JP2003281707A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JP2003281707A JP2003281707A JP2002085462A JP2002085462A JP2003281707A JP 2003281707 A JP2003281707 A JP 2003281707A JP 2002085462 A JP2002085462 A JP 2002085462A JP 2002085462 A JP2002085462 A JP 2002085462A JP 2003281707 A JP2003281707 A JP 2003281707A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 塗布型磁気記録媒体と薄膜型磁気記録媒体の
長所を兼ね備えて、低変調ノイズで耐久性が高く、しか
も保磁力も高い高密度記録に好適な磁気記録媒体を提供
する。 【解決手段】 非磁性基体２上に、合金磁性微粒子５を
含有するグラニュラー層３を形成した磁気記録媒体１に
おいて、グラニュラー層３を、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ 3、Ｂ
Ｎ及びＣ（カーボン）よりなる群より選択される１乃至
２の材料より構成し、合金磁性微粒子５を、原子比が１
対１のＦｅ−Ｐｄ規則合金磁性微粒子より構成した。
長所を兼ね備えて、低変調ノイズで耐久性が高く、しか
も保磁力も高い高密度記録に好適な磁気記録媒体を提供
する。 【解決手段】 非磁性基体２上に、合金磁性微粒子５を
含有するグラニュラー層３を形成した磁気記録媒体１に
おいて、グラニュラー層３を、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ 3、Ｂ
Ｎ及びＣ（カーボン）よりなる群より選択される１乃至
２の材料より構成し、合金磁性微粒子５を、原子比が１
対１のＦｅ−Ｐｄ規則合金磁性微粒子より構成した。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク等の
磁気記録媒体に係り、特に、高密度磁気記録に好適な磁
気記録媒体に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】一般に、情報記録産業の発展に伴って、
コンピュータやＯＡ機器等で用いられる記録媒体の大容
量化及び高密度化が更に望まれている。例えば、記録媒
体として、磁気記録媒体を例にとれば、現在、実用に供
されている磁気ディスク等に使用されている磁気記録媒
体には、２種類ある。１つは、強磁性微粒子を有機樹脂
からなるバインダー中に分散させ、これを基板（又はベ
ース）上に塗布して得られる塗布型磁気記録媒体であ
り、他は、強磁性金属薄膜を基板（又はベース）上に成
膜して得られる薄膜磁気記録媒体である。 【０００３】塗布型磁気記録媒体は、優れた耐久性と低
変調ノイズという長所を有するが、高密度磁気記録が困
難であるという欠点がある。一方、薄膜磁気記録媒体
は、高密度磁気記録には適するが、耐久性に問題があ
り、また、連続膜であることに起因する高変調ノイズも
解決すべき問題である。 【０００４】そこで、これら両者の記録媒体の長所を兼
ね備え、更に保護膜が不要な磁気記録媒体として、Ｓ．
Ｈ．Ｌｉｏｕ等によってグラニュラー薄膜（Ｇｒａｎｕ
ｌａｒ Ｍｅｔａｌ Ｆｉｌｍ）が提案された（Ｓ．
Ｈ．Ｌｉｏｕ ａｎｄ Ｃ．Ｌ．Ｃｈｉｅｎ：Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５２（６），８ Ｆｅｂ．１
９８８，Ｙ．Ｋａｎａｉ ａｎｄ Ｓ．Ｈ．Ｃｈａｒａ
ｐ：Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｙｈｓ．６９（８）．１５ Ａｐ
ｒ．１９９１）。 【０００５】Ｓ．Ｈ．Ｌｉｏｕ等は、ＦｅとＳｉＯ2か
らなる複合ターゲットを用いたＲＦ（高周波）マグネト
ロンスパッタ法によって、非晶質母材中に微細な磁気粒
子であるＦｅを埋め込んでグラニュラー薄膜である磁気
記録層を有する磁気記録媒体を形成した。得られたグラ
ニュラー薄膜は、室温で、保磁力１１２５Ｏｅを有す
る。グラニュラー薄膜中のＦｅの磁気粒子は、上記塗布
型磁気記録媒体中の磁性粉の大きさが０．１μｍのオー
ダーであるのに対して約３０ｎｍ程度の大きさとなり、
超微細な粒子構造になっている。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】ところで、このグラニ
ュラー薄膜を磁気記録媒体として使用するとき、磁気粒
子を埋め込むための非晶質母材が、硬質の非晶質ＳｉＯ
2であるので、磁気記録再生の際に、磁気記録媒体と摺
接する磁気ヘッドによる損傷から、磁気記録媒体を保護
するために設けている保護膜を特に必要としない。従っ
て、必然的に磁気ヘッドと磁気記録媒体間のスペーシン
グを小さくすることができる。 【０００７】また、グラニュラー薄膜からなる磁気記録
媒体は、非晶質母材が非磁性部材であるため、微細な強
磁性粒子間の磁気的相互作用も無くなることが見込ま
れ、変調ノイズの小さい高記録密度を有する磁気記録媒
体として、一層の高特性が得られることが期待されてい
る。 【０００８】このため、本願発明者は、先の出願（特開
平９−５０６１８号公報）において、高保磁力を有する
グラニュラー薄膜の磁気記録媒体を提案した。そこで
は、非晶質母材中に形成する強磁性微粒子として、Ｆｅ
Ｃｏ合金を用い、非磁性基体にＲＦバイアスを印加しな
がら作製することにより、２０００エルステッドを越え
る高保持力を有する磁気記録媒体を得ているが、現在要
求されている高密度磁気記録媒体としては十分なもので
はないという問題があった。 【０００９】そこで本発明は、上記の問題点を解決し、
塗布型磁気記録媒体と薄膜型磁気記録媒体の長所を兼ね
備え、しかも保磁力も高い高密度記録に好適な磁気記録
媒体を提供することを目的とするものである。 【００１０】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の手段として、本発明は、非磁性基体２上に、合金磁性
微粒子５を含有するグラニュラー層３を形成した磁気記
録媒体１において、前記グラニュラー層３を、Ｓｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、ＢＮ及びＣ（カーボン）よりなる群よ
り選択される１乃至２の材料より構成し、前記合金磁性
微粒子５を、原子比が１対１のＦｅ−Ｐｄ規則合金磁性
微粒子より構成したことを特徴とする磁気記録媒体であ
る。 【００１１】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につ
き、好ましい実施例により、図面を参照して説明する。 ＜実施例＞図１は、本発明の磁気記録媒体の実施例を示
す構成図である。同図に示すように、本実施例の磁気記
録媒体１は、例えば、ガラス基板からなる非磁性基体２
上に、所定厚さを有するグラニュラー磁気記録層３を形
成したものから構成される。 【００１２】グラニュラー磁気記録層３は、例えばＳｉ
Ｏ2からなる非磁性部材４中にＦｅ（鉄）とＰｄ（パラ
ジウム）の合金よりなる合金磁性微粒子５を含ませてあ
るものである。この場合、ＦｅとＰｄの組成比は、約１
対１である。グラニュラー磁気記録層３中における、合
金磁性微粒子５の大きさは、最大３０ｎｍ程度であり、
従来の塗布型磁気記録媒体中の磁性粉（大きさが０．１
μｍ程度）よりも遥かに小さい。このようなグラニュラ
ー磁気記録層３は、後述するようにバイアススパッタリ
ング法により形成することができる。 【００１３】非磁性基体２としては、通常の磁気ディス
クに用いられるガラス基板、各種の樹脂基板や通常の磁
気テープに用いられる樹脂性フィルム等を用いることが
できる。非磁性部材４としては、硬質な材料であるＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）、ＢＮ（ボロンナイトライ
ド）又はＣ（カーボン）を用いることができる。ＳｉＯ
2、Ａｌ2Ｏ3、ＢＮを用いる場合には、各合金磁性微粒
子５の磁気的孤立化を確立して、低変調ノイズ化するた
めに、グラニュラー磁気記録層３の表面抵抗値を１×１
０5Ω・ｃｍ以上となるように設定する。この表面抵抗
値をコントロールするには、後述するスパッタ時におい
て、ターゲットとなる非磁性部材４とＦｅチップおよび
Ｐｄチップの面積比率を調整すればよい。 【００１４】このグラニュラー磁気記録層３は、硬質な
ことから、この表面に保護膜等を特に設けなくてもよい
が、必要に応じてこのグラニュラー磁気記録層３の上面
に潤滑剤を塗布するようにしてもよい。潤滑剤として
は、例えばフッソ系潤滑剤を用いることができるが、こ
れに限定されるものではない。 【００１５】次に、磁気記録媒体１を作製するのに使用
するスパッタ装置について説明する。図２は、図１に示
す磁気記録媒体を作製するためのスパッタ装置を示す概
略構成図である。スパッタ装置７において、８は例えば
アルミニウム等より形成された真空処理容器であり、こ
の真空処理容器８には、図示しない真空排気系が接続さ
れており、真空処理容器８の内部を真空引き可能として
いる。この真空処理容器８は、電気的に接地されてい
る。また、真空処理容器８には、スパッタガス供給ノズ
ル９が取り付けられており、スパッタガスとしてＡｒガ
スを真空処理容器８内に流量を制御しながら導入できる
ようになっている。 【００１６】真空処理容器８内には、真空処理容器８か
らは電気的に絶縁された電極１０が設けられている。こ
の電極１０には、例えば直径６インチのターゲット１１
が配置されている。このターゲット１１は、グラニュラ
ー磁気記録層３を構成する非磁性部材４、例えばＳｉＯ
2から構成されている。このターゲット１１の表面に
は、所定形状、例えば５ｍｍ×５ｍｍ×１ｍｍ程度の大
きさのＦｅチップ１２とＰｄチップ１３が適切な枚数比
で配置されている。スパッタ時には、非磁性部材４、Ｆ
ｅチップ１２及びＰｄチップ１３は同時にスパッタされ
るようになっている。 【００１７】電極１０には、電流導入端子１４、マッチ
ングボックス１６を介して、例えば１３．５６ＭＨｚの
スパッタ用高周波電源１５が接続されている。また、真
空処理容器８内には、ターゲット１１に対向させて、真
空処理容器８から電気的に絶縁された対向電極１７が固
定して設けられている。この対向電極１７は例えば直径
２５０ｍｍの円板形状をしている。この対向電極１７
は、基板ホルダーを兼ねており、この下面にターゲット
１１と対向させて非磁性基体２を着脱可能に取り付けて
いる。この対向電極１７には、電気導入端子１８、マッ
チングボックス２０を介して、例えば１３．５６ＭＨｚ
のバイアス用高周波電源１９が接続されている。 【００１８】このように構成されたスパッタ装置７を用
いて磁気記録媒体１のグラニュラー磁気記録層３の成膜
を行なうには、まず、対向電極１７に例えばソーダガラ
ス基板よりなる非磁性基体２をターゲット１１に対向さ
せて保持させる。例えばＳｉＯ2からなるターゲット１
１上には、Ｆｅチップ１２及びＰｄチップ１３を、適当
枚数づつ配置する。この場合、スパッタリングにより形
成されるグラニュラー磁気記録層３中の合金磁性微粒子
５におけるＦｅとＰｄの比率が約１対１になるように両
者の面積比率或いは個数を設定する。 【００１９】また、両チップ１２，１３の合計表面積
は、ターゲット１１の表面積（直径６インチとすると１
８２ｃｍ2）に対して、例えば２０％の面積比率となる
ように設定する。この面積比率を制御することにより、
スパッタリングにより成膜されるグラニュラー磁気記録
層３の表面抵抗をコントロールすることができる。従っ
て、非磁性部材４としてカーボンを使用する場合を除
き、表面抵抗が１×１０5Ω・ｃｍ以上となるように上
記面積比を設定すればよい。 【００２０】非磁性基体２やターゲット１１等のセット
が完了したならば、真空処理容器８内を到達真空度まで
真空引きし、その後、スパッタガスとして例えばＡｒガ
スを供給して所定圧力とし、その元でスパッタリングに
よる成膜処理を行なう。スパッタ条件としては、Ａｒガ
ス圧力を１．５Ｐａ、非磁性基体２の加熱温度を３００
度Ｃ、ターゲット１１−非磁性基体２間距離を５０ｍ
ｍ、スパッタリング電力を１００Ｗ、ＲＦバイアス電力
を４０Ｗ／４９０ｃｍ2とする。これにより例えば厚さ
約１００ｎｍのＦｅＰｄ−ＳｉＯ2グラニュラー磁気記
録層３を得ることができる。このグラニュラー磁気記録
層をＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて定量分析の結
果、（Ｆｅ−Ｐｄ）：ＳｉＯ２ の比が４：６となって
いた。 【００２１】スパッタリングによりグラニュラー磁気記
録層３を形成後、ＦｅＰｄ合金磁性微粒子に、真空中で
５５０度Ｃ、１時間の熱処理を施し、規則化を行う。こ
のようにして得られたグラニュラー磁気記録層３は、Ｖ
ＳＭ（Ｖｉｂｒａｔｉｎｇ Ｓａｍｐｌｅ Ｍａｇｎｅ
ｔｏｍｅｔｅｒ）により保磁力を測定した結果、４８５
０エルステッドの高い保磁力を示しており、高密度磁気
記録媒体として最適な値を有していることが分かった。
しかも、塗布型磁気記録媒体と薄膜磁気記録媒体の長所
を兼ね備えているために、低変調ノイズで耐久性にも優
れている。なお、スパッタリングによるグラニュラー磁
気記録層３の形成時に、非磁性基体２にＲＦバイアスを
印加しない場合には、十分な保磁力を得ることができな
い。 【００２２】＜比較例＞実施例の磁気記録媒体におい
て、グラニュラー磁気記録層を形成するスパッタリング
時に、非磁性基体に、バイアスＲＦパワーを印加しない
以外は、実施例の磁気記録媒体と同様にして、比較例の
磁気記録媒体を得た。比較例の磁気記録媒体の保磁力を
測定した結果、１４０エルステッドであった。このこと
より、スパッタリングによるグラニュラー磁気記録層３
の形成時に、非磁性基体２にＲＦバイアスを印加しない
場合には、十分な保磁力を得ることができない。 【００２３】 【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気記録
媒体は、グラニュラー層を、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＢＮ
及びＣ（カーボン）よりなる群より選択される１乃至２
の材料より構成し、合金磁性微粒子を、原子比が１対１
のＦｅ−Ｐｄ規則合金磁性微粒子より構成したことによ
り、塗布型磁気記録媒体と薄膜型磁気記録媒体の長所を
兼ね備え、すなわち、低変調ノイズで耐久性が高く、し
かも保磁力も高い高密度記録に好適な磁気記録媒体を提
供することが出来るという効果がある。また、磁気記録
媒体の耐久性も高いことから、保護膜を不要とすること
ができるという効果がある。
磁気記録媒体に係り、特に、高密度磁気記録に好適な磁
気記録媒体に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】一般に、情報記録産業の発展に伴って、
コンピュータやＯＡ機器等で用いられる記録媒体の大容
量化及び高密度化が更に望まれている。例えば、記録媒
体として、磁気記録媒体を例にとれば、現在、実用に供
されている磁気ディスク等に使用されている磁気記録媒
体には、２種類ある。１つは、強磁性微粒子を有機樹脂
からなるバインダー中に分散させ、これを基板（又はベ
ース）上に塗布して得られる塗布型磁気記録媒体であ
り、他は、強磁性金属薄膜を基板（又はベース）上に成
膜して得られる薄膜磁気記録媒体である。 【０００３】塗布型磁気記録媒体は、優れた耐久性と低
変調ノイズという長所を有するが、高密度磁気記録が困
難であるという欠点がある。一方、薄膜磁気記録媒体
は、高密度磁気記録には適するが、耐久性に問題があ
り、また、連続膜であることに起因する高変調ノイズも
解決すべき問題である。 【０００４】そこで、これら両者の記録媒体の長所を兼
ね備え、更に保護膜が不要な磁気記録媒体として、Ｓ．
Ｈ．Ｌｉｏｕ等によってグラニュラー薄膜（Ｇｒａｎｕ
ｌａｒ Ｍｅｔａｌ Ｆｉｌｍ）が提案された（Ｓ．
Ｈ．Ｌｉｏｕ ａｎｄ Ｃ．Ｌ．Ｃｈｉｅｎ：Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５２（６），８ Ｆｅｂ．１
９８８，Ｙ．Ｋａｎａｉ ａｎｄ Ｓ．Ｈ．Ｃｈａｒａ
ｐ：Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｙｈｓ．６９（８）．１５ Ａｐ
ｒ．１９９１）。 【０００５】Ｓ．Ｈ．Ｌｉｏｕ等は、ＦｅとＳｉＯ2か
らなる複合ターゲットを用いたＲＦ（高周波）マグネト
ロンスパッタ法によって、非晶質母材中に微細な磁気粒
子であるＦｅを埋め込んでグラニュラー薄膜である磁気
記録層を有する磁気記録媒体を形成した。得られたグラ
ニュラー薄膜は、室温で、保磁力１１２５Ｏｅを有す
る。グラニュラー薄膜中のＦｅの磁気粒子は、上記塗布
型磁気記録媒体中の磁性粉の大きさが０．１μｍのオー
ダーであるのに対して約３０ｎｍ程度の大きさとなり、
超微細な粒子構造になっている。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】ところで、このグラニ
ュラー薄膜を磁気記録媒体として使用するとき、磁気粒
子を埋め込むための非晶質母材が、硬質の非晶質ＳｉＯ
2であるので、磁気記録再生の際に、磁気記録媒体と摺
接する磁気ヘッドによる損傷から、磁気記録媒体を保護
するために設けている保護膜を特に必要としない。従っ
て、必然的に磁気ヘッドと磁気記録媒体間のスペーシン
グを小さくすることができる。 【０００７】また、グラニュラー薄膜からなる磁気記録
媒体は、非晶質母材が非磁性部材であるため、微細な強
磁性粒子間の磁気的相互作用も無くなることが見込ま
れ、変調ノイズの小さい高記録密度を有する磁気記録媒
体として、一層の高特性が得られることが期待されてい
る。 【０００８】このため、本願発明者は、先の出願（特開
平９−５０６１８号公報）において、高保磁力を有する
グラニュラー薄膜の磁気記録媒体を提案した。そこで
は、非晶質母材中に形成する強磁性微粒子として、Ｆｅ
Ｃｏ合金を用い、非磁性基体にＲＦバイアスを印加しな
がら作製することにより、２０００エルステッドを越え
る高保持力を有する磁気記録媒体を得ているが、現在要
求されている高密度磁気記録媒体としては十分なもので
はないという問題があった。 【０００９】そこで本発明は、上記の問題点を解決し、
塗布型磁気記録媒体と薄膜型磁気記録媒体の長所を兼ね
備え、しかも保磁力も高い高密度記録に好適な磁気記録
媒体を提供することを目的とするものである。 【００１０】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の手段として、本発明は、非磁性基体２上に、合金磁性
微粒子５を含有するグラニュラー層３を形成した磁気記
録媒体１において、前記グラニュラー層３を、Ｓｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、ＢＮ及びＣ（カーボン）よりなる群よ
り選択される１乃至２の材料より構成し、前記合金磁性
微粒子５を、原子比が１対１のＦｅ−Ｐｄ規則合金磁性
微粒子より構成したことを特徴とする磁気記録媒体であ
る。 【００１１】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につ
き、好ましい実施例により、図面を参照して説明する。 ＜実施例＞図１は、本発明の磁気記録媒体の実施例を示
す構成図である。同図に示すように、本実施例の磁気記
録媒体１は、例えば、ガラス基板からなる非磁性基体２
上に、所定厚さを有するグラニュラー磁気記録層３を形
成したものから構成される。 【００１２】グラニュラー磁気記録層３は、例えばＳｉ
Ｏ2からなる非磁性部材４中にＦｅ（鉄）とＰｄ（パラ
ジウム）の合金よりなる合金磁性微粒子５を含ませてあ
るものである。この場合、ＦｅとＰｄの組成比は、約１
対１である。グラニュラー磁気記録層３中における、合
金磁性微粒子５の大きさは、最大３０ｎｍ程度であり、
従来の塗布型磁気記録媒体中の磁性粉（大きさが０．１
μｍ程度）よりも遥かに小さい。このようなグラニュラ
ー磁気記録層３は、後述するようにバイアススパッタリ
ング法により形成することができる。 【００１３】非磁性基体２としては、通常の磁気ディス
クに用いられるガラス基板、各種の樹脂基板や通常の磁
気テープに用いられる樹脂性フィルム等を用いることが
できる。非磁性部材４としては、硬質な材料であるＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）、ＢＮ（ボロンナイトライ
ド）又はＣ（カーボン）を用いることができる。ＳｉＯ
2、Ａｌ2Ｏ3、ＢＮを用いる場合には、各合金磁性微粒
子５の磁気的孤立化を確立して、低変調ノイズ化するた
めに、グラニュラー磁気記録層３の表面抵抗値を１×１
０5Ω・ｃｍ以上となるように設定する。この表面抵抗
値をコントロールするには、後述するスパッタ時におい
て、ターゲットとなる非磁性部材４とＦｅチップおよび
Ｐｄチップの面積比率を調整すればよい。 【００１４】このグラニュラー磁気記録層３は、硬質な
ことから、この表面に保護膜等を特に設けなくてもよい
が、必要に応じてこのグラニュラー磁気記録層３の上面
に潤滑剤を塗布するようにしてもよい。潤滑剤として
は、例えばフッソ系潤滑剤を用いることができるが、こ
れに限定されるものではない。 【００１５】次に、磁気記録媒体１を作製するのに使用
するスパッタ装置について説明する。図２は、図１に示
す磁気記録媒体を作製するためのスパッタ装置を示す概
略構成図である。スパッタ装置７において、８は例えば
アルミニウム等より形成された真空処理容器であり、こ
の真空処理容器８には、図示しない真空排気系が接続さ
れており、真空処理容器８の内部を真空引き可能として
いる。この真空処理容器８は、電気的に接地されてい
る。また、真空処理容器８には、スパッタガス供給ノズ
ル９が取り付けられており、スパッタガスとしてＡｒガ
スを真空処理容器８内に流量を制御しながら導入できる
ようになっている。 【００１６】真空処理容器８内には、真空処理容器８か
らは電気的に絶縁された電極１０が設けられている。こ
の電極１０には、例えば直径６インチのターゲット１１
が配置されている。このターゲット１１は、グラニュラ
ー磁気記録層３を構成する非磁性部材４、例えばＳｉＯ
2から構成されている。このターゲット１１の表面に
は、所定形状、例えば５ｍｍ×５ｍｍ×１ｍｍ程度の大
きさのＦｅチップ１２とＰｄチップ１３が適切な枚数比
で配置されている。スパッタ時には、非磁性部材４、Ｆ
ｅチップ１２及びＰｄチップ１３は同時にスパッタされ
るようになっている。 【００１７】電極１０には、電流導入端子１４、マッチ
ングボックス１６を介して、例えば１３．５６ＭＨｚの
スパッタ用高周波電源１５が接続されている。また、真
空処理容器８内には、ターゲット１１に対向させて、真
空処理容器８から電気的に絶縁された対向電極１７が固
定して設けられている。この対向電極１７は例えば直径
２５０ｍｍの円板形状をしている。この対向電極１７
は、基板ホルダーを兼ねており、この下面にターゲット
１１と対向させて非磁性基体２を着脱可能に取り付けて
いる。この対向電極１７には、電気導入端子１８、マッ
チングボックス２０を介して、例えば１３．５６ＭＨｚ
のバイアス用高周波電源１９が接続されている。 【００１８】このように構成されたスパッタ装置７を用
いて磁気記録媒体１のグラニュラー磁気記録層３の成膜
を行なうには、まず、対向電極１７に例えばソーダガラ
ス基板よりなる非磁性基体２をターゲット１１に対向さ
せて保持させる。例えばＳｉＯ2からなるターゲット１
１上には、Ｆｅチップ１２及びＰｄチップ１３を、適当
枚数づつ配置する。この場合、スパッタリングにより形
成されるグラニュラー磁気記録層３中の合金磁性微粒子
５におけるＦｅとＰｄの比率が約１対１になるように両
者の面積比率或いは個数を設定する。 【００１９】また、両チップ１２，１３の合計表面積
は、ターゲット１１の表面積（直径６インチとすると１
８２ｃｍ2）に対して、例えば２０％の面積比率となる
ように設定する。この面積比率を制御することにより、
スパッタリングにより成膜されるグラニュラー磁気記録
層３の表面抵抗をコントロールすることができる。従っ
て、非磁性部材４としてカーボンを使用する場合を除
き、表面抵抗が１×１０5Ω・ｃｍ以上となるように上
記面積比を設定すればよい。 【００２０】非磁性基体２やターゲット１１等のセット
が完了したならば、真空処理容器８内を到達真空度まで
真空引きし、その後、スパッタガスとして例えばＡｒガ
スを供給して所定圧力とし、その元でスパッタリングに
よる成膜処理を行なう。スパッタ条件としては、Ａｒガ
ス圧力を１．５Ｐａ、非磁性基体２の加熱温度を３００
度Ｃ、ターゲット１１−非磁性基体２間距離を５０ｍ
ｍ、スパッタリング電力を１００Ｗ、ＲＦバイアス電力
を４０Ｗ／４９０ｃｍ2とする。これにより例えば厚さ
約１００ｎｍのＦｅＰｄ−ＳｉＯ2グラニュラー磁気記
録層３を得ることができる。このグラニュラー磁気記録
層をＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて定量分析の結
果、（Ｆｅ−Ｐｄ）：ＳｉＯ２ の比が４：６となって
いた。 【００２１】スパッタリングによりグラニュラー磁気記
録層３を形成後、ＦｅＰｄ合金磁性微粒子に、真空中で
５５０度Ｃ、１時間の熱処理を施し、規則化を行う。こ
のようにして得られたグラニュラー磁気記録層３は、Ｖ
ＳＭ（Ｖｉｂｒａｔｉｎｇ Ｓａｍｐｌｅ Ｍａｇｎｅ
ｔｏｍｅｔｅｒ）により保磁力を測定した結果、４８５
０エルステッドの高い保磁力を示しており、高密度磁気
記録媒体として最適な値を有していることが分かった。
しかも、塗布型磁気記録媒体と薄膜磁気記録媒体の長所
を兼ね備えているために、低変調ノイズで耐久性にも優
れている。なお、スパッタリングによるグラニュラー磁
気記録層３の形成時に、非磁性基体２にＲＦバイアスを
印加しない場合には、十分な保磁力を得ることができな
い。 【００２２】＜比較例＞実施例の磁気記録媒体におい
て、グラニュラー磁気記録層を形成するスパッタリング
時に、非磁性基体に、バイアスＲＦパワーを印加しない
以外は、実施例の磁気記録媒体と同様にして、比較例の
磁気記録媒体を得た。比較例の磁気記録媒体の保磁力を
測定した結果、１４０エルステッドであった。このこと
より、スパッタリングによるグラニュラー磁気記録層３
の形成時に、非磁性基体２にＲＦバイアスを印加しない
場合には、十分な保磁力を得ることができない。 【００２３】 【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気記録
媒体は、グラニュラー層を、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＢＮ
及びＣ（カーボン）よりなる群より選択される１乃至２
の材料より構成し、合金磁性微粒子を、原子比が１対１
のＦｅ−Ｐｄ規則合金磁性微粒子より構成したことによ
り、塗布型磁気記録媒体と薄膜型磁気記録媒体の長所を
兼ね備え、すなわち、低変調ノイズで耐久性が高く、し
かも保磁力も高い高密度記録に好適な磁気記録媒体を提
供することが出来るという効果がある。また、磁気記録
媒体の耐久性も高いことから、保護膜を不要とすること
ができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体の実施例を示す構成図で
ある。 【図２】図１に示す磁気記録媒体を作製するためのスパ
ッタ装置を示す概略構成図である。 【符号の説明】 １…磁気記録媒体、２…非磁性基体、３…グラニュラー
磁気記録層、４…非磁性部材、５…ＦｅＰｄ磁性合金微
粒子、７…スパッタ装置、８…真空処理容器、スパッタ
ガス供給ノズル、１０…電極、１１…ターゲット、１２
…Ｆｅチップ、１３…Ｐｄチップ、１４…電流導入端
子、１５…スパッタ用高周波電源、１６…マッチングボ
ックス、１７…対向電極、１８…電流導入端子、１９…
バイアス用高周波電源、２０…マッチングボックス。、
ある。 【図２】図１に示す磁気記録媒体を作製するためのスパ
ッタ装置を示す概略構成図である。 【符号の説明】 １…磁気記録媒体、２…非磁性基体、３…グラニュラー
磁気記録層、４…非磁性部材、５…ＦｅＰｄ磁性合金微
粒子、７…スパッタ装置、８…真空処理容器、スパッタ
ガス供給ノズル、１０…電極、１１…ターゲット、１２
…Ｆｅチップ、１３…Ｐｄチップ、１４…電流導入端
子、１５…スパッタ用高周波電源、１６…マッチングボ
ックス、１７…対向電極、１８…電流導入端子、１９…
バイアス用高周波電源、２０…マッチングボックス。、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】非磁性基体上に、合金磁性微粒子を含有す
るグラニュラー層を形成した磁気記録媒体において、 前記グラニュラー層を、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＢＮ及び
Ｃ（カーボン）よりなる群より選択される１乃至２の材
料より構成し、前記合金磁性微粒子を、原子比が１対１
のＦｅ−Ｐｄ規則合金磁性微粒子より構成したことを特
徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002085462A JP2003281707A (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002085462A JP2003281707A (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003281707A true JP2003281707A (ja) | 2003-10-03 |
Family
ID=29232424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002085462A Pending JP2003281707A (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003281707A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7645363B2 (en) | 2005-05-06 | 2010-01-12 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Manufacturing of magnetic recording medium |
| WO2012081340A1 (ja) * | 2010-12-17 | 2012-06-21 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP2015005326A (ja) * | 2014-10-06 | 2015-01-08 | 昭和電工株式会社 | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
| JP2018028499A (ja) * | 2016-08-19 | 2018-02-22 | シチズンファインデバイス株式会社 | 磁界センサ素子及び磁界センサ装置 |
-
2002
- 2002-03-26 JP JP2002085462A patent/JP2003281707A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7645363B2 (en) | 2005-05-06 | 2010-01-12 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Manufacturing of magnetic recording medium |
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| CN103168328A (zh) * | 2010-12-17 | 2013-06-19 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 磁记录膜用溅射靶及其制造方法 |
| JP2015005326A (ja) * | 2014-10-06 | 2015-01-08 | 昭和電工株式会社 | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
| JP2018028499A (ja) * | 2016-08-19 | 2018-02-22 | シチズンファインデバイス株式会社 | 磁界センサ素子及び磁界センサ装置 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061205 |