WO2012029498A1

WO2012029498A1 - Ｆｅ－Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲット

Info

Publication number: WO2012029498A1
Application number: PCT/JP2011/067936
Authority: WO
Inventors: 真一荻野; 中村　祐一郎
Original assignee: Jx日鉱日石金属株式会社
Priority date: 2010-08-31
Filing date: 2011-08-05
Publication date: 2012-03-08
Also published as: TWI509093B; JP5226155B2; JPWO2012029498A1; US9328412B2; CN103081009A; TW201209192A; MY156386A; CN103081009B; US20130168240A1

Abstract

Ｐｔが５ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下、残余がＦｅである組成の金属と金属酸化物からなるＦｅ－Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲット。磁気記録層は、Ｆｅ－Ｐｔ合金などの磁性相と、それを分離している非磁性相から構成されており、非磁性相の材料の一つとして金属酸化物を利用した強磁性材スパッタリングターゲットを提供するものであり、スパッタ時に金属酸化物の不用意な脱離やターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制し、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させた強磁性材スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。

Description

Ｆｅ－Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲット

　本発明は、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用される強磁性材スパッタリングターゲットに関し、パーティクル発生の少ないＦｅ－Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲットに関する。

　ハードディスクドライブに代表される磁気記録の分野では、記録を担う磁性薄膜の材料として、強磁性金属であるＣｏ、Ｆｅ、あるいはＮｉをベースとした材料が用いられている。例えば、面内磁気記録方式を採用するハードディスクの記録層にはＣｏを主成分とするＣｏ－Ｃｒ系やＣｏ－Ｃｒ－Ｐｔ系の強磁性合金が用いられてきた。

　また、近年実用化された垂直磁気記録方式を採用するハードディスクの記録層には、Ｃｏを主成分とするＣｏ－Ｃｒ－Ｐｔ系の強磁性合金と非磁性の無機物粒子からなる複合材料が多く用いられている。そしてハードディスクなどの磁気記録媒体の磁性薄膜は、生産性の高さから、上記の材料を成分とする強磁性材スパッタリングターゲットをスパッタリングして作製されることが多い。

　一方、磁気記録媒体の記録密度は年々急速に増大しており、現状の１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ^２の面密度から将来は１Ｔｂｉｔ／ｉｎ^２に達すると考えられている。
　Ｔｂｉｔ／ｉｎ^２に記録密度が達すると、記録ｂｉｔのサイズが１０ｎｍを下回るようになり、その場合、熱揺らぎによる超常磁性化が問題となってくると予想され、現在使用されている磁気記録媒体、例えばＣｏ－Ｃｒ基合金にＰｔを添加して結晶磁気異方性を高めた材料、又はこれにさらにＢを添加して磁性粒間の磁気結合を弱めたような媒体では十分ではないことが予想される。
　１０ｎｍ以下のサイズで安定に強磁性として振る舞う粒子は、より高い結晶磁気異方性を持っている必要があるからである。

　上記のようなことから、Ｌ１_０構造を持つＦｅＰｔ相が超高密度記録媒体用材料として注目されている。また、Ｌ１_０構造を持つＦｅＰｔ相は耐食性、耐酸化性に優れているため、記録媒体としての応用に適した材料と期待されているものである。

　ＦｅＰｔ相を超高密度記録媒体用材料として使用する場合には、規則化したＦｅＰｔナノ粒子を磁気的に孤立させた状態で出来るだけ高密度に方位をそろえて分散させるという技術の開発が求められている。
　このようなことから、グラニュラー型の磁気記録媒体が提案されている。このグラニュラー媒体は、酸化物等の非磁性マトリックス中に磁性微粒子を析出させた構造を有し、磁性粒子間が非磁性物質の介在により磁気的に絶縁される構造が必要となる。グラニュラー型の磁気記録媒体及びこれに関連する公知文献としては、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４を挙げることができる。

　また、上記磁気記録層はＦｅ－Ｐｔ合金などの磁性相とそれを分離している非磁性相から構成されており、非磁性相の材料の一つとして金属酸化物が有効である。このような磁気記録層は、多くはスパッタリング成膜法により形成されるが、一般にマグネトロンスパッタ装置で金属酸化物の含まれる強磁性材スパッタリングターゲットをスパッタしようとすると、スパッタ時に金属酸化物の不用意な脱離やターゲットに内包される空隙を起点として異常放電が生じパーティクル（基板上に付着したゴミ）が発生するという問題がある。
　この問題を解決するには、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させる必要がある。

特開２０００－３０６２２８号公報特開２０００－３１１３２９号公報特開２００８－５９７３３号公報特開２００８－１６９４６４号公報

　上記磁気記録層は、Ｆｅ－Ｐｔ合金などの磁性相と、それを分離している非磁性相から構成されており、非磁性相の材料の一つとして金属酸化物を利用した強磁性材スパッタリングターゲットを提供するものであり、スパッタ時に金属酸化物の不用意な脱離やターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制し、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させた強磁性材スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。

　上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、母材合金の主成分であるＦｅと濡れ性が良好な金属酸化物を選択することによって、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、かつ高密度なスパッタリングターゲットを作れることを見出した。このようにして作られたスパッタリングターゲットは、パーティクル発生を非常に少なくすることが可能になる。すなわち、濡れ性が高い金属酸化物を用いることにより、パーティクル発生の少ないターゲットが得られることを見出した。

　　このような知見に基づき、本発明は、
　１）Ｐｔが５ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下、残余がＦｅである組成の金属と金属酸化物からなるＦｅ－Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲット
　２）金属酸化物の溶融金属に対する濡れ性の値が２５（Ｊ/ｍｏｌＫ）以下であることを特徴とする上記１）記載のＦｅ－Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲット
　３）金属酸化物の含有割合が１５～７０ｖｏｌ％であることを特徴とする上記１）又は２）記載のＦｅ－Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲット
　４）金属素地中に、０．１～５０μｍの粒子径の金属酸化物が分散していることを特徴とする上記１）～３）のいずれか一項に記載のＦｅ－Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲット、を提供する。

　　また、本発明は、
　５）前記金属酸化物が、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｂ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｇａから選択した一種以上の酸化物であることを特徴とする上記１）～４）のいずれか一項に記載のＦｅ－Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲット
　６）相対密度が９７％以上であることを特徴とする上記１）～５）のいずれか一項に記載のＦｅ－Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲット
　７）添加元素として、Ｂ、Ｃ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕから選択した１元素以上を、０．５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下含有することを特徴とする上記１）～６）のいずれか一項に記載のＦｅ－Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲット、を提供する。

　上記磁気記録層は、Ｆｅ－Ｐｔ合金などの磁性相と、それを分離している非磁性相から構成されており、非磁性相の材料の一つとして金属酸化物を利用した強磁性材スパッタリングターゲットに関する。本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、スパッタ時に金属酸化物の不用意な脱離やターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制し、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させた強磁性材スパッタリングターゲットを提供できる優れた効果を有する。
　磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用することができるという効果を有する。

　本発明のＦｅ－Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲットは、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下、残余がＦｅである組成の金属と金属酸化物からなる。これが、本発明の基本となるものである。

　下記実施例に示すように、金属酸化物としては、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｂ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｇａから選択した一種以上の酸化物を添加することにより、Ｆｅ－Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲットの密度を高め、パーティクルの発生を大きく抑制できる効果を有するが、これらの酸化物添加の共通する特性として、金属酸化物の溶融金属に対する濡れ性が向上することの知見を得た。

　母材合金と非磁性材料の濡れ性については、シミュレーションによりＣａｌｃｕｌａｔｅｄＷｅｔｔａｂｉｌｉｔｙＩｎｄｅｘ（以下「ＣＷＩ」という。）を用いて予測し、評価することができる。
　特に、金属酸化物の溶融金属に対するＣＷＩの値が２５（Ｊ/ｍｏｌＫ）以下（なお、単位「Ｋ」は、ケルビンを示す。明細書記載中、同様。）であることが、濡れ性を良好にし、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、かつ高密度なスパッタリングターゲットに有効である。このようにして作製されたスパッタリングターゲットは、パーティクル発生を効果的に抑制できる。

　前記濡れ性については、Ｆｅと各酸化物同士の、任意の化学平衡状態における自由エネルギーとエンタルピー変化量から濡れ性を計算することができる。
　計算手順は、まず、任意の酸化物（固相）とＦｅ（液相）が酸素を交換する反応における自由エネルギーの変化量（ΔＧ₀）を算出する。次に、任意の酸化物の金属成分に１モルのＦｅが溶解する際のエンタルピー変化量（ΔＨ_ｍｉｘ）を計算する。最後に、（ΔＧ_０＋ΔＨ_ｍｉｘ）／ＲＴによって計算される値をＣＷＩとした。このとき、Ｒは気体常数、Ｔは反応場の温度である。ＣＷＩの値は、任意の酸化物と金属成分同士の接触角と相関関係があることが一般的に知られている。

　また、本発明のＦｅ－Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲットは、金属酸化物の含有割合を１５～７０ｖｏｌ％とすること、さらに金属素地中に、０．１～５０μｍの粒子径の金属酸化物を分散させることが、特に有効である。これらは、高密度なスパッタリングターゲットを作製することができ、作製されたスパッタリングターゲットは、パーティクル発生を効果的に抑制できる。

　また、前記金属酸化物としては、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｂ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｇａから選択した一種以上の酸化物であることが望ましい。これらは、濡れ性を向上させ、いずれも高密度なスパッタリングターゲットに有効であり、作製されたスパッタリングターゲットは、パーティクル発生を効果的に抑制できる。そして、Ｆｅ－Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲットの相対密度９７％以上を達成できる。

　また、本発明のＦｅ－Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲットは、添加元素として、Ｂ、Ｃ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕから選択した１元素以上を、０．５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下含有させることができる。これらの元素の添加は、本発明の強磁性材スパッタリングターゲットを使用して成膜した膜の垂直方向の保磁力を高め、Ｆｅ－Ｐｔの規則化温度を低下できる効果を有する。

　本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製する。作製にあたり、各金属元素の粉末（Ｆｅ及びＰｔの粉末）と、さらに必要に応じて添加金属元素の粉末（Ｂ、Ｃ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕの粉末）を用意する。これらの粉末は最大粒径が２０μｍ以下のものを用いることが望ましい。
　また、各金属元素の粉末の代わりに、これら金属のアトマイズ合金粉末、例えば主成分の金属粉末と必要に応じて投入した添加金属元素との合金粉末を用いることもできる。この場合は平均粒径が１０μｍ～２００μｍの粒子を使用することが望ましい。

　そして、上記の粉末を所望の組成になるように秤量し、ボールミル等の公知の手法を用いて粉砕を兼ねて混合する。金属酸化物粉末を添加する場合は、この段階で金属粉末と混合すればよい。
　一方、金属粉が小さ過ぎると、酸化が促進されるなどの問題があるため、０．５μｍ以上とすることがさらに望ましい。
　また、金属酸化物粉末は、最大粒径が５μｍ以下のものを用いることが望ましい。一方、この金属酸化物粉末は、小さ過ぎると凝集しやすくなるため、０．１μｍ以上のものを用いることがさらに望ましい。

　こうして得られた混合粉末をホットプレスで成型・焼結する。ホットプレス以外にも、プラズマ放電焼結法、熱間静水圧焼結法を使用することもできる。焼結時の保持温度はターゲットが十分緻密化する温度域で最も低い温度に設定するのが好ましい。ターゲットの組成にもよるが、多くの場合、８００～１３００°Ｃの温度範囲とする。

　次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工した後、スパッタリングを実施してパーティクル数をカウントする。

　以上により、金属酸化物と母材合金との密着性が高く、且つ高密度なＦｅ－Ｐｔ－酸化物ターゲットを作製することができる。酸化物の体積率を増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルが少ないという効果を得ることができる。また、必要に応じて予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測し、それを実験により、ＣＷＩが２５（Ｊ/ｍｏｌＫ）以下の酸化物が有効であることを確認することができる。この数値が小さいほど、濡れ性は良好となる。
　このようにして製造した本願発明のＦｅ－Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用するターゲットとして有用である。

　以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。

（実施例１）
　本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が１０μｍの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が１μｍである酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）を用いた。
　そして、上記Ｆｅ、Ｐｔ、ＺｒＯ_２の粉末を、それぞれ０．６０ｋｇ、２．４０ｋｇ、０．６０ｋｇとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。

　次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度８００～１３００°Ｃの温度範囲で適宜選択し、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度９７．４％の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットに加工した。

　そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表１に示す。なお、パーティクル数の評価は、通常、製品で用いる膜厚（記録層の厚さは５～１０ｎｍ）ではパーティクル数の差が見えにくいため、膜厚を通常の２００倍程度に厚膜にして（厚さは１０００ｎｍ）、パーティクルの絶対数を増やすことで評価した。以下、同様の処置とした。
　この表１に示すように、パーティクル数は、１２個であった。このときの酸化物（ＺｒＯ_２）の体積率は２２．５％であった。この場合、酸化物（ＺｒＯ_２）の体積率を７０％まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは２０個以下であり、下記に示す比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。

　一方、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、すなわち濡れ性の評価ＣＷＩは２３．７（Ｊ/ｍｏｌＫ）となった。この数値が小さいほど、濡れ性は良好となる（以下同様）。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。
　また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。以上の結果を、表１に示す。

　このようにして製造した本願発明のＦｅ－Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用するターゲットとして有用である。特に、母材合金と酸化物相互の選択と特性が重要であり、酸化物を含有するスパッタリングターゲットの成膜時に発生し易いパーティクルの発生を抑制できるという優れた効果を得ることが可能となった。

（実施例２）
　本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が１０μｍの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が０．５μｍである酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を用いた。
　そして、上記Ｆｅ、Ｐｔ、ＭｇＯの粉末を、それぞれ０．６０ｋｇ、２．４０ｋｇ、０．３０ｋｇとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。

　次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度８００～１３００°Ｃの温度範囲で適宜選択し、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度９７．６％の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットに加工した。

　そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表１に示す。この表１に示すように、パーティクル数は、８個であった。
　このときの酸化物（ＭｇＯ）の体積率は３０．４％であった。この場合、酸化物（ＭｇＯ）の体積率を７０％まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは２０個以下であり、下記に示す比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。

　実施例１と同様に、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、濡れ性の評価ＣＷＩは１８．０（Ｊ/ｍｏｌＫ）となった。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。
　また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。

（実施例３）
　本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が１０μｍの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が３μｍである酸化チタン（ＴｉＯ_２）を用いた。
　そして、上記Ｆｅ、Ｐｔ、ＴｉＯ_２の粉末を、それぞれ０．６０ｋｇ、２．４０ｋｇ、０．３０ｋｇとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。

　次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度８００～１３００°Ｃの温度範囲で適宜選択し、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度９８．４％の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットに加工した。

　そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表１に示す。この表１に示すように、パーティクル数は、７個であった。このときの酸化物（ＴｉＯ_２）の体積率は２７．２％であった。この場合、酸化物（ＴｉＯ_２）の体積率を７０％まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは２０個以下であり、下記に示す比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。

　実施例１と同様に、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、濡れ性の評価ＣＷＩは１６．５（Ｊ/ｍｏｌＫ）となった。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。

（実施例４）
　本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が１０μｍの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が１μｍである酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）を用いた。
　そして、上記Ｆｅ、Ｐｔ、Ａｌ_２Ｏ_３の粉末を、それぞれ０．６０ｋｇ、２．４０ｋｇ、０．３０ｋｇとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。

　次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度８００～１３００°Ｃの温度範囲で適宜選択し、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度９７．９％の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットに加工した。

　そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表１に示す。この表１に示すように、パーティクル数は、９個であった。このときの酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３）の体積率は２９．０％であった。この場合、酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３）の体積率を７０％まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは２０個以下であり、下記に示す比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。

　実施例１と同様に、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、濡れ性の評価ＣＷＩは１５．２（Ｊ/ｍｏｌＫ）となった。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。

（実施例５）
　本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が１０μｍの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が３μｍである酸化ホウ素（Ｂ_２Ｏ_３）を用いた。
　そして、上記Ｆｅ、Ｐｔ、Ｂ_２Ｏ_３の粉末を、それぞれ０．６０ｋｇ、２．４０ｋｇ、０．３０ｋｇとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。

　次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度８００～１３００°Ｃの温度範囲で適宜選択し、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度９７．８％の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットに加工した。

　そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表１に示す。この表１に示すように、パーティクル数は、１０個であった。このときの酸化物（Ｂ_２Ｏ_３）の体積率は４６．４％であった。

　なお、この場合の酸化物（Ｂ_２Ｏ_３）は、融点が５００°Ｃ程度であるため、Ｂ_２Ｏ_３を入れてホットプレスすると、ホットプレス中に溶け出してしまい、高密度化が難しくなる虞がある。したがって、Ｂ_２Ｏ_３の添加の場合は、体積率を４０％程度にすることが良い。これによって、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは２０個以下であり、下記に示す比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。

　実施例１と同様に、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、濡れ性の評価ＣＷＩは１５．０（Ｊ/ｍｏｌＫ）となった。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。
　また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。

（実施例６）
　本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が１０μｍの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が０．７μｍである酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）を用いた。
　そして、上記Ｆｅ、Ｐｔ、Ｔａ_２Ｏ_５の粉末を、それぞれ０．６０ｋｇ、２．４０ｋｇ、０．３０ｋｇとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。

　次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度８００～１３００°Ｃの温度範囲で適宜選択し、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度９８．５％の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットに加工した。

　そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表１に示す。この表１に示すように、パーティクル数は、７個であった。このときの酸化物（Ｔａ_２Ｏ_５）の体積率は１５．４％であった。この場合、酸化物（Ｔａ_２Ｏ_５）の体積率を７０％まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは２０個以下であり、下記に示す比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。

　実施例１と同様に、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、濡れ性の評価ＣＷＩは１４．３（Ｊ/ｍｏｌＫ）となった。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。
　また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。

（実施例７）
　本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が１０μｍの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が０．９μｍである酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）を用いた。
　そして、上記Ｆｅ、Ｐｔ、Ｎｂ_２Ｏ_５の粉末を、それぞれ０．６０ｋｇ、２．４０ｋｇ、０．３０ｋｇとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。

　次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度８００～１３００°Ｃの温度範囲で適宜選択し、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度９８．２％の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットに加工した。

　そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表１に示す。この表１に示すように、パーティクル数は、８個であった。このときの酸化物（Ｂ_２Ｏ_５）の体積率は２６．３％であった。この場合、酸化物（Ｎｂ_２Ｏ_５）の体積率を７０％まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは２０個以下であり、下記に示す比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。

　実施例１と同様に、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、濡れ性の評価ＣＷＩは１１．８（Ｊ/ｍｏｌＫ）となった。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。
　また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。

（実施例８）
　本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が１０μｍの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が３μｍである酸化亜鉛（ＺｎＯ）を用いた。
　そして、上記Ｆｅ、Ｐｔ、ＺｎＯの粉末を、それぞれ０．６０ｋｇ、２．４０ｋｇ、０．３０ｋｇとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。

　そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表１に示す。この表１に示すように、パーティクル数は、８個であった。このときの酸化物（ＺｎＯ）の体積率は２２．２％であった。この場合、酸化物（ＺｎＯ）の体積率を７０％まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは２０個以下であり、下記に示す比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。

　実施例１と同様に、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、濡れ性の評価ＣＷＩは９．６（Ｊ/ｍｏｌＫ）となった。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。
　また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。

（実施例９）
　本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が１０μｍの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が２μｍである酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を用いた。
　そして、上記Ｆｅ、Ｐｔ、ＳｉＯ_２の粉末を、それぞれ０．６０ｋｇ、２．４０ｋｇ、０．３０ｋｇとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。

　次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度８００～１３００°Ｃの温度範囲で適宜選択し、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度９８．８％の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットに加工した。

　そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表１に示す。この表１に示すように、パーティクル数は、７個であった。このときの酸化物（ＳｉＯ_２）の体積率は４２．０％であった。この場合、酸化物（ＳｉＯ_２）の体積率を７０％まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは２０個以下であり、下記に示す比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。

　実施例１と同様に、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、濡れ性の評価ＣＷＩは７．３（Ｊ/ｍｏｌＫ）となった。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。
　また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。

（実施例１０）
　本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が１０μｍの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が３μｍである酸化クロム（Ｃｒ_２Ｏ_３）を用いた。
　そして、上記Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｒ_２Ｏ_３の粉末を、それぞれ０．６０ｋｇ、２．４０ｋｇ、０．３０ｋｇとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。

　次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度８００～１３００°Ｃの温度範囲で適宜選択し、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度９９．３％の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットに加工した。

　そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表１に示す。この表１に示すように、パーティクル数は、６個であった。このときの酸化物（Ｃｒ_２Ｏ_３）の体積率は２３．４％であった。この場合、酸化物（Ｃｒ_２Ｏ_３）の体積率を７０％まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは２０個以下であり、下記に示す比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。

　実施例１と同様に、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、濡れ性の評価ＣＷＩは６．２（Ｊ/ｍｏｌＫ）となった。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。
　また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。

（実施例１１）
　本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が１０μｍの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が３μｍである酸化マンガン（ＭｎＯ）を用いた。
　そして、上記Ｆｅ、Ｐｔ、ＭｎＯの粉末を、それぞれ０．６０ｋｇ、２．４０ｋｇ、０．３０ｋｇとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。

　次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度８００～１３００°Ｃの温度範囲で適宜選択し、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度９９．２％の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットに加工した。

　そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表１に示す。この表１に示すように、パーティクル数は、６個であった。このときの酸化物（ＭｎＯ）の体積率は２４．９％であった。この場合、酸化物（ＭｎＯ）の体積率を７０％まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは２０個以下であり、下記に示す比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。

　実施例１と同様に、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、濡れ性の評価ＣＷＩは６．１（Ｊ/ｍｏｌＫ）となった。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。

（実施例１２）
　本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が１０μｍの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が０．９μｍである酸化ガリウム（Ｇａ_２Ｏ_３）を用いた。
　そして、上記Ｆｅ、Ｐｔ、Ｇａ_２Ｏ_３の粉末を、それぞれ０．６０ｋｇ、２．４０ｋｇ、０．３０ｋｇとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。

　次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度８００～１３００°Ｃの温度範囲で適宜選択し、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度９９．５％の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットに加工した。

　そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表１に示す。この表１に示すように、パーティクル数は、７個であった。このときの酸化物（Ｇａ_２Ｏ_３）の体積率は１９．８％であった。この場合、酸化物（Ｇａ_２Ｏ_３）の体積率を７０％まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは２０個以下であり、下記に示す比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。

　実施例１と同様に、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、濡れ性の評価ＣＷＩは１．８（Ｊ/ｍｏｌＫ）となった。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。
　また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。

（比較例１）
　前記酸化物として、ＣａＯを添加したことを除き、他は実施例２と同条件で、ターゲットを作製した。この場合、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測したＣａＯを用いた。この予想した濡れ性の評価ＣＷＩは３２．５（Ｊ/ｍｏｌ・Ｋ）であり、濡れ性は悪かった。
　焼結体ターゲットの相対密度は９５．３％となった。金属酸化物と母材合金との密着性が低く、且つ低密度なＦｅ－Ｐｔ－酸化物（ＣａＯ）ターゲットとなった。

　そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表１に示す。この表１に示すように、パーティクル数は、６４個であった。このときの酸化物（ＣａＯ）の体積率は３２．１％であった。この場合、酸化物（ＣａＯ）の体積率を７０％まで増やしても、ターゲットは低密度であり、スパッタリング時に発生するパーティクルは２０個を越えるものであり、上記に示す実施例に比べ、常に多くなる結果が得られた。

　前記濡れ性の低下は、金属酸化物と母材合金との密着性を低下させ、さらに、スパッタリングターゲットを低密度化に大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を増加させ、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を、増加させる原因と考えられる。このように、濡れ性が悪い酸化物（ＣａＯ）を添加した、Ｆｅ－Ｐｔ－酸化物（ＣａＯ）ターゲットは、好ましくないことが分かった。

（比較例２）
　前記酸化物として、Ｙ_２Ｏ_３を添加したことを除き、他は実施例２と同条件で、ターゲットを作製した。この場合、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測したＹ_２Ｏ_３を用いた。この予想した濡れ性の評価ＣＷＩは２７．６（Ｊ/ｍｏｌ・Ｋ）であり、濡れ性は悪かった。
　焼結体ターゲットの相対密度は９６．９％となった。金属酸化物と母材合金との密着性が低く、且つ低密度なＦｅ－Ｐｔ－酸化物（Ｙ_２Ｏ_３）ターゲットとなった。

　そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表１に示す。この表１に示すように、パーティクル数は、５３個であった。このときの酸化物（Ｙ_２Ｏ_３）の体積率は２４．１％であった。この場合、酸化物（Ｙ_２Ｏ_３）の体積率を７０％まで増やしても、ターゲットは低密度であり、スパッタリング時に発生するパーティクルは２０個を越えるものであり、上記に示す実施例に比べ、常に多くなる結果が得られた。

　前記濡れ性の低下は、金属酸化物と母材合金との密着性を低下させ、さらに、スパッタリングターゲットを低密度化に大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を増加させ、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を、増加させる原因と考えられる。このように、濡れ性が悪い酸化物（Ｙ_２Ｏ_３）を添加した、Ｆｅ－Ｐｔ－酸化物（Ｙ_２Ｏ_３）ターゲットは、好ましくないことが分かった。

（比較例３）
　前記酸化物として、ＣｏＯを添加したことを除き、他は実施例２と同条件で、ターゲットの作製を予定した。この場合、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測したＣｏＯを用いた。この予想した濡れ性ＣＷＩは－２．０（Ｊ/ｍｏｌ・Ｋ）であった。
　焼結体ターゲットの相対密度は９９．９％であったが、ＣｏＯは高温で熱分解し、この酸化物の形態で焼結体の中に存在することができないので、本願発明の目的とする組成の焼結体ターゲットを得ることができなかった。なお、このときの酸化物（ＣｏＯ）の体積率は１９．８％であった。

（比較例４）
　前記酸化物として、Ｉｎ_２Ｏ_３を添加したことを除き、他は実施例１と同条件で、ターゲットの作製を予定した。この場合、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測したＩｎ_２Ｏ_３を用いた。この予想した濡れ性の評価ＣＷＩは－２．３（Ｊ/ｍｏｌ・Ｋ）であった。
　焼結体ターゲットの相対密度は９９．８％であったが、Ｉｎ_２Ｏ_３は高温で熱分解し、この酸化物の形態で焼結体の中に存在することができないので、本願発明の目的とする組成の焼結体ターゲットを得ることができなかった。なお、このときの酸化物（Ｉｎ_２Ｏ_３）の体積率は１８．１％であった。

（比較例５）
　前記酸化物として、ＧｅＯ₂を添加したことを除き、他は実施例１と同条件で、ターゲットの作製を予定した。この場合、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測したＧｅＯ_２を用いた。この予想した濡れ性の評価ＣＷＩは－２．９（Ｊ/ｍｏｌＫ）であった。
　焼結体ターゲットの相対密度は９９．９％であったが、ＧｅＯ₂は高温で熱分解し、この酸化物の形態で焼結体の中に存在することができないので、本願発明の目的とする組成の焼結体ターゲットを得ることができなかった。なお、このときの酸化物（ＧｅＯ_２）の体積率は２０．４％であった。

（実施例１３）
　本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Ｆｅ粉末とＰｔの粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が１０μｍの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が２μｍである酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を用いた。
　そして、上記Ｆｅ、Ｐｔ、ＳｉＯ_２の粉末を、それぞれ０．６０ｋｇ、２．４０ｋｇ、０．７０ｋｇとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。

　次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度８００～１３００°Ｃの温度範囲で適宜選択し、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度９８．４％の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットに加工した。そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。

　以上により、金属酸化物と母材合金との密着性が高く、且つ高密度なＦｅ－Ｐｔ－酸化物（ＳｉＯ_２）ターゲットを作製することができた。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表１に示す。
　この表１に示すように、パーティクル数は、１９個であった。この場合、酸化物（ＳｉＯ_２）の体積率を６２．８％まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは２０個以下であり、比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。

　一方、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、すなわち濡れ性の評価ＣＷＩは７．３（Ｊ/ｍｏｌＫ）となった。この数値が小さいほど、濡れ性は良好となる（以下同様）。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。以上の結果を、表１に示す。

（実施例１４）
　本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が１０μｍの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が２μｍである酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を用いた。
　そして、上記Ｆｅ、Ｐｔ、ＳｉＯ_２の粉末を、それぞれ０．６０ｋｇ、２．４０ｋｇ、０．１２ｋｇとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。

　そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。
　スパッタリングによるパーティクルの発生数を表１に示す。この表１に示すように、パーティクル数は、６個であった。この場合、酸化物（ＳｉＯ_２）の体積率を２２．５％まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは２０個以下であり、比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。

（実施例１５）
　本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が１０μｍの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が３μｍである酸化チタン（ＴｉＯ_２）を用いた。
　そして、上記Ｆｅ、Ｐｔ、ＴｉＯ_２の粉末を、それぞれ０．６０ｋｇ、２．４０ｋｇ、１．００ｋｇとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。

　そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。
　スパッタリングによるパーティクルの発生数を表１に示す。この表１に示すように、パーティクル数は、１６個であった。この場合、酸化物（ＴｉＯ_２）の体積率を５５．５％まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは２０個以下であり、比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。

　一方、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、すなわち濡れ性の評価ＣＷＩは１６．５（Ｊ/ｍｏｌＫ）となった。この数値が小さいほど、濡れ性は良好となる（以下同様）。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。以上の結果を、表１に示す。

（実施例１６）
　本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Ｆｅ粉末とＰｔ粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が１０μｍの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が３μｍである酸化クロム（Ｃｒ_２Ｏ_３）を用いた。
　そして、上記Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｒ_２Ｏ_３の粉末を、それぞれ０．６０ｋｇ、２．４０ｋｇ、１．００ｋｇとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。

　次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度８００～１３００°Ｃの温度範囲で適宜選択し、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度９８．９％の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットに加工した。

　そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。
　スパッタリングによるパーティクルの発生数を表１に示す。この表１に示すように、パーティクル数は、８個であった。この場合、酸化物（Ｃｒ_２Ｏ_３）の体積率を５０．５％まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは２０個以下であり、比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。

　一方、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、すなわち濡れ性の評価ＣＷＩは６．２（Ｊ/ｍｏｌＫ）となった。この数値が小さいほど、濡れ性は良好となる（以下同様）。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。以上の結果を、表１に示す。

（実施例１７）
　本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Ｆｅ粉末とＰｔの粉末とＡｕ粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が１０μｍの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が２μｍである酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を用いた。
　そして、上記Ｆｅ、Ｐｔ、ＳｉＯ_２、Ａｕの粉末を、それぞれ０．６０ｋｇ、２．４０ｋｇ、０．５０ｋｇ、０．４０ｋｇとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。

　そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。
　スパッタリングによるパーティクルの発生数を表１に示す。この表１に示すように、パーティクル数は、７個であった。この場合、酸化物（ＳｉＯ_２）の体積率を４９．７％まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは２０個以下であり、比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。

　一方、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、すなわち濡れ性の評価ＣＷＩは７．３（Ｊ/ｍｏｌＫ）となった。この数値が小さいほど、濡れ性は良好となる（以下同様）。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。
　また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。以上の結果を、表１に示す。

（実施例１８）
　本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Ｆｅ粉末とＰｔの粉末とＡｇ粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が１０μｍの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が２μｍである酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を用いた。
　そして、上記Ｆｅ、Ｐｔ、ＳｉＯ_２、Ａｇの粉末を、それぞれ０．６０ｋｇ、２．４０ｋｇ、０．５０ｋｇ、０．０１ｋｇとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。

　次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度８００～１３００°Ｃの温度範囲で適宜選択し、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度９７．１％の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットに加工した。

　そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。
　スパッタリングによるパーティクルの発生数を表１に示す。この表１に示すように、パーティクル数は、１０個であった。この場合、酸化物（ＳｉＯ_２）の体積率を５４．５％まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは２０個以下であり、比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。

（実施例１９）
　本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Ｆｅ粉末とＰｔの粉末とＣｕ粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が１０μｍの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が２μｍである酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を用いた。
　そして、上記Ｆｅ、Ｐｔ、ＳｉＯ_２、Ｃｕの粉末を、それぞれ０．６０ｋｇ、２．４０ｋｇ、０．５０ｋｇ、０．１０ｋｇとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。

　次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度８００～１３００°Ｃの温度範囲で適宜選択し、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度９８．３％の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットに加工した。

　そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。
　スパッタリングによるパーティクルの発生数を表１に示す。この表１に示すように、パーティクル数は、７個であった。この場合、酸化物（ＳｉＯ_２）の体積率を５１．９％まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは２０個以下であり、比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。

（実施例２０）
　本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Ｆｅ粉末とＰｔの粉末とＣｕ粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が１０μｍの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が２μｍである酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を用いた。
　そして、上記Ｆｅ、Ｐｔ、ＳｉＯ_２、Ｃｕの粉末を、それぞれ０．６０ｋｇ、２．１０ｋｇ、０．３０ｋｇ、０．２０ｋｇとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。

　そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。
　スパッタリングによるパーティクルの発生数を表１に示す。この表１に示すように、パーティクル数は、６個であった。この場合、酸化物（ＳｉＯ_２）の体積率を３８．４％まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは２０個以下であり、比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。

（実施例２１）
　本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Ｆｅ粉末とＰｔの粉末とＲｕ粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が１０μｍの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が２μｍである酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を用いた。
　そして、上記Ｆｅ、Ｐｔ、ＳｉＯ_２、Ｒｕの粉末を、それぞれ０．６０ｋｇ、２．４０ｋｇ、０．５０ｋｇ、０．１０ｋｇとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。

　そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。
　スパッタリングによるパーティクルの発生数を表１に示す。この表１に示すように、パーティクル数は、６個であった。この場合、酸化物（ＳｉＯ_２）の体積率を５２．６％まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは２０個以下であり、比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。

（実施例２２）
　本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Ｆｅ粉末とＰｔの粉末とＣ粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が１０μｍの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が２μｍである酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を用いた。
　そして、上記Ｆｅ、Ｐｔ、ＳｉＯ_２、Ｃの粉末を、それぞれ０．６０ｋｇ、２．１０ｋｇ、０．３０ｋｇ、０．０１ｋｇとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。

　次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度８００～１３００°Ｃの温度範囲で適宜選択し、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度９７．０％の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットに加工した。

　そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。
　スパッタリングによるパーティクルの発生数を表１に示す。この表１に示すように、パーティクル数は、１８個であった。この場合、酸化物（ＳｉＯ_２）の体積率を４５．５％まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは２０個以下であり、比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。

（実施例２３）
　本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Ｆｅ粉末とＰｔの粉末とＢ粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が１０μｍの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が２μｍである酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を用いた。
　そして、上記Ｆｅ、Ｐｔ、ＳｉＯ_２、Ｂの粉末を、それぞれ０．６０ｋｇ、２．１０ｋｇ、０．３０ｋｇ、０．０１ｋｇとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。

　そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。
　スパッタリングによるパーティクルの発生数を表１に示す。この表１に示すように、パーティクル数は、１１個であった。この場合、酸化物（ＳｉＯ_２）の体積率を４２．７％まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは２０個以下であり、比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。

（実施例２４）
　本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Ｆｅ粉末とＰｔの粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が１０μｍの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が３μｍである酸化チタン（ＴｉＯ_２）を用いた。
　そして、上記Ｆｅ、Ｐｔ、ＴｉＯ_２の粉末を、それぞれ１．２０ｋｇ、０．３０ｋｇ、０．１０ｋｇとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。

　次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度８００～１３００°Ｃの温度範囲で適宜選択し、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度９９．１％の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットに加工した。

　そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。
　スパッタリングによるパーティクルの発生数を表１に示す。この表１に示すように、パーティクル数は、６個であった。この場合、酸化物（ＴｉＯ_２）の体積率を３７．３％まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは２０個以下であり、比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。

（実施例２５）
　本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Ｆｅ粉末とＰｔの粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が１０μｍの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が３μｍである酸化チタン（ＴｉＯ_２）を用いた。
　そして、上記Ｆｅ、Ｐｔ、ＴｉＯ_２の粉末を、それぞれ０．３５ｋｇ、２．３８ｋｇ、０．１５ｋｇとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。

　そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。
　スパッタリングによるパーティクルの発生数を表１に示す。この表１に示すように、パーティクル数は、７個であった。この場合、酸化物（ＴｉＯ_２）の体積率を４２．７％まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは２０個以下であり、比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。

　上記磁気記録層は、Ｆｅ－Ｐｔ合金などの磁性相と、それを分離している非磁性相から構成されており、非磁性相の材料の一つとして金属酸化物を利用した強磁性材スパッタリングターゲットを提供するものである。本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、スパッタ時に金属酸化物の不用意な脱離やターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制し、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることができるという優れた効果を有する。したがって、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜用強磁性材スパッタリングターゲットに有用である。

Claims

　Ｐｔが５ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下、残余がＦｅである組成の金属と金属酸化物からなるＦｅ－Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲット。
　金属酸化物の溶融金属に対する濡れ性の値が２５（Ｊ/ｍｏｌＫ）以下であることを特徴とする請求項１記載のＦｅ－Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲット。
　金属酸化物の含有割合が１５～７０ｖｏｌ％であることを特徴とする請求項１又は２記載のＦｅ－Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲット。
　金属素地中に、０．１～５０μｍの粒子径の金属酸化物が分散していることを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載のＦｅ－Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲット。
　前記金属酸化物が、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｂ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｇａから選択した一種以上の酸化物であることを特徴とする請求項１～４のいずれか一項に記載のＦｅ－Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲット
　相対密度が９７％以上であることを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載のＦｅ－Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲット。
　添加元素として、Ｂ、Ｃ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕから選択した１元素以上を、０．５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下含有することを特徴とする請求項１～６のいずれか一項に記載のＦｅ－Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲット。