JP2001098360A - Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系ターゲットおよびその製造方法ならびに磁気記録媒体 - Google Patents
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系ターゲットおよびその製造方法ならびに磁気記録媒体Info
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- JP2001098360A JP2001098360A JP27085499A JP27085499A JP2001098360A JP 2001098360 A JP2001098360 A JP 2001098360A JP 27085499 A JP27085499 A JP 27085499A JP 27085499 A JP27085499 A JP 27085499A JP 2001098360 A JP2001098360 A JP 2001098360A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気特性の優れたＣｏ系磁性膜を提供すると
ともに、その製造に適するターゲットおよびその製造方
法を提供する。 【解決手段】 １０≧Ｃ≧１ａｔ％、３０≧Ｃｒ≧１０
ａｔ％、３０≧Ｐｔ≧５ａｔ％、残部Ｃｏを主体とする
ターゲットであって、マトリックスの平均結晶粒径が５
０μｍ以下であり、組織中に存在する炭化物がターゲッ
トの断面で見た時に分散しているＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ
系ターゲットである。本発明は、好ましくは７≧Ｔａ＞
０ａｔ％、３０≧Ｎｉ＞０ａｔ％および５≧（Ｔｉ＋Ｚ
ｒ＋Ｈｆ＋Ｖ＋Ｎｂ＋Ｍｏ＋Ｗ＋Ｃｕ＋Ａｇ＋Ａｕ＋
Ｂ）＞０ａｔ％を、それぞれもしくは複合で含むことが
可能である。同組成の素材を、熱間圧延を施し、マトリ
ックスの平均結晶粒径が５０μｍ以下とするとともに、
組織中に存在する炭化物を分散させることによって得ら
れる。本発明のターゲットにより磁気特性の優れたＣｏ
−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系磁性膜を有する磁気記録媒体を提供
できる。
ともに、その製造に適するターゲットおよびその製造方
法を提供する。 【解決手段】 １０≧Ｃ≧１ａｔ％、３０≧Ｃｒ≧１０
ａｔ％、３０≧Ｐｔ≧５ａｔ％、残部Ｃｏを主体とする
ターゲットであって、マトリックスの平均結晶粒径が５
０μｍ以下であり、組織中に存在する炭化物がターゲッ
トの断面で見た時に分散しているＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ
系ターゲットである。本発明は、好ましくは７≧Ｔａ＞
０ａｔ％、３０≧Ｎｉ＞０ａｔ％および５≧（Ｔｉ＋Ｚ
ｒ＋Ｈｆ＋Ｖ＋Ｎｂ＋Ｍｏ＋Ｗ＋Ｃｕ＋Ａｇ＋Ａｕ＋
Ｂ）＞０ａｔ％を、それぞれもしくは複合で含むことが
可能である。同組成の素材を、熱間圧延を施し、マトリ
ックスの平均結晶粒径が５０μｍ以下とするとともに、
組織中に存在する炭化物を分散させることによって得ら
れる。本発明のターゲットにより磁気特性の優れたＣｏ
−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系磁性膜を有する磁気記録媒体を提供
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
用などの磁気記録媒体の磁性膜および磁性膜を形成する
ために用いられるＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系ターゲットお
よびその製造方法ならびに磁気記録媒体に関するもので
ある。
用などの磁気記録媒体の磁性膜および磁性膜を形成する
ために用いられるＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系ターゲットお
よびその製造方法ならびに磁気記録媒体に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来Ｃｏ系磁性膜は、高密度な磁気記録
が可能なように発展してきており、Ｃｏ系磁性膜にＴａ
やＰｔ添加が行われてきた。最近、Ｃｏ系磁性膜にＢを
添加することにより、磁気特性が著しく改善されること
がＪ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．８４、６２０２（１９９
８）．などに報告されている。
が可能なように発展してきており、Ｃｏ系磁性膜にＴａ
やＰｔ添加が行われてきた。最近、Ｃｏ系磁性膜にＢを
添加することにより、磁気特性が著しく改善されること
がＪ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．８４、６２０２（１９９
８）．などに報告されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者が上述のＢを
添加したＣｏ系磁性膜を検討したところ、Ｐｔが添加さ
れているＣｏ系磁性膜において、著しく磁気特性を改善
することを確認した。しかし、Ｂを添加したＣｏ系磁性
膜をスパッタ成膜するために必要なＢを添加したＣｏ系
ターゲットを作製したところ、共晶温度が１１５０℃程
度と低く、脆弱なホウ化物が形成されるため、均一なタ
ーゲットの作製が難しいことが判明した。そこで、Ｂを
添加したＣｏ系合金より均一なターゲットが作製しやす
く、Ｂの代わりにＣｏ系磁性膜の磁気特性を著しく改善
する添加元素の検討を行なった。
添加したＣｏ系磁性膜を検討したところ、Ｐｔが添加さ
れているＣｏ系磁性膜において、著しく磁気特性を改善
することを確認した。しかし、Ｂを添加したＣｏ系磁性
膜をスパッタ成膜するために必要なＢを添加したＣｏ系
ターゲットを作製したところ、共晶温度が１１５０℃程
度と低く、脆弱なホウ化物が形成されるため、均一なタ
ーゲットの作製が難しいことが判明した。そこで、Ｂを
添加したＣｏ系合金より均一なターゲットが作製しやす
く、Ｂの代わりにＣｏ系磁性膜の磁気特性を著しく改善
する添加元素の検討を行なった。
【０００４】本発明の目的は、磁気特性の優れたＣｏ系
磁性膜を有する磁気記録媒体を提供するとともに、その
磁気記録媒体の製造に適するターゲットおよびその製造
方法を提供することである。
磁性膜を有する磁気記録媒体を提供するとともに、その
磁気記録媒体の製造に適するターゲットおよびその製造
方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、検討の結果
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系の磁性膜の磁気特性が、Ｃを添
加しない膜と比較し優れていることを見出し、さらに、
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系の溶解・鋳造ターゲットを使用
した時の磁性膜の特性にバラツキが生じる問題は、粗大
な結晶の存在に依存することを見いだした。そして、鋳
造ターゲットで確認された粗大な結晶の発生を防止する
手段を検討し、鋳造時に、Ｃが１ａｔ％以上も含み多量
の炭化物が存在するＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系素材は熱間
圧延を適用できることを見いだした。そして、熱間圧延
により得られた組織は、結晶粒径の微細化と、炭化物の
分散が可能となり、保磁力等の膜特性のばらつき発生の
少ない薄膜を得ることができることを見いだし、本発明
に到達した。
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系の磁性膜の磁気特性が、Ｃを添
加しない膜と比較し優れていることを見出し、さらに、
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系の溶解・鋳造ターゲットを使用
した時の磁性膜の特性にバラツキが生じる問題は、粗大
な結晶の存在に依存することを見いだした。そして、鋳
造ターゲットで確認された粗大な結晶の発生を防止する
手段を検討し、鋳造時に、Ｃが１ａｔ％以上も含み多量
の炭化物が存在するＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系素材は熱間
圧延を適用できることを見いだした。そして、熱間圧延
により得られた組織は、結晶粒径の微細化と、炭化物の
分散が可能となり、保磁力等の膜特性のばらつき発生の
少ない薄膜を得ることができることを見いだし、本発明
に到達した。
【０００６】すなわち本発明のターゲットは、１０≧Ｃ
≧１ａｔ％、３０≧Ｃｒ≧１０ａｔ％、３０≧Ｐｔ≧５
ａｔ％、残部Ｃｏを主体とするターゲットであって、マ
トリックスの平均結晶粒径が５０μｍ以下であり、組織
中に存在する炭化物がターゲットの断面で見た時に分散
していることを特徴とするＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系ター
ゲットである。本発明は、好ましくは７≧Ｔａ＞０ａｔ
％、３０≧Ｎｉ＞０ａｔ％および５≧（Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｈ
ｆ＋Ｖ＋Ｎｂ＋Ｍｏ＋Ｗ＋Ｃｕ＋Ａｇ＋Ａｕ＋Ｂ）＞０
ａｔ％を、それぞれもしくは複合で含むことが可能であ
る。また、本発明の製造方法は、上述した組成のターゲ
ットの製造方法であり、１０≧Ｃ≧１ａｔ％、３０≧Ｃ
ｒ≧１０ａｔ％、３０≧Ｐｔ≧５ａｔ％、残部Ｃｏを主
体とする素材を、熱間圧延を施し、マトリックスの平均
結晶粒径が５０μｍ以下とするとともに、組織中に存在
する炭化物をターゲットの断面で見た時に分散させる製
造方法である。
≧１ａｔ％、３０≧Ｃｒ≧１０ａｔ％、３０≧Ｐｔ≧５
ａｔ％、残部Ｃｏを主体とするターゲットであって、マ
トリックスの平均結晶粒径が５０μｍ以下であり、組織
中に存在する炭化物がターゲットの断面で見た時に分散
していることを特徴とするＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系ター
ゲットである。本発明は、好ましくは７≧Ｔａ＞０ａｔ
％、３０≧Ｎｉ＞０ａｔ％および５≧（Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｈ
ｆ＋Ｖ＋Ｎｂ＋Ｍｏ＋Ｗ＋Ｃｕ＋Ａｇ＋Ａｕ＋Ｂ）＞０
ａｔ％を、それぞれもしくは複合で含むことが可能であ
る。また、本発明の製造方法は、上述した組成のターゲ
ットの製造方法であり、１０≧Ｃ≧１ａｔ％、３０≧Ｃ
ｒ≧１０ａｔ％、３０≧Ｐｔ≧５ａｔ％、残部Ｃｏを主
体とする素材を、熱間圧延を施し、マトリックスの平均
結晶粒径が５０μｍ以下とするとともに、組織中に存在
する炭化物をターゲットの断面で見た時に分散させる製
造方法である。
【０００７】本発明の製造方法において、好ましくは素
材として７≧Ｔａ＞０ａｔ％、３０≧Ｎｉ＞０ａｔ％お
よび５≧（Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｖ＋Ｎｂ＋Ｍｏ＋Ｗ＋Ｃ
ｕ＋Ａｇ＋Ａｕ＋Ｂ）＞０ａｔ％をそれぞれもしくは複
合で含むことが可能である。本発明の製造方法にあっ
て、特に好ましくは、熱間圧延時の温度を１２００℃〜
８００℃に制御する。さらに、場合によっては、熱間圧
延前に１２００℃〜８００℃で１時間以上の加熱処理を
行うことも有効である。本発明の磁気記録媒体は、基板
上に１層以上の磁気記録層が成膜されている磁気記録媒
体において、１０≧Ｃ≧１ａｔ％、３０≧Ｃｒ≧１０ａ
ｔ％、３０≧Ｐｔ≧５ａｔ％、残部Ｃｏを主体とするＣ
ｏ系磁気記録層が１層以上成膜されていることを特徴と
する磁気記録媒体である。好ましくはＣｏ系磁気記録層
に７≧Ｔａ＞０ａｔ％、３０≧Ｎｉ＞０ａｔ％および５
≧（Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｖ＋Ｎｂ＋Ｍｏ＋Ｗ＋Ｃｕ＋Ａ
ｇ＋Ａｕ＋Ｂ）＞０ａｔ％を、それぞれもしくは複合で
含むことが可能である。特に好ましくは、Ｃｏ系磁気記
録層を成膜する際は、マトリックスの平均結晶粒径が５
０μｍ以下であり、組織中に存在する炭化物がターゲッ
トの断面で見た時に分散している本発明のＣｏ−Ｃｒ−
Ｐｔ−Ｃ系ターゲットを用いることである。
材として７≧Ｔａ＞０ａｔ％、３０≧Ｎｉ＞０ａｔ％お
よび５≧（Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｖ＋Ｎｂ＋Ｍｏ＋Ｗ＋Ｃ
ｕ＋Ａｇ＋Ａｕ＋Ｂ）＞０ａｔ％をそれぞれもしくは複
合で含むことが可能である。本発明の製造方法にあっ
て、特に好ましくは、熱間圧延時の温度を１２００℃〜
８００℃に制御する。さらに、場合によっては、熱間圧
延前に１２００℃〜８００℃で１時間以上の加熱処理を
行うことも有効である。本発明の磁気記録媒体は、基板
上に１層以上の磁気記録層が成膜されている磁気記録媒
体において、１０≧Ｃ≧１ａｔ％、３０≧Ｃｒ≧１０ａ
ｔ％、３０≧Ｐｔ≧５ａｔ％、残部Ｃｏを主体とするＣ
ｏ系磁気記録層が１層以上成膜されていることを特徴と
する磁気記録媒体である。好ましくはＣｏ系磁気記録層
に７≧Ｔａ＞０ａｔ％、３０≧Ｎｉ＞０ａｔ％および５
≧（Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｖ＋Ｎｂ＋Ｍｏ＋Ｗ＋Ｃｕ＋Ａ
ｇ＋Ａｕ＋Ｂ）＞０ａｔ％を、それぞれもしくは複合で
含むことが可能である。特に好ましくは、Ｃｏ系磁気記
録層を成膜する際は、マトリックスの平均結晶粒径が５
０μｍ以下であり、組織中に存在する炭化物がターゲッ
トの断面で見た時に分散している本発明のＣｏ−Ｃｒ−
Ｐｔ−Ｃ系ターゲットを用いることである。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の最大の特徴は、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｐｔ系磁性膜にＣを添加することにより磁気特性を
著しく改善するともに、多量の炭化物を含有するＣｏ−
Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系の溶解・鋳造ターゲットのばらつき
を、熱間圧延を適用として、結晶粒径の微細化と、炭化
物の分散を可能としたことにある。
ｒ−Ｐｔ系磁性膜にＣを添加することにより磁気特性を
著しく改善するともに、多量の炭化物を含有するＣｏ−
Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系の溶解・鋳造ターゲットのばらつき
を、熱間圧延を適用として、結晶粒径の微細化と、炭化
物の分散を可能としたことにある。
【０００９】本発明者らが検討したところによると、溶
解・鋳造ターゲットは、凝固時の組織がそのままターゲ
ットに残っており、柱状晶のように大きな領域において
結晶方位がそろった組織となっている。スパッタの際、
スパッタ粒子の飛び方は、結晶方位にも依存しており、
溶解・鋳造ターゲットでは、結晶粒径が粗く不均一であ
るため、磁性膜の特性にバラツキが生じることを確認
し、マトリックスの結晶粒径を微細にすることにより、
磁性膜の特性のバラツキが低減を試みた。
解・鋳造ターゲットは、凝固時の組織がそのままターゲ
ットに残っており、柱状晶のように大きな領域において
結晶方位がそろった組織となっている。スパッタの際、
スパッタ粒子の飛び方は、結晶方位にも依存しており、
溶解・鋳造ターゲットでは、結晶粒径が粗く不均一であ
るため、磁性膜の特性にバラツキが生じることを確認
し、マトリックスの結晶粒径を微細にすることにより、
磁性膜の特性のバラツキが低減を試みた。
【００１０】本発明者らは、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系合
金に熱間圧延を行うことにより、結晶粒径を微細化し、
さらに炭化物を分散させ、均一な素材を作製することを
検討した。その結果、添加したＣは炭化物を形成し、こ
の形成された炭化物は硬質であり熱間加工性を低下させ
るため、あまり低温では熱間圧延が出来ない。また、Ｃ
ｏ系合金にＣを添加することにより、１２５０℃前後に
共晶が発現するため、熱間圧延時の温度も共晶温度以上
は上げられない。このような理由により、Ｃが添加され
たＣｏ系合金、特に１ａｔ％以上のＣを添加したＣｏ系
合金は、Ｂを添加したＣｏ系合金と比較すると熱間加工
性は優れているものの熱間加工条件は管理されるべきも
のであることを見いだした。
金に熱間圧延を行うことにより、結晶粒径を微細化し、
さらに炭化物を分散させ、均一な素材を作製することを
検討した。その結果、添加したＣは炭化物を形成し、こ
の形成された炭化物は硬質であり熱間加工性を低下させ
るため、あまり低温では熱間圧延が出来ない。また、Ｃ
ｏ系合金にＣを添加することにより、１２５０℃前後に
共晶が発現するため、熱間圧延時の温度も共晶温度以上
は上げられない。このような理由により、Ｃが添加され
たＣｏ系合金、特に１ａｔ％以上のＣを添加したＣｏ系
合金は、Ｂを添加したＣｏ系合金と比較すると熱間加工
性は優れているものの熱間加工条件は管理されるべきも
のであることを見いだした。
【００１１】そして本発明者らは、熱間圧延時の作業温
度を共晶の発現しない１２００℃から熱間加工が可能な
最低温度である８００℃の範囲で制御することにより、
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系合金の圧延を可能にした。ま
た、このような熱間圧延条件で熱間圧延を行うことによ
り、上述したマトリックスの平均結晶粒径を５０μｍ以
下に微細化可能となり、組織中に存在する炭化物を分散
させた新しい組織になることを確認した。そして、この
ような組織とすることで、磁性膜の特性のバラツキは、
ほとんど無くなることを見出したものである。
度を共晶の発現しない１２００℃から熱間加工が可能な
最低温度である８００℃の範囲で制御することにより、
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系合金の圧延を可能にした。ま
た、このような熱間圧延条件で熱間圧延を行うことによ
り、上述したマトリックスの平均結晶粒径を５０μｍ以
下に微細化可能となり、組織中に存在する炭化物を分散
させた新しい組織になることを確認した。そして、この
ような組織とすることで、磁性膜の特性のバラツキは、
ほとんど無くなることを見出したものである。
【００１２】また、本発明において、高めのＣ量であっ
たり、Ｔａ等が添加されることにより、熱間加工性は低
下する。このような場合、熱間圧延前に１２００℃〜８
００℃で１時間以上の加熱処理を付加することにより、
炭化物が分断され、熱間加工性が向上するため、熱間加
工性の向上に有効である。加熱処理時間は長時間、熱処
理温度は高温の方が有効であるが、１２００℃〜８００
℃で１時間以上行うことで、鋳造ままより著しい熱間加
工性の向上が見られる。なお、本発明において、熱間圧
延時に熱間圧延方向を変えると、異方性の少ないターゲ
ットとなるのでより好ましい。組成範囲を１０≧Ｃ≧１
ａｔ％、３０≧Ｐｔ≧５ａｔ％、残部Ｃｏおよび３０≧
Ｃｒ≧１０ａｔ％の基本組成に加えて、７≧Ｔａ＞０ａ
ｔ％、３０≧Ｎｉ＞０ａｔ％および５≧（Ｔｉ＋Ｚｒ＋
Ｈｆ＋Ｖ＋Ｎｂ＋Ｍｏ＋Ｗ＋Ｃｕ＋Ａｇ＋Ａｕ＋Ｂ）＞
０ａｔ％を含んでいても良いとしたのは、上限以上を加
えると添加効果より添加による悪影響が大きくなるため
である。以下詳しく説明する。
たり、Ｔａ等が添加されることにより、熱間加工性は低
下する。このような場合、熱間圧延前に１２００℃〜８
００℃で１時間以上の加熱処理を付加することにより、
炭化物が分断され、熱間加工性が向上するため、熱間加
工性の向上に有効である。加熱処理時間は長時間、熱処
理温度は高温の方が有効であるが、１２００℃〜８００
℃で１時間以上行うことで、鋳造ままより著しい熱間加
工性の向上が見られる。なお、本発明において、熱間圧
延時に熱間圧延方向を変えると、異方性の少ないターゲ
ットとなるのでより好ましい。組成範囲を１０≧Ｃ≧１
ａｔ％、３０≧Ｐｔ≧５ａｔ％、残部Ｃｏおよび３０≧
Ｃｒ≧１０ａｔ％の基本組成に加えて、７≧Ｔａ＞０ａ
ｔ％、３０≧Ｎｉ＞０ａｔ％および５≧（Ｔｉ＋Ｚｒ＋
Ｈｆ＋Ｖ＋Ｎｂ＋Ｍｏ＋Ｗ＋Ｃｕ＋Ａｇ＋Ａｕ＋Ｂ）＞
０ａｔ％を含んでいても良いとしたのは、上限以上を加
えると添加効果より添加による悪影響が大きくなるため
である。以下詳しく説明する。
【００１３】Ｃ添加は、膜中で粒界へ偏析し、Ｐｔ元素
を粒内へ偏析させる効果があり、さらにＣｒ等の非磁性
元素も粒界へ偏析させる効果があり、本発明の最も重要
な元素である。これらの効果は１ａｔ％以上の添加で顕
著になる。また、１０ａｔ％を越える添加を行うと、膜
の結晶性を損ない膜の磁気特性を劣化させるため、１０
≧Ｃ≧１ａｔ％とした。Ｐｔ添加は、Ｃｏに固溶するこ
とにより磁気異方性を高め、膜の保磁力を上げる効果が
ある。保磁力増大には５ａｔ％以上の添加を行うことに
より顕著な効果が見られ、また、３０ａｔ％を越える添
加は、Ｃｏの持つ本来の性質を著しく低下させるため、
３０≧Ｐｔ≧５ａｔ％とした。
を粒内へ偏析させる効果があり、さらにＣｒ等の非磁性
元素も粒界へ偏析させる効果があり、本発明の最も重要
な元素である。これらの効果は１ａｔ％以上の添加で顕
著になる。また、１０ａｔ％を越える添加を行うと、膜
の結晶性を損ない膜の磁気特性を劣化させるため、１０
≧Ｃ≧１ａｔ％とした。Ｐｔ添加は、Ｃｏに固溶するこ
とにより磁気異方性を高め、膜の保磁力を上げる効果が
ある。保磁力増大には５ａｔ％以上の添加を行うことに
より顕著な効果が見られ、また、３０ａｔ％を越える添
加は、Ｃｏの持つ本来の性質を著しく低下させるため、
３０≧Ｐｔ≧５ａｔ％とした。
【００１４】Ｃｒ添加は、膜中で粒界へ偏析し、粒界を
非磁性にすることにより、強磁性Ｃｏ粒を磁気的に分断
する効果があり、１０ａｔ％未満の添加では、磁気的な
分断が十分では無く、また、３０ａｔ％を越える添加は
膜そのものの磁化を低下させ過ぎるため、３０≧Ｃｒ≧
１０ａｔ％とした。Ｔａ添加は、膜結晶粒径の微細化の
効果、さらにＣｒ等の非磁性元素も粒界へ偏析させる効
果があり、少量の添加でも効果が認められる、逆に７ａ
ｔ％を越える添加は、膜の磁化を低下させるため好まし
くないため、７≧Ｔａ＞０ａｔ％とした。
非磁性にすることにより、強磁性Ｃｏ粒を磁気的に分断
する効果があり、１０ａｔ％未満の添加では、磁気的な
分断が十分では無く、また、３０ａｔ％を越える添加は
膜そのものの磁化を低下させ過ぎるため、３０≧Ｃｒ≧
１０ａｔ％とした。Ｔａ添加は、膜結晶粒径の微細化の
効果、さらにＣｒ等の非磁性元素も粒界へ偏析させる効
果があり、少量の添加でも効果が認められる、逆に７ａ
ｔ％を越える添加は、膜の磁化を低下させるため好まし
くないため、７≧Ｔａ＞０ａｔ％とした。
【００１５】Ｎｉ添加は、Ｃｏに固溶することにより磁
気異方性を高め、膜の保磁力を上げる効果がある。より
好ましくは保磁力増大には５ａｔ％以上の添加を行うこ
とにより顕著な効果が見られ、また、３０ａｔ％を越え
る添加は、Ｃｏの持つ本来の性質を著しく低下させるた
め、３０≧Ｎｉ＞０ａｔ％とした。Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ａｇ、ＡｕおよびＢ添加
は、磁気特性を改善する添加元素として添加可能であ
る。これらの元素は少量の添加で効果が認められるが、
総量で５ａｔ％を越えると膜の磁気特性および結晶性を
著しく損なうため５≧（Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｖ＋Ｎｂ＋
Ｍｏ＋Ｗ＋Ｃｕ＋Ａｇ＋Ａｕ＋Ｂ）＞０ａｔ％とした。
気異方性を高め、膜の保磁力を上げる効果がある。より
好ましくは保磁力増大には５ａｔ％以上の添加を行うこ
とにより顕著な効果が見られ、また、３０ａｔ％を越え
る添加は、Ｃｏの持つ本来の性質を著しく低下させるた
め、３０≧Ｎｉ＞０ａｔ％とした。Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ａｇ、ＡｕおよびＢ添加
は、磁気特性を改善する添加元素として添加可能であ
る。これらの元素は少量の添加で効果が認められるが、
総量で５ａｔ％を越えると膜の磁気特性および結晶性を
著しく損なうため５≧（Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｖ＋Ｎｂ＋
Ｍｏ＋Ｗ＋Ｃｕ＋Ａｇ＋Ａｕ＋Ｂ）＞０ａｔ％とした。
【００１６】
【実施例】（実施例１）Ｃｏ−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ−５
Ｃ（ａｔ％）、Ｃｏ−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ−５Ｃ−１Ｔ
ａ（ａｔ％）、Ｃｏ−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ−１０Ｎｉ−
５Ｃ（ａｔ％）、Ｃｏ−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ−５Ｃ−１
Ｔｉ（ａｔ％）、Ｃｏ−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ−５Ｃ−１
Ｎｂ（ａｔ％）、Ｃｏ−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ−５Ｃ−１
Ｍｏ（ａｔ％）およびＣｏ−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ−５Ｃ
−１Ｃｕ（ａｔ％）のインゴットを作製し、それぞれの
インゴットを表１に示す条件で熱間圧延を行った。
Ｃ（ａｔ％）、Ｃｏ−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ−５Ｃ−１Ｔ
ａ（ａｔ％）、Ｃｏ−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ−１０Ｎｉ−
５Ｃ（ａｔ％）、Ｃｏ−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ−５Ｃ−１
Ｔｉ（ａｔ％）、Ｃｏ−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ−５Ｃ−１
Ｎｂ（ａｔ％）、Ｃｏ−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ−５Ｃ−１
Ｍｏ（ａｔ％）およびＣｏ−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ−５Ｃ
−１Ｃｕ（ａｔ％）のインゴットを作製し、それぞれの
インゴットを表１に示す条件で熱間圧延を行った。
【００１７】
【表１】
【００１８】ただし、熱間圧延は、インゴット板厚４０
ｍｍｔから、８ｍｍｔへの加工とし、表１に示す上限温
度で加熱後圧延を行い、表１に示す下限温度まで低下し
たら、再度上限温度で加熱を行なうものとした。また、
圧延１回の圧下率は１０％以下とし、圧延方向を変えな
がら所定の板厚まで圧延した。また、表２〜表４は、熱
間圧延した結果の割れの状況（割れ未発生：○、割れ発
生：×）について示す。さらに、表５および６には熱間
圧延を行う前に、それぞれ９００℃×１ｈおよび１００
０℃×５ｈの熱処理を行ったＣｏ−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ
−５Ｃ（ａｔ％）およびＣｏ−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ−５
Ｃ−１Ｔａ（ａｔ％）インゴットの熱間圧延した結果の
割れの状況（割れ未発生：○、割れ発生：×）について
示す。表２〜表４と表５および表６とを対比することに
より、熱間前の熱処理が熱間加工時の割れ発生を抑え、
加工性を向上することがわかる。
ｍｍｔから、８ｍｍｔへの加工とし、表１に示す上限温
度で加熱後圧延を行い、表１に示す下限温度まで低下し
たら、再度上限温度で加熱を行なうものとした。また、
圧延１回の圧下率は１０％以下とし、圧延方向を変えな
がら所定の板厚まで圧延した。また、表２〜表４は、熱
間圧延した結果の割れの状況（割れ未発生：○、割れ発
生：×）について示す。さらに、表５および６には熱間
圧延を行う前に、それぞれ９００℃×１ｈおよび１００
０℃×５ｈの熱処理を行ったＣｏ−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ
−５Ｃ（ａｔ％）およびＣｏ−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ−５
Ｃ−１Ｔａ（ａｔ％）インゴットの熱間圧延した結果の
割れの状況（割れ未発生：○、割れ発生：×）について
示す。表２〜表４と表５および表６とを対比することに
より、熱間前の熱処理が熱間加工時の割れ発生を抑え、
加工性を向上することがわかる。
【００１９】
【表２】
【００２０】
【表３】
【００２１】
【表４】
【００２２】
【表５】
【００２３】
【表６】
【００２４】表２〜表６で得られたターゲット材のマト
リックスの結晶粒径を切断法で測定した平均結晶粒径を
表７および表８に示す。なお、表７および表８において
は割れの発生の無かったものについて測定したものであ
る。また、本発明のターゲットの代表的な熱間圧延を適
用したミクロ組織として、Ｃｏ−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ−
５Ｃ（ａｔ％）の熱間圧延後および鋳造ままの素材のミ
クロ組織を図１および図２に、Ｃｏ−２０Ｃｒ−１０Ｐ
ｔ−５Ｃ−１Ｔａ（ａｔ％）の熱間圧延後および鋳造ま
まの素材のミクロ組織を図３および図４に示す。ただ
し、それぞれ素材の断面方向から観察したものである。
図１〜４のミクロ組織より、熱間圧延を行った素材は、
マトリックスに再結晶がおこり結晶粒径が細かくなって
おり、組織中に存在する炭化物がターゲットの断面で見
た時に分散した組織になっていることがわかる。
リックスの結晶粒径を切断法で測定した平均結晶粒径を
表７および表８に示す。なお、表７および表８において
は割れの発生の無かったものについて測定したものであ
る。また、本発明のターゲットの代表的な熱間圧延を適
用したミクロ組織として、Ｃｏ−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ−
５Ｃ（ａｔ％）の熱間圧延後および鋳造ままの素材のミ
クロ組織を図１および図２に、Ｃｏ−２０Ｃｒ−１０Ｐ
ｔ−５Ｃ−１Ｔａ（ａｔ％）の熱間圧延後および鋳造ま
まの素材のミクロ組織を図３および図４に示す。ただ
し、それぞれ素材の断面方向から観察したものである。
図１〜４のミクロ組織より、熱間圧延を行った素材は、
マトリックスに再結晶がおこり結晶粒径が細かくなって
おり、組織中に存在する炭化物がターゲットの断面で見
た時に分散した組織になっていることがわかる。
【００２５】
【表７】
【００２６】
【表８】
【００２７】（実施例２）ＮｉＰメッキを施したＡｌ基
板上にＣｒ下地膜をスパッタ成膜した基板を用い、基板
上に、基板温度１５０℃、Ａｒ圧０．６６Ｐａ、ＤＣ電
力５００Ｗの条件で表９に示すマトリックスの平均結晶
粒径の異なるＣｏ−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ−５Ｃ（ａｔ
％）ターゲットで成膜を行った。磁性膜の特性バラツキ
を調査するため総成膜時間が１時間から１時間間隔で５
時間までの成膜基板を作製し、ＶＳＭ（振動試料型磁力
計）で測定した保磁力Ｈｃの計測結果を表１０に示す。
ただし、表１０は、試料１の１時間時の保磁力を１００
とした相対値で表した。平均結晶粒径の異なるターゲッ
トは、鋳造ままの組織で加工製造したターゲット材、熱
間圧延ままのターゲット材と、熱間圧延後に加熱処理を
行うことにより結晶粒成長をさせで結晶粒径を大きくし
たものを用いた。
板上にＣｒ下地膜をスパッタ成膜した基板を用い、基板
上に、基板温度１５０℃、Ａｒ圧０．６６Ｐａ、ＤＣ電
力５００Ｗの条件で表９に示すマトリックスの平均結晶
粒径の異なるＣｏ−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ−５Ｃ（ａｔ
％）ターゲットで成膜を行った。磁性膜の特性バラツキ
を調査するため総成膜時間が１時間から１時間間隔で５
時間までの成膜基板を作製し、ＶＳＭ（振動試料型磁力
計）で測定した保磁力Ｈｃの計測結果を表１０に示す。
ただし、表１０は、試料１の１時間時の保磁力を１００
とした相対値で表した。平均結晶粒径の異なるターゲッ
トは、鋳造ままの組織で加工製造したターゲット材、熱
間圧延ままのターゲット材と、熱間圧延後に加熱処理を
行うことにより結晶粒成長をさせで結晶粒径を大きくし
たものを用いた。
【００２８】それぞれのターゲット材に対して、切断法
で測定した平均結晶粒径を表９中に示す。ただし、鋳造
ままの素材は、デンドライト組織中のマトリックスに結
晶粒界は観察されないため、結晶粒径は測定不能であっ
た。さらに、表９中にはターゲット断面を観察した際の
炭化物の分散状況について示す。分散状態の表記につい
ては、○としたものは図１および３に準じた組織、×と
したものは図２および４に準じた組織である。表１０よ
り、鋳造ままの組織のターゲットは成膜時のバラツキが
大きく、さらに、マトリックスの結晶粒径が微細なター
ゲットが磁性膜の特性バラツキが小さいことがわかる。
で測定した平均結晶粒径を表９中に示す。ただし、鋳造
ままの素材は、デンドライト組織中のマトリックスに結
晶粒界は観察されないため、結晶粒径は測定不能であっ
た。さらに、表９中にはターゲット断面を観察した際の
炭化物の分散状況について示す。分散状態の表記につい
ては、○としたものは図１および３に準じた組織、×と
したものは図２および４に準じた組織である。表１０よ
り、鋳造ままの組織のターゲットは成膜時のバラツキが
大きく、さらに、マトリックスの結晶粒径が微細なター
ゲットが磁性膜の特性バラツキが小さいことがわかる。
【００２９】
【表９】
【００３０】
【表１０】
【００３１】（実施例３）ＮｉＰメッキを施したＡｌ基
板上にＣｒ下地膜をスパッタ成膜した基板を用い、基板
上に、基板温度１５０℃、Ａｒ圧０．６６Ｐａ、ＤＣ電
力５００Ｗの条件で表１１に示す組成の熱間圧延を施し
たターゲットで成膜を行った。磁性膜の保磁力および特
性バラツキを調査するため総成膜時間が１時間から１時
間間隔で５時間までの成膜基板を作製し、ＶＳＭ（振動
試料型磁力計）で測定した保磁力Ｈｃの計測結果を表１
２に示す。ただし、表１２は、試料１の１時間時の保磁
力を１００とした相対値で表した。
板上にＣｒ下地膜をスパッタ成膜した基板を用い、基板
上に、基板温度１５０℃、Ａｒ圧０．６６Ｐａ、ＤＣ電
力５００Ｗの条件で表１１に示す組成の熱間圧延を施し
たターゲットで成膜を行った。磁性膜の保磁力および特
性バラツキを調査するため総成膜時間が１時間から１時
間間隔で５時間までの成膜基板を作製し、ＶＳＭ（振動
試料型磁力計）で測定した保磁力Ｈｃの計測結果を表１
２に示す。ただし、表１２は、試料１の１時間時の保磁
力を１００とした相対値で表した。
【００３２】それぞれのターゲット材に対して、切断法
で測定した平均結晶粒径を表１１中に示す。表１２よ
り、本発明であるＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系の磁性膜は、
Ｃを含まない磁性膜より高保磁力であり、１層以上の磁
性膜を有する磁気記録媒体用として優れていることがわ
かる。
で測定した平均結晶粒径を表１１中に示す。表１２よ
り、本発明であるＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系の磁性膜は、
Ｃを含まない磁性膜より高保磁力であり、１層以上の磁
性膜を有する磁気記録媒体用として優れていることがわ
かる。
【００３３】
【表１１】
【００３４】
【表１２】
【００３５】
【発明の効果】本発明により、磁気ディスク装置用など
の磁気記録媒体のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系磁性膜および
その磁性膜の磁気特性のバラツキを抑えたＣｏ−Ｃｒ−
Ｐｔ−Ｃ系ターゲットを安定して供給することが可能と
なり、磁気記録媒体の製造に欠かせない技術となった。
の磁気記録媒体のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系磁性膜および
その磁性膜の磁気特性のバラツキを抑えたＣｏ−Ｃｒ−
Ｐｔ−Ｃ系ターゲットを安定して供給することが可能と
なり、磁気記録媒体の製造に欠かせない技術となった。
【図１】本発明のターゲットの代表的な組織を示すＣｏ
−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ−５Ｃ（ａｔ％）のミクロ組織顕
微鏡写真である。
−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ−５Ｃ（ａｔ％）のミクロ組織顕
微鏡写真である。
【図２】比較例のターゲットの代表的な組織を示すＣｏ
−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ−５Ｃ（ａｔ％）のミクロ組織顕
微鏡写真である。
−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ−５Ｃ（ａｔ％）のミクロ組織顕
微鏡写真である。
【図３】本発明のターゲットの代表的な組織を示すＣｏ
−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ−５Ｃ−１Ｔａ（ａｔ％）のミク
ロ組織顕微鏡写真である。
−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ−５Ｃ−１Ｔａ（ａｔ％）のミク
ロ組織顕微鏡写真である。
【図４】比較例のターゲットの代表的な組織を示すＣｏ
−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ−５Ｃ−１Ｔａ（ａｔ％）のミク
ロ組織顕微鏡写真である。
−２０Ｃｒ−１０Ｐｔ−５Ｃ−１Ｔａ（ａｔ％）のミク
ロ組織顕微鏡写真である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｆ 41/18 Ｈ０１Ｆ 41/18 (72)発明者 谷口 繁 島根県安来市安来町2107番地２ 日立金属 株式会社安来工場内 Ｆターム(参考） 4K029 BA06 BA24 BC06 BD11 CA05 DC04 DC09 5D006 BB01 BB02 BB03 BB06 BB08 DA03 EA03 5E049 AA04 AA09 BA06 CB01 GC02
Claims (15)
- 【請求項１】 １０≧Ｃ≧１ａｔ％、３０≧Ｃｒ≧１０
ａｔ％、３０≧Ｐｔ≧５ａｔ％、残部Ｃｏを主体とする
ターゲットであって、マトリックスの平均結晶粒径が５
０μｍ以下であり、組織中に存在する炭化物がターゲッ
トの断面で見た時に分散していることを特徴とするＣｏ
−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系ターゲット。 - 【請求項２】 ７≧Ｔａ＞０ａｔ％を含んでいることを
特徴とする請求項１に記載のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系タ
ーゲット。 - 【請求項３】 ３０≧Ｎｉ＞０ａｔ％を含んでいること
を特徴とする請求項１または２に記載のＣｏ−Ｃｒ−Ｐ
ｔ−Ｃ系ターゲット。 - 【請求項４】 ５≧（Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｖ＋Ｎｂ＋Ｍ
ｏ＋Ｗ＋Ｃｕ＋Ａｇ＋Ａｕ＋Ｂ）＞０ａｔ％含んでいる
ことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系ターゲット。 - 【請求項５】 １０≧Ｃ≧１ａｔ％、３０≧Ｃｒ≧１０
ａｔ％、３０≧Ｐｔ≧５ａｔ％、残部Ｃｏを主体とする
素材を、熱間圧延を施し、マトリックスの平均結晶粒径
を５０μｍ以下とするとともに、組織中に存在する炭化
物をターゲットの断面で見た時に分散させることを特徴
とするＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系ターゲットの製造方法。 - 【請求項６】 製造するターゲットが７≧Ｔａ＞０ａｔ
％を含んでいることを特徴とする請求項５に記載のＣｏ
−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系ターゲットの製造方法。 - 【請求項７】 製造するターゲットが３０≧Ｎｉ＞０ａ
ｔ％を含んでいることを特徴とする請求項５または６に
記載のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系ターゲットの製造方法。 - 【請求項８】 製造するターゲットが５≧（Ｔｉ＋Ｚｒ
＋Ｈｆ＋Ｖ＋Ｎｂ＋Ｍｏ＋Ｗ＋Ｃｕ＋Ａｇ＋Ａｕ＋Ｂ）
＞０ａｔ％を含んでいることを特徴とする請求項５から
７のいずれかに記載のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系ターゲッ
トの製造方法。 - 【請求項９】 熱間圧延温度が１２００℃〜８００℃の
間で行うことを特徴とする請求項５から８のいずれかに
記載のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系ターゲットの製造方法。 - 【請求項１０】 熱間圧延前に１２００℃〜８００℃の
間で１時間以上の加熱処理を行うことを特徴とする請求
項５から９のいずれかに記載のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系
ターゲットの製造方法。 - 【請求項１１】 基板上に１層以上の磁気記録層が成膜
されている磁気記録媒体において、１０≧Ｃ≧１ａｔ
％、３０≧Ｃｒ≧１０ａｔ％、３０≧Ｐｔ≧５ａｔ％、
残部Ｃｏを主体とするＣｏ系磁気記録層が１層以上成膜
されていることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項１２】 Ｃｏ系磁気記録層に７≧Ｔａ＞０ａｔ
％を含んでいることを特徴とする請求項１１に記載の磁
気記録媒体。 - 【請求項１３】 Ｃｏ系磁気記録層に３０≧Ｎｉ＞０ａ
ｔ％を含んでいることを特徴とする請求項１１または１
２に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１４】 Ｃｏ系磁気記録層に５≧（Ｔｉ＋Ｚｒ
＋Ｈｆ＋Ｖ＋Ｎｂ＋Ｍｏ＋Ｗ＋Ｃｕ＋Ａｇ＋Ａｕ＋Ｂ）
＞０ａｔ％含んでいることを特徴とする請求項１１から
１３のいずれかに記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１５】 請求項１から４のいずれかに記載のタ
ーゲットを用いて磁気記録層を成膜されていることを特
徴とする請求項１１から１４のいずれかに記載の磁気記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27085499A JP2001098360A (ja) | 1999-09-24 | 1999-09-24 | Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系ターゲットおよびその製造方法ならびに磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27085499A JP2001098360A (ja) | 1999-09-24 | 1999-09-24 | Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系ターゲットおよびその製造方法ならびに磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001098360A true JP2001098360A (ja) | 2001-04-10 |
Family
ID=17491914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27085499A Pending JP2001098360A (ja) | 1999-09-24 | 1999-09-24 | Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系ターゲットおよびその製造方法ならびに磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001098360A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003017258A1 (fr) * | 2001-08-17 | 2003-02-27 | Showa Denko K.K. | Support d'enregistrement magnetique, procede permettant de le produire et dispositif magnetique d'enregistrement/de reproduction |
| US6723458B2 (en) | 2001-08-17 | 2004-04-20 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, method of manufacture therefor, and magnetic read/write apparatus |
| WO2007080781A1 (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-19 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット |
| US20130168240A1 (en) * | 2010-08-31 | 2013-07-04 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Fe-Pt-Based Ferromagnetic Material Sputtering Target |
| US9793099B2 (en) | 2012-03-15 | 2017-10-17 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Magnetic material sputtering target and manufacturing method thereof |
| US9970099B2 (en) | 2012-03-09 | 2018-05-15 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target for magnetic recording medium, and process for producing same |
-
1999
- 1999-09-24 JP JP27085499A patent/JP2001098360A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003017258A1 (fr) * | 2001-08-17 | 2003-02-27 | Showa Denko K.K. | Support d'enregistrement magnetique, procede permettant de le produire et dispositif magnetique d'enregistrement/de reproduction |
| US6723458B2 (en) | 2001-08-17 | 2004-04-20 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, method of manufacture therefor, and magnetic read/write apparatus |
| WO2007080781A1 (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-19 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット |
| JP4975647B2 (ja) * | 2006-01-13 | 2012-07-11 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット |
| TWI393794B (zh) * | 2006-01-13 | 2013-04-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Non - magnetic Particle Dispersive Type Strong Magnetic Sputtering Target |
| US9034153B2 (en) | 2006-01-13 | 2015-05-19 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Nonmagnetic material particle dispersed ferromagnetic material sputtering target |
| US20130168240A1 (en) * | 2010-08-31 | 2013-07-04 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Fe-Pt-Based Ferromagnetic Material Sputtering Target |
| US9328412B2 (en) * | 2010-08-31 | 2016-05-03 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Fe—Pt-based ferromagnetic material sputtering target |
| US9970099B2 (en) | 2012-03-09 | 2018-05-15 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target for magnetic recording medium, and process for producing same |
| US10266939B2 (en) | 2012-03-09 | 2019-04-23 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target for magnetic recording medium, and process for producing same |
| US9793099B2 (en) | 2012-03-15 | 2017-10-17 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Magnetic material sputtering target and manufacturing method thereof |
| US10325761B2 (en) | 2012-03-15 | 2019-06-18 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Magnetic material sputtering target and manufacturing method thereof |
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