JPS61199614A - 軟磁性非晶質薄膜体 - Google Patents
軟磁性非晶質薄膜体Info
- Publication number
- JPS61199614A JPS61199614A JP4009485A JP4009485A JPS61199614A JP S61199614 A JPS61199614 A JP S61199614A JP 4009485 A JP4009485 A JP 4009485A JP 4009485 A JP4009485 A JP 4009485A JP S61199614 A JPS61199614 A JP S61199614A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- soft
- anisotropy
- amorphous film
- sputtering
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、簿膜磁気ヘッドの磁極等に用いられ（従来技
術とその問題点） ′ｊＩｔ、′Ｊａの磁性材料、例えは磁気記録媒体の記
録。
術とその問題点） ′ｊＩｔ、′Ｊａの磁性材料、例えは磁気記録媒体の記
録。
書生に用いられる薄膜ヘッドの４１ａ極等の材料の特性
には、高飽和磁束密度、高透磁率、低保磁力の上に東に
良好な耐Ｗｉ札性、耐食性等が必要とされる。非晶質薄
膜、特にｃｏを主成分とするもの（例えば、Ｃｏ−Ｘ；
ＸとしてはＺｒ＊Ｔｔ ｅＴａｓＮｂ＊Ｗ等の二元系、
及びＣ□ −Ｚｒ −Ｎｂ ＊ Ｃｏ−Ｔａ−Ｎｂ等の
三元糸のもの等）は、上記の必要な特性のうち特に高飽
和磁束＠度、高ａ磁率、低保磁力といった軟磁気特性が
優れていて、磁気ヘッドのほかにも各方面への応用が注
目されている。Ｃｕ Ｚｒ Ｎｂ 。
には、高飽和磁束密度、高透磁率、低保磁力の上に東に
良好な耐Ｗｉ札性、耐食性等が必要とされる。非晶質薄
膜、特にｃｏを主成分とするもの（例えば、Ｃｏ−Ｘ；
ＸとしてはＺｒ＊Ｔｔ ｅＴａｓＮｂ＊Ｗ等の二元系、
及びＣ□ −Ｚｒ −Ｎｂ ＊ Ｃｏ−Ｔａ−Ｎｂ等の
三元糸のもの等）は、上記の必要な特性のうち特に高飽
和磁束＠度、高ａ磁率、低保磁力といった軟磁気特性が
優れていて、磁気ヘッドのほかにも各方面への応用が注
目されている。Ｃｕ Ｚｒ Ｎｂ 。
Ｃｏ−’ｒａ −Ｎｂ等の三元糸のものでは組成を選ぶ
ことにより、磁歪を零に近つけ熱的安定性等を改良する
ことも可能である。
ことにより、磁歪を零に近つけ熱的安定性等を改良する
ことも可能である。
従来、これらの薄膜の作成は以下の様に行なわれていた
。即ちまず、スパッタリングや蒸着等により膜形成を行
なう。しかし、この形成されたままの状態の薄膜は磁気
異方性があまりに大きく、必ずしも良好な軟磁気特性を
備えているとはいえない。例えはこれを磁気ヘッドの磁
極として１史用するときには、周波数特性の艮好な磁化
困難軸方向を利用することになるが、上記した様に磁気
異方性があまりに大きいため、磁化困難軸方向の透磁率
が小さい。そこで、この困難軸方向の艮好な周波数特性
をある程度残したまま、その磁気異方性を小さくして透
磁率を高めるために、従来は膜面に平行な磁界中で試料
を回転させながら熱処理を行なりたり、磁化困難軸方向
へ直流磁界を印加しながら熱処理を行なったりする、磁
界中での熱処理が行なわれ、これによって磁気ヘッド等
に適した特性の軟磁性膜を得ている。即ち、従来は良好
な軟磁気特性の薄膜を得るために、（１）スパッタリン
グ・蒸着等による膜作成、（２ン磁界中熱処理、という
二つの工程を不可欠としそのそれぞれに専用の装置を要
していた。
。即ちまず、スパッタリングや蒸着等により膜形成を行
なう。しかし、この形成されたままの状態の薄膜は磁気
異方性があまりに大きく、必ずしも良好な軟磁気特性を
備えているとはいえない。例えはこれを磁気ヘッドの磁
極として１史用するときには、周波数特性の艮好な磁化
困難軸方向を利用することになるが、上記した様に磁気
異方性があまりに大きいため、磁化困難軸方向の透磁率
が小さい。そこで、この困難軸方向の艮好な周波数特性
をある程度残したまま、その磁気異方性を小さくして透
磁率を高めるために、従来は膜面に平行な磁界中で試料
を回転させながら熱処理を行なりたり、磁化困難軸方向
へ直流磁界を印加しながら熱処理を行なったりする、磁
界中での熱処理が行なわれ、これによって磁気ヘッド等
に適した特性の軟磁性膜を得ている。即ち、従来は良好
な軟磁気特性の薄膜を得るために、（１）スパッタリン
グ・蒸着等による膜作成、（２ン磁界中熱処理、という
二つの工程を不可欠としそのそれぞれに専用の装置を要
していた。
（発明の目的）
方を異にする軟磁性非晶質薄膜層の少くとも二層を具え
た軟磁性非晶質薄膜体により、前記目的を達成したもの
である。
た軟磁性非晶質薄膜体により、前記目的を達成したもの
である。
゛ （実施例）
以下、本発明を実施例により図に彦いて説明する。
スパッタリング法を用いて本発明の軟磁性非晶質薄膜体
を製造する場合を例にとり、その実施に必要な装置の一
例を第１図に示す。電源、排気糸。
を製造する場合を例にとり、その実施に必要な装置の一
例を第１図に示す。電源、排気糸。
ガス導入系等を省略し、簡略化して示した第１図の通常
のスパッタリング装置１ｏには、薄膜試料４が磁気的に
飽和するのにす分な強さの磁界６を、試料４の面内の任
意の方向に一様に印加することのできる磁気装置１が付
加されてｂる。３はターゲット、５は真空室である。
のスパッタリング装置１ｏには、薄膜試料４が磁気的に
飽和するのにす分な強さの磁界６を、試料４の面内の任
意の方向に一様に印加することのできる磁気装置１が付
加されてｂる。３はターゲット、５は真空室である。
急坂ホルダー２はその全体を回転（７）できるようにな
っている。さて、着板ホルダー２を静止させてスパッタ
リングを行なうと、ターゲット３から飛来した原子は素
板４上に堆積して非晶質膜を作るが、その際磁界６の影
響を受けて堆積した非晶質膜は、その時の磁界の方向に
磁化容易軸を呈する。次いで、基板ホルダー２を或角度
回転させてスパッタリングを行なうと、次に付着する膜
の磁化容易軸方向は先とは異るものになり、その時点ま
でに付着した裏全体の磁気異方性もまた変化する。この
操作を順次くり返すことにより、最終的な裏全体の磁気
異方性を所望の値に制御することが可能である。以下、
例をあけて説明する。
っている。さて、着板ホルダー２を静止させてスパッタ
リングを行なうと、ターゲット３から飛来した原子は素
板４上に堆積して非晶質膜を作るが、その際磁界６の影
響を受けて堆積した非晶質膜は、その時の磁界の方向に
磁化容易軸を呈する。次いで、基板ホルダー２を或角度
回転させてスパッタリングを行なうと、次に付着する膜
の磁化容易軸方向は先とは異るものになり、その時点ま
でに付着した裏全体の磁気異方性もまた変化する。この
操作を順次くり返すことにより、最終的な裏全体の磁気
異方性を所望の値に制御することが可能である。以下、
例をあけて説明する。
（例１） 第１図において、基板ホルダー２を、ない等
方的な軟磁性膜を僧な。
方的な軟磁性膜を僧な。
（例２） 第１図において、まず、素板ホルダー２を磁
界６に対しある方向に固定し、一定の時間１゛鳳だけス
パッタリングを行なう。これにより前記方向に磁気異方
性を有する薄膜が得られる。次に着板ホルダーを回転さ
せながら時間ｔＩだけラバツタを行なう。これにより異
方性のない等方的な膜が前記薄膜の上に形成される。そ
の後ふただひ、基板ホルダーを当初の方向に固定して再
び′ｒ鳳待時間タケスパッタリング、その後また回転さ
せながら１．時間だけスパッタリングする。上記の操作
を適当な回数たけ操り返す。以上の操作により作成され
た膜体の磁気異方性はスパッタの時間比ＴＩ／１１に依
存して緩和される。すなわち、磁気異方性は時間比Ｔ＋
／ ｔ＋が増加すると共に零から膜固有の値まで変化
する。磁気ヘッドの磁極の場合には周仮数特性の点から
、数Ｕｅの異方性磁界を有する膜が適しているが、上記
の方法に依れば容易に希望の膜が得られる。
界６に対しある方向に固定し、一定の時間１゛鳳だけス
パッタリングを行なう。これにより前記方向に磁気異方
性を有する薄膜が得られる。次に着板ホルダーを回転さ
せながら時間ｔＩだけラバツタを行なう。これにより異
方性のない等方的な膜が前記薄膜の上に形成される。そ
の後ふただひ、基板ホルダーを当初の方向に固定して再
び′ｒ鳳待時間タケスパッタリング、その後また回転さ
せながら１．時間だけスパッタリングする。上記の操作
を適当な回数たけ操り返す。以上の操作により作成され
た膜体の磁気異方性はスパッタの時間比ＴＩ／１１に依
存して緩和される。すなわち、磁気異方性は時間比Ｔ＋
／ ｔ＋が増加すると共に零から膜固有の値まで変化
する。磁気ヘッドの磁極の場合には周仮数特性の点から
、数Ｕｅの異方性磁界を有する膜が適しているが、上記
の方法に依れば容易に希望の膜が得られる。
（例３） 例２において磁気異方性を有する膜と等方的
な膜との間に非磁性絶縁物（Ｓ＋０２等）をスパッタリ
ングで挾み込んで積層すること番こよりうず電流損失の
軽減されたより軟磁気特性の良好な膜体を得ることがで
きた。
な膜との間に非磁性絶縁物（Ｓ＋０２等）をスパッタリ
ングで挾み込んで積層すること番こよりうず電流損失の
軽減されたより軟磁気特性の良好な膜体を得ることがで
きた。
以上の例に限らず本発明の軟磁性非晶質薄膜体は種々の
変形が可能である。上述では磁気異方性買換を＠ｌねで
も同様の効果をうろことができる。
変形が可能である。上述では磁気異方性買換を＠ｌねで
も同様の効果をうろことができる。
更に、実施例はスパッタリングによる薄膜形成の場合だ
けを示したが、本発明は蒸着その他の方法によっても実
施は−Ｊ餌である。
けを示したが、本発明は蒸着その他の方法によっても実
施は−Ｊ餌である。
（発明の効果）
本発明によれば、磁気異方性の方向１強さのいづれか一
方又はその両方を異にする軟磁性非晶質薄膜層を多層に
することによって、従来必要とされていた磁界中熱処理
の工程が全く不要になるとともに、この工程に使用する
装置も当然不要となる。
方又はその両方を異にする軟磁性非晶質薄膜層を多層に
することによって、従来必要とされていた磁界中熱処理
の工程が全く不要になるとともに、この工程に使用する
装置も当然不要となる。
従って、前記した磁気ヘッドの磁極の生産に当って、コ
スト低減２時間短縮の著るしい効果、生産性の大幅な増
大を計ることができた。
スト低減２時間短縮の著るしい効果、生産性の大幅な増
大を計ることができた。
第１図は本発明の軟磁性非晶質薄膜の装置に用いられる
スパッタリング装置の一例の概略図である０ １・・・磁気装置、２・・・基板ホルダー。 ３・・・ターゲット、４・・・為 板、５・・・真空室
。 ６・・・磁界
スパッタリング装置の一例の概略図である０ １・・・磁気装置、２・・・基板ホルダー。 ３・・・ターゲット、４・・・為 板、５・・・真空室
。 ６・・・磁界
Claims (2)
- （１）磁気異方性の方向、強さのいづれか一方又はその
両方を異にする軟磁性非晶質薄膜層の少くとも二層を具
えたことを特徴とする軟磁性非晶質薄膜体。 - （２）軟磁性非晶質薄膜層の層内に非磁性絶縁薄膜層を
介在させたことを特徴とする特許請求範囲第（１）項記
載の軟磁性非晶質金属薄膜体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4009485A JPS61199614A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 軟磁性非晶質薄膜体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4009485A JPS61199614A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 軟磁性非晶質薄膜体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61199614A true JPS61199614A (ja) | 1986-09-04 |
Family
ID=12571288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4009485A Pending JPS61199614A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 軟磁性非晶質薄膜体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61199614A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63119209A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-23 | Sony Corp | 軟磁性薄膜 |
| JPS63126208A (ja) * | 1986-11-15 | 1988-05-30 | Sony Corp | 組織変調軟磁性積層膜 |
| JPS63217511A (ja) * | 1987-03-05 | 1988-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツド |
-
1985
- 1985-02-28 JP JP4009485A patent/JPS61199614A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63119209A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-23 | Sony Corp | 軟磁性薄膜 |
| JPS63126208A (ja) * | 1986-11-15 | 1988-05-30 | Sony Corp | 組織変調軟磁性積層膜 |
| JPS63217511A (ja) * | 1987-03-05 | 1988-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツド |
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