JP5009448B2 - 磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
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Description
また、近年実用化された垂直磁気記録方式を採用するハードディスクの記録層には、Coを主成分とするCo−Cr−Pt系の強磁性合金と非磁性の無機物からなる複合材料が多く用いられている。
また、SiO2を添加した磁性材ターゲットでは、SiO2を添加しない磁性材ターゲットに比べてバーンイン時間が長くなるという不都合も生じた。
下記文献4には、Coを含有する金属相、粒径10μm以下のセラミックス相、金属相とセラミックス相との界面反応相を有し、金属相の中にセラミックス相が散在するスパッタリングターゲットが開示され、前記セラミック相には、SiO2の選択もあることが提案されている。しかし、上記の問題の認識及び解決策の提案はない。
なお、参考に下記文献6を挙げるが、この文献には、メモリーなどの半導体素子用封止剤の充填剤として、クリストバライト粒子を製造する技術が開示されている。この文献は、スパッタリングターゲットとは無縁の技術ではあるが、SiO2のクリストバライトに関する技術である。
下記文献8は、スパッタリングターゲットとは無縁の技術ではあるが、クリストバライトが炭化珪素の酸化防護機能を損ねる材料であるとしての説明がある。
これはある意味での示唆はあるが、あくまでカルコゲン化亜鉛を用いた光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットであり、マトリックス材料が異なる磁性材料の問題を解決できるかどうかは全く不明である。
下記文献10には、非磁性酸化物:0.5〜15モル%、Cr:4〜20モル%、Pt:5〜25モル%、B:0.5〜8モル%、残部Coのスパッタリングターゲットが提案されている。非磁性酸化物には、SiO2の選択もあること提案されている。しかし、上記の問題の認識及び解決策の提案はない。
1)SiO2を含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットであって、B(ボロン)を10〜1000wtppm含有することを特徴とする磁気記録膜用スパッタリングターゲット、を提供する。
3)前記磁気記録膜用スパッタリングターゲットが、Crが20mol%以下、Ptが1mol%以上30mol%以下、SiO2が1mol%以上20mol%以下、残部がCoからなることを特徴とする上記1)記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット、
4)前記磁気記録膜用スパッタリングターゲットが、Feが50mol%以下、Ptが50mol%以下、残部がSiO2からなることを特徴とする上記1)記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット、を提供する。
6)さらに、添加材料として、炭素、SiO2を除く酸化物、窒化物、炭化物から選択した1成分以上の無機物材料を含有することを特徴とする上記1)〜5)のいずれか一に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット、を提供する。
7)本発明は、相対密度が97%以上であることを特徴とする上記1)〜6)のいずれかに記載の強磁性材スパッタリングターゲット、を提供する。
9)さらに、B2O3を溶解させた水溶液にSiO2粉末を添加し、SiO2粉末の表面にB2O3を析出させた後、得られた粉末を磁性金属粉末原料と混合し、その混合粉末を焼結温度1200°C以下で焼結することを特徴とする上記1)〜7)のいずれかに記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲットの製造方法、を提供するものである。
10)さらに、B2O3を溶解させた水溶液にSiO2粉末を添加し、SiO2粉末の表面にB2O3を析出させ、これを200℃〜400℃で仮焼した後、得られた粉末を磁性金属粉末原料と混合し、その混合粉末を焼結温度1200°C以下で焼結することを特徴とする上記1)〜7)のいずれか一項に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲットの製造方法。
しかしながら、このSiO2がターゲット中で結晶化したクリストバライトとして存在すると、ターゲットの昇温又は降温過程(この温度はおよそ270°C程度)において、相転移による体積変化を発生し、この体積変化により、ターゲット中にマイクロクラックが発生する原因となる。
これは結果として、スパッタリング中のパーティクル発生の原因となる。したがって、結晶化したクリストバライトを発生させず、非晶質SiO2としてターゲット中に存在させるのが有効である。
B(ボロン)を含有させる量としては、10〜1000wtppmが望ましい。10wtppm未満であると、SiO2の軟化点を十分に下げられないからであり、一方、1000wtppmを超えると、酸化物が大きく成長しやすくなり、逆にパーティクルが増加するからである。さらに好ましい含有量は、10〜300wtppmである。
これらは、磁気記録媒体として必要とされる成分であり、配合割合は上記範囲内で様々であるが、いずれも有効な磁気記録媒体としての特性を維持することができる。
この場合も、ターゲット中に結晶化したクリストバライトを発生させず、非晶質SiO2としてターゲット中に存在させる必要がある。
さらに添加材料として、炭素、SiO2を除く酸化物、窒化物、炭化物から選択した1成分以上の無機物材料を含有する前記磁気記録膜用スパッタリングターゲットに有効である。
この原料粉末と磁性金属粉末原料とを混合し、焼結温度を1200°C以下で焼結する。この焼結温度の低温化は、SiO2の結晶化を抑制するのに有効である。また、高純度のSiO2を使用することにより、さらに結晶化を抑制することが可能となる。この意味で、4N以上、さらには5N以上の高純度のSiO2を使用することが望ましい。
本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製することができる。まず、Bを添加した原料粉末を用意する。Bを添加した原料粉末を得る方法としては、1)CoとBを溶解したインゴットを作製し、得られたインゴットを粉砕してCo−B粉末を得る方法、2)B2O3水溶液にSiO2粉末を投入し、これを乾燥してSiO2粉末の表面にB2O3を析出させた粉末を得る方法がある。2)においては、さらに、B2O3を析出させたSiO2粉末を、200〜400℃で5時間仮焼することができる。これにより、B2O3とSiO2の固溶を促進することができる。
また、各金属元素の粉末の代わりに、これら金属の合金粉末を用意してもよいが、その場合も最大粒径が20μm以下とすることが望ましい。
一方、小さ過ぎると、酸化が促進されて成分組成が範囲内に入らないなどの問題があるため、0.1μm以上とすることがさらに望ましい。
無機物粉末としては炭素粉末、SiO2以外の酸化物粉末、窒化物粉末または炭化物粉末を用意するが、無機物粉末は最大粒径が5μm以下のものを用いることが望ましい。一方、小さ過ぎると凝集しやすくなるため、0.1μm以上のものを用いることがさらに望ましい。
この焼結温度の低温化は、SiO2の結晶化を抑制するのに必要な温度である。
また、成型・焼結は、ホットプレスに限らず、プラズマ放電焼結法、熱間静水圧焼結法を使用することもできる。焼結時の保持温度はターゲットが十分緻密化する温度域のうち最も低い温度に設定するのが好ましい。ターゲットの組成にもよるが、多くの場合、900〜1200°Cの温度範囲とするのが良い。
実施例1、2では、平均粒径5μmのCo−B粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が83Co−12Cr−5SiO2(mol%)となるように、Co−B粉末、Cr粉末、SiO2粉末を秤量した。また、Bの含有量を、100wtppm(実施例1)、300wtppm(実施例2)、0wtppm(比較例1)とした。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°C(SiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした。)、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°C(SiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした。)、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。
実施例3〜5では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径1μmのB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が83Co−12Cr−5SiO2(mol%)となるように、Co粉末、Cr粉末、SiO2粉末を秤量した。Bの含有量を21wtppm(実施例3)、70wtppm(実施例4)、610wtppm(実施例5)とした。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°C、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°C(実施例5のみ930℃とした。)、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。
実施例6では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径1μmのB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉を用意し、このSiO2粉を300℃、5時間で仮焼した。
これらの粉末をターゲット組成が83Co−12Cr−5SiO2(mol%)となるように、Co粉末、Cr粉末、SiO2粉末を秤量した。Bの含有量を70wtppmとした。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°C(SiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした。)、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。
実施例7では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径2μmのPt粉、平均粒径1μmのB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が78Co−12Cr−5Pt−5SiO2(mol%)となるように、Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、SiO2粉末を秤量した。また、Bの含有量を、70wtppmとした。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°C(SiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした。)、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°C(SiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした。)、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。
実施例8では、平均粒径7μmのFe粉、平均粒径2μmのPt粉、平均粒径1μmのB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が45Fe−45Pt−10SiO2(mol%)となるように、Fe粉末、Pt粉末、SiO2粉末を秤量した。また、Bの含有量を、70wtppmとした。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1100°C(SiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした。)、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1100°C(SiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした。)、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。
実施例9では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径2μmのPt粉、平均粒径1μmのB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が78Co−12Pt−10SiO2(mol%)となるように、Co粉末、Pt粉末、SiO2粉末を秤量した。また、Bの含有量を、70wtppmとした。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°C(SiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした。)、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°C(SiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした。)、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。
実施例10では、平均粒径7μmのFe粉、平均粒径2μmのPt粉、平均粒径1μmのB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉、平均粒径0.05μmのC粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が38Fe−38Pt−9SiO2−15C(mol%)となるように、Fe粉末、Pt粉末、SiO2粉末、C粉末を秤量した。また、Bの含有量を、300wtppmとした。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1100°C(SiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした。)、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1100°C(SiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした。)、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。
実施例11では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径2μmのPt粉、平均粒径1μmのTiO2粉、平均粒径1μmのB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉、平均粒径0.5μmのCr2O3粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が68Co−10Cr−12Pt−2TiO2−4SiO2−4Cr2O3(mol%)となるように、Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、TiO2粉末、SiO2粉末、Cr2O3粉末を秤量した。また、Bの含有量を、300wtppmとした。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度950°C(SiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした)、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度950°C(SiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした)、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。
実施例12では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径2μmのPt粉、平均粒径1μmのB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉、平均粒径 1μmのTa2O5粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が65Co−10Cr−15Pt−5SiO2−5Ta2O5(mol%)となるように、Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、SiO2粉末、Ta2O5粉末を秤量した。また、Bの含有量を、300wtppmとした。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1000°C(SiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした)、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1000°C(SiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした)、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。
実施例13では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径2μmのPt粉、平均粒径1μmのTiO2粉、平均粒径1μmのB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉、平均粒径1μmのCoO粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が71Co−8Cr−12Pt−3TiO2−3SiO2−3CoO(mol%)となるように、Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、TiO2粉末、SiO2粉末、CoO粉末を秤量した。また、Bの含有量を、300wtppmとした。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度900°C(SiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした)、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度900°C(SiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした)、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。
実施例14では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径2μmのPt粉、平均粒径5μmのRu粉、平均粒径1μmのB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が66Co−12Cr−14Pt−3Ru−5SiO2(mol%)となるように、Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、Ru粉、SiO2粉末を秤量した。また、Bの含有量を、300wtppmとした。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°C(SiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした。)、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°C(SiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした)、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。
実施例15では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径2μmのPt粉、平均粒径5μmのTi粉、平均粒径70μmのV粉、平均粒径50μmのCo−Mn粉、平均粒径30μmのZr粉、平均粒径20μmのNb粉、平均粒径1.5μmのMo粉、平均粒径4μmのW粉、平均粒径1μmのB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が66Co−10Cr−12Pt−1Ti−1V−1Mn−1Zr−1Nb−1Mo−1W−5SiO2(mol%)となるように、Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、Ti粉、V粉、Co−Mn粉、Zr粉、Nb粉、Mo粉、W粉、SiO2粉末を秤量した。また、Bの含有量を、300wtppmとした。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1000°C(SiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした。)、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1000°C(SiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした)、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。
実施例16では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径2μmのPt粉、平均粒径1μmのSiN粉、平均粒径1μmのSiC粉、平均粒径1μmのB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が71Co−10Cr−12Pt−1SiN−1SiC−5SiO2(mol%)となるように、Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、SiN粉、SiC粉、SiO2粉末を秤量した。また、Bの含有量を、300wtppmとした。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°C(SiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした)、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°C(SiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした。)、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。
実施例17では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径2μmのPt粉、平均粒径20μmのTa粉、平均粒径1μmのB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が66Co−12Cr−14Pt−3Ta−5SiO2(mol%)となるように、Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、Ta粉、SiO2粉末を秤量した。また、Bの含有量を、300wtppmとした。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°C(SiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした)、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°C(SiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした)、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。
これにより、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にハードディスクドライブ記録層の成膜に使用される強磁性材スパッタリングターゲットとして有用である。
Claims (10)
- SiO2を含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットであって、B(ボロン)を10〜1000wtppm含有することを特徴とする磁気記録膜用スパッタリングターゲット。
- 前記磁気記録膜用スパッタリングターゲットが、Crが20mol%以下、SiO2が1mol%以上20mol%以下、残部がCoからなることを特徴とする請求項1記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。
- 前記磁気記録膜用スパッタリングターゲットが、Crが20mol%以下、Ptが1mol%以上30mol%以下、SiO2が1mol%以上20mol%以下、残部がCoからなることを特徴とする請求項1記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。
- 前記磁気記録膜用スパッタリングターゲットが、Feが50mol%以下、Ptが50mol%以下、残部がSiO2からなることを特徴とする請求項1記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。
- 前記磁気記録膜用スパッタリングターゲットが、さらに、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、Wから選択した1元素以上を0.5mol%以上10mol%以下含有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。
- 前記磁気記録膜用スパッタリングターゲットが、さらに、炭素、酸化物(SiO2は除く)、窒化物、炭化物から選択した1種以上を含有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。
- 相対密度が97%以上であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲット。
- CoとBを溶解してインゴットを作製し、そのインゴットを最大粒径20μm以下に粉砕した後、得られた粉末を磁性金属粉末原料と混合し、その混合粉末を焼結温度1200°C以下で焼結することを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲットの製造方法。
- B2O3を溶解させた水溶液にSiO2粉末を添加し、SiO2粉末の表面にB2O3を析出させた後、得られた粉末を磁性金属粉末原料と混合し、その混合粉末を焼結温度1200°C以下で焼結することを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲットの製造方法。
- B2O3を溶解させた水溶液にSiO2粉末を添加し、SiO2粉末の表面にB2O3を析出させ、これを200℃〜400℃で仮焼した後、得られた粉末を磁性金属粉末原料と混合し、その混合粉末を焼結温度1200°C以下で焼結することを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲットの製造方法。
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