Ｗ、６０Ｗおよび１２０Ｗの３種類と
し、それぞれについて成膜し、グラニュラ薄膜からなる
磁気記録媒体を得た。なお、高周波電力の位相合わせは
特に行ってはいない。磁気記録媒体を成膜後、非磁性基
板６の温度を５５０℃に昇温保持し、１ｈｒの真空中熱
処理を行い、３種類の磁気記録媒体を得た。
度を３００℃、タ−ゲット−基板間距離を５０ｍｍ、ス
パッタリング電力（高周波電源２からの電力）を３００
Ｗとするスパッタ条件で、グラニュラ薄膜を１０００オ
ングストロ−ム成膜した。この時、非磁性基板６に印加
したバイアス高周波電力（バイアス高周波電源９からの
電力）は、４０Ｗ、６０Ｗおよび１２０Ｗの３種類と
し、それぞれについて成膜し、グラニュラ薄膜からなる
磁気記録媒体を得た。なお、高周波電力の位相合わせは
特に行ってはいない。磁気記録媒体を成膜後、非磁性基
板６の温度を５５０℃に昇温保持し、１ｈｒの真空中熱
処理を行い、３種類の磁気記録媒体を得た。
【００１４】＜実施例２＞前記実施例１において、Ｆｅ
のＳｉＯ2 に対する面積比率を３０％とする以外は、実
施例１と同様にして、３種類の磁気記録媒体を得た。
のＳｉＯ2 に対する面積比率を３０％とする以外は、実
施例１と同様にして、３種類の磁気記録媒体を得た。
【００１５】＜実施例３＞前記実施例１において、Ｆｅ
のＳｉＯ2 に対する面積比率を４０％とする以外は、実
施例１と同様にして、３種類の磁気記録媒体を得た。
のＳｉＯ2 に対する面積比率を４０％とする以外は、実
施例１と同様にして、３種類の磁気記録媒体を得た。
【００１６】＜比較例１＞前記実施例１において、バイ
アス高周波電力を印加しなかった以外は、実施例１と同
様にして、磁気記録媒体を得た。
アス高周波電力を印加しなかった以外は、実施例１と同
様にして、磁気記録媒体を得た。
【００１７】＜比較例２＞前記実施例２において、バイ
アス高周波電力を印加しなかった以外は、実施例２と同
様にして、磁気記録媒体を得た。
アス高周波電力を印加しなかった以外は、実施例２と同
様にして、磁気記録媒体を得た。
【００１８】＜比較例３＞前記実施例３において、バイ
アス高周波電力を印加しなかった以外は、実施例３と同
様にして、磁気記録媒体を得た。
アス高周波電力を印加しなかった以外は、実施例３と同
様にして、磁気記録媒体を得た。
【００１９】実施例及び比較例の各磁気記録媒体の磁気
特性については、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）にて、表
面抵抗については、４端子表面抵抗計により測定した。
特性については、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）にて、表
面抵抗については、４端子表面抵抗計により測定した。
【００２０】まず、磁気特性について説明する。図５
は、本発明の磁気記録媒体の一実施例及び比較例におい
て、Ｆｅ面積比率をパラメ−タとした時の高周波バイア
ス電力と保磁力との関係を示すグラフ図である。図５に
示すように、Ｆｅ面積比率３０％と４０％の磁気記録媒
体は、高周波バイアス電力（ＲＦバイアスパワーとも言
う）を増加させるにともない保磁力は減少している。し
かし、Ｆｅ面積比率２０％の磁気記録媒体では、ＲＦバ
イアスパワーの増加にともない保磁力は上昇し、ＲＦバ
イスパワー８０Ｗでピーク値を示している。その時の保
磁力は１２２０エルステッドという高い値であった。な
お、飽和磁束密度は、Ｆｅ面積比率が９．１、１１．３
及び１３．６％の時、それぞれ、１１００、２０００及
び２８００Ｇの値を示すことが、関連した別の検討結果
よりわかっており、現状に適した磁気記録媒体に必要な
飽和磁束密度を有するには、Ｆｅ面積比率が１２％以上
であれば良い。
は、本発明の磁気記録媒体の一実施例及び比較例におい
て、Ｆｅ面積比率をパラメ−タとした時の高周波バイア
ス電力と保磁力との関係を示すグラフ図である。図５に
示すように、Ｆｅ面積比率３０％と４０％の磁気記録媒
体は、高周波バイアス電力（ＲＦバイアスパワーとも言
う）を増加させるにともない保磁力は減少している。し
かし、Ｆｅ面積比率２０％の磁気記録媒体では、ＲＦバ
イアスパワーの増加にともない保磁力は上昇し、ＲＦバ
イスパワー８０Ｗでピーク値を示している。その時の保
磁力は１２２０エルステッドという高い値であった。な
お、飽和磁束密度は、Ｆｅ面積比率が９．１、１１．３
及び１３．６％の時、それぞれ、１１００、２０００及
び２８００Ｇの値を示すことが、関連した別の検討結果
よりわかっており、現状に適した磁気記録媒体に必要な
飽和磁束密度を有するには、Ｆｅ面積比率が１２％以上
であれば良い。
【００２１】図７は、本発明の磁気記録媒体の一実施例
及び比較例において、Ｆｅ面積比率を２０％とした時の
高周波バイアス電力と角型比との関係を示すグラフ図で
ある。 図７に示すように、角型比は、保磁力と同様
に、８０ＷのＲＦバイアスパワーの時でピークを示して
おり、角形比もＲＦバイアスで改善されることが明らか
になった。
及び比較例において、Ｆｅ面積比率を２０％とした時の
高周波バイアス電力と角型比との関係を示すグラフ図で
ある。 図７に示すように、角型比は、保磁力と同様
に、８０ＷのＲＦバイアスパワーの時でピークを示して
おり、角形比もＲＦバイアスで改善されることが明らか
になった。
【００２２】磁気記録媒体を構成する磁気微粒子間の磁
気的相互作用の程度を評価するものとして、ヘンケルプ
ロット図がある。磁気記録媒体を、ＡＣ消去により初磁
化状態とし、これに正磁場Ｈを印加し、次にこの磁場Ｈ
を０に戻すと残留磁化Ｉｒが得られるが、正磁場Ｈの値
を次々と増加して磁場Ｈの関数として残留磁化Ｉｒを得
る。一方、磁気記録媒体を、ＤＣ消去により正方向に飽
和させた後、この飽和磁場を取り去り、負磁場Ｈを印加
し、次にこの負磁場Ｈを０に戻すと残留磁化Ｉｄが得ら
れるが、負磁場Ｈの値を次々と増加（絶対値を大きくす
る）して磁場Ｈの関数として残留磁化Ｉｄを得る。この
Ｉｄを磁場の絶対値を介してＩｒの関数として表わした
のが、ヘンケルプロット図であり、これが直線になると
き、磁気的相互作用がないことが知られている。
気的相互作用の程度を評価するものとして、ヘンケルプ
ロット図がある。磁気記録媒体を、ＡＣ消去により初磁
化状態とし、これに正磁場Ｈを印加し、次にこの磁場Ｈ
を０に戻すと残留磁化Ｉｒが得られるが、正磁場Ｈの値
を次々と増加して磁場Ｈの関数として残留磁化Ｉｒを得
る。一方、磁気記録媒体を、ＤＣ消去により正方向に飽
和させた後、この飽和磁場を取り去り、負磁場Ｈを印加
し、次にこの負磁場Ｈを０に戻すと残留磁化Ｉｄが得ら
れるが、負磁場Ｈの値を次々と増加（絶対値を大きくす
る）して磁場Ｈの関数として残留磁化Ｉｄを得る。この
Ｉｄを磁場の絶対値を介してＩｒの関数として表わした
のが、ヘンケルプロット図であり、これが直線になると
き、磁気的相互作用がないことが知られている。
【００２３】図２は、本発明の磁気記録媒体の実施例１
におけるヘンケルプロット図であり、Ｉｄ及びＩｒの値
は飽和残留磁化の値で規格化してある。図２は、実施例
１の内ＲＦバイアスパワ−が８０Ｗの時の磁気記録媒体
についての結果を示し、Ｉｄ及びＩｒの関係がほぼ直線
になっていることがわかる。なお、実施例の全てについ
て、図２に示した結果と同様の結果が得られている。
におけるヘンケルプロット図であり、Ｉｄ及びＩｒの値
は飽和残留磁化の値で規格化してある。図２は、実施例
１の内ＲＦバイアスパワ−が８０Ｗの時の磁気記録媒体
についての結果を示し、Ｉｄ及びＩｒの関係がほぼ直線
になっていることがわかる。なお、実施例の全てについ
て、図２に示した結果と同様の結果が得られている。
【００２４】次に比較のために、従来の磁気記録媒体の
ヘンケルプロット図を示す。図３は、第１の従来例の磁
気記録媒体におけるヘンケルプロット図であり、市販さ
れている塗布型磁気ディスクについて、●印はその円周
方向の、○印はその半径方向の結果を示す。塗布型磁気
ディスクは低変調ノイズであることより、Ｉｄ及びＩｒ
の関係は、比較的直線関係に近い。図４は、第２の従来
例の磁気記録媒体におけるヘンケルプロット図であり、
市販されているテクスチャを有する薄膜型磁気ディスク
について、●印はその円周方向の、○印はその半径方向
の結果を示す。薄膜型磁気ディスクの磁性体は、連続膜
であることより、磁気的相互作用が大きく高変調ノイズ
であり、したがってＩｄ及びＩｒの関係は、直線関係よ
り大きくずれている。
ヘンケルプロット図を示す。図３は、第１の従来例の磁
気記録媒体におけるヘンケルプロット図であり、市販さ
れている塗布型磁気ディスクについて、●印はその円周
方向の、○印はその半径方向の結果を示す。塗布型磁気
ディスクは低変調ノイズであることより、Ｉｄ及びＩｒ
の関係は、比較的直線関係に近い。図４は、第２の従来
例の磁気記録媒体におけるヘンケルプロット図であり、
市販されているテクスチャを有する薄膜型磁気ディスク
について、●印はその円周方向の、○印はその半径方向
の結果を示す。薄膜型磁気ディスクの磁性体は、連続膜
であることより、磁気的相互作用が大きく高変調ノイズ
であり、したがってＩｄ及びＩｒの関係は、直線関係よ
り大きくずれている。
【００２５】図６は、本発明の磁気記録媒体の一実施例
及び比較例において、Ｆｅ面積比率をパラメ−タとした
時の高周波バイアス電力と表面抵抗値との関係を示すグ
ラフ図である。図６に示すように、Ｆｅ面積比率２０％
と３０％のものは１×１０5 Ω・ｃｍ以上の絶縁体を示
す高い値を示しており、これは磁気記録媒体がグラニュ
ラ状態であることを表している。しかし、Ｆｅ面積比率
が４０％になると表面抵抗は数十Ω・ｃｍまで低下す
る。これはＦｅがグラニュラ状態から連続膜状態に変化
したことを示し、もはや低ノイズは期待できない。
及び比較例において、Ｆｅ面積比率をパラメ−タとした
時の高周波バイアス電力と表面抵抗値との関係を示すグ
ラフ図である。図６に示すように、Ｆｅ面積比率２０％
と３０％のものは１×１０5 Ω・ｃｍ以上の絶縁体を示
す高い値を示しており、これは磁気記録媒体がグラニュ
ラ状態であることを表している。しかし、Ｆｅ面積比率
が４０％になると表面抵抗は数十Ω・ｃｍまで低下す
る。これはＦｅがグラニュラ状態から連続膜状態に変化
したことを示し、もはや低ノイズは期待できない。
【００２６】以上より、非磁性基板上に複合磁性膜を成
膜中に、非磁性基板にＲＦバイアスを印加し、成膜後に
真空中での熱処理を施すことにより、母材のＳｉＯ2 中
のＦｅの含有量、粒径、分散状態等がコントロールされ
て保磁力が向上した事がわかる。
膜中に、非磁性基板にＲＦバイアスを印加し、成膜後に
真空中での熱処理を施すことにより、母材のＳｉＯ2 中
のＦｅの含有量、粒径、分散状態等がコントロールされ
て保磁力が向上した事がわかる。
【００２７】以上、磁気記録媒体を構成する母材とし
て、ＳｉＯ2 について説明したが、これに限定されるも
のではなく、非磁性絶縁体を形成するＡｌ2 Ｏ3 やＢＮ
であっても良い。また、磁性体微粒子を構成するものと
して、Ｆｅについて説明したが、これに限定されるもの
ではなく、Ｃｏ、Ｃｏ合金等の磁性体であっても良い。
て、ＳｉＯ2 について説明したが、これに限定されるも
のではなく、非磁性絶縁体を形成するＡｌ2 Ｏ3 やＢＮ
であっても良い。また、磁性体微粒子を構成するものと
して、Ｆｅについて説明したが、これに限定されるもの
ではなく、Ｃｏ、Ｃｏ合金等の磁性体であっても良い。
【００２８】
【発明の効果】本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板
と、この非磁性基板上に形成された非磁性絶縁体及び強
磁性体から構成される複合磁性層とからなる磁気記録媒
体であって、表面抵抗値を１×１０5 Ω・ｃｍ以上とし
ヘンケルプロットをほぼ直線としたことにより、保磁力
の向上が出来、それにより、高密度磁気記録に適した、
変調ノイズの小さい、耐久性に優れた、それでいて、保
護膜を必要としない磁気記録媒体を提供する事が出来
る。
と、この非磁性基板上に形成された非磁性絶縁体及び強
磁性体から構成される複合磁性層とからなる磁気記録媒
体であって、表面抵抗値を１×１０5 Ω・ｃｍ以上とし
ヘンケルプロットをほぼ直線としたことにより、保磁力
の向上が出来、それにより、高密度磁気記録に適した、
変調ノイズの小さい、耐久性に優れた、それでいて、保
護膜を必要としない磁気記録媒体を提供する事が出来
る。
【００２９】また、本発明の磁気記録媒体の製造方法
は、請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法であっ
て、前記絶縁体及び前記強磁性体からなる複合タ−ゲッ
トに高周波電力を印加し、前記非磁性基板に高周波バイ
アス電力を印加するスパッタリング法により前記複合磁
性層を前記非磁性基板上に形成する工程と、前記非磁性
基板上に形成した前記複合磁性層を真空中で熱処理する
工程とを有した事により、保磁力の向上が出来、それに
より、高密度磁気記録に適した、変調ノイズの小さい、
耐久性に優れた、それでいて、保護膜を必要としない磁
気記録媒体を提供する事が出来る。
は、請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法であっ
て、前記絶縁体及び前記強磁性体からなる複合タ−ゲッ
トに高周波電力を印加し、前記非磁性基板に高周波バイ
アス電力を印加するスパッタリング法により前記複合磁
性層を前記非磁性基板上に形成する工程と、前記非磁性
基板上に形成した前記複合磁性層を真空中で熱処理する
工程とを有した事により、保磁力の向上が出来、それに
より、高密度磁気記録に適した、変調ノイズの小さい、
耐久性に優れた、それでいて、保護膜を必要としない磁
気記録媒体を提供する事が出来る。
【図１】本発明の磁気記録媒体の一実施例を製造すると
きに使用される高周波バイアススパッタリング装置の要
部の概要を示す断面構成図である。
きに使用される高周波バイアススパッタリング装置の要
部の概要を示す断面構成図である。
【図２】本発明の磁気記録媒体の一実施例におけるヘン
ケルプロット図である。
ケルプロット図である。
【図３】第１の従来例の磁気記録媒体におけるヘンケル
プロット図である。
プロット図である。
【図４】第２の従来例の磁気記録媒体におけるヘンケル
プロット図である。
プロット図である。
【図５】本発明の磁気記録媒体の一実施例及び比較例に
おいて、Ｆｅ面積比率をパラメ−タとした時の高周波バ
イアス電力と保磁力との関係を示すグラフ図である。
おいて、Ｆｅ面積比率をパラメ−タとした時の高周波バ
イアス電力と保磁力との関係を示すグラフ図である。
【図６】本発明の磁気記録媒体の一実施例及び比較例に
おいて、Ｆｅ面積比率をパラメ−タとした時の高周波バ
イアス電力と表面抵抗値との関係を示すグラフ図であ
る。
おいて、Ｆｅ面積比率をパラメ−タとした時の高周波バ
イアス電力と表面抵抗値との関係を示すグラフ図であ
る。
【図７】本発明の磁気記録媒体の一実施例及び比較例に
おいて、Ｆｅ面積比率を２０％とした時の高周波バイア
ス電力と角型比との関係を示すグラフ図である。
おいて、Ｆｅ面積比率を２０％とした時の高周波バイア
ス電力と角型比との関係を示すグラフ図である。
１ 高周波バイアススパッタリング装置 ２ 高周波電源 ３ 電流導入端子 ４ タ−ゲット ５ チップ ６ 非磁性基板 ７ 電極 ８ 電流導入端子 ９ バイアス用高周波電源 １０ 真空槽
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１０月２１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】次に比較のために、従来の磁気記録媒体の
ヘンケルプロット図を示す。図３は、第１の従来例の磁
気記録媒体におけるヘンケルプロット図であり、市販さ
れている塗布型磁気ディスクについて、○印はその円周
方向の、●印はその半径方向の結果を示す。塗布型磁気
ディスクは低変調ノイズであることより、Ｉｄ及びＩｒ
の関係は、比較的直線関係に近い。図４は、第２の従来
例の磁気記録媒体におけるヘンケルプロット図であり、
市販されているテクスチャを有する薄膜型磁気ディスク
について、○印はその円周方向の、●印はその半径方向
の結果を示す。薄膜型磁気ディスクの磁性体は、連続膜
であることより、磁気的相互作用が大きく高変調ノイズ
であり、したがってＩｄ及びＩｒの関係は、直線関係よ
り大きくずれている。 ─────────────────────────────────────────────────────
ヘンケルプロット図を示す。図３は、第１の従来例の磁
気記録媒体におけるヘンケルプロット図であり、市販さ
れている塗布型磁気ディスクについて、○印はその円周
方向の、●印はその半径方向の結果を示す。塗布型磁気
ディスクは低変調ノイズであることより、Ｉｄ及びＩｒ
の関係は、比較的直線関係に近い。図４は、第２の従来
例の磁気記録媒体におけるヘンケルプロット図であり、
市販されているテクスチャを有する薄膜型磁気ディスク
について、○印はその円周方向の、●印はその半径方向
の結果を示す。薄膜型磁気ディスクの磁性体は、連続膜
であることより、磁気的相互作用が大きく高変調ノイズ
であり、したがってＩｄ及びＩｒの関係は、直線関係よ
り大きくずれている。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年８月２３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体
は、非磁性基板と、この非磁性基板上に形成された非磁
性絶縁体及び強磁性体から構成される複合磁性層とから
なる磁気記録媒体であって、表面抵抗値を１×１０５Ω
以上とし、ヘンケルプロットをほぼ直線としたことによ
り、上記目的を達成するものである。
は、非磁性基板と、この非磁性基板上に形成された非磁
性絶縁体及び強磁性体から構成される複合磁性層とから
なる磁気記録媒体であって、表面抵抗値を１×１０５Ω
以上とし、ヘンケルプロットをほぼ直線としたことによ
り、上記目的を達成するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２５】図６は、本発明の磁気記録媒体の一実施例
及び比較例において、Ｆｅ面積比率をパラメータとした
時の高周波バイアス電力と表面抵抗値との関係を示すグ
ラフである。図６に示すように、Ｆｅ面積比率２０％と
３０％のものは１×１０５Ω以上の絶縁体を示す高い値
を示しており、これは磁気記録媒体がグラニュラ状態で
あることを表している。しかし、Ｆｅ面積比率が４０％
になると表面抵抗は数＋Ωまで低下する。これはＦｅが
グラニュラ状態から連続膜状態に変化したことを示し、
もはや低ノイズは期待できない。
及び比較例において、Ｆｅ面積比率をパラメータとした
時の高周波バイアス電力と表面抵抗値との関係を示すグ
ラフである。図６に示すように、Ｆｅ面積比率２０％と
３０％のものは１×１０５Ω以上の絶縁体を示す高い値
を示しており、これは磁気記録媒体がグラニュラ状態で
あることを表している。しかし、Ｆｅ面積比率が４０％
になると表面抵抗は数＋Ωまで低下する。これはＦｅが
グラニュラ状態から連続膜状態に変化したことを示し、
もはや低ノイズは期待できない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２８】
【発明の効果】本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板
と、この非磁性基板上に形成された非磁性絶縁体及び強
磁性体から構成される複合磁性層とからなる磁気記録媒
体であって、表面抵抗値を１×１０５Ω以上とし、ヘン
ケルプロットをほぼ直線としたことにより、保磁力の向
上が図れ、それにより、高密度磁気記録に適した、変調
ノイズの小さい、耐久性に優れた、それでいて、保護膜
を必要としない磁気記録媒体を提供することができる。
と、この非磁性基板上に形成された非磁性絶縁体及び強
磁性体から構成される複合磁性層とからなる磁気記録媒
体であって、表面抵抗値を１×１０５Ω以上とし、ヘン
ケルプロットをほぼ直線としたことにより、保磁力の向
上が図れ、それにより、高密度磁気記録に適した、変調
ノイズの小さい、耐久性に優れた、それでいて、保護膜
を必要としない磁気記録媒体を提供することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】
Claims (3)
- 【請求項１】非磁性基板と、この非磁性基板上に形成さ
れた非磁性絶縁体及び強磁性体から構成される複合磁性
層とからなる磁気記録媒体であって、表面抵抗値を１×
１０5 Ω・ｃｍ以上としヘンケルプロットをほぼ直線と
したことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法
であって、前記絶縁体及び前記強磁性体からなる複合タ
−ゲットに高周波電力を印加し、前記非磁性基板に高周
波バイアス電力を印加するスパッタリング法により前記
複合磁性層を前記非磁性基板上に形成する工程と、前記
非磁性基板上に形成した前記複合磁性層を真空中で熱処
理する工程とを有した事を特徴とする磁気記録媒体の製
造方法。 - 【請求項３】請求項１に記載の磁気記録媒体であって、
前記絶縁体がＳｉＯ2 であり、前記強磁性体がＦｅであ
ることを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26572793A JPH0798835A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26572793A JPH0798835A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0798835A true JPH0798835A (ja) | 1995-04-11 |
Family
ID=17421166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26572793A Pending JPH0798835A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0798835A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6174597B1 (en) | 1996-07-26 | 2001-01-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording apparatus |
| JP2002367135A (ja) * | 2001-06-06 | 2002-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| US6569545B1 (en) | 1998-07-03 | 2003-05-27 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and a magnetic storage apparatus |
| WO2012014504A1 (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-02 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-09-29 JP JP26572793A patent/JPH0798835A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6174597B1 (en) | 1996-07-26 | 2001-01-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording apparatus |
| US6569545B1 (en) | 1998-07-03 | 2003-05-27 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and a magnetic storage apparatus |
| US6924048B2 (en) | 1998-07-03 | 2005-08-02 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and a magnetic storage apparatus |
| JP2002367135A (ja) * | 2001-06-06 | 2002-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| WO2012014504A1 (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-02 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| US9567665B2 (en) | 2010-07-29 | 2017-02-14 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target for magnetic recording film, and process for producing same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200407450A (en) | Fabrication of nanocomposite thin films for high density magnetic recording media | |
| JPS6129127B2 (ja) | ||
| JPH0798835A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2001076329A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JP3309922B2 (ja) | 磁気抵抗素子用磁性薄膜およびその製造方法 | |
| JP3522944B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| WO1996027877A1 (fr) | Support d'enregistrement magnetique et son procede de fabrication | |
| JP4828157B2 (ja) | トンネル磁気抵抗効果素子及びその製造方法 | |
| JPH0318253B2 (ja) | ||
| US5411813A (en) | Ferhgasi soft magnetic materials for inductive magnetic heads | |
| JP2003281707A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2996100B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH10308320A (ja) | 磁気抵抗効果膜の製造方法 | |
| JP2001202611A (ja) | 磁気記録媒体、磁気記録媒体製造方法、および情報再生装置 | |
| JPH059849B2 (ja) | ||
| JPH11339261A (ja) | 磁気記録媒体の製造法 | |
| JP2001093130A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| EP0522982A2 (en) | An FeGaSi-based magnetic material with Ir as an additive | |
| JP3132254B2 (ja) | 軟磁性膜および軟磁性多層膜の製造方法 | |
| JP2950921B2 (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JPH06223355A (ja) | 薄膜磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPS5876429A (ja) | 金属薄膜の形成方法 | |
| JPS61199614A (ja) | 軟磁性非晶質薄膜体 | |
| JPS63140076A (ja) | 垂直磁化膜 | |
| JPS6226637A (ja) | パ−マロイ薄膜軟磁性層を有する垂直磁気記録媒体の作製方法 |